Circuite Basculante in Practica Radioamatorilor

Luerarea prezinté functionarea $i aplicatiile practice ale circuitelor basctlante la un nivel accesibil radioamatorilor cu pregitire mai ayansat’, depana- torilor de televizoare si tehnicienilor clectronisti, ini prima parte (Cap. 1, 2) se prozinta funetio= narea circuitelor basculante astabile, monostabile, bistabile. Partea a doua (Cap, 3) cuprimde citeva aplica— {li practice ale circuitelor basculante: generator de unde dreptunghiulare, generator de mi electronica pentru televiziune, releu de temporizare, circuite de semnalizare, i Pentru o parte din montajele prezentate se dau detalii de constructie, reglare, punere in funetiune, Montajele descrise sint vealizabile oy materiale de fabricatie roméneased, care se pet procura din t comert. (AS ons Redactor: ing, MARIA GANHA | ‘Tehnoredactor: MARIA IONESCU a Dispozitive semiconductoare ca elemente de comutatie . < A ea circuitelor basculante lucreaz’ la semnale electrice Pena a usura injelegerea functionarli acestor cir- in capitolul introductiv se prezinté comportarea dis- elor semiconductoare la semnale mari, in regim de static, . Dioda semiconductoare ca element de comutatie fi a 1.1 este reprezentata caracteristica curent= Be us) a unei diode semiconductoare. cated, tne Ip (2 fo-1) Up 33 Wig. 11, Caracteristica Ep=fup) a unei diode semiconductoare,Se observa c& pentru tensiuni inverse (ahodul polarizat negativ in raport cu catodul) valoarea curentului care pendenta de valoarea tensiunii inwerse aplicate pe diod Acest curent (4) poarté numele de Curent invers al diod In. sens. direct curentul prin dioda variazé dupa o lege tala in functie de tensiunea aplicata, Caderea de tensiune directa in eazul diodelor Semiconductoare variaza exponentia: de la zecimi de yolti. pina la eitiva volti, Se constata ca dioda prezinta in sens direct o reziss tenta staticd mic iar in sens invers o rezistenta staticd mare, aproplindu-se de canacteristica unui comutator ideal, Th cazul diodelor cu contact punctiform pe baza de Sermaniu la temperatura ambianth (25°C) curentul invers este de ordinul microamperilor si se dubleaza crestere a temperaturii cu 10°C. Rezistenta statiea directa este de ordinul citorva suite de ohmi. In cazul diodel u siliciu curentul invers este considerabil mai mic, in sehit se dubleaza la fiecare crestere de cca, 8°C peste tempera~ tura de referinta, Parametrli deserisi mai sus canacterizeari commportarea statica a diodelor semiconductoare, In schemele de coi lalie intereseaza timpli necesari aducerii diodelor din s de blocare in stare de conductie si invers, denumiti tim: pul de comutare directa ta respectiv timpul de comutare Mwersa tiny. Th figura 1.2) se reprezinta variatia parametrilor curent-tensiune ai unei diode in timpul procesului de comutatie. Timpul de comutare inversdi tig, se compune din timpul de revenire treo, in care are loc eliminarea purtatorilor munoritari din regiunile neutre ale Jonctiuniti [1] si tmp de cadere 1, comparabil cu timpul de comutare directi ta $i mult mai mic decit timpul de revenire brane Timpii de comutare direct si de cidere (ta si t.) sint de ordinul zécilor de nanosecunde si de obicei nu se Indica in cataloage, in schimb timpii de revenire sint mult mai mari (0,1...50 ws) si sint dati in cataloage eu speci- fiecare circula prin dioda este extrem de mica si teoretic inde- lori i i a, Prin ea valorilor curentilor de comutare inversa, x ului de comutare inversa, timpul de reve- i micsorat, micsorindu-se astfel timpul de co- Liny trey. oe tiny. ‘ig. 1.2, Variatia tensiunii si a curentuluj in timpul te i comutarii diodei. 1.2. Tranzistorul ca element de comutatie ‘Comportarea tranzistorului ca element de comutatie e@ fi descrisa cunoscind marimile statice, care carac- a ile de blocare si de conductie precum si pa- etrii proceselor de tranzitie dintr-o stare in alta. ‘ Tn, schemele de comutatie tranzistorul poate fi utilizat pele itrei conexiuni posibile: cu a comun EC, cu comuind BC, cu colectonul conan 7 ‘ Tranzistorul in conexiune cu emitorul EC este cel mal @ utilizat ca element de comutatie, intrucit necesita de comanda minime, . mee elie de yvalorile curentilor si tensiunilor de in- Bae (In; Upn; Ic} Ucz) se pot deosebi urmatoarele ini de functionare (fig. 1.3):7 — caracteristica de taiere a tranzistorului pentru tensiune de intrare Upz>0 (In—Iopo); 4@ — regiuntea de tdiere a tranzistorului cu rezisten{a “conectata intre baza si emitor (Rp); Tig. 1.3, Regiunile de Iueru ale tnui tratzistor pap mn conexiunea UC. 2 — caracteristica de taiere a tranzistorului pentru: taierea curentului de baza [g—0; b — regiunea activa normala a tranzistorului, caracterizata prin Ip>0; Ucs<0; 3 — caracteristica de saturatie incipienté a tranzistorului pentru Ugs=0; Is=Ins—curent de baza incipient, © — regiunea de saturatie a tranzistorului, caracterizata prin polarizarea directa ia jonctiunilor emitor-baza si colector — bazi Uca>0; Usr<0, Tn figura 1.4, sint reprezentate regiunile de lucru pentru un tranzistor de tip npn. Schemele de comutatie cu tranzistoare nesaturate lu- Greay’i in regiunile a si b si se caracterizeaza prin puteri mii de disipatie pe tranzistor in stare de conductie, de- pendentaé pronuntata a valorii tensiunilor de parametrii tranzistorului,-de temperatura etc. Schemele de comutatie cu tranzistoare nesaturate asi~ ‘pura viteze mari de lucru. Fig. 14, Regiunea de lucru ale unui tranzistor npn in conexiunea EC. Schemele de comutatie cu tranzistoare saturate | vinta avantajul unei proiectari simple, a unei bune stab 44ti a valorii tensiunilor, a unei bune stabilitati la pertur- ii si la dispersia parametrilor, in, schimb vitezele de “comutatie sint mai reduse. Tn continuare se trateazd pro- blemele legate de comportarea tranzistoarelor in regim ide saturat-blocat. Fig. 1.5. Tranzistor in stare blocata, _@ Siarea de blocare, caracterizata prin curentul de lector rezidual si tensiunea colector-emitor maxim ad~ “misé, corespunde regiunii @ din figurile 13 si 14. Schema corespunzatoare de principiu este reprezentataTn cazul in care rezistenta Ry are valoarea zero (scurt- sircuit intre baz& si emitor), tranzistorul, poate fi inlocuit Printr-o diod&’ corespunzatoare jJonetiunii colector-baza, astfel ca, atit prin bazi cit §i prin, colector circula ecu- rentul invers J¢z al jonctiunii colector baz&i (lo=Icani Tg=—Icx0). Tensiunea maxim admisibilé intre colector gi emitor coincide cu tensiunea inversi maxim admisibilA 9 jone- fini colector-baza, Pentru Ry40, curentul invers al jonctiunii colector- baza determind o cadere de tensiune pe rezistenta Rap, fare tinde sa polarizeze direct jonctiunea baza-emitor, &re loc o injectare de purtatori minoritari din emitor in regiunea bazei, determinind marirea curentului rezidual de colector, Pentru Rg=oo, (curentul I;=0 sau cu baza in gol) curentul inyers al jonctiunii colector bazi Ieno circula prin jonctiunea emitor-baza asigurindu-i asifel o polari- gare directa si deci o miarire considenabilA a curentului rezidual de colector, Acest fenomen influenteazi in mod negatiy si valoarea tensiunii maxime admise intre colector si emitor, In figura 1.6 sint reprezentate variatiile yalorilor curentului rezidual de colector Ic,,, si a tensiunii maxime admise Uéryq, %™m functie de valoarea rezistentei Rp. CE max tg Mig, 16. Dependenta tensiunii Uge,,, si a ourentului rezidual de cclector de valdarea rezistentei Ry Este de dorit ca in starea blocaté curentul rezidual de Golector sa fie redus la valoarea minima, lueru reali- abil prin utilizarea unei surse suplimentare pentru po- § larizarea inyversa a jonctiunii emitor—baz3, asa cum se arata in figura 1.7. ‘ @ Starea de conductie in regiunea de saturatic. Starca de conduetie la saturatie, caracterizata prin tensiunea re~ ziduala intre colector si emitor Uen,,. si curentul maxim admisibil prin tranzistor, corespunde regiunii ¢ din figura 1.3, si 1.4. rout de polarizare in- cu suri suplimentars, gy a Starea saturata a tranzistorului se asigura aplicind un curent de bazi Ip, de waloare mai mare decit valoarea Curentului incipient de saturatie In, (pentru care Igy $i Ucu=0). Raportul dintre curentul de ‘bazdi I, si curentul inci- Pient de saturatie poarta denumirea de factor de supracomanda, i Raportul dintre curentul de coleetor Ig si curentul in- Cipient Ip, este egal cu factorul de amplificare in curent static notat In catalog ou Ryn. Intrucit tn stanea saturati tensiunéa reziduala pe tranzistor este mica, puterea disipata de acesta este de valoare scazuta, Astfel, tranzistoare avyind puteri disipate mici pot comuta puteri relativ mari. Tn azul unei saturari insuficiente a tranzistorului, prin deplasarea punctului de functionaré fn regiunea ac- tivé a caracteristicilor, puterea disipati pe tranzistor creste, putind duce lq distrugerea acestuia prin. depasi- rea puterli maxim admisibile, De aceea trebuie luate masuri pentru mentinerea tranzisterului la saturatie in con- ‘ditiile de variatie a temperaturii, de dispersie a parametrilor tranzistorului etc, Tn cazul utiliz’rii tranzistorului in regim inversat. (inversind rolul dintre colector si emitor), tensiunea rezi- gdualé fintre colector si emitor se micsoreaz’, in schimb éste necesar si se asigure un curent de baza mult mai mare, din cauza scdderii factorului de amplificare in curent, in regim inversat. © Timpi de comutare. In starile de conductie la saturatie gi blocare, tranzistorul se ‘apropie mult de un comutator ideal. Pentru caracterizarea completa trebuie s& se cunoasca durata intervalelor de timp necesare trecerii tranzistorului dintr-o stare in alta, Intervalul de timp necesar trecerii din starea blocatt 'n starea de conductie poarta denumirea de timp de comutare directa tea, iar cel necesar frecerii din starea de conductie in starea blocata se numeste timp de comutare inversa tiny. in figura 1.9 sint reprezentati timpii de comutare di- yecté si inversa pentru tranzistorul in conexiunea EC din figura 1.8. Timpul de comutare directa ta reprezinta intervalul de timp in care curentul de colector ajunge dela valoarea de tdiere la 900/) din valoarea corespunzdtoare starii des- chise. Timpul de comutare directa se compune din timpul de intirziere t; (timpul necesar desea: si reincar- cSrii capacititii de bariera a joncfiunii emitor-baza) in Up Tig. 1.8, Circuit pentru determinarea timpilor de comutare in conexiunea EC. general mult mai mic decit tq $1 timpul de crestere ter (timpul necesar acumularii de purtatori minoritari in regiunea neutra a bazei), 10 Th cazul comutarii directe, prin aplicarea unui curent de baz& constant, valoarea timpului de comutare directa tea, este data de relatia [3]: Replace Ace Fig, 1.9. Definirea timpilor de comutare pentru kepl & un tranzistor. Ae. 1,22 L bial tea SS sie (11) Th p09. = ( 8 in care: f, este frecventa de taiere a factorului de amplificare in curent in conexiunea EC(f, UE; fr=frecventa de tranzitie); 8 — factorul de amplificare .in curent in conexiune EC; tz — curentul de bazi la comutarea directa. af eels ;In cazul in care comitarea se face din starea de blocare in starea de conductie la saturatie, valoarea curentului de comutare este mai mare decit valoarea curentului de baza incipient Ip,, adica: Ip Iya (1.2) lar valoarea timpului de comutare directd este data de expresia [3]: 1,22 I t= aap, (13) Tera Se observa ca odata cu marirea valorii curentului de baza, timpul de comutare directa se micsoreaza, Timpul de comutare inversé ty reprezinté intervalul de timp intre momentul aplicdrii comenzii de blocare $i momentul in care valoarea curentului de colector scade Ta 10%/o din valoarea sa inifiald. Timpul de comutare invers& se compune