LECCION 9 PROPIEDADES OPTICAS DE LOS SEMICONDUCTORES, 1) PARAMETROS OPTICOS Y CONSTANTE DIELECTRICA La imeraccién entre una onda elecrromagnética y un medio material puede desribirse, ‘desde un punto de vista macrosedpico, mediante ls lamados pardmetros Spices, relacionados con la funcién dielétrca del material. Supongamos que una onda eletromignética incide sobre la superficie de un medio material semiinfinito (Figura 1). ‘Sillamamos 1, al flujo lumineso incidemte ¢ Ty al flujo luminoso reflejado, se define la refletividad R del material como: lo Go ad es =a — =o) —? = ———< o Si llamamos Ip flujo transmitido, y « al — ‘oeficente de’ absorcién del material para x fF sicharadiaciOn, tendremos: + y See Iet(-Re™ Ik a ° Estos parimetros fenomenolépicos_estin Figea t relacionados con la constantedieléetrca del material, que seré , en general, una smagnitud compleja: © = ©, ~ iy. Dada la efinicion dl indice de refraccién complejo, tenemos nein) fen? +12 2,220 @ donde mes el indice de refracci6n y x el indice de extncién. Recordemos a ecuacién del campo elécrico de la onda electromagnética en ele! medio material Bex, 0) sie egies) ® Dado que el flujo luminoso es proprcinal al cuarado del mul del campo eléren, tenemes: (0) @ ‘Si comparamos esta ecuacin con la de! uj transmitdo (ecuacion 2), obtenemcs : donde 2 es la fongitud de onda de la radiacion electromagnétca en el vacio. En cuanto ala reflectvidad R, las ecuaciones de Fresnel para ondas con incidencia normal perniten obtener Thee (oe 1© Recordemos, por ota pare, que la constantedielécrica de un medio material depende e su susceptibilidad eécrica y, a través de larelacion © = G(l + 1), ¥ que Z no es mas que Ja relaion entre la polarizaciény el campo eléerico: P =t, x E. Dado que la relacin entre campo elétrico y polarizacin es lineal y causal, de acuerdo con la teoria de la respuesta lineal, las partes real e imaginaria dela susceptbilidad elétrica, y por tanto dela constant dieléctrica, no son independientes entre si, sino que estin relacionadas a través de las relaciones de Kramers-Kroaig: + festa) yateste-11 aa e,(o)- Bef ELOY gy [re gob 1 45 o Esto significa que, en muchos casas, basta con medir uno de los pardmetros 6pticos de tun material en un rango espectral sufcientemente ampli, y a tavés de ls ecuaciones 7, seterminar los demés. 2) MECANISMOS DE ABSORCION DE LA RADIACION ELECTROMAGNETICA EN UN SEMICONDUCTOR En los semiconductors, debido al hecho de que muchas de sus propidades pueden controlarse mediante impurezs, y variar de manera continua enze los valores tipicos de los aislants y valores préximos # jos de los metales, exist una gran riqueza de fenémenos de absorcion éptica, en los que estén impicados diferentes mecanismos,segin la naturaleza de Jas transiiones interns excitadas por la radiacién electromagnética - Absorcin intrnseca: transicidn de electrones desde Ia banda (0 bandas) de valencia ‘la banda (0 bandas) de conduceién. En esta categoria hay que incluirtambifn la absorcién por estas ligados electrn hueco (excitones). = Absorcién extrinseca:transciones entre los niveles inernos de las impurezas y efectos 0 entre ellos y las bandas (0 viceversa). - Absorcion por portadors libres, © por exctaciones colectivas de étos (ransiciones| inwrabanda) - Absorcién por vibraciones de la red (fonones).