Tribologie et développement durable 20-21-22 mai 2008 — Lyon — France SIMULATION EXPERIMENTALE ET NUMERIQUE DE L’INTERACTION GRAINS ABRASIFS/MATIERE DANS LE SCIAGE A FIL DES PLAQUES FINES DE SILICIUM EXPERIMENTAL AND NUMERICAL SIMULATION OF THE IN- TERACTION ABRASIVE GRAINS/MATTER IN THE WIRE SAW- ING OF THE THIN SILICON PLATES E. Felder et P. de Coligny CEMEF, UMR Mines Paristech/CNRS 7635, BP 207 F06904 Sophia-Antipolis Cédex France E-mail : Eric.Felder@ensmp.fr Résumé Des essais de tribométrie ont fourni la pression de contact fil/silicium, le coefficient de frottement p et la vitesse d'enlévement de matiére K. Diverses observations et considérations théoriques montrent que les grains abrasifs induisent un micro-usinage ductile du silicium. Le processus élémentaire d'enlévement de matiére est modélisé numériquement avec le logiciel FORGE2” comme le glissement d'un diédre a la surface du silicium considéré comme un corps élastique parfaitement plastique. Selon les valeurs de I'angle d'attaque du diédre et du coefficient de frottement diédre/silicium, le diédre produit la formation d'une vague plastique, d'un bourrelet adhésif ou aréte rapportée ou d'un copeau. Les valeurs de y et K ainsi déduites sont en bon accord avec les valeurs expérimentales. Abstract Tribometry experiments furnished the contact pressure wire/silicon, the friction coefficient 1 and the material removal rate K. Various observations and theoretical considerations demonstrate that the abrasive grains induce a ductile micro-cutting of silicon. The elementary process of material removal is numerically modelled with the computer code FORGE?” as the sliding of a rigid wedge at the silicon surface assumed as elastic-perfectly plastic. According to the values of the wedge attack angle and the wedge/silicon friction coefficient, the wedge induces the formation of a plastic wave, an adhesive edge or build up edge or a chip. The values of K and p so estimated are in good agreement with the experi- mental ones. 1. INTRODUCTION Les capteurs photovoltaiques convertissent le rayonnement solaire en électricité ; ils repré- sentent donc une des voies les plus importantes de production d'énergie dans l'optique du développement durable, Le matériau assurant cette conversion est généralement le silicium. Une forte proportion de ces capteurs utilise de grandes plaques fines de silicium multi cris- tallin, d'épaisseur de lordre de 0,2-0,3 mm [1]. Le silicium multi-cristallin est constitué de grains dont le diamétre est de l'ordre de plusieurs millimétres ; son rendement de conver- sion de I'énergie solaire est un des plus élevés, de l'ordre de 14 %. Son intérét industriel vient du fait qu'il assure actuellement le meilleur rapport rendement de conversion sur coat de fabrication. Le nombre de ces capteurs augmente donc fortement.Tribologie et développement durable — Lyon 206 a 44 Une étape clé de Ia fabrication du capteur est la réalisation des plaques fines Wi sy fait en diverses étapes : ‘obtention d'un lingot par refroidissement directionnel de bas en haut d'une Masse de silicium de grande pureté et fondu, ¢ découpe du lingot en briques ou blocs avec une scie a ruban diamanté et liming. tion des extrémités du lingot, * rectification des faces et chanfreinage des arétes, * — découpe des blocs en plaques fines par sciage @ fil, : élimination de la couche superficielle endommagée et texturation de surface deg plaques (faciés en forme de pyramides microscopiques) par attaque a chaud pa, une solution aqueuse de soude. Le sciage @ fil est une étape cruciale, car ce procédé doit fournir un grand nombre de plaques fines, non cassées et ne présentant pas de défauts de surface marqués. La figure { le décrit schématiquement : on fait pénétrer un bloc de silicium a une faible vitesse v dans une nappe constituée d'un fil fin d’acier haute résistance ; cette nappe est tendue entre quatre cabestans rainurés et est arrosée avec un fort débit par un slurry, mélange d'huile et de grains abrasifs en carbure de silicium, de petite taille et en forte concentration. Le glis- sement a grande vitesse u de la nappe sur la