Toute la lumiére sur ces composants qui ne travaillent pas au noir ln Soy ) : Les photorésistances : technologie, propriétés et applications Les photorésistances sont des composants connus depuis long- temps. De technologie peu complexe, de comportement égale- ment simple a comprendre, il semblerait qu’il ne reste que peu a dire a leur sujet... Pourtant, l’article qu’on va lire montrera que, loin d’étre de- venu un composant « démodé », la photorésistance mérite quel- que attention, ne serait-ce qu’en raison de la diversité des ap- plications auxquelles elle permet de satisfaire, 4 l’aide de circuits souvent fort simples et donc de coiit modique. Quelques rappels Exposés a la tains. semi-conducteurs voient leur résis: tance varier dans des proportions appréciables ; cet effet est suscepti- ble d’étre exploité, La variation de ce paramétre est mise a profit dans la photorésistance, composant doué propriétés électriques trés diffé: ules photoélec phototransistors Le phénoméne de variation de résistance, simple & assimiler, rend T'utilisation des pho: torésistances particuliérement a et simplifiera, dans de nombre cas, la conception de produits bast sur l'optoélectronique Contrairement aux photodiodes et tement sur une tension alternative, quill s'agisse du secteur, d'un signal ae audio-fréquence ou autre. ELECTRONIQUE APPLICATIONS NP 57 - PAGE 51S1:casH35 s 8 § goog i 3 cosexs i 285 ~ (De gauche a drone et de haut en bas. Principes de fabrication Deux principaux procédés de fa- brication des photorésistances sont utilisés aujourd'hui. Le premier consiste fritter, 4 haute tempéra ture, une poudre composée de sul: fure de cadmium et de chlorures de cadmium et de cuivre. Le second procédé (utilisé par Segor) exploite un brevet du CNET datant de 1951 Le principe de base consiste a évaporer, sous vide, du sulfure ou du séléniure de cadmium sur des plaquettes d’alumine préalablement prédécoupées au laser ou directe- ment en forme dans le cas de pastil- les circulaires ou de forme com- plexe. Le matériau de base n'a alors qu'une activité photoélectrique ré duite, et ne peut, de ce fait, étre ex. ploité. Il subit alors un traitement thermochimique qui lui donne ses caractéristiques électriques. Le ma- tériau est maintenant fortement pho. toconducteur, il reste a exploiter sa photoconductivité par l'intermé: diaire d’électrodes, Ces électrodes sont constituses par évaporation, sous vide, d'in- dium, au travers d'un masque. Ce dernier va déterminor la valeur de la résistance. La photorésistance, aprés test, est alors montée dans un boitier réalisé suivant une technolo- gie qui dépendra de son utilisation finale et qui interviendra dans son prix de revient. Par exemple, la pastille, issue du découpage de la plaquette, est col- lée sur une embase métallique ; les contacts entre les fils de sortie et les Glectrodes d'indium sont réalisés par résine époxy conductrice. Lem: base est alors coiffée d'un capot a fe: nétre de verre qui lui est soudé 6lectriquement (fig. 1). La technique PAGE 52 - ELECTRONIQUE APPLICATIONS N°S7 de fabrication utilisée pour les pho: torésistances permet de réaliser de rés grandes surfaces, par exemple locm x 10cm. Les évaporations sous vide se font au travers de mas: ques découpés chimiquement ; un procédé de fabrication économique ft, surtout, d'une grande souplesse pour des applications spéciales de versions sur mesure. Caractéristiques ‘Comme tous les composants éiec triques, les photoresistances se ca: raciérisent par des spécifications principales comme la sensibilité ou Ja résistance, ou secondaires comme Jeur comportement en température ou leur temps de réponse. Des ca- ractéristiques qui doivent étre pu ses en compte lors de optimisation de étude dapplication, mais que Ton peut négliger dans bon nombre decas.—————_guad!