-_- - - ~~ wane erreae ae ae ae eS SG ee Se Se Se SS 3) CONSTANTE DIELECTRICA PARA UN MECANISMO DE ABSORCION RESONANTE Muchos de los mecanismos mencionaéos pueden describirse con sufciente precisién ‘mediante un modelo sencillo de absorcién resonant en un osiladr arménico,formado pot ‘una particula de masa m y carga e, Tigada mediante una fuerza elistica de constante me, con cierto amortiguamiento I. La ecuacién del movimiento que describe su interacién con ‘un campo eléctico de frecuencia «ser at? ox ee © Si buseamos soluciones arménicas para el desplazamiento, x = x, €“ aera » El momento dipolar inducidoserd pe x, y, si tenemos N dipolos por unidad de volumen, la Polarizacifn del medio serd P=N e x) = G2, .y, por tant, la susceptiildadeléctrica sed Be, ojpoine Fe (10) ‘A partir dela ccuacién 10 fc deduce las expresiones para laconstante deléctricay para ‘us pares real e imaginaria: net apatite sicot veto are rat ay, Las couacones 11 son aplicables a muchos mecanismas de absorcién deluxe ilustran tanto la contribucién de un mecanismo dado a la eonstante delétrca, camo la relacion existente entre sus partes real e imaginaria. Si representamos & y €, en funcién de la frecuencia, obtenemos las curvas que muestra la figura 2. Dichas curvas indican que la absorcgin resonante se reflejard en la parte imaginaria de la constant dilécrics como wn pico de absorciOn centrado en la frecuencia de resonancia y con una anchura proporcional al amortiguamiento. La contibucion a la parte real es mas complicads. Para bajas fecueneias (inferiores| 4 Ia de resonancia), Ia parte real tiende a una constante que refleja el hecho de que el mecanismo en cuestdn es capaz de responder al campo y contribuir ala polarizacién del medio. Al acereatnos a ta frecuencia de resonancia la parte real tiene un maximo que refleja cl aumento resonante del desplazamiento. Inmediatamente por encima de la frecuencia de resonancia aparece una zona negitiva (para la que el indice de areftacion sera imaginario puro, por tanto, una onda de esa frecuencia wo podria propagarse fenel medio. A frecuencias mucho mas alta, la constant dielétrcatiende ala permitvidad ‘el vacio, indicando que el mecanismo en cuestén no puede responder a esas Frecuencias, y, or tanto, no contibuye a la polsrizacién del medio. Hay que subrayar,ademés, que para Frecuencias baja y altas In parte real de la constant dielécrica(y, per tanto, el indice de Ln > ] SK. % © Fig. 2: Partes real ¢imaginaria de la constante delétrica para una absorcin resonante reftacién) crece con la frecuencia. A estas zona st les lama zonas de dispersi6n normal, Solo fen torno a la frecuencia de resonancia existe una zona de dispersin anémala en la que la ‘derivada de la parte real de la constantedieléctrica respect ala frecuencia es negativa 4) CONTRIBUCION DE LAS VIBRACIONES DE LA RED A LA CONSTANTE DIELECTRICA DE UN SEMICONDUCTOR FI modelo descrito en la seccién anterior es directamente apicble al estudio de la shsorein de iz por ls vibraciones de los crstales places, Essten muchos semiconductores (en Particular los IILV y, en mayor medida, los I-VI) en los que el enlace es pucialmente iio, es ect a carga eletrnicano est istribuida smericamenteenel enlace, por bo que las vibraciones dela red tienen eater polar, es decir, evan asocada una onda de momento dipolar eléetrico,y responden a campos eléctricos de frecuencia inferior ala suya, lo que sigifia que contrbuyen ‘la constantedielécrca del material. Cuando una onda eletromagnéic se propaga pore cristal, dado que se trata de una onda transversal, excitara modos de vibacion transversal, producicadose una absorcia resonante cuando la frecuencia de a endaeletromagnetia coincida«on la del modo, Las esuciones 11 son diectameateapicabes con las siguientes modificaciones = La mast e,en este caso la masa reducidaaniGn-ctin += Nes el nimero de celdas por unidad de volamen enel rita + La fecuencia de resonancaes la fecuencia del modo transversal pti tx A frecueacias mucho mayores que (yo, cuando las vibraciones de la Ted