You are on page 1of 11

Đại Học Quốc Gia Tp.

HCM ĐÁP ÁN ĐỀ KIỂM TRA GIỮA HỌC KỲ, 2017-2018


Trường Đại Học Bách Khoa MÔN: MẠCH ĐIỆN TỬ - EE2007
Khoa Điện - Điện Tử Ngày: 12/10/2017
Bộ Môn Viễn Thông Thời gian: 90 Phút (7g15 - 8g45)
ooOoo Sinh Viên Không Được Phép Sử Dụng Tài Liệu

1. Đáp án đề thi này gồm có 11 trang, 3 câu.

Câu 1: (4 đ) Cho mạch khuếch đại như Hình 1. Transistor 𝑄 có các thông số sau: ℎ𝑓 𝑒 = 𝛽 = 60, 𝑉𝛾 = 𝑉𝐵𝐸
= 0.5 V. Các tụ điện có giá trị rất lớn.
𝑉𝐶𝐶 = 15 V

𝑅
3.9 kΩ
𝑅𝑜𝑢𝑡
𝑅
56 kΩ
𝑖𝐿
𝑅𝑖𝑛
𝐶 → ∞
𝑄
𝑅𝐿 1 kΩ
𝐶 → ∞

𝑅 0.1 kΩ
𝑖𝑖 𝑅 12 kΩ

𝑅 1 kΩ 𝐶
→ ∞

Hình 1: Câu 1.

1.1. Tính 𝐼𝐶𝑄 , 𝑉𝐶𝐸𝑄 ?


𝑉𝐶𝐶 = 15 V 𝑉𝐶𝐶 = 15 V

𝑅
56 kΩ 𝑅 3.9 kΩ 𝑅 3.9 kΩ

𝑅𝑇 𝐻
𝑄 𝑄
𝐼𝐵𝑄
𝐼𝐸𝑄

𝑅 12 kΩ 𝑉𝑇 𝐻
𝑅 𝑅 + 𝑅 𝑅 1.1 kΩ

(a) Xét mạch ở chế độ DC. (b) Mạch tương đương.

Hình 2: Câu 1.1.

Solution:

∙ Xét mạch ở chế độ DC. Mạch khuếch đại ở Hình 1 được vẽ lại như ở Hình 2a và ở Hình 2b.

∙ Áp dụng Thevenin cho nguồn 𝑉𝐶𝐶 và các điện trở 𝑅 , 𝑅


. Ta có:

𝑅𝑇 𝐻 𝑅 ||𝑅
. k
𝑅 𝑅 ||𝑅

𝑉𝑇 𝐻 𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐶
. V
𝑅  𝑅
𝑅

Họ và Tên SV: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . MSSV: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 / 11


Solution:

∙ Giả sử Transistor 𝑄 hoạt động ở miền tích cực (Active). Áp dụng định luật Kirchhoff về điện áp (KVL) tại
vòng BE, ta có:

 −𝑉𝑇 𝐻  𝑅𝑇 𝐻 𝐼𝐵𝑄  𝑉𝐵𝐸  𝑅  𝑅 𝐼𝐸𝑄


 −𝑉𝑇 𝐻  𝑅𝑇 𝐻 𝐼𝐵𝑄  𝑉𝐵𝐸  𝛽   𝑅  𝑅 𝐼𝐵𝑄
𝑉𝑇 𝐻 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵𝑄
. (𝜇 A)
𝑅𝑇 𝐻  𝛽  𝑅
𝐼𝐶𝑄 𝛽𝐼𝐵𝑄 . (mA)
𝐼𝐸𝑄 𝛽  𝐼𝐵𝑄 . (mA)
𝑉𝐸 𝑅 𝐼𝐸𝑄 . (V)
𝑉𝐵 𝑉𝐸  𝑉𝐵𝐸
.  (V)
𝑉𝐶 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅 𝐼𝐶𝑄 .  (V)
𝑉𝐶𝐸𝑄 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 . (V)

∙ Từ các giá trị của 𝑉𝐵 , 𝑉𝐶 , 𝑉𝐸 , 𝑉𝐶𝐸𝑄 , ta thấy mối nối B-E phân cực thuận và mối nối B-C phân cực ngược
nên Transistor 𝑄 hoạt động ở miền tích cực (đúng với giả thiết ban đầu).

