Professional Documents
Culture Documents
EC Midterm 12102017 Sol
EC Midterm 12102017 Sol
Câu 1: (4 đ) Cho mạch khuếch đại như Hình 1. Transistor 𝑄 có các thông số sau: ℎ𝑓 𝑒 = 𝛽 = 60, 𝑉𝛾 = 𝑉𝐵𝐸
= 0.5 V. Các tụ điện có giá trị rất lớn.
𝑉𝐶𝐶 = 15 V
𝑅
3.9 kΩ
𝑅𝑜𝑢𝑡
𝑅
56 kΩ
𝑖𝐿
𝑅𝑖𝑛
𝐶 → ∞
𝑄
𝑅𝐿 1 kΩ
𝐶 → ∞
𝑅 0.1 kΩ
𝑖𝑖 𝑅 12 kΩ
𝑅 1 kΩ 𝐶
→ ∞
Hình 1: Câu 1.
𝑅
56 kΩ 𝑅
3.9 kΩ 𝑅
3.9 kΩ
𝑅𝑇 𝐻
𝑄 𝑄
𝐼𝐵𝑄
𝐼𝐸𝑄
𝑅 12 kΩ 𝑉𝑇 𝐻
𝑅 𝑅 + 𝑅 𝑅 1.1 kΩ
Solution:
∙ Xét mạch ở chế độ DC. Mạch khuếch đại ở Hình 1 được vẽ lại như ở Hình 2a và ở Hình 2b.
𝑅𝑇 𝐻 𝑅 ||𝑅
. k
𝑅 𝑅 ||𝑅
𝑉𝑇 𝐻 𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐶
.
V
𝑅 𝑅
𝑅
∙ Giả sử Transistor 𝑄 hoạt động ở miền tích cực (Active). Áp dụng định luật Kirchhoff về điện áp (KVL) tại
vòng BE, ta có:
∙ Từ các giá trị của 𝑉𝐵 , 𝑉𝐶 , 𝑉𝐸 , 𝑉𝐶𝐸𝑄 , ta thấy mối nối B-E phân cực thuận và mối nối B-C phân cực ngược
nên Transistor 𝑄 hoạt động ở miền tích cực (đúng với giả thiết ban đầu).
∙ Điểm phân cực tĩnh: 𝑄 𝐼𝐶𝑄 , 𝑉𝐶𝐸𝑄 = (1.67 mA, 6.6 V).
1.2. Xác định biên độ dòng qua tải lớn nhất 𝑖𝐿, không méo?
Solution:
𝐼𝐶
𝑉𝐶𝐶 𝑅
𝐼𝐶 𝑉𝐶𝐸 𝑅 𝑅 𝐼𝐸 𝑅
𝐼𝐶 𝑉𝐶𝐸 𝑅 ≈ 𝑅
𝑅 𝐼𝐶 𝑉𝐶𝐸
𝛼
𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐶𝐸
𝑅
𝑅 𝑅
𝑅 𝑅𝐷𝐶 𝑅𝐷𝐶
.
𝑉𝐶𝐸 mA
𝑖𝑐
𝑅
||𝑅𝐿 𝑖𝑐 𝑣𝑐𝑒 𝑅 𝑖𝑒 𝑅
||𝑅𝐿 𝑖𝑐 𝑣𝑐𝑒 𝑅
𝛼
≈ 𝑅
||𝑅𝐿 𝑖𝑐 𝑣𝑐𝑒 𝑅 𝑖𝑐
𝑖𝑐 − 𝑣𝑐𝑒
𝑅
||𝑅𝐿 𝑅
𝑖𝐶 − 𝐼𝐶𝑄 − 𝑣𝐶𝐸 − 𝑉𝐶𝐸𝑄
𝑅
||𝑅𝐿 𝑅
𝑖𝐶 − 𝑣𝐶𝐸 𝐼𝐶𝑄 𝑉𝐶𝐸𝑄
𝑅
||𝑅𝐿 𝑅 𝑅
||𝑅𝐿 𝑅
𝑉𝐶𝐸𝑄
𝑖𝐶 − 𝑣𝐶𝐸 𝐼𝐶𝑄
𝑅𝐴𝐶 𝑅𝐴𝐶
𝑖𝐶 − . 𝑣𝐶𝐸 .
(mA)
𝑅
|𝑖𝐿, | |𝑖𝐶, | . mA
𝑅
𝑅𝐿
Solution:
𝑖𝐶 (mA)
10
9
8
7
6 DCLL
5
ACLL
4
3 𝑄 (𝐼𝐶𝑄 , 𝑉𝐶𝐸𝑄 )
2
1
𝑣𝐶𝐸 (V)
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
1.4. Vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ? Tìm 𝑅𝑖𝑛 , 𝑅𝑜𝑢𝑡 , và tính độ lợi khuếch đại dòng 𝐺𝑖 = 𝑖𝐿 /𝑖𝑖 ?