din timpul de stocare t, (timpul necesar evacuarii purtatorilor minoritari in exces din regiunea neutra a bazei, sau timpul de comutare inyersa a jonetiunii colector-bazd) si fimpul de eadere ft, (timpul necesar evacuarii purtdtorilor minort- tari din regiunea neutra a bazei sau timpul de comutare inversa ‘a jonctiunii emitor4baza), Valorile acestor timpi sint date de expresiile [3]: Ty — La; Pe ts in seus } (1.4) In, — 1, i, 1,22: FA blag —To 5) ——_, Oxf, bling —0,1fe in care 1, este constanta de timp de stocare, care de-~ pinde de factorul de amplificare tn curent si de frecventa de tranzitie a tranzistorului in montaj direct si inversat; je — frecventa de taiere a factorului de amplificare fn current in conexiunca EC; 6 — factorul de amplificare in curent in conexiunea EC, 12 Se constata ci valoarea timypului de stocare este zero in cazul saturatiei incipiente (ln, = Tas) gi creste odata cu marirea factorului de supracomanda. In scopul micsorarii tinypului de comutare inversd, in unele aplicatii se utilizeaza scheme care nu permit intrarea in saturatie a tranzistorului [6; 1]. Analizind expresiile timpilor de comutare, se constata «a acestia pot fi redusi utilizind tranzistoare cu frecvente de taiere ridicate si marind valoarea curentilor de comutare. Marirea valorii curentului de comutare directa duce intr-adevar la micsorarea valorii timpului de comutare directa fq, insa influenteaza in mod negatiy valoarea timpului de comutare inversd ft, prin marirea ya- lorii timpului de stecare, Acest inconvenient se poate dimiinua prin madrirea valorii curentului de comutare directa Iz, numai pe perioada comutarii directe, reducin- du-l pe urma la o valoare apropiata si ceva mai mare decit curentul incipient de saturatie In. [6]. Timpul de Up ty Fig. 1,10. Schema de comutare cy conden- ( sator de accelerare, comutare inversa tui=t.+t, se micsoreaza odata cu cres- terea valorii curentului de comutare inversa Ip. . Acest deziderat se realizeazi in practica cu relativa usurinta, prin utilizarea aga numitelor condensatoare de accelerare 13(fig. 1.10) care permit marirea curentilor de comutare tocmai in perioadele de tranzitie. Forma curentului de comutare este reprezentata in figura 1.11. Fig. 1.11. Forma curentuluide comutare din figura 1.10. 1.3. Utilizarea dispozitivelor semiconductoare in schemele de comutatie La alegerea dispozitivelor semiconductoare trebuie avute in vedere pérformantele impusé circuitului, (con- ditii de lucru, viteza de lucru, tinypii de comutatie, puterea debitata in sarcina ete), caracteristicile esentiale ale dispozitivelor semiconductoare, care pot sa satisfaca ve- rintele impuse (tensitini maxim admise, curen{i-maxim admisi, puterea ‘disipata maxim admisa, tensiuni reziduale si curenti reziduali), Dispozitivele semiconductoare se impart in mai multe tipuri determinate de functiile indeplinite si de domeniile de utilizare. Astfel, se disting dispozitive semi-~ conductoare de semnal mic si dispozitivele semiconduc~ toare care lucreaza la nivele mari de semnal, respectiv in comutatie. In functie de domeniul de utilizare deose- bim tipurile standard utilizate tn aparatura electronica destinaté marelui public (radioreceptoare, televizoare etc) si tipurile profesionale (destinate utilizarii in aparatura electronica profesionala), 14 Dispozitivele semiconductoare se marcheazd cu un anumit cod, care indica tipul respectiv, Codul dispozitivelor semiconductoare se compune deobicei din doua li- tere urmat de numarul de serie. Prima literté indica natura materialului din care este confectionat dispozitivul semiconductor; A — dispozitiv semiconductor pe bazé de germaniu; B — dispozitiv semiconductor pe baza de siliciu. A doua litera indicd functiunile indeplinite de dispozitiv: A — dioda de detectie, dioda de mixare, dioda de comutatie; B — dioda varicap; C — tranzistor de mica putere pentru audiofrecyenta; D — tranzistor de putere pentru audiofrecventa; E — dioda tunel; F — tranzistor de mici putere de inalta freeventa; i — tranzistor de putere de tnalta freeventa; S — tranzistor de mica putere pentru comutatie; U — tranzistor de putere pentru comutatie; Y — dioda redresoare; Z — dioda Zener (stabilizator de tensiune), Numdrul de serie poate f — un grup de 3 cifre — pentru dispozitive standard; — o litera urmata de doud cifre — pentru dispozitivele profesionale. Exemple: ASY70 — tranzistor cu germaniu de mica putere, cle comuta{ie, pentru aplicatii profesionale. BC167 — tranzistor cu \siliciu, de mic&é putere de audio- freevents pentru aplicafii neprofesionale, BZY83 — diod& zener pentru aplicatii profesionale, Parametrii care definese comportarea diodelor in regim de comutatie sint tensiunea inversa maxima, curentul invers al diodei, tensiunea in conductie directa, timpul de comutare inversa, capacitatea de bariera a diodei. In cazul diodelor de mica putere cu germaniu, valorile fensiunilor inverse sint cuprinse in limitele 30—150 V, jar curentii inversi sint de ordinul microamperilor sau zecilor de microamperi la temperatura normald de 25°C. Tensiunea de deschidere variaz& intre 0,2—0,4 V. 15Tn cazul diodelor cu siciliu curentul invers este mai mic cu douad trei ordine de madrime (naneamperi sau zeci de nanoamperi la temperatura normal), tensiunea de deschidere situindu-se in limitele 0,5—0,7 V). Caderile de tensiune directa pentru ambele cazuri prezinta un coeficient negatiy de temperatura (1,5— 2 mv/°C). La alegerea tranzistoarelor pentru schemele de coru- tatie se are in vedere tensiinea inversa maxima a jone~ tiunit colector-baza Ucsy, tensiunea inversa maxima intre colector si emitor pentru diverse moduri de taiere Ucn, Ucrr, Uces, curentul rezidual al jonctiunii colector- baza Icz, curentul rezidual de colector, tensiunea inverse maxinu & jonctiune emitor-bazi, curentul maxim de colector I¢ma,, Curentul maxim de baza Jz,,.. tensiunea de saturatie Ucn,,,, frecventa de taiere fr. In schemele de comiitatie lente, care lucreazd pind la frecvente maxime de ordinul a citorva kiloherti se pot utiliza tranzistoare cu germaniu aliate de joasa freeventa care suporta curenti de colector de sute de miliamperi, au ténsiunea inversd emitor-baz&, de valoare destul de ridicata (12 V sau mai mult), puteri disipate de sute de miliwati, freeventa de taicre fp=0,5—3 MHz. Pentru functionare sigura, trebuie asigurata taierea lor prin tensiume inversa aplicata pe baza. Valoarea relatiy ridicata a curentului invers Jono $i fn special dependenta pronuntata de temperatura, micsoreaza considerabil stabilitatea frecventei de oscilatie a oscilatoarelor de relaxare, a temporizarii releelor electronice de timp ete, Tranzistoarele cu germaniu difuzate (de exemplu tranzistorul drift) pentru viteze mari de lucru prezinta un inconvenient major prin valoarea extrem de scazuta a tensiunii inverse bazad-emitor — 0,3...1 V. La folosi- rea atestor dispozitive tnebuie Juate masuri severe dé limitare a tensiunii inverse pe baza. Tranzistoarele cu siliciu difuzate prezinta si ele o tensiune inversd emitor-bazi mai mica decit la tranzistoa~ rele cu germaniu aliate, avind valori intre 4—7 V. Va- loarea scazuta a curentului invers de colector Ign) (der 16 ordinul nanoamperilor) precum: si valoarea mai mare a tensiunii de deschidere (0,5—0,7 V) a jonctiunii emitor- baza, asigura blocarea sigura a tranzistorului, fie prin ta- jerea curentului de baza, fie prin conectarea bazei la emitor prin intermediul unei rezistente. Avind in vedere valoarea mica a curentului invers Teno, se obtine o bund stabilitate a frecventei oscilatoarelor de relaxare la variatiile temperaturii ambiante. fn cazul tensiunilor de alimentare mai mari de 5— 7 V eventualele tensiuni inverse care pot aparea intre baz& si emitor trebuie limitate la valori situate sub cele admisibile. In cazul dispozitivelor semiconductoare des~ tinate special sd lucreze in regim de comutatie, valorile timpilor de comutare se indica in cataloagele firmelor producdtoare. Valorile acestor timpi variaza in limite largi, in functie de performantele cerute de fiecare dome- niu de utilizare in parte. Timpul de comutare directa, in cazul tranzistoarelor de putere mica, variaza de la 5ns ja 0,5 us corespunzind la frecvente de tranzitie de 700 respectiv 7 MHz, iar timpul de comutare inversa variaza de la 10/ns la 2 us. Pentru tranzistoarele de comutatie de mare putere valorile timpilor de comutare crese de aproximativ 10 ori in raport cu valorile anterioare. 9, — Cirouite basoulanteCapitolul 2 Functionarea circuitelor basculante fivertvertvertvertventvertve Circuitele basculante formeaza o clasa de circuite cu larga utilizare in tehnica impulsurilor. Ele sint utilizate ca generatoare de semnale dreptunghiulare, ca formatoare de semnale, sint folosite in teh- nicile numerice de prelucrare si transmitere a informatiei, in automatizare etc, Dispozitivele semiconductoare utilizate in aceste cir- quite lucreaza la semnale mari, utilizindu-se din plin caracteristicile lor neliniare. In cazul general, in compunerea circuitelor basculante intra doua tranzistoare conectate intre ele prin elemente de circuit pasive. Dupa configuratia lor, aceste circuite pot fi impartite in doua clase mari: — circuite basculante simetrice; — circuite basculante asimetrice, Schema de principiu a circuitelor basculante simetrice eu cuplaj colector-baza este reprezentata in figura 2.1, Se observa o simetrie in amplasarea si numarul elementelor pasive. Tipul circuitului basculant rezultat va depinde de natura impedantelor Z, si Z, conectate in caile de reactie din colectorul in baza celuilalt tranzistor. Utilizind doua condensatoare C, si Cy in locul impe- danjelor Z, si Z, se obfine un circuit basculant astabil, CBA, care genereazi semnale dreptunghiulare. Conectind in locul impedantelor Z, si Zs 0 rezistenfa, respectiv un condensator, se obfine wn circuit basculant 18 ymonostabil, CBM, care la aplicarea unui impuls de scurta durata, genereazi un impuls dreptunghiular, a carui durata depinde de valorile elementelor de circuit. +4, +p, Fig. 2.1, Circuit, basculant. simetric. Daca impedantele Z; si Z, sint simple rezistente, cir cuitul din figura 2.1 se transforma intr-un circuit bascu- tant bistabil, CBB, utilizat in numéaratoare, circuite logice etc. Schema de principiu a circuitelor basculante asimetrice cu cuplaj in emitor este data in figura 2.2. Tipul circuitului basculant rezultat depinde de natura impedantei Z, conectate intre colectorul tranzistorului 7, si baza tranzistorului 7';. Conectind un condensator se obtine fie un circuit basculant astabil cu cuplaj in emitor, fie un cireuit baseulant monostabil cu cuplaj in emitor. In: primul caz circuitul genereazi semnale dreptunghiulare, in al doilea caz joacd rol de formator de semnale. Dact in locul tmpedantet Z se conecteaza o rezistenta se obfine uitul basculant Schmitt, cu o larga intre- buintare in formarea impulsurilor dreptunghiulare, in discriminatoare de nivel ete. 28 AyIn paragrafele care urmeaza este prezentati functionarea circuitelor basculante astabile, monostabile, bistabile si Schmitt, indicindu-se si o serie de relatii de proiectare a lor. Wig. 2.2. Circuit basculant cu cuplaj 2 in emitor, Observatie: Se indicd o serie de rela{ii de proiectare, in care toate mirimile, care intervin trebuie exprimate in unitAfile de masuré corespunzdtoare sistemului international SI, Astfel fensiunea se exprim& tn volfi [VJ; curentul tn amperi (Al; re. zistentele in ohrmi [Q], capacitatile condensatoarelor in farazi [I], inducfia bobinelor In henry [HJ], timpul th secunde [s], iar frecventa in hertz [Hz]. Spre exempla: 1 kKQ=1-109 9; 1 MHz=1-105 Hz, 2.41, Circuitul basculant bistabil simetric Circuitul baseulant bistabil simetric se caracterizeaza prin doua stari stabile, corespunzdtoare conductiei unuia dintre tranzistoare, respectiv blocarii celuilalt tranzistor. 