∙ Điểm phân cực tĩnh: 𝑄  𝐼𝐶𝑄 , 𝑉𝐶𝐸𝑄  = (1.67 mA, 6.6 V).

1.2. Xác định biên độ dòng qua tải lớn nhất 𝑖𝐿,  không méo?

Solution:

∙ Phương trình đường tải một chiều (DCLL):

𝐼𝐶
𝑉𝐶𝐶 𝑅 𝐼𝐶  𝑉𝐶𝐸  𝑅  𝑅 𝐼𝐸 𝑅 𝐼𝐶  𝑉𝐶𝐸  𝑅 ≈ 𝑅  𝑅 𝐼𝐶  𝑉𝐶𝐸
𝛼
𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶 − 𝑉𝐶𝐸  − 𝑉𝐶𝐸 
𝑅  𝑅 𝑅  𝑅 𝑅𝐷𝐶 𝑅𝐷𝐶
.
𝑉𝐶𝐸  mA

với 𝑅𝐷𝐶 𝑅  𝑅 (k).

∙ Phương trình đường tải xoay chiều (ACLL):

𝑖𝑐
 𝑅 ||𝑅𝐿 𝑖𝑐  𝑣𝑐𝑒  𝑅 𝑖𝑒 𝑅 ||𝑅𝐿 𝑖𝑐  𝑣𝑐𝑒  𝑅
𝛼
 ≈ 𝑅 ||𝑅𝐿 𝑖𝑐  𝑣𝑐𝑒  𝑅 𝑖𝑐

𝑖𝑐 − 𝑣𝑐𝑒
𝑅 ||𝑅𝐿  𝑅

𝑖𝐶 − 𝐼𝐶𝑄 − 𝑣𝐶𝐸 − 𝑉𝐶𝐸𝑄 
𝑅 ||𝑅𝐿  𝑅

𝑖𝐶 − 𝑣𝐶𝐸  𝐼𝐶𝑄  𝑉𝐶𝐸𝑄
𝑅 ||𝑅𝐿  𝑅 𝑅 ||𝑅𝐿  𝑅
𝑉𝐶𝐸𝑄
𝑖𝐶 − 𝑣𝐶𝐸  𝐼𝐶𝑄 
𝑅𝐴𝐶 𝑅𝐴𝐶
𝑖𝐶 − . 𝑣𝐶𝐸  . (mA)

với 𝑅𝐴𝐶 𝑅 ||𝑅𝐿  𝑅 . (k).

Họ và Tên SV: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . MSSV: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 / 11


Solution:

∙ Biên độ dòng qua tải lớn nhất 𝑖𝐶,  không méo


{︂ }︂
𝑉𝐶𝐸𝑄 − 𝑉𝐶𝐸sat
|𝑖𝐶,  |  𝐼𝐶𝑄 , . mA
𝑅𝐴𝐶

∙ Biên độ dòng qua tải lớn nhất 𝑖𝐿,  không méo

𝑅
|𝑖𝐿,  | |𝑖𝐶,  | . mA
𝑅  𝑅𝐿

1.3. Vẽ các đường tải AC và DC (ACLL và DCLL)?

Solution:

∙ Hình 3 biểu diễn DCLL và ACLL.

𝑖𝐶 (mA)

10
9
8
7
6 DCLL
5
ACLL
4
3 𝑄 (𝐼𝐶𝑄 , 𝑉𝐶𝐸𝑄 )
2
1
𝑣𝐶𝐸 (V)
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15

Hình 3: Câu 1.3.

1.4. Vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ? Tìm 𝑅𝑖𝑛 , 𝑅𝑜𝑢𝑡 , và tính độ lợi khuếch đại dòng 𝐺𝑖 = 𝑖𝐿 /𝑖𝑖 ?

Solution:

∙ Mô hình tín hiệu nhỏ ở Hình 1 được vẽ lại như ở Hình ở Hình 4:

∙ Điện trở 𝑟𝜋 hay ℎ𝑖𝑒 :


𝑉𝑇
𝑟𝜋 ℎ𝑖𝑒  . (k)
𝐼𝐵𝑄

∙ Tổng trở ngõ vào:


𝑣𝑖
𝑅𝑖𝑏  𝑟𝜋  𝛽  𝑅 . (k)
𝑖𝑏
𝑣𝑖
𝑅𝑖𝑛  𝑅 ||𝑅
||𝑅𝑖𝑏 . (k)
𝑖𝑖

Họ và Tên SV: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . MSSV: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 / 11


Solution:

∙ Tổng trở ngõ ra:



𝑣𝑐 ⃒⃒
𝑅𝑜𝑢𝑡  𝑅 . (k)
−𝑖𝐿 ⃒𝑣𝑠𝑖𝑔 

∙ Độ lợi khuếch đại áp 𝐺𝑖 𝑖𝐿 /𝑖𝑖 :

𝑖𝐿 𝑖𝐿 𝑖𝑐 𝑖𝑏 𝑣𝑖
𝐺𝑣  × × ×
𝑖𝑖 𝑖𝑐 𝑖𝑏 𝑣𝑖 𝑖𝑖
𝑅
− ×𝛽× × 𝑅𝑖𝑛 −
. (A/A)
𝑅  𝑅𝐿 𝑅𝑖𝑏

𝑅𝑖𝑛 𝑅𝑖𝑏 𝑅𝑜𝑢𝑡


𝑣𝑖 𝑏 𝑐 𝑣𝑐
𝑖𝑖 𝑖𝑏 𝑖𝑐 𝑖𝐿

𝑟𝜋 𝛽𝑖𝑏

𝑒
𝑖𝑖 𝑅 ||𝑅
𝑅 3.9 kΩ 𝑅𝐿 1 kΩ
𝑖𝑒

𝑅 0.1 kΩ

Hình 4: Câu 1.4.

Câu 2: (4 đ) Cho mạch khuếch đại như Hình 5. Transistor 𝑄 có các thông số sau: ℎ𝑓 𝑒 = 𝛽 = 60, 𝑉𝛾 = 𝑉𝐵𝐸
= 0.5 V. Các tụ điện có giá trị rất lớn.

𝑉𝐶𝐶 = 15 V

𝑅 3.9 kΩ 𝑅𝑜𝑢𝑡
𝑅 47 kΩ 𝑅
𝑅𝑖𝑛
𝑣𝑜
𝐶
→ ∞ 4.7 kΩ
𝑅𝑖 𝐶 → ∞
𝑄
𝑅𝐿 10 kΩ
1.0 kΩ

𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑅
12 kΩ 𝐶 → ∞

𝑅 1 kΩ 𝑅 0.1 kΩ

Hình 5

2.1. Tính 𝐼𝐶𝑄 , 𝑉𝐶𝐸𝑄 ?

Họ và Tên SV: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . MSSV: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 / 11


Solution:

∙ Xét mạch ở chế độ DC. Mạch khuếch đại ở Hình 5 được vẽ lại như ở Hình 6a và ở Hình 6b.

∙ Áp dụng Thevenin cho nguồn 𝑉𝐶𝐶 và các điện trở 𝑅 , 𝑅


. Ta có:

𝑅𝑇 𝐻 𝑅 ||𝑅
.  k
𝑅
𝑅 ||𝑅

𝑉𝑇 𝐻 𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐶 . V
𝑅  𝑅
𝑅

∙ Giả sử Transistor 𝑄 hoạt động ở miền tích cực (Active). Áp dụng định luật Kirchhoff về điện áp (KVL) tại
vòng BE, ta có:

 −𝑉𝑇 𝐻  𝑅𝑇 𝐻 𝐼𝐵𝑄  𝑉𝐵𝐸  𝑅 𝐼𝐸𝑄


𝑉𝑇 𝐻 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵𝑄 . 𝜇A)
𝑅𝑇 𝐻  𝛽  𝑅
𝐼𝐶𝑄 𝛽𝐼𝐵𝑄
.
(mA)
𝐼𝐸𝑄 𝛽  𝐼𝐵𝑄
.
(mA)
𝑉𝐸 𝑅 𝐼𝐸𝑄
.
(V)
𝑉𝐵 𝑉𝐸  𝑉𝐵𝐸
. (V)
𝑉𝐶 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅 𝐼𝐶𝑄 . (V)
𝑉𝐶𝐸𝑄 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸
. (V)

∙ Từ các giá trị của 𝑉𝐵 , 𝑉𝐶 , 𝑉𝐸 , 𝑉𝐶𝐸𝑄 , ta thấy mối nối B-E phân cực thuận và mối nối B-C phân cực ngược
nên Transistor 𝑄 hoạt động ở miền tích cực (đúng với giả thiết ban đầu).