___——_——__ Sensibilité photoélectrique ‘Tout d'abord, il convient de préci cosH3s, ser que les photorésistances sont +40 congues & partir de deux matériaux, sulftre et séleniuze de cadmium, 20 | traités par des activateurs jouant sur B20) =, ee stifs _ % e une couleur_marron, | 100 donne naissance 4 des cellules de ee pente moyenne, tandis que le CdSe, ee cI noir, présente une pente nettement 1 plus importante. Les figures 2 & 8 ~40 donnent quatre types de réponses photodlectriques obtenues a partir de variantes des activations, avec =40 7 les courbes de sensibilité: variation 40-20) 9 420 HO 80 de la résistance en fonction de Température en C* Véclairement. Etant donné que la va- | >> leur nominale de la photorésistance, | _T exprimée 8 100 lux, dépend de sa - géométrie, il conviendra, pour cha- Fah Cun des modéles, de translater les 7 rt marin LK ft courbes de sensibilite qui sont celles | yy de cellules de résistance moyenne. ee On remarquera également que la Ts Loe plage de travail des photorésistan t ; ces s'étale de 4 6 décades pour i 7 Yéclairement, la variation de résis- ud tance dépendant de la pente du ma- 7 aS oe tériau seh A Sensibilité spectrale e 2 as ly a deux réponses différentes er pour le CdS et le CdSe, la figure 6 1 engueur donde en A montre que le sulfure de cadmium 2 wees EEE 0 ymm=107A sa courbe de sensibilité centrée & to_(ms) 400. 80 20 2 Ry in Ro Ro te to 10 Re 16 Re Re i t Photo diode Emettrice Pig 7 proximité de la courbe de sensibilié spectrale de I'ceil tandis que le sélé- niure de cadmium est décalé vers Vinfrarouge proche et peut étre uti- lisé dans le visible avec, bien sir, une sensibilité réduite. Pour une utilisation avec illumina- tion par diode électroluminescente, Je choix de Ia couleur déterminera la variation de résistance. Une extension de la réponse spec- trale dans ultraviolet est possible grace au dépét d'une couche fluo rescente sur la fenétre en quartz du capot. Cette couche fuorescente tansforme le rayonnement UV en un rayonnement «visible» pour la photorésistance. Le choix du maté- riau fluorescent adapte la cellule la longueur d'onde de [ultraviolet court (2836 A) ou long (3500 A.) La sensibilité du CdS 'adapte tout a fait & des commandes de compen- sation de la lumiére ambiante comme un allumage automatique de Téclairage public, un réglage auto: matique de luminosité d’afficheur, la détection de couleurs. ELECTRONIQUE APPLICATIONS N° 57 - PAGE 53.cose #35 10 +40 ~ 100 +20 al ° }-—} 29100 ok 4 -4 ° 1 =40 200 +20 +40 +60 Température en C* Fe8 ‘Temps de réponse Le temps a 'éclairement se définit I convient tout d'abord de définir ce temps de réponse. La photorésis- tance, par rapport aux photodiodes et phototransistors, présente un temps de réponse relativement favo- rable a l'élimination de réponses pa- rasites lors d'applications en com- ‘mutation statique, Deux temps de réponse sont défi nis, 'un & V’éclairement et ‘autre au retour a lobscurité, comme le temps mis par le résis- tance passer de la résistance & Tobscurité (Ro) a 1,6 fois la résis- tance 4 'éclairement. Le temps de retour se définit comme étant celui nécessaire pour passer de la résistance & l'éclaire- ment a 10 fois cette valeur initiale La figure 7 illustre cette définition. Ce temps de réponse n'est pas constant, il change avec la valeur de Véclairement ; ainsi, le temps de ré- ponse d'un CdS H 35 sera de 350 ms Lux et de 16 ms & 1 000 lux tandis que le temps de retour sera de 5000 ms a I lux ot de 150 ms 1000 lux. Ce matériau, a faible pente et haute stabilité, est le plus lent; de Vautre cété de la gamme, le CdSe X 5 présente un temps de réponse a Veclairement de 16 ms a 1 lux et de 0,8ms a 1 000 lux; le temps de 6: ponse a 'obscurité varie de 18 ms & Tux &2msé 1 000 lux. Done, les différents matériaux se caractérisent par un temps de ré- ponse asymétrique, une particula- rité a connaitre pour bien exploiter te composant. Comportement thermique Les figures 8 et 9 montrent le com- portement thermique des matériaux CdS H 38 et CasSe