ya no contribuyen a fa polarizacién del material, la constante dieléetrica est determinada por a contribucion electronica, y se representa como £0 (+) ~ La carga asociada cad in depende dela ionicidad del material, Para cada material se define Ia llamada carga efetiva transversal, es, que seri tanto mayor cuanto mayor sea la Aierenca de electronepatvidad entre anion y cain Las partes real e imaginaria de la constantedieléctrca vienen entonces dads por ls ‘cuaciones 11, con las modifcaciones que acabamos de comentar Nes? okra foe Hho ae es Po Taira rat ay Es fil ver que el valor de la parte real para frecuencias mucho menores que la de ez? 6, (0) 20 (=) +E «a Uiilzando el valor de la parte real dado por la ecuacidn 13, e8 posible modifcar ls ‘expresones dela eoutisn 12, Nos limtaremos al caso en que el amortguaniento es despreciable (0) -e, (=) Eyre (m) 20, a) Se define 9 como la fecuenci a la cual la constantediléctrica se aula. Es fc ver ‘que, con esa definicion, se obtiene la siguiente rlaciin: cs) ‘que es a llamads relacion de Lyddane-Sachs-Telle, ‘Veamos a contimuacién cual es la relacién de dlspersion, c(k), de las ondas =) ello daria gar a una limina_ carga negativamente en la diteecién del desplazamiento , en consecuescia,apareceria, una carga posiiva no compensada en el otro extremo de la muesta tal como muestra la figura 4. El campo eléetrco asi creado ‘ongiaria una fuerza recuperadoa. la ecuacién el movimiento de los elctrones sri: (ax) er. ev bias ota Donde se ha utlizado la expresin del campo elécrico ene dos liminas cargadas con densidad superficial o-en. Hay que ubrayar que en la expresion la frecuencia del plasma de os electrones bres aparece la constantedieléctricaelectrnica, Ello es debido a que ls osilacones dl gas de electrones libres se produce en el seno del conjunto de los elecrones de valencia. Para mayor simplicidad, si hacemos ender el amortiguamiento a ceo, la parte imaginara se aula (como era ‘de esperar, ya que anlamos la dsipacion de enerwa) En cuanto ala pate real as ecuacones 20 ‘muestran que para frecuencasinferores ala del plasma, se hace negativa, lo qve indica que el ince dereftaccin se imaginario puro y que, por tanto, dchas ondas no pueden propagarse en 8RRertr rr freee ee bebe eee oben semiconductor, ue pasa a tener comportamiento metiico (muy ata rellectividad) para esas feeuencias. Por elcontrario, a fecuencias superore a la del plasma, el semiconductor vuelve a ‘se transparente, siempre que a energia correspondiente ala frecuencia del plasma sea inferior & Is banda prohibida. Esto significa que el dominio de transparencia de un semiconductor viene limitado por la concetracion de electrones libres. Un semiconductor intrinsoco es transparente ‘ela egién compreida entre el modo LO y la banda proibida, Al aumeatar la concentracion de portadores, la frecuencia del plasma va aumentando y acercindose al valor dela banda prohibida, La presencia de una concentracin elevada de portadores libres colleva, pues, la aparicin de un frente de absorién hacia las longitudes de onda lrgas. Para calcular la forma caracteristica de ln absorcién debida a los portadores libres, volvamos a considerar un ‘smortguaminto no nul y caleulemos el coecente de absorci, a partir de indice de extncia: er Bre, Dae, Pe 5 ore, aire TN e One, atria? ty wart? @2y Resulta inmediato comprobar que para fecuencis alas, el ceficiente de absorcion es inversamente proporciona al cuadrado dela frecuencia 0, lo qe es lo mismo, proporcional al cuadrado de a longitud de onda, Es importante realtar que la absorci so eno nua cuando ¢] amortiguamiento es diferente de cero, Si identfcamos el amortguamiento con la inversa