主題文章 2

08

二維電子簡介
Introduction to Two-dimensional Electronics
吳科慧
國家奈米元件實驗室

摘　要
本文將簡單介紹二維電子及其發展現況，首先是簡單介紹常見的 2D 材料，包括
由四族元素所組成的 X-enes 和由磷所組成 Phosphorene 以及過渡金屬二硫屬化物
Transition Metal Dichalcogenides TMDs 等。其晶體結構以及能帶結構和 Bandgap 將
一一做說明。接下來將簡單介紹由 Silicene，Graphene，MoS 2，和 WSe 2 所做成的
2D Field-effect Transistors 以及它們目前的研究開發現況。CMOS 的微縮到極致後，
終極元件的選項之一就是 2D 電晶體也將做簡單的解釋。最後是簡單的結論。

Abstract
This article will briefly review 2D electronics. First, the most commonly seen 2D
materials will be introduced，including Group IV elements(C, Si, Ge, and Sn),
phosphorus, and transition metal dichalcogenides TMDs. Their crystal structures,
band structures, and bandgaps will be explained. The most commonly studied 2D
field-effect transistors (2D FETs) composed of silicene, graphene, MoS 2 and WSe 2
will be introduced and explained. The reason of using 2D FETs will be explained
in terms of the evolution of field-effect transistors. Finally is the summary.

