To (may Ponto @ Capitulo 2 AplicagSes do diodo 53 Reta de carga mM Figura 2.7 Solugdo do Exemplo 2.1 uilizando © modelo ideal do diode. Portanto, a utilizago do modelo ideal do diodo deve ser reservada para os casos em que a fungo de um diodo & mais importante do que niveis de tensio que diferem em décimos de volt e para as situagdes em que as tenses aplicadas so consideravelmente maio- res do que a tensio de limiar Vg. Nas proximas segdes, sera empregado exclusivamente © modelo aproximado, pois os valores de tensio obtides serdo sensiveis a variagées préximas de V. Além disso, o modelo ideal sera empregado com mais frequéncia, pois as tenses aplicadas serdo, muitas vezes, maiores que Vx, € 08 autores desejam assegurar que a fung0 do diodo seja clara ¢ corretamente entendida. Neste caso, ove {ou um equivalente ~ Toy 7 BMA =O de curto-cirerto) 2.3 CONFIGURAGOES COM DIODO EM SERIE ‘Na segdo anterior, mostramos que os resultados obtie dos por meio do modelo equivalente aproximads linear por partes eram bem préximos, se no iguais, aos resultados obtidos utilizando-se todas as caracteristicas. Na verdade, se levarmos em conta todas as possiveis variagées devido 2 tolerdncias, temperatura e assim por diante, podemos cconsiderar uma solugio “tio precisa” quanto a outra. Visto que a utilizagao do modelo aproximado normalmente resulta em uma reduedo de esforgo e tempo para obler (os resultados desejados, essa serda abordagem empre- gada neste livro, a menos que se especifique o contratio, Lembre-se do seguinte: propésito principal deste livro é desenvolver um conhecimento geral do comportamento, das aptiddes e das possiveis éreas de aplicacdo de um dispositive a fim de minimizar a necessidade de extensos desenvol- vimentos matemiticos. Pra todas as analises a seguir, neste capitulo, sue ponhamos que resistencia direta do diodo seja geralmente to peque- ‘na, em comparacdo com os outros elementos em série do circuito, que possa ser desprezada, Essa é uma estimativa valida para a maioria das aplicagdes que empregam diodos. Usar esse fato re~ sultard nos equivalentes aproximados para 0 diodo de silicio e o diodo ideal que aparecem na Tabela 2.1. Para a regidio de condugao, a tinica diferenga entre 0 diodo de silicio e o diodo ideal é o deslocamento vertical na curva caracteristica, que representado no modelo equivalente por uma fonte CC de 0,7 V oposta ao sen- tido da corrente direta que passa pelo dispositivo, Para tensdes inferiores @ 0,7 V (em um diodo de silfcio real) 0 V (em um diodo ideal), a resisténeia é tao elevada em comparacao com outros elementos da rede que seu equivalente ¢ 0 circuito aberto. Para um diodo de Ge, a tensto de offset & de 0,3 ‘V; para um diodo de GaAs, 1,2 V. Fora isso, os circuitos equivalentes so os mesmos, Para cada diodo, a legenda Si, Ge ou GaAs aparecers junto com o simbalo do diodo. Para circuitos com diodos ideais, o simbolo aparecerd como mostrado na Tabela 2.1, sem quaisquer legendas. ‘Agora, © modelo aproximado ser usado para in- vestigar diversas configuragées em série de diodos com alimentagdo CC. Isso estabelecerd uma base na andlise do iodo, que se estenderd nas seg se nos capitulos seguintes.54 Dispositvaseetrénicose teria de crcuitos Tabela 2.1 Modelos de dodo semicondutr Si Nb torv— torv- =F T 7 eat bo tov + Yp=0V- — Se a to © procedimento descrito pode ser, na verdade, apicado a cireuitos com qualquer quantidade de diodos e em vérias configuragdes, Para cada configuragio, deve-se determinar pri- meiramente 0 estado de cada diodo. Quais diodos estao ‘igados” © quais estio “desligados”? Uma vez que isso seja determinado, o equivalente apropriado pode ser substituido ¢ os pardmetros restantes do cireuito podem ser definidos. De modo geral, um diodo esté no estado “ligado” se a corrente estabelecida pelas fontes for tal que sew sentido coincida com o da seta do simbolo do diodo, ¢ Vp = 0.7 V para osilicio, Vp> 0,3 V para o germénio € Vy = 1.2 V para oarsencto de gio. Para cada configuragdo, substitua mentalmente os diodos por elementos resistivos e observe o sentido resul- tante da corrente como algo estabelecido pelas tensées apli- ccadas (“pressd0”). Se o sentido resullante for o mesmo que ‘oda seta do simbolo