del tiempo derelsjacisn, pademos relacionar el coeficiente de absorci por portadore libres con la ‘conductividad del material: @ Eta ccuacién muestra que la absorcién por portadores libres est estrechamente relacionada con la presencia de mecansmos de relsjacion es decir, de dsipacion de la energia cxdida por el campo alos portadores. Desde un punto de vista cuético, lo que oeurre es que Ia iteraccin enrefotones yelectrones no puede dar lugar atransiciones intrabanda, ya que no se pueden cumplir simultinesmente las condiviones de conservacion de Ia cantidad de ‘movimiento ylaenergia Cunticameate, la absorcin por portadores libres so es posible como proceso de segundo orden en el que debe interven ademés un fondn, para asegurar la conservacén del momento y la ener, o una dispersion por impurezas (para fer la condicién ddeconservacin de a cantidad de movimiento),APENDICE A TEORIA DE LA RESPUESTA LINEAL A-l) RESPUESTA LINEAL En muchos fendmenos isicos en los que aparece impliada la interacin entre un sistema fsico y un campo exterior, dice interaccion puede tatarseintroduiciendo en el hamiltoniano un {ézmino perturbtivo del to V=~ At), donde A representa cierta magritud fisica dl sistema ¥ RQ) es el campo exterior. En muchos caso el valor medio de A se ve modificado por a accion {el campo. La teoria de a respuesta nal permite sacar conlusiones generates en aquellos casos fen Tos que el efecto del campo sobre e sistema et lineal y eausal, de modo que puede representarse mediante una expresion del tipo: AUd> fxr) f°) a @ es decir que el valor de A en el instante t depende linealmente de fs valores de campo en los instante anteriores (causalidad). Para simpliicar supondremos que en awsencia de campo e! el valor medio de Aes ero. La ecuacion | puede transformarse haciendo ¢-t'= = dt'=-at A(= fx) R-) de . @ Estas écuscones conducen a ne reac inal simple entre ls transormadas de Fourie. Siempre es posible describ el campo como superpeicion de sees ermincas Ai= [FlW) € "do ® Entonces la ecuaciin 2 queda AU) fe) [ Playe Paae= f [Perfecoemace “ao O la exprsin entre corchetes es la transformada de Fourier de A(t), lego rodemos escribir A(w)=Flo) fit sye ae ™*=y(a\F(0) x(0)= [ntseae ©= Serra rae erereee roses rene ik ovever, 4 never Sb5ssseeren kh everere4s3s3/ orev sobs: evens orevere 653s nara OmP@IwT ED WOOMIE Ec E cSS ourunesg ss MEnee Ss E=s Ue Cs WOON OMMOORCGE e OO S O ‘A.2) SUSCEPTIBILIDADES GENERALIZADAS ‘La fineién (0), que determina totalmente la respuesta dl sistema fete al campo exterior, reibe el nombre de susceptilidad generaizada._1(0) es, en general una funcion comple, 1o que ref ef hecho de que puede exstirun dsfase entre la causa y el efecto. As, podemos express en funcion de sis pares rele imaginariax(0)= (0) x"(@) Dela propia defncin de (0) (ecuacién 5) se deduce carlo) x!-o)=-x'(0) x-o=x10) 'Co=-x') o La accién de la fuerza exterior irk acompaiada de absorcin de energis por parte de sistema, Lia memos Q # la eneriaabsorbida por uidad de tiempo eee aa 4a at o Supongamos que la era exterior sea de a forma: Ko Minem Kem 8) portant £ ~tofye™ + 10 fee” GF ( whem +f e") © Le respuesta det sistema sri AW) ~ FO) SOM + OOF OM) (0) y HL (10 0) re + to x-0) fe) aia ay = xl) foe — A-aylfl? + x(a) fo? e™ + 160) YP] (2) Si caleulamos el valor medio en un perodo, ls términos en los que aparece la exponencial se srulan al promediar, de manera que: 2 = 2 Lx) x-0) KP © Al? x") (3) de manera que, la absorcién de energa por parte del sistema y su posterior conversion en sagitacibn térmica es proporcional a la parte imaginara de la suscepibiidad generaizads, por lo |que a dicha parte se la conoce como parte disipatva. Si hay