Solution:
∙ Mô hình tín hiệu nhỏ ở Hình 1 được vẽ lại như ở Hình ở Hình 4:
𝑖𝐿 𝑖𝐿 𝑖𝑐 𝑖𝑏 𝑣𝑖
𝐺𝑣 × × ×
𝑖𝑖 𝑖𝑐 𝑖𝑏 𝑣𝑖 𝑖𝑖
𝑅
− ×𝛽× × 𝑅𝑖𝑛 −
. (A/A)
𝑅
𝑅𝐿 𝑅𝑖𝑏
𝑟𝜋 𝛽𝑖𝑏
𝑒
𝑖𝑖 𝑅 ||𝑅
𝑅
3.9 kΩ 𝑅𝐿 1 kΩ
𝑖𝑒
𝑅 0.1 kΩ
Câu 2: (4 đ) Cho mạch khuếch đại như Hình 5. Transistor 𝑄 có các thông số sau: ℎ𝑓 𝑒 = 𝛽 = 60, 𝑉𝛾 = 𝑉𝐵𝐸
= 0.5 V. Các tụ điện có giá trị rất lớn.
𝑉𝐶𝐶 = 15 V
𝑅 3.9 kΩ 𝑅𝑜𝑢𝑡
𝑅 47 kΩ 𝑅
𝑅𝑖𝑛
𝑣𝑜
𝐶
→ ∞ 4.7 kΩ
𝑅𝑖 𝐶 → ∞
𝑄
𝑅𝐿 10 kΩ
1.0 kΩ
𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑅
12 kΩ 𝐶 → ∞
𝑅 1 kΩ 𝑅 0.1 kΩ
Hình 5
∙ Xét mạch ở chế độ DC. Mạch khuếch đại ở Hình 5 được vẽ lại như ở Hình 6a và ở Hình 6b.
𝑅𝑇 𝐻 𝑅 ||𝑅
.
k
𝑅
𝑅 ||𝑅
𝑉𝑇 𝐻 𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐶 .
V
𝑅 𝑅
𝑅
∙ Giả sử Transistor 𝑄 hoạt động ở miền tích cực (Active). Áp dụng định luật Kirchhoff về điện áp (KVL) tại
vòng BE, ta có:
∙ Từ các giá trị của 𝑉𝐵 , 𝑉𝐶 , 𝑉𝐸 , 𝑉𝐶𝐸𝑄 , ta thấy mối nối B-E phân cực thuận và mối nối B-C phân cực ngược
nên Transistor 𝑄 hoạt động ở miền tích cực (đúng với giả thiết ban đầu).
∙ Điểm phân cực tĩnh: 𝑄 𝐼𝐶𝑄 , 𝑉𝐶𝐸𝑄 = (2.2 mA, 12.66 V).
𝑉𝐶𝐶 = 15 V 𝑉𝐶𝐶 = 15 V
𝑅 47 kΩ 𝑅 3.9 kΩ 𝑅 3.9 kΩ
𝑅𝑇 𝐻
𝑄 𝑄
𝐼𝐵𝑄
𝐼𝐸𝑄
𝑅
12 kΩ 𝑉𝑇 𝐻
𝑅 1 kΩ 𝑅 1 kΩ
2.2. Vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ của mạch khuếch đại?
Solution:
∙ Mô hình tín hiệu nhỏ của mạch ở Hình 5 được vẽ lại như ở Hình 7.
2.3. Tìm tổng trở ngõ vào 𝑅𝑖𝑛 , tổng trở ngõ ra 𝑅𝑜𝑢𝑡 , và độ lợi khuếch đại áp 𝐺𝑣 = 𝑣𝑜 /𝑣𝑠𝑖𝑔 ?
𝑟𝜋 𝛽𝑖𝑏
𝑒
𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑅 ||𝑅
𝑅 3.9 kΩ 𝑅𝐿 10 kΩ
𝑖𝑒
𝑅 ||𝑅
Solution:
𝑣𝑜 𝑣𝑜 𝑣𝑐 𝑖𝑐 𝑖𝑏 𝑣𝑖
𝐺𝑣 × × × ×
𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑣𝑐 𝑖𝑐 𝑖 𝑏 𝑣𝑖 𝑣𝑠
𝑅𝐿 𝑅𝑖𝑛
× − 𝑅 𝑅𝐿 ||𝑅 × 𝛽 × × −
.