20 Tn lipsa unor semnale aplicate din exterior, circuitul este capabil sd se mentinad timp nelimitat in oricare din aceste doud stari. Aceasta caracteristica ii ofera circuitului baseulant bistabil simetric proprietéti de memorie, larg exploatate in numaratoare, scheme de comutatie etc. Din punct de vedere al schemei, circuitul basculant bistabil se prezinta ca un amplifieator cu doua etaje cu ‘cuplaj galvanic cu reactie pozitiva farA inversarea pola- ritatii semnalului, respectiv cu iesirea conectata la intrare, avind amplificarea supraunitara. ® Schema circuitului basculant bistabil cu cuplaj colector — baza si doua surse de alimentare, este reprezentata in figura 2,3. Intr-una din starile stabile, tranzistorul 7, conduce iar tranzistorul 7’, este blocat, Acestei stari a circuitului bas- ‘culant bistabil numita si starea ,,0“, i se asociaza cifra 0. Tig. 2.3, Schema CBB simetric cu dowd surse dé alimentare. Cealalta stare numita si starea ,,1“, cdreia i se asociaza cifra 1, corespunde conductiei tranzistorului 7, si blocarii tranzistorului FT. Consideram cazul in care unul din tranzistoare este bloeat iar celalalt lucreaza in regiunea de saturatie. 21Neglijind tensiunile reziduale pe tranzistorul saturat, schemele echivalente pentru cele doud tranzistoare corespunzatoare stirii 0 a circuitului basculant bistabil, sint reprezentate in figura 2.4. 4 Ro treo, b Fig. 2.4. Schemelé echivalente ale CBB: a — starea 0; b — starea 1. F Condensatoarele C, si C, nu figureaza avind in vedere ca acestea joaca un rol numai in procesul tranzitoriu (de trecere dintr-o stare in alta), Valoarea curentului de colector al tranzistorului Ty. aflat la saturatie este: : He Loy Rep? 2.1) Valoarea curentului de baza al tranzistorului 7, se determina cu ajuterul legilor lui Kirchhoff scrise pentru circuitul din figura 2.4, @ si este data de: Ee—Re, Ico, Ep Ry + Reg ay Mentinerea tranzistorului 7, la saturatie se asigura dac& valoarea curentului Iz, este mai mare decit valoarea curentului incipient de baza, respectiv: a= (2.2) Bo Reg Toon Ey x1 Bo 2.8 R+Ry Ry B Rey * 22 ua temperatura minima de lucru unde Igo este negli- jabil si B are valoarea minima si considerind Ro, = Re; —Re Ry; 7,,.< Ry Tcwor mas- (2.24) Daca pe baza itranzistorului 7, se aplicd un impuls negatiy prin iniermediul diodei D, acesta intra in conductie, tensiunea de colector Uc, inregistreaza un salt. pozitiv care prin condensatorul C se transmite pe baza tranzistorului Ts, care iese din saturatie. Saltul negativ de tensiune ce apare pe colectorul tranzistorului J, se trans~ Fig. 2.22, Circuit basculant monostabil cu cuplaj in emitor cu tranzistoare saturate. Wig. 2.23, Schema echivalenté a cireuitului basculant monostabil cu cuplaj colector-baz4, corespunzatoare starii stabile. mite prin divizorul format din rezistentele R, si Ry pe baza tranzistorului 7',. Se produce un proces cumulativ in urma caruia tranzistorul 7, ajunge la saturatfe iar tranzistorul T se _blocheaza. Aceasté stare corespunde starii instabile. Conditia de mentinere pentru un interval de timp finit, in starea cvasistabila, cu schema echivalenta din figura 2.24 este: Eo RyEo—(Rp + RodE < 8 (Re + Rey B (25) Ri, (By + Ro) La inceputul starii instabile valoarea tensiunii inverse aplicate pe baza tranzistorului 7, este egala cu tensiunea de pe condensatorul C, egalé cu tensiunea de alimentare. In timpul starii nestabile condensatorul C se descarca prin rezistenta R,, si tinde sa se incarce tot la valoarea tensiunii de alimentare, dar cu polaritate schimbata. In momentul in care valoarea tensiunii pe condensatorul © devine egala cu valoarea tensiunii de deschidere VE 2.24. Schema echivalenta ui basculant monostabil ci plaj colector-bazi, corespun starii nestabile, a tranzistorului T, acesta se deschide, apare din nou un proces cumulativ prin care circuitul trece din starea ne- Stabila in cea stabila, _ i Intervalul de timp, in care circuitul se mentine in starea nestabila, se numeste durata impulsului (intirzierea, 4atemporizarea data de CBM) generat de circuitul basculant monostabil, avind valoarea egala cu: Eco =CR,, In (I+ ga) 2,26) FoI a( Eo + Rp, leno, ‘ Daca se indeplineste conditia: Eo Rael ctomax durata impulsului generat se calculeaza prin relatia apro= ximativa: T;=0,69 CReo, (2.27) La revenirea din starea nestabild in cea stabila, saltul pozitiv de tensiune in colectorul lui T, este rapid, in timp ce saltul negatiy de tensiune in colectorul lui T; se face ineet, din cauza reincarearii condensatorului C prin re- gistenta de colector Re, si jonctiunea emitor — baza a tranzistorului T, (C se mai numeste si condensator de temporizare). uh pO nitarr) seeea ees deh BEL Ya) ed 0 sae het ee 0%, Fig. 2.25. Formele de und ale circul- tului basculant monostabil cu cuplaj colector-baza. Formele de unda in diferite puncte ale circuitului monostabil cu cuplaj colector — bazd, cu tranzistoare saturate (fig. 2.21) sint reprezentate in figura 2.25. 42 Timpul de revenire in starea stabila este dat de\re- incarearea prin rezistenta de colector Re, @ condensatorului de temporizare C: trey=3 CRe, CBM cu cuplaj in emitor, reprezentat in figura 2.22, in lipsa semnalelor aplicate la intrare se afl§ in starea stabila in care tranzistorul 1, este blocat iar T, conduce ja saturatie. In starea stabilé condensatorul C, conectat intre colectorul tranzistorului 1, si baza tranzistorului 7, este ineareat la o tensiune egalé cu diferenta dintre valoarea tensiunii de alimentare si valoarea tensiunii de baziUp, avind polaritatea din figura, Schema echivalenta a circuitului monostabil cu cuplaj pe emitor corespunzatoare starii stabile este data in figura 2.26, Tig. CBM cu cuplaj in emitor schema echivalenta in starea stabila. Conditiile, care asigura starea stabila a CBM cu cuplaj pe emitor sint; a) saturarea tranzistorului Ty Rae SBomin Ros, (2.28) 43b) blocarea tranzistorului T; (jonetiunea emitor-haza polarizata invers) Ry a Re Ste oul eee, \Ce.e8) Ryt Rp Re bene fi Bo + Rp, Daca avem indeplinite inegalitatile: Ridoas = bes he, < ha (2.30) relatia (2.38) devine egala cu: es Bae 2.31 Ran, > Ratae ee jar condensatorul C se incarca la o tensiune, cu polaritatea indicata in figura 2.26 si de valoare: R aaa +Ecs(1—tp)Ec, (2.82) Ug=(E—U, c= Bg) nt Ra, La aplicarea unui impuls negativ la intrarea CBM cu cuplaj pe emitor, tranzistorul 7, intra in conductie, apare un Salt pozitiv de tensiune in colectorul acestuia, care prin. condensatorul C se transmite integral pe baza_tranzisto- rului 7, pe care il blocheazd, La blocarea tranzistorului T., prin rezistenta comuna de emitor va cireula numai curentul de emitor al tranzistorului 7,, care pentru o buna stabilitate a duratei impulsului generat de CBM, trebuie sa fie adus la saturatiec. Schema eahivalenta a CBM corespunzatoare acestei stari (starea nestabila) este data in figura 2.27. Conditia de mentinere, pentru un interval de timp finit, in starea nestabila, este data de conditia de saturare a tranzistorului 1: not), Bos =n) Be, 2.33) mae A a R, Piminke, sau relatia echivalenta: Prmin Ro, | Ras Tn; (2.34) Tn timpul starii instabile, pe baza tranzistorului T, se aplicé tensiunea pozitiva de pe condensatorul C, care Fig. 2.27, CBM cu cuplaj in emitor — schema echivalentaé in starea nestabila, se descarcd prin Rg, si tinde s4 se incarce la o tensiune de polaritate opusd si de valoare (lI—n,)Zc. In momentul in care tensiunea intre baza s{ emitorul tranzistorului 1s, data de tensiunea de pe condensatorul C, devine egala cu tensiunea de deschidere, are loc procesul cumulativ de trecere din starea cyasistabila in stare stabila. Durata impulsului generat de CBM, adicaé intervalul de timp in care se mentine in staré evasistabila in urma aplicarii unui impuls corespunzator de comanda la intrare, este data de relatia: T= CRy, In (1+) (2.35) Formele de unda in diferitele puncte ale CBM cu cuplaj pe emitor, cu tranzistoare saturate, sint reprezentate in figura 2.28. Timpul de revenire in starea stabila este dat de reinecarcarea condensatorului C prin Rey: trev3CRo,. (2.36) 45Pentru micgorarea tensiunii inverse pe baza tranzistorului T, precum si pentru imbunatatirea saltului negatlv de tensiune in colectorul tranzistorului T,, se utilizeaza metodele descrise in cap, 2.4. oy Heh ye + Phe See a el ge eh yeas e Yah uh uh “ued —— mies Fig, 2.28. Formele de undd pentru circuitul basoulant monostabil eu cuplaj in emitor. 2.4, Cireuitul basculant astabil Circuitul basculant astabil face parte din clasa oseila- todrelor electronice de relaxare si se utilizeaza ca generator de semnale dreptunghiulare. Circuitul basculant astabil poate fi realizat fie dupa o schema simetric& eu cuplaj colector-baza (fig, 2.29) fie dup4 o schema nesimetrica cu cuplaj pe emitor (fig. 2.80). 46 . Circuitul basculant astabil prezinta doud stari instabile, trecerile dintr-o stare in atta facindu-se automat la intervale de timp determinate de yalorile elementelor de circuit. Uy Fig. 2.29. Circuit basculant astabil simetric cu cuplaj colector-baza. Fig. 2.30. Circuit basculant astabil simetric cu cuplaj pe emitor. ne- fn figura 2.31 sint reprezentate formele de und& pe colectoare si baze pentru circuitul astabil din figura 2,29, in cazul in care tranzistoarele lucreaza in regim saturat- blocat, 47Tn intervalul de timp 7, tranzistorul T, este saturat, tensiunea de colector U,, este apropiata de zero, iar tranzistorul T, este blocat, deoarece pe baza lui se aplica tensiunea de pe condensatorul C, cu polaritatea data in: schema echivalenta din figura 2.32. Fig. 2.31, Formele de unda ale cireuitului basculant astabil cu cuplaj colector-baza. Fig, 282, Schema echivalenta pentru intervalul T,, Tn intervalul 7, condensatorul C, se descarea prin rezistenta Rg, $i tinde sa se incarce prin aceeasi rezistenta la tensiunea — Fy. tm momentul im care valoarea tensiunii pe condensatorul C, ‘devine egala cu valoarea tensiunii de deschidere a tranzistorului 75, (0,1...0,2 V pentru tranzistoarele cu germaniu: 0,5—0,7 V pentru cele cu siliciu) acesta se deschide, apare o variatie pozitiva de tensiune pe colectorul lui 7'y, care prin condensatorul Cy se transmite pe baza tranzistorului T, si acesta iese din saturatie. Se 48 produce un proces in avalanga in urma caruia tranzistorul 7, se blocheaza si T, intra in saturatie. Tn intervalul de timp T,, condensatorul Cz s-a incar- eat la tensiunea — HE, prin rezistenta R., si jonctiunea emitor-bazi a tranzistorului T,; In intervalul Ty, el se descarc& prin rézistenfa Rp, si tinde sa se incarce la va~ Joarea tensiunii de alimentare tnsa cu polaritate opusa. Valorile intervalelor de timp T. si Zp, pot fi ealculate cu ajutorul relatiilor: Ei T= R,,Ciln(I et ta) (2.37) r p, h= Ry Goln(1 + age (2.38) Pentru asigurarea saturarii tranzistoarelor trebuie indeplinite inegalitatile: Re, iy Bs Noh eree tt MNceinar oe? Perioada semnalului generat de cireuitul astabil este: PHT,+Ts; (2.40) jar frecventa de oscilatie: 1 1 os : ‘Ad I Tt Ta-bTp (2.41) In scopul asigurarii unei stabilitati cit mai bune a freeventei de oscilatie, trebuie micgorat efectul curentului invers al jonctiunii colector — baza a tranzistorului blocat, utilizind rezistente de baza de asemenea valori, pentru care sa avem: Rilo, Ei; fei “ Ri Re, >Re; in care y= ao, (2.45) Rot Be, — Raha Bo" Ry, + Re, 53abunci duratele T, si ZT, sint date de aa 3, ae a de relatiile aproxi- a iE, To=Rr,Cln i ‘ (2.46) nE, ; T= Rp, Cln are . (2.47) Daca Ri =Rr,=R, la iesire se obtin semnale dreptunghiulare cu factor de umplere 1/2 gi de frecventa; : \ 1 aRcin By _ 2.48) __ ‘\nalizind relatia 2.48 se constat& ca frecvei = cilatie este dependenta de tensiunea de intrare, ey reglarea frecventei de oscilatie prin variatia tensiunii de intrare, ceea ce se mai numeste conérolul prin tensiune a freeventei de oscilatie, Factorul de umplere poate fi modi- ficat prin modificarea raportului intre valorile rezistentelor din emitor, Rr, gi Rr,. 