關鍵字／Keywords ●
二維電子、二維材料、二維電晶體
●
2D Electronics、2D Materials、2D FET、2D Field-effect
Transistors、Graphene、Silicene、TMDs、MoS2、 WSe2
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NANO COMMUNICATION 23卷 No. 1
前　言
由於製程技術不斷地進步，電晶體尺寸得以持續
微縮，增加晶片單位面積的電晶體數目以提升晶片的功
能，進而使得相關的應用，如手機，平板電腦，以及智
慧錶等行動裝置及穿戴裝置得以蓬勃發展。然而，微縮
電晶體會產生短通道效應 (Short Channel Effects)，使得漏
電流 (Leakage Current Ioff ) 變大，增加能量的消耗，造成
晶片變熱及電池使用時間縮短，若不解決，會使得行動
裝置及穿戴裝置的發展受到很大的限制。如何抑制短通
道效應以降低漏電流實在是當務之急。
增加閘極 (Gate) 對通道的控制，降低從汲極 (Drain)
而來的電場對通道的影響，是一個抑制短通道效應的有
效方法。於是，電晶體的形狀就因此而開始改變，從傳
統的平面電晶體 (Planar Bulk Field-effect Transistor) 開始
走向第三維而變成鰭式電晶體 (FinFET) 或是三閘極電晶
體 (Tri-Gate)，未來，持續微縮下去，甚至會變成極致的
矽奈米線 Si Nanowire。
除了走向第三維以增加閘極的控制外，另外一個解
決短通道效應的方法就是把通道中容易受到汲極 (Drain)
電場影響的部份，也就是通道中距離閘極比較遠的部份
去除，結果就變成 Ultra-thin-body SOI (UTB SOI)。隨著閘
極長度微縮，UTB SOI 上的 Si 通道厚度也需要相對應變
薄。削薄到極致就變成單一的 Si 原子層，也就是 Silicene
矽烯，是無厚度的 2D 結構。因為接近於零的通道厚度，
理論上閘極可以完全控制通道，壓制從汲極 (Drain) 而來
的電場影響，使短通道效應及 Ioff 降到最低，閘極長度就
可以微縮到極小。所以，2D 場效電晶體可說是理論上完
美的電晶體。
事實上，由非矽 (Non-Si) 材料所組成的 2D 場效電
晶體的研究已經在世界各地如火如荼地展開，使用的
材料中最有名的就是石墨烯 (Graphene) [1]，其它如單層
的 MoS2 和 WSe2 等也有很多人投入研究。而世界上第一
顆由 Si 組成的 2D 矽烯場效電晶體 [2]Silicene Field-effect
Transistor 也於 2015 年 2 月在 Nature Nanotechnology 被
發表誕生。
本文首先將簡單介紹常見的 2D 材料，包括由四族
二維電子簡介
09
元素所組成的 X-enes 和由磷所組成 Phosphorene 以及過
渡金屬二硫屬化物 Transition Metal Dichalcogenides TMDs
等。接下來將簡單解釋 CMOS 的微縮到極致後，終極元
件的選項之一就是 2D 電晶體。目前 2D 電晶體的研發狀
況也將做一簡單介紹。最後是結論。
常見2D材料概述
常見的 2D 材料可簡單地區分為兩種：單一
種 原 子 以 及 過 渡 金 屬 二 硫 屬 化 物 ( Tr a n s i t i o n M e t a l
Dichalcogenides TMDs)。單一種原子類中，最有名的就
是在 2004 年由英國曼徹斯特大學 A. K. Geim 教授的研
究團隊以機械剝離法首度製造出來的石墨烯 (Graphene)
[1]
。此研究成果也於 2010 年獲頒諾貝爾物理獎。石墨烯
是由碳 (C) 所組成的單層原子薄膜而且所有原子都在同
一平面上，具備有高導電性，高導熱性，高機械強度，
以及透明等優異特性，已經在電子，光電等相關領域有
很多的應用。而其中最令人驚奇的是在 2015 年 8 月在
Nature Nanotechnology 所發表的用石墨烯做成類似白熾
燈泡 [3]。如從參考文獻 [3] 所擷取下來的圖 1[3] 所示。和
碳 (C) 同樣屬於四族元素的矽 (Si)，鍺 (Ge)，以及錫 (Sn)
等，和碳 (C) 一樣，也可以形成二維的單層原子薄膜，
由矽 (Si) 組成的叫做矽烯 Silicene [4]，由鍺 (Ge) 組成的
叫做鍺烯 Germanene[4]，最後由錫 (Sn) 組成的叫做錫烯
Stanene[4]。然而，和石墨烯不一樣的是，矽烯，鍺烯，
和錫烯形成一種所謂的 Buckled Hexagonal Structure，亦
即，所有原子並不在同一平面上 [4]，如圖 2(b) 所示。這
是因為石墨烯中的碳原子較小，可以組成穩定的 sp 2 鍵
而處在同一平面上形成完美的 2D 平面結構 [4]，如圖 2(a)
所示。然而，由於矽，鍺，及錫原子體積較大，比較傾
向組成穩定的 sp 3 鍵，所以，在形成矽烯，鍺烯，和錫
烯時會組成 sp2-sp3 混和鍵，而使得所有原子並不在同一
平面上 [4]。這結果也暗示著矽烯，鍺烯，和錫烯的結構
比較不穩定，目前所知是無法像石墨烯一樣單獨存在，
亦即需附著在某種基板上。圖 2(a) 是石墨烯的俯視圖以
及右邊的側視圖。圖中的 a1 和 a2 是 Unit Cell 的兩個邊而
|a1|=|a2|=a=Lattice Constant 而 d 是 bond length。圖 2(b)
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圖 1　從參考文獻 [3] 所擷取下來的。(a) 是騰空的單層 Graphene 的元件結構示意圖，接上電壓之後，騰空的單層 Graphene 就會發光；(b) 是騰

空的單層 Graphene 元件的 SEM 圖 (False-colour Scanning Electron Microscopy Image)；(c) 是在顯微鏡底下騰空的多層 Graphene 的發光圖。

是矽烯，鍺烯，和錫烯的俯視圖以及右邊的側面圖。圖
中的 a1，a2 和 d 的定義和圖 2(a) 一樣，而側視圖底下的
δ 是 Buckling Parameter，也就是上層原子及下層原子的
垂直距離。表 1 是從參考文獻 [4] 所摘錄下來的石墨烯，
矽烯，鍺烯，和錫烯的相關結構參數。
除了四族元素之外，第五族的磷 (P) 也可以形成二維
的單層原子薄膜叫做磷烯 (Phosphorene)。如同石墨烯可
以用機械剝離法從石墨剝離下來一樣，磷烯也可以用機
械剝離法從黑磷 (Black Phosphorus) 剝離下來 [5]。但是，
和四族元素不一樣的是，磷烯擁有獨特的類蜂窩狀的六
角形結構，如從參考文獻 [6] 所擷取下來的圖 3[6] 所示。
圖 3[6](a) 是磷烯的 3D 立體圖，(b) 是俯視圖，而 (c) 是側
圖 2　(a) 石墨烯的俯視圖以及右邊的側視圖。圖中的 a1 和 a2 是
面圖。
Unit Cell 的兩個邊而 |a1|=|a2|=a=Lattice Constant 而 d 是
至於電氣特性方面，我們將探討 2D 材料的能帶結
Bond Length；(b) 矽烯，鍺烯，和錫烯的俯視圖以及右邊
構 (Band Structure) 以及能隙 (Bandgap)。Bandgap 是電 的側面圖。圖中的 a 1，a 2 和 d 的定義和 (a) 中的一樣，而