do diodo, a condugdo sera estabelecida através do diodo e o dispositive estaré no estado “ligado”. A deserigdo anterior depende, ¢ claro, de a fonte ter uma tensio maior do que a tensdo de limiar (V,) de cada diodo, Se um diodo estiver no estado “ligado”, tanto & possivel atribuir uma queda de 0,7 V através do elemento {quanto redesenhar a rede com o circuito equivalente Vi definido na Tabela 2.1. Com o tempo, a preferéncia devera ser simplesmente incluir a queda de 0,7 V através de cada iodo “ligado” ¢ desenhar uma linha diagonal através de cada diodo no estado “desligado” ou aberto. Inicialmente, porém, método de substtuigdo seri utilizado para asse~ gurar que as tenses ¢ os valores de corrente apropriados sejam doterminados. © ccircuito em série da Figura 2.8, descrito em de- talhes na Seedo 2.2, seré utilizado para demonstrar a abordagem descrita nos parigrafos anteriores. © estado do iodo ¢ primeiramente determinado substtuindo-se me talmente o diodo por um elemento resistivo, como mostra a Figura 2.9(a). O sentido resultante de / € 0 mesmo da seta do simboto do diodo, e, uma vez que E> Vy, 0 diodo estd no estado “ligado”. O circuito é, entdo, redesenhado Figura 2.8 Configuragio com diodo em série,o ° Figura 2.9 (a) Determinagdo do estado do diodo da Figura 2.8; (b) substituiggo do modelo equivalente pelo diodo ligado” da Figura 2.9(a), conforme a Figura 2.9(b), com 0 modelo equivalente apropriado para o diodo de silicio diretamente polariza- do, Para referéncias futuras, observe que a polaridade de V,,é a mesma que resultaria caso um diodo Fosse de fato um elemento resistivo, Os valores resultantes de tensdo ¢ corrente so os seguintes: Vp = Ve 4) Ve = E- Va es) Ve p= I= 2.6) n= In= 26) ‘Na Figura 2.10, o diodo da Figura 2.7 foi invertido, A substituigo mental do diodo por um elemento resistivo, como mostra a Figura 2.11, revela que o sentido da cor- rente nfo é 9 mesmo que o do simbolo do diodo. Este esta no estado “desligado”, resultando no citcuito equivalente da Figura 2.12. Devido ao fato de o circuito estar aberto, a corrente do diodo 0 A ea tensto através do resistor R 6a seguinte IR R= (OAR Aplcagées do diode 55 Capitulo 2 Figura 2.10 Inversio do diodo da Figura 2.8. Figura 2.11 Determinaso do estado do diodo da Figure 2.10 Figura 2.12 Substituigdo do diodo “destigado” da Figura 2.10 por seu modelo equivalente. © fato & que Vq = 0 V estabelece E volts através do circuite aberto, como definido pela Lei das Tensbes de Kirchhoff. Lembre-se sempre de que, sob quaisquer circunstincias — CC, valores CA instantaneos, pulsos ete, —, a Lei das Tensbes de KirchhofT deve ser satisfeital EXEMPLO 2.4 Para a configuraedo do diodo em série da Figura 2.13, determine Vy, Ve Ip Solugao: Como a tensdo aplicada estabelece uma corrente no sentido horatio, coincidindo com o sentido da seta do simbolo do diodo, este esté no estado “ligado” Vp =07V Va = E = Vp =8V-09V=73V Ve _ 73 Ip=Ig= “8 332mA Rk 22k56 DispositveselevGnicose teria de crcitos We + Figura 2.13. Cireuto de xemplo24 ExEMPLO 25 Rept o Exempla 2.4 com odio invert, Solugéo Removendo o diodo, descobrimos que o sentido de 1 € oposto ao da seta do simbolo do diodo e que 0 equivalente deste ¢ 0 circuito aberto, ndo importa qual modelo seja empregado, O resultado € 0 circui- to da Figura 2.14, onde J, = 0 A devido a0 circuito aberto, Como Vy = IgR, temos que Vq= (O)R=OV.A aplicago da Lei das Tenses de Kirchhoff na malha resultaré em: EnVo=Vqg= 0 © My=E-Vy=E-0=E=8V Em particular, observe no Exemplo 2.5 0 elevado valor da tensto aplicada ao diodo, apesar de ele estar no estado “desligado”. A corrente é nula, mas a tensBo significativa, Para efeito de revisto, nas analises a seguir, tenha em mente que: Um cireuito aberto pode ter qualquer valor de ten- ‘so através de seus terminais, mas a corrente é sempre OA, Um curto-cireuito tem uma queda de 0 V em seus terminais, mas a corrente élimitada apenas pelo cireuito em questi. No exemplo a seguir, a notagdo da Figura 2.15 sera ‘empregada para a tenso aplicada. Trata-se de uma notagao Ip=0A Figura 2.14 Deteminagao das inedgnitas do Exemplo 25. PosWVO Se gHoy pa-svO Pr eSsv Figura 2.15 Nota de fone industrial comumente utilizada, com a qual voeé devera se