H 38. Les trois courbes de chaque graphique mon trent que le coefficient de tempéra ture varie avec l'éclairement : il de- vient négatif 4 lobscurité. Autre constatation : plus la pente de la cel- lule est importante et plus son coeffi- cient de température lest aussi. Une cellule, lente et a faible pente, réali sée a partir de CdS H 35 présentera une meilloure stabilité thermique GC % L7TZIIIZZ RZZZZZZZDy 21 Pg. 10 i av cdse case (| aw aw transparent = transparent ig. 11 (agauche) et 12 axons) PAGE 54 - ELECTRONIQUE APPLICATIONS N° 57——l1— 8 colonnes, Al2O3 lignes ig 13 — De gauche i droite: élecredeinfrioure Mou ; couche de CalSe Au transparent poss sur le GdSe els lignes avec sbparaions qu'une autre réalisée en CdSe H 35 ou X 8. Co paramétre thermique sera a prendre en compte lors des études. Par ailleurs, la température maxi- male de fonctionnement des cellules dépend de encapsulation ; avec un montage verre/métal, la tempéra: ture de fonctionnement atteindra 1282C alors qu'elle sera limitée a 70°C pour un encapsulage plastique ou époxy, Stabilité Les cellules photorésistantes évo- luent au cours des premiers mois de leur vie. La variation de la valeur sera, pour une CdS H 35, de 5% a 1.000 lux et de 20% & 0,1 Tux au bout de plusicurs mois de fonctionne- ment. La variation est une augmenta- tion de la résistance et de la pente de la courbe R=f(€). On prévoira done, lors de l'étude, un coefficient de sécurité pour Yéclairement comme pour T'obscu: rite est également possible d'effec- tuer une compensation pour travail- ler & résistance moyenne et tempé- ature constante, par le biais d'une régulation de lumiére et de tempé- rature Fig 14 ~ Structure muliple 0 compensation 4 + analyse 9 commun ig. 15. — Configuration pour reconnaissance des formes, Electrodes en_indjum pe O25 mm ys ig. 16. Dispostion en 16. La facilité de réalisation de moda- les différentiels ou doubles permet de compenser le vieillissement natu- rel sans électronique complexe ; Vévolution des deux éléments étant alors paralldle. Dissipation La puissance admissible dépend de la Surface de la photorésistance. Elle sera aussi fonction de son mode de montage dans le boitier, un bot tier métallique dissipant davantage d’énergie que son homologue plasti- que. Sans radiateur, on admet une puis- sance de § mW/mm? en régime per. ELECTRONIQUE APPLICATIONS N° 57 Zone photosensible oa —T ents (échelle 10 environ), manent, la puissance instantanée, en impulsions de 12 ms, pouvant attein: dre 10 W/mm?, Le fonctionnement doit étre tel que la température de la pastille se situe entre ~ 85°C et + 125°C, I'in dium des électrodes diffusant 4 140 °C et fondant vers 180°C. Humidité L'humidité peut s‘infiltrer dans une cellule non protégée, elle ¥é duira la résistance d’obscurité et ‘augmentera a résistance a l’éclaire- ment. Bien entendu, les éléments actifs sont protégés par vernis acrylique ACESSone marke c Tig 1? ou silicone avec, en outre, un enro- bage dans une résine poxy ou po: lyester. La meilleure solution reste Yencapsulage verre-métal avec sou- dure électrique. Géométrie La zone photosensible est consti- tuée d'un Tuban de largeur et de longueur données. Ce ruban est placé entre deux électrades. Plus la argeur du ruban est faible, plus la valeur de la photorésistance est basse et réciproquement ; plus la longueur est importante et plus la résistance est basse. La aussi, la réciprocité joue. On aura done par- fois intérét & obtenir la distance in: ter-électrodes 1a plus faible possi ble, cette distance étant toutefois limitée par le procédé de déposition sous vide des électrodes (fig. 10). 2 [> ig 18 — Mesure dintenstéaminewse, Stucture dun capteur angulace (8 gauche); d'un caper recilgne (8 droite et équlvalonce élecwique, Par ailleurs, plus le ruban est fai- ble, moins grande est sa tenue en tension, Une photorésistance prévue pour travailler sous haute tension devra donc bénéficier d'un large ru- ban, ce qui conduira @ une valeur ohmique élevée. Bien sir, 'augmen- tation de lonqueur du ruban est pos. sible mais elle augmente la taille du composant, Liadoption d'une structure d’élec- trodes en peigne aux dents entrela- cées conduit 4 une baisse de la va leur ohmique. Les cellules photorésistantes usuelles ont, pour les versions standard, une tenue al- lant de 30 V 800 V. Pour des applications spéciales, la tenue en tension peut étre portée a plusieurs milliers de volts. L'un des modéles utilisés pour des intensifi cateurs d'image supporte une ten- sion de 10kV avec, bien sitr, une r6- sistance interne élevée corollaire de catte haute tension, Fig 10. Commande photosiecteique PAGE 56 - ELECTRONIQUE APPLICATIONS N°S7———1_!__ Photorésistances en technologie Planar Les photorésistances classiques sont réalisées avec une structure co- planaire Les électrodes sont opa: ques et places I'une en face de l'au: tre. Dans un nouveau procédé, la pre: migre couche déposée sur le subs: tat est une couche conductrice mé- talhque sur laquelle on dépose la couche photosensible activée par thermodiffusion. Sur cette couche, ‘on dépose ensuite une seconde cou- che métallique assez fine pour étre transparent. Cette technique de fabrication a permis de réaliser divers modéles de photorésistances présentant une surface sensible nettement plus im- portante que celle des modes clas- siques et, surtout, sans zones d'om- bre telles celles créées par la superposition des électrodes sur le matériau photosensible La figure 11 présente un capteur simple de grande surface et la fi- gure 12 une version dérivée, a 4 quadrants, Plus intéressante est la confection de matrices que I'on obtient de la fa on suivante: depots d’électrodes ar évaporation sous vide, gravure chimique, puis dépét de CdSe suivi du dopage. La figure 19 donne le processus de fabrication dans lequel la dé coupe finale s‘effectue au diamant avec contréle de la profondeur de découpe. Cette technique de fabrication permet de détecter la position de points avec une précision de 50 wm, Les cellules peuvent travailler a Véchelle | sans optique et la dimen: sion maximale du capteur n'est limi: tée que par la taille du substrat et des machines. Elle peut atteindre 210 x 297 mmm, par exemple, Ces cellules sont encore un stade expérimental. Le procédé de réalisation a été vénifié. Des investis- sements en matériel et en personnel sont a faire pour aboutir a une com- mercialisation, Ces techniques nouvelles ont donné lieu ~ notamment dans le cas de la société Segor ~ & un marché étude, portant sur les matrices photosensibles, conclu avec AN- VAR, eg Pov 67vs 2 Pc 67,VS 2 Fig 20. hg 21 et 2 — Convertsseure lume /irequence Lecture de repare compensie on éclairement ambiant 18311 ‘ig 23. Détecteur de postion Applications des photorésistances Les photorésistances classiques Elles sont réalisées sous diverses présentations répondant a des be- soins généraux ou particuliers La taille de la pastille sera souvent un critére déterminant, notamment pour des applications demandant ‘une miniaturisation poussée du pho- tocapteur. La technique de fabrication per- met d'aller du plus petit au plus grand : 8 titre d'exemple le modale Ie plus petit de la gamme Segor fait seulement 2mm de diamétre, les ELECTRONIQUE APPLICATIONS N® 57 - PAGE S7ee _ GENERATEUR AF} C3ai GE n PF Sortie: gp Sortie 22ko Dow csesce wort Entrée ar S ‘Cucutt de 1ype CAG, lmsteur compresseur Sortie AF Commande "hg 25 — Anénusteur ou imerruptour 2 vies pastilles rondes, les plus grandes, ayant un diamétre de 18 a 20mm, Des éléments de grande longueur, plus de 150 mm, peuvent également éue réalisés, par exemple pour des détections de position La pastille photorésistante sera alors installée dans un bottier métal- lique rempli d'un gaz inerte et soudé, ou bien simplement vernie ou enrobée dans une résine améliorant, sa tenue a ’humidite, Bien sir, toute une gamme de cel: lules peut étre réalisée avec une méme géométrie externe » électro- des linéaires ou en peigne, matériau PAGE 58 - ELECTRONIQUE APPLICATIONS N°S7 CdS ou CdSe dans les différentes variantes. Ellés peuvent aussi étre fournies en «puces» pour le montage en composants de surface (CMS). Photorésistances spéciales La technique de fabrication offre tune grande souplesse de réalisation La confection de photorésistances annulaires de fort diamétre ne pose aucun probleme. La division de la zone photosensible en deux parties conduit a l'obtention de modes cit: férentiels. Les deux parties, ayant subi le méme traitement thermochi- mique, bénéficient donc des mémes propriétés photoélectriques. Ces photorésistances différenticlles se ont utilisées pour la détection de spot dans des systémes diasservis. sement, par exemple, ou encore I'unt des éléments peut recevoir un éclai- rement fixe et, travaillant 4 la méme température que l'autre, assurer sa compensation en température. Les deux éléments peuvent étre séparés ou dotés d'une électrode unique. I existe, depuis relativement peu de temps, une photorésistance dou ble dont les deux éléments sont in terdigités et bénéficient d'une élec trode commune, La encore, le méme traitement thermochimique sert pour apparier les deux éléments, Tentrelacement des éléments leur assure le méme éclairement. Ce type de photocapteur est part: culigrement adapté aux commandes de gain en stéréophonie o l'on a be- soin d'un gain variable identique sur les deux voies ou dans des systémes de mesure et de positionnement. Plus de 4 éléments, c'est aussi pos- sible. Il a ainsi été réalisé, pour un procédé de tir laser, une photorésis tance multiple 4 21 éléments per mettant de repérer la position d'un rayon laser sur la cible et diafficher le résultat (fig. 14). La photorésistance se préte égale- ment a la xéalisation de barrettes susceptibles d’étre exploitées pour uune reconnaissance de forme ou un suivi de pistes. Deux capteurs standard figurent au catalogue Segor — Yun de 1 48 éléments plus 1 de compensation, vis-a-vis de la lu- miére ambiante sans systéme de commande automatique de gain,—_11Hd——_— destiné @ une reconnaissance de forme sommaire (fig. 18) un second @ 16 photorésistances organisées en ligne au pas de 250 um, chacune des celulles étant indépendante des autres (fig. 16). Toute autre disposition d’éléments peut étre réalisée. Les substrats se percent et se découpent au laser et diverses photorésistances peuvent étre réunies sur un méme substrat 4 condition toutefois d'étre réalisées dans un méme matériau ou de subir le méme traitement thermochimi- que. Rien ne s'oppose a ce que Ton depose du CdS et du CdSe sur un méme substrat Photopotentiomatres Le photopotentiométre est une ap- plication récente de la photorésis. tance. La réalisation du photopotentiomé- tre consiste 4 coucher, sur un subs: frat d'alumine, une couche photo. sensible de CdSe. Une fois cette couche activée, on dépose une piste résistante (NiCr) et une piste conductrice (indium), Lensemble est placé dans le noir et un spot éclaire un point de la piste Le schéma équivalent est donné & Ja figure 17. La valeur de la résis- tance de contact demande le prélé- poh D csaics S1L : Balance i Volume csarcs st Entrée sortie 6 6 ig @7_ Commande de volume et cde belance: SalcEnPr ig 28. Attanuateur Acommande unéaie 3.8168 S2L Entrée = Mimentation—- sortie -=— Alimentation —» = Sn Tomperature| ELECTRONIQUE APPLICATIONS NP 57 - PAGE 59———————_+j—W______—_—_- vement de la tension par un systéme a trés haute impédance d'entrée. Linterét de ce potentiométre est Vabsence totale de frottement, d'usure, de crachement, 'insensibi lité aux perturbations électriques et aux vibrations et, surtout, la possibi- ité de travailler en ambiance dan- gereuse ou dans un liquide. Ce type de potentiométre est par- ticuligrement adapté a la transmis- sion de données comme, par exem. ple, la position de l'aiguille d'un Instrument de mesure +59 cs sIcenpr entrée TTL Sortie isolée Photocoupleurs Le principe de base est le méme que celui des photocoupleurs a pho totransistors. Ils utilisent une ou plu sieurs photorésistances placées, au choix, devant une LED (faible ten sion), une lampe 4 incandescence (tension moyenne) ou un néon. Cette derniére source permettant une at taque directe par la tension secteur La photorésistance du photocou pleur peut étre traversée par un courant alternatif et peut travailler avec des tensions trés faibles, de Yordre de quelques microvolts, ce qu'un phototransistor ne supporte pas. La photorésistance peut, par ail leurs, accepter des tensions de plu- sieurs centaines de volts, Le photocoupleur photorésis: tance est réalisé dans un boitier opa- que dont la géométrie détermine Vigolement entre V'émetteur et le ré cepteur, qui peut atteindre 100kV pour un boitier de 40mm de lon: gueur installé dans un liquide dié- Entrée Mesure os 81 sie ' sorte Entrée ‘cis 7OAGE SPF SOE EEE Ty ow] PAGE 60 - ELECTRONIQUE APPLICATIONS N57t Commande! t ' cS 8iGENs triae IGT <10ma Fig 33 ~ Roles tatique diac cssicens Fig 34 — Relaestanique d tynstor Schémathéque de base Ona réuni ici toute une série dap: plications des photorésistances et des photocoupleurs adaptée & des cas généraux. Le principe de base consiste a faire varier I'intensité lu- mineuse frappant la surface photo. sensible et déclenchant une varia- tion de résistance. Dans deux séries d'applications, nous avons une ou plusieurs photo- resistances avec une distance plus ou moins grande de la source lumi neuse : soleil, pour une mesure am biante — LED ou lampe pour le pho- tocoupleur, Dans le cas du photocoupleur, un signal électrique déclenche la mesure tandis que dans celui de la photorésistance, est un événement physique : rota- tion de la Terre (pour une com- mande d’éclairage automatique), passage d'un volet (pour une fin de course), etc. (© Mesure de lumisre Nous avons ici un montage en pont avec deux réglages, un pour le gain et 'autre pour le 2610. Lorsque la lu- minosité augmente, la tension de sortie diminue ot l'aiguille dévie vers la droite. Une commutation de gamme peut étze prévue, un filtre atténuateur neutre étant placé de- vant la photorésistance pour les hau: tes luminosités. Le matériau choisi pour la cellule sera du CdS H 35, le plus stable (fig. 18). ‘© Commande photodlectrique Il s'agit 1a (fig. 19) du schéma de base : la sortie se fait en tout ou rien, par tension ou par relais, Le circuit RC, placé a entrée du montage, permet de ralentir la transmission de la tension de commande pour fil- rer les variations rapides de lu migre, Une réinjection de la tension de sortie, sur entrée non inver- ELECTRONIQUE APPLICATIONS N57 - PAGE! seuse de J'amplificateur opération- nel, permet de créer un hystérésis, La commande peut étre due a Yéclairement ou a lobscurcissement de la cellule. Autre possibilité ; un montage différentiel pour détecter les contrastes. © Lecture de repéres en ambiante La lecture d'un repére peut étre interprétée diversement par un sys téme photoélectrique lorsque la lu- minosité ambiante varie. Un « noir » fortement éclairé équivaut & un «blanc» en lumidre atténuée. Le schéma proposé (fig. 20) compare la réflexion sur le sol ot sont disposés des repéres a la luminosité ambiante captée par I'intermédiaire d'une cellule équipée d'un filtre atténua- teur et diffusant (fltre blanc transiu cide). La détection sera possible quelle que soit la luminosité am- biante.onpe cs 816s SL © Triae Tube fluo 220v 68ka Dae a ~ filament Fig 85. Commande de wbe Nuoreacent Commande c 3 81 GE NP ig 36 —Interrupiour aac © Convertisseur lumiére/fréquence Cing composants pour ce conver- tisseur (Gig. 21) qui délivre des im- pulsions @ une fréquence qui dé pend de l'éclairement et de la valeur de C, Les oscillations sont