22

CH ƯƠ NG
CHƯƠ NG 2
CÁC MẠ
MẠCH TẠ
TẠO DAO ĐỘNG
ĐỘNG
Chươ ng
ng này nhằm trình bày các vấn đề về tạo dao động, điều kiện và đặc điểm
mạch tạo dao động, ổn định biên độ và tần số dao động, phươ ng
ng pháp tính toán các mạch
dao động 3 điểm điện c ảm, 3 điểm điện dung, mạch clapp, mạch dao động ghép biến áp,
mạch dao động thạch anh, mạch dao động RC...

v ấn đề chung về
2.1. Các vấ về tạo dao động
động
Mạch dao động có thể tạo ra các dạng dao động :

- hình Sine (điều hòa) - xung chữ nhật.

- xung tam giác. - xung r ăng cưa...

Ơ đây ta xét tạo dao động hình Sine (điều hoà) vì đây là dạng dao động cơ bản.
Các mạch dao động hình Sine thườ ng
ng đượ c dùng trong các hệ thống thông tin, trong
các máy đo, máy kiểm tra, trong các thiết bị y tế ... Các phần tử tích cực dùng để tạo dao
động như đèn điện tử, transistor lưỡ ng
ng cực, FET, K ĐTT, hoặc như diode tunel, diode
gunn.

- Đèn dùng khi cần công suất ra lớ n,

n, tần số từ thấ p đến r ất cao.
- K ĐTT khi tần số yêu cầu thấ p và trung bình.
- Transistor khi tần số yêu cầu cao.
• Tham số cơ bản của mạch dao động
- Tần số dao động.
- Biên độ điện áp ra.
- Độ ổn định tần số dao động (nằm trong khoảng 10- 2 ÷ 10- 6)
- Công suất ra.
- Hiệu suất của mạch.
•  Nguyên tắc cơ bản để tạo mạch điều hòa
- Tạo dao động bằng hồi tiế p dươ ng.
ng.
- Tạo dao động bằng phươ ng
ng pháp tổng hợ 
 p mạch.
Chươ ng
ng này khảo sát mạch dao động theo nguyên tắc mạch dao động b ằng h ồi ti ế p
dươ ng.
ng.
 23

2.2. Điều kiệ

kiện dao động
động và đặc
đặc điểm củ
của mạ
mạch dao động
động
2.2.1. Điều kiệ
kiện để mạch dao động
động
 _ 
XV Xr 
a K (A)

a’
’
X r   _ 
Kht(B)

Hình 2.1. Sơ đồ

ơ đồ khối tổng quát của mạch dao động

ϕ k 
(A): Khối khuếch đại có hệ số khuếch đại : K  = K.e j
 jϕ ht
(B): Khối hồi tiế p có hệ số truyền đạt : K ht = K ht
ht.e

X’r  = K ht . Xr 

Mà Xr  = K . Xv
⇒ X’r  = K . K  ht.Xv
Mạch chỉ dao động khi Xv = X’r , ngh ĩ a là lúc đó ta có thể nối điểm a và a’ và tín
hiệu lấy ra từ mạch hồi tiế p đượ c đưa tr ở 
ở lại đầu vào (Mạch điện không có tín hiệu vào mà
có tín hiệu ra).
Vậy điều kiện để mạch dao động là :
X’r  = Xv ⇒ K . K ht = 1
 j (ϕk + ϕht)
Hay là : K K ht
ht . e = 1 (*)
Trong đó :
K : module hệ số khuếch đại ϕk  : góc pha của bộ khuếch đại
ht : module hệ số hồi tiế p
K ht ϕht : góc pha của mạch hồi tiế p
⎧K .K ht = 1 (1)
Từ (*) ⇒ ⎨
⎩ϕ = ϕ k  + ϕ ht = 2πn ( 2)

Vớ i n = 0, ±1, ±2, ...

ϕ : t ổng dịch pha của b ộ khuếh đại và của mạch hồi tiế p, biểu thị sự dịch pha giữa
X’r  và Xv.
Biểu thức (1) : điều kiện cân bằng biên độ, cho biết mạch chỉ có thể dao động khi hệ
số khuếch đại của bộ khuếch đại bù đượ c tổn hao do mạch hồi tiế p gây ra.
 24

Biểu thức (2) : điều kiện cân bằng pha cho thấy dao động chỉ có thể phát sinh khi tín
hiệu hồi tiế p về đồng pha vớ i tín hiệu vào.
2.2.2. Đặ
Đặcc điểm củ
của mạ
mạch dao động
động
1. M ạch dao động c ũng là một m ạch khuếch đại, nhưng là mạch khuếch đại t ự điều
khiển bằng hồi tiế p dươ ng
ng từ đầu ra về đầu vào. Năng lượ ngng tự dao động lấy từ nguồn
cung cấ p một chiều.
2. Mạch phải thỏa mãn điều kiện cân bằng biên độ và pha.
3. Mạch phải chứa ít nhất một phần tử tích cực làm nhiệm vụ biến đổi năng lượ ng ng
một chiều thành xoay chiều.
4. M ạch phải ch ứa m ột ph ần t ử phi tuyến hay một khâu điều ch ỉnh để đảm b ảo cho
 biên độ dao động không đổi ở tr ạng thái xác lậ p.
2.3. Ổn định
định biên độ dao động
động và tầ
t ần số
số dao động
động
2.3.1. Ổn định
định biên độ dao động
động
Khi mớ i đóng mạch, nếu điều kiện cân bằng pha đượ c th ỏa mãn tại một t ần số nào
đó, đồng thờ i KK htht > 1 thì mạch phát sinh dao động ở  tần số đó. Ta nói mạch ở  tr ạng thái
quá độ. Ở tr ạng thái xác lậ p biên độ dao động không đổi ứng vớ i K.K htht = 1.