2.5, Cixcuite basculante cu tranzistoare complementare Circuitele basculante cu tranzistoare complementare (de tip pnp si npn) prezinta o serie de avantaje cum sint, randamentul foarte ridicat, gama foarte larga de variatie a parametrilor (1:10 000), temporiziri mari utilizind condensatoare de capacitate relativ mica, forma dreptunghiu- laré a semnalelor generate. 7 ® Schema de principiu a unui ecireuit basculant astabil cu tranzistoare complementare este data in figura 2.39, Acest circuit se caracterizeaza printr-un numar redus dé elemente componente, prin simplitate, prin consumul de curent extrem de scizut, printr-un raport ridicat intre pauza si durata impulsului generat la jesire. 54 Pentru o functionare sigura rezistenta A, din baza tranzistorului 7, trebuie s& fie mai mare decit |B, B Ry. Functionarea schemei poate fi descrisa pornind de la modul de amorsare a oscilatiilor dupa conectarea tensiunil de alimentare. R3>B1 32K, Ay 1D | nase 7 sud > 4 ‘Wig. 2.39, Cireuit basculant astabil cu tranzistoare complemen tare. Conectind tensiunea de alimentare, tranzistorul 7, de- tip npr polarizat in baza prin intermediul rezistentei Rs (conectata Ja plusul tensiunti de alimentare) incepe sa con~ duck. Curentul de colector al acestui tranzistor determina deschiderea tranzistorului 7’, prin divizorul format din rezistentele R,R;. Curentul de colector al tranzistorului Ty, parcurgind rezistenta R,, produce 0 variatie pozitiva a tensiunii de collector Ue, Aceasté variatie se transmite prin ‘grupul format din rezistenta Ry in serie cu condensatorul ©, pe baza tranzistorului 7, deschizindu-l mai mult. Apare un proces cumulativ mm urma caruia amindoua tranzistoare ajung la saturatie. In aceasta situatie conden- sajorul se inecarcd prin tranzistorul Ty deschis (rep sa) prin rezistenta Ry si prin rezistenta de intrare la saturatie a tranzistorului 7, in conexiunea cu emitorul comun, la o tensiune avind polaritatea din figura si de valoare apropiata de tensiunea de alimentare. Prin inedrearea condensatorului C curentul de baza al tranzistorului se micsoreaza si tinde cdtre valoarea finala Ht i —@ | | aig nat ~ © 1 “4 | catsdata de rezistenta R;, Tranzistorul 7, iese mai intii din saturatie si scdderea in continuare a valorii curentului Lui de colector (datorita micsorarii curentului de baza) determina iesirea din saturatie si a tranzistorului T.. Apare astfel o variatie negativa a tensiunii de colector U. oy) CATE transmisd prin grupul CR, pe baza lui T, micsoreazi Si mai mult curentul de baz& al acestuia. Se produce un nou proces cumulativ, in urma cdruia amindoua tranzistoare se blocheaza, f, prin aplicarea pe baza a tensiunii negative de pe condensatorul C iar Ty prin taierea curentului de bazaé. Consumul circuitului in acest interval de timp, numiit pauza dintre impulsuri este determinat in principal de curentul invers al tranzistorului 7, si de curentul de descarcare al condensatorului C prin rezistenta R,, Circuitul ramine in aceasta stare ping in momentul in care tensiunea de pe condensatorul C de= vine egala cu tensiunea de deschidere a tranzistorului 7). Relatiile care dau cu aproximatie durata impulsului si a pauzei dintre impulsuri pentru acest circuit basculant astabil sint: Fyo(2...3) (Re-r ite nat)C3 Ty~0,69R3C, Se observa ca raportul dintre durata pauzei si durata impulsului este determinat in principal de raportul rezistentelor Ry si Ry, raport ce poate fi ales foarte mare. Formele de unda corespunzatoare sint reprezentate in figura 2,40. ® Circuitele basculante monostabile utilizate pentrir obtinerea unor temporizari in diferite domenii de aplicare, pot fi realizate cu tranzistoare complementare. Schema unui astfel de circuit monostabil este reprezen- tatd in figura 2.41. Conditia necesaraé ca circuitul din figura 2.41 s& func- tioneze in regim de circuit monostabil este ca: Ro Io). Considerind circuitul din figura 2.52, in care valoarea tensiunii E, este mai mare decit valoarea tensiunii de vale U, (B,;>Us) iar valoarea rezistentei R, este astfel aleasa incit dreapta de sarcina intersecteaza caracteristica curent-tensiune fatr-un singur punct, fie in portiunea OA fie in porfiunea BC, tensiunea corespunzdtoare fiind cu- prins& intre tensiunile de virf si vale, se obtine un circuit baseulant monostabil, avind o singura stare stabila. § — Circuite basculante 65In starea stabilA a circuitului punctul de eunoHea tee Se situeaza in punetul M (fig. 2.53). Condensatorul C se tnearcd la o tensiune corespunzi— toare punctului M. Wig. 252, Circuit basculant monostabil cu dipol de tip S, Intrucit condensatorul ©, nu-si poate modifica bruse starea de incadreare (nu permite salt de tensiune, dar permite salt de curent), aplicind un impuls pozitiv scurt pe bornele rezistentei r (de valoare mica, conectata in serie cu dipolul de tip 5), tensiunea pe dipol scade sub valoa- Fig, 2.53, Stavea stabila a cir cuitului basculant monostabil- rea tensiunii de vale Up, punctul de functionare se muta pe portiunea OA a caracteristicii si dupa disparitia impulsului se stabileste in punctul N, Diferenta dintre curen{ii corespunzatori punctelor M si N se preia de catre condensatorul C;, care incepe astfel sd se incarce, Punctul 66 de functionare se muta de la punctul N inspre punctul A. In momentul in care punctul de functionare ajunge in punctul A are loc bascularea inversa, punctul de functionare sare in punctul I’, diferenta dintre curentii corespunzatori punctelor A si F (de semn contrar) se preia de catre condensatorul C;, care incepe astfel sa se des- carce. Desedrearea continua pina cind punctul de functionare ajunge inapoi in punctul M unde se mentine pina la aplicarea unui nou impuls de comanda. Variatia in timp a tensiunii pe condensatorul C, si variatia curentului prin dipol sint reprezentate in figura 2.54, Daca valorile tensiunii B, si a rezistentei R, din cireuitul din figura 2.52 se aleg astfel incit rezistenta de sarcina corespunzatoare s& intersecteze caracteristica curent-tensiune de tip S a dipolului in portiunea AB (avind rezistenta dinamici negativa) se obtine un circuit fara nici o stare stabila. Acest circuit (in mod similar cu circuitele basculante astabile) prezinta doua stari festabile, avind loc o trecere periodica dintr-o stare ne- Fig, 2.54, IWormele de unda Sees pentru CBM. stabila in cealalta stare nestabila si inapoi. Astfel se obtine un circuit basculant astabil, Excursia punctului static de functionare in timpul generarii oscilatiilor de relaxare este reprezentata in figura 2.55 iar variatiile in timp a tensiunii condensatorului C, es 67(tensiunea pe dipol de tip S) si a curentului prin dipol sint reprezentate in figura 2.56. Tranzistorul unijonctiune, tiristorul (redresor coman- dat), tranzistorul de avalansa ete, se numéara printre fl Fig, 2,55, Excursia punctului de functionare in tim— pul generarii oscilatiilor, dispozitivele semiconductoare speciale, care prezinta ca- tacteristicd curent-tensiune cu rezistenta negativa de tip S. Intrucit in prima parte a capitolului au fost prezentate principiile legate de utilizarea dispozitivelor cu caracteristica de tip S in realizarea circuitelor basculante Fig, 2.56. Formele de unda pentru CBA, bistabile, in continuare se prezinté doar constructia tran- zistorulut unijonctiune iar in § 3.1.4 un exemplu de utilizare a lui intr-un generator de baza de timp pentru osci- loscop, 68 Tranzistorul unijonctiune [5] este format dintr-un bloc semiconductor longitudinal (denumit baza) de obicei de tip n, avind doué contacte ohmice la extremitati, denumite baza 1 respectiv baza 2, La mijlocul bazei se for- meazd o jonctiune pn de dimensitini mici in raport cu dimensiunea longitudinala a bazei, contactul pe regiunea pa jonctiunii purtind numele de emitor. Structura, polarizarea si reprezentarea simbolica a tranzistorului unijonctiune sint date in figura 2.57. Fig. 2.57, Structura si reprezentarea tranzistorului unijonefiune. Polarizind tranzistorul unijonctiune ca in figura 2.57, regiunea na jonctiunii se stabileste la o tensiune pozitiva in raport cu baza B,. Valoarea acestei tensiuni reprezinta un procent din valoarea tensiunii de alimentare »#()<1); 4 purtind denumirea de factorul intrinsec al tranzistorului, Daca valoarea tensiunii dintre emitor si baza By este mai mica decit 4H, jonctiunea este polarizata invers. In momentul in care tensiunea de intrare devine mai pozitiva decit nH, jonctiunea pr se polarizeaza direct, apare © injectie de purtatori minoritari in regiunea n inspre baza B,, micsorind rezistivitatea acesteia, Astfel apare o erestere a curentului de emitor insotita de o scadere a tensiunii de emitor. Caracteristica curent de emitor-tensitine de emitor prezinta o portiune de rezistenta negativa de tip 5. Caracteristica in=f(Uz) a unui tranzistor unijonctiune este reprezentata in figura 2.08, @ Circuite basculante cu dispozitive avind caracteristici curent-tensiune cu rezistentadinamica negativa de 69tip N. In figura 2.59 s-a reprezentat o caracteristic# curent-tensiune cu rezistenta dinamicd negativa de tip N (denumirea provine din asemanarea formei caracteristicii cu litera N). Unay U we Up Fig. 2.58. Caracteristica tran- Fig. 2.59, Caracteristic& zistorului unijonctiune, curent-tensiune de tip N. Parametrii caracteristici (ai dipolului cu rezistenta ne~ gativa de tip N) sint curentii de virf I, si de vale I, impreuna cu tensiunile aferente U,, respectiv U Similar cu caracteristica de tip S, caracteristica i=f(uy de tip N prezinta trei portiuni: portiunea OA avind rezis—- tenté pozitiva; portiunea AB avind rezistenta negativa; portiunea BC avind rezistentaé pozitiva. Portiunilor OA si BC le corespund puncte stabile de functionare, in timp ce punctele corespunzatoare portiunii AB sint nestabile. In mod analog cu dipolii ayind caracteristica de tip S, dipolii cu caracteristica curent-tensiune de tip N pot fi utilizati pentru realizarea circuitelor basculante. Celor trei tipuri de circuite basculante (bistabil, mono~ stabil, astabil) le corespund circuitele din figura 2.60, unde sint reprezentate si starile circuitelor in planul caracteristicilor i=f(u) de tip N. Dioda tunel prezinta o caracteristica curent-tensiune avind portiune cu rezistenta dinamica negativa, de tip N. Caracteristica curent-tensiune a unei diode tunel, im- preuné cu reprezentarea simbolicd sint date in figura 2.61. Prezentind o caracteristica cu rezistenta negativa de tip N, dioda tunel poate fi utilizat&é pentru realizarea 70 Riad Vig, 2.60. Circuite basculante cu dipol avind caracteristica cu re- aistenta negativa de tip N: 4 — CBB; § — CBM; c¢ — CIA; d — forma semnalulul generat de CBA. te 0 » Fig. 261. Caracteristica curent-tensiune a diodei tunel: J, — curent de virt; I; — curent de vale.unor cincuite basculante continind un numdr redus de componente, Schema unui astfél de cincuit este reprezentata in figura 2.62, Pentru functionarea in regim de generator de impulsuri valorile tensiunii E; si ale rezistentei R, trebuie si se Ry ae ae Fig. 2.62, Generator de impulsuri (CBA) cu diodé tunel. aleaga conform figurii 2.60, c. Rezistenta ohmicd a bobinei impreuna cu rezistenta R, trebuie s4 fie de valoare mai mica decit modulul rezistentei dinamice negative iar dreapta de sarcina corespunzdtoare rezistentei R, si intersecteze caracteristica in portiunea de rezistenté negativa. Dupa conectarea tensiunii de alimentare H,, valoarea curentului prin circuit incepe sa creasca, plecind de la 0. Punetul de functionare al diodei se va deplasa pe portiunea inifiala a caracteristicii de la punctul O spre A, In punctul A apare tendinta schimbarii semnului yariatiei curentului, careia se opune tensiunea electromotoare in- dusa, facind ca punctul de functionare s& sari bruse din punctul A in punctul #. Astiel semnul cdderii de tensiune pe bobina se inverseaz&, curentul incepe si descreasca; iar punctul de functionare se deplaseaza pe portiunea FB a caracteristicii inspre punctul B. Ajungind in punctul B, are loc o noua basculare, punctul de functionare se muta in punctul G gsi ciclul se vepeta. Astfel, intre anodul si catodul diodei tunel tensiunea va fi dreptunghiulara, cu ambele fronturi foarte bune, asa cum rezult{ din figura 2.60, d. Capitolul 3 Aplicatii ale circuitelor basculante fivertvertvertvertvertvertvs 3.1, Generatoare de impulsuri Circuitele basculante se utilizeazd pe scara larg’ pentru realizarea gencratoarelor de impulsuri. In continuare sint prezentate citeva exemple de utilizare a lor in astfel de scheme. 