ZTE基站设计指南 PDF

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　
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请勿外传　
　
射频功放设计指南　
　
（第一版）　
　
　
　
　
　
　
　
　
深圳市中兴通讯股份有限公司
　
　
　　　　　　　　
　
射频功放设计设计指南 V1.0
　
前言................................................................................................................................. 3
第一章射频功放设计步骤 ............................................................................................... 4
1.1 制定设计方案................................................................................................................4
1.1.1 GSM 及 PHS 基站系统.............................................................................................4
1.1.2 CDMA 及 WCDMA 基站系统....................................................................................5
1.1.3 前馈放大器.............................................................................................................6
1.1.4 预失真技术.............................................................................................................7
1.2 选择确定具体线路形式及关键器件 ...............................................................................7
1.2.1 射频放大链路形式与关键器件选择及确定................................................................7
1.2.2 控制电路的确定......................................................................................................9
1.3 进行专题实验或一板实验 ..............................................................................................9
1.4 结构设计及 PCB 详细设计 ........................................................................................... 10
1.5 进行可生产性、可测试性的设计与分析 ....................................................................... 10
1.6 附录： ........................................................................................................................ 10
第二章功放设计中的检测及保护电路.............................................................................11
2.1 引起功放失效的原因 ................................................................................................... 11
2.2 功放保护电路设计类型................................................................................................ 12
2.3 功率放大器的保护模型................................................................................................ 12
2.3 功放的状态监测 .......................................................................................................... 13
2.3.1 状态监测分类........................................................................................................ 13
2.3.2 状态监测的检测电路............................................................................................. 13
2.4 状态的比较判断 .......................................................................................................... 14
2.5 保护执行装置.............................................................................................................. 15
2.6 保护电路举例分析....................................................................................................... 15
第三章功放中增益补偿电路的实现 ............................................................................... 17
3.1 模拟环路增益控制....................................................................................................... 17
3.2 数字环路增益控制....................................................................................................... 17
3.3 温度系数衰减器 .......................................................................................................... 18
3.4 LDMOS 功放管静态工作点温度补偿功 ........................................................................ 18
3.4.1 基本原理............................................................................................................... 18
3.4.2 技术指标............................................................................................................... 19
3.4.3 调试、维护说明.................................................................................................... 20
第四章功放供电电路设计 ............................................................................................. 21
4.1 功放电路的供电形式 ................................................................................................... 21
4.1.1 LDMOS 器件供电电路........................................................................................... 21
4.1.2 GaAs 器件供电路................................................................................................... 23
4.2 电源偏置..................................................................................................................... 23
4.3 布局............................................................................................................................ 23
4.4 电容的选用 ................................................................................................................. 23
第五章输入输出匹配及功率合成技术............................................................................ 25
5.1 用集总参数元件进行阻抗匹配电路的原理及设计实例 .................................................. 25
5.1.1 输入阻抗中含感性特性的匹配设计........................................................................ 26
第 1 页共 56 页
5.1.2 输出阻抗中含容性特性的匹配设计........................................................................ 28
5.2 用分布参数来进行阻抗匹配......................................................................................... 29
5.3 功率合成技术.............................................................................................................. 32
5.3.1 功率分配和合成单元的几个基本要求..................................................................... 33
5.3.2 几种合成方式和特点............................................................................................. 34
第六章功放设计中的前馈技术 ...................................................................................... 37
6.1 前馈技术..................................................................................................................... 37
6.2 前馈分析..................................................................................................................... 39
6.2.1 前馈的增益........................................................................................................... 39
6.2.2 增益与信号电平、频率和温度............................................................................... 41
6.2.3 输入输出阻抗匹配................................................................................................. 42
6.2.4 前馈输入匹配........................................................................................................ 43
6.3 实现方案..................................................................................................................... 44
6.3.1 主功放模块（MAM） ............................................................................................ 45
6.3.2 误差放大器模块.................................................................................................... 45
6.3.3 延时滤波器模块.................................................................................................... 45
6.3.4 检测模块............................................................................................................... 46
6.3.5 信号处理模块........................................................................................................ 46
第七章功放中预失真技术 ............................................................................................. 48
7.1 预失真原理 ................................................................................................................. 48
7.2 预失真方法 ................................................................................................................. 49
7.2.1 模拟预失真方法.................................................................................................... 49
7.2.2 数字预失真方法.................................................................................................... 50
第八章功放设计中的材料选择 ...................................................................................... 52
8.1 功放管的选型.............................................................................................................. 52
8.1.1 工作带宽............................................................................................................... 52
8.1.2 线性度.................................................................................................................. 52
8.1.3 工作频率............................................................................................................... 53
8.1.4 工作电压............................................................................................................... 53
8.2 匹配电容的选型 .......................................................................................................... 53
8.2.1 高频损耗............................................................................................................... 53
8.2.2 耐压...................................................................................................................... 54
8.3 PCB 板材 .................................................................................................................... 54
第九章功放电路的结构、屏蔽及热设计 ........................................................................ 56
9.1 热设计 ........................................................................................................................ 56
9.2 屏蔽设计..................................................................................................................... 57
9.3 结构设计与装配中的注意问题 ..................................................................................... 58
9.3.1 PCB ...................................................................................................................... 58
9.3.2 电源及输入输出信号的处理.................................................................................. 58
第 2 页共 56 页
前言
随着社会的进步与生产力的高速发展，人们迫切地需求在远距离准确地传输信息，这使得
无线通讯（尤其是个人无线通讯）取得了迅猛的发展。其中占无线通讯设备３５％左右成本的重
要部件——“射频功放”引起了研发人员的极大关注，对产品的成本及可靠性也密切相关。为
此，公司技术中心模块化团队组织了涉及射频产品的事业部召开了射频功放设计研讨会。本射
频功放设计规范和指南是在研讨会上公司众多专家充分讨论的基础上形成的。　
本《射频功放设计规范和指南》由马宝良、田其、杨云涛、谢树民、狄松、杜承法、杨金
鹏、陈化璋、谭永等共同执笔完成。全文由贺席兵修改和统稿。　
本《射频功放设计规范和指南》的主要目的，是用于指导公司产品的射频功放设计。欢迎
广大射频研发人员在参照执行过程中，对本文存在的问题提出批评，并给出修改意见。我们将
充分考虑大家的意见，及时对存在的问题进行修正。
技术中心技术部　　　　贺席兵　
２００２年８月　
　
　
　
　
　
　
　
　
　
　
　
　
　
　
　
　
　
　
　
　
　
　
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第一章射频功放设计步骤
射频功放设计一般分为五个步骤进行，分别为：制定设计方案、选择与确定具体线路形式
及关键器件、进行专题实验或一板的实验、结构设计及 PCB 详细设计、进行可生产性与可测试
性设计和分析。
1.1 制定设计方案
在进行射频功放设计时，我们首先要根据给定（或需要）的技术指标和功能要求，制定设计
方案。制定设计方案的主要依据是技术指标要求中的额定输出功率、线性度（ ACPR/IMD）、载
波数、功耗（效率）等指标。
1.1.1 GSM 及 PHS 基站系统

在ＧＳＭ及ＰＨＳ基站系统中，由于对线性度要求不是很高或者额定输出功率不是很大，且在
单载波下工作，所以我们选择通用的射频功放设计方案——功率回退法（常称为高功放ＨＰＡ）。　
High Power Amplifier
三阶交调的功率变构成 HPA 放大器一般有两种工作状态：A 类及 AB 类工作状态。
化9dB，但是从dBc
的角度来说，是 A 类放大器具有良好的线性放大性能，其三阶交调产物与输出功率的变化关系是：输出功
6dB（因为主功率也率减小 3dB（即减小一半功率），则三阶交调产物改善 6dB。一般来讲，A 类放大器在 1dB 压缩
降低了3dB）
点输出时，三阶交调系数约为－23.7dB（通常取－20dB）。为了达到一定的线性，并考虑到工程
问题，A 类放大器需回退 15dB，此时放大器的三阶交调抑制可以达到－45～－50dBc。然而，
A 类放大器的最大缺点是效率低及成本较高。这是因为 A 类放大器在它的 1dB 压缩点输出功率
时，其效率只有 10％。比如，完成一个 30W 平均输出功率的 HPA，就需要至少有 300W 的耗
电，并且工作电流随输出功率变化的值不大。若考虑回退 12dB，则需要有 480W 平均功率输出，
需耗电 4.8kW。为了达到 30W 的输出功率需要用较多的功率管，这样就加大了 HPA 的成本和
体积，增大了研制成本和难度。为了避免这个问题，建议在小功率放大器（平均功率输出≤1W）
设计中使用 A 类放大器；在中大功率放大器（平均功率输出>1W）设计中使用 AB 类放大器。
AB 类放大器的特点是效率高、成本低。由于单管的输出功率高，仅需少量的功率管即可
做到较高的输出功率，所以成本较低，且散热和结构设计可以简单化。目前用在 AB 类的管子
主要选 LDMOS 管，AB 类放大器用最大包络功率 PEP 来描述其功率容量，类似 A 类的 1dB 压
缩点。偏置在 AB 类的 LDMOS 放大器，在 PEP 处的互调抑制为 28dBc，回退 3dB 时互调抑制
我觉得之所以继续回退
的改善不是很大，接近 40dBc ，继续回退，改善不大，回退 10dB 时效率约为 15%。
是因为本身AB类放大器不是吧
就不是完全工作在器件总之功率回退法的优点是简单、易实现，缺点是受功率管Ｐ１ｄＢ（或ＰＥＰ功率）限制。　
线性区的，
这就是它和A
类放大器的区别。
Ａ类放大器的三阶交调系数ＩＭＤ３、三阶交截点ＩＰ３及输出功率Ｐｏｕｔ的关系见（１）式　
ＩＭＤ３（ｄＢｃ）＝　２［　ＩＰ３　（ｄＢｍ）－Ｐｏｕｔ（ｄＢｍ）]　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（１）　
Ａ类放大器的１ｄＢ压缩点Ｐ１ｄＢ与其三阶交截点ＩＰ３的关系曲线图见图１．１、图１．２所示。　
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图１．１　　Ａ类放大器的１ｄＢ压缩点Ｐ１ｄＢ曲线　
找三阶交截点时，
都是直线相交，不
是曲线相交
　
图１．２　　Ａ类放大器的１ｄＢ压缩点Ｐ１ｄＢ与其三阶交截点ＩＰ３的关系曲线　
ＡＢ类放大器不适用于上述两个曲线，具体可参考所选定的功率管厂家给出的ＩＭＤ或ＡＣＰＲ

曲线。　应该都适用吧
1.1.2 CDMA 及 WCDMA 基站系统　

在ＣＤＭＡ及ＷＣＤＭＡ基站系统中，由于ＣＤＭＡ技术是随机包络的宽带信号，交调失真的影响产
生频谱再生效应。所以对线性度要求很高，加之额定输出功率较大，且常在多载波情况下工作。
因此，仅采用回退法不能达到所要求的线性度，需选择前馈法或自适应预失真等线性化技术的
方案进行射频功放的设计（称之为线性功放ＬＰＡ）。至于选用哪一种方案，设计人员应根据实
际情况来确定。　
下面将前馈及预失真技术的优缺点做一简单比较，如表１．１所示（这两种技术的详细介绍

请参考后面的专题）。　
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表１．１　　前馈及预失真技术比较　
技术　矫正能力　带宽　优点　缺点　相对成本　
WCDMA要
略低，但总前馈　２０￣３０ｄＢ　＞２５ＭＨｚ　改善线性最好，　线路结构复杂，改善量受制于控高　
在十几个带宽最宽　制电路对两个环路的增益及相位
dB。我们最
好做到过二的处理能力，受制于∆Ｇ、∆Φ　
十几dB
预失真　３￣７ｄＢ　＞２５ＭＨｚ　简单，微波段和中矫正能力有限　低　
频段均能实现　
自适应　１０￣２０ｄＢ　１０￣１５　ＭＨｚ　微波段和中频段较复杂　中　
预失真　均能实现　
1.1.3 前馈放大器
前馈放大器原理如图１．３所示。　
Pin 主放大器延迟D1（移相） Pout

C1
∆G/∆Φ调节 C2
C4
环路2：交调对消
环路1：载波对消
延迟D2（移相） C3 ∆G/∆Φ 调节误差放大器
　
图１．３　前馈放大器原理框图　
在图１．３中，由耦合器Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、移相电路Ｄ２及主放大器组成环路１，其作用是为了消

除放大器的载频信号功率，提取误差信号；由耦合器Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４，移相电路Ｄ１及误差放大器
组成的环路２是为了消除主放大器非线性产生的交调分量，改善功放的线性度。　
前馈技术交调改善如（2）式所示：
ΔIM=-10log|1+10ΔG/10 -2×10ΔG/20 cosΔΦ| 　　　　　　　　　　　（2）
式中：ΔIM = 交调改善值，单位为 dB 该公式在前馈系

统中非常重要
ΔG = 抵消输入幅度误差，单位为 dB 在20M带宽内，我们
应该也可以做到！现
ΔΦ＝　相位误差，单位为度　在还欠缺一点
当ΔＧ≤０．２５ｄＢ、ΔΦ≤２ｏ时，改善效果理论上可以达到３０ｄＢ。但前馈方案对每对对消通
道在工作频带内的增益平坦度和相位平坦度的要求是比较严的，而增益和相位容易受到温度、
电压、功率等因素的影响，实际的改善效果与理论值会有一定的差距。　
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1.1.4 预失真技术
预失真技术是利用非线性发生器产生一个失真信号，耦合到功率放大器的输入端，抵消功
率放大器的非线性失真，其框图如图１．４所示。预失真技术在国外线性功放中普遍采用，国内
在一些无线系统的中频中也采用预失真技术，因此该技术是可行的。　
Pre-distortion Power
Linearizer Amplifier
IN OUT
Gain Gain Gain
Phase
+ = Phase
Phase
Pin Pin Pin
非线性发生器ＮＧ功率放大器ＰＡ
Ｐｏｕｔ
Ｐｉｎ
　
图１．４　预失真技术原理框图　
1.2 选择确定具体线路形式及关键器件
设计方案确定后，就可以根据设计方案选择具体线路形式及关键器件，包括射频放大链路
形式选择与控制电路形式选择。
1.2.1 射频放大链路形式与关键器件选择及确定
1.2.1.1 射频放大链路
射频放大链路的形式主要依据整机分配给链路的增益、额定输出功率、增益平坦度、线性
度（ＡＣＰＲ／ＩＭＤ）、功耗／效率等指标来确定。其原理框图形式如图１．５所示：　
第一级放大末前级放大末级放大环行器

　　ＲＦ　ＩＮＲＦ　ＯＵＴ
衰减
器
中间级放大
温度传感器
温度传感器
前向取样反向取样采样输出
输入取样
　　　　
图１．５　射频链路的形式框图　
射频放大链路一般由输入分路、输入取样、压控衰减、多级放大、输出环行器保护、前向
取样、反向取样、输出采样等基本电路组成。
其中放大级数取决于链路增益及所选放大器件的增益；前向取样、反向取样、输出采样电
路通常采用微带线形式的定向耦合器来完成。为什么一定要微带线形式呢？
虽然我们也采用的微带线形式
（实际为带状线形式）
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1.2.1.2 功率管的选择原则
依据整机分配给射频放大链路的增益、额定输出功率、增益平坦度、线性度（ＡＣＰＲ／ＩＭＤ）、
功耗／效率等指标，并结合给定的射频放大器的工作频段，选择合适的各级功率管。一般先选定
末级功率管，然后再依次逐级选定前面各级功率管，选管的原则是前一级的主要指标（如ＡＣＰＲ）
不能引起后一级指标的恶化，更不允许前一级的输出功率大于后一级的输入功率。　
前一级的线性
要比后一级好6
～10dB。参照 1.2.1.3 级联放大器的三阶交调系数与各级 IMD3 关系
表1.2
大多数射频功放是由两极或多级放大器组成，级联放大器的ＩＭＤ３主要取决于末级放大器的
ＩＭＤ３，因为在设计驱动级时一般将其交调失真设计得很低。各放大级的ＩＭＤ３对整个级联放大器
的ＩＭＤ３的影响可用（３）式来表示。　
ＩＭＤ３＝　２０ｌｏｇ（１０ｄ１／２０＋１０ｄ２／２０＋…１０ｄｎ／２０）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（３）　
式中：ＩＭＤ３为级联放大器的三阶交调系数，ｄ１、ｄ２、ｄｎ为各放大级的三阶交调系数。　
由（３）式可知两级放大器的ＩＭＤ３如（４）所示：　
ＩＭＤ３＝　２０ｌｏｇ（１０ｄ１／２０＋１０ｄ２／２０）　＝ｄ２＋２０ｌｏｇ［１＋１０（ｄ１－　ｄ２）／２０］　　　　　　　　　　　（４）　
假设两级放大器的三阶交调系数之差的绝对值为Ａ，即Ａ＝　ｄ１－ｄ２，则驱动级的ＩＭＤ３对末级
的ＩＭＤ３的影响值Ｂ（末级交调恶化值）可用下面的（５）式来表示：　
Ｂ＝２０ｌｏｇ［１＋１０－Ａ／２０］　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（５）　
（５）式可转化为图１．６的曲线来表示　
B 末级 10
9
交调恶 8
7
化值
6
(dB) 5
4
3
2
1
0
0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30
A 驱动级高出末级交调值(dB)
图１．６　级联放大器中驱动级交调系数对末级交调系数的影响曲线　
同样由（５）式可得到不同Ａ值时恶化值Ｂ，表１．２所示　

表１．２　　Ａ　、Ｂ对应值　
Ａ驱动级优于末级的ＩＭＤ３（ｄＢ）　Ｂ末级交调恶化值（ｄＢ）　
０　６　
５　３．９　
１０　２．４　
１５　１．４　
２０　０．８　
由图１．６和表１．２可以看出，驱动级优于末级的ＩＭＤ３越大，则级联放大器的交调系数恶化

值越小。上述图表对我们选择级联放大器的驱动级管子具有很大的参考价值。　
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1.2.1.4 常用功率管　
常用功率管的厂家中，中小功率管厂家有ＡＤ、ＭＩＮＩ、ＷＪ、Ｓｔａｎｆｏｒｄ等公司；中大功率管厂
家有Ｍｏｔｏｒｏｌａ、ＸＥＭＯＤ、ＰＨＬＩＰＳ、ＥＲＩＳＳＯＮ、ＦＵＪＩＴＳＵ等公司。　
下面列出几种功率管的比较，如表１．３所示。由于ＬＤＭＯＳ管子的高增益、高效率和良好的

线性特性，以及其较好的性价比，目前在中大功率的射频放大器中ＬＤＭＯＳ管被广泛地应用。　
表１．３　几种常用功率管比较表　
功率管类型　Ｇａｉｎ／１ＧＨｚ（ｄＢ）　ＩＭＤ／ＡＢ（ｄＢｃ）　Ｐ１ｄＢ　（Ｗ）　价格$／Ｗ　
双极型　８　－３０　１５０　０．５０　
ＬＤＭＯＳ　１１　－４０　９０　０．７０　
ＧａＡｓ　ＦＥＴ　１４　－４５　（Ａ类回退１０　ｄＢ）　３０　２．１０　
1.2.2 控制电路的确定
射频功放中的控制电路一般有两种类型：
l 一种是常用的保护功能的控制电路　
l 一种是消除非线性指标的控制电路　
1.2.2.1 保护功能的控制电路
功放中功率管的价钱都是很贵的，为了在异常情况下功放不被损坏，我们要采取以下措施
对功放进行保护：
u 功率告警保护；　
u 过温告警保护；　
u 驻波告警保护；　
u 器件失效告警保护；　
u 过激励保护；　
u 过流保护；　
该部分电路只需要用单片机和运放器将功放的输入取样、前向取样、反向取样、输出采样、
温度取样、电流取样等各种采样信号进行Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａ转换，并将采样信号放大，进而用来控制功
放的工作状态，以达到保护功放的目的。　
1.2.2.2 消除非线性指标的控制电路　
在前馈功放和自适应预失真功放的设计中，为了消除非线性产生的交调分量，需要对各采
样点的信号（相位与幅度）信息进行处理，这样就需要信号处理电路中的ＤＳＰ芯片将各采样信号
的信息通过与其内部的算法相结合，获得最佳的控制各环路幅度和相位的控制电压参数，通过
控制移相器和衰减器来不断的调整抵消环中的幅度和相位，从而使得功放的线性指标达到要求。　
1.3 进行专题实验或一板实验
具体线路形式及关键器件确定之后，在仿真的基础上，进行ＰＣＢ设计，同时需要结构实验
件的要进行配套结构件的设计，通过实验来验证设计方案的可行性，进而转入下一步的详细设
计阶段。　
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1.4 结构设计及 PCB 详细设计

在各单元板专题实验的基础上，进行各单元板的详细设计，包括各输入／输出接口的具体位
置、安装位置等，同时结构设计根据总体结构尺寸及各单元板的尺寸进行结构件的详细设计，
设计时要根据总体积、总功耗及给定的风流量进行热设计仿真与分析，进行电磁屏蔽的分析设
计，使得结构设计在散热及电磁屏蔽方面达到要求。　
1.5 进行可生产性、可测试性的设计与分析
在进行结构设计及ＰＣＢ详细设计的同时，就要考虑可生产性、可测试性的设计。此时可让
生产线工艺人员先期介入，对我们的设计进行可生产性、可测试性的指导，使得在设计初期就
把可生产性、可测试性的问题解决好，这样在二板设计中就避免了大的改动，尽量避免三板设
计的发生，节省人力、财力和时间，缩短研发周期，及时量产，抢占市场。　
总之，射频功放的设计步骤可以归纳为：首先要根据给定（或需要）的技术指标和功能指
标制定设计方案；然后根据设计方案选择具体线路形式及关键器件；具体线路形式及关键器件
确定之后，在仿真的基础上，进行ＰＣＢ设计（包括结构实验件的设计）；在各单元板专题实验的
基础上，进行各单元板的详细设计与结构件的详细设计（包括热设计与电磁屏蔽，可生产性、
可测试性的设计）；根据一板调试情况，结合高低温摸底结果，进行二板改进设计，争取在二
板中解决所有问题，尽量避免三板设计的发生。　
1.6 附录：
1、传统功放设计考虑：如何提高输出功率、集电极效率、功率增益和带宽能力。
2、设计步骤：选择功放管、选择放大器的接地方式、选择放大器的工作类型、电路形式
选择（平衡与非平衡）、匹配电路的选择和设计、散热设计。
　
　
　
　
　
　
　
　
　
　
　
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第二章功放设计中的检测及保护电路
射频功率放大器就是将发射机里的射频小功率信号，经过一系列的放大——激励级、中间
级、末前级、末级功率放大级，获得足够大的射频功率的装置。射频功放是发送设备的重要组
成部分。　
功率放大器是一种比较昂贵的资源，具体体现在功率放大管比较昂贵。在整个无线发射链
路成本构成来看，功率放大器的成本比例大于５０％（绝大多数），而且功率越大，其所占成本
比例就越大。　
另外功率放大器的功率放大管是一种相对比较脆弱的器件，尤其是跟低功率小信号放大管
比较。其脆弱性主要体现在如下几方面：　
l 静电敏感性高。　
l 热敏感性比较高。　
l 对射频过载比较敏感，既对射频输入功率过载比较敏感，对输出失配比较敏感。　
由于功率放大器是一种相对比较昂贵，并且比较脆弱的器件，所以在设计功率放大器时必
须考虑如何保护功率放大器，以避免静电、浪涌、过热过温、过压、过流、过载造成功放故障
或者失效。　
2.1 引起功放失效的原因
要对功率放大器实现有效的保护，必须要知道引起功放失效的原因。功放的失效原因主要
有以下几种：
ａ）　静电击穿引起的失效。运输、接触导致静电作用于功率管的电极，产生击穿效应，使器
件永久失效。该种失效的避免可以从器件、单板运输、操作等过程中，采取防静电措施
来解决。解决方法有：
l 通过防止静电源的产生（比如保持空气的湿度）
l 通过接地使静电源的静电能够有效释放而防止积累
l 通过采取静电隔离措施
b) 过压引起的失效；过压会引起功率放大器的电极击穿或者处于不正常的工作状态。引起
过压的情况有：
l 功放直流馈电电路部分出现元器件失效，引起过压
l 与功放相关的控制和电源部分出现故障产生的关联效应，引起的过压
c) 过流引起的失效；功放的工作电流超出其正常工作电流而引起的失效。
d) 过激励引起的失效；输入的功率电平超出功率放大器安全范围，会引起功放永久性失
效。其结果是直接导致功放烧毁。
e) 负载不匹配引起的失效。负载开路、短路或失配使功放输出端呈现比较高的驻波分布，
使射频能量不能有效的传输出去，大部分能量转换成热，造成热积累，一方面降低了
功放效率，另一方面，将造成功放热烧毁。
ｆ）　　过热、过温引起的失效。由于散热不良或者环境温度过高引起功率器件失效。　
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2.2 功放保护电路设计类型
针对功率放大器失效的几种原因分析，相应的保护电路设计主要分为如下几方面：
a）过压保护，该保护形式表现在电路上有：
l 电压钳位电路：设计合适的钳位电路可以使馈电电压限制在安全的范围内。
l 压敏电路：通过并联压敏电阻或者其他压敏器件，当电压超过压敏器件的临界电平时，
压敏器件产生短路效应，拉低电平，从而达到保护的目的。我们用的是过流
保护二极管
l 稳压电路：通过稳压电路是输入电压范围得到扩大。
l “电压检测＋过压判断＋执行保护”的闭环保护形式。
b) 过流保护，过流保护主要有以下几种形式：
l 电源限流保护：如果给功率放大器馈电的电源模块具有限流功能，那么该限流功能能
够防止功放出现过流。比如功放过激励或者自己的情况下，如果没有限流，功放会被
自己或者过激励产生的大电流烧毁。调试时用的，在系统中应该也是如此
l 过流闭环保护：通过对功放的工作电流进行实时监测，一旦出现过流，自动切断电流，
以达到保护功放的目的。老化管子上用的
c) 过激励保护，当输入功率超过功率放大器安全工作范围时，对功放实施的保护。过激
励保护的形式有：
l 输入功率限幅。通过限幅器件实现。
我们的软
件应有此 l 过激励闭环保护形式。通过对功放的输入功率进行实时监测，一旦发现功放过激励，
功能自动切断输入信号或者自动大幅度衰减输入信号，以达到保护功放的目的。
d) 热保护：热保护是在出现温度过高或者过热的情况下，对功放实施的保护形式，即为
热保护。热保护的方式是通过温度或者热检测电路对功率放大器的温度和热的情况进行
监视，一旦检测的温度或者热超过门限值，通过保护执行装置对功放进行保护。
e) 失配保护：失配保护是在功放输出失配的情况下，为避免失配对功放损害的一种保护电
路形式。
2.3 功率放大器的保护模型
通过对各种功放的保护电路分析，一个完整保护电路基本上可以通过如图 2.1 所示模型进
行描述。该模型由以下几部分构成：
a) 状态监测部分：通过传感器实时跟踪相关状态的变化，为保护提供实时数据。
b) 比较判断部分：让来自状态监测的数据与预设的保护/告警/恢复门限进行比较，根据比
较结果输出相应的数据到告警显示、保护执行机构或者通过通信口上报后台等。
c) 保护执行部分。根据来自比较判断的数据作出相应的保护动作。保护执行动作就是状态
异常时，执行保护；状态恢复正常时，解除保护既自恢复。
该模型的基本工作原理：状态监测部分通过传感器实时跟踪功率放大器相关状态变化，并
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将反映该变化的数据传给比较判断部分；比较判断部分对检测得到的数据与预设的告警、保护
门限、自恢复门限进行比较，根据比较结果，输出命令至保护执行机构或者告警显示部分，另
外将信息通过通信口上报后台。
图 2.1 功率放大器的保护电路模型
以上是一个完整、系统的保护电路模型，既按该模型去设计保护电路能够达到目的，但是
实际应用中很多并非如上有一个完整的模型，只是其中几部分构成，甚至有时只是单个器件构
成。比如限幅器件的本身特性就包含了状态检测、判断比较、执行保护，只不过是这些过程不
是靠其他器件完成，而是靠器件本身的特性完成的。类似的器件还有钳位二极管、压敏电阻、
ＰＰＴＣ（ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ　ｐｏｓｉｔｉｖｅ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）自恢复电流保护器件等。　
2.3 功放的状态监测
功率放大器的状态监测是功放保护设计的一个非常重要的环节，能否正确、有效、及时检
测出状态变化，是能否有效进行保护的关键。
2.3.1 状态监测分类
功率放大器有很多状态，但根据系统保护设计方面的需求，并非对每个状态进行状态监测，
而是对一些关键状态进行检测。根据监测的状态的不同，将状态监测分类为：
a) 激励状态监测：监测输入功率变化。
b) 电流流状态监测：监测功放的工作电流变化。
c) 电压状态监测：监测功率放大器的功率管或者其他电路的某些电压变化。
d) 匹配配状态监测：监测功放输出负载匹配情况。
e) 增益状态监测：监测整个功放的增益变化。
f) 输出功率状态监测：监测功率的输出功率变化。
g) 温度/热状态检测：监测功率的温度和热变化。
2.3.2 状态监测的检测电路
功率放大器的状态监测是通过各种检测电路实现的，实现上述状态监测的检测电路有：
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a) 功率检测电路：功率检测电路可用作激励状态监测、匹配状态监测、输出功率状态监
测、增益状态检测的基本检测单元。
图 2.2 AD8313、AD8307 的典型应用电路

而功率检测电路根据要检测的功率类型不同可分为：
l 峰值功率检测电路：反映载波包络变化的功率检测电路。目前比较成熟的峰值检波
电路模块有 AD 公司的 AD8313、AD8307 等。AD8313 的典型应用电路图 2.2 所示。
l 平均功率检测电路：反映载波平均功率变化的功率检测电路。平均功率检测电路一
般是在峰值功率检测的基础上加上平滑滤波电路即可。
lRMS 功率检测电路：反映载波均方差功率变化的功率检测电路。对于如 CDMA 等

变包络调制功率信号，RMS 功率检测电路能够真实的反映器其功率变化。目前应用比
较多的电路是基于 AD 公司的 AD8361，AD8362 等电路。
根据检测电路输入和输入的对应关系，可将功率检测电路分为：
l 对数功率检测电路，即检波输出电平与输入功率的对数呈线性变化关系的功率检测
电路。该电路适于检测 dB 变化要求情况。
l 线性功率检测电路，即检波输出电平与输入功率呈线性变化关系的功率检测电路。
该电路适于检测 W 变化要求的情况。
b) 电压取样电路：电压取样电路可作为电流状态监测，电压状态监测的基本电路。
c) 电流检测电路：或者电路是检测电流变化的基本电路。可以用电流检测进行电流状态
监测。目前电流检测电路应用比较多的是霍尔电路，尤其是大电流检测。
d) 温度检测电路：通过检测温度变化，是温度/热监测基本电路。
由于不同的状态监测对检测电路的要求是不一样的，或者同一状态检测不同的系统对检测
电路的要求也是不一样的。明确对相应检测电路的要求是进行检测电路是设计的前提。对检测
电路的共同要求主要有如下几方面：精度、准确度、线性、动态、响应时间、噪声性能、抗干
扰性、灵敏度、可靠性、一致性。
2.4 状态的比较判断
比较判断是保护电路设计一个比较重要的部分，尤其是闭环保护电路。其功能是将监测的
状态数据与预置的门限数据进行比较，根据比较结果输出命令去保护执行装置、显示告警装置
或者直接通过通信口上报后台。比较判断根据电路实现形式的不同分为硬件判断和软件判断两
种形式。根据门限可变与否可将比较判断分为固定门限比较判断，可调门限比较判断。
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2.5 保护执行装置
保护执行装置是功率放大器的保护电路中的保护执行者，它根据来自比较判断的命令，做
出相应的保护动作：进入保护，解除保护。执行保护的器件和装置主要有如下几类：
a) 开关器件类：用在射频功率放大器的开关主要包括直流开关、射频开关，其作用是通
过切断直流电流或射频激励达到保护的目的。
b) 参量限制器件类：用在射频功率放大器的参量限制主要有限幅器件和限流器件。该类
器件是通过限制激励的幅度或者电流强度来达到保护的目的。
c) 参量调整器件类：用在射频功率放大器的参量调整类器件有电调衰减器，数字衰减器，
可变增益放大器。使用该类器件能够将过激励部分调整回安全状态。
d) 组合类器件：将保护执行部分跟功率放大器的其他电路集成在一起，形成一个多功能
组合器件。比如 LP2951，LP2951 如果用在功率放大管的偏置电路上，一方面可以提供
稳定的偏压；另外 LP2951 有一 CONTROL 端，如果该端输入高电平信号，那么输出电
压为零，该功能可以作为保护用。
2.6 保护电路举例分析
下面介绍某功放的保护设计电路，其原理如图 2.3 所示。其功能是当输入信号超过一定电
平时，将输入信号大幅度衰减，以保证后面的功率放大器不被损害。该电路由如下几部分构成。
a) 功率取样部分（图中白色部分）。该电路为一取样耦合器。
b) 功率检测部分（图中蓝色部分）。该部分的核心器件是一个峰值检波器 AD8313，其功
能是检测耦合过来信号的功率变化。
c) 滤波比较部分（图中浅黄色+黄色部分）。该部分通过一个 PI 型滤波器滤除交变部分和
干扰，输入至比较器电路 LM311，将信号与参考电平进行比较，输出高电平或者低电
平至电调衰减器。
d) 电调衰减部分（图中白色部分）。该部分的功能是：正常工作是它是作为增益调节装置
使用的，当输入功率超过输入功率上限时，比较器输出的高电平使该电调衰减器实行
最大衰减。
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图２．３　　功放保护设计电路实例图　
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第三章功放中增益补偿电路的实现
在目前通信系统中基站所用的功放中，ＬＤＭＯＳ功率管由于成本相对较低，线性好而广泛使
用。由于它的工作点和增益随着温度的变化而变化，因此，在电路设计中，要考虑对工作点和
增益进行温度补偿。　
3.1 模拟环路增益控制
使用模拟环路增益控制可以在一定程度上抵消放大链路的各种环境变化对增益的影响，并
可改善增益平坦度，在非时分的系统中有很好的效果。缺点是比较复杂，调整不很方便，具有
响应时间问题，不能用于ＧＳＭ、ＣＤＭＡ　２０００　１Ｘ　ＥＶＤＯ等时分的系统中。简图如图３．１所示：　
ＲＦ主功放链路ＲＦ
ＩＮＯＵＴ
功分器ＡＴＴＥＮ
输入功输出功
率检测率检测
＋－
运放
图３．１　　模拟环路增益控制　
其中，所用的压控衰减器可以用３ｄＢ电桥（例如１Ｄ１３０４）和ＰＩＮ二极管（例如ＨＳＭＰ３８１４）

组成，也可以用集成的器件（例如ＡＶ１０４）。需要注意的是衰减器的工作点不要离最小衰减太
远，避免在生产或上电、失锁时损坏后级的器件。　
3.2 数字环路增益控制
这个电路和上面所介绍的电路类似，所不同的是用单片机控制的Ｄ／Ａ通过驱动来进行控制
衰减器，如图３．２所示。调整响应时间参数和算法，可以用于各种系统，但用于时分系统时要
注意试验的充分性。　　
ＩＮＯＵＴ
功分器ＡＴＴＥＮ
输入功输出功
率检测率检测
驱动　　电路
Ａ／ＤＤ／ＡＡ／Ｄ温度检测
单片机
图３．２　　数字环路增益控制　
这个电路的还有一个优点就是可以在一定范围内控制链路的增益，在生产时不需要修改常
用的电阻衰减网络。这个电路的控制需要注意检测电路的滤波，包括硬件滤波和软件滤波。如
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果滤波做不好的话可能会造成电路的增益在不停的跳动。电路的控制还可以有一种做法，属于
开环工作方式。单片机检测温度传感器的输出，根据检测到的温度作为对衰减器进行控制的依
据，而不是以输入、输出的功率检测电压为依据。这种控制方式需要做较多的实验来确定衰减
系数。　我们目前的项目比如DLPB HLPB就
是采用这种方案
需要注意的是Ａ／Ｄ和Ｄ／Ａ要选择１２位或以上的，避免控制的精度不够造成增益跳动；Ｄ／Ａ