∙ Điểm phân cực tĩnh: 𝑄  𝐼𝐶𝑄 , 𝑉𝐶𝐸𝑄  = (2.2 mA, 12.66 V).

𝑉𝐶𝐶 = 15 V 𝑉𝐶𝐶 = 15 V

𝑅 47 kΩ 𝑅 3.9 kΩ 𝑅 3.9 kΩ

𝑅𝑇 𝐻
𝑄 𝑄
𝐼𝐵𝑄
𝐼𝐸𝑄

𝑅
12 kΩ 𝑉𝑇 𝐻
𝑅 1 kΩ 𝑅 1 kΩ

(a) Xét mạch ở chế độ DC. (b) Mạch tương đương.

Hình 6: Câu 2.1.

2.2. Vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ của mạch khuếch đại?

Solution:

∙ Mô hình tín hiệu nhỏ của mạch ở Hình 5 được vẽ lại như ở Hình 7.

2.3. Tìm tổng trở ngõ vào 𝑅𝑖𝑛 , tổng trở ngõ ra 𝑅𝑜𝑢𝑡 , và độ lợi khuếch đại áp 𝐺𝑣 = 𝑣𝑜 /𝑣𝑠𝑖𝑔 ?

Họ và Tên SV: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . MSSV: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 / 11


𝑅𝑖𝑛 𝑅𝑖𝑏 𝑅𝑜𝑢𝑡
𝑅𝑖 𝑣𝑖 𝑐 𝑣𝑐 𝑅
𝑏
𝑣𝑜
1 kΩ 𝑖𝑖 𝑖𝑏 𝑖𝑐 4.7 kΩ 𝑖𝑜

𝑟𝜋 𝛽𝑖𝑏

𝑒
𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑅 ||𝑅
𝑅 3.9 kΩ 𝑅𝐿 10 kΩ
𝑖𝑒

𝑅 ||𝑅

Hình 7: Câu 2.2.

Solution:

∙ Điện trở 𝑟𝜋 hay ℎ𝑖𝑒 :


𝑉𝑇
𝑟𝜋 ℎ𝑖𝑒  . 𝑘
𝐼𝐵𝑄

∙ Tổng trở ngõ vào:


𝑣𝑖
𝑅𝑖𝑏  𝑟𝜋  𝛽  𝑅 ||𝑅 .
𝑘
𝑖𝑏
𝑣𝑖
𝑅𝑖𝑛  𝑅 ||𝑅
||𝑅𝑖𝑏 . 𝑘
𝑖𝑖

∙ Tổng trở ngõ ra:



𝑣𝑜 ⃒⃒
𝑅𝑜𝑢𝑡  𝑅  𝑅 . 𝑘
𝑖𝑜 ⃒𝑣𝑠𝑖𝑔 

∙ Độ lợi khuếch đại áp 𝐺𝑣 𝑣𝑜 /𝑣𝑠𝑖𝑔 :

𝑣𝑜 𝑣𝑜 𝑣𝑐 𝑖𝑐 𝑖𝑏 𝑣𝑖
𝐺𝑣  × × × ×
𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑣𝑐 𝑖𝑐 𝑖 𝑏 𝑣𝑖 𝑣𝑠
𝑅𝐿 𝑅𝑖𝑛
× − 𝑅  𝑅𝐿 ||𝑅 × 𝛽 × × − . 
V/V
𝑅  𝑅𝐿 𝑅𝑖𝑏 𝑅𝑖𝑛  𝑅𝑖

2.4. Chọn lại giá trị 𝑅


để mạch đạt điều kiện max-swing?

Solution:

∙ Phương trình đường tải một chiều (DCLL):

𝐼𝐶
𝑉𝐶𝐶 𝑅 𝐼𝐶  𝑉𝐶𝐸  𝑅 𝐼𝐸 𝑅 𝐼𝐶  𝑉𝐶𝐸  𝑅 ≈ 𝑅  𝑅 𝐼𝐶  𝑉𝐶𝐸
𝛼
𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶 − 𝑉𝐶𝐸  − 𝑉𝐶𝐸 
𝑅  𝑅 𝑅  𝑅 𝑅𝐷𝐶 𝑅𝐷𝐶
.
𝑉𝐶𝐸  . mA

với 𝑅𝐷𝐶 𝑅  𝑅 . (k).

