Professional Documents
Culture Documents
Slika 2.1
Zadatak 2.2.
(a) Nacrtati potpunu šemu jednostepenog pojačala sa zajedničkim izvorom i sa pnp BJT tranzistorom.
(b) Nacrtati istosmjerni ekvivalentni krug, te napisati osnovne relacije neophodne za proračun radne tačke tranzistora.
(c) Nacrtati izmjenični ekvivalentni krug pojačala, napisati osnovne relacije neophodne u postupku ekvivalencije.
(d) Zamijeniti tranzistor njegovim ekivalentnim modelom za male signale, te napisati relacije neophodne za
izračunavanje parametar modela za male signale.
(e) Izvesti potpuni i približni izraz za naponsko pojačanje pojačala.
Zadatak 3: Zaokružiti tačan odgovor na ovom papiru! Tačno zaokružen odgovor NEĆE biti priznat bez napisanog
postupka/obrazloženja u zadaćnici.
Zadatak 3.1.
Na slici 3.1 je prikazan sklop polarizacije bipolarnog
tranzistora T s jednim otpornikom i jednom diodom, pri čemu
strujno pojačanje tranzistora iznosi β=100. Pad napona na
diodi iznosi VD=1V. Radna tačka tranzistora je smještena u:
(a) oblasti zasićenja.
(b) oblasti zakočenja.
(c) inverznoj aktivnoj oblasti.
(d) direktnoj aktivnoj oblasti.
Slika 3.1.
Zadatak 3.2.
Na slici 3.1 je prikazan sklop polarizacije MOSFET tranzistora s dva otpornika,
pri čemu napon praga tranzistora iznosi VTN=3V. Ako je mjerenjem utvrđeno da
je napon VDS = 8V, radna tačka tranzistora leži u:
(a) omskoj oblasti.
(b) oblasti zakočenja.
(c) oblasti zasićenja.
(d) inverznoj oblasti.
Slika 3.2
Zadatak 3.3.
U sklopu s tiristorom (slika 3.3) ulazni naizmjenični signal je definisan kao
uAB(t)=10·π·sin(314t). Sklop je opterećen sijalicom otpornosti RL=10πΩ. Ako
se prekidač SW uključuje pri uglu α=90o, mjerenom od početka svake
poluperiode ulaznog napona, efektivna vrijednost struje kroz otpornik RL
iznosi:
(a) πA (b) 2A
(c) 1A (d) Nijedan od ponuđenih, tačan odgovor je ______ Slika 3.3
Zadatak 3.4.
Kod JFET tranzistora provodnost kanala se mijenja promjenom:
(a) poprečnog presjeka kanala što se postiže kontrolom širine osiromašene oblasti inverzno polarisanog pn spoja izmedu
vrata i izvora pod dejstvom upravljačkog napona.
(b) koncentracije slobodnih nosilaca naelektrisanja što se postiže djelovanjem električnog polja na kondenzatorsku
strukturu formiranu od metala, oksida i poluprovodnika.
(c) poprečnog presjeka kanala što se postiže kontrolom dužine osiromašene oblasti inverzno polarisanog pn spoja izmedu
vrata i izvora pod dejstvom upravljačkog napona..
(d) koncentracije slobodnih nosilaca naelektrisanja što se postiže djelovanjem magnetnog polja na kondenzatorsku
strukturu formiranu od metala, oksida i poluprovodnika.
Zadatak 3.5.
Struktura poznata kao CMOS je
(a) MOS tranzistor koji se koristi u pojačalima da se dobije vrlo veliko pojačanje.
(b) vertikalni MOS tranzistor snage koji se koristi kao prekidač za velike napone i velike struje.
(c) tranzistor koji se koristi kao prekidač za velike napone i velike struje.
(d) Nijedan od ponuđenih, tačan odgovor je: