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Fs300R12Ke3: Technischeinformation/Technicalinformation
Fs300R12Ke3: Technischeinformation/Technicalinformation
IGBT-Module
IGBT-modules FS300R12KE3
-EconoPACK™+ModulmitTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode
-EconoPACK™+withtrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlledHighEfficiencydiode
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Tvj = 25°C VCES 1200 V
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom TC = 80°C, Tvj max = 150°C IC nom 300 A
ContinuousDCcollectorcurrent TC = 25°C, Tvj max = 150°C IC 500 A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms ICRM 600 A
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
TC = 25°C, Tvj max = 150 Ptot 1450 W
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
VGES +/-20 V
Gate-emitterpeakvoltage
preparedby:MB dateofpublication:2013-10-02
approvedby:WR revision:3.1
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FS300R12KE3
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Tvj = 25°C VRRM 1200 V
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
IF 300 A
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
tP = 1 ms IFRM 600 A
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C I²t 19000 A²s
I²t-value
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Nennwiderstand
TC = 25°C R25 5,00 kΩ
Ratedresistance
AbweichungvonR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5 5 %
DeviationofR100
Verlustleistung
TC = 25°C P25 20,0 mW
Powerdissipation
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K
B-value
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 t.b.d. K
B-value
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 t.b.d. K
B-value
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:MB dateofpublication:2013-10-02
approvedby:WR revision:3.1
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FS300R12KE3
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min VISOL 2,5 kV
Isolationtestvoltage
InnereIsolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
Al2O3
Internalisolation basicinsulation(class1,IEC61140)
Kriechstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 14,5
mm
Creepagedistance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
Luftstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 10,0
mm
Clearance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
VergleichszahlderKriechwegbildung
CTI > 225
Comperativetrackingindex
min. typ. max.
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule
RthCH 0,005 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
Modulstreuinduktivität
LsCE 20 nH
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip TC=25°C,proSchalter/perswitch RCC'+EE' 1,10 mΩ
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
Tstg -40 125 °C
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
M 3,00 - 6,00 Nm
Mountingtorqueformodulmounting ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
M 3,0 - 6,0 Nm
Terminalconnectiontorque ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
Gewicht
G 910 g
Weight
preparedby:MB dateofpublication:2013-10-02
approvedby:WR revision:3.1
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FS300R12KE3
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE) IC=f(VCE)
VGE=15V Tvj=125°C
600 600
Tvj = 25°C VGE = 19V
Tvj = 125°C VGE = 17V
VGE = 15V
500 500 VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
400 400
IC [A]
IC [A]
300 300
200 200
100 100
0 0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V] VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE) Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VCE=20V VGE=±15V,RGon=2.4Ω,RGoff=2.4Ω,VCE=600V
600 90
Tvj = 25°C Eon, Tvj = 125°C
Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C
80
500
70
400 60
50
E [mJ]
IC [A]
300
40
200 30
20
100
10
0 0
5 6 7 8 9 10 11 12 0 100 200 300 400 500 600
VGE [V] IC [A]
preparedby:MB dateofpublication:2013-10-02
approvedby:WR revision:3.1
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FS300R12KE3
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
switchinglossesIGBT,Inverter(typical) transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Eon=f(RG),Eoff=f(RG) ZthJC=f(t)
VGE=±15V,IC=300A,VCE=600V
120 0,1
Eon, Tvj = 125°C ZthJC : IGBT
Eoff, Tvj = 125°C
100
80
ZthJC [K/W]
E [mJ]
60 0,01
40
20
i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,0051 0,02805 0,0272 0,02465
τi[s]: 0,01 0,02 0,05 0,1
0 0,001
0 4 8 12 16 20 24 0,001 0,01 0,1 1 10
RG [Ω] t [s]
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
(RBSOA) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IF=f(VF)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=2.4Ω,Tvj=125°C
700 600
IC, Modul Tvj = 25°C
IC, Chip Tvj = 125°C
600
500
500
400
400
IC [A]
IF [A]
300
300
200
200
100
100
0 0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VCE [V] VF [V]
preparedby:MB dateofpublication:2013-10-02
approvedby:WR revision:3.1
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FS300R12KE3
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF) Erec=f(RG)
RGon=2.4Ω,VCE=600V IF=300A,VCE=600V
35 32
Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 125°C
28
30
24
25
20
20
E [mJ]
E [mJ]
16
15
12
10
8
5
4
0 0
0 100 200 300 400 500 600 0 4 8 12 16 20 24
IF [A] RG [Ω]
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
transientthermalimpedanceDiode,Inverter NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
ZthJC=f(t) R=f(T)
1 100000
ZthJC : Diode Rtyp
0,1 10000
ZthJC [K/W]
R[Ω]
0,01 1000
i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,009 0,0495 0,048 0,0435
τi[s]: 0,01 0,02 0,05 0,1
0,001 100
0,001 0,01 0,1 1 10 0 20 40 60 80 100 120 140 160
t [s] TC [°C]
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approvedby:WR revision:3.1
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FS300R12KE3
Schaltplan/circuit_diagram_headline
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
In fin e o n
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approvedby:WR revision:3.1
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FS300R12KE3
Nutzungsbedingungen
DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
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approvedby:WR revision:3.1