Để đảm bảo biên độ ở tr ạng thái xác lậ p, có thể thực hiện các biện pháp sau đây :
- Hạn chế biên độ điện áp ra bằng cách chọn tr ị số điện áp nguồn cung cấ p một
chiều thích hợ 
 p.

- Dịch chuyển điểm làm việc trên đặc tuyến phi tuyến của phần tử tích cực nhờ  thay
đổi điện áp phân cực đặt lên cực điều khiển của phần tử khuếch đại.
- Dùng mạch h ồi ti ế p phi tuyến ho ặc dùng phần t ử hiệu ch ỉnh. Ví dụ điện tr ở 
ở  nhiệt,
điện tr ở 
ở thông của diode.
Tùy thuộc vào mạch điện cụ thể có thể áp dụng một trong các biện pháp trên.

2.3.2. Ổn định
định tầ
tần số
số dao động
động
Vấn đề ổn định tân số dao động liên quan chặt chẽ đến điều ki ện cân bằng pha. Khi
dịch pha giữa điện áp hồi tiế p đưa về và điện áp ban đầu thay đổi sẽ dẫn đến thay đổi của
tần số dao động.
Điều kiện cân bằng pha : ϕ = ϕK  + ϕht = 2πn
Cho n = 0 ⇒ ϕK  + ϕht = 0
ϕK , ϕht : phụ thuộc vào tham số m, n của các phân tử của mạch khuếch đại và mạch
hồi tiế p và phụ thuộc ω.
 25

ϕK  (m, ω) + ϕht (n, ω) = 0 (**)

Vi phân toàn ph ần và biến đổi (**) ta nhận đượ c biểu thức :

∂ϕ K  ∂ϕ ∂ϕ ∂ϕ ht 
dm +  K  dn +  K  d ω + d ω = 0
∂m ∂ω ∂ω ∂ω
∂ ϕ  K  ∂ ϕ ht 
dm + dn
d ω = − ∂ m ∂ n
Suy ra: (3)
∂ ϕ  K  ∂ ϕ ht 
+
∂ω ∂ω
Từ biểu thức (3) ta suy ra các biện pháp nâng cao độ ổn định tần số :
1. Thực hi ện các biện pháp nhằm giảm sự thay đổi tham số của m ạch hồi tiế p (dn)
và mạch khuếch đại (dm).
- Dùng nguồn ổn áp.
- Dùng các phần tử có hệ số nhiệt nhỏ.
- Gi ảm ảnh h ưở ng
ng c ủa t ải đến m ạch dao động b ằng cách mắc thêm tầng đệm ở đầ
ở  đầu
ra của tầng dao động.
- Dùng các linh kiện có sai số nhỏ.
- Dùng các phần tử ổn định nhiệt.
2. Dùng các biện pháp nhằm gi ảm t ốc độ thay đổi góc pha theo tham s ố của mạch,
∂ϕ  K  ∂ ht 
ngh ĩ a là giảm và  bằng cách chọn mạch dao động thích hợ  p.
∂m ∂m
3. Thực hiện các biện pháp làm tăng tốc độ thay đổi góc pha theo tần số, tức là bằng
∂  K  ∂ ht 
, xung quanh tần số dao động bằng cách sử dụng các phần tử có phẩm chất cao,
∂ω  ∂ω 
ví dụ thạch anh.
phươ ng
2.4. Các phươ  mạch dao động
ng pháp tính toán mạ động
2..4.1. Các mạ
mạch tươ 
tươ ng
ng đươ ng
ng củ
của mạ
mạch dao động
động dùng transistor

Z3
+
 _  Z1
 I 
 _ 
Z2

+
Hình 2.2. Sơ đồ
ơ đồ mạch tạo dao động dùng Transitor 
 26

 z 1 = r 1 + jx1 ≅  jx1 (r 1 ≅  0)

 z 2 = r 2 + jx2 ≅  jx2 (r 2 ≅  0)
 z 3 = r 3 + jx3 ≅  jx3 (r 3 ≅  0)
Điều kiện dao động :
 x1 + x2 + x3 = 0
 x1 , x2 cùng dấu
 x1 , x3 khác dấu
|x3| > |x2|
* Nếu z 1 , z 2 : C ⇒  z 3 : L
Ta có mạch dao động ba điểm điện dung (Colpits)

L3 C2

L1
C1

C2 L2

Hình 2.3. Mạch dao động ba điểm Hình 2.4. Mạch dao động ba điểm
điện dung (Colpits) điện cảm (Hartley)

* Nếu z 1 , z 2 : L ⇒  z 3 : C 

Ta có mạch dao động ba điểm điện cảm (Hartley)
Thông thườ ng
ng dùng ba mạch điện động ba điểm điện dung vì sự ổn định tốt hơ n
nhưng ba điểm điện cảm dễ thực hiện.
* Mạch biến thể :