的输出滤波要注意，否则会产生寄生调制，影响射频输出的杂散；另外，开环工作时对压控衰
减器的＂控制电压－－衰减量＂曲线的线性要求较高，并且一致性较好，否则会影响补偿效果。类
似的技术还可用于控制功放的偏置电压，完成对工作点的补偿，效果很好。　
3.3 温度系数衰减器
选择适合的带有温度系数的衰减器可以很好的补偿增益的变化，电路简单，效果较好，工
作稳定可靠，可以用于任何系统。如图３．３所示。　
ＩＮ温度系数ＯＵＴ
衰减器
图３．３　温度系数衰减器的增益补偿　
需要注意的是通过实验选择合适的型号，使得衰减器的特性与功放链路的特性刚好相反，
达到最佳的补偿效果。
器件主要有ＥＭＣ公司的ＴＶＡ系列产品和ＩＭＳ公司的ＡＶ－０８０５系列产品，以ＥＭＣ公司的产品
（例如ＴＶＡ０７００Ｎ０７Ｗ３）较好。　
3.4 LDMOS 功放管静态工作点温度补偿功

3.4.1 基本原理
如图 3.4 所示，LDMOS 功放管的静态工作点的设置是通过调整栅极电位器完成的。然而，
由于功放管的静态工作点随温度变化呈正温度系数变化趋势使得功率放大器的线性度受到影
响。所以，在实际工作中，稳定功放管的静态工作点是十分必要的。从图 3.4 可以看出，
R1
Vg=Vo × +Vd （公式 1）
R1 + R2
式中 Vg 为栅极电压，Vo 为三端稳压器的标称稳压值，Vd 为二极管的正向导通压降。如果
我们认为 Vo 与温度变化无关，则可以得到
△Vg=△Vd （公式 2）
△Vd 为温度变化所引起的二极管正向导通压降 Vd 的变化量、△Vg 为二极管正向导通压

降变化△Vd 时，栅极电压 Vg 的变化量。
图 3.4 中的二极管为硅开关二极管，正向导通压降为 0.7V 左右，其导通压降随温度变化呈

负温度系数变化趋势。通常，当温度升高时，此类二极管的导通压降会以约 2mV/℃的斜率下降，
使得功放管的栅极电压降低，从而可抵消因温度上升功放管本身工作电流上升的趋势，稳定了
工作点。
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图 3.4 工作点温度补偿电路
3.4.2 技术指标
该补偿技术可使静态工作电流的变化在０￣５０℃范围内小于１０％。电原理图如下输入、输出
接口及电性能　
ａ）　因为ＬＤＭＯＳ功放管的工作点对栅极电压比较敏感，所以其偏置电压须在功放单板中经
过稳压块（通常选５Ｖ）稳压。　
ｂ）　电位器的作用是用来调整静态工作电流的大小。可选精密电位器。　
本设计方案的背景资料来自于 MOTOROLA 网站中有关 LDMOS 功放管的应用实例。与其

它方案相比，该方案电路简单、补偿精度高、批量生产一致性好。
图 3.5 静态工作点温度补偿
图 3.5 是一种典型的 LDMOS 功率放大器的静态工作点温度补偿电路，图中
R2 R1
Vg=Vbias × +Vd × （公式 3）
R1 + R2 R1 + R2
如果仍然认为偏置电压 Vbias 不随温度变化，则可得到：
R1
△Vg=△Vd × （公式 4）
R1 + R2
而在本方案中△Vg=△Vd，由此可见，对同一只功放管来说，要达到同样的温度补偿效果，
R1
本方案所用的二极管数目比传统电路要少。另外，公式 4 中的的大小除了与偏置电压
R1 + R2
Vbias 的大小有关外，与所需的栅极电压的大小也有关系，而即便是同一型号的功放管要达到同
样的工作点其栅极电压也常有较大的差异，这使得同样的温补电路对同一型号的不同的功放管
达到的补偿效果可能会有较大的差异。所以，传统的温补电路在工作点补偿精度要求较高时不
利于批量生产。
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3.4.3 调试、维护说明
3.4.3.1 调试环境
该模块应在实验室环境下调试，调试需要两台电源，其中一台给漏极供电，另一台提供偏置
电压。该模块的调试应与功放单板结合，为防止功放自激，在加电调试前，功放的输出必须接
大功率负载。另外，须做好防静电措施。　
3.4.3.2 调试方法
a) 功放输出接大功率负载；
b) 不焊二极管，电位器与二极管的连接端暂时接地，调整电位器使得功放管达到合适的静
态工作点；
c) 使放置二极管位置的温度升高（可采用自然升温或外部加热）50 度，调整电位器使功放
管的静态工作点恢复到初始值，记录栅极电压的调整量△Vg，然后按△Vg/0.1（0.1 为二极管稳
升 50 度时其正向导通压降下降的电压大约值）的比值确定串联二极管的数量，并按相应的数目
接入二极管。
d) 观察漏极电源的电流随温度变化是否明显。如果仍呈正温度变化趋势，可相应地增加二
极管的数量；否则，可减少二极管数量，最后使得漏极电源的电流随温度上升（由室温到 70
度以上）变化小于 10%为准。
3.4.3.4 故障解决方法
a) 加电后，当调整电位器使得栅极电压明显高于功放管的门限开启电压但漏极电源仍无电
流时，可能是在焊接或运输过程中，功放管因静电或其它原因已损坏。需要更换功放管。
b) 加电后，当微调电位器，漏极电源的电流突然跳变时，可能是功放自激，须通过频谱仪
观察。如果是自激，需要注意匹配、滤波、接地等问题。
在模块调试前，一定要确保功放单板可靠接地、电源滤波良好、功放管的固定螺丝上紧、
做好匹配等，另外漏极电源应设置限流保护，否则，在调试中可能会因为自激损坏功放管。　
　
　
　
　
　
　
　
　
　
　
　
　
　
　
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第四章功放供电电路设计
微波线性功率放大器由于线性度高性能良好等在现代微波（无线）通信系统中的重要性越
来越大。在线性功放的设计中，人们注意到的是如何提高功放的线性度。但是，在功放的设计
中，功放电路的供电及其偏置也是非常重要的。功放电路的电源的供电和偏置设计不好，将严
重影响功放的线性指标。　
4.1 功放电路的供电形式
功放电路的供电形式多种多样，但基本相同，对于不同类型的器件有所不同。一般大功率
器件厂家会提供一个供电电路供设计者参考。
4.1.1 LDMOS 器件供电电路

LDMOS 器件的供电电压是 26V~30V 不同。但是一般给定的是 26V 和 28V，电源供电时可
以按这两种供电。
LDMOS 器件的供电电路如图 4.1。一般情况下，电容的设计有一定的规律，靠近器件的电

容用的是和器件的频率相同的电容，和耦合用的电容同样的容值。
图 4.1　 930～960MHz 宽带器件供电网络
其中：L1 接器件的栅极，L2 接功放器件的漏极。

C8、C14：47pF 微波电容 B 型
C7、C15、C16：10uF/35V 的钽电容。
C17：220uF/50V 电解电容器
B1、B2 是铁氧体磁环，其功能主要是减少电源和微波信号的相互干扰，一般我们设计功放
模块时，如果有条件可以加上，通常由于功放的体积限制也可以不加。
又如图 4.2 所示，是 1.9GHz MOTOROLA60W 功率器件的电路原理图。
图 4.2　 1930～1990MHz 宽带器件测试电路
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图 4.2 中器件：
从图 4.1 和图 4.2 可以看出，两种供电电路其形式是基本相同的。只是对于不同的频率供电

网络的电容值不同。在实际的功放的供电电路的设计中，对于微波大功率供电电路电感一般是
不用的，尤其是高频，都是设计为 1/4λ的短路线。这样对于微波信号而言是当信号如图中的
Z3 和 Z7。在设计 PCB 时，1/4λ的供电阻抗线一般尽量靠近功放器件。另外，在供电电路中的
电容中，靠近器件的电容是和器件的隔离耦合电容相同值的电容，如图 4.2 中的电容 C5 和 C8，
况且在 PCB 布线排列上将此两个电容分别放在最靠近 1/4λ短路线的地方，然后再放置其他的
电容。如图 4.3 所示。
图 4.3　功放电源供电图
在一般的电源供电时 C6、C10 是相同的电容，且是微波电容较好，C6 在电路中主要的作

用是去耦，尤其是大功率输出的功放，一定要用 Q 值很高的电容，很小的等效电阻。C6 电容
加在 1/4λ短路线的尽头较好。C7、C8、C9 电容的容值的分别的是选用 1000pF、10nF 和 10uF。
主要是用于滤波。
图 4.4　电源偏置电路
在功放的偏置电路中，也可以是有电阻串连供电（如图 4.4），因为栅极大电流一般是很小
的，加电阻对功放对偏置没有什么影响，还可以更好的改变偏置电源对功放对影响，增加电路
的稳定性。如图 4.4。电阻 R2 一般取 5～12 欧姆。R1 可以取大一点，1K 即可。
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4.1.2 GaAs 器件供电路

ＧａＡｓ器件因为器件的工艺和材料的不同而供电和ＬＤＭＯＳ器件也不相同，ＧａＡｓ器件供电电源
一般为９Ｖ～１２Ｖ，一般器件为１２Ｖ较多。ＧａＡｓ器件由于其器件的工艺原因，其使用的偏置电源
是负电源。但是无论使用什么样的电源，他们在电源的处理上是一样的。　
4.2 电源偏置
对于功放电路中的电源偏置同样是非常重要的，电源的偏置不仅可以调节功放的增益，尤
其在线性功放电路中可以调节功放的线性度，在多级功放的调试中，后级功放的工作状态对线
性功放的线性影响是最大的。所以在多级功放管级联时调节功放的偏置电压对整体功放对线性
度有很大的影响。
现在的功放模块的使用也非常多，许多的功率不要求很大的单板都可以采用功率模块，功
率模块在生产上的一致性要好一点。但是，在功放模块一般是给定一个应用的环境，包括偏置
电源的电压，在使用时我们同样可以调节功放的末级功放管的和前级功放管的偏置电压，使得
功放模块有一个最佳的稳定的线性输出。
另外，在功放偏置设计时，应将偏置电源稳压后使用。并且要将偏置电源做温度补偿。因
为偏置电源的电压将影响功放的增益、线性。　
4.3 布局
在功放的设计中，功放板的布局也是非常重要的。在这里不详细说明。
在功放设计中，电源的供电电路中的去耦电容和滤波电容的位置是非常重要的。电源的去
耦电容一定要放在 1/4λ近处，这样的效果是最好的。然后才是滤波电容。在偏置端同样是这样
设计。
在现代的通信的功放的设计中，由于功放部分的设计不仅仅是放大和线性指标的满足，而
是由于现代系统的要求，有很多的控制的功能需要增加在功放中，比如，功放的电源管理、功
放和低噪放设计在同一块 PCB 板上等，这样的功能的增加就使得功放部分不是原来的单纯的放
大。这样功放往往采用传统的 PCB 微波板材电路是完全无法放置，这样就要用多层板和使用类
似 FR-4 的板材，况且可能是双面布板，这样就需要在设计布板时注意。
在 PCB 布板时，一定要将功放的周围的 PCB 板良好接地，留出一定的 PCB 接地的地方，

且要将接地的地方用螺钉良好接地。对于多层的 PCB 板，功放的下一层一定要是大面积地，这
样才能更好地保证功放的设计指标。
4.4 电容的选用
对于微波电容的选择，一般选用是高 Q 值的电容，要求电容的等效电阻越小越好。现在常
用的电容有：ATC 电容和 DLI 的电容。对于输出功率小的单板可使用 ATC 的 100A 以及 DLI
的 C11AH 系列。对于功率大的单板采用 ATC 的 100B 系列和 DLI 的 C17AH 系列即可。如上图
4.3 和图 4.4 在这里讲的是电容 C5、C6、C10 是使用这样的电容。
在微波中的电容器不是理想的电容，它的等效图如下图 4.5。
R 为电容器的等效电阻，是有引脚和介质极化引入的。C 为电容量，L 为引线电感。电容

器有固有的谐振频率。尤其在高频和微波上，电容器的 R 和 L 更为重要，频率越高，电容器的
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值将偏离原有的值。由于 R 的存在，电容的 Q 值随工作频率的上升而下降，频率相同时，C 越

大，Q 值越小。在大功率功放的设计中如果考虑欠佳有功功率造成电容器温升过高容易造成电
容器损坏，所以在功放的电容选取上一定要注意选取微波电容。
Ｒ　Ｌ　Ｃ　
图４．５　电容器的串联等效电路　
图 4.6　　ATC100A 电容容值对应的谐振频率
此表可以做功放电容选取的参考。对于不同厂家的生产厂家，对应表有一点差别。对于不
同的温度电容值有一定的变化，设计功放电路的时一定要考虑到。
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第五章输入输出匹配及功率合成技术
在射频系统中系统阻抗通常为５０欧姆；而微波功率管的输入、输出阻抗值很小，通常只有
几个欧姆或零点几欧姆，并且随着功率管输出功率能力的提高，单管的输入和输出阻抗值在逐
渐减小。虽然近年来随着厂家技术水平的提高和制造工艺的不断改进，在功率管内部加入了一
些内匹配电路，使单管的输入和输出阻抗值有所提高，但大功率的功率管输入、输出阻抗仍然
只有几个欧姆。这样就要求我们在功率放大器的设计过程中，必须考虑到把功率管的输入、输
出阻抗从几个欧姆匹配到５０欧姆，可以说成功的设计阻抗匹配电路是设计功率放大器的一个重
要核心组成部分。　
在任何一个功放的设计中，不良的阻抗匹配将使电路工作不稳定，同时也会造成整个功放
的效率降低，非线性失真的成分加大。理想的匹配电路应同时满足匹配、带宽、驻波、谐波衰
减和线性指标等多项要求。但在实际匹配电路设计过程中，往往不可能同时让所有的指标都达
到最优的状态，所采用的匹配电路要综合权衡以上的指标。通常把我们最关注的几个性能指标
放在首位，而牺牲功放的其它一些性能指标，另外在设计中我们还要考虑到性能的一致性和可
生产性及实际所要求的电路尺寸等要求。　
功放单元的设计包括单级功放和多级功放的设计。设计单级功率放大器主要是进行输入匹
配电路和输出匹配电路的设计；而设计两级或多级功率放大器除了要考虑输入和输出匹配电路
外，还要考虑到级间匹配电路，级间匹配电路的目的是使后级功放管的输入阻抗和前级阻抗管
的输出阻抗共轭匹配。　
应用在不同频段的功率管，其外围的输入、输出匹配电路的类型也有所不同，集总参数元
件构成的匹配电路能够应用到ＵＨＦ频段及以下的频率范围。而在更高频率的应用场合，其匹配
电路通常要通过分布参数来实现。　
5.1 用集总参数元件进行阻抗匹配电路的原理及设计实例
在集总参数元件进行阻抗匹配电路的设计过程中，我们经常要用到“Ｑ”值这个概念，Ｑ的
物理意义为电路的储存能量和消耗的能量之比。通过Ｑ我们可以方便地进行串联电路和并联电
路的相互转换，从而很容易地得到需要匹配的电抗值。　
在串联谐振电路模式中Ｑｓ＝ω０Ｌ／Ｒ　
在并联谐振电路模式中Ｑｐ＝ω０ＲＣ　
串、并联等效电路的模型和相互的转换如图５．１所示：　
Ｑｐ＝Ｒｐ／ＸｐＱｓ＝Ｘｓ／Ｒｓ
Ｒｐ＝Ｒｓ（１＋Ｑｓ２　）ＲｓＲｓ＝Ｒｐ／（１＋Ｑｐ２）
　　　ＸｐＲｐＸｐ＝Ｘｓ（Ｑｓ２＋１）／Ｑｓ２Ｘｓ＝ＸｐＱｐ２／（Ｑｐ２＋１）
Ｘｓ
串联电路的并联等效转换并联电路的串联等效转换
　
图５．１　　串、并联等效电路转换模型　
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上述的等效转换将贯穿在我们匹配的过程中，我们将用下面的例子来进行输入和输出匹配
电路的设计。　
5.1.1 输入阻抗中含感性特性的匹配设计
匹配电路的设计过程：在匹配电路设计过程中，我们所要做的第一步就是要把输入阻抗等
效为一个并联电路的模式；然后通过并联一个容性特性的元件，和输入阻抗中的感性元件形成
谐振；再交替用串联电感和并联电容方式形成低通滤波结构；同时通过这种方式，输入阻抗的
实部成分也在逐步提高。通过多级低通滤波结构级联的方式，可以把功率管的输入阻抗阶梯抬
高，直至变换到５０Ω。　
在设计中，需要注意功率管通常工作在一个频带范围内，所以不要把级联每支节电路的Ｑ
值设定的太大，以免影响到频带内的工作特性如增益平坦度等性能指标。　
例１：在中心频率为５００ＭＨｚ时，把功率管的输入阻抗从１．０＋ｊ２．０Ω匹配到５０Ω，　Ｑｓ＝２。　
把此串联电路的结构模式等效为并联电路模式，根据图５．１所示公式，可以得到并联的阻

抗值：　
Ｒｐ１＝Ｒｓ（１＋Ｑｓ２）＝５Ω　
Ｘｐ１＝Ｘｓ（Ｑｓ２＋１）／Ｑｓ２＝＋ｊ２．５Ω　　
设计匹配电路时，首先在电路中并联一个Ｘｃ１＝－ｊ２．５Ω，和输入阻抗中的感性部分形成谐
振；　
在此基础上加上第二级Ｌ－Ｃ结构，设定第二级电路的Ｑ值为２，即Ｑ２＝２，变换后的电路形

式和阻抗值计算如下：　
Ｒｐ１＝Ｒｓ２＝５．０　
Ｘｓ２＝Ｑ２Ｒｓ２＝２＊５＝＋ｊ１０　
再把此种串联电路结构的模式等效转换为并联电路结构的模型，由转换公式，其中的Ｒｐ２
和Ｘｐ２值为：　
Ｒｐ２＝Ｒｓ２（１＋Ｑ２）＝２５Ω　
Ｘｐ２＝Ｘｓ２（Ｑ２＋１）／Ｑ２＝＋ｊ１２．５Ω　
再继续按上述步骤进行，在电路中并联一个Ｘｃ２＝－ｊ１２．５Ω，使电路形成谐振；　
最后用一个Ｌ－Ｃ结构形式把Ｒｐ＝２５Ω变换到５０Ω，来推算一下所需的Ｑ值：　
Ｒｓ３＝Ｒｐ２＝２５Ω　
由Ｒｐ＝Ｒｓ（１＋Ｑ２），其中我们需要Ｒｐ＝５０Ω，而Ｒｓ＝２５Ω　
可以推算出Ｑ＝１　
那么Ｘｓ３＝ＱＲｓ３＝＋ｊ２５Ω　
此电路的等效并联模式为Ｒｐ４＝Ｒｓ３（１＋Ｑ２）＝５０　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Ｘｐ４＝Ｘｓ３（Ｑ２＋１）／Ｑ２　＝＋ｊ５０Ω　
第 26 页共 56 页
到此时我们已经把整个的实部阻抗变换到５０Ω，最后在电路中并联一个Ｘｃ３＝－ｊ５０Ω的元件

