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    CAPITULO Transistores Bipolares de Juncao 3.1 INTRODUCAO Durante 0 perfodo de 1904 até 1947, a vélvula foi indubi- tavelmente 0 dispositivo eletrénico de interesse e desenvol mento, Em 1904, 0 diodo a vélvula foi introduzido por J. A. Fleming. Logo depois, em 1906, Lee De Forest adicionou um terceiro elemento, chamado de grade de controle, ao diodo a valvula eletrdnica, resultando no primeiro amplificador, 0 triodo. Nos anos seguintes, radio e a televisdo proporciona- ram um grande estimulo a indistria de valvulas. A produgdo cresceu de aproximadamente 1 milhio de valvulas em 1922 para cerca de 100 milhées em 1937. No inicio da década de 30, 0 tétrodo de quatro elementos ¢ 0 péntodo de cinco ele- ‘mentos ganharam importancia na indtstria de valvulas eletro- nicas. Posteriormente, a industria tornou-se uma das mais im- portantes, e foram obtidos rpidos avangos nas dreas de proje- to, técnicas de fabricagio, aplicagses de alta poténcia, alta qiiéncia ¢ miniaturizagao. Em 23 de dezembro de 1947, entretanto, a industria eletr6- nica estava prestes a experimentar uma linha de interesse & desenvolvimento completamente nova. Foi durante a tarde des- te dia que Walter H. Brattain ¢ John Bardeen demonstraram a Co-invenores do primero transistor no Bell Laboratories: Dr, William Schockley (Gentadoy; Dr. Jofn Bardeen @ esquerda; Dr. Walter H. Bratain.(Coresia da [ATACT Archives Poresiacontribui, tos diviiramo prémio Nobel em 1956. Fig. 31 O primeico transistor. (Cortesia Bell Telephone Laboratories.) fungdo de amplificagao do primeiro transistor, nos laboratérios da companhia Bell Telephone. O transistor original (um tran- sistor de contato de ponta) esta mostrado na Fig. 3.1. As vanta- gens deste dispositivo de estado solido de trés terminais em re- aco a vélvula eram imediatamente dbvias: menor e mais leve, nndo apresentava necessidade ou perdas de aquecimento; mais robusto; mais eficiente, jd que menos poténcia era absorvida pelo dispositivo, estava instantaneamente disponivel para wtilizagao, no necessitando de um periodo de aquecimento; e tensdes de operagdo menores poderiam ser utilizadas. Observe na discus- sdo acima que este capitulo é a nossa primeira abordagem sobre dispositivos de trés ou mais terminais, Vocé descobriré que to- dos os amplificadores (dispositivos que aumentam a tenséo, cor- rente ou nivel de poténcia) possuiréo no minimo trés terminais com um deles controlando 0 fluxo entre os outros dois. 3.2 CONSTRUCAO DO TRANSISTOR (O transistor um dispositivo semicondutor no qual existe uma camada do tipo p entre duas camadas do tipo 1, ou uma ca- B mada do tipo n entre duas camadas p. O primeiro € denomi- nado transistor npn, enquanto que 0 tiltimo é chamado tran- sistor pnp. Ambos séo mostrados na Fig. 3.2, com a polari- zagio de apropriada. Verificaremos no Cap. 4 que a polari- zagio de é necesséria para estabelecer a regidio apropriada de ‘operacdo para a amplificagio ac. As camadas externas do transistor so materiais semicondutores mais fortemente ‘dopados, com larguras muito maiores do que a camada inter- na tipo p ou n. Para os transistores mostrados na Fig. 3.2, a razio entre a largura total e @ largura da camada central é de 0,150/0,001 = 150:1. A dopagem da camada interna é tam- bém consideravelmente menor do que a das camadas exter- nas (tipicamente, 10:1 ou menor). Este nivel de dopagem me- nor reduz a condutividade (aumenta a resisténcia) deste ma- terial, diminuindo o nimero de portadores “livres”. Para a