Họ và Tên SV: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . MSSV: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 / 11


Solution:

∙ Phương trình đường tải xoay chiều (ACLL):

𝑖𝑐
 𝑅 || 𝑅  𝑅𝐿 𝑖𝑐  𝑣𝑐𝑒  𝑅 ||𝑅 𝑖𝑒 𝑅 || 𝑅  𝑅𝐿 𝑖𝑐  𝑣𝑐𝑒  𝑅 ||𝑅
𝛼
 ≈ 𝑅 || 𝑅  𝑅𝐿 𝑖𝑐  𝑣𝑐𝑒  𝑅 ||𝑅 𝑖𝑐

𝑖𝑐 − 𝑣𝑐𝑒
𝑅𝐶 || 𝑅  𝑅𝐿   𝑅 ||𝑅

𝑖𝐶 − 𝐼𝐶𝑄 − 𝑣𝐶𝐸 − 𝑉𝐶𝐸𝑄 
𝑅 || 𝑅  𝑅𝐿   𝑅 ||𝑅
𝑉𝐶𝐸𝑄
𝑖𝐶 − 𝑣𝐶𝐸  𝐼𝐶𝑄 
𝑅 || 𝑅  𝑅𝐿   𝑅 ||𝑅 𝑅 || 𝑅  𝑅𝐿   𝑅 ||𝑅
𝑉𝐶𝐸𝑄
𝑖𝐶 − 𝑣𝐶𝐸  𝐼𝐶𝑄 
𝑅𝐴𝐶 𝑅𝐴𝐶

với 𝑅𝐴𝐶 𝑅 || 𝑅  𝑅𝐿   𝑅 ||𝑅 .


(k).

∙ Hình 8 biểu diễn DCLL và ACLL.

∙ Từ Hình 8, mạch Hình 5 hoạt động ở chế độ Max-swing:

𝑉𝐶𝐸𝑄 − 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 𝑅𝐴𝐶 𝐼𝐶𝑄

∙ Mặt khác, ta có
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸𝑄
𝐼𝐶𝑄
𝑅𝐷𝐶

∙ Với 𝑉𝐶𝐸sat .
V, ta có
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡
𝐼𝐶𝑄 . mA
𝑅𝐴𝐶  𝑅𝐷𝐶
𝑉𝐶𝐸𝑄 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐷𝐶 𝐼𝐶𝑄 . V
𝐼𝐶𝑄
𝐼𝐵𝑄 . 𝜇A
𝛽

∙ Để mạch khuếch đại phân cực ổn định:

𝑅𝑇 𝐻 𝑅 ||𝑅
6 . 𝛽  𝑅 . k

∙ Chọn 𝑅𝑇 𝐻 . 𝑘. Mặt khác, KVL tại vòng BE ta có:


𝑉𝑇 𝐻 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵𝑄 . 𝜇𝐴
𝑅𝑇 𝐻  𝛽  𝑅
𝑅
𝑅 ||𝑅

𝑉𝑇 𝐻 𝐼𝐵𝑄 𝑅𝑇 𝐻  𝛽  𝑅   𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐶


. 𝑉 
𝑅  𝑅
𝑅
𝑅 ||𝑅

𝑅 𝑉𝐶𝐶 . 𝑘
𝑉𝑇 𝐻
𝑅
𝑅
𝑉𝑇 𝐻 . 𝑘
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑇 𝐻

∙ Vậy 𝑅 = 35.8 (k), 𝑅 = 7.3 (k).

Họ và Tên SV: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . MSSV: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 / 11


𝑖𝐶 (mA)

DCLL
4
ACLL
3

2 𝑄 (𝐼𝐶𝑄 , 𝑉𝐶𝐸𝑄 )

𝑣𝐶𝐸 (V)
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15

Hình 8: Câu 2.4.

Câu 3: (2 đ) Cho mạch tách pha sử dụng FET như Hình 9.

𝑉𝐷𝐷 = 15 V

𝑅𝐷 1 kΩ
𝑅𝑜

𝑣𝑜
𝑅
𝐽 𝑅𝑜

10 kΩ
𝑣𝑜

𝑣𝑠𝑖𝑔
𝑅𝑆 1 kΩ

Hình 9: Câu 3.

