Φυσική Στερεάς Κατάστασης -2018

2η ομάδα ασκήσεων-Ημιαγωγοί
Διδάσκουσα Ε. Κ. Παλούρα

1. Έστω ημιαγωγός με συγκέντρωση προσμείξεων Ν>>ni.  Όλες οι προσμείξεις είναι ιονισμένες και 
ισχύει n=N, p=ni2/N.  Η πρόσμειξη είναι τύπου p ή n? 

Λύση:  Όλες οι προσμείξεις είναι ιονισμένες n=N . Ισχύει ο νόμος δράσης μαζών np=ni2 

 p=ni2/n όπου όμως N=ND=N.  

n2
p  i   i ni
n    όμως ni<<Ν (ni/N)<<1 p<<ni<<N=n  Η πρόσμειξη είναι τύπου n 
N N

2. Δείγμα  Si περιέχει 1016 cm‐3 προσμείξεις Αs. Να υπολογιστούν η συγκέντρωση των φορέων, η 
συγκέντρωση των οπών και η θέση της στάθμης Fermi στους 300Κ.  Δίδονται ni=9.65x109cm‐3 & 
NC=2.86x1019cm‐3. 

Λύση 
 Στους 300Κ οι προσμείξεις είναι τελείως ιονισμένες n=ND=1016cm‐3 

 Η συγκέντρωση των οπών: p= ni2 p=9.3x103cm‐3 

ND

 H αγωγιμότητα είναι τύπου n  η Fermi βρίσκεται κοντά στον πυθμένα της ταινίας αγωγιμότητας.  
Η θέση της στάθμης Fermi υπολογίζεται από την σχέση : 

 E  EF  2.86 x10 19
n  N D  N eff exp  c   E C  E F  kT ln N C   EC  E F  kT ln  
C

 kT  ND 10 16
 ΕC‐ΕF=0,205eV 
 

3. Να υπολογίσετε την ειδική αντίσταση στους 300Κ δείγματος Si που περιέχει προσμείξεις P σε 
συγκέντρωση 1016 cm‐3.  Δίδονται: μ=1300 cm2V‐1s‐1 & q=1.6x1019Cb. 

Λύση: Στους 300 Κ όλες οι προσμείξεις είναι ιονισμένες  n  N D  1016 cm  3  
1 1
   ρ=0,48 Ω cm 
 nq e
 

1
 Φυσική Στερεάς Κατάστασης -2018
2η ομάδα ασκήσεων-Ημιαγωγοί
Διδάσκουσα Ε. Κ. Παλούρα

4. Η χημική ανάλυση κρυστάλλου Ge (στήλη IV του περιοδικού πίνακα) δείχνει την ύπαρξη 
προσμείξεων In (στήλη ΙΙΙ του περιοδικού πίνακα) σε συγκέντρωση 0,0003 at%. (α) αν 
υποθέσουμε ότι η θερμική διέγερση φορέων από την ταινία σθένους είναι αμελητέα, ποια είναι 
η συγκέντρωση των ελεύθερων φορέων? (β) Να κατασκευάσετε ποιοτικά το διάγραμμα ταινιών 
του υλικού.  Δίδεται ο μοριακός (ατομικός) όγκος του Ge =13,6 cm3/mole και NA= 6.02x1023 
άτομα/mole. 

Λύση : (α) Για να υπολογίσουμε την συγκέντρωση φορέων πρέπει να υπολογίσουμε τον αριθμό 
ατόμων In ανά cm3 & επομένως χρειαζόμαστε κατ’ αρχήν τον αριθμό ατόμων Ge ανά cm3.  
23
# Ge atoms/cm3= 6.02 x10  4.4 x1022 ά / cm 3 .  
13.6
# In atoms/cm3=4.4x1022x0.0003x10‐2=1.33x1017 In atoms/cm3 
 (β) Το In είναι πρόσμειξη τύπου p εισάγει καταστάσεις στην κορυφή της ταινίας σθένους. 

 
 

5. Το πράσινο φως με λ=5x10‐7 m μπορεί να διεγείρει φορείς από την ΤΣ στην ΤΑ στο Si 
(χάσμα=1.1eV, c=3x108m/s, h=6.6x10‐34 Js, 1eV=1.6x10‐19J)? 

