Disefio, fabricacién y medida de un amplificador de maxima ganancia de RF En este caso se realizard el disefio de un amplificador de maxima ganancia de transconductancia a 2GHz, basado en el transistor BIT BFG424F del fabricante NXP. El proceso de disefio de va a seguir en una serie de pasos que comienzan con la eleccién del transistor y el disefio de la red de polarizaci6n y acaban con el disefio de la placa de Circuito impreso de! amplificador completo con adaptacién de impedancias y maxima ganancia. Por dltimo se fabricaré y montaré el amplificador y se mediran sus caracteristicas con un analizador de redes vectorial, Los componentes disponibles, y con los que se va a disefiar el amplificador son los siguientes: Substrato FR4. Caracteristicas medidas: ¢,=4.48; H=1.52mm; T=35um; tg5=0.02. Resistencias SMD 0805 de 125wW de potencia nominal de los siguientes valores: 169, 68, 1602 y 3302 Condensadores de desacoplo de TDK SMD 0603 de 100pF (C1608X8R) Bobinas de choke de EPCOS SMD 0603 de 220nH (B82496c3221j000) Transistor BIT de alta frecuencia SOT343, BFG424F de NXP 1. Eleccién del transistor. Punto de trabajo El amplificador que se pretende disefiar estd basado en el transistor BJT NPN BFG424F. El primer paso es visitar la pagina web del fabricante y descargar el datasheet del transistor y el modelo equivalente real con pardsitos “archivo.prm”. Ala vista de los datos del transistor, el punto de trabajo elegido es Vce=2V; Ic=25mA. El circuito de polarizacién que se va a implementar es el circuito autopolarizado con cuatro resistencias, ya que sélo necesita de una fuente de alimentacién y es muy estable en temperatura, Para el disefio de debe abrir un nuevo workspace en ADS. Recuerde que ni en el nombre nien el drbol de directorios que utilice pueden aparecer tildes y/o caracteres especiales. Una vez abierto se importa el modelo del transistor y se le asigna un simbolo: Crear celda nueva y seleccionar en la barra de herramientas file/import. ¥ | \eheex7e7 taeees HNETO mM tens za Tera a|KeGa wHx9e2ta2ees ace 2/0 Una vez importado el transistor procedemos al disefio de su red de polarizacién. Para ello vamos a utilizar la herramienta “transistor bias”, que esté disponible en la paleta de herramientas. Una vez conectado el transistor a la Smart Tool de ADS se abre la herramienta de disefio de polarizacién que podemos encontrar en: DesignGuide/Amplifier/Tools/Transistor Bias Utilityte nee Atma eatbesatametes aaa. —— Tes — ——sEnla propia herramienta de polarizacién de ADS se puede comprobar que los valores de resistencia disefiados cumplen con el criterio del punto de trabajo deseado. El siguiente paso es realizar la polarizacién del transistor con valores de resistencia comerciales y comprobar de nuevo que el punto de trabajo es el indicado También se debe calcular la potencia consumida en cada una de las resistencias del disefio y comprobar que no se supera su valor nominal, en nuestro caso al ser resistencias SMD 0805, 125mW. BE | a fetid 2. Calculo de los pardmetros $ del amplificador. Una vez disefiada la red de polarizacién del transistor, insertamos los condensadores de desacoplo y as bobinas de choke y evaluamos los pardmetros $ del amplificador. En una primer momento realizaremos la simulacién con componentes ideales y posteriormente utilizaremos los modelos reales.. Aiiadimos una serie de Smart Tools que ofrece ADS para poder calcular directamente algunos de los parémetros més importantes del amplificador, como son los que definen la estabilidad del amplificador y las impedancias de maxima transferencia de potencia. Los resultados de la simulacién son los que se muestran en las siguientes figuras. En la primera figura se muestran los parametros S, donde podemos ver que el amplificador no esté adaptado, por lo que tendremos que disefiar una red de adaptacién de impedancias. También se puede ver que la ganancia del amplificador ideal es de 174B a 2GHz.En la