familiarizar. Essa notagao ¢ outros valores de tensio definidos sero abordados no Capitulo 4. EXEMPLO 2.6 Para a configuragio do diodo em série da Figura 2.16, determine V5, Ve ly Solugao: Embora a “pressdo” estabelega uma corrente com 0 ‘mesmo sentido da seta do simbolo, o valor de tenséo aplicada ¢insuficiente para “ligar” 0 diodo de silicio, ‘© ponto de operagao na curva caracteristica é mostrado na Figura 2.17, determinando o equivalente de circuito aberto como sendo a aproximagio adequada, conforme a Figura 2.18, Assim, os valores de tensdo e corrente resultantes sio os seguintes Figura 2.16 Figura 2.17 Ponto de operagao com E=0.5 V.wos f=0ma + ¥% Figura 2.18 Determinagdo de Vj, Vee Jy para circuito a Figura 2.16 Ip OA Vg=[gR= [R= (OA)1,2k2=0V V>E-05V EXEMPLO 2.7 Determine ¥, ¢ /p para 0 circuito em série da Figura 2.19, Solugao: Uma abordagem similar aquela do Exemplo 2.4 revela que a corrente resultante tem o mesmo sentido que as setas dos simbolos de ambos os diodos e que os resul tados do circuito da Figura 2.20 se devem a E~ 12 V > (0,7 V+ L8V [Tabela 1.8}) = 2,5 V. Observe a fonte redesenhada de 12 V e a polaridade de ¥, através do resistor de 680 02. A tensio resultante & Vy = EV, ~ Vig = 12V —2,5V = 95 SY on wv ¥, o™ a0. Figura 2.19 Cireuito do Exemplo 2.7. iA [ory tay won, Figura 2.20 rninagao das incdgnitas do Exemplo 2.7. Capitulo 2 AplicagGes do diode 57 = Me Me = 98 = ay 97m, Inn RO EO Gog 7 ATMA, EXEMPLO 2.8 Determine Jp, Vp, e F, para o circuito da Figura 221 Solugao: ‘A remogiio dos diodos ¢ a determinagtio do sentido da corrente resultante J produzem o circuito da Figura 2.22. O sentido da corrente em um diodo de silicio esté de acordo com seu sentido de conduso, mas isso no ocorre com 0 outro diodo de silicio, A combinago de um curto-circuito em série com um circuito aberto sempre resulta em um circuito aberto e em Jy = 0A, conforme mostra a Figura 2.23. A.questdo que permanece &: pelo que substituiremos 0 diodo de silicio? Para a analise que seré feita neste e nos a ss +0 os soko. Figura 2.21 Circuito do Exemplo 28. + RY56ko 221 31 + S6kO vy, Figura 2.23 Substituigdo do estado equivalente para iodo aberto,5B Dispositveselevnicose teovia de crcuitos proximos capitulos, lembre-se simplesmente de que, para 0 diodo real, quando [p= 0, Vy =0 V (e vice-versa), como indicado no Capitulo 1 para a situago sem polarizagao. As ccondigdes descritas por /, = 0A, Vp, = 0V esto indicadas na Figura 2.24, Temos Ve=IgR= IpR=(OAYR= OV e Vp, = Versio apeno= E = 20 A aplicagdo da Lei das Tensdes de Kirchhoff no sentido horério resulta em. E~ Vp, ~ Vo, Vo = 0 © Vo, = E~Vp,-V¥, = 20V-0-0 = 20 com Von0v Yo, +] toy Figura 2.24 Determinagao das inedgnitas do cireito do Exemplo 2.8. EXEMPLO 2.9 Determine 1, V;, Vs € ¥, para a configuragde CC em série da Figura 2.25. Solugao: As fontes so desenhadas e 0 sentido da corrente € indicado conforme mostrado na Figura 2.26. 0 diodo encontra-se no estado “ligado” e a notagio que aparece nna Figura 2.27 ¢ inserida para indicar esse estado. Obser= B\=10V Figura 2.25 Cireuite do Exemplo 29. ve que o estado “ligado” é anotado apenas pela indicagio adicional de V,= 0,7 V inseridana figura, Isso elimina a necessidade de redesenhar 0 circuito e ainda evita qual- quer confusdo que possa surgir com 0 aparecimento de outra fonte, Conforme mencionado na introdugdo desta segio, talvez esse seja 0 método utilizado por quem ja tem certa familiaridade com a andlise de configuragses de diodo. Mais tarde, toda a andlise seré feita com re- feréneia apenas ao circuito original. Lembre-se de que um diodo reversamente polarizado pode ser indicado simplesmente por uma linha através do dispositivo. ‘Accorrente resultante através do circuito & Eyt B= Vp _ IOV +SV-07V_ av Rit Re GTKD +22KN~ 69KD = 207 mA eas tensdes silo Ve= IR, (2,07 mA}2,2 k) A aplicagdo da Lei das Tensdes de Kirchhoff malha de saida no sentido horirio resulta em SS V-SV=—048V © sinal de menos indica que ¥, tem uma polaridade ‘posta a mostrada na Figura 2.25. Figura 2.26 cireuito da Figura 2.25, Determinagao do estado do diodo para 0 Figura 2.27 Determinagdo das ineognitas para o circuito dda Figura 2.25, KVL (malha de tensto de Kirchhos? ou Kirchhoff voltage loop)