g&- nérées par un transistor unijonction monté suivant le schéma classique do Toscillateur 3 relaxation, © Convertisseur lumiére/fréquence a « 855 » Cette variante du montage précé- dent utilise un timer 585 associé quelques composants dans la confi guration de l'oscillateur astable (lig. 22) @ Détecteur de position de spot L’amplificateur opérationnel est {ci associé a une photorésistance dif férentielle éclairée par un spot. Un potentiometre permet d’ajuster le zero. La tension de sortie sera ex ploitée directement ou transmise & tun circuit d'asservissement suiveur de spot (fig. 23). PCN S21Pou EN1P. ig. 37 ~ Detection de eoupure de fusible © Circuit de trémolo et d’expression On exploite ici (fig. 24) les carac- {éristiques linéaires et bidirection- nelles des photorésistances. Le pho- tocoupleur regoit deux tensions PAGE 62 ~ ELECTRONIQUE APPLICATIONS N° 57 superposées, une tension TRF et une tension continue qui est contrélée par une pédale. La tension alterna- tive est constante ou variable. L'atté- nuateur ainsi constitué module la tension de sortie en amplitude,'e Circuit de commande de gain automatique Cette application (fig. 26) est trés utilisée en audio ot 'on apprécie sa facilité de mise en ceuvre. La valeur de la photorésistance joue sur le gain de 'amplificateur ; le détecteur de sortie commande la LED et constitue, avec le photocoupleur, tune boucle de contre-réaction. Sui vant la configuration et la réponse, en temps et en amplitude, du re- dresseur, on obtiendra une fonction de CAG, de limiteur ou de compres- seur: pour travailler en porte de bruit («noise gate »), on ajoute le cir. cuit en pointillé; ainsi le réglage du gain ne s‘effectuera plus en boucle fermée. @ Atténuateur ou interrupteur deux voies Cet atténuateur double a la parti cularité d'utiliser un photocoupleur a résistance double dont les deux éléments sont appairés par fabrica- tion. Le montage peut travailler en atténuateur ou en interrupteur, la commutation est parfaitement silen- cieuse et le retour au gain unite steffectue en douceur. Un circuit in téressant pour couper automatique- ment la musique d’ambiance a l'ap- parition d'un message prioritaire ou de sécurité (fig. 26). © Commande de volume etde balance Cette variante de la figure précé- dente utilise deux photocoupleurs séparés dont on fait varier simulta nément le courant de commande pour ajuster le volume et, en opposi- tion, pour la balance. Notons la sépa- ration totale des masses du circuit de commande et audio (fig. 27). @ Atténuateur & commande linéaire Sur cet atténuateur, les deux pho- torésistances varient en sens in verse, formule limitant la variation d'impédance de I'atténuateur et permettant, en outre, de linéariser la commande, Ici encore, l'adoption un photocoupleur permet une va- riation de attenuation sans bruit et une séparation complete des mas- ses. Le systéme de commande des diodes peut étre remplacé par un dispositif numérique (ig. 28). © Commande linéaire compensée en température Ce circuit (fig. 29) est destiné & transmettre une information conti nue avec isolement et compensation des photorésistances. Ces derniéres sont appairées et installées dans le méme boltier. La tension de sortie est identique a celle d'entrée sauf, si les composants sont di mensionnés pour respecter un coef: ficient de transfert @ Interface TTL isol Cet interface, entre un circuit TT et un autre, qui peut étre d'une autre technologie, permet d'isoler deux circuits sans point commun. Ce mon- tage pourra étre adopté en milieu in- dustriel od Yon tolére un temps de réaction moyen mais oll l'on exige une bonne protection vis-a-vis des parasites. Le choix d'un photocou- pleur a réponse lente sera particu- liérement apprécié (fig. 30). © Mesure de valeur efficace vraie La photorésistance permet de convertir une intensité lumineuse en résistance électrique. Si l'on utilise une ampoule pour éclairer la