V/V
𝑅 𝑅𝐿 𝑅𝑖𝑏 𝑅𝑖𝑛 𝑅𝑖
Solution:
𝐼𝐶
𝑉𝐶𝐶 𝑅 𝐼𝐶 𝑉𝐶𝐸 𝑅 𝐼𝐸 𝑅 𝐼𝐶 𝑉𝐶𝐸 𝑅 ≈ 𝑅 𝑅 𝐼𝐶 𝑉𝐶𝐸
𝛼
𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐶𝐸
𝑅 𝑅 𝑅 𝑅 𝑅𝐷𝐶 𝑅𝐷𝐶
.
𝑉𝐶𝐸 . mA
𝑖𝑐
𝑅 || 𝑅 𝑅𝐿 𝑖𝑐 𝑣𝑐𝑒 𝑅
||𝑅 𝑖𝑒 𝑅 || 𝑅 𝑅𝐿 𝑖𝑐 𝑣𝑐𝑒 𝑅
||𝑅
𝛼
≈ 𝑅 || 𝑅 𝑅𝐿 𝑖𝑐 𝑣𝑐𝑒 𝑅
||𝑅 𝑖𝑐
𝑖𝑐 − 𝑣𝑐𝑒
𝑅𝐶 || 𝑅 𝑅𝐿 𝑅
||𝑅
𝑖𝐶 − 𝐼𝐶𝑄 − 𝑣𝐶𝐸 − 𝑉𝐶𝐸𝑄
𝑅 || 𝑅 𝑅𝐿 𝑅
||𝑅
𝑉𝐶𝐸𝑄
𝑖𝐶 − 𝑣𝐶𝐸 𝐼𝐶𝑄
𝑅 || 𝑅 𝑅𝐿 𝑅
||𝑅 𝑅 || 𝑅 𝑅𝐿 𝑅
||𝑅
𝑉𝐶𝐸𝑄
𝑖𝐶 − 𝑣𝐶𝐸 𝐼𝐶𝑄
𝑅𝐴𝐶 𝑅𝐴𝐶
∙ Mặt khác, ta có
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸𝑄
𝐼𝐶𝑄
𝑅𝐷𝐶
∙ Với 𝑉𝐶𝐸sat .
V, ta có
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡
𝐼𝐶𝑄 . mA
𝑅𝐴𝐶 𝑅𝐷𝐶
𝑉𝐶𝐸𝑄 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐷𝐶 𝐼𝐶𝑄 . V
𝐼𝐶𝑄
𝐼𝐵𝑄 .
𝜇A
𝛽
𝑅𝑇 𝐻 𝑅 ||𝑅
6 . 𝛽 𝑅 . k
𝑅 𝑉𝐶𝐶
. 𝑘
𝑉𝑇 𝐻
𝑅
𝑅
𝑉𝑇 𝐻 . 𝑘
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑇 𝐻
DCLL
4
ACLL
3
2 𝑄 (𝐼𝐶𝑄 , 𝑉𝐶𝐸𝑄 )
𝑣𝐶𝐸 (V)
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
𝑉𝐷𝐷 = 15 V
𝑅𝐷 1 kΩ
𝑅𝑜
𝑣𝑜
𝑅
𝐽 𝑅𝑜
10 kΩ
𝑣𝑜
𝑣𝑠𝑖𝑔
𝑅𝑆 1 kΩ
Hình 9: Câu 3.
Solution:
𝑉𝐺𝑆
∙ Xét mạch ở chế độ DC: 𝑣𝑠𝑖𝑔 và 𝐼𝐺 ⇒ 𝑉𝐺 ⇒ 𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆 −𝑅𝑆 𝐼𝐷 ⇒ 𝐼𝐷 − .
𝑅𝑆
∙ Từ phương trình đặc tuyến của FET ta có
{︃
𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆 −
Nhận
𝐼𝐷 .
𝑉𝐺𝑆
− ⇒
𝑅𝑆 𝑉𝐺𝑆 − Loại
𝑉𝐺𝑆
∙ Dòng 𝐼𝐷 −
(mA), 𝑉𝑜 𝑅 𝑆 𝐼𝐷
(V), 𝑉𝑜
𝑉𝐷𝐷 − 𝑅𝐷 𝐼𝐷 (V).
𝑅𝑆
3.2. Giả sử FET có 𝑔𝑚 = 2.10− (S) và 𝑟𝑑𝑠 = 40 (kΩ). Vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ? Xác định biểu
thức và tính giá trị các độ lợi áp 𝐴𝑣 = 𝑣𝑜 /𝑣𝑠𝑖𝑔 , 𝐴𝑣
= 𝑣𝑜
/𝑣𝑠𝑖𝑔 và các tổng trở ngõ ra 𝑅𝑜 , 𝑅𝑜
.