surface du bloc en assure la découpe. On réalise ainsi la découpe simultanée de milliers de plaques carrées, de 100 ou 125 mm de cété. déversement du si remontée de la brique a travers la nappe brique de silicium table supportant la i brique bobines de fil émettrice de fil neuf et réceptrice de fil usé |“ nappe de fil Fig. 1 Le procédé de sciage a fil d'un bloc de silicium. The process of wire sawing of a silicon block. Tab. 1 Conditions de sciage a fil pour la fabrication des plaques fines de silicium (épaisseur ~0,2- 0,3 mm) pour les capteurs photovoltaiques [1]. Conditions of the wire sawing for manufacturing the thin silicon plates (0.25-0.3 mm thickness) of photovoltaic cells (1). ‘Composant Nature Géométrie Cingmatique _Propriétés mécaniques. Bloc de Coulé avec un moule bx Vitesse de HV~10,5+0,5 GPa slicium —engraphie, muti = 100-425mm ——_découpe K-06 MPa m2 POLIXe —cistain grains de L400 mm 0,6 mmvmin : plusieurs mm) 1a. Gra ‘Slurry Huile+grains SiC aigus Diamétre moyen des Fort débit déver- SiC : HV~30 GPa (forte concentration) grains SiC~15 jm 4 surla nappe Nappe de fil AcierauCeutectoide — Diamétre du fil Vitesse u~8 mis HV~7 GPa durci pa téfilage 210,16 mmsimulation numérique et expérimentale du sciage a fil des plaques fines de silicium —— 45 Les conditions de travail typiques sont précisées dan industriellement sur de grosses machines capables de sci silicium, deux sur la nappe supérieure, deux sur la nappe chine est recouverte d'un capot de protection et ressemble tres difficile une étude directe du procédé, Le développement du sciage 4 fil n'est pas trés ancien, I s'est principalement effectué de maniére empirique. On trouve peu de publications scientifiques 4 son sujet. Elles sont dues principalement a un groupe de recherches américain de 'Université de New York. Ainsi Kao et Col. [2] le modélisent comme un procédé d'abrasion 3 corps. Selon ces auteurs [3,4], les grains abrasifs roulent entre le fil et le silicium tout en indentant les deux antago- nistes, enlevant ainsi de la matiére. L'enlevement de matiere dans le silicium se ferait par écaillage selon un mécanisme de rupture fragile [5]. Par ailleurs Huffstuttler et Kerns [6] ont réalisé un dispositif de sciage 4 fil de laboratoire utilisant un slurry a base d'eau, de glycérol et de grains de carbure de silicium. De l'étude de Barwell [7], ils déduisent, entre autres considérations, que le sciage 4 fil ne s’effectue pas dans un régime de lubrification hydrody- namique. Ils suggérent que la vitesse d'enlévement de matiére dépend du nombre, de la vitesse et de la force normale d'application des grains abrasifs ainsi que de la viscosité du slurry, mais sans préciser comment on pourrait augmenter la vitesse d'enlévement de ma- tigre. Bhagavat et Coll. [8] ont développé un modéle élastohydrodynamique du sciage a fil pour préciser comment le liquide pourrait limiter la pénétration des abrasifs dans le silicium et ainsi son endommagement par écaillage fragile. Nous avons engagé une étude scientifique du procédé [9]. Dans le présent article, nous analysons expérimentalement les conditions de contact filsilicium pour préciser la vitesse d’enlévement de matiére K et le coefficient de frottement y. Nous montrons ensuite que l'enlevement de matiére se fait par un micro-usinage ductile du silicium. Ce processus est simulé numériquement comme le déplacement d'un diédre rigide a la surface du sili- cium. Trois modes d’écoulement plastique sont ainsi mis en évidence et leur domaine dexistence est comparé a celui proposé auparavant. Nous déduisons de ces simulations une estimation de y et K que nous comparons a l'expérience. S le tableau 1. La découpe se fait ler simultanément quatre blocs de inférieure, Il faut noter que la ma- a une « boite noire », ce qui rend 2. ETUDE ET SIMULATION EXPERIMENTALE DU PROCEDE 24 Analyse mécanique des conditions de contact en sciage a fil Lors d'une étude antérieure a ce travail, la table de soutien d’un bloc de silicium avait été instrumentée d'un capteur permettant la mesure des deux composantes de la force, P et T, exercée par la nappe de fil respectivement selon la