3.1.1. Generator de undi dreptunghitlart in gama de 20 Hz—2 kHz [14] Freeventa proprie de oscilatie a circuitului basculant astabil din. figura 2.29 este data de relatia (2.44), Jn expresia frecventei de oscilatie intervine yaloarea rezis- tenjei de bazi Rp limitaté superior de produsul dintre valoarea rezistentei de colector (R,) si factorul minim de amplificare in curent al tranzistorului (8): RaSBminleos (3.1) Waloarea rezistentei de baza este limitata inferior de valoarea finita a timpului de revenire — ty». La limita brev=timputs, astiel ca: ; ‘ 0,69RaC=3CR,, (3.2) de unde rezulta ca: Renin = sae ROAR. 69 73Gama de variatie a freeventei de oscilatic, ce se poate obtine prin modificarea valorii rezistentelor de baza este limitata la un raport egal cu: Far, Binin ee eet 3.3 Tintn 4,3 2) Jn general, acest raport nu este mai mare de 10. Pen- tru marirea plajei de regiare a frecventei se utilizeaza cireuite mai complexe aga cum se araté fn figura 3.1. Acest circuit prezinté o serie de particularitati. Tensiunile inijiale de pe condensatoarele de temporizare C; si Cy sint date de tensiunile de stabilizare ale diodelor Zener Z, si Z,. Desc&rcarea condensatoarelor de temporizare se face in curent constant, furnizat, ‘de ge- “hat 25 ha log aD, Fig. $.1, Circuit basculant astabil cu frecventa regla- bil intre 20 Hz — 2 kHz, neratoarele de curent constant realizate cu tranzistoarele 7; $i Ty, astfel cd semiperioada oscilatiilor este data de relatia: T2= a ; (3.4) 74 in care C=C, = iC); UU, Ue, ; I=curentul constant debitat de T; respectiy Ty iar freeventa de oscilatie: =F" 5a a 20U, : (3.5) Se observa o dependentaé liniara intre frecyenta de oscilatie a circuitului astabil si curentul constant furnizat de tranzistoarele T'3 respectiv Ty. Curentii constanti dati de tranzistoarele T; si Ty ser- vese doar pentru descarcarea condensatoarelor de temporizare C; si C,, saturarea tranzistoarelor asigurindu-se prin grupurile R,Z, respectiv R3Z,, Circuitul basculant Fig. 3.2. Circuit basculant astabil cu plaja largd de replare a frecventei. astabil este prevazut cu cai separate de reincAreare a condensatoarelor de temporizare (D;Ry $i DsR4) obtinindu-se astfel impulsuri cu ambele fronturi Jpune, 75Reglarea curentilor de descarcare a condensatoarelor de temporizare se realizeazé prin reglarea tensiunii in baza tranzistoarelor Ty $i Ty cu ajutorul potentiometrului logaritmic de 25 kk. Alimentarea montajului se face la doua tensiuni (—12 V, respectiv —42 V), Un circuit similar realizat cu tranzistoare indigene este peprezentat in figura 3.2, Diodele Zener DZ 312 sint: utilizate ca diode obisnuite in locul lor se pot folosi diode eu germaniu cu contact punctiform., 3.1.2. Circuit basculant monostabil controlat prin tensiune Generatoarele de impulsuri dreptunghiulare duble realizeaza intirzierea cu ajutorul unor circuite basculante monostabile reglabile, In, acest scop o solutie simpla con- sté in utilizarea unui circuit basculant monostabil cu Vig. 3.3, Circuit basculant monostabil controlat prin tensiune. tranzistoare complementare, controlat prin tensiune. Schema de principiu a cireuitului basculant monostabil eu tranzistoare complementare controlat prin tensiune este reprezentata in figura 3.3. 76 Pentru valorile din figura intirzicrea poate fi reglata intr-un raport de cca 2:1: (0,7... 1,4) CRs; 00 ke \ 1,=(0,7 ... 1,4) 10°.0,5.10-°=35 . .. 70 ms Tse lee: m8: Largirea plajei de reglare a intirzierli se objine modificind schema descrisd, noul circuit fiind reprezentat in figura 3.4, Rezistenta Rs; din figura 3.3 a fost inlocuita cu un generator de curent constant, realizat cu tranzistorul T;, iar saturarea tranzistorului 7, se asigura prin circuitul Ry, Ze, Vos Fig, 3.4, Circuit basculant. monostabil cu plaja larg’ de fhtirziere, ' Temporizarea ce se obtine este: ras, (3.6) 1 C=0)1 wh ..10 ms; T=0,1...1 mA 1118) CRy~0,5 ms, Uze1l V We:3.1.3, Circuit basculant monostabil cu plaja larga de temporizare (0,5... 100 ms) [14] Schema unui circuit basculant astabil, care realizeaza o intirziere reglabila in limitele 0,5... 100 ms, este reprezentata in figura 3.5. Bens 80148 2909 Fig: 3.4. Cireuit basculant monostabil cu plaja largaé de temporizare. Cireuitul basculant monostabil cu cuplaj colector-baza constituie punctul'de plecare la alcdtuirea acestui circuit. Circnitul prezinta o serie de particularitati. Rezistenta de coleetor a tranzistorului 1, a fost inlocuit cu un generator de curent constant realizat cu tranzistorul 15. Tensiunea initiala (corespunzatoare starii stabile T, blocat — 1, saturat) de pe icondensatorul de temporizare de 0,25 uF este fixata de tensiunea de stabilizare de 10 V a diodei Zener, conectate in paralel. Saturarea tranzistorului #, in timpul starii stabile se asigura de curentul de colector al tranzistorului Ty care circula prin dioda Zener conectaté in paralel cu condensatorul de temporizare. Actionarea circuitului se face printr-un impuls po- vitiv aplicat pe baza tranzistorului 7, Impulsul amplificat si de polaritate negativa asigura trecerea circuitului in starea nestabila in care T; ajunge 78 ’ 1a saturatie iar 1, se blocheazd. Descarcarea condensatorului de temporizare se asigura in curent constant, furnizat de tranzistorul, T's, Calculul temporizarii se face cu ajutorul relatiei (3.6). Tn: locul tranzistoarelor ASY70 se pot utiliza tranzistoare cu germaniu aliate de mica putere WT 352, in lo-~ cul tranzistoarelor cu siliciu de comutatie BSX45 se pot utiliza tranzistoare de tip BC101, BC 107, Diodele pot fi inlocuite cu DZ 308 (BZY 83 CBV2) respectiv DZ 310 (BZY 83—C 10) iar in locul celorlalte diode Zener, utilizate ca diode obignuite se pot folosi ‘orice tip de dioda Zener, sau redresoare cu siliciu de . mica putere (DR 300,.,303), Tensiunile de alimentare ale montajului sint de —12 V si —18 V. Impulsul de comanda trebuie sa fie de 3 Veo pox si de durata minimum 10 js. Durata impulsului (temporizarea) se regleazia cu ajutorul potentiometrului de 10 kQ in limitele 0,5... 100 ms, 3.1.4. Generator de bazi de timp cu tranzistor unijonctiune In figura 3.6 este reprezentata schema de princrpiu a unui generator de bazi de timp cu tranzistor unijonc- fiune. Generatorul de bazi de timp este realizat cu ajutorul unui tranzistor unijonctiune intr-o schema de oseilator de relaxare (CBA). Incarearea condensatorului Cy se face prin rezistenta R; conectata la o tensiune de valoare relativ ridicata (100—120 V), Folosind numai portiunea initiala a curbei de incarcare a condensatorului C, pe bornele acestuia apare tensiune liniar-variabila in timp in form& de dinte de fierastrau, In momentul in care in urma inca liniare, tensiunea pe condensatorul C, atinge valoarea tensiunii de virf U, a tranzistorului unijonctiune 7), acesta se desehide gi condensatorul C, se desearca la 6 tensiune de yaloare apropiata de zero, dupa care incepe un nou ciclu de incarcare (generarea unui nou dinte) a condensatorului Cy prin rezistenta Ry. 72s s Modificind tensiunea de alimentare a tranzistorului unijonctiune prin intermediul potentiometrului P,, se regleazi valoarea tensiunii de virf U,. Viteza de crestere a tensiunii de pe condensatorul Cy fiind independentaé de valoarea tensiunii U,, potentiome- frul P; actioneaza asupra freeventei de oscilatie si asupra amplitudinii tensiunii in dinte de fierastrau, realizind astfel operatia de sincronizare necesara obtinerii unor imagini stabile pe ecranul osciloseopului. Semnalul de sincronizare se aplici pe baza tranzistorului 7, prin intermediul rezistentei de 1 kQ. In timpul descare&rii condensatorului Cy prin tranzistorul unijonctiune, in baza B, apar impulsuri negative de tensiune, care sint amplificate si limitate de tranzistorul 5, mentinut in mod normal la saturatie prin rezistenta de 10 kQ conectata tn baza, Impulsurile pozitive ce apar in colectorul tranzistorului T3 se aplica la intrarea = 6 Shagere ka g 5 : 8 rH Sp J3ko. f ka. + Sema! sincronizare 1 ee tranzistorului Ty, pe care il aduce la saturatie. Impulsul s negativ reaultat in colectorul tranzistorului 1, asigura a8 stingerea spotului tubului catodic in timpul cursei de in- o 8 toarcere a acestuia, 83 SS i | = Us (TISO9) By Ts; [3 — tranzistoare npn cu siliciu (BC107) Ly — tranzistor npn cu siliciu, de inalta tensiune: (BF 110) ie 8.1.5. Oscilator de relaware cu trigger Schmitt si circuit de integrare je@ Tr Un generator de tensiune in dinte de fierastrau, autooscilant poate fi realizat cu ajutorul unui trigger Schmitt, avind o latime mare a buclei de histerezis, impreuna cu un circuit de integrare (eventual un integrator Miller). Schema de principiu a oscilatorului de relaxare este reprezentata in figura 3.7. Pentru inceput se considera caracteristica de transfer tensiune-tensiune din figura 3.8 @ circuitului basoulant Schmitt deseris in cap. 2.2, ae TT Fig. 36. Schema de principiu a generatorului de baz& de timp. joey eae iF _| tone Tatar Je = Clreuite bi 6 — Cireuite basculante 812 8s 8 = Sen 5 aS: ws Sean eo) NL ws se $ wise we ns a ReneS ee a =) es 4 obs] ws Sug ae age 8 fot we La + t2¥ Fig. 3.7. Generator autooscilant. i Considerind ci la un moment dat punctul de functionare al trigerului Schmitt se situeaza in zona AB a caracteristicii de transfer, tensiunea la iegire va fi pozitiva si de valoare egalé cu U3. Astfel la intrarea integratoru- Jui Miller realizat cu reteaua de integrare formata din. Pig. 3.8. Caracteristica de transfer a triggerului Schmitt, rezistenta R si condensatorul C si amplificatorul de tensiume cu schimbare de semn gsi cu cuplaj galvanic, se aplicé o tensitine pozitiva. Tensiunea la iesirea integratorului va fi integrala eu semnul schimbat a tensiunii constante U% de la intrare, deci va fi o tensiune liniar descrescdtoare in tinrp. = Tensiunea de la iesirea integratorului Miller, prin divizorul format din rezistentele Riz si Ris, se aplica la intrarea circuitului basculant Schmitt, determinind deplasarea punctului de functionare pe segmentul AB al caracteristicii de transfér inspre punctul B. In momentul in care punetwl de functionare ajunge in punctul B, are loc bascularea triggerului Schmitt, polaritatea tensiunii la iesire se inverseazi gi devine egala cu —US Aceasta tensiune aplicindt-se la intrarea integratorului Miller, panta tensiunii liniar variabile de la iesiré se schimba, devenind o tensiune liniar crescatoare in timp. Ca atare punctul de functionare se va deplasa de aceasta dati pe segmentul CD al caracteristicli de transfer inspre punctul D. In momentul in care punctul de