photo: résistance, on auira une relation en- tre la valeur efficace vraie de la ten sion d'alimentation et la valeur ‘ohmique de la résistance (fig. 31. ‘© Chopper a photorésistance Les deux photorésistances au CdSe (réponse rapide) constituent tun atténuateur, Les deux diodes, ali- mentées par une tension alternative, montées (éte-béche, s'autoproté- gent. Ce circuit permet de traiter des tensions continues extrémement Fig 38. Détection de coupure de phase ELECTRONIQUE APPLICATIONS N° 57 - PAGE 63PENS 21P rt | utilisation i= Fig 38 ~ Temporiston a photocoupleur non ig 40 — Commande par contact a résitance eevee faibles. On utilisera un photocou- pleur 4 forte tension d'isolement et faible capacité parasite, entre la photorésistance et la diode. Ce schéma peut également étre réalisé partir de photocoupleurs & néon (fig. 32). Relais statique a triac Certains photocoupleurs admet- tent une tension élevée. Ce montage (ig. 38) permet de commander la conduction d'un triac & partir d'une tension continue, par exemple, pour détecter une sonnerie de telephone. Le trac sera un modéle sensible: Igt <10mA. © Relais statique a thyristor Les thyristors sont, en général, plus sensibles que les triacs. Si le courant de commande doit étre fai- ble, la solution thyristor est préféra: ble au triac. La technique est iden que ala précédente, Is thyristor doit cependant étze précéd6 d'un pont pour disposer des deux alternances aux bornes de la charge (fig. 4). Photoréaistances multiple, © Commande de tube fluorescent Le schéma est celui d'un grada- teur dont on fait varier Tangle de passage du courant pour moduler éclairement du tube fluorescent. En alimentant la diode électrolu- minescente, 'espace ionisé du tube fluorescent est shunté par le triac (ig. 35). PAGE 64 - ELECTRONIQUE APPLICATIONS N°S7 ¢ Interrupteur a triac La charge est alimentée en per- manence (fig. 36) Lorsque le photo- coupleur est alimenté, le condensa- tour est shunté et la gachette du ttiac ne regoit plus de signal, la charge ost alors coupée. Ce mon tage fonctionne en opposition de phase par rapport a celui de la fi gure 33.———_a—@___—_- © Détection de coupure de fusible Ce montage (fig. 37) permet de détecter la coupure d'un fusible et de commander un circuit d'alarme. Le photocoupleur utilisé associe un tube néon et une photorésistance. Le tube néon est alimenté directement par le secteur au travers de Ia résis: tance de protection traditionnelle. Le circuit d'alarme est séparé galva- niquement du secteur. © Sécurité on triphasé Ce montage (fig. 38) utilise trois photocoupleurs au néon. Les trois holorésistances sont cablées en sé- ne ; si 'un des néons s’éteint, la ré- sistance totale augmente fortement (fonction OU). Si une des phases n'est plus alimentée, la résistance augmentera et pourra commander un dispositif de sécurité, © Temporisateur & photocoupleur au néon Le condensateur C est chargé par une tension continue au travers de la résistance R. Lorsque la tension d’amorcage est atteinte, le néon s‘al- 175 Resolution : 10 pV, 10 nA, 10m2 ‘Mode relatif, dB, calibration, ‘Mémoire 100 mesures. Option : lume, la résistance série empéchant Ie fonctionnement en relaxateur du montage. Le relais colle et s'auto-ali mente par un de ses contacts. Ce contact permet, par ailleurs, la dé charge de C pour le cycle suivant ig. 39), Commande par contact Ahaute résistance Le principe est celui du relais sta: tique, On utilise ici un photocoupleur _ au néon permettant de travailler di rectement avec la tension du sec tour. Le contact pout étre a forte 16- sistance, le travail sous haute tension ¢t faible courant assurant une bonne fiabilité de manceuvre. Le thyristor sera un modéle a faible courant de commande (< 10 mA) (ig. 40). Etude Segor Optoélectronique (par E. Lemery) 003% 20000 pts 5 fonctions... 3.7 90 FHT. anc Tel (1) 60.11.51.55 ELECTRONIQUE APPLICATIONS N° 57 - PAGE 65 'SERVIGE-ANNONCEURS N22