和电路形成谐振，匹配工作就算完成了。阻抗变换的过程如图５．２所示：　
＋　Ｘｃ＝－ｊ２．５
ｊ２５
１５ｊ２．５５ｊ２．５
－ｊ２．５
ｊ２５
ｊ１０
２５ｊ１２．５５
－ｊ５０２５
　　　　　
图５．２　　　阻抗变换的步骤　
匹配的结构和实际所需的电抗值如图５．３所示：　
功率管的等效阻抗
ｊ２５ｊ１０ｊ２．０
Ｚｉｎ＝５０－ｊ５０－ｊ１２．５－ｊ２．５１．０
输入匹配的电抗值
　
图５．３　匹配的结构与阻值　
把图５．３中的电抗值转换为频率在５００ＭＨｚ时电容和电感元件的实际值，如图５．４所示：　
８．０ｎＨ３．２ｎＨｊ２．０
Ｚｉｎ＝５０６．３ｐＦ２５ｐＦ１２７ｐＦ１．０
在５００ＭＨｚ时匹配电路的元件值
　
图５．４　５００Ｍ时匹配电路的元件值　
增强模型的电路结构为双ＲＬＣ电气结构，其基本原理如图５．５所示：　
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RB LB RH LH
　
　放电端
CB CH
　
　
图５．５双ＲＬＣ人体静电放电模
　
图中ＣＢ、ＲＢ、ＬＢ分别为人体电容、电阻及电感。ＣＨ、ＲＨ、ＬＨ分别为手、前臂及手持的小金属

物件的电容、等效电阻及电感。ＩＥＣ８０１－２及ＩＥＣ６１０００－４－２标准在模拟人体静电放电时采用了
上述双ＲＬＣ电气模型，其规定的模型参数为：ＣＢ＝１５０　ｐＦ±１０％，ＲＢ＝３３０Ω±１０％，ＬＢ＝０．０４￣０．２μ
Ｈ，ＣＨ＝３￣１０　ｐＦ，ＲＨ＝２０￣２００Ω，ＬＨ＝０．０５￣０．２μＨ。　
5.1.2 输出阻抗中含容性特性的匹配设计
含容性特性的匹配电路的设计和计算同上面所提方法基本相同，用举例进行说明。
例２：在中心频率为５００ＭＨｚ时，把功率管的输出阻抗从３．８－ｊ４．２Ω匹配到５０Ω　
Ｚｓ＝３．８－ｊ４．２　　
Ｑ＝４．２／３．８＝１．１　
首先把此电路等效为并联结构模式，计算可得：　
Ｒｐ＝Ｒｓ（１＋Ｑｓ２）＝８．４　
Ｘｐ１＝　Ｘｓ（Ｑｓ２＋１）／Ｑｓ２＝－ｊ７．７　
在电路中并联一个ＸＬ＝ｊ７．７，使电路谐振。　
为了简单起见，我们用一个支节的Ｌ－Ｃ低通滤波形式实现阻抗变换，先来推算一下变换到

５０Ω时所需的Ｑ值　
Ｑ＝（Ｒｐ／Ｒｓ－１）０．５＝２．２　
那么Ｘｓ＝ＱＲｓ＝１８．５　
此电路的等效并联电路模式为　
Ｒｐ＝５０　
Ｘｐ＝＋ｊ２２．７　
就是说，在电路上串联一个ＸＬ＝＋ｊ１８．５Ω的元件，就可以把实部阻抗变换到５０Ω，最后在

电路中并联一个Ｘｃ＝－ｊ２２．７Ω的元件和电路形成谐振，我们的匹配工作就算完成了。　
此匹配电路的结构模式和阻抗值如图５．６所示：　
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＋ｊ１８．５
８．４－ｊ７．７＋ｊ７．７－ｊ２２．７

Ｚｏ＝５０
输出匹配电路中的电抗值
　
图 5.6 输出匹配电路中的电抗值
5.2 用分布参数来进行阻抗匹配
在阻抗匹配电路设计中，当功率管的工作频率高于ＵＨＦ频段时，分离的电感元件基本上不
会被运用在匹配电路上，这是因为在工作频率较高时，很难精确地控制和测量出分离电感元件
的电感值，通常我们只把分离的电感作为ＲＦ　ＣＨＯＫＥ应用在电源偏置电路中。　
微带传输线在频率较高的场合呈现出准ＴＥＭ波的传输模式，其不同的形状结构会呈现出容

性或感性的特征。利用传输线的这种传输模式特征，在较高的工作频率时，我们经常用微带传
输线来进行输入和输出匹配电路设计。　
由微波理论知道：微带传输线的特征阻抗Ｚ０主要和微带线的宽厚比（Ｗ／Ｈ）以及所用基材
的介电常数有关，而微带传输线的输入阻抗则和它的特征阻抗Ｚ０、电长度θ以及其终端所连接
的负载阻抗ＺＬ相关，公式如下：　
Ｚｉｎ＝Ｚ０（ＺＬ＋ｊＺ０ｔａｎθ）／（Ｚ０＋ｊＺＬｔａｎθ）　
在设计中我们经常用到公式中的几种特殊情况：
a) ＺＬ　＝０　
b) ＺＬ　＝∞　
c) θ＝９００　
d) θ值比较小（＜４５０）　
当ＺＬ　＝０时，有Ｚｉｎ　＝　ｊＺ０ｔａｎθ，即在终端负载为零，当００＜θ＜９００　时，传输线的输入阻抗呈

感性特征；　
当ＺＬ　＝∞时，有Ｚｉｎ　＝－　ｊＺ０／ｔａｎθ，即在传输线为开路状态，当００＜θ＜９００　时，传输线的输

入阻抗呈容性特征；　
当θ＝９００　时，即传输线电长度为１／４波长，Ｚｉｎ＝Ｚ２Ｏ／ＺＬ，我们所熟悉的ＷＩＬＫＩＳＯＮ电桥就是利

用这样的特点把５０Ω的阻抗通过两段特征阻抗为７０．７Ω，电长度为１／４波长的传输线转换到
１００Ω，进行功率分配；　　　
当　θ值小于４５０时，分布参数元件所呈现的特征和集总参数中的电抗（包括感抗和容抗）

特征几乎可以等效转换。　
在匹配电路的过程中，还有一些微带线的传播特征我们经常能够用上：例如９０度电长度的
短路线呈现出开路的特征，在电源偏置电路中，我们经常来用１／４波长的微带线来进行馈电，
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由于带线的这种特征馈电电路不会影响到阻抗匹配网络。　
从微波理论我们还可以知道，Ｔ型和π型结构的微带传输线能够等效为串联的传输电感，
在此就不一一表述。表４．１总结了集总参数元件和可以等效转换的几种微带传输线模型：　
表５．１　微带传输线模块表　
集总参数分布参数的等效模型
Ｚ１Ｚ２Ｚ１＝Ｚ２＝ｊＺ０ｔａｎ（θ／２）
串联电感
Ｚ３Ｚ３＝－ｊＺ０／ｓｉｎθ
Ｚ３Ｚ１＝Ｚ２＝－ｊＺ０ｔａｎ（θ／２）
串联电感
Ｚ１Ｚ２Ｚ３＝＋ｊＺ０／ｓｉｎθ
串联电容
当容值大于０．５ｐＦ时，没有等效模式
Ｚ０；θ
并联电感ＺＩＮ＝＋ｊＺ０ｔａｎθ
Ｚ０；θ Ｚ３＝－ｊＺ０／ｔａｎθ
并联电容
　　　　　
以例１中得出的输入匹配电路为例来进行分布参数的转换：　
输入匹配电路中的３个并联电容可以等效转换为在微带线中串入一段电长度小于１／４波长
的微带开路支节。而在实际的应用过程中，由于正切函数的特性（在角度为６５度至９０度之间，
函数值增长很快），微带线在较长的电长度情况下不能够准确地等效出集总参数特性，这就要
求我们在设计时尽量把串入的微带开路支节的电长度控制在６５度范围之内。　
从表５．１中的等效模型我们能看到，集总参数的元件可以等效为多种微带线形式：不同的
特征阻抗和不同的电长度都可以等效出相同的集总参数元件。而在实际设计过程中，为了保持
电路的真实状态，尽量使电长度较小从而能够等效地进行集总参数的转换，因此我们通常在物
理图形上采用对称的并联和串联微带线的方式组成匹配电路结构。　
例１中得到的所需匹配电路的结构和电抗值如图５．７所示：　
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功率管的等效阻抗
ｊ２５ｊ１０ｊ２．０
Ｚｉｎ＝５０－ｊ５０－ｊ１２．５－ｊ２．５１．０
输入匹配的电抗值
　
图５．７　输入匹配的电抗值　
对于并联的三个集总容抗参数，参考表５．１，等效过程如下：　
Ｚ１＝－ｊ５０Ω，可以等效为两个－ｊ１００Ω的并联微带线，选择带线的特征阻抗为２５Ω，电长度
为１４度；－ｊ２５／ｔａｎ１４０＝－ｊ１００；　
Ｚ２＝－ｊ１２．５Ω，可以等效为并联两个－ｊ２５Ω的微带线，选择带线的特征阻抗为２５Ω，电长度
为４５度；－ｊ２５／ｔａｎ４５０＝－ｊ２５；　
Ｚ３＝－ｊ２．５Ω，等效为两个－５Ω的并联，由于其阻抗还是较低，即使取电长度为６５度时，两
段并联支节中的微带线特征阻抗仍然为　
Ｚ＝２＊２．５＊ｔａｎ６５０＝１０．７Ω，　
１０．７Ω的特征阻抗对于所需要转换的带线宽度，还是比较低。在这种情况下，可以通过微
带线和电容并联的方式，来提高带线的特征阻抗。值得注意的是：在电路中所选择的电容要为
高Ｑ值电容，否则会影响到匹配电路的性能，另外所选取电容的容值也不要太大。　
两个并联支路中的每一支节的阻抗为　　－ｊ５．０＝ＺＳＴＵＢ｜｜ＺＣ　
我们取ＺＳＴＵＢ　＝－ｊ１５／ｔａｎ６５０＝－ｊ７．０Ω　
ＺＣ＝－ｊ／［２πｆ（１８ｐＦ）］＝－１７．７Ω　
即取微带线的特征阻抗为为２５Ω，电长度为６５度；另外取并联电容的容值为１８ｐＦ。　
而对于串联的两个感抗参数，可以等效为图表中的第一种模式，等效过程如下：　
Ｚ４＝ｊ２５Ω　
取带线的特征阻抗为５０Ω，电长度为２８度，串联的每节带线阻抗为　
ＺＬ１＝ＺＬ２＝＋ｊＺ０ｔａｎ（θ／２）＝＋ｊ１２．５Ω　
等效电路中并联的电抗为－ｊ５０／ｓｉｎ２８０＝－ｊ１０６．５，由于并联的电抗值较大，可以把此并联的
电抗忽略不计，对等效电路几乎没有什么影响。　
Ｚ５＝＋ｊ１０Ω　
取带线的特征阻抗为４０Ω，电长度为１６度　
ＺＬ１＝ＺＬ２＝＋ｊＺ０ｔａｎ（θ／２）＝＋ｊ５．０Ω　
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同样等效电路中并联的电抗可以忽略不计而对等效电路几乎没有影响。分布参数的输入匹
配电路如图５．８所示：　
１８ｐＦ
Ｚ１Ｚ４Ｚ７
Ｚ３Ｚ６
Ｚ２Ｚ５Ｚ８
１８ｐＦ
Ｚ１＆Ｚ２　　　　Ｚ０＝２５Ω　θ＝１４　０
Ｚ３　　　　　　　Ｚ０＝２５Ω　θ＝２８　０
Ｚ４＆Ｚ５　　　　Ｚ０＝２５Ω　θ＝４５　０
Ｚ６　　　　　　　Ｚ０＝２５Ω　θ＝１６　０
Ｚ７＆Ｚ８　　　　Ｚ０＝１５Ω　θ＝６５　０
　
图５．８　分布参数的输入参数匹配图　
输出匹配电路等效的分布参数转换和以上方法基本一致，在此就不一一赘述了。
在匹配电路的设计中还需注意以下几点：
ａ）　对于输入匹配电路来说，要求电路的输入驻波比较小，另外合理的输入匹配电路也应
该能满足频段内的带内平坦度；　
ｂ）　对于输出匹配电路来说，要求输出匹配电路具有较低的损耗、较高的谐波抑制、较小
的驻波比，同时也要能够保证功放的线性指标和效率。　
在匹配电路的设计中，我们还要考虑到放大器的稳定性，稳定性对于任何电路来说，都是
重要的性能。电路中如果有振荡存在（如寄生震荡和参量振荡）就会影响到功放的稳定性能甚
至会造成功率管的损坏。寄生振荡通常发生在加电、断电或者在输入激励功率的过程中；而如
果存在参量振荡，在工作频率的子谐波（如ｆ／２或ｆ／３等）处会有频谱分量出现。另外由于功
放管在低频率处的增益较高，也会有低频不稳定特性的出现。良好的匹配电路设计应该能够抑
制这些不稳定性能。　
近年来随着微波仿真软件业的迅速发展，在匹配电路的设计上也出现了很多不错的软件，
如ＡＧＩＬＥＮＴ公司的ＡＤＳ、ＣＯＭＰＡＣＴ公司的ＭＷ　ＯＦＦＩＣＥ等，通过这些软件的仿真，可以更好地、更
快地帮助我们对匹配电路进行设计和仿真；另外现在一般生产微波功率管的厂家在功率管正式
推出的同时，也给出了ＤＥＭＯ电路，通过测试ＤＥＭＯ电路和模仿ＤＥＭＯ电路来进行匹配电路设计，
也可以极大地提高我们设计的速度。　
5.3 功率合成技术
在许多无线通信系统中需要有较大的功率输出，而由于功率管都有最大的功率输出能力，
这时由单个功率管组成的功放不能满足大功率输出的需要，在这种情况下，就需要采用功率合
成技术来达到所需要的功率输出要求。　
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功率合成技术包括管芯合成、电路合成和空间合成，在本篇文章中只讨论电路合成技术。　
电路合成包括三个部分：功率分配单元、功率放大单元和功率合成单元。功率合成的简单
原理为：由功率分配单元把输入信号分配给各路功放单元进行功率放大，再通过功率合成单元
把各路功放单元的输出信号进行功率合成。由于功率合成为矢量合成，要达到较高的合成效率，
就需要分配单元、放大单元和合成单元的幅度和相位特性要满足一定的条件。
一般来说，在功率合成的电路中，所采用的功率分配单元和功率合成单元的结构基本一致，
呈现互易的特性。　
5.3.1 功率分配和合成单元的几个基本要求
有较低的插入损耗，使放大器的输出功率不会过多的消耗在分配和合成单元中；　
有较高的隔离度，放大器之间的不会造成交互干扰；　
有较好的幅度和相位一致性，保证合成效率；　
有较高的可靠性，要远远超过放大单元中各元件的可靠性，才能保证功率合成的可靠性；　
有较好的耐功率性，要能保证在任何放大单元损坏时，还能够继续正常工作；　
功率分配和合成器件从基本组成的方式来划分包括两种方式：级联的２：１端口的合成和链

式的分配、合成器。级联的２：１端口合成可以组成１：２、１：４、１：８、１：１６等等许多方式，
其中基本的二路合成器可由ＷＩＬＫＩＳＯＮ或微带线交叉指耦合器组成；而链式的分配、合成器是由
ｎ－１耦合器组成，其中第Ｋ路的耦合系数等于Ｋ的倒数，链路合成器的耦合量分别为－０ｄＢ、－３ｄＢ、
－４．７７ｄＢ、…、－１０ｌｇｎｄＢ。链式分配、合成单元组成的合成电路框图如图５．９所示：　
－１０ｌｇＮ－１０ｌｇ（Ｎ－１）－１０ｌｇ（Ｎ－２）－４．７７ｄＢ－３ｄＢ

输入
ＰＡＰＡＰＡＰＡＰＡＰＡ
１２３Ｎ－２Ｎ－１Ｎ
输出
－３ｄＢ－４．７７ｄＢ－１０ｌｇＮ－１０ｌｇ（Ｎ－１）－１０ｌｇ（Ｎ－２）

　
图５．９　链式分配合成单元组成的合成电路框图　
而级联的２：１端口的合成器所组成的结构如图５．１０所示：　
１
合成器
２
合成器
３
合成器
４
合成器
合成器
２Ｎ－３合成器
合成器第Ｎ级
２Ｎ－２
第Ｎ－１级
合成器
２Ｎ－１
２Ｎ合成器
第一级第二级
　
图５．１０　级联２：１端口合成器结构　
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功率合成电路中的分配器结构和此结构互易，在分配器和合成器之间加上Ｎ路功放，就形
成级联的２：１端口的合成。当然在功率合成中，我们也可以用链式合成方式和级联的２：１端
口合成方式共同组合完成如１：１２（链式１：３和级联的１：４）等多种电路合成。　
在功率合成的电路中，除了要求分配单元和合成单元的相位、幅度的一致性，组成功率合
成的各个功放单元也必须满足相位和幅度的一致性要求。　
图５．１１所示的是去年我司为了迅速适应ＧＳＭ边际网８０Ｗ功率输出的需要，利用现有两个功

放，在整个ＢＴＳ机架不做较大改动的基础上，换上功率分配和合成单元，最后达到了８０Ｗ的功
率输出，目前该设备已在各地运行使用，运行状况良好。　
功率输出隔离器３ｄＢ电桥
５０欧姆负载
隔离器
合成器
ＰＡ１ＰＡ２
３ｄＢ电桥５０欧姆负载
功率输入
分路器
　　　　　　　　　　　　　　　　功率分配和合成单元　
图５．１１　公司目前使用的合成框图　
虚框为机架上的功率分配和合成单元，集中在一个组件之内，分别由３ｄＢ电桥组成，激励