functionare ajunge in punctul D al caracteristicii de) transfer, are loc rebas~ cularea triggerului Schmitt si repetarea procesului deseris anterior. ie 83Cireuitul deseris poate functiona gi in regim declangat {monostabil), daca cu ajutorul potentiometrului P,, punctul de functionare se plaseaza in regiunea tensiunilor mai pozitive decit tensiunea U” sau mai negative decit’ tensiunea U’. . In primul caz, circuitul va putea fi declansat prin aplicarea unui impuls negativ pe baza tranzistorului Ty, in cel de-al doilea caz declansarea se obtine aplicind un impuls de polaritate pozitiva pe baza tranzistorului 7. Prin modificarea cursorului potentiometrului P,, se schimba latimea buclei de histerezis si se obtine o reglare a atmplitudinii virf la virf a tensiunii de iesire in forma de dinte de fierastrau, respectiv o reglare a frecventei de oscilatie, mentinindu-se constante vitezele de variatie ale tensiunii de la iesire. Odaté cu generarea tensiunii in dinte de fierastrau Ja iesire, se obtin si impulsurile dreptunghiulare corespunzdtoare in colectoarele tranzistoarelor I; si Ts. f Intrucit prin modificarea cursorului potentiometrului vaportul valorilor tensiunilor de prag U’ si U” se men= fine constant, componenta medie a tensiunii in dinte de fierastrau de la iegire nu se schimba, Modificarea componentei continue a tensiunii de la jesire, fara schimbarea frecvenjei de oscilatie se asigura cu ajutorul potentiometrului P;, care trebuie s& fie de valeare consideralsil mai mica decit valoarea rezisten- fei Rys. Modificarea raportului intre durata cresterii si durata deseresterii tensiunii de la iesire se obtine prin schimbarea valorilor tensiunilor U: si Us prin adunarea unei componente continue de vensiune, la tensiunea de iesire a triggerului Schmitt. Pentru valorile rezistentei R in limitele de 10 kQ...° 500 kQ, capacitatea C avind valorile cuprinse intre 1 nF si 2 «I, freeventa proprie de oscilatie, corespunzatoare unei amplitudini de 6 V,,.a tensiunii de iesire ayinid factorul de umplere egal cu 1/2, poate fi variata in limitele de 0,25 Iiz—15 lsHz, iar viteza de crestere a tensiunii liniar variabile in timp se regleazi in limitele de v= = 3 V/s...5 mV/s. 84 3.1.6, Numdrator binar Tn capitolul 2.1 a fost prezentat circuitul basculant bistabil. S-a apreciat cd acest circuit prezinta doud stari stabile, putind si se mentind timp nelimitat in oricare din aceste stéri. Au fost prezentate metode si circuite concrete care permit trecerea dintr-o stare tn alta a cireuitului. Considerind circuitul din figura 2.11, un impuls po- vitiv aplicat la intrarea R determina trecerea in starea 1 a circuitului basculant bistabil indiferent de starea lui anterioara. Un impuls pozitiv aplicat la intrarea S determina trecerea in starea 0, indiferent de starea anterioara a circuitului. Legind impreund intrarile R si S, prin aplicarea unui impuls pozitiv de comanda, starea circuitului basculant bistabil se schimba indiferent de starea li anterioara. O asemenea intrare se numeste intrare de numdrare si se noteaza cu T. (Considerind cé CBB se afla in starea 0, valoarea tensiunii de colector U, este aproximativ 0, dioda D; practic nu este polarizata, in schimb tensiunea de colector U,, fiind negativa, prin rezistenta R” prepo- larizeazd puternice un sens de blocare dioda D2, Impulsul pozitiv aplicat prin condensatoarele C’ si C”, deschide numai dioda D, si se aplicd pe baza tranzistorului 7, determinind blocarea acestuia, deci schimbarea starii circuitului basculant bistabil), Reprezentarea schematic’ a unui circuit basculant bistabil (denumit si celula binard) este data in figura 3.9. Avind in vedere aceste particularitati ale circuitului basculant bistabil, prin conectarea lor in cascada se pot realiza cireuite de numérare, Intrucit numarul starilor stabile ale CBB este limitat la doua carora li se asociaz& cifrele 0 gi 1 rezultatul nu- méararii realizate cu cirouite basculante conectate in cascada, se exprima in sistemul de numeratie avind baza 2. Schema bloc a unui numérator cu CBB conectate in cascada este reprezentata in figura 3,10, Pentru simpli-~ tate s-a luat ca exemplu un numér de trei celule conectate in cascada. 85Considerind ca celulele notate cu dy, @1, G2 se afla in starea 0, se aplicd un impuls pozitiv la intrarea de numarare a celulei do, Ca urmare aceasta isi schimba sta- tea, gi trece in starea 1. La intrarea celulei a, se aplica f , K , 4d gp lnbrare, eg oy 2 Fig. 3.9. Re- Fig. 3.10. Numarator cu trei celule binare conec- prezentarea tate in cascada, simbolicd a CBB. astfel un impuls negativ, care nu are nici un efect asupra starii celulei a,. Daca la intrarea celulei ay se aplica un nou impuls pozitiv, aceasta isi schimba din nou starea, Prin trecerea celulei a» din starea 1 in starea 0 la a " intrarea celulei a; apare un impuls po- Tabelul 3.1 zitiv, care produce bascularea acestuia Starile din starea 0 in starea 1. Astfel numa- numaritorului ratorul din figura 3.10 este capabil sa CTE A) inregistreze gi sa memoreze numarul de impulsuri pozitive aplicate la intrare, Acest numar poate fi exprimat sub forma binara (in sistem de numeratic eu baza 2) in functie de starile celulare 9 3 5 3 9; Hi, 02, asa cum urmeaza: 2a cae x . Sadie lect N= yp 2? yy 2' by, 2, (3.7) ti iio a) td) 0). B 5 1) oO) 4 in care Yo, Y1, Yo iau valorile 0 si 1 co- 5 ; i A respunzatoare starilor 0 respectiv 1 ale’ celulelor binare a, a, Oo. = In tabelti] 3,1 sint prezentate starile numdratorului in 5 i functie de num&rul de impulsuri aplicate la intrare. tare — I a Intrucit rezultatul numararii se exprima in sistemul de numeratie avind baza 2, iar capacitatea numarului se 86 * Fig. 3.11, Numarator binar cu doua celule: a — schem& de principiu; 6 — forme de, und&; ¢ — schema de principlu simplificata,exprima In puteri intregi ale lui 2, numaratorul poarta denumirea de numarator binar (Prin capacitatea unui numarator se injelege numarul maxim de stari distincte ale acestuia), Capacitatea unui numérator binar cu 3 celule este de 2°—8, in timp ce capacitatea unui numarator cu 4 celule in cascada este egala cu 24-16. Schema de principiu detaliata a unui num&rdtor binar cu doué celule impreund cu formele de unda in diverse puncte, este reprezentata in figura 3.11, Se observa ca la iesirea numardtorului apare cite un impuls pozitiv la fiecare al patrulea impuls pozitiv aplicat la intrare, spunindu-se ca circuitul realizeaza o divizare a imipulsurilor cu nurnarul: Kagtagad, (3.8) Considerind numaratorul binar din figura 3.11,¢ la care comanda celei de-a doua celule se face de la iesirea Y, in loe de la iesirea Y,, succesiunea starilor numaratorului in functie de numarul N’ al impulsurilor aplicare Ja intrare sint reprezentate in tabelul 3.2. Se cbserva ca la fiecare impuls N’, Pabelul’$.2° aplicat Ja intrarea numératorului, nu- Stirile marul N inregistrat in numéardtor a numaratorului pina scazut cu cite o unitate, realizindu-se asa-numila numararea inversa. Astfel este posibila efectuarea idiferentei din— tre numarul impulsurilor sosite de la surse de semnale diferite. Pentru reali- oO} t teas zarea acestui deziderat, se utilizeaza i 3 4 { asa-numitele numAaratoare reversibile, 8/o]o0]0 Coeficientii de divizare diferiti de Puteri intregi ai lui 2 se obtin prin neutilizarea anumitor stari ale numaratorului, lucru rea— lizabil prin utilizarea unor reactii supliméntare fntre ce~ Julele numératorului. 88 3.1.7. Generator de tren de impulsuri Utilizind cireuite basculante se pot realiza generatoare de impulsuri, care in urma unei comenzi aplicate din exterior s& genereze o succesiune de impulsuri la iesire, dupa care sa ramina in starea initiala. In compunerea generatorului intra numaratoare, circuite logice etc. Schimbind capacitatea numératorului Utilizat se poate prestabili numarul de impulsuri de la jesire, care apar in urma comenzii exterioare, Schema bloc a generatorului de tren de impulsuri este reprezentata in figura 3.12. In Starea initialé circuitul basculant bistabil CBB, se afla in starea 0, la iesirea Y apare nivelul logic 0, care impiedica transmiterea prin circuitul logic SJ a semnalu- R 5 19 Fig. 312, Schema bloc a generatorului de tren de impulsuri, lui aplicat la intrarea I, inspre iesirea By. Astfel la intrarea numaratorului N nu se aplica nici un seminal, acesta raminind in starea initiala. Daea la intrarea J, (intrarea R a circuitului basculant bistabil) se aplici un impuls, care comandad bascularea circuitului basculant bistabil C’BB;, la iesirea Y apare nivelul logic 1, cireuitul logic SF (se mai numeste Si circuit poarta) se deschide si permite transmiterca sem- 89nalului aplicat la intrarea J, spre iesirea H, si aplicarea acestuia la intrarea numaratorului N. Dupa un numar de n=N impulsuri, acesta di un impuls la iesire, care aS aplicat la intrarea S a circuitului basculant bistabil, co- ° s manda rebascularea acestuia. La iesirea Y apare din now eh nivelul logic 0 care inchide poarta si la iesirea E, nu se & oe mai transmite nici un semnal. = Utilizind un descifrator (matrice de decodificare), nu- rt marul impulsurilor obtinute la iesirea H, in urma co- 5 S B menzii date la intrarea J,, poate fi prestabilit in limitele 5 8 5 de la zero pind la capacitatea de numarare a numaradtoru- ve 8 oe g lui. Schema bloc corespunzdtoare este reprezentataé in = S = 2 figura 3.13. ig We Ss SS | Particularitatea schemei consta in introducerea desci- ie ima = aoe s fratorului in calea de reactie spre intrarea S a circuitu- es cs a ig lui basculant bistabil CBB. Prin selectarea unei anumite iS ie a al aS) eh jesiri, la iesirea ZH, apar rumarul corespunzator de impul- = ra |x SS 2 suri. Ss = Ss & S @ oy g 5 S = 9 3 Smale Sy lav || & S, Ss s alt sy #1 Bs |_| S [eR | Ss a= ig a ey qe ie eS a a 8 B| | 5 & g S a a SA zal lls 2 a ea eet aeons 3 Fig. 318, Generator de tren de impul- es =| slas |e ltrs i suri cu numar variabil, I bo S 3 2. = 2 Generatorul trebuie prevazut cu circuit de readucere a ; la zero a numératorului Ja sfirsitul fiecarui ciclu de func- =e ee = & fionare, Schema de principiu amanuntita a unui genera- ot Bs tor avind schema bloc din figura 3.13 este reprezentata in. r 4 . * Say =) figura 3,14, (Nu s-a reprezentat circuitul de readucere la a zero a numaratorului,) ae S| Sos Sa 8 90 & SB3.1.8. Generator de mira electronica pentru televiziune Schema de principiu a unui generator de mir electronica, care furnizeazé un semnal video complex de polaritate pozitiva si negativa, este reprezentat&é in figura 3.15. Cu ajutorul unei claviaturi cu patru clape se pot selecta bare orizontale (Ca), bare verticale (Cb), bare in- crucisate (Ce) si tabla de sah (Cd). Oseilatoarele de relaxare cu tranzistoarele Ty, ‘Fy (CBA,) respectiv T;, Ts (CBA,), furnizeazd semnalele de frecventa lniilor (15 625 Hz) respectiv de frecventa ca- drelor (50 Hz), ambele avind polaritate pozitiva, Prin derivarea, insumarea, limitarea, amplificarea celor doua impulsuri de stingere By si By in circuitul format din Rs7—Rgi, Cz—Cy, Ds, Dg, To, Tia in Colectorul tranzistorului T,) se obtin impulsurile de sincronizare amestecate de linti si de cadre Sy.y, avind polaritate pozitiva. Perioada oscilatiilor libere ale CBA, realizat cu tranzistoarele T; si Ty, este de cca 8 jis, corespunzind la aproximatiy 6 perechi de linii verticale albe si negre. Pentru a se obtine imagine stabilé se asigurd sincroniza- rea acestuia cu ajutorul semmnalului de stingere pe orizontala By. Perioada oscilatiilor libere ale CBA,, realizat cu tranzistoarele Ty si 7, este de cca 4,5 ms, corespunzind la aproximatiy patru perechi de linii orizontale albe si negre. CBA, este sincronizat cu ajutorul semnalului de stin- Bere pe verticala By. Selectarea imaginilor se realizeazi cu ajutorul unor porti cu diode (Ds—Djs, Rys—Rs;). Pe bornele rezisten- fei Ry; se obtine semnalul video corespunzator imiaginii se- lectale. Cu ajutorul trenzistorului 7,, semnalul video este amplificat si limitat, dupa care se aplicd la intrarea circuitului de amestee format din diodele Dag, Djs, Dio. Astfe] in baza tranzistorului 7) se obtine semnalul video cu impulsurile de stingere pe orizontala si pe verticala, limitat la alb Ja un nivel dat de divizorul format din rezistentele Ry, si Ry. Limitarea la negru se asigura ou ajutorul tranzistorului 7,5, nivelul de limitare fiind de- 92 —} Hag ey Tp Iie 86101 Ilys ELA. To yt Tn EELG48 hg 28FEAQT Dy EKO O27 Hea Pig, 3.15, Schema de principiu a genératorului de miraterminat de divizorul format din rezistentele Ry, si My, alin baza acestuia, Impulsurile de sincronizare se obtin prin modificarea nivelului de limitare la negru, ce se realizeaza prin conectarea in paralel a rezistentei Ry; cu nrezistenta Ry7. In emitoarele tranzistoarelor Ty. si Ty3 se obtine astfel semnalul video complex de polaritate negativa, avind amplitudinea virf la virf de 2 V. Acest semnal se aplica si la inversorul de polaritate realizat cu tranzistorul 1), obtinindu-se in colectorul acestuia un semnal video de aceeasi amplitudine, insa de polaritate pozitiva. ‘Schema de amplasare si cablajul imprimat pentru generatorul de mira electronica este reprezentata in figura 3.16. 