siguiente figura se muestran los resultados de la simulacién ideal respecto a la estabilidad del amplificador y el cdlculo de las impedancias de maxima transferencia de potencia. Como se puede observar, el amplificador no es incondicionalmente estable en todas las frecuencias, existiendo una banda de frecuencias (por debajo de 1GHz) donde el amplificador no cumple el criterio de estabilidad incondicional. Esto puede suponer un problema en algunos casos, aunque la frecuencias potencialmente no estables estén muy alejadas de la frecuencia de disefio, aunque en este disefio no se va a emplear ninguna accién de estabilizacién. En la figura anterior se muestran también las impedancias que necesita el amplificador para maxima transferencia de potencia tanto a la entrada como a la salida, y que son el punto de partida para el disefio de las redes de adaptacién de impedancias del amplificador de maxima ganancia.Una vez evaluado el amplificador con componentes ideales se realiza el disefio del mismo con componentes reales. Para ello se cambian los condensadores y bobinas ideales por sus correspondientes modelos reales. En el caso del condensador utilizaremos unos condensadores de TDK C1608X8R de valor nominal 100pF. En el caso de las bobinas de choke el modelo serd EPCOS 0603 B82496c3221j000 de valor nominal 220nH También se afiaden todas las posibles lineas de transmisién necesarias para la correcta conexién del transistor y todos los componentes utilizados en el disefio del amplificador. El substrato utilizado en este caso es FR4 en el que se han medido sus caracteristicas para tener una mayor exactitud en el disefio (h=1.52mm, ¢,=4.48; tg6=0.02). Igualmente se ha afiadido una via en las conexiones de emisor para mayor parecido con la fabricacién. Los pardmetros S se muestran en la siguiente figura:af BRSRes, ae En cuanto a la estabilidad e impedancias para maxima transferencia de potencia, se muestran en la siguiente figura. “TCC Ces A la vista de la figura anterior, las impedancias que se necesitan para maxima transferencia de potencia tanto a la entrada como a la salida son: Z=(16.6+)0.05)Q Zour=(41.424478.73)2 3. Disefio de las redes de adaptacién de impedancias El siguiente paso en el disefio del amplificador es calcular las redes de adaptacién de impedancias para estar en maxima transferencia de potencia tanto a la entrada como a la salida del amplificador.Para el cdlculo de las redes utilizaremos una “Smart tool” de ADS que permite obtener la red de adaptacién entre dos impedancias cualquiera. Dada la frecuencia de disefio, 2GHr, utilizaremos lineas de transmisién (tramo en serie mas stub en paraleoo) para realizar las redes. Para ello afiadimos al disefio la Smart tool “Impedance Matching” y seleccionamos la ventana de disefio en la barra de herramientas tool/impedance matching Ol. 1 Singlesubbatcht A_SingleStubMatcht 1} tepedance Metcing Vig Os [Fie Teo View Hop ¥ RBA K HF udp demeanor] ASM i corto smrtcorrtcaiy co See St Se Semin] Pog a Sin ci, [SS i st] ee | - | 2 remeseee (Om) Serco cod iace abe ender ins I] e- wo 2-675. [ohm | = 5 | - z - a | tiers eet Oibtnodoe esa Seen nb cy En la ventana de control se selecciona la Smart tool de entrada e indicamos la frecuencia de disefio, impedancia caracteristica de las lineas a disefiar y las impedancias de entrada y salida tanto para la red de entrada como la de salida. Cabe destacar que por la forma de calcular las impedancias de esta herramienta hay que cambiar el signo de la parte imaginaria de la impedancia tanto de la red de entrada como la de salida. El valor de la impedancia a introducir en cada caso se muestra en la siguiente tabla: Red de entrada Red de salida 25 =502 25 =(41.425j78.73)Q 16.6-j0.05)Q Z=502 Una vez introducidas las opciones de disefio se selecciona “Design” y se escoge la red ‘que mejor nos convenga de entre las opciones que nos ofrece ADS. En este caso cogeremos, tanto para la entrada como para