L
C L2 L1
C3
C1

C2

Hình 2.5. Mạch dao động ghép biến áp Hình 2.6. Mạch dao động Clapp
 27

2.4.2. Phươ 
Phươ ngng pháp tính toán.
Có nhiều phươ ngng pháp, nhưng ở đ
ở  đây ta xét phươ ng
ng pháp thông dụng nhất, đó là tính
toán mạch dao động theo phươ ng ng pháp bộ khuếch đại có hồi tiế p.
Xem điều kiện pha đã bảo đảm (do k ết cấu mạch đảm nhiệm).
Ta chỉ cần căn cứ vào mạch điện cụ thể để xác định hệ số khuếch đại K và  K và hệ số hồi
tiế p K ht . Sau đó d ựa vào điều ki ện cân bằng biên độ  K.K ht 
 p  K ht  ht  = 1 để suy ra các thông s ố cần
thiết của mạch, ví dụ :
Tính điều kiện tự dao động của mạch ba điểm điện dung sử dụng BJT

Lc
Vcc
C
R1
Ct
C1

E I L Vtd

R2 C2
Re Ce
B

Hình 2.7. Sơ đồ

ơ  đồ mạch dao động ba điểm điện dung dùng Transitor 

 R E  , C  E  : thành phần ổn định nhiệt

 R1 , R2 : phân cực
 LC  : cuộn cản cao tần để giảm ảnh hưở ng
ng tần số dao động về nguồn
C t t : tụ liên lạc cao tần (thoát cao tần)
+ Bướ c 1 : Tính hệ số khuếch đại K :
 K :
h21e
 K = - S.Z c = -  Z c S : hỗ dẫn BJT
S :
h11e

 Z c : tr ở 
ở  kháng giữa Colectơ  và đất : nó là một phần tr ở 
ở  kháng của khung cộng
hưở ng.
ng.
 Z c = p2 Rtd  // Z vpa
vpa

vpa : tr ở 
 Z vpa ở  kháng vào phản ảnh sang nhánh Colectơ -emit
-emitơ .
 Nếu R1 // R2 >> h11e ta có :
 28

 Z v h11e
 Z vpa
vpa = =
n2 n2
Trong đó : n là hệ số phản ảnh. 0<n << 1
&
V   I   I  C 1
n=−  BE 
= : =
&
V CE 
 jωC 2  jωC 1 C 2

0<n << 1 ⇒  C 1 << C 2

 Rtd  là tr ở 
ở kháng của khung cộng hưở ng
ng tại tần số cộng hưở ng.
ng.
 L
 Rtd  =
Cr 
 L : điện cảm của khung cộng hưở ng
ng
C : điện dung của khung cộng hưở ng
C : ng
r : điện tr ở 
r : ở tổn hao của khung cộng hưở ng
ng
 p : hệ số ghép của Transistor vớ i khung cộng hưở ng
ng
C 1C 2
 jω 
&
V   I   I   I  C 1 + C 2
 p = &CE  = : = ×
V td   jω C 1 C 1C 2  jω C 1  I 
 jω 
C 1 + C 2

C 1C 2 C 2 1 1
= = = =
(C 1 + C 2 )C 1 C 1 + C 2
+1 1+ n
C 1
C 2

 Rtd  h11e
( 1 + n ) n 2
2 2
 p  Rtd  Z VPa
⇒  Z C  = =
 p  Rtd  + Z VPa
2
 Rtd  h11e
+
( 1 + n )2 n2

 Rtd  .h11e
⇒  Z C  =
n 2 Rtd  + h11e ( 1 + n ) 2

h21e  Rtd  .h11e

⇒  K  = −
h11e n  Rtd  + h11e ( 1 + n ) 2
2

 Rtd h21e
⇒  K  = −
n 2 Rtd  + h11e ( 1 + n )2

+ Bướ c 2 : Xác định hệ số hồi tiế p :

& BE 
V   I   I  C 
 K ht  = & =− : = − 1 = −n
V CE   jωC 2  jωC 1 C 2
 29

+ Bướ c 3 : Tính tích K.K 

tích K.K ht 
ht  :

 Rtd  .h21e
 KK ht  = n.
n  Rtd  + h11e ( 1 + n )2
2

+ Bướ c 4 : Xác định điều kiện dao động của mạch :

 K.K ht 
ht  ≥  1

 Rtd  h21e
⇒ (1 + n )2 + n 2 −  Rtd n ≤ 0
h11e h11e

Dấu “ = ” ứng vớ i tr ườ 

ườ ng
ng hợ 
 p dao động xác lậ p.
Dấu “ < ” ứng vớ i tr ườ 
ườ ng
ng hợ 
 p quá độ lúc đóng mạch.
+ Bướ c 5 : Xác định hệ số hồi tiế p cần thiết để mạch tự dao động đượ c.
c.
Thườ ng
ng n << 1 nên biểu thức trên có thể viết :
 Rtd  h21e
n2 − 2n  Rtd  + 1 ≤ 0 (*)
h11e 2h11e

h 21e h 11e
⇔ n2 − 2 n+ ≤0
2 R td

Giải phươ ng
ng trình bậc hai này ta nhận đượ c :
2

± ⎛ 
h21e h  ⎞ h
n1 ,2 = ⎜ 21e ⎟ − 11e
2 ⎝  2  ⎠  Rtd 
(*) ≤ 0 khi n2 ≤  n ≤  n1
Lúc đó mạch có dao động hình sine (ở tr ạng thái xác lậ p) tại n1 hoặc n2
2 2
⎛ h  ⎞ h ⎛ h  ⎞
Vì  Rtd  >>⇒ ⎜ 21e ⎟ − 11e ≅ ⎜ 21e ⎟
⎝  2  ⎠  Rtd  ⎝  2  ⎠
⇒ n1 = h21 > ⇒ loại bỏ n1 vì điều kiện n <<1

