6. Para una muestra de silicio tipo-n con Nq = 5 x 10*5 cm~? se encuentra que F, — Er 1,02 x 108 eV. ,Cual es la concentracién de portadores en exceso?. Determine Fy — E yeh. Dates: Part silico! mis AF x10" cm-3 kT = ooasqed dds 5x0" em? Regt Aouxig”” eV Terenas que: Nim: per fo dani: mo Nd Entences: Mne= 5210" on? tenets (asain) 2 use! bones lo = o> po rm jo. = 5H = Ui y eee f F x10 owe? » Tenemos. gts (Fn Eler m= me uw) Par oho lado (Ep Bie mo= mi & =o2 Eis fj = kT-tn/ aol ey Zquonde (9 y (2)Evtonas con en (3) => 400% 10 eV escRieirs® coe: > Thy = kT 4 » 5 ws Me= SX10. Gr? Ta - Gp = Aux? of 0.02590 In ( fist Sn) > 4orx|0aV = in { ae a) /e 9, 02st me nox" 0.035 > Moth = @ > mo tSm = m0 @ sexe" > gue mer ng 110" 2 Sn= sxe owt 9 — sx 10" owt 0) « Tamban sAbermes que la cmeantraco de onhies on ents putdeSn= Sp ~ Sata + Pe lotto: Sn = axio cw? = Sp + Par to tomo tn wmcanlncen de press on arceso Sn= axio™ om Spe 2X10" ow + Pare detomnime Fa- Ei usames (Fn -G Ver (Fn- 6) / eT > me am Th-& kT > Fa-Es = eT In (at) > Fa-E;= eteln (eS) > Tr-Ei* Qowra ln (= Sem’ + 2x10" em ) 45X10 om = 033 eV * Pace dletomnine E\-Fp — ustrnos (€ =F) Aer pemeUsaie" coe? 4 “3