3.2. Cireuite de temporizare Prin cireuite de temporizare, denumite si relee electronice de timp se inteleg acele dispozitive, care permit efectuarea sau marcheaza momentul efectuarii unei comenzi la un interval de timp in raport cu momentul exe- eutarii altor comenzi. De asemenea ele permit prereglarea duratei unei anumite operatil, Circuitele de temporizare isi gasesc aplicare in cele mai diverse domenii de actiyitate. Conectarea intirziata a tensiunii inalte fn raport cu alimentarea filamentelor poate prelungi considerabil durata de functionare a unei instalatii realizate cu tuburi electronice. In cazul repro- ducerilor fotografice un rol esential i] joaca mentinerea la o anumita valoare a timpului de expunere. In cadrul unui proces, anumite faze trebuie executate la intervale de timp bine precizate, in vederea obfinerii parametrilor cantitativi si calitativi prescrisi. Bliminarea factorului subiectiy in asemenea ocazii se realizeaza prin utilizarea circuitelor de temporizare. Dispozitivele semiconductoare permit realizarea unor circuite de temporizare incepind de la milionimi de se- eunde pina la minute, ore, zile, sau si mai mult si cu o 94 120X165, mm Wig. 816, Schema de amplasave si cablajul imprimat pentru generatorul de mira electronicd (vedere dinspre faja placata).precizie practic oricit de mare. Aceste cireuite prezinta in general un consum redus de energie si un gabarit scézut, fn continuare sint descrise citeya exemple de astfel de circuite, 3.2.1, Circuit de intiratere la deconectare [14] Circuitul de temporizare prezentat in figura 3.17 asigura cliberarea releului Rl avind infasurarea conectata in colectorul tranzistorului Ty dupa un interval de timp AT in raport cu momentul inchiderii comutatorului KK. 5 Cireuitul de temporizare constaé in esenta dintr-un circuit basculant monostabil, realizat cu tranzistoarele 7 51 T>, intr-o schema cu cuplaj in emitor. Colectorul tranzistorului 7, nefiind alimentat, in starea deschisa a comutatorului K, tranzistorul 7, are amindoua jonctiunile polarizate direct (jonctiunea bazd-emitor prin rezistenta AR, iar junctiunea baza-colector prin rezistentele Rg si R;) Wig, 8.17, Circuit de temporizare la deconectare, jar tranyistorul 7, este blocat. In aceste condifii condensatorul C, (1000 WF) se incared lao tensiune ide valoare apropiata de valoarea tensiunii de alimenitare, ayind pola~ ritatea arataté in figura. Comutatorul K fiind deschis tranzistorul 1; este adus la saturatie prin intermediul 96 rezistentelor’ Ry si Ry, lar condensatorul C, se incarca la o tensitine cpala cu cea data de divizorul format din rezistentele Rs si Ry. Tranzistorul Ty fiind saturat re- Jeul RU este anclansat. In momentul inchiderii comutatorului K, condensatorul @, neputind sa-si modifice bruse starea de incadreare, prin divizorul rezistiv Rgh; se transmite un salt negativ de tensiune pe baza tranzistorului T,, pe care il deschide. Variatia pozitiva de tensiune, ce apare fn colectorul tranzistorului T, se transmiite integral prin con densatorul C, pe baza tranzistorului 7, pe care il blocheaza. fn urma procesului cumulativ ce are loc, circuitul basculant monostabil ajunge in starea nestabila corespunzatoare saturatiei tranzistorului 7, si blocarii lui Ty. Tranzistorul 7, continud sA ramina saturat, iar releul R anclangat. In decursul starii nestabile are loc descarcaréa dupa o lege exponentiala in timp, a condensatorului Ci prin rezistentele R, si R,. Pentru limitarea tensiunii in- yerse pe baza tranzistorului T, si pentru eliminarea in- fluentei curentului invers Ics. al tranzistorului T, asupra duratei temporizarii in serie in circuitul de baza al tran- gistorului Ts s-a introdus o dioda cu siliciu, avind un curent invers considerabil mai mi¢ decit curentul invers leo al tranzistorului 2. Dupa un interval de timp A?, are loc trecerea cireuitului basculant monostabil din starea nestabila in starea stabila, corespunzatoare blocarii tranzistorulul 7, si satu- yarii tranzistorului Ty. Prin saturarea tranzistorului Ty, tensitinea lui de colector devine mai pozitiva decit: ten- giunea data de divizorul RipRiy, astiel tranzistorul 7, sé blocheaza iar releul Ri elibereaza. Durata intirzierili AT depinde de canstanta de timp C,(R, +R») si este data aproximativ de relatia; APD, TER A Ra\Oy. (3.9) Pentru valorile din figura intirzierea poate fi veglata incepind de la cca 7 s pind la cileva sute de gecunde, Tensiunea de alimentare este cuprinsd intre 12... 15 Vo f — Girouite basculante 97In locul tranzistoarelor ASY 70 se pot utiliza tranzistoarele EFT 352 WEFT 122, iar in locul diodei BA 108 fie un tranzistor BC 101 montat ca dioda (fig. 3.18) fie o dioda redresoare de mica putere DR 300. Fig. 3.18 Tranzistorul montat ca % dioda. Ill 3.2.2. Circuit de intirziere la conectare [16] Circuitul de temporizare din figura 3.19 asigura anclansarea releului Rl, avind infasurarea conectatd in colectorul tranzistorului T,, dupa un interval de timp AT in raport cu momentul inchiderii comutatorului K. Fig. 8.19. Circuit de temporizare la conectare, Circuitul de lemporizare consta dintr-un circuit basculant monostabil cu cuplaj pe emitor, realizat cu tranzistoarele T, si Ty. In starea deschisA a comutatorului eS) 98 ambele jomctiuni ale tranzistorului Ts sint polarizate direct, in timp ce tranzistorul 7, este blocat. Condensatorul de temporizare C, este iIncdrcat la o tensiune apropiaté de tensiunea de alimentare avind polaritatea din figura. Condensatorul Cy se incarca la valoarea tensiunii de alimentare prin infasurarea releu- Jui RE. In momentul inchiderii comutatorului K, starea de fneaireare a condensatorului C, nu se modifica si prin divizorul RyRs se aplicd un salt negativ de tensiune pe baza tranzistorului 7 ,. Circuitul basculant monostabil trece in starea nestabila cu tranzistorul 7, saturat si tranzistorul T) blecat, In acest interval de timp are loc descarcarea condensatorului C, prin rezistentele Ry si Rs. Th momentul in care tensiunea de pe condensatorul C, devine egala cu tensiunea de deschidere baza-emitor a tranzistorului T,, circuitul monostabil trece in starea stabila, 7, se blocheaza, T, intra in saturatie iar releul RI anclanseaza. Intirzierea dat&é de acest circuit se calculeaza cu ajutorul relatiei 3.9. Pentru valorile din figura intirzierea maxima ce se obtine este de cca 5 s. Daca se utilizeaza alite tipuri de tranzistoare, avind tensiunea inversa baza- emitor mai mica, trebuie prevazut un circuit suplimentar de limitare a tensiunii inverse, deseris pentru circuitul din figura 3.17. 3.2.3. Releu de temporizare la conectare cu un singur tranzistor Un releu simplu de temiporizare, utilizind un singur tranzistor este reprezentat in figura 3.20. Anclansarea releului RU are loc dupa un interval de timp AT in raport eu momentul inchiderii comutatorului K cu doi poli. Este de dorit sa se utilizeze un comutator basculant cu doi poli, pentru care intirzierile care apar intre momentele inchiderii diferitelor contacte, sint in general mai mici decit thmpul de anclansare al rebeului folosit. Condensato- rul Cy are toomai rolul de a elimina anclangarea parazita rs 99a releului Ri im cazul in care inchiderea contactelor 2—2" se face inaintea inchiderii contactelor 1—1’. In starea deschisé a comutatorului K condensatorul Gy Se inearcé prin Ry si jonctiunea emitor-baza polarizata di- br 382 ie Tig. 3.20. Releu de intirziere la ¢o- neetare, cu un tranzistor, rect a tranzistorului T, la o tensiune egald cu tensiunea de alimentare cu polaritatea indicat in figura 3.20. Prin inchiderea comutatorului K, capatul dinspre Ry al condensatorului C, se conecteaza la plusul tensiunii de alimentare. Astfel pe baza tranzistorului 7 se aplicd o tensiune pozitiva egalaé cu tensiumea de alimentare si acesta se blocheaza. In continuare va avea loc o descarcare exponenfiala a condensatorului C, prin rezistentele R, $i Ry. In momentul in care tensiunea de pe condensatorul C;, devine egala cu tensiunea de deschidere a wanzistorului 7, acesta incepe sa conduca si curentul de colector atingind valoarea curentului de anclansare a releului, actioneaza releul. Circuitul ramine in aceasta stare, atita timp cit comutatorul K este mentinut in starea inchisa. Intirzierea rea- lizata de circuit se caleuleazi cu ajutorul relatiei (8.9). Pentru yalorile din figura, intirzierea maxima ce se obtine este de cca 5 s. Variatiile in timp a tensiunilor in diferite ‘punete ale Schemei sint reprezentate in figura 3.21. 100 3.2.4, Releu de temporizare la deconectare [14] Un releu simplu de temporizare cu un singur tranzis— tor, care asigura eliberarea releului RU dupa un interval de timp AT, in raport cu momentul deschiderii comutatorului K, este reprezentat in figura 3.22. tt {ersar t = 2, Releu de tempa- ronmelel i pentru Fis Tig. 3.21, Formele de unda p eee a ea aeeuae veleul de intirziere. Cind comutatorul K este inelis, tranzistorul 7 conduce, releul RI cu infasurarea conectata in emitorul tranzistorului este anclangat. Ca urmare contactele 1-1° ale releului care vin In paralel cu contactele 2-2' ale comutatorului sint inchise, Condensatorul C, se incared la va- Joarea tensiunii de alimentare, cu polaritatea ‘din figura prin rezistenta R, de valoare mica, La desdhiderea comutatorului K, colectorul ramine conectat la minusul tensiunii de alimentare prin contactele 1-1 inchise ale releului Rl, Condensatorul C, se descarcd prin rezistenta 2, in paralel cu rezistenta de intrare a tranzistorului Fy, care lu a repetor pe emitor, In momentul fn care tensiunea de pe condensator scade sub yaloarea tensiumii de mentinere U,, a releului, acesta eli~ 104bereaza. Intirzierea realizat% ttorul acestui r eu ajutoru) t : cireuit, in cazul in care Riys>R, este dat& de: AT~ Be RC, In a (3.10) Pentru valorile R,—100Q; B.