+ Bướ c 6 : Xác định tr ị số linh kiện m ắc trong mạch qua hệ số hồi tiế p n và qua tần
số dao động của mạch.
Từ giá tr ị n = n2 vừa tìm đượ c ta có :
⎧ C  h ⎛ h  ⎞
2
h
⎪n = 1 = n2 = 21e
− ⎜ 21 e
⎟ − 11e
⎪ C 2 2 ⎝  2  ⎠  Rtd 
⎪ ⇒ tìm đượ c L, C 1 , C 2
⎨ 1
=
⎪ dd  CH 
 f   f  =
⎪ C C 
2π  L 1 2
⎪⎩ C 1 + C 2
 30

Mạch điện các bộ

2.5. Mạ bộ dao động
động LC
2.5.1. Vấ
Vấn đề ổn định
định biên độ
Để ổn định biên độ trong các mạch dao động LC, thườ ng ng dùng phươ ng ng pháp di
chuyển điểm làm việc c ủa ph ần t ử tích cực. Điện tr ở ở  R
R E  trong mạch điện tính toán ở  trên
làm nhiệm vụ đó.(Nếu không mắc tụ C  E  //R E )
Khi mớ i đóng mạch, nhờ  có phân áp R 1, R 2 nên tiế p giáp BE của Transistor  đượ c
định thiên và làm việc vớ i góc cắt θ = 180o tươ ng
ng ứng vớ i chế độ dao động mềm. Hỗ dẫn
S của Transistor tại điểm làm việc ban đầu khá lớ n, n, do đó KK ht  ht  > 1 và mạch ở  vào chế độ
quá độ. Biên độ dao động tăng dần làm cho hạ áp trên R trên  R E  (tr ườ 
ườ ng
ng hợ  p không có tụ mắc
song song) tăng dần, đồng thờ i điện áp hồi ti ế p có cực tính âm tr ở  ở  về cực B c ủa BJT tăng
dẫn đến phân cực BE giảm, m ạch chuyển sang chế độ C ứng v ớ i góc cắt θ < 90 o. T ươ ng ng
ứng v ớ i ch ế độ dao động c ứng. Đồng thờ i h ỗ dẫn trung bình giảm làm cho hệ số khuếch
h21
đại K =
 K = - giảm và tích KK 
ht  t iến tớ i bằng 1 ở  chế độ xác lậ p.
tích KK ht 
h11

Trong mạch ta đã dùng hồi tiế p âm trên R E để chuyển d ịch làm việc t ừ khu vực có
hỗ dẫn lớ n sang khu vực có hỗ dẫn bé.

IC 

Điểm làm việc t ĩ 

 ĩ nh
nh

VBE

ωt
Hình 2.8. Đặc tuyến VBE - IC của Transitor 

Mạch dao động

2.5.2 Mạ động 3 điểm điện cả
cảm (Hartley)
Xét dao động 3 điểm điện cảm mắc E chung. Ta thấy :  X 1 = X CE 
CE  = ω 
 L1>o, X 2 =
1
CB = −
 X  BE  = ω  L2 > o, X 3 = X CB <o
ωc
Thỏa mãn điều kiện cân bằng về pha
Điều kiện cân bằng biên độ : (tính cho mạch hình 2.11)
 31

Vcc

R3 C1
R1 C
C2
L1

E E C Vtđ
R2
Re Ce L2

Hình 2.11. Sơ đồ

ơ đồ mạch tạo dao động Hartley mắc E chung

h21e h11e
Hệ số khuếch đại:  K  = − SZ c =− (  p 2 Rtd  //   ) ]
h11e n2

Hệ số phản ảnh khi L và L2 ghép chặt trên cùng một lõi:
khi L1 và L
V  BE  V  EB  Ijω(  L2 + M  )  L2 + M 
n=− = = =
V CE  V CE   Ijω(  L1 + M  )  L1 + M 

Trong đó M là
 M là độ hỗ cảm giữa 2 cuộn dây  M  = k   L1 L2

Thông thườ ng:
ng: k  = 0 ,5 ÷ 0 ,9 ở băng sóng dài và sóng trung
k  = 0 ,1 ÷ 0 ,2 ở băng sóng ngắn
Khi L và L2 ghép lỏng, ghép trên từng lõi riêng: M=0
Khi L1 và L riêng: M=0
V  BE  V  EB  Ijω L2  L2
Lúc đó: n=− = = =
V CE  V CE   Ijω L1  L1

V  BE  − Ijω L2  L
 K ht  = = = − 2 = −n
V CE   Ijω L1  L1

 p: hệ số ghép giữa transistor và mạch (khi L

 p: và L2 ghép lỏng) :
(khi L1 và L
V CE  V CE   L1 V CE  V CE  1 1 1
 p = = = ⇒ = = = =
V td  V CB  L1 + L2 V CB V CE  + U  EB V CE  V CE  1+ n
1+ 1−
V  EB V  EB

Thực hiện tươ ng

ng tự như các mạch tr ướ 
ướ c ta tìm đượ c bất phươ ng
ng trình :
 32

h21e h11e
n2 − 2n + ≤0
2  Rtd 

1 1
Tần số dao động :  f dd  =  f CHR = =
2π  LΣ C  2π (  L1 + L2  )C 

 Nếu ghép chặt : L

: LΣ  = L1 + L2 + 2M 

Vr
C

L1
C1
E C V t tđ đ   

L2
Re

C2 R2 R1 B

Vcc

Hình 2.12 Sơ đồ

ơ đồ mạch dao động 3 điểm điện cảm (Hartley)
mắc theo cực B chung.