3.1. Giả sử FET có đặc tuyến 𝑖𝐷 = 8(1 + 0.25𝑣𝐺𝑆 )


(mA) và 𝑣𝐺𝑆 ≥ −4 (V). Tìm điện áp tĩnh DC của các
ngõ ra 𝑣𝑜 và 𝑣𝑜
.

Solution:
𝑉𝐺𝑆
∙ Xét mạch ở chế độ DC: 𝑣𝑠𝑖𝑔  và 𝐼𝐺  ⇒ 𝑉𝐺  ⇒ 𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆 −𝑅𝑆 𝐼𝐷 ⇒ 𝐼𝐷 − .
𝑅𝑆
∙ Từ phương trình đặc tuyến của FET ta có
{︃
𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆 −
Nhận
𝐼𝐷   .
𝑉𝐺𝑆 
− ⇒
𝑅𝑆 𝑉𝐺𝑆 − Loại

𝑉𝐺𝑆
∙ Dòng 𝐼𝐷 −
(mA), 𝑉𝑜 𝑅 𝑆 𝐼𝐷
(V), 𝑉𝑜
𝑉𝐷𝐷 − 𝑅𝐷 𝐼𝐷 (V).
𝑅𝑆

3.2. Giả sử FET có 𝑔𝑚 = 2.10− (S) và 𝑟𝑑𝑠 = 40 (kΩ). Vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ? Xác định biểu
thức và tính giá trị các độ lợi áp 𝐴𝑣 = 𝑣𝑜 /𝑣𝑠𝑖𝑔 , 𝐴𝑣
= 𝑣𝑜
/𝑣𝑠𝑖𝑔 và các tổng trở ngõ ra 𝑅𝑜 , 𝑅𝑜
.

Họ và Tên SV: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . MSSV: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 / 11


Solution:

Phương pháp 1: Mô hình tín hiệu nhỏ của Mạch ở Hình 9 được vẽ lại như Hình 10.

∙ 𝜇 𝑟𝑑𝑠 𝑔𝑚 , 𝑖𝑑 𝑖𝑠 , 𝑣𝑜 𝑣𝑑 −𝑅𝐷 𝑖𝑑 , 𝑣𝑜
𝑣𝑠 𝑅𝑆 𝑖𝑠 , 𝑣𝑔 𝑣𝑠𝑖𝑔 , 𝑣𝑔𝑠 𝑣𝑔 − 𝑣𝑠 𝑣𝑠𝑖𝑔 − 𝑣𝑠 .

∙ Dòng 𝑖𝑑𝑠 :
𝑣𝑑 − 𝑣𝑠 −𝑅𝐷 𝑖𝑑 − 𝑅𝑆 𝑖𝑑
𝑖𝑑𝑠
𝑟𝑑𝑠 𝑟𝑑𝑠

∙ KCL tại nút 𝑑:


−𝑅𝐷 𝑖𝑑 − 𝑅𝑆 𝑖𝑑
𝑖𝑑 𝑖𝑑𝑠  𝑔𝑚 𝑣𝑔𝑠  𝑔𝑚 𝑣𝑠𝑖𝑔 − 𝑅𝑆 𝑖𝑑 
𝑟𝑑𝑠
𝑟𝑑𝑠 𝑖𝑑 −𝑅𝐷 𝑖𝑑 − 𝑅𝑆 𝑖𝑑  𝑟𝑑𝑠 𝑔𝑚 𝑣𝑠𝑖𝑔 − 𝑅𝑆 𝑖𝑑 
𝜇𝑣𝑠𝑖𝑔
𝑖𝑑
𝑅𝐷  𝑅𝑆 𝜇    𝑟𝑑𝑠

∙ Tính độ lợi áp 𝐴𝑣 𝑣𝑜 /𝑣𝑠𝑖𝑔 :

𝑣𝑜 𝑣𝑜 𝑖𝑑 𝜇
𝐴𝑣  × − 𝑅𝐷 − .  (V/V)
𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑖𝑑 𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑅𝐷  𝑅𝑆 𝜇    𝑟𝑑𝑠

∙ Tính độ lợi áp 𝐴𝑣
𝑣𝑜
/𝑣𝑠𝑖𝑔 :
𝜇𝑣𝑠𝑖𝑔
𝑣𝑣
𝑖𝑠 𝑅𝑆 𝑖𝑑 𝑅𝑆 𝑅𝑆
𝑅𝐷  𝑅𝑆 𝜇    𝑟𝑑𝑠
𝑣𝑜
𝜇
𝐴𝑣
𝑅𝑆 .  (V/V)
𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑅𝐷  𝑅𝑆 𝜇    𝑟𝑑𝑠

∙ Tính 𝑅𝑜 : Gán 𝑣𝑠𝑖𝑔  nên 𝑣𝑔 .

