ĐHBK Tp HCM–Khoa ĐĐT–BMĐT

MH: Điện tử y sinh – HK191

GVPT: Hồ Trung Mỹ
Ôn tập KTGHK – Phần BT

Hình 1 Hình 2
1) Xét mạch cầu Wheatstone ở hình 1, giả sử R1 = 10kΩ, R2 = 1kΩ, R3 = 1kΩ và R4 = 10kΩ.
a) Tìm biểu thức của Vout.
b) Tìm độ nhạy Vout theo R3: DVout/DR3
Áp dụng công thức trên để tìm Vout thay đổi 1 lượng bao nhiêu khi R3 thay đổi từ 1kΩ thành 1.1kΩ?
2) Xét cảm biến RTD là RT trong mạch hình 2, RTD này có RT = R0(1 + aT) với a = 0.005/oC và R0 = 250W
ứng với T = 0oC. Giả sử mạch đo có VS = 10 VDC và R1 = R2 = R3 = 250W.
a) Nhiệt độ đo được là bao nhiêu nếu Vout = –0.4 V?
b) Hãy tìm DVo/DT? Áp dụng vào để tìm Vout ứng với trường hợp nhiệt độ tăng 5oC so với câu a)?
c) Xét nhiệt độ tăng thêm 15oC so với câu a), hãy tìm Vo?
3) Một nhiệt điện trở RT được đặt trong cầu Wheatstone trong hình 2, giả sử VS = 10 V, R1 = 10 kW, R2 = R3
= 1 kW và RT = R0exp(b[1/T – 1/T0]) với b = 2500 K. Điện trở của nhiệt trở là 10 W ở 37oC.
a) Tính điện áp Vo ở 39oC.
b) Tính độ nhạy S = DVo/DT (đơn vị V/ oC)
4) Xét RTD (được chế tạo bằng Pt) có bảng số liệu thực nghiệm sau:
Điện trở RT (W ) 99 107 115 121 130 138
Nhiệt độ T (oC) 0 15 35 60 75 100
a) Vẽ đặc tuyến điện trở RT theo nhiệt độ T.
b) Biết RT = R0(1 + aT), hãy tìm R0 và a từ đặc tuyến ở a).
c) Kết hợp RT này với cầu Wheatstone ở hình 2, phải chọn các điện trở R1, R2, và R3 là bao nhiêu để VO
= 0V ở T = 20oC? Khi đó VO là bao nhiêu ở 37oC? Giả sử VS = 10V.
5) Một cảm biến đo biến dạng có hệ số biến dạng G = 2.1 và có giá trị điện trở lúc chưa biến dạng là R = R0 =
120W.
a) Điện trở của cảm biến là bao nhiêu nếu có biến dạng DL/L = 1.5 x 10–3.
b) Xác định điện áp ra cầu Wheatstone Vout ở hình 3 khi cảm biến bị biến dạng làm điện trở của nó là R
= 120.5W.

Hình 3 Hình 4
6) Xét mạch ở hình 4 dùng cảm biến đo độ dời loại điện trở (điện trở toàn phần là RT) với RS = RT/a = 3000
W, Rm = RT/b = 3000 W (nghĩa là a = b), Vr = 9VDC.
a) Tìm điện áp ra Vm theo Vr, a, b, và a.
b) Tìm sai số tương đối của Vm theo sai số tương đối của điện trở tải Rm (DVm/Vm)/ (DRm/Rm)?
BME-191_Ôn tập KTGHK–Phần BT – trang 1/6
7) Xét nhiệt điện trở có điện trở 25W ở nhiệt độ cơ thể 37oC. Hằng số vật liệu b =.3500 K. Nhiệt điện trở này
được đặt ở vị trí RT trong cầu Wheatstone trong hình 5. (Biết RT = RT0exp(b(1/T–1/T0), T: nhiệt độ Kelvin)
a) Tính RT ở các nhiệt độ 35oC và 39oC.
b) Tính VAB ở các nhiệt độ 35oC và 39oC.
8) Một cảm biến đo biến dạng (strain gage) có hệ số biến dạng G = (DR/R)/(DL/L) = 5, được dùng để đo tỉ số
của sự thay đổi tương đối của R theo sự thay đổi tương đối của chiều dài L. Chiều dài nghỉ L = 1.2m và điện trở
nghỉ là 3 kW và được đặt như trong hình 6.
a) Tính VAB khi “strain gage” ở trạng thái chưa có biến dạng.
b) Tìm độ nhạy tương đối của VAB theo L = (DVAB/VAB)/(DL/L). Áp dụng vào tính VAB khi “strain gage”
có biến dạng và chiều dài tăng thêm 0.04m.

Hình 5 Hình 6

Hình 7 Hình 8

9) Trong mạch khuếch đại áp suất DC ở hình 7, bộ biến năng (transducer) áp suất là cảm biến đo biến dạng dùng
cầu Wheatstone. Hãy tìm biểu thức điện áp ra Vout của mạch khuếch đại theo V1 và V2 ứng với các thang đo:
a) 30 mmHg; b) 120 mmHg; c) 300 mmHg.
10) Xét mạch khuếch đại trong hình 8 với các điện trở R1 = 1 kW, R2 = R3 = 10 kW, R4 = 1 MW, R5 = 100
kW, and R6 = 1 kW. Giả sử các opamp lý tưởng.
a) Tìm độ lợi áp AV = Vout/Vin.
b) Tổng trở vào Zin và tổng trở ra Zout của mạch khuếch đại này.

Hình 9

BME-191_Ôn tập KTGHK–Phần BT – trang 2/6

11) Xét mạch khuếch đại EMG tiêu biểu ở hình 9. Giả sử các opamp lý tưởng.
a) Tìm hàm truyền H(jw) = Vout(jw)/Vin(jw)
b) Tìm độ lợi cực đại, tần số cắt dưới và tần số cắt trên của đáp ứng bộ lọc với R1=R1’ = 10 kW, Rf = Rf’
= 1MW, R = 1MW, R’ = 10 kW, RL = 100 kW, và C = C’ = 100 nF. Vẽ giản đồ Bode cho đáp ứng biên
độ theo tần số.
12) Người ta muốn thiết kế mạch khuếch đại điện thế sinh học dùng để khuếch đại các tín hiệu thần kinh có
biên độ trong dải từ 10 mV đến 10 mV và tần số nằm trong dải từ 0.1 Hz đến 10 kHz. Hãy tìm các giá trị linh
kiện với mạch KĐ được đề xuất trong hình 10 với độ lợi mong muốn là 200:

Hình 10 Hình 11
13) Xét mạch IA dùng 2 opamp trong hình 11:
a) Khi không có RG, tìm biểu thức của VOUT theo VREF, VIN1, và VIN2. Nếu VREF = 2 V, R1 = R4 =2 kW và
R2 = R3 = 1 kW thì VOUT = ?
b) Khi có RG và VREF = 0, tìm biểu thức của VOUT theo VIN1, và VIN2.

Hình 13 Hình 14
14) Cho trước mạch đo nhiệt độ dùng diode ở hình 13.
a) Tìm biểu thức của nhiệt độ T (độ K) đo được.
b) Đôi khi người ta lại dùng BJT NPN (thí dụ có số hiệu 2N2222) thay cho diode, khi đó mắc BJT vào
mạch như thế nào? Nếu BJT có VBE = 0.7 V ở 27 oC và giảm 2 mV khi tăng 1oC, hãy tính VOUT khi nhiệt
độ là 37 oC.
15) Cho trước mạch ở hình 14. Giả sử opamp lý tưởng được cấp nguồn ±12V, VREF = –5V, và R1 = 4R2 = 4kW,
và R3 = 2R4= 4 kW.
a) Hãy tìm các điểm LTP và UTP của mạch này và vẽ đặc tuyến truyền đạt.
b) Hãy vẽ điện áp ngõ ra theo Vi.
16) Với mạch Schmitt trigger sau với VSAT = 10 V và RF = 20 kΩ. Hãy tìm VREF và R1 để cho LTP = VA =
−3V và UTP = VB = 1V.

Hình 15

BME-191_Ôn tập KTGHK–Phần BT – trang 3/6

17) Với mạch Schmitt trigger hình 16, hãy tìm
a) UTP, LTP và vẽ đặc tuyến truyền đạt (VO theo VI).
b) Giả sử opamp có các điệp áp bão hòa VSAT+ = +12V và VSAT– = –12 V,
ta muốn có UTP = 4 V và LTP = 1 V, hãy tìm R1, R2, và VREF? Giả sử
chọn điện trở nhỏ nhất với trị số là 10 kΩ.
Hình 16
18) Người ta muốn thiết kế mạch thực hiện biểu thức sau:
Vo= 3V1 – 4V2 + 6V3 – 2V4
với Vo là điện áp ra, V1, V2,V3 và V4 là các điện áp vào tương ứng. Giả sử các điện áp vào tương ứng với yêu
cầu trên không làm các op-amp trước (nếu có) bị bão hòa và giá trị nhỏ nhất chọn cho các điện trở trong mạch
là 10KW. Thiết kế mạch (giả sử opamp lý tưởng): a) dùng 3 opamp; b) dùng 2 opamp.
19) Thiết kế mạch KĐ thực hiện (3 ngõ vào V1, V2, V3 và 1 ngõ ra Vo) với R nhỏ nhất có giá trị là 10 kW:
Vo = –3V1 + 7.5V2 – 5V3
a) Dùng 2 opamp.
b) Dùng 1 opamp.

Hình 17 Hình 18
20) Xét mạch ở hình 17, giả sử opamp lý tưởng:
a) Với S mở, tìm A2 = Vo2/Vo1.
b) Với S vẫn mở, tìm Vo2 theo V1, V2, và V3.
c) Với S đóng và V2 = V3 = 0, hãy tìm Vo2/V1?
21) Cho trước mạch KĐ ở hình 18, do dung sai sản xuất của điện trở dẫn đến R1 = 4.9 kW, R2 = 51 kW, R3 =
10.1 kW, và R4 = 99.9 kW. Hãy tính
a) Độ lợi vi sai Gd.
b) Độ lợi cách chung Gc.
c) CMRR (dB).
22) Cho mạch lọc ở hình sau, giả sử opamp lý tưởng:

Hình 19
Không cần tính hàm truyền:
a) Hãy cho biết mạch opamp thứ nhất và mạch opamp thứ hai là mạch lọc gì, độ lợi dải giữa và biểu thức
tần số cắt của chúng?
b) Điều kiện để cho mạch này trở thành mạch thông dải?
c) Điều kiện để cho mạch này trở thành mạch triệt dải?
d) Nếu R1 = 50 kW, R2 = 100 kW, R3 = 5 kW, R4 = 10 kW, C1 = 0.32 nF, và C2 = 318.3 nF thì mạch trên
là mạch lọc gì và tìm các tần số cắt của chúng?

BME-191_Ôn tập KTGHK–Phần BT – trang 4/6

 Hình 20 Hình 21
23) Giả sử opamp trong hình 20 có Rd = ¥, Ro = 0, và AOL = 2x10 , hãy tìm biểu thức của VO theo VI từ đó
5

vẽ đặc tuyến truyền đạt. Chú ý phải xét khi nào diode D1 và D2 dẫn hay tắt.
24) Với mạch hình 21, xác định giá trị của R1, RF và CF để có được mạch lọc thông thấp với tổng trở vào là 100
kW, độ lợi DC là 50, và tần số cắt –3dB là 50 kHz.
25) Cho trước mạch đo dùng cảm biến đo biến dạng là R1 và R3 như sau:

Hình 22
a) Tìm biểu thức VS theo Vr và x.
b) Tìm biểu thức Vo theo Vr và các điện trở.
26) Cho trước mạch ở hình 23 với R1 = 5 kW, R2 = 25 kW, R3 = 12.5 kW, RL = 5 kW.
a) Hãy tìm biểu thức của Vo theo Vi.
b) Hãy tìm biểu thức của I3 theo Vi.
c) I3 thay đổi như thế nào nếu tăng gấp đôi giá trị của R3. (R3 = 25 kW )

Hình 23 Hình 24
27) Cho trước mạch ở hình 24 với R1 = 5 kW, R2 = 25 kW, R3 = 5 kW, R4 = 5 kW., hãy tìm
a) Độ lợi áp AV = Vo/Vi.
b) Dải giá trị Vi để opamp vẫn ở miền khuếch đại.
28) Cho trước mạch ở hình 25, hãy tìm biểu thức của i0 theo Vin và Rf.
29) Cho trước mạch ở hình 26, hãy tìm hàm truyền H(s) = Vo(s)/Vi(s) của mạch, từ đó suy ra chức năng của
mạch này là gì?
30) Hãy đề xuất mạch dùng opamp để thực hiện việc tạo các dạng sóng ra theo dạng sóng vào cho các trường
hợp trong các hình 27 đến hình 30.

BME-191_Ôn tập KTGHK–Phần BT – trang 5/6

 Hình 25 Hình 26

Hình 27 Hình 28

Hình 29 Hình 30

BME-191_Ôn tập KTGHK–Phần BT – trang 6/6