子材料的一個重要參數，尤其當電子元件或是電路的供 側視圖底下的 δ 是 Buckling Parameter，也就是上層原子

及下層原子的垂直距離。
給電壓確定時，材料的 Bandgap 就會決定元件效能的優

表 1　從參考文獻 [4] 所摘錄下來的石墨烯，矽烯，鍺烯，和錫烯的相關晶體結構參數。

] 9 [
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劣。圖 4 是從參考文獻 [4] 所截取下來的石墨烯，矽烯，

鍺烯，和錫烯的能帶結構圖，而圖中文字標明的是經過
第一定律計算的理論預測能隙的大小。由此資料可知，
對應於目前絕大部分使用的供給電壓，至少 0.5V 以上，
此能隙似乎太小。但是，後面的文章會再論述，當把它
們裁切成元件所需的形狀時，如奈米帶 Nanoribbon，
Band Structure 會改變而且會產生不小的 Bandgap。
過渡金屬二硫屬化物 ( Transition Metal
Dichalcogenides TMDs) [7] 的化學式可以用 MX2 來代表，
其中的 M[7] 指的是過渡金屬元素裡的第四族 ( 如 Ti，Zr，
Hf 等 )。第五族 ( 如 V，Nb，Ta 等 )，或是第六族 ( 如 圖 4　從參考文獻 [4] 所截取下來的石墨烯，矽烯，鍺烯，和錫
[7]
Mo，W 等 )，而 X 指的是硫族元素 (S，Se，Te)。本文 烯的能帶結構圖，而圖中文字標明的是經過第一定律計算
的理論預測能隙的大小。圖中的插圖中，黑色線是沒有考
將簡單介紹常用來做成電晶體元件的 MoS2 以及 WSe2。
慮 Spin-orbit Interaction 的情況，而紅色線是把 Spin-orbit
和石墨烯一樣，MoS2 以及 WSe2 也可以用機械剝離法從 Interaction 考慮進去的所得到的計算結果。
他們的塊狀體剝離下來。
圖 5 是單層的 MX2 結構圖，其中紫色球代表的是過
而單層的 MoS 2 的 Bandgap 更高有 1.8eV [7] ；至於塊狀
渡金屬 M 而黃色球代表的是硫族元素 X。圖 5(a) 是 3D
的 WSe 2 的 Bandgap 也大約是 1.2eV [7] 而單層的 WSe 2
晶體結構圖，(b) 是俯視圖，而 (c) 是側面圖。圖 5(b) 中
的 Bandgap 也是較高有 1.7eV [7]。相較於 Si 的 Bandgap
a1 及 a2 的定義和圖 2 一樣，定義出 Unit Cell，而圖 5(c)
1.1eV 來說，MoS2 和 WSe2 似乎較適合用在高壓元件的應
中的 z 是兩個硫族元素的垂直距離。對於 MoS 2 來說，
用。圖 6 是從參考文獻 [10] 所擷取下來的 MoS2 和 WSe2
Lattice Constant a[8] 大約是 3.12Å 而 z [8] 大約是 3.11Å。
的 Band Structures，圖 6(a) 是單層的 MoS2
而 (b) 是單層的 WSe 2。由圖中可以看出，
MoS2 和 WSe2 屬於 Direct Bandgap 的半導
體，在光電方面也可以有很多應用 [7]。

二維電子的發展概況

如文章前面所論述的，由於電晶體的
持續微縮所造成的短通道效應以及漏電流
和耗能持續增加是半導體業必須積極解決
圖 3　從參考文獻 [6] 所擷取下來的，(a) 是磷烯的 3D 立體晶體結構圖；(b) 是俯視
的兩大問題。解決的方法，除了之前所提
圖，而 (c) 是側面圖。
到的走向第三維變成 FinFET 或是 Tri-Gate
之外另一個方法就是 UTBSOI。圖 7 是從
參考文獻 [11] 所擷取下來的，可簡單解釋 UTBSOI 的原
對於 WSe 2 來說，實驗所得的 a [9] 大約是落在 3.280Å 到
理。圖 7(a)[11] 是傳統的平面場效電晶體，經過高度微縮
3.286 Å 之間而 z[9] 大約是落在 3.342Å 到 3.348 Å 之間。
之後，不可避免的會遇到兩個棘手的問題，Gate Leakage
至於電氣特性方面，塊狀的 MoS2 的 Bandgap 有 1.2eV[7]
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以及 Off-state Leakage Ioff。Gate Leakage 可以用 High-k 將針對這些常見的材料所做成 Field-effect Transistors 做

Dielectric 和 Metal Gate 來解決。Off-state Leakage Ioff 則
簡單介紹。首先是得過諾貝爾物理獎的 Graphene [1] 。
Graphene 的電氣特性常為人所詬病的是接近於 0 的
Bandgap。如前所述，在考慮 Spin-orbit Interaction 之
後，理論預測的 Bandgap 大約是 0.02meV，接近於 0。
但是，在做成 Nanoribbon 之後，根據參考文獻 [12] 的

圖 5　單層的 MX2 結構圖，其中紫色球代表的是過渡金屬 M 而黃

色球代表的是硫族元素 X。(a) 是 3D 晶體結構圖；(b) 是俯
視圖，而 (c) 是側面圖。(b) 中 a1 及 a2 的定義和圖 2 一樣，
定義出 Unit Cell，而 (c) 中的 z 是兩個硫族元素的垂直距離。
圖 6　從參考文獻 [10] 所擷取下來的 MoS 2 和 WSe 2 的 Band
Structures，(a) 是單層的 MoS2 而 (b) 是單層的 WSe2。

用圖 7(b)[11] 中的 UTBSOI 來解決，亦即用 Oxide 將通道的

厚度變薄，這樣圖 7(a)[11] 中的距離 Gate 較遠，Off-state
Leakage Ioff 較大的部份就會被截斷，這樣問題就迎刃而
解。當 Gate Length 繼續微縮下去，通道厚度也必須跟
著變薄。而微縮到極致，通道厚度就變成單一原子層的
Silicene，如圖 8(a)[2] 所示。圖 8[2] 是從參考文獻 [2] 所擷
取下來。圖 8(a)[2] 是 Silicene 的 3D 晶體結構圖 ( 其俯視
及側面圖如圖 2(b) 所示 )，而圖 8(b)[2] 是製作的流程圖以
及最後完成的 Silicene Back-gated Field-effect Transistor 的
結構示意圖。由於是單一層原子，厚度趨近於零，理論
上 Gate Length 可以微縮到極小，但是，實際上，Gate
Length 微縮到某種程度後，電子從 Source 直接 Tunnel
到 Drain 的機率便大幅上升，I off 也會跟著變大，這是連
圖 7　從參考文獻 [11] 所擷取下來的。(a) 是傳統的平面場效電晶
3D 的 FinFET，Tri-Gate, 和 Nanowire 也必須面對的問題。 體，經過高度微縮之後，Gate Leakage 及 Off-state Leakage

除了 Silicene 之外，其它 2D 材料，如 Graphene、 Ioff，會快速增加；(b) 是 UTBSOI，通道中距離 Gate 較遠的

部份，亦即 Ioff 較大的部份可以用 Oxide 將之“切斷”，這
Phosphorene、MoS 2 和 WSe 2 等也都有很多研究團隊將
樣 (a) 中 Ioff 較大的部份就會被截斷，可大幅降低 Ioff。
他們做成 Field-effect Transistors 發表在文獻上。接下來
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013