vitesse de remontée du bloc v et la vi- tesse du fil u. On peut en déduire trés simplement P, et Ty, les forces moyennes correspon- dantes appliquées au bloc par un brin de fil (figure 2). Fig. 2 Contact entre un brin de fil et le bloc de silicium Contact between a wire thread and the block of silicon ages du fil dans le bloc, la longueur résentent la pression moyenne de la vitesse d'enlévement de matiére . com N, et r respectivement le nombre de pass: conta ue découpée et le rayon du fi. Si p ety rep ies i-silicium et le coefficient de frottement, Pu, Tu et NS de Preston-Archard K [10,11] valent :46 Tribologie et développement durable — Lyon 2o93 Bey P,=P/N=2/p T,=T/N=nrup K=v/(pu) Des quelques mesures effectuées, on a pu estimer les grandeurs suivantes : * La force normale appliquée a un brin de fil Py~625 mN « La pression moyenne de contact fil/silicium — p~0,04 MPa * Le coefficient de frottement fil/silicium p~0,38 i * La vitesse d'enlévement de matiére K~1,5 10" Pa’. () ll faut considérer ces valeurs comme un ordre de grandeur, car nous ignorons Vincertitude de mesure et les conditions de découpe ont depuis évolué. Néanmoins, Ces, chiffres sont raisonnables, car ils montrent que l'abrasion du silicium se fait dans les cong. tions classiques de |'abrasion 3 corps : faible niveau de pression de contact et coefficient de frottement moyen, de l'ordre de 0,4. De la dureté du silicium (tableau 1), on peur déduire que le facteur d'abrasion correspondant [11] vaut : K*=K HV~0,15 valeur assez élevée. 2.2. Simulation numérique de l'usinage par abrasion Le processus d'abrasion du silicium a été reproduit sur un tribomeétre rotatif (fig. 3). Une plaque en acier trempé frotte contre trois pions cubiques en silicium identiques dans un bain de slurry sous une force normale et avec une vitesse de rotation constante. La vitesse I néaire de glissement est de ordre de 0,57 mis. +e silicium << PLAQUE D’ACIER Co ie | slurry Fig. 3 Dispositif pour la simulation expérimentale du processus d’abrasion du silicium. Experiment! arrangement for simulation of the abrasive process of silicon. On mesure le couple de frottement et le rapprochement des deux porte-échantillons :@ une phase de mise en régime prés, de courte durée, on vérifie que le frottement et la vitesse d'abrasion sont constants. La mesure de la perte de hauteur moyenne des blocs de siliciu™ aprés essai permet d’estimer K. On a vérifié que les surfaces de silicium aprés abrasion SUT le tribométre présentent un faciés identique a celui des plaques découpées (fig. 5). 0,2 K “gd 0,15 aon. | + Ba Pal) 7 0,05 0 ook ee pression de contact (MPa) pressions de contact (MP#) Fig. 4 Influence de la pression de contact p sur la vitesse d'enlévement de matiére K ete coefficient de frottement 1 selon la simulation sur tribométre. Influence of the contact pressure p on the material removal rate K and the friction coefficient ¥ according to the experimental simulation.—- 47 is effectués avec diverses valeurs de la force coefficient de frottement p/ et de la vitesse enverent fener tact dans une gamme représentative du procédé : 0,05< p <0,25 enlévement de maliére K tend a légerement ‘augmenter avec ordre de grandeur: 1,5 10" Pa’. Le coefficient de aie mais a 0,05 MPa est moitié environ de la valeur identifige dans le art n'est pas évidente et doit tenir a la différence marquée serie d'essal vavolution dU este lon de conl aver (ig. 4) La vitesse hs se situe dans le bo aisse quand p aug led 0,15. Lorigine de cet éc ede: ae nai oom et de dimensions du contact dans le procédé (demi-cylindre) et sur le tribométre (plar-plan)- 23 Analyse du mécanisme d’enlévement de matiére Selon une analyse classique, en premiére approximation, l'action d'un grain abrasif sur le siicium est semblable a celle d'un outil pointu réalisant son indentation sous l'action d'une force normale P. L'expérience montre que indentation d'un matériau fragile comme le sili- wm ducile-fragile pour une force normale critique P*: jum présente une transitior rout P< Pr, Vindenteur prodult une empreinte par dé ration pour P > P*, findenteur prodult une déformation