𝑣𝑜 𝑟𝑑𝑠 𝑖𝑑𝑠  𝑣𝑠 𝑟𝑑𝑠 𝑖𝑠 − 𝑔𝑚 𝑣𝑔𝑠   𝑅𝑆 𝑖𝑠 𝑟𝑑𝑠 𝑖𝑠  𝑟𝑑𝑠 𝑔𝑚 𝑣𝑠  𝑅𝑆 𝑖𝑠


𝑟𝑑𝑠 𝑖𝑠  𝜇𝑅𝑆 𝑖𝑠  𝑅𝑆 𝑖𝑠 𝑟𝑑𝑠 𝑖𝑑  𝜇𝑅𝑆 𝑖𝑑  𝑅𝑆 𝑖𝑑

𝑣𝑜 ⃒⃒
𝑅𝑜′  𝑟𝑑𝑠  𝜇𝑅𝑆  𝑅𝑆
k
𝑖𝑑 ⃒𝑣𝑠𝑖𝑔 

𝑣𝑜 ⃒⃒
𝑅𝑜  𝑅𝐷 ||𝑅𝑜′ 𝑅𝐷 || 𝑟𝑑𝑠  𝜇𝑅𝑆  𝑅𝑆  . k
𝑖𝑜 ⃒
𝑣𝑠𝑖𝑔 

∙ Tính 𝑅𝑜
: Gán 𝑣𝑠𝑖𝑔  nên 𝑣𝑔 .

𝑣𝑠 𝑣𝑜 − 𝑟𝑑𝑠 𝑖𝑑𝑠 − 𝑅𝐷 𝑖𝑑 − 𝑟𝑑𝑠 𝑖𝑠 − 𝑔𝑚 𝑣𝑔𝑠  − 𝑅𝐷 𝑖𝑑 − 𝑟𝑑𝑠 𝑖𝑠 − 𝑟𝑑𝑠 𝑔𝑚 𝑣𝑠


 𝑟𝑑𝑠 𝑔𝑚 𝑣𝑠 −𝑅𝐷 𝑖𝑠 − 𝑟𝑑𝑠 𝑖𝑠

𝑣𝑠 ⃒⃒ 𝑟𝑑𝑠  𝑅𝑆
𝑅𝑜′
 . k
−𝑖𝑠 ⃒𝑣𝑠𝑖𝑔  𝜇

𝑣𝑜
⃒⃒ 𝑟𝑑𝑠  𝑅𝑆
𝑅𝑜
 𝑅𝑆 ||𝑅𝑜′
𝑅𝑆 || .  k
𝑖𝑜
⃒𝑣𝑠𝑖𝑔  𝜇

Họ và Tên SV: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . MSSV: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9 / 11


𝑅𝑜′ 𝑅𝑜
𝑅 𝑖𝑔 𝑔 𝑖𝑑 𝑖𝑜
𝑑
𝑣𝑜
10 kΩ + 𝑖𝑑𝑠
𝑣𝑔𝑠 𝑟𝑑𝑠
𝑔𝑚 𝑣𝑔𝑠
40 kΩ
𝑅𝑜

− 𝑠
𝑅𝐷
𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑖𝑠
𝑅𝑜′
1 kΩ
𝑣𝑜

𝑖𝑜

𝑅𝑆 1 kΩ

Hình 10: Câu 3.2.

Solution:

Phương pháp 2: Mô hình tín hiệu nhỏ của Mạch ở Hình 9 được vẽ lại như Hình 11.

∙ 𝜇 𝑟𝑑𝑠 𝑔𝑚 , 𝑖𝑑 𝑖𝑠 , 𝑣𝑜 𝑣𝑑 −𝑅𝐷 𝑖𝑑 , 𝑣𝑜
𝑣𝑠 𝑅𝑆 𝑖𝑠 , 𝑣𝑔 𝑣𝑠𝑖𝑔 , 𝑣𝑔𝑠 𝑣𝑔 − 𝑣𝑠 𝑣𝑠𝑖𝑔 − 𝑣𝑠 .