Approximation LDA 所計算出來 Ground-state

Bandgap 而實心的符號是代表經過 GW Self-
energy Correction 的 Excited-state Bandgap。
由 圖 9 [12] 可 觀 察 出 ， 由 於 Q u a n t u m
Confinement 的效應，在 Width 極小的情況
下 AGNR 會產生很大的 Bandagp；在 Wdith
大於 2nm 的情況下，Bandgap 有可能小於
1eV，這時 AGNR Field-effect Transistors 就
可以用來做為 Digital Circuits 裡的元件。幸
運的是 2015 年 8 月美國的一個研究團隊在
圖 8　從參考文獻 [2] 所擷取下來的圖。(a) 是 Silicene 的 3D 晶體結構圖 ( 其俯視
及側面圖如圖 2(b) 所示 )；(b) 是製作流程圖以及最後完成的 Silicene Back-
Nature Communications 上發表了一篇論文
[13]
gated Field-effect Transistor 的結構示意圖。 ，他們成功的在 Ge(001) 面上長出 AGNR，
為 AGNR 在未來在 CMOS 上的應用增添不少
的想像空間。相關的 Graphene Nanoribbon
Field-effect Transistors 的參考文獻非常多，
進展也非常快速，這裡介紹一篇在 2011 年 6
月在 Science 發表的“Wafer-Scale Graphene
Integrated Circuit”的研究報告 [14]。研究團隊
利用 Graphene 做出了 Four-port RF Frequency
[14]
Mixer，圖 10 是從這篇研究報告 所擷取
下來的。圖 10(a)[14] 是 Circuit Schematic，圖
10(b)[14] 是整個 RF Frequency Mixer 的 3D 立
[14]
體示意圖，而圖 10(c) 是 Graphene 元件以
[14]
圖 9　從參考文獻 [12] 所擷取下來的圖。(a) 是 11 C-C Dimer Lines 而 Width 是 w 及圖 10(d) 是 RF Frequency Mixer 製作完成
的 Armchair-shaped Edge Graphene Nanoribbon( 簡稱 AGNR) 的俯視圖，
後的圖像。
圖中土黃色的球是 C 而兩邊灰色的小球是 H。(b) 是 Bandgap Vs. Width
的作圖，圖中空心的符號代表由 Local Density Approximation LDA 所計
除了 Graphene 和 Silicene 之外，常被研
算出來 Ground-state Bandgap 而實心的符號是代表經過 GW Self-energy 究用來做成 Field-effect Transistors 還有 MoS2,
Correction 的 Excited-state Bandgap。
和 WSe 2。圖 11 是從參考文獻 [15]“Single-
layer MoS 2 Transistors”所擷取下來的。圖
11(a) 是單層 MoS 2 的圖像 ( 左上角 ) 以及做
研究結果顯示，Graphene Nanoribbon 將會有不小的
成元件之後的圖像 ( 右上角 ) 而下方是元件的 3D 結構
Bandgap，而且會跟 Nanoribbon 的寬度有關。圖 9 是從
示意圖。圖 11(b) 是 Front Gate 在 Back Gate Vbg=0 時的
參考文獻 [12] 所擷取下來的圖，圖 9(a)[12] 是 11 C-C dimer
I dV g 的電氣特性圖。研究團隊成功地用機械剝離法將單
lines 而 width 是 w 的 Armchair-shaped Edge Graphene
層 MoS 2 剝離出並做成元件。值得一題的是，研究團隊
Nanoribbon( 簡稱 AGNR) 的俯視圖，圖中土黃色的球
利用 HfO2 當作 Top Gate Dielectric 來增進效能。之前的
是 C 而兩邊灰色的小球是 H。圖 9(b) [12] 是 Bandgap Vs.
理論預測在 Graphene[16] 上用 High-k Dielectric ( 如 HfO2)
Width 的作圖，圖中空心的符號代表由 Local Density
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014