Λύση: Το Si απορροφά φωτόνια που έχουν ενέργεια τουλάχιστον ίση με το χάσμα. Επομένως 
ορίζεται ένα κρίσιμο λcrit που αντιστοιχεί σε ακριβώς αυτή τη συνθήκη: 

hc 6.62 x1034 x 3x108

crit   19
 1.13x10 6 m  
Eg 1.1x1.6 x10

Επομένως το πράσινο φως με μικρότερο λ έχει φωτόνια μεγαλύτερης ενέργειας και μπορεί να διεγείρει 
φορείς. 
 

6. Ένα καθαρό κρυσταλλικό υλικό (που δεν περιέχει προσμείξεις) εμφανίζεται κόκκινο στην 
διερχόμενη δέσμη λευκού φωτός. (α) Το υλικό είναι μέταλλο, ημιαγωγός ή μονωτής? Να αιτιολογήσετε 
την απάντηση. (β) Να υπολογίσετε κατά προσέγγιση το χάσμα του υλικού σε eV. 

2
 Φυσική Στερεάς Κατάστασης -2018
2η ομάδα ασκήσεων-Ημιαγωγοί
Διδάσκουσα Ε. Κ. Παλούρα
Λύση 
(α) Το λευκό φώς περιέχει λ=4000‐7000Å.  Το υλικό που εμφανίζεται κόκκινο απορροφά το μπλε 
και τα υπόλοιπα λ μέχρι το κόκκινο ≈6500 Å. 
Επίσης έχει πεπερασμένο χάσμα, δηλ. είναι ημιαγωγός, αφού η διέγερση φορέων από την 
σθένους στην αγωγιμότητος απαιτεί φωτόνια με λ>6500Å 
(β) αν θεωρήσουμε τα 6500Å σαν το κατώφλι για την οπτική απορρόφηση τότε: 

hc 1 eV
E  3.05 x10 29 J x  1.9eV  
 1.6 x1019 J

7. Οι  ευκινησίες  ηλεκτρονίων  και  οπών  σε  ένα  ενδογενή  ημιαγωγό  είναι  μεγαλύτερες,  ίσες  ή 
μικρότερες  με  αυτές  σε  στον  ίδιο  ημιαγωγό  με  μεγάλη  συγκέντρωση  προσμείξεων  (να 
δικαιολογήσετε την απάντηση). 

Λύση: Η μεγάλη συγκ. προσμείξεων πολλές σκεδάσεις μείωση της ευκινησίας  

e Ο χρόνος αφηρέμησης τ μειώνεται αυξανομένου του πλήθους των σκεδάσεων. 

*
m  

8. Η  ταχύτητα  ολίσθησης  των  οπών  σε  ένα  κομμάτι  ημιαγωγού  μήκους  1  cm  στο  οποίο 
εφαρμόζεται διαφορά δυναμικού 2V είναι 103cm/s.  Πόση είναι η ευκινησία των οπών? 

 q 
Λύση: Γνωρίζουμε ότι:     e     10 =μ (2Vcm ) μ=5x10 cm V s . 
3 ‐1 2 2 ‐1 ‐1
d   m 
 e 
 

9. Έχουμε 2 ίδια κομμάτια Si εκ των οποίων το Α περιέχει προσμείξεις τύπου n (συγκέντρωση ND) 
και  το  Β  περιέχει  προσμείξεις  τύπου  p  (συγκέντρωση  NA).    Eάν  ΝΑ=ΝD>>ni,  ποιό  κομμάτι 
εμφανίζει την υψηλότερη ειδική αντίσταση? 

Λύση:  Η  παράμετρος  που  μεταβάλλεται  μεταξύ  των  2  δειγμάτων  είναι  η  ενεργός  μάζα  των 

φορέων.  Γενικά ισχύει ότι:  mh*  me*  

Γνωρίζουμε  ότι  :   1  1   &  q    m* ο  ημιαγωγός  τύπου  p  έχει  την 

  
 qn n m* nq 2 
υψηλότερη ειδική αντίσταση (χαμηλότερη αγωγιμότητα) 

 
3
 Φυσική Στερεάς Κατάστασης -2018
2η ομάδα ασκήσεων-Ημιαγωγοί
Διδάσκουσα Ε. Κ. Παλούρα
10. Yποθέτουμε  ότι  σε  δείγμα  Si,  στους  300K,  η  EF  συμπίπτει  με  την  EC.    Να  υπολογίσετε  τη 
συγκέντρωση των ηλεκτρονίων στην ταινία αγωγιμότητος όταν NCeff=2.78x1019cm‐3. 