polarizagdo mostrada na Fig. 3.2, os terminais so normalmente indicados pela letra maitiscula E para emissor, C para coletor e B para base. Uma avaliacio para esta escola de notacao sera desenvolvida quando discu- tirmos a operagio basica do transistor. A abreviacdo TBJ, transistor bipolar de juncdo, € usualmente aplicada a este dispositivo de trés terminais. O termo bipolar reflete 0 fato de que buracos e elétrons participam do proceso de injegdo no material opostamente polarizado. Se um por- tador somente € empregado (elétron ou buraco), 0 dispo- sitivo é considerado unipolar, O diodo Schottky do Cap. 20 é um exemplo. 3.3. OPERACAO DO TRANSISTOR A operagio bisica do transistor ser agora descrita utilizando 0 transistor pnp da Fig. 32a. A operagao do transistor npn € exata- 0,150 pot 2901 pa a \ \ I 1 Ver Vec ° rs pol {901 pot. = ¢ Ric ie " n T tt Vee Vee ig 32 Tipos de tansistores (3) pnp: (0) np Transistores Bipolares de Juncio 8 Fig. 33 Jungdo diretamente polarizada de um transistor pnp. ‘mente a mesma, se as fungSes dos buracos elétrons fossem tro- ceadas, Na Fig. 3.3, o transistor pnp f0i redesenhado sem a pola- rizagio base-coletor. Note as semelhancas entre esta situagdo aquela do diodo direramente polarizado do Cap. 1. A regio de deplegiio foi reduzida em largura devido a tensao aplicada, re- sultando em um fluxo denso de portadores majoritérios do ma- terial tipo p para o material tipo n. ‘Vamos agora remover a polarizagdo base-emissor do tran- sistor pnp da Fig. 3.2 como mostra a Fig. 3.4. Considere as, semelhangas entre esta situago e aquela do diodo reversamente polarizado da Segdo 1.6, Lembre-se de que o fluxo de portado- res majoritérios € zero, resultando apenas em um fluxo de por- tadores minoritérios, como indicado na Fig. 3.4. Em resumo, portanto: Uma jungdo p-n de um transistor estd reversamente pola- rizada, enquanto a outra estd diretamente polarizada. Na Fig. 3.5, ambos os potenciais de polarizagao foram apli- cados a um transistor pnp, com o resultante fluxo de portado- res majoritérios e minoritérios indicado. Note na Fig. 3.5 as larguras das regides de deplegao, indicando claramente qual jungao esté diretamente polarizada e qual esté reversamente polarizada. Como indicado na Fig. 3.5, inimeros portadores ‘majoritérios serao injetados através da jung p-n diretamen- te polarizada, no material tipo n. A questo, portanto, é se estes portadores contribuirdo diretamente para a corrente de base Ty, 0U Se passarao diretamente para o material tipo p. J4 que © ‘material tipo n, interno, € muito fino e apresenta uma baixa condutividade, um mimero muito pequeno de tais portadores adotaré este caminho de alta resisténcia para o terminal da base. O valor da corrente de base é¢ tipicamente da ordem de + Portadores minonttion Fig. 34 Jungio reversamente polarizada de um transistor pp. 82 microamperes, enquanto a corrente de coletor ¢ emissor é de miliamperes. Um nimero maior destes portadores majorité- rios serd injetado, através da jungdo reversamente polariza- da, no material tipo p conectado ao terminal de coletor, con- forme a Fig. 3.5. A razao da relativa facilidade com que por- tadores majoritarios podem atravessar a juncdo reversamente polarizada é facilmente compreendida se considerarmos que para 0 diodo reversamente polarizado 0s portadores majori- térios comportar-se-do como portadores minorit terial tipo n, Em outras palavras, houve uma injecao de porta- dores minoritérios no material tipo da base. Combinando isto com o fato de que todos 0s portadores minoritérios na