功率由分配器把功率一分为二后，分别进入两路功放ＰＡ１、ＰＡ２进行放大，最后由合成器进行功
率合成，达到８０Ｗ的功率输出。这其中对分配器和合成器的插入损耗、幅度平衡度和相位平衡
度做了较为严格的要求，另外两路ＰＡ增益和相位的一致性也做出了要求。　
5.3.2 几种合成方式和特点
５．３．２．１　　００合成　
ａ、　合成线参与调配，如图５．１２ａ　
　　　　特点：将合成（分配）线与传输线匹配线融为一体，便于缩小体积，但带宽较窄且对“对
管”参数的一致性要求较高，当“对管”中的一个损坏时，另一个放大管因失配也将造成损坏。
这种方式在业余电台功放中较常使用。　
ｂ、合成线不参与调配，如图５．１２ｂ。　
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因合成（分配）器不参与调配，体积较大，带宽相对于上述方法的要宽，该方式当平衡电
阻额定功率容量足够大时，一个放大管的损坏将对另一个不会造成危害。在ＶＨＦ频段因波长太
长较少使用，而进入ＵＨＦ频段却常见使用。　
Ｑ１
Ｑ１
ＩＮＰＵＴＯＵＴＰＵＴ
Ｑ２
Ｑ２
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ａ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ｂ　
图５．１２将合成（分配）线与传输线匹配线　
5.3.2.2 对称巴伦（Balance）合成
如图 5.13，该方式常使用于封装在一个基板上的对管大功率放大器电路中，该方式频带宽、
稳定性好，但因折弯成“U”形的半刚性电缆介电常数（ξr=1.98）与 PCB 板介电常数（ξr=2.2~2.7）
不一致, 造成在两种介质内的传输相位不同而合成(分配)损耗较大, 理论计算和实测值均在
-0.6db~-0.7db 之间。这在大功率合成中不是最佳方案。
Ｑ１
Ｑ２
图５．１３　对成巴伦合成　
5.3.2.3 绞合线合成
护套
① ③
Ｅｒ
外导体
④
介质 ② ① ④ 和 ② ③ 直通
平行绞合线
图 5.14a 图 5.14b
　　　　如图５０１４ａ、ｂ近几年来，国外大功率放大器中经常使用绞合线用于功率的分配和合成，该
绞合线供方提供了设计指南。根据不同的频率，裁切不同的长度，根据不同的功率容量，选用
第 35 页共 56 页
不同的线径。该绞合线在电路的设计及批量生产的产品中使用简便，且体积小，重量轻。　
该方式的缺点是：　
ａ、　分配（合成）两端口的平衡性较差，且无法调节，一端口的损耗为－０．２ｄＢ，另一端口
最差的将达－０．４￣－０．４５ｄＢ；　
ｂ、　成本较高。　
5.3.2.4 宽边耦合带线
Ｌ
ＧＲＯＵＮＤ
４
３
１
Ｅｒ２
ＧＲＯＵＮＤ
图５．１５　宽边耦合带线　
宽边耦合带线在ＶＨＦ频段和ＵＨＦ频段用于合成和分配，具有体积小、功率容量大、损耗小、
分配（合成）端口平衡性能优等特点。我们根据Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ　　Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ　ｏｆ　　
Ｂｒｏａｄｓｉｄｅ－Ｃｏｕｐｌｅｄ　　Ｓｔｒｉｐ　　Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　　Ｌｉｎｅｓ的理论，利用ＨＰ公司的ＥＥＳＯＦ微波软件计
算，理论和实际基本吻合（如图５．１６），在生产中得到了广泛的应用。　
ＤＢ
理论值ＤＢ［Ｓ２１］－２．５
ＣＰＬＲ
理论值ＤＢ［Ｓ４１］
ＣＰＬＲ
实测值ＤＢ［Ｓ２１］－３．０

ＣＰＬＲ
实测值ＤＢ［Ｓ４１］
ＣＰＬＲ
－３．５
１３８．０１５３．０１６８．０　ＭＨｚ
图５．１６　试验结果　
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第六章功放设计中的前馈技术
数字移动通信技术的发展，尤其是窄带 CDMA 和第三代移动通信技术的发展，对线性功放
提出了新的要求。在移动通讯系统中，为了保证一定范围的信号覆盖，我们通常使用功率放大
器来进行信号放大。在 CDMA 或 W-CDMA 的基站中，即使是单载频，也需要采用线性功放。
这是因为 CDMA 技术是随机包络的宽带信道，如果采用一般的高功放（通常工作于 AB 类）将
由于交调失真的影响产生频谱再生效应，如图 6.1 所示。有趣的是频谱再生尽管对本信道的影
响不大甚至毫无影响，但它将会干扰相邻信道。为此，3gpp 规范规定了频谱辐射模板（ Spectrum
emission mask）的要求，而通常所说的高功放是难以达到此要求的。虽然采用 A 类功放能达到
要求，但它的效率太低，也难以把功率放大到几十瓦的量级。因此。在高功放的基础上必须对
其进行线性化处理，把运用了线性化技术的功放，就称为线性功放，它可以较好的解决信号的
频谱再生问题。
主载频
Ｐ
频谱再生分量
图 6.1 HPA 产生的频谱再生
6.1 前馈技术
线性化技术有多种，但适合宽带应用的是前馈和预失真技术。
前馈早在二三十年代就由美国的贝尔实验室提出来了，但它在近十几年来有了很大的发展。
由于其成熟性，目前市场上的产品几乎都用了该项技术。由于知识产权方面的关系，几乎各厂
家都提出了各自的方法。
图 6.2 是前馈功放一种最基本、最简单的实现框图。
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Ｐ１Ｐ２
Ｐｍ　　ＩＭＲｍＡ１　　　　Ｄ１
输入双音信号Ｃ２Ｃｅ输出
延时Ｄ１
主放大器
（移相）
Ｃ１
Ｇｍ　　　Ｄｍ
环路１环路２
Ａ２　　　　Ｄ２
Ｃ３Ｐｅ　　ＩＭＲｅ
延时Ｄ２
误差放大器
（移相）
Ｇｅ　　　Ｄｅ
图 6.2 前馈功放原理框图
在图 6.2 中，由耦合器 C1、C2、C3，移相电路 D2 及主放大器组成环路 1，其作用是为了
消除放大器的载频信号功率；由耦合器 C2、C3、Ce，移相电路 D1 及误差放大器组成的环路 2
是为了消除主放大器非线性产生的交调分量，改善功放的线性度。
在功放的线性化技术中，包括数字预失真或前馈技术，都必须预先知道功放的频谱再生分
量，即先得到频谱再生分量的幅度和相位信息。在前馈线性功放中，检测线性功放带外频谱再
生分量常用的方法是引入导频信号，靠检测导频信号的大小来判别频谱再生分量的大小。其具
体的做法是针对不同的技术和要求，如 GSM、W-CDMA 等，设计一种对应的导频信号，然后
在线性功放的输出检测导频信号的能量，并用其来代替带外的频谱再生分量，线性功放就是按
照导频信号的能量通过其内部的算法来控制矢量调制器，从而达到抵消由主功放引入的频谱再
生分量。在前馈线性功放的设计中，采用导频方案有某些优点，但导频本身也是干扰信号，因
此在方案的实现中也受到比较大的限制。在近年的发展中，出现了不用导频的方案，其框图如
图 6.3 所示。
３０１３０２３０３
衰减器３０５３０７３０８３０９
分路器移相器３０６
ＲＦ　ＩＮ耦合器耦合器耦合器
延迟线
主功放
３０４隔离器
３１０３１７
衰减器衰减器
３１５
３１４
衰减器
３１３移相器
耦合器Ｂ
延迟线
３１１耦合器频谱扩
３１２辅功放散抵消
３１６检测
Ａ
载频抵
消检测
图 6.3 前馈线性功放框图
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在图 6.3 中，低失真射频信号输入后，经功分器 301 分为两路。一路作为主路信号，经衰

减器 303、移相器 302 矢量调制，主功放 304 放大。由于功放电路中非线性器件的影响，输出
功率信号产生频谱再生，由耦合器 305 耦合出部分带有杂散的信号送入载频抵消回路，由功分
器 301 分出的另一路输入信号经延迟线 311 延时后进入耦合器 312，与耦合器 305 耦合出的主
路信号进行反相载频抵消，为了使两路信号的幅度相等，主路信号耦合出来后，接入固定衰减
器 310 进行电平调整，抵消后的误差信号经移相器 314、衰减器 315 调整后进入误差放大器 316，
将误差信号放大到合适的电平，然后送入输出耦合器 307 实现误差抵消功能。主功放 304 输出
信号通过延迟线延时后进入输出耦合器，与误差放大器输出的误差信号进行反相抵消，得到符
合要求的射频输出信号。
以上即是前馈功放的基本原理，其本质即是利用功放产生的非线性分量与输入的纯净信号
经处理后使频谱再生分量得以抵消。前馈功放的抵消要求是很高的，需获得幅度、相位和时延
的匹配。由于非线性功放存在 AM/AM、AM/PM 效应，诸如功率变化、温度变化以及器件老化
等均会引起对消失灵。为此，在产品中需考虑自适应抵消技术，使得对消能够跟上内外环境的
变化。在上图中，A 处接载频抵消检测，B 处接频谱再生分量抵消检测，它们为自适应抵消而
设。一般，由于载波抵消的功率电平较高，可以用较常规的检测方法来实现；而频谱再生分量
抵消检测，由于它是从主信号中耦合出来的，主信号大，而杂散分量很小，所以需要用特殊的
方法加以实现。载频抵消检测和频谱再生分量抵消检测是自适应前馈功放的关键，线性功放按
其检测的结果来进行自适应调整。下面介绍一下“30W WCDMA 两载频线性功放”的技术实
现。
6.2 前馈分析
前馈放大器低的效率（一般小于１０％）原因之一就是对前馈来说其他线性技术被优先选择；
另一个原因前馈里有环路并且在带内对内部电路要求定义。尽管有这些缺点，然而，前馈提供
了许多系统的优点即可以放大不变和可变的包络信号（即多载波和线性调制信号），而且允许
超线性工作在较宽的频带内。　
前馈放大器重要参数包括增益、输入和输出返回损耗、互调、噪声、线性工作带宽，主和
误差放大器的平均和峰值功率、效率。
6.2.1 前馈的增益
分析的目的就是表示前馈放大器线性的增益，主和误差放大器独立的非线性方程，就是计
算前馈放大器增益的一个简单公式的的起源。
图６．４表示了前馈系统单独组成增益和损耗。连接器有插入损耗为α，耦合因子为ｃ，放大

器增益为ｇ，延时线和衰减器损耗为ｌ，这个简化的的表示放大器的增益实际就表示了通过所有
组成的增益并且包括增益、幅度的损耗、相位调整网络。　
前馈增益定义为：　
Vout
g ff = 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（６．１）　
Vin
输出电压为 Vout ，是两个电压的总和，一个是主环放大器通道的，另一个是误差环放大器
通道的。　
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Vout = c 3 ⋅ g m ⋅ α 1 ⋅ l 2 ⋅ α 2 ⋅ Vin • • •
　　　　　　（６．２）　
+ c 2 ⋅ g e (α 3 ⋅ l1 ⋅ α 4 − c 3 ⋅ g m ⋅ c1 ⋅ l 3 ⋅ c 4 ) ⋅ Vin
将（６．２）的Ｖｏｕｔ代入（５．１）式可以得到：　
g ff = c3 ⋅ g m ⋅ α 1 ⋅ l 2 ⋅ α 2 + c 2 ⋅ g e ⋅ 〈α 3 ⋅ l 1 ⋅ α 4 − c3 ⋅ g m ⋅ c1 ⋅ l 3 ⋅ c4 〉 　　　（６．３）　
当主环平衡时：　
α 3 ⋅ l 1 ⋅ α 4 = c3 ⋅ g m ⋅ c1 ⋅ l 3 ⋅ c 4 　
α 3 ⋅ l1 ⋅ α 4
gm = 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（６．４）　
c3 ⋅ c1 ⋅ l 3 ⋅ c 4
　
α1 L2 α2
∩∩∩ VO U T
gm o 　
C1 L3
C2 　
C3 L1 C4
Vin ∩∩∩
o ge 　
α3 α4 　
图６．４前馈增益分析　
因而主环放大器的增益和相位是不变的，在输出没有失真，将式（６．４）的 g m 代入式（６．３）
可得到：　
α 1 ⋅ α 2 ⋅ α 3 ⋅ α 4 ⋅ l1 ⋅ l 2
g ff = 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（６．５）　
c1 ⋅ c 4 ⋅ l 3
也就是前馈增益是不变的，仅于无源器件（延时线、衰减器、耦合器）的损耗有关，在主
放大器里是依赖一些外非线性。　
同样的，但第二个环路完全平衡时，　　
α 1 ⋅ l 2 ⋅ α 2 = c1 ⋅ l 3 ⋅ c4 ⋅ g e ⋅ c 2 　
α 1 ⋅ α 2 ⋅ l2
ge = 　　　　　　　　　　　（６．６）　
c1 ⋅ c2 ⋅ c3 ⋅ l 3
因而，误差放大器有恒定的增益和相位，也就是在输出没有失真，将（６．６）式的 g e 代入
（６．３）式可得到：　
α 1 ⋅ α 2 ⋅ α 3 ⋅ α 4 ⋅ l1 ⋅ l 2
g ff = 　　　　　　　　　　　　　　（６．７）　
c1 ⋅ c 4 ⋅ l 3
注意到（６．７）式和（６．５）式是一样的，因而，当前馈的两个环路是平衡的时候，在主环
和误差环里，前馈增益是依赖一些非线性的，输出包括了非失真，因而，平衡前馈放大器是线
性放大器。　
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前馈增益是更容易计算的，当所有的量用分贝来表示时，然而（６．７）　式就可以改为：　
G ff = A1 + A2 + A3 + A4 + L1 + L2 − C1 − C4 − L3 　　　　　　　　　（６．８）　
图６．５表示了３０ｄＢ前馈放大器的例子，为了环路平衡，我们注意到主和误差放大器必须有

高的增益比前馈的增益，因为主功放不得不有足够的增益来克服通道的损耗，就是：　
G m = G ff − A1 − L2 − A2 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（６．９）　
同样地，误差放大器也不得不有足够高的增益。就是：　
G e = G ff − A3 − L1 − A4 − C 2 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（６．１０）　
A1 A2 　
− 005dB L2 − 1.5dB− 05dB
Gm ∩∩∩ VOUT 　
o
C1 　
C3 L3 − 6 dB
− 20dB C2 − 10dB
− 10dB C4
　
Vin ∩∩∩
o Ge
L1 − 3dB 　
A3 A4 − 05dB
− 05dB 　
图5.2前馈增益举例
图６．５前馈增益举例　
在图６．５的例子中，主和误差放大器的增益是４２ｄＢ和４４ｄＢ，前馈的增益为３０　ｄＢ．因而，
放在放大器前面的增益和相位网络是典型的损耗器件，在带内增加是必要的，实际上，在低功
率提供额外的增益是相当简单的，由于不稳定的影响和小信号的耦合，没有必要有那么高的增
益。　
对固定的偶合值和固定的延时线损耗，前馈增益可以通过改变衰减器Ｌ３来调整，增加衰减
器的数量就可以提高前馈的增益，因而主放大器通道的增益也要增加，一确保前馈输出功率是
恒定的，当前馈功率放大器在生产时，在内部允许的情况下，它可以使用在随温度变化延时线
损耗而进行补偿。　
6.2.2 增益与信号电平、频率和温度
理想的，为了维持恒定的输出功率，前馈放大器的增益在带宽内并随温度变化是恒定的；
此外，增益没有随信号电平而变化。　
实际上，前馈放大器的增益随温度、频率和信号电平而变化，目的是这个变化最小，从而
是输出功率变化最小，本来就是增益变化的总和与环路控制网络的有效性相联系，就是维持在
所有条件下（包括温度、信号电平和带宽）环路平衡。如图６．６是１．９Ｇ　３０Ｗ前馈放大器的增益
和频率变化的特性；图６．７是同样的前馈放大器，给出了增益和温度的变化特性。在６０ＭＨｚ的
带宽内增益平坦度 ± 0.2 dB 和在 0 0 C 到 50 0 C 变化小于 ± 0.5dB 。　
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Gain
22
21
20
19
18
1930 1940 1950 1960 1970 1980 1990
频率（MHz) 　
图６．６增益与频率在１Ｗ输出功率时　
Gain(dBdB)
21
20.5
20
19.5
19
18.5
18
-25°C 0ºC 25°C 50° 75°C 　
图６．７增益与温度在１０Ｗ输出功率时　
6.2.3 输入输出阻抗匹配
在以前的论述中，要防止设备的输入输出阻抗比匹配。设备的特性阻抗为源的阻抗（５０Ω）。
例如：前馈放大器通常放在收发信机和双工器之间，并通过５０Ω同轴电缆连接。　
前馈放大器的输入输出阻抗匹配在理想的情况下它的功率损耗为零。实际上，部分信号被
反射，导致传输功率的损耗，例如图６．８，前馈放大器输入和输出返回损耗。输入损耗大约为
－１８ｄＢ，而输出在带内最好的也就是－２０ｄＢ．　
除了传输功率损耗外，阻抗的不匹配也引起了频率的波动，频率波动是一个原理因素即限
制了带内信号抵消，从而影响前馈性能。　
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返回损耗（ dB ）
0
-1 0
输入
-2 0
- 30
输出
-4 0
1930 1940 1950 1960 1970 1980 1990
频率（ M H z）　
图６．８返回损耗与频率的关系　
6.2.4 前馈输入匹配
图６．９与前馈输入相关联的信号分为两路，一路去了延时线，；另一路去了主功率放大器，
延时线信号由于偶合器Ａ３的插入损耗被衰减，延时线Ｌ也有损耗，并耦合器Ａ４也有损耗。当
环路是平衡时，在到达误差放大器信号以前，耦合器Ｃ４的输出信号被抵消，没有反射信号。对
好的信号来说，输入耦合器Ｃ３通常在延时线通道选择最小的损耗，从而，去主功率放大器的信
号被衰减，输入匹配 Γmain−in 可以被忽略，例如：当 C3 = 10dB, 主功率放大器的输入返回损耗
为－１５ｄＢ，那么在前馈的反射信号被衰减３５ｄＢ相对于输入信号而言，就可以考虑被忽略。　
理论上，通过主功率放大器的信号没有在前馈输入的任何一端再现，可是，在实际中，耦
合器Ｃ４有限定的方向Ｄ４（隔离Ｉ４），也就是从主功率放大器一部分信号再现在输入多耦合器
Ｃ４，由Ｌ１和Ａ３传输到前馈的输入并被削弱，着个信号是较低的电平相对于关联信号，总的等
于定向耦合加上插入损耗。　
　
Γ main− in
VO U T 　
Gm ∩ ∩∩ o
C1 L3 　
C3 L1 I4 C4
∩ ∩∩
　
o Ge
　
A3 A4 ΓERROR
Γinput 　
图 5.6前馈输入匹配
图６．９前馈输入匹配　
在前馈输入端信号驱动返回的全部衰减也就是返回损耗等于：　
RLinput = 2 A3 + 2 L1 + A4 + D 4 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（６．１１）　
对延时线损耗为１ｄＢ，返回损耗增加到２ｄＢ，那么，前馈系统的噪声性能被降低，也就是噪