Λύση:  n  N C exp  E C  E F   όπου (ΕC‐EF)=0 n=Neff 

eff
 kT 

11. Να υπολογίσετε την ελάχιστη ενέργεια που απαιτείται για να αφαιρέσουμε 1 ηλεκτρόνιο από 
την κορυφή της ταινίας αγωγιμότητας στη στάθμη του κενού στους ημιαγωγούς InP & InAs 
στους 300Κ.  Δεδομένα Eg(InP)=1.35eV, Eg(InAs)=0.35eV και οι αντίστοιχες ηλεκτρονικές 
συγγένειες Eea είναι 4,38 & 4,92 eV. 
 
Λύση: Η ενέργεια που απαιτείται είναι (Εg+χ) 

12. Στην παραβολική προσέγγιση να υπολογίσετε την κρυσταλλική ορμή ενός ηλεκτρόνιου με 
ενέργεια 0,1 eV και m*=0,06mo. (  =6,6x10‐16 eVs, mo=9.11×10−31 kg) 

Λύση: Η κρυσταλλική ορμή του e είναι  k και την υπολογίζουμε από την παραβολική προσέγγιση 
2 2
E   k*  (έχουμε όλα τα δεδομένα) 
2m

13. Να υπολογίσετε την πυκνότητα καταστάσεων ηλεκτρονίων (σε μονάδες eV‐1cm‐3) σε ενέργεια 
0,1eV και με ενεργό μάζα m*=0.1mo. Υπόθεση: ισχύει η παραβολική προσέγγιση.  

Δίνεται ότι:   (2m*)3 / 2 E  
N (E) 
2 2  3

Λύση: Από τα δεδομένα δεν γνωρίζουμε αν πρόκειται για ημιαγωγό οπότε μπορούμε να 
χρησιμοποιήσουμε μόνο τη γενική εξίσωση για την πυκνότητα καταστάσεων  

(2m*)3 / 2 E  
N (E)   ...  6.9x1019 eV -1 cm-3
2 3
2 

4
 Φυσική Στερεάς Κατάστασης -2018
2η ομάδα ασκήσεων-Ημιαγωγοί
Διδάσκουσα Ε. Κ. Παλούρα
14. Θεωρούμε ημιαγωγό στον οποίο η m*=0.1mo.  Να υπολογίσετε την ενέργεια του ηλεκτρονίου ως 
προς τον πυθμένα της ταινίας αγωγιμότητας όταν k=0.3Å‐1.  Επίσης να υπολογίσετε την ενέργεια 
του ηλεκτρονίου ως προς τη στάθμη του κενού όταν η ηλεκτρονική συγγένεια του ημιαγωγού 
είναι 10 eV. 

Λύση 

k=0.3Å‐1=0.3x10‐10m‐1, αντικαθιστούμε στην σχέση για την παραβολική προσέγγιση: 

 2k 2  
E  ....  3.4eV
2m*

Το ηλεκτρόνιο βρίσκεται 3.4eV επάνω από τον πυθμένα της ταινίας 
αγωγιμότητας. Επομένως η ενέργειά του Ε* ως προς τη στάθμη του κενού 
είναι  Ε*= ‐ (10‐3.4)eV=‐6.6eV 

15. Το κυματοδιάνυσμα ενός ηλεκτρονίου στον ημιαγωγό GaAs είναι k=(0.1, 0.1, 0.0)Å‐1.  Να 
υπολογίσετε την ενέργεια του ηλεκτρονίου ως προς τον πυθμένα της ταινίας αγωγιμότητας 
(  =6,6x10‐16 eVs, mo=9.11×10−31 kg). 

Λύση 

Στην άσκηση αυτή πρέπει να λάβουμε υπ’ όψιν τα kx, ky, kz (όπου kx=ky & kz=0) για τον υπολογισμό 
της ενέργειας.  

E
2k 2

2
2m * 2m *

2(0.1x10 10 m 1 ) 2  0
 

Τα υπόλοιπα είναι πράξεις ….. 

Κενό
χ=10eV
5