disipacion, es dec, absorcion de era, la parte imaginaria debe sr diferente de cero y posiivaA:3) RELACIONES DE KRAMERS -KRONIG CConsideremos ahora (0) como funcién de variable compeja,sendo la variable ‘a-w'tio" Sint) esta para todo valor positive det, (0) no tendré puntos singulares (polos) ‘end semiplano superior de plano complejo. Es fc ver que, siendo o" > 0, tendriamos un factor ‘expt-o't),derecentey, siendo x(t Ia ntgral seria convergent. Esto es una consecuencia 4el proncipio de causaldad que impone que la integral se extienda solo a t> 0 (<1). La condici6n de ausenca de polos en el semiplano superior implica que las parts real e imaginaia dea susceptibilidad ‘everalizadaestn relacionadas entre si Aj Para demostrarlo, consderemos cierto valor de la frecuencia sobre el ee real, 1, calelemos la siguiente integral a To largo del contorno definido por la figura 1A: HO) gy { as, Dado que (6) sn polos ne FA: otro de mepacinen plo semiplano inferior, of Unico polo del imtegrando se da para @ ~ a, que queda exchido del contorno de integracién, por lo que la integral ao larg del contorno C debe anulrse, de acuerdo con el teorema ée Cauchy. Ahora bien, al hacer tender ainfinito el radio del semicirculo, a integral se anula, por la defnicion de 1x0), Por ota parte, ln ntegal slo lepa del semicteulo que rode 2.0, ée acuerdo con las ‘ecuationes de Cauchy, vale x 4(04). Por tanto, si hacemos tender el radi det semiirculo a e2t0, podemos escribir faa <0 Pfam top foro, [o-wy 06 Por tat Pf LOA ay = ox Ohasynlo) “ de donde se obtienen las relaciones de Keamers-Kronig, también lamadas relaciones de dispersion pte lo) = LPfEQa0 x4, oa, (is) Dichas ecuaciones pueden moditicrseteniendo en cuenta ls ecuaciones 6ox!) 4, ee ee ee ee ee es | a9)LECCION 10 PROPIEDADES OPTICAS DE LOS SEMICONDUCTORES (II) 1DABSORCION FUNDAMENTAL: TRANSICIONES DIRECTAS E INDIRECTAS Sellama absorcin fundamental en un semiconductor a aquelia que provoca la transicion des electrons del borde superior dela banda de valencia Jos estado vecio del bord inferior dela banda de conduceién. Obviamente se produce para fotones de eneyas superiors al valor de la banda prohibda (oligerament inferires, si interviene un fonda). La forma del frente de absorcion, es decir, Ia dependencia espctral del coefciente de absorion para valores dela ‘energia del fotén priximos al valor dela , bands prohibida, depend nicamente de a k estructura de bandas del material en torno al maximo de la banda de valencia y al mmiimo de la banda de condvecia, Pueden arse dos situaciones ~Transcions directa: El maximo de a I banda de valencia y el minimo de la banda a de conduecin sedan para el mismo valor del cuas-impulso Kk Las leyes de conservacén del uas-impulsoy la energia exigen YO len E(k’) = Ey(h) + hea DR =Dk-+ Bh, ee Ahora bien, para vilores tpicos de la banda probbida B, en torno a | eV, la longitud de onda del fondn es del orden de Im, y hee del orden de 10" em, es decir, dos ‘rdenes de magitud mas pequeto que os valores pias del cuas-impulsa ce os eletrones, por to quel condi de conservacion del cus-impulo en una transicion directs puede aproximarse {11¢=K, de abi que se llame también transiciones verticals alas transicionsdirectas lirectas: El maximo de Ia banda de valencia y ef mismo de la banda de cconduccién no se dan para el mismo valor del cuas-impulso k En este caso, las leyes de conservacién del cuaiimpulso y la energia no pueden cumplirse si na inerviene una tercera Partcula capaz de aportar Ia diferencia de cuas-impuso ene los estado incialy final. En un solido, tas particu exsten: son los cuantos de vibracion de la edo fonones, que trensportan—_ LS ease eu luna energia