声成分增加１ｄＢ，因而对增加前馈放大器的输入返回损耗来说，增加偶合的方向性比增加延时
线的损耗更优越，对提高耦合器的方向的另一个好处就是降低幅频波动性，因为，在带内抵消
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中有反向的影响，当信号抵消时，需要幅度匹配到很小的分贝上，一些都督波动就是不合理的
了。　
6.3 实现方案
该线性功放的系统功能框图如图 6.10 所示：
检测模块（ＤＥＰＭ）
到ＡＤＰＭ
检测接收
ＲＦ输入ＲＦ输出
主功放模块延时滤波器
到ＤＥＰＭ
自适应控制模块
误差放大器模块电源（ＰＳ）
（ＡＤＰＭ）
　ＲＳ４８５接口
　　　　　　　　　　
图 6.10 WCDMA 线性功放功能框图
图６．１０为ｎｏｄｅ　Ｂ两载频每载频１５Ｗ平均输出功率Ｗ—ＣＤＭＡ线性功放设计框图，它由６个
主要电路模块组成，这些模块包括：主功放模块（ＭＡＭ）；误差放大器模块（ＥＡＭ）；延时线滤
波器模块（ＤＬＭ）；自适应处理模块（ＡＤＰＭ）；检测模块（ＤＥＴＭ）；电源模块（ＰＳ）。主要功能
是进行多载波ＷＣＤＭＡ调制射频信号的功率放大。　
说明：　
１．　要求当输入信号为连续的２　载波ＷＣＤＭＡ信号，测试模式１、３２个ＤＰＣＨ，ＰＡＲ＝１０ｄＢ＠０．０１％，

ＡＣＰＲ优于５２ｄＢ＠５ＭＨｚ，５７ｄＢ＠１０ＭＨｚ时，输出信号的ＡＣＰＲ恶化程度在３ｄＢ以内。　
２．　要求当输入如１所规定的输入信号时，输出信号的频谱辐射模板恶化程度在２ｄＢ以内。　
３．　告警及其门限：　
l 过功率告警：当超过最大输出功率２ｄＢ时告警　
l 过驻波比告警：当驻波比超过２：１时告警　
l 过温度告警：当超过内部最高工作温度２０℃时告警　
l ＤＣ过电流告警：当直流电源的电流超过最大正常工作电流的１５０％时告警　
l 设备故障告警：功放环路的相位和增益超过控制范围，或发生其他故障时告警。　
下面对 LPA 各部分进行介绍。
其中主功放模块由主功放前置电路（PC1）和主功放组成；误差放大器由误差放大器前置
电路（PC2）和误差放大器组成。
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6.3.1 主功放模块（MAM）
在图６．１０中，主功放模块功能有：　
l 前级放大、分配、矢量调制、小信号延时等；
l 大功率放大。
由ＴＸ送入的ＲＦ激励信号经主路衰减器的衰减和激励级的放大、隔离去输出耦合器作功率
分配，再送到矢量调制器等处。　
由前置放大模块送来的信号经矢量调制器将电平和相位调整到合适的电平，从而实现载频
抵消功能。由于矢量调制器有较大的衰减，所以需要进行较高增益的放大以弥补其损耗。　
主功放把来自矢量调制器的信号作进一步的放大，以达到输出功率的要求。
该部分的电路包括了输入信号的分配，放大，矢量调制及功率放大。功放部分一般由一级
集成放大器和两级 LDMOS 大功率放大器组成，其 ACLR 指标一般在 30－40 之间，视交调抵
消效率而定。如果交调抵消效率高，则该指标可以定的低一点；相反，则该指标就应该定的高
一点。因为具体到 W-CDMA，要求 Node B系统的 ACLR 在 5MHz 时要小于－45dBc ，10MHz
时小于－50dBc 。考虑到功放的可生产性、测试误差等因素，实际设计的线性功放指标应比这
一要求高几个 dB。
6.3.2 误差放大器模块
误差放大器具有如下功能：
l 载波抵消；
l 延时微调；
l 提供高线性、高增益的功率放大。
误差放大器模块的载波抵消部分先进行载波抵消，提取误差信号。在 PCB 上设计图案以便

对误差信号进行延时微调。误差信号送入矢量调制器，对来自载波抵消模块的信号进行矢量调
制，并送误差放大器作进一步的放大到足够大的电平，并送该信号到延时滤波器模块作交调抵
消。
它由抵消电路，矢量调制器，延时器，放大器等电路组成。一般来说，误差放大器的功放
部分可以与主功放的激励级相同。
6.3.3 延时滤波器模块
延时滤波器模块的功能为：
l 对主路信号的延时
l 内置 3 个耦合器，分别作主功放信号的耦合、交调分量的抵消、线性功放输出信号的耦合。
延时滤波器的框图如图 6.11 所示：
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Ｊ１Ｊ２
延时滤波器
３０１０４０
Ｊ３Ｊ４Ｊ５Ｊ６
图 6.11　延时滤波器框图
6.3.4 检测模块
本检测单板 DETM 完成驻波、输入功率、载波抵消效率等检测以及对 Rx 过来信号进行检
测完成载波，交调杂散幅度大小的检测。对于载频抵消结果的检测相对简单些，因为即使抵消
达到 20—30dB，载频抵消环的输出端主载频的能量仍然占优势，因此可以用 AD8313 等来直接
检测。交调抵消幅度检测用接收机的方法来实现。先将混合载波分量变频到 190MHz 的中频，
在混频器后接一中频窄带声表滤波器抑制非测试点频谱分量，然后再经过 AD8307 检波而得。
该部分电路需要本振、ＰＬＬ、混频器、声表以及检测电路等。检测后的信号供自适应控制用。
　
6.3.5 信号处理模块
信号处理模块包括：D/A 变换器、信号处理器、A/D 变换器等。该模块实现了对矢量调制
器以及整个 LPA 的控制。自适应模块逻辑框图如图 6.12 所示：
该模块是整个线性功放的控制中心。首先，根据载频抵消后载频信号的当前状态对电调衰
减器、移相器进行控制，以获得良好的载频抵消效果。在误差抵消环，利用交调分量接收模块
对此信号的检测，来判断误差抵消的效果而对电调衰减器、移相器进行控制，优化频谱扩散分
量的抵消效果，使得当环境变化时，线性功率放大器的线性度指标仍然能够得到保证。
±１２Ｖ、±５Ｖ
powe
r Filte
DC/DC
r
±５Ｖ
±12V RF switch
Flas
h
ｓｉｇｎａ TMS320LC54x
ｌ gain 1
DAC1 gain 2
ｓｉｇｎａｌ SH AD 12 DS phase1
２ MUX
A C P DAC2 phase2
signa １２
l3
CL
K
CPL
D EPM7064
图 6.12　自适应控制模块框图
该模块提供 LPA 和 NODE B 系统的通信链路 RS-485 口，告警和控制信息可以通过这条链

路发送。它还控制着 LPA 的所有功能并监测全部单独模块的告警状态。
自适应控制模块功能如下：
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l 频率检测；
l 整个线性功放的线性化过程控制，包括优化算法；
l 对整个线性功放的保护控制；
l 与 Node B 的接口。
自适应控制模块在该系统中起着很重要的作用，尤其是其作为线性化过程的控制，将直接
影响到系统性能的好坏，所以需要对这部分加以重视。
还需要提出的是，前馈线性功放作为一个大功率部件，在具体设计时需十分重视效率。在
满足线性的要求下，效率是功放中最根本的一项指标。不仅是基站的散热和能耗问题，更重要
的是功放本身的效能利用问题，进而是成本的问题。就影响效率而言，尽管主功放的差别不会
很大，但对主功放的精雕细琢还是会对整机效率起到一定的作用。线性化技术水平是整机效率
的一个关键。除受前馈功放的整体架构（如延迟线的选取等）影响外，载波抵消环的抵消程度
对效率有很大的影响。如果抵消精度高，一是可以减小误差放大器的功率，二是可以减小输出
抵消的损耗，三是可以降低主功放的压力。正如大家所知道的，RF 功率管是功放中最贵重的器
件，只有它的用量降下来，才有望大幅度的降低整机的成本，同时增加效率。
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第七章功放中预失真技术
目前，最常用的线性化技术包括功率回退、前馈和预失真。功率回退技术即业内统称的高
功放设计技术，利用从１ｄＢ压缩点（Ｐ１ｄＢ）的大量功率回退，使功率放大器工作在线性段的功率
动态内。这种技术是完全依靠放大管（特别是末级功放管）本身的性能来保证功率放大器的线
性指标的，它只适合与小功率（一般不会超过５０Ｗ）并且线性指标要求不高（譬如单载频ＣＤＭＡ
信号功率放大）的环境使用。对于大功率和高线性要求（如多载频ＣＤＭＡ和ＷＣＤＭＡ信号放大）的
使用环境，则无法采用；前馈技术是利用两个信号对消环路反相抵消消除功率放大器输出信号
中的非线性失真产物，实现功放电路的线性化目的，达到完全满足系统要求的线性放大指标。
这种技术具有线性化处理带宽宽（最大可达３０ＭＨｚ）、线性改善指标高（最大可达２５ｄＢ）以及
技术成熟容易设计实现的优点，但是由于构成相对复杂，也具有生产一致性难以把握和成本比
较高的缺点。　
7.1 预失真原理
预失真是近年来迅速发展的一种全新的射频功率放大器线性化技术，它是依靠在功率放大
器输入通道中插入非线性传输环节——预失真器，在功率放大器输入信号中引入相关的预先失
真分量，然后在输出端与功放的输出信号叠加，利用预失真器与功放电路正交相反的非线性特
性，抵消消除功放的非线性产物，实现功放的线性化目标。预失真技术的原理示意参见图７．１，
利用线１所示的预失真器的非线性特性曲线修正线３所示的功放的非线性特性曲线，就得到了
线２所示的系统的线性特性曲线。　
1 2
3
IN 预失真器功放 OUT
　
图７．１　　预失真技术原理示意图　
在实际使用中，由于功放的非线性性能会随着工作环境温度、信号频率、输出功率以及时
间老化因子等因数随时发生变化，而且不可能直接找到与功放完全匹配的非线性器件实现理想
的预失真器，因此普通的预失真技术不能确保一定的线性改善效果，而必需加入相应的自适应
控制机制，实现所谓的自适应预失真。如图７．２所示，自适应控制器通过监测取样的输入、输
出信号特性，动态调整预失真器的非线性性能，闭环控制保证系统的线性化改善效果。　
IN 预失真器功放 OUT
自适应
控制器
　
图７．２　　自适应预失真原理框图　
从实现方法上，可以将预失真技术分为模拟预失真和数字预失真。模拟预失真是通过在射
频功率放大器的射频输入通道中插入可以产生预失真效果的模拟器件，从而实现预失真目标。
由于模拟器件的非线性性能和工作带宽限制，这种预失真手段难以达到比较好的线性化改善效
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果，一般为５￣７ｄＢ，线性化带宽也比较窄，一般为５￣１０ＭＨｚ；数字预失真的应用和开发目前比较

热烈，它是通过在发信机前端基带输入和中频Ｉ、Ｑ调制之间插入的全数字预失真电路实现的，
即利用特定的预失真算法，通过数字信号处理（ＤＳＰ）过程，对输入的基带信号实现即定的扩谱
包络调制，而这种扩谱包络调制的特性是与功率放大器的非线性互调特性完全正交匹配相反的，
所以可以有效抑制功率放大器的非线性互调，从而达到改善功放线性指标的目的。由于数字预
失真的改善效果只受限于处理算法的复杂程度和ＤＳＰ的硬件处理能力以及外围Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａ电路的
转换速度，理论上它可以实现与前馈技术同等的线性化改善效果。下面具体介绍目前比较流行
的两种模拟预失真和一种数字预失真的线性化处理方法。　
7.2 预失真方法
7.2.1 模拟预失真方法
国外许多前馈线性功放产品中可以看到如图７．３所示的一种简单的模拟预失真电路。它是
基于正交功率合成技术中隔离端信号抵消的原理，利用线性放大通道Ａ输出的信号在合成隔离
端抵消消除非线性放大通道Ｂ输出信号中的信号成分，得到非线性失真信号，并通过自适应的
幅度、相位调整后，耦合引入功放输入信号中，实现预失真。这种方法具有构成简单、容易设
计并且稳定性比较好的特点，但是改善效果比较差（４－５ｄＢ），而且无法实现近、远端互调同时
抑制，也就是说改善了３阶改善不了５阶，而改善了５阶又改善不了３阶。因此，只是配合并
适当完善前馈线性化系统使用。　
为什么要在下面通预失真器
道抵消主信号：这
样下面通道就乘预功放 OUT
失真的误差信号，通道　A
调控起来比较方
IN
便，调整的时候又
不影响主信号的大
小。比我们的方式有点像前馈的预
好，据说这样动态失真
范围也高。
通道　B
自适应控制器
　
图７．３　　模拟预失真方法１原理示意图　
还有一种比较复杂但是可以同时抑制近端和远端互调的模拟预失真技术，它是通过谐波发生电
路生成输入信号的多次谐波并引入到输入信号中，进而实现预失真。如图７．４所示的一种产生
并引入输入信号２次和３次谐波的模拟预失真电路框图。功率放大器产生的３阶互调是多载频
信号中一个频率的基波与另一个频率的２次谐波混频造成的（ｆＩＭ３＝２ｆ１－ｆ２和２ｆ２－ｆ１），５阶互
调是多载频信号中一个频率的２次谐波与另一个频率的３次谐波混频造成的（ｆＩＭ５＝３ｆ１－２ｆ２和
３ｆ２－２ｆ１），那么通过功放输入信号中引入的特定幅度和相位特性的２次和３次谐波有效抑制功
放管中的２次和３次谐波形成，进而抑制功放输出端的３阶和５阶互调形成，实现线性化目标。
图４中通过特定的ＡＬＣ（自动电平控制）电路，使预失真器中谐波产生电路的输入信号在系统
全动态范围内保持固定幅度，这样就保证了通过倍频和基波与２次谐波混频形成的２次和３次
谐波的幅度也是固定不变的，这样系统就可以按照最佳线性改善的目标随意调谐引入２次和３
次谐波的幅度和相位。这种技术应该对３阶互调和５阶互调同时抑制５－７ｄＢ。
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ＩＮ耦合器 1 延时线 1 耦合器 4 耦合器 5 ＯＵＴ

信号直通通道
混频电调衰电调移
耦合器 3 延时线 2
器1 减器 2 相器 1
电调衰三功
耦合器 2
放大
器1
减器 1 分器放大
器2 二次谐波通道ＶＧ１ＶＰ１
混频
ALC 器2
电路电调衰电调移
减器 3 相器 2
三次谐波通道ＶＧ２ＶＰ２

谐波产生通道
图７．４　　模拟预失真方法２示意图　
7.2.2 数字预失真方法
数字预失真是近几年迅速发展起来的一项射频功率放大器线性化技术，它是结合蜂窝移动
通信系统基站发信机一体化设计实现的。目前我们公司主要接触的是由ＰＭＣ公司推出的一套基
带预失真方案，是基于ＰＭ７８１５和ＰＭ７８１８数字预失真芯片实现的。图７．５为ＰＭＣ公司提供的
ＰＡＬＡＤＩＮ预失真方案示意图。　
Open Loop Predistortion

Paladin-15/18
Signal Path
Baseband Main
Basestation Signal DAC RF Upconverter
DCSP Amp
Modem
ADC RF Downconverter
Command
BTS Control Interface
ACPCE Observation Signal Path
Processor
图７．５　　数字预失真方案示意图　
这种方案的关键在于图７．５中示出的ＰＡＬＡＤＩＮ信号处理板，ＰＡＬＡＤＩＮ－１５的ＤＣＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ　

Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ　Ｓｉｇｎａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ，数字校正信号处理器）芯片采用ＰＭＣ的７８１５，ＰＡＬＡＤＩＮ－１８的
ＤＣＳＰ芯片采用ＰＭＣ的７８１８，两种电路板的ＡＣＰＣＥ（Ａｄａｐｔｉｖｅ　Ｃｏｎｔｒｏｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ　Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ　
Ｅｎｇｉｎｅ，自适应控制处理器补偿引擎）均采用ＴＩ的ＴＭＳ３２０Ｃ５４１０数字信号处理器，ＰＡＬＡＤＩＮ－１５
的预失真处理带宽为１０ＭＨｚ，ＰＡＬＡＤＩＮ－１８的预失真处理带宽为１５ＭＨｚ，具体性能参数参见表７．１。
这种预失真系统的信号处理过程如下：首先，ＡＣＰＣＥ根据ＢＴＳ控制处理器传来的基站系统空中
接口定义计算相应的预失真控制参数，并传送给ＤＣＳＰ，产生初始预失真量化表，ＤＣＳＰ形成最初
的预失真处理过程，对基站ＭＯＤＥＭ输入的基带信号进行原始的预失真操作，并输出已经同时完
成了数字中频Ｉ／Ｑ调制的数字信号给Ｄ／Ａ转换器；然后，ＤＡＣ生成已经完成预失真和中频Ｉ／Ｑ
调制的模拟中频信号，再经过上变频得到功率放大器的射频输入信号；再后，功放输出信号一
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方面输出到天线发射覆盖用户区，另一方面被取样后通过下变频和Ａ／Ｄ转换形成参考信号回送

给ＤＣＳＰ，由其处理后连同输入的基带信号信息一起反馈给ＡＣＰＣＥ；最后，ＡＣＰＣＥ通过计算、处
理、比较系统的预失真线性化改善效果，闭环修正ＤＣＳＰ的预失真参数表，使之优化预失真算法，
进一步改善系统的预失真线性化处理结果，当然，ＡＣＰＣＥ还应该随时将系统的工作状态信息上
报ＢＴＳ控制处理器。ＰＡＬＡＤＩＮ的预失真处理是一个反复调整、不断改进的闭环控制过程，因此
可以实现系统稳定的最佳线性化改善效果。　
表７．１ＰＡＬＡＤＩＮ数字预失真性能参数表　
Air Interface Input Signal PM7815 PM7818