Phương pháp 1: Mô hình tín hiệu nhỏ của Mạch ở Hình 9 được vẽ lại như Hình 10.
∙ 𝜇 𝑟𝑑𝑠 𝑔𝑚 , 𝑖𝑑 𝑖𝑠 , 𝑣𝑜 𝑣𝑑 −𝑅𝐷 𝑖𝑑 , 𝑣𝑜
𝑣𝑠 𝑅𝑆 𝑖𝑠 , 𝑣𝑔 𝑣𝑠𝑖𝑔 , 𝑣𝑔𝑠 𝑣𝑔 − 𝑣𝑠 𝑣𝑠𝑖𝑔 − 𝑣𝑠 .
∙ Dòng 𝑖𝑑𝑠 :
𝑣𝑑 − 𝑣𝑠 −𝑅𝐷 𝑖𝑑 − 𝑅𝑆 𝑖𝑑
𝑖𝑑𝑠
𝑟𝑑𝑠 𝑟𝑑𝑠
𝑣𝑜 𝑣𝑜 𝑖𝑑 𝜇
𝐴𝑣 × − 𝑅𝐷 − .
(V/V)
𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑖𝑑 𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑅𝐷 𝑅𝑆 𝜇 𝑟𝑑𝑠
∙ Tính độ lợi áp 𝐴𝑣
𝑣𝑜
/𝑣𝑠𝑖𝑔 :
𝜇𝑣𝑠𝑖𝑔
𝑣𝑣
𝑖𝑠 𝑅𝑆 𝑖𝑑 𝑅𝑆 𝑅𝑆
𝑅𝐷 𝑅𝑆 𝜇 𝑟𝑑𝑠
𝑣𝑜
𝜇
𝐴𝑣
𝑅𝑆 .
(V/V)
𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑅𝐷 𝑅𝑆 𝜇 𝑟𝑑𝑠
∙ Tính 𝑅𝑜
: Gán 𝑣𝑠𝑖𝑔 nên 𝑣𝑔 .
− 𝑠
𝑅𝐷
𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑖𝑠
𝑅𝑜′
1 kΩ
𝑣𝑜
𝑖𝑜
𝑅𝑆 1 kΩ
Solution:
Phương pháp 2: Mô hình tín hiệu nhỏ của Mạch ở Hình 9 được vẽ lại như Hình 11.
∙ 𝜇 𝑟𝑑𝑠 𝑔𝑚 , 𝑖𝑑 𝑖𝑠 , 𝑣𝑜 𝑣𝑑 −𝑅𝐷 𝑖𝑑 , 𝑣𝑜
𝑣𝑠 𝑅𝑆 𝑖𝑠 , 𝑣𝑔 𝑣𝑠𝑖𝑔 , 𝑣𝑔𝑠 𝑣𝑔 − 𝑣𝑠 𝑣𝑠𝑖𝑔 − 𝑣𝑠 .
𝑅𝐷 𝑖𝑑 𝑟𝑑𝑠 𝑖𝑑 − 𝜇𝑣𝑔𝑠 𝑅𝑆 𝑖𝑠
𝑅𝐷 𝑖𝑑 𝑟𝑑𝑠 𝑖𝑑 − 𝜇 𝑣𝑠𝑖𝑔 − 𝑣𝑠 𝑅𝑆 𝑖𝑑
𝜇𝑣𝑠𝑖𝑔
𝑖𝑑
𝑅𝐷 𝑅𝑆 𝜇 𝑟𝑑𝑠
𝑣𝑜 𝑣𝑜 𝑖𝑑 𝜇
𝐴𝑣 × − 𝑅𝐷 × − .
(V/V)
𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑖𝑑 𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑅𝐷 𝑅𝑆 𝜇 𝑟𝑑𝑠
𝑣𝑜
𝑣𝑜
𝑖𝑑 𝜇
𝐴𝑣
× 𝑅𝑆 × .
(V/V)
𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑖𝑑 𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑅𝐷 𝑅𝑆 𝜇 𝑟𝑑𝑠
∙ Tính 𝑅𝑜
: Gán 𝑣𝑠𝑖𝑔 nên 𝑣𝑔 .
𝑣𝑔𝑠 𝜇𝑣𝑔𝑠
− 𝑠 𝑅𝑜
I
𝑅𝐷
𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑖𝑠
𝑅𝑜′
1 kΩ
𝑣𝑜
𝑖𝑜
𝑅𝑆
1 kΩ