plastique et divers types de fis- peyos : latérales, médianes, radiales ; ces fissure, latérales notamment, peuvent pro- voquer une perte de matiére par écaillage du matériau. formation plastique sans fissu- les contraintes de traction, mais selon le modéle de Lawn et ge la zone de déformation dépasse une valeur critique Pot que Vénergie élastique associée puisse permettre la formation d'une fissure a partir des Gefauts (faws) existants dans fe matériau. Ce modéle explique donc la transition. Les expé- ‘sur un monocristal de si fences effectuées par Lankford et Davidson [13] montrent que, tum la free normale critique P* ~ 60 mN. A noter ds Lamy [14] observe une telle transi- tion ductile-fragile sur uN silicium polycristallun lors d'essais de scléromeétrie pendulaire, mais pour des forces critiques bien supérieures, ce matériau présentant une ductilité tres supérieure K1.~4,6 MPa m 2 Compte tenu de la taille des grains du silicium multi cristallin, nous considérons que la valeur de sa force critique est P* ~ 50 mN. Lindentation impose d Evans [12], il faut que la tall Fig. 5 Observation au microscope électronique a balayage a deux grossissements de la surface coseraion es Paaues ames idécoupe : le sciage a fil produit des micro-rayures. ation with scanning electronic microscopy at two magnifications of the surface of the ‘plates : the wire sawing produces micro-scratches. cut bres ee résultats précédents, un brin de fil est appliqué contre le silicium avec la 16 mm®. Compte t 625 mN~ 12 P*. La surface du trait de scle est de Vordre de 0,16 x 100 = binge age tenu de cette valeur levee Mie ta surface, de la faible rigidité en fexio? du ele non Pett talle des grains abrasits (15 um, tab. 1), iLest ratsonnable de penser u fe de grains abrasifs en contact avec le silicium est fargement supérieur a 12. force non ay male moyenne avee laquelle les grains sont appliques contre le silicium est48 Tribologie et développement durable Ly, : Yon 2093 —~ donc vraisemblablement trés inférieure a la force normale critique, ce qui implique ung raction de type ductile. Me. Cette conclusion est en bon accord avec diverses observations : + La rugosité des plaques aprés découpe est assez faible: la rugosité arithmas moyenne est Ra~0,5 ym. Liobservation au microscope électronique a bajaytt (MEB) révéle parfois des fissures, mais le plus souvent des micros rayures an largeur est de l'ordre d'une fraction de ym et la longueur quelques um (fig. 5), a * Dans le slurry usé, on observe au MEB sur les grains abrasifs des particules de taj. de lordre du um ; 'analyse chimique par EDS montre qu'elles sont constituées de g, licium pur et qu'l s'agit done des copeaux attendus. * Ona réalisé une altaque chimique des plaques par une solution aqueuse de soude 4 chaud et, par pesée de la plaque apres divers temps d'attaque, déterminé la vitesse de dissolution du silicium. Cette vitesse diminue d'un facteur 2 environ aprés élimina. tion d'une couche d’épaisseur h~2,5ym ; cette épaisseur représente done 'épaisseur de la couche endommagée par la découpe. Cette valeur assez faible est cohérente avec un mécanisme d'usinage ductile, un mécanisme d’écaillage plastique produirait probablement un endommagement plus profond. Nous allons donc simuler numériquement le processus élémentaire de ce mécanisme d'enlévement de matiére ductile. 3. SIMULTATION NUMERIQUE ELEMENTAIRE DU PROCESSUS D'ABRASION 3.1 Conditions de la simulation numérique Nous simulons t'usinage abrasif du silicium avec le logiciel de calculs par éléments firis bidimensionnels FORGE 2° [15]: pour simplifier 'approche, on schématise le processus 6lémentaire par le glissement a la surface du silicium d'un diédre rigide, d’angle au sommet 20 et d'angle d’attaque B= 90°-8, sous une force normale donnée W (fig. 6). étape 2 étape 3 R (mum) Forces normale (W) et tangentille (F) appliquées surl'indenteur . om ek on om aa wean) Fig. 6 Conditions dela simulation numérique de l'interaction grain abrasif/silicium. Conditions of the numerical simulation of the interaction abrasive grain/silicon.umerique et expérimentale du sciage a fil des plaques fines