=12 Vi Un—6 Vv; rei a vameuitemme Be as 200 uF, rezulta o intirziere ka deconectare o5 a a 3.2.5. Relew de temporizare pentru reproducert Joto- grafice 2 In figura 8.23 este reprezentata schema de principiu pines releu de temporizare, care poate fi folosit pentru reglarea si mentinerea la o valoare constanta a timpului de expunere la realizarea copiilor fotografice sau pentru FFOQO7 ol Ae Been ley . nae i Fig. 3.23, Releu de tempor: orice alt scop. Temporizarea asigurati dé acest circuit este determinata de yaloarea constantei de timp C, (Ry Rp). Functionarea circuitului poate fi descrisé pornind de la starea de regim permanent. In lipsa oricadrui semnal 102 sau a unor perturbatii exterioare tranzistorul 7’, este polarizat direct in bazd prin rezistentele Ry, Ry si dioda D;. Pentru o buna stabilitate a functionarii trebuie ca tranzistorul 7 si poata fi adus-la saturatie de un anumit eurent de baz’ a carui valoare este determinata de rezistentele Ry si Ro. Tranzistorul 7, fiind adus la saturatie, tensiunea de colector divizaté de divizorul format din rezistente R; $i Rg, asigura blocarea tranzistorului 7. Tranzistorul 7, fiind blocat, condensatorul C, se in- carci prin infasurarea releului, dioda D, si jonetiunea bazi-ernitor deschisi a tranzistorului T; la o tensiune aproximativ egald cu tensiunea de alimentare, cu polaritatea indicat’ in figura. Condensatorul C3 este descarcat prin rezistenta Ry si contactul normal inchis al microintrerupatorului MI. Prin apisarea butonului microintrerupatorului, con= tactul normal inchis se deschide si celalalt contact se inchide, Se aplici astfel pe baza tranzistorului T, un impuls pozitiv, care determina saturarea acestuia. Saltul negativ de tensitine, care apare in colector se transmite prin grupul RCD, pe baza tranzistorului 7, care se plocheaza. Prin blocarea tranzistorului 7, tranzistorul T, este mentinut tn continuare la saturatie prin rezistentele R, si R7. Aceasté stare reprezinta starea nestabila a circuitului. Condensatorul C; conectat la masa prin rezistenta de sattinatie a tranzistorului 7, se descarecd prin rezistentele R, si R, conectate in serie, Tensiunea in- versé este preluata integral de dioda D,, conectata in serie in circuitul de baz’ al tranzistorului 7). In momentul in care tensiunea de pe condensator devine egala cu suma tensiunilor de deschidere ale diodei D, si tranzistorului 7, se deschide tranzistorul 7, si are loc trecerea circuitului fnapoi in starea stabila. Dioda D, trebuie sa aiba un curent invers cit mai mic, ca sa nu modifice du- tata temporizarii date de circuit. 103Dioda Ds, eonectata in paralel cu inf&surarea releulut Al, cu anodul inspre minusul tensiunii de alimentare, la blocarea tranzistorului 7, nu permite marirea tensiunii de colector pe seama tensiunii de autoinductie a bobinei releului, peste valoarea tensiunii de alimentare. Prin deschiderea sa, amortizeazi infasurarea releului Rl. Ou valorile ardtate in figura 3.28 se asigura o plajA de reglare a temporizarii intr-un raport de 50:1, in limitele de 0,7—35 s. 3.2.6. Releu de temporizare cu CBM Schema de principiu a unui releu-de temporizare, realizat cu ajutorul unui circuit baseulant monostabil, este prezentata in figura 3.24, Punctionarea este identica cu a cireuitului reprezentat tn figura 3.5, Deosebiri apar prin inlocuirea tra: torului T; cu o rezistenta R, si prin inlocuirea cireuitului de declansare cu clementele RyC4. Tig, 3.24. Releu. de temporizare, Tn cazul circuitului din figura 3.24 comanda pornirii temporizarii se face manual prin apasarea butonului microintrerupatorului MI, aplicindu-se astfel un impuls , 104 * automata, realizat cu tranzis— _ loare miai _ du-se blocarea acestuia, pozitiv de comanda pe baza — tranzistorului T,, Condensa- & forul C, elimina eventualele declansari parazite ale releului de temporizare. 3.2.7) Releu de intinziere cu marcare de timp 14] Schema unui releu elec- tric de intirgiere, realizind intirzieri de 10, 30, 100 si 300 8, este reprezentata in figura 3.25, Contactele 1—1' »,, 5—8/ reprezinta contactele unei chei telefonice cu dou% pozi- fii. tn pozitia opusa celei re- prezentabe in figura, circuitul se afla in starea de repaus, condensatorul C;, este descar- cal, iar CBB ou polarizare toarele T; si Ty, se afla in starea in care tranzistorul Ty este blocat iar tranzistorul Ty este saturat. Tensiunea de colector Ug, de valoare scazuta (Ucs =9,7 V), prin divizorul format de rezistentele de 47 kQ si 5,1 kQ determind o tensitine de baza Ups de ya- ea (cca, 70 mV) decit tensiumea de deschidere a tranzistorului Ts, asigurin- Circnitul basculant astabil simetric, cu cuplaj colec- Fig. 3.25. Releu electronic de intirziere. 405tor-baza, realizat cu tranzistoarele T, si Ts, avind perioada oscilatiilor generate de 20 ms, furnizeaza pe bornele rezistentei Ry impulsuri negative de tensiune, de amplitudine egala cu tensiunea de alimentare a circuitului basculant astabil (ceca 3,6 V) si de durata determinata de valoarea constantei de timp 1=C’R;=0,14 ms. Impulsurile pozitive ce se obtin la bornele rezistentei R, sint de amplitudine mai mica din cauza timpului de revenire troy; comparabil cu valoarea constantei de timp. In momentul stabilirii pozitiei contactelor conform figurii 3.25 (momentul t,) incepe temporizarea. Condensa- torul C,, fiind descareat, practic intreaga tensiune de alimentare se regaseste la bornele rezistentei Ry de 30 MQ, Ca urmare dicdele D; gi D, vor fi polarizate in sens de blocare si impulsurile negative de pe bornele rezistentei R». nu se aplicaé la intrarea circuitului basculant bistabil, acesta raminind in starea in care tranzistorul 7’ conduce iar tranzistorul Ty este blocat, Din acest moment ineepe incircarea condensatorului C, prin rezistenta Rj. Variatia in limp a tensiunii de pe bornele rezistentei R, este reprezentata in figura 3.26. Up, rd Aa Uref | \ | ! by B Tig. 3.26. Diagrama de variatie In timp a tensitnii de pe bornele rezistentei Ry. In momentul t,, in care virful impulsurilor negative de fensiune (suprapuse peste tensitnea descresc&toare in timp de pe bornele rezistentel Ry) ating valoarea tensiunii de referinta, date de un divizor de tensiune in patru trepte
You might also like
Shoe Dog: A Memoir by the Creator of Nike
From Everand
Shoe Dog: A Memoir by the Creator of Nike
Phil Knight
Rating: 4.5 out of 5 stars
4.5/5 (537)
The Yellow House: A Memoir (2019 National Book Award Winner)
From Everand
The Yellow House: A Memoir (2019 National Book Award Winner)
Sarah M. Broom
Rating: 4 out of 5 stars
4/5 (98)
Analiza Tehnica Si Fundamentala A Actiunilor
Document58 pages
Analiza Tehnica Si Fundamentala A Actiunilor
microexpresii
No ratings yet
Magazines
Podcasts
Sheet music
Curs Introductiv Trading
Document83 pages
Curs Introductiv Trading
microexpresii
No ratings yet
Invata Sa Tranzactionezi Forex
Document297 pages
Invata Sa Tranzactionezi Forex
microexpresii
No ratings yet
Cum Sa Le Spun... - Gerard Collignon
Document13 pages
Cum Sa Le Spun... - Gerard Collignon
microexpresii
75% (4)
The Subtle Art of Not Giving a F*ck: A Counterintuitive Approach to Living a Good Life
From Everand
The Subtle Art of Not Giving a F*ck: A Counterintuitive Approach to Living a Good Life
Mark Manson
4/5 (5794)
Yes Please
From Everand
Yes Please
Amy Poehler
4/5 (1891)
The Little Book of Hygge: Danish Secrets to Happy Living
From Everand
The Little Book of Hygge: Danish Secrets to Happy Living
Meik Wiking
3.5/5 (400)
Grit: The Power of Passion and Perseverance
From Everand
Grit: The Power of Passion and Perseverance
Angela Duckworth
4/5 (588)
Elon Musk: Tesla, SpaceX, and the Quest for a Fantastic Future
From Everand
Elon Musk: Tesla, SpaceX, and the Quest for a Fantastic Future
Ashlee Vance
4.5/5 (474)
A Heartbreaking Work Of Staggering Genius: A Memoir Based on a True Story
From Everand
A Heartbreaking Work Of Staggering Genius: A Memoir Based on a True Story
Dave Eggers
3.5/5 (231)
Hidden Figures: The American Dream and the Untold Story of the Black Women Mathematicians Who Helped Win the Space Race
From Everand
Hidden Figures: The American Dream and the Untold Story of the Black Women Mathematicians Who Helped Win the Space Race
Margot Lee Shetterly
4/5 (895)
Team of Rivals: The Political Genius of Abraham Lincoln
From Everand
Team of Rivals: The Political Genius of Abraham Lincoln
Doris Kearns Goodwin
4.5/5 (234)
Never Split the Difference: Negotiating As If Your Life Depended On It
From Everand
Never Split the Difference: Negotiating As If Your Life Depended On It
Chris Voss
4.5/5 (838)
The Emperor of All Maladies: A Biography of Cancer
From Everand
The Emperor of All Maladies: A Biography of Cancer
Siddhartha Mukherjee
4.5/5 (271)
Devil in the Grove: Thurgood Marshall, the Groveland Boys, and the Dawn of a New America
From Everand
Devil in the Grove: Thurgood Marshall, the Groveland Boys, and the Dawn of a New America
Gilbert King
4.5/5 (266)
On Fire: The (Burning) Case for a Green New Deal
From Everand
On Fire: The (Burning) Case for a Green New Deal
Naomi Klein
4/5 (74)
Principles: Life and Work
From Everand
Principles: Life and Work
Ray Dalio
4/5 (599)
The Unwinding: An Inner History of the New America
From Everand
The Unwinding: An Inner History of the New America
George Packer
4/5 (45)
Fear: Trump in the White House
From Everand
Fear: Trump in the White House
Bob Woodward
3.5/5 (738)
Rise of ISIS: A Threat We Can't Ignore
From Everand
Rise of ISIS: A Threat We Can't Ignore
Jay Sekulow
3.5/5 (137)
The Hard Thing About Hard Things: Building a Business When There Are No Easy Answers
From Everand
The Hard Thing About Hard Things: Building a Business When There Are No Easy Answers
Ben Horowitz
4.5/5 (345)
Steve Jobs
From Everand
Steve Jobs
Walter Isaacson
4.5/5 (806)
The World Is Flat 3.0: A Brief History of the Twenty-first Century
From Everand
The World Is Flat 3.0: A Brief History of the Twenty-first Century
Thomas L. Friedman
3.5/5 (2259)
Bad Feminist: Essays
From Everand
Bad Feminist: Essays
Roxane Gay
4/5 (1016)
Angela's Ashes: A Memoir
From Everand
Angela's Ashes: A Memoir
Frank McCourt
4.5/5 (440)
The Glass Castle: A Memoir
From Everand
The Glass Castle: A Memoir
Jeannette Walls
4.5/5 (1713)
The Gifts of Imperfection: Let Go of Who You Think You're Supposed to Be and Embrace Who You Are
From Everand
The Gifts of Imperfection: Let Go of Who You Think You're Supposed to Be and Embrace Who You Are
Brené Brown
4/5 (1090)
John Adams
From Everand
John Adams
David McCullough
4.5/5 (2409)
The Outsider: A Novel
From Everand
The Outsider: A Novel
Stephen King
4/5 (1839)
The Light Between Oceans: A Novel
From Everand
The Light Between Oceans: A Novel
M.L. Stedman
4.5/5 (789)
The Sympathizer: A Novel (Pulitzer Prize for Fiction)
From Everand
The Sympathizer: A Novel (Pulitzer Prize for Fiction)
Viet Thanh Nguyen
4.5/5 (121)
A Man Called Ove: A Novel
From Everand
A Man Called Ove: A Novel
Fredrik Backman
4.5/5 (4609)
Wolf Hall: A Novel
From Everand
Wolf Hall: A Novel
Hilary Mantel
4/5 (3811)
Brooklyn: A Novel
From Everand
Brooklyn: A Novel
Colm Toibin
3.5/5 (1937)
The Woman in Cabin 10
From Everand
The Woman in Cabin 10
Ruth Ware
3.5/5 (2322)
Little Women
From Everand
Little Women
Louisa May Alcott
4/5 (104)
Manhattan Beach: A Novel
From Everand
Manhattan Beach: A Novel
Jennifer Egan
3.5/5 (792)
The Perks of Being a Wallflower
From Everand
The Perks of Being a Wallflower
Stephen Chbosky
4.5/5 (2104)
Sing, Unburied, Sing: A Novel
From Everand
Sing, Unburied, Sing: A Novel
Jesmyn Ward
4/5 (1103)
The Art of Racing in the Rain: A Novel
From Everand
The Art of Racing in the Rain: A Novel
Garth Stein
4/5 (4200)
Her Body and Other Parties: Stories
From Everand
Her Body and Other Parties: Stories
Carmen Maria Machado
4/5 (821)
A Tree Grows in Brooklyn
From Everand
A Tree Grows in Brooklyn
Betty Smith
4.5/5 (1929)
The Constant Gardener: A Novel
From Everand
The Constant Gardener: A Novel
John le Carré
3.5/5 (104)

Circuite Basculante in Practica Radioamatorilor

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Circuite Basculante in Practica Radioamatorilor

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

You might also like