hidy, Yuna cantidad de ; ‘movimiento hhc, Las ecuaciones de k eR) = Bi) + hia he, pone Be =Dle+ hac hig, Al tratarse de un proceso en el que interenen tres paticuly, resulta obvio que ‘su probabilidad ser inferior, por lo que en las transicionesindirects, log valores del Coeficiente de absorcién son dos 0 tres Srdenes de magnitudinfrores a los de las Ky transciones diectas. El simbolo = en las ies cuaciones de conservacién indica que las eee a Condiciones pueden cmplisetnblen ‘mediante emision de un fon, 2) COBFICIENTE DE ABSORCION ¥ PROBABILIDAD DE TRANSICION rene ats la vloida de a uz en el meio es v=cin ye jo de fotones puede expresase Samo ON. cin donde N, sla densidad de folones El nimero de fotones abso sor sided Ae tempo y und de volumen debe corrsponder al nimera de transisiones oa Produce por unidad de tiempo y unidad de volumen RAIN Sdx= a @=aN,e/n @ Por ota parte, debemosrelacionar el fjo deftones con el jo eneraticoexpresado en funcion eos campos opoteaciales clisios asocados ala onda eectromagndtica, es deur cos el waare 4e Poynting § RodN/ Sdx= 0 @=aN,e/n ® 2Por otra parte, debemos reacionarelfyjo de fotones con lio energético expresado en funcon la expresion de la densidad de estas en una banda parabolca(leccién 2), obtenemos: ' | as) 9; susttuyendo en la eouacién veaich (9) Asi pues, coeficiete de absorcion para transiciones directas permitdas resulta ser proporcional 4 (2@- E,) Sila trnsicionhubiese sido prohibida en primer orden el segundo término dela ‘ecuacién 12 se habria anulado, Al quedar solo el primero, habriaaparecido una dependencia suplementaria en I, Jo que , al integrar, habia conducido a un coeficiete de absorcion proporcional a (ni) 4) COBFICIENTE DE ABSORCION PARA TRANSICIONES INDIRECTAS Para transiciones indirect, al no poder cumplirse Ia conservacin del cuasiimpulso ‘ticamente conf eantidad de movimiento del fotéa, es necesaria la intervencion de un fonén. En proceso intervienen tres partculas, lo qu implica necesriament un coeficiexte de absoccion ‘mas bajo, al ser un proceso de segundo orden, Para calculr dicho cocficente de absorcin hay ‘que utilizar la teoria de perturbaciones de segundo orden, con un estado virtual intrmedio, La probabitdad de transicién se calcula mediante la teoria de perturbaciones de segundo orden, [At ltt 2 1a fecal Ale ll, wee or o donde la suma se realiza sobre todos los estados intermedios m. Como, ademis, en este tipo de transiciones ls euasiimpulsos de los estado iil y inal no coincide, para cacular el imero de transiciomes por unida de tiempo, hay que integra la expresin 20 para todos los valores de ky Ke Si incluimos los elementos de matriz en una constane Cy, Ia expresion final para el coeficiente de absorcion se calclaré mediante una integral de a form:LEE LS ILENE Ea eee) Gg oD Si fas, fe TEE TEAETS (8,-6, « = (0a, ) A noB ga donde el primer término corresponde al proceso en el que Ia transicin se rsiza mediante la absorcign de un foton (Ia constante seré proporcional ala poblacion Je fotones N (exp(hwikT)-1)" y el segundo témino al proceso con emisgn de un fondn (a constant sera proporcional a N+). Obviamente el prime témino debe tender a caro a ajaslemperturas, ya ‘que no habré fonones excitados. 