Bandwidth PALADIN-15 PALADIN-18
UTRA and 1-carrier WCDMA ５ＭＨｚ　Ｙｅｓ　Ｙｅｓ　
W-CDMA ２－ｃａｒｒｉｅｒ　ＷＣＤＭＡ　１０ＭＨｚ　Ｙｅｓ　Ｙｅｓ　
３－ｃａｒｒｉｅｒ　ＷＣＤＭＡ　１５ＭＨｚ　Ｎｏ　 Yes
　 3-channel cdma2000 1x RTT (or IS-95) ５ＭＨｚ　Ｙｅｓ　Ｙｅｓ　
ｃｄｍａ２０００　１－ｃｈａｎｎｅｌｃｄｍａ２０００　３ｘＲＴＴ　
ａｎｄ　ＩＳ－９５　６－ｃｈａｎｎｅｌ　ｃｄｍａ２０００１ｘＲＴＴ　（ｏｒ　ＩＳ－９５）　１０ＭＨｚ　Ｙｅｓ　Ｙｅｓ　
２－ｃｈａｎｎｅｌ　ｃｄｍａ２０００　３ｘＲＴＴ　
９－ｃｈａｎｎｅｌ　ｃｄｍａ２０００１ｘＲＴＴ　（ｏｒ　ＩＳ－９５）　１５ＭＨｚ　Ｎｏ　Ｙｅｓ　
３－ｃｈａｎｎｅｌ　ｃｄｍａ２０００　３ｘＲＴＴ　
通过将ＰＡＬＡＤＩＮ系统与公司的功放产品（譬如ＣＤＭＡ事业部的８００ＭＨｚ和１９００ＭＨｚ高功放）

结合试用和测试，我们发现这种线性化方案具有构成较为简单、线性化处理效果稳定、实现直
流－射频转换效率高（一般的前馈技术最多只能实现１０％的转换效率，而使用ＰＡＬＡＤＩＮ预失真技
术实现的效率可以达到１２％￣１３％）的优点，但是同时也存在处理速度慢（秒量级）和线性化改
善效果不够理想（前馈技术的线性化效果基本可以达到１５ｄＢ　￣２０ｄＢ，ＰＡＬＡＤＩＮ预失真技术只能
实现８ｄＢ￣１０ｄＢ的线性化改善，而且当功放的增益平坦度和相位线性度指标比较差时，改善效果
还会进一步降低）的缺点，总体上来说，这种技术仍处于实验阶段，现在直接用于具体产品设
计风险比较高，国外产品中没有见到该技术大量应用的事实也充分说明了这一点。　
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第八章功放设计中的材料选择
材料选型是微波功率放大器设计中的一个重要环节，合理地选择材料能够最大程度地优化
指标、降低成本、提高可靠性。　
材料选型应以功放的具体要求（技术指标、使用场合、外形等）为基础。不同的功放有不同
的技术指标要求，本文将以微波功放中常用的材料结合技术指标要求对材料选型进行逐一分析。　
8.1 功放管的选型
功放管选型是功放材料选型中的关键，因为功放管几乎与功放中所有的技术指标要求紧密
相关，所以功放管选形对功放设计合理与否起决定作用。实际上，选择功放管要考虑的因素很
多，这里我们就一些对功放管性能产生巨大影响而又容易被设计人员忽略的方面来分析如何选
择合适的功放管以保证功放的性能。　
8.1.1 工作带宽
功放管的输入输出端口 Q 值对功放的带宽影响很大。原则上，此 Q 值不能大于工作中心频
率与工作带宽的比值，并要留有较大的余量。下面以一个工作中心频率为 450MHZ，工作带宽
为 100MHZ 的宽带功放举例说明。
本功放选用了ＳＴ公司生产的ＳＤ１５６３作为末级放大，我们可以计算一下ＳＤ１５６３是否满足功

放的带宽要求。ＳＤ１５６３在本功放指定的工作条件下，输入输出阻抗分别为２＋ｊ３．２和１．８＋ｊ０．７，
所以其输入输出端口Ｑ值分别为１．６（３．２／２）和０．３９（０．７／１．８），远小于允许的最大Ｑ值４．５
（４５０ＭＨＺ／１００ＭＨＺ），所以，此功放管满足带宽要求。实际上，阻抗匹配电路的Ｑ值对功放的带
宽影响也同样很大，尤其是多级功放管级联放大时，整个功放的带宽会小于其中任何一级的放
大器的带宽，这些问题都是在功放设计时应考虑的问题，但不属这里要讨论的范畴。　
8.1.2 线性度
线性功率放大器在移动通讯基站中被广泛采用，大功率的线性功率放大多采用 AB 或 B 类
放大，功放管一般选线性度较好的 LDMOS 功率晶体管。目前，LDMOS 功率晶体管的生产商
主要有 MOTOROLA、PHILIPS、ERICSSON 等国外厂商。另外，GaAs 功放管在基站线性功放
中也有应用，特别是在日本。由于本国拥有大量的 GaAs 制造商，所以日本产的线性功放大都
采用 GaAs 功放管，但由于 GaAs 功放管低电压、大电流的工作模式，使得 GaAs 在与 LDMOS
在基站线性功放的竞争中明显处于下风。
为了保证较高的线性度，功放管必须采取功率回退技术。值得一提的是，为了达到一定的
线性指标，功放设计人员能够根据厂商提供的线性度测试曲线，确定末级功率晶体管。但是，
推动级功放管对整个功放线性度的影响往往容易被忽略。我们以线性度指标 IM3（三阶交调）
为例来说明这个问题。推动级的 IM3 如果优于末级 10dB，则对级联后的功放 IM3 恶化 0.4 dB，
在大部分情况下，这种程度的恶化是可以容忍的。这对同一系列的功放管来说相当于推动级比
末级多回退了约 5 dB 左右（不同厂商、不同系列的功放管在同样的功率回退情况下，IM3 有较
大的差异）。所以，为了最大程度地发挥末级功放的线性指标，建议在 AB 或 B 类线性大功率功
放中，推动级功放比末级功放多回退 5~7 dB。
另外，对于功放前级的小功率放大，建议采用 A 类或 AB 类功率模块，一则增益高、使用
方便，二则能保证在小功率输出时具有很高的线性度。
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最后，我们还应注意到，功率回退虽然能提高线性度，但却使功放的效率随回退数的增加
而降低，所以在选管时，不能一味地追求线性而忽略了效率，应在二者之间取折中。
8.1.3 工作频率
目前，针对基站线性功放设计的ＬＤＭＯＳ或ＡｓＧａ功率晶体管几乎都只能用在某一特定频率下
（针对某一特定频率段设计的），所以根据工作频率选功放管是十分容易的事。但对于一般用
途的功放管来说，往往只能在其参数手册中查到特征频率Ｆｔ，为了保证功放管的增益，建议工
作频率Ｆｏ＜０．３Ｆｔ。　
8.1.4 工作电压
对于移动通讯基站或其它一些场合专用的功放管，生产厂家会给出推荐的工作电压和工作
电压的极限值。但有许多通用的功放管，生产厂家没有特指其工作电压，应该掌握一个原则：
工作电压一般不要超过ＶＣＥＯ（共发射极放大）或ＢＶＤＳＳ（共源极放大）的三分之二。因为在功
率放大时，工作电压加上集电极或漏极的被放大高频信号的有效值若超过ＶＣＥＯ或ＢＶＤＳＳ就会使
功放管击穿。尤其是在功放负载情况发生变化时，集电极或漏极的高频信号电压将会有较大的
起伏，所以工作电压留有一定的余量是十分必要的。　
8.2 匹配电容的选型
任何用于功率放大器的匹配电容都会有高频损耗，高频损耗会引起电容发热，过度发热会
引起电容参数较大的变化甚至损坏，特别是在大功率功放中这个问题尤为突出。另外，匹配电
容还会承受较高的高频电压，如果匹配电容的耐压偏低会使电容击穿。这里必须强调的是，在
大功率功放中，匹配电容的损坏会引起功放失配从而导致功放的性能指标恶化、自激甚至损坏。
由此可见，选择合适的匹配电容是功放设计中的一个重要环节，下面我们从高频损耗和耐压两
方面来分析怎样选择匹配电容。　
8.2.1 高频损耗
为了降低大功率功放中使用的匹配电容的高频损耗，许多公司专门为此研制生产了高 Q 值
微波电容，这种电容具有 Q 值高、ESR（等效串联电阻）低的特点，大大降低了电容的高频损
耗。像美国的 ATC、法国的 TEKELEC TEMEX、日本的 SOSHIN 等许多公司都生产微波大功
率功放专用的系列高 Q 值电容。下面以一个实例来说明高 Q 值电容在微波大功率功放中的应用。
图 8.1 所示的是用 PHILIPS 公司生产的功率管（对管封装）BLV861 实现的 860MHZ/100W

推挽式功率放大器。输出端的阻抗匹配电路完成将 BLV861 中的对管的较低的输出阻抗值变换
到 25 欧姆（图中 B2 是用电缆制作的平衡非平衡转换器，两个平衡端到地，的阻抗为 25 欧姆），
显而易见，在功率传输过程中阻抗越低，电流越大，所以靠近功率管集电极的匹配电容 C8 （10PF）
和 C9（2.7PF）所要承受的高频电流最大，因而损耗也最大。如果不考虑功率损耗，图中的 C8、
C9 可以用一个电容代替，实际上，C8 和 C9 选用了 ATC 公司的 Q 值最高、ESR 最低的 ATC180R
系列微波陶瓷电容，在功放输出 100W 时，C8 和 C9 总共损耗功率 1.2W，如果用一个 13PF 的
ATC100B 系列（Q 值稍低、ESR 稍大）的高 Q 值电容替代 C8 和 C9，也同样能取得很好的匹
配效果，但是此电容却要承受 2.7W 的功耗，对于一个 2.79mm×2.79mm 封装的电容，如此大
的功耗足以使电容两端的焊锡熔化。而同为输出匹配电容的 C10 却可以选择 ATC100B 系列的
电容（ATC100B 系列电容比 ATC180R 价格低 50%），原因很简单：此处的阻抗高（接近 25 欧
姆），高频电流小。
图 8.1 所示的匹配电路是分布参数（微带线）和集总参数（ATC 电容）的混合物。实际上，
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如果不考虑匹配电路所占用的空间，这个匹配电路可以完全由微带线实现，这样可以将匹配元
件的高频损耗降到很低的水平，当然，对于这样一个工作在 860MHZ 的大功率放大器而言，匹
配电路所占用的空间可能往往不能忍受。但是，当工作频率很高时（如：WCDMA 功放工作在
2.1GHZ ），一个完全由微带线实现的匹配电路在许多情况下是可以实现的。实际上，这样做，
不仅仅是降低了高频损耗，同时还增加了可靠性、降低了成本并且更易于生产。
图 8.1 BLV861 放大电路
8.2.2 耐压
类似图 8.1 所示的大功率放大器，匹配电容要承受很高的高频电压，如果这个功放用在
CDMA 系统，匹配电容所承受的高频电压往往还要增加 3 倍以上（在 CDMA 系统中，峰均功
率比经常会大于 10）。因此，选择合适耐压的高 Q 值电容也同样十分重要。
在图８．１中，通过Ｃ８和Ｃ９的高频电流最大，而靠近Ｂ２的Ｃ１０承受的高频电压最高。如果

Ｃ１０两端到地的阻抗按２５欧姆考虑，在功放１００Ｗ输出时，如果被放大信号为恒定包络，Ｃ１０
两端要承受７１Ｖ的高频电压（有效值）；如果被放大的信号是ＣＤＭＡ信号，按峰均比为１０计算，
Ｃ１０两端承受的高频电压会增加到２２５Ｖ。实际工作时，当负载情况发生变化或过功率时，此高
频电压还会有较大升幅，此时，选择５００Ｖ耐压的高Ｑ值电容（如：ＡＴＣ１００Ｂ系列或ＡＴＣ１８０Ｒ系
列）是必要的。　
8.3 PCB 板材
微波大功率放大器中最常用的板材无疑是聚四氟乙烯玻璃纤维板，这种板材价格便宜、加
工简单、介电常数适中（一般在 2.5~3.5 之间）。还有一种常用的板材是氧化铝陶瓷板，它具有
介电常数高（一般在 9~9.5 之间）、介质损耗小、表面光洁等特点。
射频电路中对 PCB 板材有一定的要求，因频率较高时的一些无源电路是用微带线构成的分

布参数电路，微带线是在低损耗介质板上制作的带条，这时 PCB 不仅是电路的支撑体，还是微
波电磁场的传输媒体。对 PCB 板材的要求是多方面的主要有：介质损耗、光洁度、介电常数ε r、
平整度、温度稳定性、导热性等。设计参数主要有特性阻抗 Z0（与宽高比 W/H 和εr 有关）与电
长度λ g （与ε r 和 f 有关）λ g =λ 0 / εr 　　。　
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常用的高频板材有：Teflon（GT、GX）、Al2 O3 、高介陶瓷、蓝宝石等。
在实际应用中，为了减小匹配电路的尺寸，我们常常选用高介电常数板材，但是，有一个
问题不能忽略，匹配电路过小时，在 PCB 板加工过程或焊接过程所带来的偏差对匹配电路性能
的影响会很大。根据自己的需要对各种因素综合考虑，才能选择合适的板材。
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第九章功放电路的结构、屏蔽及热设计
射频功率放大器的电参数设计，只不过是设计工作的一部分。射频功率放大器作为一个独
立的功能整件，有其特殊的结构形式；一般，作为机柜插箱的一个安装模块，必须满足机柜插
箱的安装尺寸，由此决定它的结构必须在一定的尺寸空间内完成其所有要求的功能。由于射频
功率放大器的工作频率较高，电路中既有集中参数元件，又有分布参数的微带线，还有数字逻
辑控制电路。射频功率放大器的效率不高，散热问题非常重要。如何使电路结构紧凑，满足系
统安装要求及散热、ＥＭＣ等技术条件，就更增加了结构设计的复杂性。　
9.1 热设计
高温是大多数电子元器件最严重的危害，因为它会导致元器件失效（损害），尽管这种失
效需要经过逐渐的劣化过程。在功耗或环境温度变化时合理的热设计射频（微波）功率放大器
是大功率、大热耗的电子设备，一般来说效率较低，大功率管的耗散功率比较大，引起结温升
高！如果不及时将这些热量散发出去，就会因结温太高而使功放管损坏。结温不仅与功耗有关，
而且还与散热条件和环境温度有关。　
进行散热设计时，首先要估算功放管工作时可能达到的结温Ｔｊ。　
Ｔｊ＝Ｐｃ・ＲＴ　＋　Ｔ０　
式中　Ｐｃ ——功放管工作时的耗散功率；　
　　　　　ＲＴ ——功放管的热阻；　
　　　　　Ｔ０ ——环境温度。　
仅靠功放管的外壳散热是远远不能将功放管内部热量散发出去的，必须外加散热器将大量
的热量向周围空间散发。这就相当于在管壳与周围空气之间再并联一条热阻较小的热通道，以
ＲＴ（ｃ－ｆ）代表管壳与散热器的接触热阻（包括绝缘垫的热阻）。ＲＴ（ｆ－ａ）为散热器到周围空气之间的热
阻。很显然ＲＴ（ｆ－ａ）　＞＞　ＲＴ（ｃ－ｆ）　，热量绝大部分是通过散热器散发的，因此ＲＴ（ｆ－ａ）可以忽略。根据热
电等效原则，得出如下关系式：　
Tj − To
Pcm = 　
Rt + Rt ( c − f ) + Rt ( f − a)
上式是设计散热器的基本公式，热设计的主要任务是根据所要求的功放管最大耗散功率
Pcm 来确定散热器的形式与面积。
常用的散热器有各种型材（可查阅相关手册），也可根据结构的需要自行设计。
散热器选择实例：已知某电路使用晶体管，　晶体管功率为１０Ｗ，环境温度为３０℃，　管壳与散

　
热器直接接触（Ｒｂ＝０．５℃／Ｗ），试选用合适的散热器。　
由晶体管手册查得该器件的有关参数：　
　
最高允许结温　　　ｔｊｍａｘ＝１７５℃，　内热阻　　Ｒｊ＝３．３℃／Ｗ　
根据Ｑ／ＺＸ０４　００１－１９９７元器件降额准则，　对器件结温进行二级降额，即选：ｔｊ＝１２５℃　
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计算总热阻Ｒｔ：　Ｒｔ＝　（　ｔｊ－ｔａ　）／Ф　＝　（１２５　–　３０）／１０　＝　９．５℃／Ｗ　
　　　　　
计算散热器热阻Ｒｆ：Ｒｆ　＝　Ｒｔ　－　Ｒｊ　－　Ｒｂ　＝　９．５　–　３．３　–　０．５　＝　５．７℃／Ｗ　
　
因此，只要选择的散热器热阻低于５．７℃／Ｗ，就能保证结温ｔｊ＝　１２５　℃。　
单位换算：　
　
　　　　　　Ｒｆ　＝５．７℃／Ｗ　＝５．７Ｋ（开尔文）／Ｗ　　　　　　　
　
　　　　　　Δｔｆａ　＝　Ｒｆ＊Ф　＝５．７　＊１０　＝５７　Ｋ　
为使设备体积小、重量轻、拟采用叉指型散热器。由ＧＢ７４２３．３查得ＳＲＺ１１４型叉指散热器
能满足设计要求。　
9.2 屏蔽设计
为了防止杂波干扰，以及功放大信号对其他电路部分和外部的干扰，必须把功放电路装在
屏蔽盒里。屏蔽盒主要起电屏蔽作用，同时也起到机械保护与环境保护的作用。
屏蔽腔体的尺寸主要决定于屏蔽腔体内电子元器件和其走线所占空间的大小。此外，为了
避免腔体的导电壁对电路中电场的扰动，盖板离电路的距离应在（ 5~10）h（电路板高度）以上。
最靠近边缘的电路走线距腔体壁的距离应在 3h 以上。
大部分屏蔽腔体可以看做是一个部分填充介质的矩形谐振腔。当电路工作频率接近此种“矩
形谐振腔”的谐振频率时，有部分能量被吸收，可能在某一频率发生衰减尖峰，而影响电路的
正常工作。屏蔽腔体尺寸的确定还应避免此种情况的发生。屏蔽腔体的尺寸参数和谐和振频率
的关系式为
lc λ0
=
2
M  Nλ 
2 1− 0 
 2ac 
1
c=
1
1 − 1 − 
h
b ε
式中： λ0 ——谐振波长；M、N——谐振模次数（为任意正整数）；
l ——谐振腔体长； a ——谐振腔体宽； b ——谐振腔体高；

h ——介质厚度（印制电路板高）； ε ——介质的相对介电常数；
一般情况下 M 和 N 最大取到 2 或 3 即可，更大的谐振模式已很微弱，其影响可以不考虑。
跨屏蔽腔体间的射频信号的连接最常用的两种方法是：一种是印制板上直接走线，腔体
壁上开缺口让位；另一种是用屏蔽电缆跨腔体连接。第一种方法最简单，成本低，但走线不
宜过长，对于频率相对较低的小信号通常采用这种方法。第二种方法适用于距离相对较远的
大信号的跨接。
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9.3 结构设计与装配中的注意问题
9.3.1 PCB
线性功放是大功率、大热耗的电子设备。在进行结构设计时，散热和电磁兼容是非常重要
的两个方面，决定了其设计中的两个难点。第一是热设计，在满足散热面积、较小传导热阻的
前提下，使风阻最小、尺寸最小、价格最低。其二是电磁兼容，包括电磁屏蔽、接地和走线。　
射频信号又因功能不同相对的又有高、中、低之分，相互之间必须严格隔离，否则无法正
常工作。如图３所示，将射频部分各功能单元再用隔离地分隔成一些小的单元，用屏蔽腔屏蔽。
双线处即是隔离地，隔离地上不能涂绿油，应当做焊盘处理，以便与屏蔽腔良好接触。隔离地
上必须打上过孔，过孔必须经金属化处理，过孔的距离要小于十五分之一波长，孔径一般为
０．８￣１．２ｍｍ。　
射频布局最好按信号处理的流程走直线，严禁输出迂回到输入！因为射频链路一般都有很
高的增益，输出的信号要比输入的信号高数十ｄＢ，尽管有屏蔽隔离，但稍有不慎会引起强烈的
自激，这一点必须要注意。　
9.3.2 电源及输入输出信号的处理
l 射频信号的输入输出用专用的射频连接器，屏蔽腔内部可以用穿墙电缆或用简单的５０
欧姆微带线连接，在连接处的隔离墙上开小豁口。　
l 电源输入要通过穿芯电容引入，在引入线上套磁环。若不能使用穿芯电容，则必须采用
滤波电路，必须经过良好的滤波处理，电源线最容易引入或引出干扰信号。　
l 各输入输出控制或低频信号线，原则上也必须通过穿芯电容。若不能使用穿芯电容，则
必须采用滤波电路，必须经过良好的滤波处理。否则，也会引起干扰或使控制失误。
　
　
　
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1.1.1 GSM 及 PHS 基站系统