2.5.3 Mạ
Mạch điện dao động
động ghép biế
biến áp

Vcc

C B
R1 Cb C
M *

B C L
V ht 
ht  = V 
 BE 
E *
R2
Re Ce E E
Vcc
Hình 2.9. Sơ đồ
ơ đồ mạch tạo dao động ghép biến áp mắc E chung

Tươ ng
ng t ự như mạch dao động 3 điểm điện cảm h ệ số phản ánh đượ c tính theo biểu
thức:
 33

&
V   jω MI   M 
n=-  BE 
=− =− ⇒ M < 0
&CE 
V   jω LI   L

Vớ i M là
 M là độ hỗ cảm giữa 2 cuộn dây sơ  cấ p và thứ cấ p.
 Ngh ĩ a là hai cuộn dây sơ  cấ p và thứ cấ p phải có cực tính ngượ c nhau để điện áp hồi
tiế p về đồng pha vớ i điện áp vào.

Điều kiện biên độ :

 M 
 K.K ht 
ht = 1; K ht 
ht  = - n =
 L

h11e
 K = - SZ C 
C ; Z vpa
vpa =
n2

1 1 1 n2 1 n2
Trong đó : = + + = + vớ i  Z  = Rtd  //  Z t 
 Z C   p 2 Rtd   p 2 Z t  h11e  p 2 Z  h11e

 Nếu tín hiệu ra từ mạch dao động đưa vào mạch khuếch đại đệm tr ướ 
ướ c khi lấy ra tải
2
thì Z 
thì Z t t>>Z 
  t >> p .Rtd . Do đó có thể bỏ qua Z 
vpa, và  Z t 
vpa qua Z t t. 

h11e
Lúc đó:  Z c =  p 2 Rtd  // 
n2

h21e
S  =
h11e

⎛  h21e  ⎞  R h nh  R
ht ≥  1 ⇒ ⎜
Lậ p tích : K.K 
: K.K ht  ⎜− ⎟⎟ 2 td  11e ( −n ) ≥ 1 ⇒ 2 21e td  ≥ 1
⎝  h11e  ⎠ n  Rtd  + h11e n  Rtd  + h11e

V CE  V CE 
 p = = =1
V td  V CE 

thay vào ta đượ c :

h21e h11e
n2 − 2n + ≤0
2  Rtd 

Giải ra ta đượ c k ết quả :

2
h21e ⎛ h  ⎞ h
n1 ,2 = ± ⎜ 21e ⎟ − 11e
2 ⎝  2  ⎠  Rtd 
K ết quả cũng giống như mạch ở phần trên đã tính toán
 34

Tần số dao động của mạch :

1
 f  =
2π  LC 

Để tạo dao động có tần số cao, dùng sơ đồ

ơ đồ bazơ chung vì điện áp vào và ra cùng pha
nên điều kiện cân bằng pha thỏa mãn khi M > 0 (2 cuộn dây quấn cùng cực tính)

Điều kiện biên độ cũng giống sơ đồ

ơ đồ emitơ chung nếu thay h21e , h11e bở i h21b và h11b.
&
V   Ijω M   M 
n=  EB
= = ; 0<n<1
&
V CB
 Ijω L  L

V CB
 p = =1
V td 

* *
L C Zt

Ce Re
R2 R1

Vcc

Hình 2.10. Sơ đồ

ơ đồ mạch tạo dao động ghép biến áp mắc B chung

2.5.4 Mạch Clapp

Vcc

Rc
R1
C3
C1
Cr  L
E
R2 Ce
Cv Re C
C2

Hình 2.13. Sơ đồ

ơ đồ mạch tạo dao động Clapp
 35

Đây là biến dạng của mạch ba điểm điện dung. Nhánh điện cảm cần đượ c thay bở i
một mạch cộng hưở ng
ng gồm L, C nối tiế p mà tr ị số của chúng đượ c chọn sao cho mạch có
1
tr ở 
ở kháng tươ ng
ng đươ ng
ng vớ i một điện cảm tại f = f d 
đ,
d đ   ngh ĩ a là ω dd  L >
ω dd C 

Hệ số ghép giữa transister và khung c ộng hưở ng:

ng:
V  BE   I   I  C 1
n = − = : =
V CE   j ω C 2  j ω C 1 C 2

V  BE 
 K ht  = = −n
V CE 

V CE   I   I  C td 

 p = = : =
V td   jωC 1  jωC td  C 1

1 1 1 1
Trong đó : = + +
C td  C 1 C 2 C 

Thườ ng
ng chọn C << C 1 , C 2 => C ≈  C td 
td 

C td  C 
=>  p = = << 1
C 1 C 1

 Ngh ĩ a là khung cộng hưở ng

ng ghép r ất lỏng vớ i BJT nhằm giảm ảnh hưở ng
ng của các điện
dung phân bố của phân tử tích cực (BJT) (điện dung ra, điện dung vào) đến tần số dao
động của mạch.
Tần số dao động của mạch :
1 1
 f dd  =  f ch = ≈
2π   LC td  2π   LC 