5) INTERACCION ELECTRON-HUECO: EXCITONES. En las deduciones anteriores del cofcente de absorcn, hemos supuesto que el elect ‘yel huevo creados cuando el semiconductor absorbe un fotén no interactian ences Esto no es ‘ert en realidad, ya que, al tatarse de particulas cargadas, existe entre lls una interaction clectrositica, que, en determinadas condiciones puede da lugar a estadosligados en ls que el cdectrn y el huco forman un estado hidrogenoide, similar alos estados que crean las impurezas, pero que puede propagarse libremente por el cristal. En la aproximacin de la masa efectiv, la ecuacién de Schrodinger para el electrén y el hueco interactuando mediarte un potencial culombiano seed: Hlagamos un cambio de variable para pasar a unas nuevas coordenadas: la distancia entre el electron y el hueco, r= x, ~,, ya posicion del centro de masas R=(a,*r,tm,*n Vm." m,*). Com esas nuevas coordenadas, as laplaciana dela ecuacin 43 quedaria: 7et jagt gts Be optageye 7 (23) donde Mesa suma de ambas mass. Al susie a ecacin 43, se obiee: er aag OB A= (2-81 012, 4 donde mes ia masa reducida electron hueco. La ecucin es ahora separable y la fencin de ondas puede expresarse como el producto de dos funciones: (,R)-®,(R)D(x) . Para 0,(R) el hamiltoniano contiene tnicamente el término de enegia cinétic, por Io que podemos dicha fancién sera una onda plan, © (R)-<* que describe el movimiento del centro de masas de ambas pariculas, endo K al vector de ondas correspondiente. Al sustiuir en la ecuacibn 46 y pasar al segundo miembro la energa cintica, obtenemos la ecuacion para ©,(), que m> es mas que la 6ae se see se eee eee ease ‘ecuacién de ondas de un étomo hidrogenoide aE 8 le ize PEE oe Copgt aiae death tee SIO, (2) es) Los estados ligados correspondientes vendrén dados por: bee, SY*, RE pee (202 nt” aw mee (26) Dichos estados consttuyen el especro dscreto de los estados excitbnicos que, para valores pequeios de la energi cintca, se sisian en la banda proibida. Los estados no liga dos ser fos correspondents al espetro continuo de a interaccin coulombiana, en ls que las fanciones de ‘ondas se ven también modifcadas Fl coeficente de absorcén debe pues clcularse con las mevas funcones de ondas. Recordemos que las soluciones de la ecvaion de a mas efectiva son aproximades. Las funciones de ondas reales son combinacione ineales de las funciones de onda elecrdnias en los extremos dela esructura de bandas, cuyasenvolventes, si aproximamas la parte perdica dela funcones de onda para k pequeio mediante las funciones para Ja mase efectva wer Beanel' Be, os La teoria del coefceat de absorcién en presencia de interaccineletrn-hueco fue desarollada por Eliot. En una version muy simpliicada de dicha teoria, los elementos de matrz de la ‘ranscion serian ahora los elementos de matriz para a interaccion dipolar enrelasfunciones de ‘onda de Ia banda de valencia y la funciones de onda del exciton: Ma[D oehaz 8B Yat op, (Eh -¥, (000, . : (28) Donde hemos aproximado los elementos de matrizen ausecia de interaccincoulombiana con ‘svalr parak-0. El nuevo coefciente de absorién vendri dado por: =€|440)|?, dande ces el coeficiente de absorcién en ausencia de interaccion coulombiana, Para Tos estados del ‘espectodisreto apaecerin una serie de pcos de absorcién con ntensdades dads por la elacion |,(0)/*1/ x a'r! Para el especro continuo del tomo hidrowenoide: ver | mae eto Xee ‘| te 7 (29) Ingo let de sbsorin soda sein a sient expen 60) Es ficl ver que para eneria mucho mayores que el gap, el coeficiente de absorcion en presencia de interaccin elecron-hueco, tende a la ley (haoE)!