Ａ 类放大器的 １ｄＢ 压缩点 Ｐ１ ｄＢ 与其三阶交截点 ＩＰ３ 的关系曲线图见图 １．１、图 １．２ 所示。

ＡＢ 类放大器不适用于上述两个曲线，具体可参考所选定的功率管厂家给出的 ＩＭＤ 或 ＡＣＰＲ

1.1.2 CDMA 及 WCDMA 基站系统

下面将前馈及预失真技术的优缺点做一简单比较，如表 １．１ 所示（这两种技术的详细介绍

Pin 主放大器 延迟D1（移相） Pout

延迟D2（移相） C3 ∆G/∆Φ 调节 误差放大器

在图 １．３ 中，由耦合器 Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、移相电路 Ｄ２ 及主放大器组成环路 １，其作用是为了消

ΔIM=-10log|1+10ΔG/10 -2×10ΔG/20 cosΔΦ| （2）

式中：ΔIM = 交调改善值，单位为 dB 该公式在前馈系

Gain Gain Gain

Pin Pin Pin

第一级放大 末前级放大 末级放大 环行器

同样由（５）式可得到不同 Ａ 值时恶化值 Ｂ，表 １．２ 所示

由图 １．６ 和表 １．２ 可以看出，驱动级优于末级的 ＩＭＤ３ 越大，则级联放大器的交调系数恶化

下面列出几种功率管的比较，如表 １．３ 所示。由于 ＬＤＭＯＳ 管子的高增益、高效率和良好的

1.4 结构设计及 PCB 详细设计

图 2.2 AD8313、AD8307 的典型应用电路

lRMS 功率检测电路：反映载波均方差功率变化的功率检测电路。对于如 CDMA 等

其中，所用的压控衰减器可以用 ３ｄＢ 电桥（例如 １Ｄ１３０４）和 ＰＩＮ 二极管（例如 ＨＳＭＰ３８１４）

Ａ／Ｄ Ｄ／Ａ Ａ／Ｄ 温度检测

需要注意的是 Ａ／Ｄ 和 Ｄ／Ａ 要选择 １２ 位或以上的，避免控制的精度不够造成增益跳动；Ｄ／Ａ

3.4 LDMOS 功放管静态工作点温度补偿功

△Vd 为温度变化所引起的二极管正向导通压降 Vd 的变化量、△Vg 为二极管正向导通压

图 3.4 中的二极管为硅开关二极管，正向导通压降为 0.7V 左右，其导通压降随温度变化呈

本设计方案的背景资料来自于 MOTOROLA 网站中有关 LDMOS 功放管的应用实例。与其

4.1.1 LDMOS 器件供电电路

LDMOS 器件的供电电路如图 4.1。一般情况下，电容的设计有一定的规律，靠近器件的电

图 4.1 930～960MHz 宽带器件供电网络

其中：L1 接器件的栅极，L2 接功放器件的漏极。

又如图 4.2 所示，是 1.9GHz MOTOROLA60W 功率器件的电路原理图。

图 4.2 1930～1990MHz 宽带器件测试电路

从图 4.1 和图 4.2 可以看出，两种供电电路其形式是基本相同的。只是对于不同的频率供电

在一般的电源供电时 C6、C10 是相同的电容，且是微波电容较好，C6 在电路中主要的作

4.1.2 GaAs 器件供电路

在 PCB 布板时，一定要将功放的周围的 PCB 板良好接地，留出一定的 PCB 接地的地方，

R 为电容器的等效电阻，是有引脚和介质极化引入的。C 为电容量，L 为引线电感。电容

值将偏离原有的值。由于 R 的存在，电容的 Q 值随工作频率的上升而下降，频率相同时，C 越

在串联谐振电路模式中 Ｑｓ＝ω０ Ｌ／Ｒ

在并联谐振电路模式中 Ｑｐ＝ω０ ＲＣ

串、并联等效电路的模型和相互的转换如图 ５．１ 所示：

例 １：在中心频率为 ５００ＭＨｚ 时，把功率管的输入阻抗从 １．０＋ｊ２．０Ω匹配到 ５０Ω， Ｑｓ＝２。

把此串联电路的结构模式等效为并联电路模式，根据图 ５．１ 所示公式，可以得到并联的阻

Ｘｐ１＝Ｘｓ（Ｑｓ２ ＋１）／Ｑｓ２ ＝＋ｊ２．５Ω

在此基础上加上第二级 Ｌ－Ｃ 结构，设定第二级电路的 Ｑ 值为 ２，即 Ｑ２＝２，变换后的电路形

Ｘｐ２＝Ｘｓ２（Ｑ２ ＋１）／Ｑ２ ＝＋ｊ１２．５Ω

最后用一个 Ｌ－Ｃ 结构形式把 Ｒｐ＝２５Ω变换到 ５０Ω，来推算一下所需的 Ｑ 值：

由 Ｒｐ＝Ｒｓ（１＋Ｑ２ ），其中我们需要 Ｒｐ＝５０Ω，而 Ｒｓ＝２５Ω

此电路的等效并联模式为 Ｒｐ４＝Ｒｓ３（１＋Ｑ２ ）＝５０

Ｘｐ４＝Ｘｓ３（Ｑ２ ＋１）／Ｑ２ ＝＋ｊ５０Ω

到此时我们已经把整个的实部阻抗变换到 ５０Ω，最后在电路中并联一个 Ｘｃ３＝－ｊ５０Ω的元件

ｊ２５ ｊ１０ ｊ２．０

Ｚｉｎ＝５０ －ｊ５０ －ｊ１２．５ －ｊ２．５ １．０

把图 ５．３ 中的电抗值转换为频率在 ５００ＭＨｚ 时电容和电感元件的实际值，如图 ５．４ 所示：

８．０ｎＨ ３．２ｎＨ ｊ２．０

Ｚｉｎ＝５０ ６．３ｐＦ ２５ｐＦ １２７ｐＦ １．０

图 ５．４ ５００Ｍ 时匹配电路的元件值

增强模型的电路结构为双 ＲＬＣ 电气结构，其基本原理如图 ５．５ 所示：

图中 ＣＢ 、ＲＢ 、ＬＢ 分别为人体电容、电阻及电感。ＣＨ 、ＲＨ 、ＬＨ 分别为手、前臂及手持的小金属

例 ２：在中心频率为 ５００ＭＨｚ 时，把功率管的输出阻抗从 ３．８－ｊ４．２Ω匹配到 ５０Ω

Ｘｐ１＝ Ｘｓ（Ｑｓ２ ＋１）／Ｑｓ２ ＝－ｊ７．７

为了简单起见，我们用一个支节的 Ｌ－Ｃ 低通滤波形式实现阻抗变换，先来推算一下变换到

就是说，在电路上串联一个 ＸＬ ＝＋ｊ１８．５Ω的元件，就可以把实部阻抗变换到 ５０Ω，最后在

Ａ类放大器的１ｄＢ压缩点Ｐ１ｄＢ与其三阶交截点ＩＰ３的关系曲线图见图１．１、图１．２所示。　

ＡＢ类放大器不适用于上述两个曲线，具体可参考所选定的功率管厂家给出的ＩＭＤ或ＡＣＰＲ

1.1.2 CDMA 及 WCDMA 基站系统　

下面将前馈及预失真技术的优缺点做一简单比较，如表１．１所示（这两种技术的详细介绍

Pin 主放大器延迟D1（移相） Pout

延迟D2（移相） C3 ∆G/∆Φ 调节误差放大器

在图１．３中，由耦合器Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、移相电路Ｄ２及主放大器组成环路１，其作用是为了消

ΔIM=-10log|1+10ΔG/10 -2×10ΔG/20 cosΔΦ| 　　　　　　　　　　　（2）

第一级放大末前级放大末级放大环行器

同样由（５）式可得到不同Ａ值时恶化值Ｂ，表１．２所示　

由图１．６和表１．２可以看出，驱动级优于末级的ＩＭＤ３越大，则级联放大器的交调系数恶化

下面列出几种功率管的比较，如表１．３所示。由于ＬＤＭＯＳ管子的高增益、高效率和良好的

其中，所用的压控衰减器可以用３ｄＢ电桥（例如１Ｄ１３０４）和ＰＩＮ二极管（例如ＨＳＭＰ３８１４）

Ａ／ＤＤ／ＡＡ／Ｄ温度检测

需要注意的是Ａ／Ｄ和Ｄ／Ａ要选择１２位或以上的，避免控制的精度不够造成增益跳动；Ｄ／Ａ

图 4.1　 930～960MHz 宽带器件供电网络

图 4.2　 1930～1990MHz 宽带器件测试电路

在串联谐振电路模式中Ｑｓ＝ω０Ｌ／Ｒ　

在并联谐振电路模式中Ｑｐ＝ω０ＲＣ　

串、并联等效电路的模型和相互的转换如图５．１所示：　

例１：在中心频率为５００ＭＨｚ时，把功率管的输入阻抗从１．０＋ｊ２．０Ω匹配到５０Ω，　Ｑｓ＝２。　

把此串联电路的结构模式等效为并联电路模式，根据图５．１所示公式，可以得到并联的阻

Ｘｐ１＝Ｘｓ（Ｑｓ２＋１）／Ｑｓ２＝＋ｊ２．５Ω　　

在此基础上加上第二级Ｌ－Ｃ结构，设定第二级电路的Ｑ值为２，即Ｑ２＝２，变换后的电路形

Ｘｐ２＝Ｘｓ２（Ｑ２＋１）／Ｑ２＝＋ｊ１２．５Ω　

最后用一个Ｌ－Ｃ结构形式把Ｒｐ＝２５Ω变换到５０Ω，来推算一下所需的Ｑ值：　

由Ｒｐ＝Ｒｓ（１＋Ｑ２），其中我们需要Ｒｐ＝５０Ω，而Ｒｓ＝２５Ω　

此电路的等效并联模式为Ｒｐ４＝Ｒｓ３（１＋Ｑ２）＝５０　

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Ｘｐ４＝Ｘｓ３（Ｑ２＋１）／Ｑ２　＝＋ｊ５０Ω　

到此时我们已经把整个的实部阻抗变换到５０Ω，最后在电路中并联一个Ｘｃ３＝－ｊ５０Ω的元件

ｊ２５ｊ１０ｊ２．０

Ｚｉｎ＝５０－ｊ５０－ｊ１２．５－ｊ２．５１．０

把图５．３中的电抗值转换为频率在５００ＭＨｚ时电容和电感元件的实际值，如图５．４所示：　

８．０ｎＨ３．２ｎＨｊ２．０

Ｚｉｎ＝５０６．３ｐＦ２５ｐＦ１２７ｐＦ１．０

图５．４　５００Ｍ时匹配电路的元件值　

增强模型的电路结构为双ＲＬＣ电气结构，其基本原理如图５．５所示：　

图中ＣＢ、ＲＢ、ＬＢ分别为人体电容、电阻及电感。ＣＨ、ＲＨ、ＬＨ分别为手、前臂及手持的小金属

例２：在中心频率为５００ＭＨｚ时，把功率管的输出阻抗从３．８－ｊ４．２Ω匹配到５０Ω　

Ｘｐ１＝　Ｘｓ（Ｑｓ２＋１）／Ｑｓ２＝－ｊ７．７　

为了简单起见，我们用一个支节的Ｌ－Ｃ低通滤波形式实现阻抗变换，先来推算一下变换到

就是说，在电路上串联一个ＸＬ＝＋ｊ１８．５Ω的元件，就可以把实部阻抗变换到５０Ω，最后在

此匹配电路的结构模式和阻抗值如图５．６所示：　

８．４－ｊ７．７＋ｊ７．７－ｊ２２．７

微带传输线在频率较高的场合呈现出准ＴＥＭ波的传输模式，其不同的形状结构会呈现出容

Ｚｉｎ＝Ｚ０（ＺＬ＋ｊＺ０ｔａｎθ）／（Ｚ０＋ｊＺＬｔａｎθ）　

当ＺＬ　＝０时，有Ｚｉｎ　＝　ｊＺ０ｔａｎθ，即在终端负载为零，当００＜θ＜９００　时，传输线的输入阻抗呈

当ＺＬ　＝∞时，有Ｚｉｎ　＝－　ｊＺ０／ｔａｎθ，即在传输线为开路状态，当００＜θ＜９００　时，传输线的输

当θ＝９００　时，即传输线电长度为１／４波长，Ｚｉｎ＝Ｚ２Ｏ／ＺＬ，我们所熟悉的ＷＩＬＫＩＳＯＮ电桥就是利

当　θ值小于４５０时，分布参数元件所呈现的特征和集总参数中的电抗（包括感抗和容抗）

例１中得到的所需匹配电路的结构和电抗值如图５．７所示：　

ｊ２５ｊ１０ｊ２．０

Ｚｉｎ＝５０－ｊ５０－ｊ１２．５－ｊ２．５１．０

我们取ＺＳＴＵＢ　＝－ｊ１５／ｔａｎ６５０＝－ｊ７．０Ω　

即取微带线的特征阻抗为为２５Ω，电长度为６５度；另外取并联电容的容值为１８ｐＦ。　

取带线的特征阻抗为５０Ω，电长度为２８度，串联的每节带线阻抗为　

ＺＬ１＝ＺＬ２＝＋ｊＺ０ｔａｎ（θ／２）＝＋ｊ１２．５Ω　

ＺＬ１＝ＺＬ２＝＋ｊＺ０ｔａｎ（θ／２）＝＋ｊ５．０Ω　

功率分配和合成器件从基本组成的方式来划分包括两种方式：级联的２：１端口的合成和链

－１０ｌｇＮ－１０ｌｇ（Ｎ－１）－１０ｌｇ（Ｎ－２）－４．７７ｄＢ－３ｄＢ

－３ｄＢ－４．７７ｄＢ－１０ｌｇＮ－１０ｌｇ（Ｎ－１）－１０ｌｇ（Ｎ－２）

图５．１１所示的是去年我司为了迅速适应ＧＳＭ边际网８０Ｗ功率输出的需要，利用现有两个功

功率输出隔离器３ｄＢ电桥

虚框为机架上的功率分配和合成单元，集中在一个组件之内，分别由３ｄＢ电桥组成，激励

实测值ＤＢ［Ｓ２１］－３．０

图６．４表示了前馈系统单独组成增益和损耗。连接器有插入损耗为α，耦合因子为ｃ，放大

图６．５表示了３０ｄＢ前馈放大器的例子，为了环路平衡，我们注意到主和误差放大器必须有

带宽内增益平坦度 ± 0.2 dB 和在 0 0 C 到 50 0 C 变化小于 ± 0.5dB 。　

为－１５ｄＢ，那么在前馈的反射信号被衰减３５ｄＢ相对于输入信号而言，就可以考虑被忽略。　

对延时线损耗为１ｄＢ，返回损耗增加到２ｄＢ，那么，前馈系统的噪声性能被降低，也就是噪

１．　要求当输入信号为连续的２　载波ＷＣＤＭＡ信号，测试模式１、３２个ＤＰＣＨ，ＰＡＲ＝１０ｄＢ＠０．０１％，

２．　要求当输入如１所规定的输入信号时，输出信号的频谱辐射模板恶化程度在２ｄＢ以内。　

l 过功率告警：当超过最大输出功率２ｄＢ时告警　

l 过驻波比告警：当驻波比超过２：１时告警　

果，一般为５￣７ｄＢ，线性化带宽也比较窄，一般为５￣１０ＭＨｚ；数字预失真的应用和开发目前比较

ＩＮ耦合器 1 延时线 1 耦合器 4 耦合器 5 ＯＵＴ

三次谐波通道ＶＧ２ＶＰ２

这种方案的关键在于图７．５中示出的ＰＡＬＡＤＩＮ信号处理板，ＰＡＬＡＤＩＮ－１５的ＤＣＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ　

方面输出到天线发射覆盖用户区，另一方面被取样后通过下变频和Ａ／Ｄ转换形成参考信号回送

通过将ＰＡＬＡＤＩＮ系统与公司的功放产品（譬如ＣＤＭＡ事业部的８００ＭＨｚ和１９００ＭＨｚ高功放）