Vì vậy C1, C2 và các điện dung vào ra của transistor hầu như không tham gia
quyết định t ần s ố dao động c ủa m ạch . Do đó s ơ đồ
ơ  đồ Clapp cho phép tạo dao động có tần
số ổn định hơ n các loại sơ đồ
ơ  đồ ba điểm khác.
Theo điều kiện cân bằng biên độ ta xác định đượ c phươ ng
ng trình:
C 2 Rtd  h11e
2
. 2
h21e C 1 n nh21e Rtd .C 2
( −n).(− ). = ≥ 1.
h11e C 2 Rtd  h11e C 2 Rtd n 2 + h11e .C 1
2

+
2
C 1 n2

Suy ra:
C 
n 2 Rtd  − nh21e Rtd  + h11e (  1  ) 2 ≤ 0
C 
 36

h21e h11e C 1 2

⇔ n2 − 2 n+ (   ) ≤0
2  Rtd  C 

Từ đó tính đượ c :
2 2

± ⎛ 
h21e h  ⎞ h ⎛ C   ⎞
n1, 2 = ⎜ 21e ⎟ − 11e ⎜ 1 ⎟
2 ⎝  2  ⎠  Rtâ ⎝  C  ⎠

2.5.5 Các mạmạch tạtạo dao động

động dùng thạ thạch anh
Tinh thể thạch anh (quartz crystal) là loai đá trong mờ trong thiên nhiên có cấu tạo sáu
mặt và hai tháp ở  hai đầu (hình 2.14) có nhiều ở  nướ c ta. Thạch anh chính là dioxid
silicium SiO2 cùng chất làm lớ   p cách điện ở  transitor MOSFET. Ở tinh thể thạch anh có
các tr ục mang tên Z, X, Y. Tr ục Z xuyên qua hai đỉnh tháp, tr ục X qua hai cạch đối và
thẳng góc vớ i tr ục Z (có 3 tr ục X), tr ục Y thẳng góc vớ i hai mặt đối (có 3 tr ục Y).
Tinh thể thạch anh dùng trong mạch dao động là một lát mỏng đựơ c cắt ra từ tinh thể.
Tùy theo mặt c ắt th ẳng góc vớ i tr ục nào mà lát th ạch anh có dặc tính khác nhau. Th ườ ng ng
tr ục cắt là AT (thẳng góc vớ i tr ục Y, song song vớ i tr ục X và tạo vớ i tr ục Z một góc
35o15’). Lát thạch anh có diện tích mặt khoảng một đến vài cm2 đượ c mài mỏng đến vài
mm sao cho hai mặt thật phẳng và thật song song. Hai mặt này đượ c mạ kim loại (vàng
hay bạc) và hàn vớ i hai điện cực làm chân ra. K ế đến lớ   p thạch anh đượ c b ọc trong một
lớ 
 p bột cách điện và đượ c đóng trong hộ p thiết kín có hai chân ló ra, bên trong có th ể
đượ c hút hết không khí.
Z (tr ục quang) điện cực
(chân ra)
Y  bạc

(tr ục cơ )

X
(tr ục điện)

thạch anh

Hình 2.14. Tinh thể, cấu tạo và hình dạng linh kiện thạch anh
Đặc tính của tinh thể thạch anh là hiêu ứng áp điện (piezoelectric) theo đó khi ta áp hai
mặt của lát thạch anh thì một hiệu điện th ế xuất hiện giữa hai mặt, còn khi ta kéo dãn hai
mặt thì hiệu điện thế có chiều ngượ c lại. Ngượ c lại, dướ i tác dung của hiệu thế xoay chiều
lát thạch anh sẽ rung ở tần số không đổi và như vậy tạo tín hiệu xoay chiều ở  tần số không
đổi. Tần số dao động của thạch anh tuỳ thuộc vào kích thướ c của nó (đặc biệt là chiều
dày) và mặt cắt. Tần số dao động thay đổi theo thờ i gian và nhiệt độ môi tr ườ  ườ ng
ng nhưng
nói chung r ất ổn định. Ảnh hưở ngng quan tr ọng nhất lên thạch anh là nhiệt độ. Khi nhiệt độ
 37

thay đổi, kích thướ c của lát thạch anh thay đổi dẫn đến tần số dao động thay đổi theo,
nhưng dù sao cũng tram ngàn lần ổn định hơ n các mạch không dùng thạch anh. Do đó
trong những ứng dung cần ổn định tần số r ất cao ngườ i ta phải ổn định nhiệt độ thạch anh.
Các đồng hồ chỉ giờ  (đeo tay, treo tườ ng)
ng) đều dùng dao động thạch anh.
2.5.4.1. Tính chấ
chất và mạ
mạch tươ 
tươ ng
ng đươ ng
ng củ
của thạ
thạch anh
A  Lq , C q , r q : phụ thuộc kích thướ c
A khối thạch anh và cách cắt khối
Lq thạch anh.
Cp Cq C q: Điện dung tạo bở i 2 má ghép
vớ i đầu ra.
rq
Thông thườ ng
ng r q r ất nh ỏ có thể bỏ
B
qua.
B
Hình 2.15. Ký hiệu và mạch tươ ng
ng
đươ ng
ng của thạch anh
+ Thạch anh đượ c cấu tạo từ SiO2, đượ c sử dụng khi yêu cầu mạch dao động có
tần số ổn định cao vì hệ số phẩm chất Q của nó r ất lớ n.
n.
+ Thạch anh có tính chất áp điện : Điện tr ườ 
ườ ng
ng - sinh dao động cơ học và dao động
cơ học - sinh ra điện tích.
Do đó có thểdùng thạch anh như một khung cộng hưở ng.
ng.
Bỏ qua r q (r q = 0) thì tr ở 
ở kháng tươ ng
ng đươ ng
ng của thạch anh đượ c xác định :
⎛   ⎞
⎜  jω  Lq + 1 ⎟. 1
⎜  jω C q  ⎠⎟  jω C  p ω   LqC q − 1
2

 Z q =  X q = ⎝  =  j (*)

1 1 ω (C  p + C q − ω  Lq .C  p .C q )
2
 jω  Lq + +
 jω C q  jω C  p

Gọi f d 
    là tần số dao động của 1 mạch
dđ 
đ

Từ (*) thạch anh có 2 tần số cộng hưở ng:

ng:
- Tần số cộng hưở ng
ng nối tiế p f 
 p f q ứng vớ i Z q = 0
1
 f q =
2π   Lq .C q

- Tần số cộng hưở ng : f  p ứng vớ i Z q = ∞ 

ng song song : f 

1 C q + C q 1 C q

 f  p = = =  f q 1+
2π  Lq C q C  p 2π   LC td  C  p
 38

C q C  p
Trong đó : C td  = Cq nối tiế p C p
C q + C  p
Khi C p >> Cq => f  p ≈ f q . Dựa vào đặc tính điện kháng ta thấy
     < f q - Thạch anh ⇔ C 
 Nếu f d 
dđ 
đ
 jX q
  Nếu  f q < f d 
    < f 
dđ 
đ  p -T.anh ⇔ L
  Nếu f d   p - Thạch anh
    >f 
dđ 
đ ⇔ C 

 Nối tiế p Song song

 Các thông số đặc tr ưng của T.A:

f  p   f q : 1KHz ÷ 100MHz. Các

thạch anh có tần số thấ p hơ n ít
f q f  đượ c s ản xuất, vì loại này kích
thướ c lớ n hơ n và đắt tiền.
Thực tế, ngườ i ta thườ ngng sản
xuất thạch anh có tần số  f q :
50KHz ÷ 1MHz vì chọn đượ c
mặt cắt có tính ổn định nhất
cho thạch anh.
Hình 2.16. Đặc tính điện kháng của thạch anh

 Lq
 Lq C q C q
r q =0 ⇒  Rtd  = r ất lớ n Q =  Rtd  = = 10 4 ÷ 10 5 r ất lớ n
C q r q  Lq r q

Độ ổn định tần số :
∆ f 
≈ 10 −6 ÷ 10 −10
 f 0

Để thay đổi tần số cộng hưở ngng của thạch anh trong một phạm vi hẹ p, ngườ i ta mắc
nối tiế p thạch anh vớ i một tụ biến đổi Cs như hình vẽ.

CS q
Hình 2.17
Tần số cộng hưở ng
ng nối tiế p của nó :
C q
 f q/ =  f q 1+
C q + C  s
Lượ ng
ng thay đổi tần số do mắc thêm C  s vào:
 39

∆ f   f q/ −  f q C q 1 C q

= = 1+ −1 =
 f q  f q C  p + C  s 2 C q + C  s
2.5.4.2. Mạ
Mạch điện bộ
bộ tạo dao động
động dùng thạ
thạch anh vớ 
vớ i tầ
tần số
số cộng hưở 
hưở ng
ng song song

Vcc

Rc

Rb1

C1 q

Rb2 CS
Re Ce C2

Hình 2.18. Mạch bộ dao động dùng thạch anh

vớ i tần số cộng hưở ng
ng song song

 Nhánh thạch anh mắc nối tiế p vớ i tụ C  s tươ ng

ng đươ ng
ng vớ i 1 điện cảm để mạch có
thể dao động dướ i dạng 3 điểm điện dung.
Lúc đó phải chọn thạch anh sao cho:
1
 f q< f dd 
dd  < f 
 p và < ω dd  Ltd 
ω dd c s

2.5.4.3. Mạ
Mạch điện bộ
bộ tạo dao động
động dùng thạ
thạch anh vớ 
vớ i tần số
số cộng hưở 
hưở ng
ng nố
nối tiế
tiếp

Cs q
q C1
L3
C2
R 2 R 1 Re
Ce Re
C3 R 1 R 2
Vcc
Vcc

Hình 2.19. Mạch dao động dùng thạch anh vớ i Hình 2.20. Mạch d.động thạch anh vớ i tần số
tần số cộng hưở ng
ng nối tiế p, ghé p biến áp, EC cộng hưở ng
ng nối tiế p, ba điểm điện dung, BC
 40