la salida, una red formada por linea detransmisién en seria mas stub acabado en abierto en paralelo. Los valores ideales de estas lineas se muestran en la siguiente figura. jas las redes ideales calculamos las dimensiones de las mismas en el substrato FR4 que estamos utilizando en nuestro disefio, Para ello, hacemos uso de la herramienta “LineCalc” (tools/LineCalc). Reed tama eee SS El disefio final del amplificador con las redes de adaptacién de impedancias se muestra cen la siguiente figura. Se ha afiadido una T (MTEE) para la conexidn de las lineas que forman las redes de adaptacién de impedancias. ALos resultados simulados del amplificador son los siguientes. Besse.) Ala vista de los resultados se puede comprobar como el amplificador est bien adaptado a la frecuencia de disefio, con una ganancia de 14.2dB y un aislamiento en torno a los 204. 4, Layout del amplificador Una vez disefiado el amplificador, se procede a la realizacién del layout o circuito impreso. Para ello es aconsejable, puesto que hay componentes que no tienen definido el layout, realizar un nuevo disefio esquemético con componentes no reales, pero si con el tamafio adecuado. Este esquemitico sélo se utilizaré para definir el layout del amplificador. Los componentes que se han utilizado en el amplificador tienen el siguiente tamafio: - _ Resistencias SMDO805: L=2mm; W=1.2mm; S=0.5mm = Condensadores SMD0603: : L=1.6mm; W=0.8mm; S=0.5mm = Bobinas SMD0603: : L=1.6mm; W=0.8mm; S=0.5mm. - Transistor BFG424F: SOT343 Los componentes discretos con tamafio SMD se pueden encontrar en la libreria “Lumped With Artwork” y para el transistor lo mas sencillo es insertar uno de la libreria “Devices BJT” y definir su artwork (layout). Para ello hay que clicar con el botén derecho del ratén, seleccionar “component/edit component artwork” y asignar el layout SOT343:omer Ai = Una vez definidos todos los tamafios de los componentes, se genera el layout del disefio (layout/Generate Layout) y se posicionan los componentes en la posicién adecuada. El layout final del amplificador queda como se muestra en la siguiente figura BHO X9CT PaQGet MWESH KEY >1SNE hie LLS Ot Neel > O50 Rhee Tees5. Una vez realizado el layout del amplificador se procede a la fabricacién del mismo. En este caso se ha elegido fabricarlo mediante insoladora y ataque quimico, por lo que tendremos que generar los archivos gerber de fabricacién y a partir de ellos con un visor de Gerber un pdf con el fotolito del disefio. Para general los archivos gerber se selecciona desde la ventana de layout, file/export y se selecciona el tipo de formato a exportar (Gerber/Drill) y el directorio donde lo exportara, con mtnracan bt Zoe Ga Go Go Esto genera en el directorio un archivo con la capa de cobre del disefio (capa cond) que podemos cargar con cualquier visor de archivos gerber. En este caso hemos utilizado el software GerberV, que es un visor gratuito de cédigo abierto. Una vez instalado y abierto el programa, se carga la capa del disefio y se puede exportar en pdf. El disefio en pdf, listo para su fabricacién, se muestra en la siguiente figura. En la siguiente figura se muestra el amplificador ya fabricado con ataque quimico en un substrato FR4,6. Montaje y medida del amplificador Una vez fabricado el amplificador se procede al montaje de los componentes del mismo, incluyendo las vias de conexién a tierra y la alimentacién. El montaje se ha realizado de forma manual con pasta de soldar SMD y un soldador de 25W con punta fina. La placa finalizada se muestra en la siguiente figura: En la siguiente figura se muestran las medidas del amplificador con un analizador de redes vectorial. Como se puede observar la similitud entre las medidas (gréficas rojas) y las simulaciones (graficas en azul) realizadas es muy alta, aunque se observa un ligero desplazamiento en frecuencia. La ganancia medida a 2GHz es de 14dB, muy similar a la pada en las simulaciones. Baw | NY |