de silicium 49 il ao calculs, Nous supposons que le ium est un matériau élastique- pour erastique (EPP) avec les caractéristiques suivante: patter module de Young E = 127 GPa et un coefficient de Poisson v= 0,239 = ine contrainte d’écoulement plastique constante 0 = 4,4 GPa. contrainte d’écoulement a été déduite de la dureté du silicium e de son élasticité et en supposant négligeable sa capacité angle d'attaque B égal a 22,5, 30, 37,5 et 45°. Nous imposons efficient m a l'interface diédre/silicium. Rappelons que selon quant le glissement interfacial vaut : leur de la tenant compts e. Le diédre a un it de Tresca, de co la cission t provo cette V4 (ab. 1) en gacroulss3g) ttement cette formulation, remoo/ V3 osms! sa valeur a été prise to similaire : Les forces Wet Fr entation du silicium par I (2) 0,2 , 0,3 et 0,4. Ce probleme de déformation une augmentation de la force normale ne fait que dilater sont exprimées par unité de largeur du diédre. Apres simu- le diédre pour obtenir une force normale donnée (tapes 1 et 2, fig. 6), nous imposons au diédre une vitesse dans une direction paralléle a la surface dU silicium, SON déplacement dans la direction perpendiculaire s'ajustant pour main- tenir constante la force normale (étape 3). Les calculs sont poursuivis jusqu’a ce que la force tangentielle Fr et écoulement plastique soient stabilisés (fig. 6). égale 40, 0,1, plane est aul yecoulement. lation de rind 42. Modes d’écoulement plastique du silicium En supposant le matériau rigide parfaitement plastique (RPP). Petryk [16] a construit, & taide de la méthode du champ de lignes de glissement (SLF) un grand nombre de modes découlement plastiques possibles. Nous n’observons que les trois modes d’écoulement proposés initialement par Challen et Oxley [17]: * a frottement faible, la formation d'une va vement direct de matiére (fig. 7a), «la formation, a faible frottement, d'un copeau dés A= 30° et non 45° selon [17] (fig. 7b). * ces deux écoulements dég rapportée pour toutes les valeurs de l'ang 7c); on notera que la formation du bourrel augmentation du frottement aux faibles angles d’ d'attaque. que plastique pour f = 22,5, sans enlé- énarent en la formation d'un bourrelet adhésif ou aréte |e d’attaque aux fortes valeurs de ™ (fig. let adhésif nécessite une plus forte ‘attaque qu’aux forts angles ment augmente est qualitativement La formation d'un bourrelet adhésif lorsque le frottet duit selon nos calculs pour des va- one aux prévisions de Petryk{16], mais elle se pro rs plus faibles du coefficient de frottement. par [17] a été par la suite validé expan asl de vague plastique proposé initialement imentalement sur un alliage d’aluminium. Mais a notre connaissance, peu d'études Fae semblent avoir été menées pour préciser les limites des approches analytiques, exception aa Vincidence de la rhéologie du matériau sur ses modes d'écoulement. Une =O la er fable concerne étude numérique de Torrance [18] qui a montré pour BS 10° et © dont la thé oo d'une vague plastique pour un corps élastoplastique écrouissable (EPE) ‘ologie est proche de celle d'un alliage d’aluminium.50 Oo ol 02 03 os d) Domaine d’ existence des trois modes d’ écoulement selon la simulation numérique. Fig. 7 Influence de angle d'attaque B et du coefficient de frottement local 77 sur les divers modes d'écoulement : C= coupe- L= labourage par vague plastique- B= bourrelet adhésif. Influence of the attack angle b and the friction coefficient ™ on the various flow patterns! C=cuting- L= ploughing by plastic vawe- B= adhesive wave. 3.3 Frottement apparent et vitesse d’enlévement de matiére Des calculs précédents, nous déduisons d'abord le coefficient de frottement apparent: yak La figure 8 présente l’évolution de y avec l'angle d'attaque f pour les diverses valeus de m. Comme prévu, le frottement apparent » augmente avec I'angle d’attaque pour toute valeur de im, mais cette croissance est d’autant plus forte que m est plus faible et! ter méme a plafonner pour im = 0,4 et B237,5°. A frottement nul, le frottement apparent est 20 % environ inférieur a la valeur théorique pour un corps RPP (y = tan) du fait du rela! élastique du silicium a l'arriére du contact. Il augmente avec m pour B $37.5", mais © croissance diminue quand f augmente et que se forme le bourrelet adhésif ; pour B= 4"! est une fonction décroissante du frottement, bien qu'une telle évolution ne soit attend? qu’en régime de coupe. A noter que pour mm = 0,4, I'écoulement dégénére toujou’s en formation d'un bourrelet adhésif, mais avec un frottement apparent qui augmente touloe" avec l'angle d’attaque en restant inférieur a la valeur y = 1 proposée par Challen et [17] dans un tel régime : cette différence est certainement due au fait que la geome ie bourrelet formé dépend de f. La valeur expérimentale identifiée sur le procédé corresh™” drait a une valeur de l'angle d'attaque f ~ 22,5°. 0. et expérimentale du sci | an numérique et oxrérimentale du sciage a fi gnton rumen? S88 2 fi des plaques fines de silicium 51 -—ig.8 intuence de angle dattaque P et du coefficient de frttement local 7 sure coefficient de frottement apparent p. Infuence of the attack angle b and the friction coefficient m on the apparent fiction coefficient p. La vitesse d'enlévement de matiére K (fig. 9) est estimée comme suit : + pourle mode vague plastique (en négligeant les phénoménes de fatigue) : K=0 (4) * pour le mode coupe, sie estla profondeur de pénétration finale du diédre : K=elW (8) + pour le mode bourrelet adhésif, si S est la surface du bourrelet formé aprés le dé- placement tangentiel d'amplitude L nécessaire pour le former (en négligeant la ductilité résiduelle du silicium) : K=S/(WL) (6) K 101 Pat Fig.9 Influence de rangle dattaque fp et du coefficient de frottement focal ™ sur la viesSe deenlavernent de matiere K. : Influence of the attack angle b and the fiction coefficient mon the material removal rato K. le d'attaque ; en ee tiare 5 d'enlévement de mal et tent avec le frottement. ogedé sont bien du 2,5 et 30”. de ion itesses d'enlevement de matiére K augmentent avec lang Sent compos @un Copeau ou d'un bourrelet adhésif, les vi Les valour ables et, en régime de bourrelet adhésif, elles augmen| ™MEme org, ©*Perimentales mesurées sur le tribometre et dans le pr aa de grandeur et correspondent a un angle d'attaque Su52 Trbologie et développement durable ~ Lyon We Au total, angle moyen d'altaque des grains abrasifs dans les conditions du sciage a que nous avons étudiées serait de l'ordre de 25°. Une augmentation de cet angle permet. trait d'augmenter significativement la vitesse d'enlévement de matiére, mais au prix d'un frottement plus élevé. 4. CONCLUSIONS Les essais de tribométrie et étude directe du procédé ont fourn! des informations concer. m, notamment la pression de contact et la vi dantes sur les conditions de contact fil/siliciu ' tesse d’enlévement de matiére. Diverses observations et considérations théoriques ont permis d'identifier le processus d’enlévement de matiére comme une interaction ductile des grains abrasifs avec le silicium, processus simulé numériquement par le glissement d'un diédre a la surface du silicium. Nous retrouvons ainsi les trois modes principaux proposés vers 1978 pour un corps RPP. Pour le silicium, assimilé a un corps EPP, nos simulations montrent bien la formation d'une vague plastique pour B= 22,5°, mais cette vague se trans- forme en copeau dés que #2 30° et laugmentation du frottement transforme copeau et vague plastique en bourrelet adhésif, conclusions assez différentes de celles de I'étude des corps RPP. Les valeurs calculées de frottement apparent et de vitesse d'enlevement de | matiére sont en bon accord avec les valeurs expérimentales. Cette approche est donc un | bon outil pour analyser et modéliser les processus d'usinage par abrasion. 5, REMERCIEMENTS Les auteurs remercient la société Photowatt International et spécialement MM. Dominique _ Sarti et Roland Einhaus pour leur aide tout au long de cette étude. Ils remercient également _ Agence de l'Environnement et de la Maitrise de Energie (ADEME) pour son soutien finan- cier et tout particuligrement M. André Claverie représentant I'Agence a Sophia-Antipolis. 6. 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