C1 T1 q T2

Ck  Lk 
R 1 R 2 Re Rc R 3 R 4 Re

Vcc

Hình 2.21. Mạch bộ dao động dùng thạch anh vớ i tần số
cộng hưở ng
ng nối tiế p hồi tiế p qua hai tầng khuếch đại
Trong 3 sơ  đồ trên, thạch anh đượ c mắc hồi tiế p và đóng vai trò như 1 phân tử
ghép có tính chọn lọc đối vớ i tần số.
Khi f  đ  ~ f q (nối tiế
Khi  f d 
d đ   p) thì tr ở 
ở  kháng X 
kháng  X q = 0 - hạ áp trên thạch anh nhỏ làm điện áp
hồi tiế p về tăng lên và mạch tạo ra dao động vớ i tần số f dd  dd  = f q

2.5.5. Mạ
Mạch điện các bộ
bộ tạo dao động
động RC
 Đặc điểm chung của các bộ tạo dao động RC:

1. Thườ ng
ng dùng ở phạm vi tần số thấ p thay cho các bộ LC vì kích thướ c của bộ tạo
dao động LC ở tần số thấ p quá lớ n.
n.
2. Không có cuộn cảm, do đó có thể chế tạo nó dướ i dạng vi mạch
3. Trong bộ dao động RC - f dddd tỉ lệ vớ i 1/C, còn trong b ộ dao động LC thì f dd
dd tỉ lệ
1
vớ i trong bộ dao động RC dễ dàng thay đổi f dd
dd vớ i bộ dao động LC
C 
4. Yêu cầu bộ dao động RC làm việc ở chế độ A để giảm méo
5. Vì khâu hồi ti ế p (gồm các phân tử R,C) phụ thuộc tần số, nên mạch sẽ tạo đượ c
dao động tại tần số mà điều kiện pha đượ c thỏa mãn
 Bộ dao động RC dùng mạch di pha trong mạch hồi tiế p:

R1
C C C
R2
Vr
V1 R R R V2
I1 I2 I3

Hình 2.22. Mạch dao động RC

 41

Hệ phươ ng
ng trình :
⎛  1  ⎞
⎜⎜ + R ⎟⎟ I 1 − RI 2 = V &1
⎝  jω C   ⎠
⎛  1  ⎞
− RI 1 + ⎜⎜ + 2 R ⎟⎟ I 2 − RI 3 = 0
⎝  jω C   ⎠
⎛  1  ⎞
− RI 2 + ⎜⎜ + 2 R ⎟⎟ I 3 = 0
⎝  jω C   ⎠
 RI 3 = V  &2

Hệ số truyền đạt của mạch :

&1
V  5 ⎡ 1 6 ⎤
 K  =
& = 1− +  j −
⎢( ω RC  )3 ω RC ⎥
&2
V  ( ω RC  )2 ⎣ ⎦
1
* Phần ảo = 0 ⇒ ω =
6.RC
1
Thay ⇒ ω  = vào phần thực ta tính đượ c điều kiện cân bằng biên độ :
6 RC 
.

5
 K  = 1 − 2
= 1 − 30 = 29
(ω  R.C )
 R1
⇒  K  = = 29 ⇒ R1 = 29 R2
 R2

 Mạch dao động dùng mạch lọc T và T - kép trong m ạch hồi tiế p :

R  C C
2 3
C C
1 2 1

V1 R R  V2
V2 C/2 2R 
V1 R 

Hình 2.23. Mạch bộ dao động dùng mạch lọc

T và T kép trong hồi tiế p

• Vớ i mạch lọc T, viết phươ ng

ng trình dòng điện cho nút 1 và 2, từ đó xác định đượ c hệ số
truyền đạt:
 42

−
− V r  a 2 − 1 +  j 2a 1
 K ht  = −
= trong đó a =
a 2 − 1 +  j3a  RC 
ω 
V v

⎧⎪ (a 2 − 1) 2 + 4a 2
⎨ K ht  =
⎪⎩ (a 2 − 1) 2 + 9a 2

a (1 − a 2 )
ϕ ht  = arctg 
(a 2 − 1) 2 + 6a 2
1
ht  = 0 khi a = 1 tức ω dd  =
ϕ ht 
 RC 
Thay a = 1 vào kht ta tìm đượ c :
2
 K ht  = K htmun =
3
• Vớ i mạch lọc T kép:
V 2 a2 −1 1
 K ht  = = vớ i a=
V 1 (a 2 − 1) +  j 4a  RC 
ω 

Từ đó ta suy ra : 2 ph ươ ng
ng trình Module và pha:
−1 a2
 K ht  =
(a 2 − 1) 2 + 16a 2
− 4a 4a
ϕ ht  = arctg  2 = arctg 
a −1 1− a2
1 π 
Khi a = 1 ⇒ ω dd  = và ϕ ht  = ±
 RC  2
Và  K ht 
ht = K htmun
htmun = 0

• Mạch tạo dao động vùng K ĐTT có mạch T trong mạch nối tiế p:

Vr 
R 
R 1
C C

R  R 2

Hình 2.24. Mạch bộ dao động dùng K ĐTT có

mạch lọc T trong mạch hồi tiế p
 43

R 1, R 2 : Mạch hồi tiế p dươ ng;

ng; T : Hồi tiế p âm
2
Tại ω dd  :  K ht (−) =
3
Vì K o của K ĐTT r ất lớ n =>
Vì K 
 K ht ( + ) =  K ht  (−) và
 R2 2
 K ht ( + ) = = ⇒ R2 = 2 R1
 R1 + R2 3

Chính là điều kiện cân bằng biên độ của mạch.