™ La fighra 3 muestra larotificacién del espectro de absorcién debida ala interacein eletron-hueco, Los pcos de absorcidn correspondientes a los estados dscretos del exit, asi ‘como a dscontimidad en E,,aparecen con cierta anchura, dependiente de la temperatura, debido a a ineraccin con Jas vibraciones del red Ry? Ee hy Figura 3: coefciente de absorcion en presencia de ineraccién electrn-hueco 6)ACCION DEL CAMPO MAGNETICO: NIVELES DE LANDAU Tal como vimos anterionmente, en presencia de un campo electomagnético, ol hhamiltoniano del sélido viene dado por L gyre BE, aA? dah sh ama Gat, Fae Na a ae ne AY ) Supongamos que se eplicaun campo masnético wniforme drigido en la dreccibn del eke 2 Se puede elegr un potencal vector dea forma A = Bxj , con lo que el hamitoniano queda: ae S lghbx 2 Qe Ome me By 2 Este hamiltonian se diferencia del hamiltoniano en ausencia de campos exteriorss en aparece un ‘érmino dependiente de la coordenads x, por lo que buscaremos soluciones del forma: te g(x) La couacién de Schrodinger quedaré: DEKE, AKE nt ae , g?o? Dae ** Smo? Gas ax? ame @) Podemos eliminar algunos términos haciendo un cambio de variable consstenteen despazar el rrigen de a coordenada x2. Sielegimos =k; / eB, es ficil ver que la ecuacin se smpiica ‘enormemente, quedando2 8 GB og pg TRE BE PO, PB yey ig Bae ag ame 9 ee 64) Dicha ecuacén coresponde ala de un osilador arménico de frecuencia angulir «=aB/in*, que cela lamada frecuencia deresonanca ciclotrnica(ecuencia ala que giran los electrones en las ‘tits circularesclisieas de un ciclotrn), El espectraenergéico de los lectrones en el sido, en presencia de un campo magniético vend pues dado por 2k, Befo,(nedy + 2a 65) efecto del campo magnetic converte el especrocuasicontinuo ene plano XY en un espectro disereto de niveles energéticos equidstanes en energa, lamados niveles de Landau, En la direccién del campo magnético, el especto sigue siendo el espectro euasicontinuo de los ‘lectrones libres. Obviamente, la mosificacion del especto energético conllevauna modifcacion ‘de a densidad de estados, Para cada uno de los niveles de Landau, la dependerca enk, conduce ‘4 una densidad de estados de la forma a oe Eke a, tm Par otra parte, dado que el valor maximo de, debe ser BL, el nimero de valores posibles de k,seré eBL,L,/2h, por lo qu ef nimero de estados por cad nivel de Landau ser,teniendo en ‘henta la degeneracin de spin diy Why by ae? Fan an pe) Fe on, Si divdimos pore volumen del cristal y ponemos Ez en funcion de E, obtenemos la densidad de cestados os) Es ficil ver que el nimero total de estados no cambia por la aplicacién del campo ‘magneto, En efecto, hemos visto que el nimero total de valores de, por cad nivel de Landau seria eBL,L/2nm = (eBimn") L.Lm"/2 h= (hea) L,L,m*/27 Blo que corresponde al nimero total de valores de k que babria ene plano K,K,, en ausencia de campo, etre dos ciculos de ‘energia constante corespondientes a dos niveles de Landau contiguos, La figura 4 muestra ladensidad de estados en presencia de un campo magndico. La caracteristica ras relevante es la apariion de Sngulardades on la densidad de etados, ue coisciden con los niveles de Landau. En toda ls propiedades del sido en lis que intervenga la densidad de esados se observarin fenomenos ostlatorios, debida a dichas singuliidades. Asi, la resistvided de_un semiconductor egenerado 0 de un metal presenta coselaciones, ya que habra un maximo de conductivdad para aquellos valores del campo magneto para los que el nivel de Fermi coincida con un nivel de Landau (efecto Shuvonikov-de Hass): F, nneBin’,o, lo que o mismo 1/B=n(e him*E,). La resstividad presenta un comportamiento periédica en 1/8. Igual sucede con la susceptbilidad (efecto de Haas- van Alphen). Otro fenémeno de gran importncia es la absorcion resonante de radicionelectromagndtica debia a transciones entre niveles de Landau (resonancia cielotrénca), que permite una determinacion muy precisa dela masa efectiva de los portadores. ‘Cuando una radiacion de recuenciaconocda once sobre un sli, de produce una absoreion resonante cuando su flecuencia coincide con la frecuencia ccltrénica: -eB/m* Ee G Figura 4: densidad de eetados en presencia de campo magnetico