∙ Áp dụng KVL tại vòng I:

 𝑅𝐷 𝑖𝑑  𝑟𝑑𝑠 𝑖𝑑 − 𝜇𝑣𝑔𝑠  𝑅𝑆 𝑖𝑠
 𝑅𝐷 𝑖𝑑  𝑟𝑑𝑠 𝑖𝑑 − 𝜇 𝑣𝑠𝑖𝑔 − 𝑣𝑠   𝑅𝑆 𝑖𝑑
𝜇𝑣𝑠𝑖𝑔
𝑖𝑑
𝑅𝐷  𝑅𝑆 𝜇    𝑟𝑑𝑠

∙ Tính độ lợi áp 𝐴𝑣 𝑣𝑜 /𝑣𝑠𝑖𝑔 , 𝐴𝑣


𝑣𝑜
/𝑣𝑠𝑖𝑔 :

𝑣𝑜 𝑣𝑜 𝑖𝑑 𝜇
𝐴𝑣  × − 𝑅𝐷 × − .  (V/V)
𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑖𝑑 𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑅𝐷  𝑅𝑆 𝜇    𝑟𝑑𝑠
𝑣𝑜
𝑣𝑜
𝑖𝑑 𝜇
𝐴𝑣
 × 𝑅𝑆 × .  (V/V)
𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑖𝑑 𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑅𝐷  𝑅𝑆 𝜇    𝑟𝑑𝑠

∙ Tính 𝑅𝑜 : Gán 𝑣𝑠𝑖𝑔  nên 𝑣𝑔 .

𝑣𝑜 𝑟𝑑𝑠 𝑖𝑑 − 𝜇𝑣𝑔𝑠  𝑣𝑠 𝑟𝑑𝑠 𝑖𝑑 − 𝜇 𝑣𝑔 − 𝑣𝑠   𝑅𝑆 𝑖𝑑 𝑟𝑑𝑠 𝑖𝑑  𝜇𝑣𝑠  𝑅𝑆 𝑖𝑑



𝑣𝑜 ⃒⃒
𝑅𝑜′  𝑟𝑑𝑠  𝜇𝑅𝑆  𝑅𝑆
k
𝑖𝑑 ⃒𝑣𝑠𝑖𝑔 

𝑣𝑜 ⃒⃒
𝑅𝑜  𝑅𝐷 ||𝑅𝑜′ 𝑅𝐷 || 𝑟𝑑𝑠  𝜇𝑅𝑆  𝑅𝑆  . k
𝑖𝑜 ⃒ 𝑣𝑠𝑖𝑔 

∙ Tính 𝑅𝑜
: Gán 𝑣𝑠𝑖𝑔  nên 𝑣𝑔 .

𝑣𝑠 𝜇𝑣𝑔𝑠 − 𝑟𝑑𝑠 𝑖𝑑 − 𝑅𝐷 𝑖𝑑 − 𝜇𝑣𝑠 − 𝑟𝑑𝑠 𝑖𝑠 − 𝑅𝐷 𝑖𝑠


 𝜇𝑣𝑠 −𝑅𝐷 𝑖𝑠 − 𝑟𝑑𝑠 𝑖𝑠

𝑣𝑠 ⃒⃒ 𝑟𝑑𝑠  𝑅𝐷
𝑅𝑜′
 . k
−𝑖𝑠 𝑣𝑠𝑖𝑔 
⃒ 𝜇

𝑣𝑜
⃒⃒ 𝑟𝑑𝑠  𝑅𝐷
𝑅𝑜
 𝑅𝑆 ||𝑅𝑜′
𝑅𝑆 || .  k
𝑖𝑜
⃒ 𝑣𝑠𝑖𝑔  𝜇

Họ và Tên SV: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . MSSV: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 / 11


𝑅𝑜′ 𝑅𝑜
𝑅 𝑖𝑔 𝑔 𝑟𝑑𝑠
𝑑
𝑣𝑜
10 kΩ + 40 kΩ 𝑖𝑑 𝑖𝑜

𝑣𝑔𝑠 𝜇𝑣𝑔𝑠
− 𝑠 𝑅𝑜
I
𝑅𝐷
𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑖𝑠
𝑅𝑜′
1 kΩ
𝑣𝑜

𝑖𝑜

𝑅𝑆
1 kΩ

Hình 11: Câu 3.2.

Họ và Tên SV: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . MSSV: . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Hết

You might also like