Drain 的 Contacts，降低 Hole 的 Schottky

Barrier Height 以降低接觸電阻 (Contact
Resistance)，二是利用 NO2 對 Source/Drain
做 p-type Chemical Doping 以降低串聯電阻
(Series Resistance)。這兩種效果加起來可以
大幅增進元件的效能，如從這篇研究報告所
擷取下來的圖 12[18] 所示。圖 12(a)[18] 是 WSe2
p-FETs 的橫截面示意圖，包括 ZrO 2 的 Top
Gate Dielectric，Pd Source/Drain Contacts，
以及 NO 2 p-type Source/Drain Chemical
Doping。圖 12(b) [18] 是用 Pd 與 Ti Contacts
後的 IdVg 比較圖，Pd 優於 Ti。圖 12(c)[18] 是
圖 10　從從參考文獻 [14] 所擷取下來的。(a) 是 Circuit Schematic，(b) 是整個 RF
有無 NO2 Source/Drain Chemical Doping 的
Frequency Mixer 的 3D 立體示意圖，而 (c) 是 Graphene 元件以及 (d) 是
RF Frequency Mixer 製作完成後的圖像。 I d V g 比較圖，很明顯 NO 2 Doping 會增進
Performance。
最後，有一重點需要提醒的是，單層
當 Gate Dielectric 時，相對於 SiO2，Graphene 的 Mobility
的 MoS2, 和 WSe2 的 Bandgap 分別是 1.8eV 和 1.7eV，略
會增加，這是因為有所謂 Dielectric Screening Effects。
大於 Si 的 1.1eV，這在 Digital Circuits 的應用上會有比
這在實驗 [17] 上也得到了證實。至於 WSe 2，本文將簡單
較多的限制，這是研究開發 MoS2 和 WSe2 的 Field-effect
介紹一篇研究報告“High-Performance Single Layered
Transistors 需要特別注意的。
WSe2 p-FETs with Chemically Doped Contacts”[18]。介紹的
理由在於研究團隊除了用 ZrO 2 當作 Top Gate Dielectric
結 論
外，還用了兩個方法來增進效能：一是用 Pd 當 Source/

隨著電子以及半導體產
業的持續發展，電晶體的微縮
不可避免的會遇到短通道效應
以及漏電流和耗能持續增加的
瓶頸。目前的解決方案有兩
個：3D FinFET 或 Tri-Gate 以
及 UTBSOI。當 UTBSOI 微縮到
極致就會變成單一原子層通道
的 2D 電晶體，所以 2D 電晶體
是目前非常被看好在後矽時代
Post-silicon Era 的明日之星。相
圖 11　從參考文獻 [15] 所擷取下來的。(a) 是單層 MoS2 的圖像 ( 左上角 ) 以及做成元件之後的圖 關的 2D 材料，如 X-enes 以及
像 ( 右上角 ) 而下方是元件的 3D 結構示意圖。圖 11(b) 是 Front Gate 在 Back Gate Vbg=0
TMDs，的研究也在世界各地如
時的 IdVg 的電氣特性圖。
火如荼地展開，其中 Silicene，
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圖 12　從參考文獻 [18] 所擷取下來的。(a) 是 WSe2 p-FETs 的橫
截面示意圖，包括 ZrO 2 的 Top Gate Dielectric，Pd S/D
Contacts，以及 NO2 p-type S/D Doping。(b) 是用 Pd 與
Ti Contacts 後的 IdVg 比較圖，Pd 優於 Ti。(c) 是有無 NO2
S/D Doping 的 I dVg 比較圖，很明顯 NO 2 Doping 會增進
Performance。
Graphene，MoS 2，以及 WSe 2 是常被用來研究的 2D 材
料。Silicene 是由 Si 組成的單一原子層，非常被看好，因
為目前絕大多數用在 Si CMOS 上的機器設備完全可以用
在 Silicene 上。Graphene 的 Intrinsic Bandgap 幾乎是 0，
但是做成 Nanoribbon 後，由於 Quantum Confinement
會產生 Bandgap 而且其 Bandgap 會隨著 Nanoribbon 的
寬度而改變，製程上有機會可以做出有適當 Bandgap
的 Nanoribbon，也非常被看好。MoS2 及 WSe2 是 TMDs
裡兩種常被用來研究的材料，但是由於單層的 MoS 2 及
WSe2 它們的 Bandgap 比 Si 稍大，在 Digital Circuits 的應
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