regio de depleeao atravessarao a juncio reversamente polarizada de um iodo, obtém-se o fluxo indicado da Fig. 35. Aplicando a lei das correntes de Kirchhoff ao transistor da Fig. 3.5 como se fosse um né simples, obtemos In= let Ip co ¢ descobrimos que a corrente de emissor € a soma das cor- rentes de base e coletor. A corrente de coletor, entretanto, & composta de dois elementos — os portadores majoritérios € minoritérios indicados na Fig. 3.5. A componente de porta- dores minoritérios € chamada corrente de fuga, ¢ € dado 0 simbolo Icy — (corrente I com terminal do emissor aberto Open). A corrente de coletor, portanto, é determinada pela Equacdo 3.2. Sia ub lon Para os transistores usuais, /- é da ordem de miliampéres, enquan- 10 Io & medido em microampéres ou nanoamperes. eq. assim como /,, para um diodo reversamente polarizado, é sensivel & temperatura e deve ser analisado cuidadosamente quando a fai- xa de variagdo da temperatura para a aplicagao for extensa. Em temperaturas clevadas, este parmetro pode afetar consideravel- ‘mente a estabilidade de um sistema que nao considera apropria- damente seu efeito. Melhorias implementadas nas técnicas de construcdo resultaram em niveis significativamente menores de Teo, chegando a um ponto em que seu efeito pode, na maioria das vezes, ser ignorado. 3.4. CONFIGURACAO BASE-COMUM A notago e simbolos para o transistor, uilizados atualmente na ‘maioria dos textos e manuais publicados, esto indicados na Fig. * poradotes majoritéios * Portadores minortrio P\ n/p le T See Teo) te lo Se egies de deplegio “78 Vee Fig. 35 Fluxo de portadores majoritiiose minoritiios de um transistor pp, B 3.6 para a configuragao base-comum com transistores pnp € npn. ‘A terminologia base-comum deriva do fato de a base ser comum tanto & entrada quanto & safda da configuragio. Além disso, a base 6 normalmente o terminal aterrado ou com um nivel de potencial mais préximo 20 terra. Em todo est livro, os sentidos de corrente ito referit-se ao fluxo convencional (buracos) ao invés de a0 flu- xo de elétrons. Esta opea0 foi adotada principalmente pelo fato de ‘uma vasta soma de referéncias de instituigdes educacionais e in- dustriais empregarem o fluxo convencional, eas setas em todos os simbolos eletrinicos possuirem uma dirego definida por esta con- vengfo. Lemibre-se de que a seta no simbolo do diodo definia 0 sentido de condugio para a corrente convencional, Para transistor: A seta do simbolo gréfico define o sentido da corrente de emissor (fluxo convencional) através do dispositive. ‘Todos os sentidos de corrente apresentados na Fig. 3.6 so os sentidos reais, definidos pelo fluxo convencional. Note em cada | S le Fig. 3.6Nowaeo estos utlizados para. aconfiguragSo-basecomum: (a tan- sistor pnp () transistor npn B caso que 1,= Je + Ip. Note também que as polarizagdes aplica- 4 ‘ : 3 ' any ' ory 1 1 po he i res oe apo ar 06 0 1 Tae) OP OE UE OFT Tie) OP ORG OF GET Te 1) Fig. 3.10 Desenvolvendo um modelo uivalente com andlise de O alfa ac € formalmente chamado de base-comum, curto-circui- 10, fator de amplificagao, por motives que serio Sbvios quando analisarmos 0s circuitos equivalentes do transistor no Cap. 7. Por enquanto, observe que a Eq, (3.7) especifica que uma pequena vvariagio na corrente de coletor € dividida pela variagao corres- pondente de /,, com a tensio coletor-base mantida constante. Para a maioria dos casos, os valores de a4, € cy. $80 bem préximos, permitindo a substituigao de um pelo outro. O uso da equaga0 (3.7) sera demonstrado na Sega 3.6. Polarizacao ‘A polarizagio apropriada da configuragio base-comum na regiiio ativa pode ser determinada rapidamente, utilizando a aproximagio 1 = Jee assumindo, por enquanto, que T, = 0 A. O resultado € a cconfiguraglo da Fig. 3.11 para o transistor pnp. A seta do simbolo define o sentido do fluxo convencional para /; & Je. As fontes de ‘Go inseridas com uma polaridade de acordo com o sentido dacorren- te resultante, Para o transistor npn, as polaridades sero invertias. Para lembrar o sentido correto da seta do simbolo do transis- tor, alguns estudantes associam as letras que formam o nome do tipo do transistor com certas letras das frases “apontando para dentro” e “no apontando para dentro”, Por exemplo, pode-se Fig. 3.11 Esabelecendo a polrizag apropriada para um ansistor pp, embise ‘comum na regio ava © © para ser empregado para a regido baseemissor de um ampliieador. associar as letras npn com aquelas em itélico de ndo apontando para dentro e as letras pnp com aquelas em itélico de apontado para dentro.* 3.5 TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR Agora que a relagio entre [Ix foi estabelecida na Segdo 3.4, a ‘operagio basica de amplificagao do transistor pode ser introduzi- da, mesmo que aum nivel superficial, utlizando a estrutura da Fig. 3.12. A polarizagio de nfo aparece na figura, ja que nosso interes Se seri limitado a resposta ac. Para a configuragio base-comum, a resisténcia de entrada ac determinada pela curva caracteristica da Fig. 3.7 & extremamente pequena, ¢ varia de 10 até 100.0. A resis- téncia de safda determinada pelas curvas da Fig 3.8éextremamente alta (quanto mais horizontal a curva, mais alta a resistencia) e varia tipicamente entre 0 k®e 1 MO (100 k0 para o transistor da Fig. 3.12). A diferenga de valores entre as resisténcias de entrada ¢ sa- {da é devida &jungSo diretamente polarizada na entrada (base para emissor) e & juncio reversamente polarizada na saida (base para coletor), Utilizando um valor usual de 20 02 para a resisténcia de entrada, concluiremos que Fig, 3.12 Operagio basica de ampliticugio de testo da contigurasao base TNT Ao dee parte para oportutsno az mito sentido, uma vez que © ator ar soca com pls ons. 86 Dispositivos EletrOnicos e Teoria de Circuitos 200 mV R200 Se assumirmos, por enquanto, que «,. = 1 (J = 10 mA I, =1,=10mA e W=hR = (10 mAYS kO) =50V A amplificacdo de tensio é vi __S0V V; 200 mV Valores tpicos de amplificago de tenso para configuracao base ‘comum variam de 50 até 300, A amplificagdo de comrente (Ul) €sem- ‘pre menor do que | para a configuracao base-comum, Esta ltima Tacteristica € via, jé que J, = ae o-€ sempre menor do que I. ‘A operagao bisica de amplificagio foi produzida transferin- do-se uma corrente Ide um circuito de baixa resisténcia para um circuito de alta resisténcia. A combinagao destes dois termos em ‘0 resulta no nome transistor; isto é, transferéncia + resistor > transistor 3.6 CONFIGURACAO EMISSOR-COMUM A configuragio mais freqiientemente utilizada para transistor aparece na Fig. 3.13, com transistores pnp e npn. E denominada configuragdo emissor-comum, uma vez. que o emissor é comum com relagao aos terminais de entrada e saida (neste caso, comum B 208 terminais de coletore base). Dois conjuntos de curvas carac- teristicas sio novamente necessirios para descreverem totalmente © comportamento da configuragdo emissor-comum: um para o Circuito de entrada ou base-emnissor e um para o citcuito de sa- {ida ou coletor-emissor. Ambos so mostrados na Fig. 3.14. ‘As correntes de emissor, coletor ¢ base so mostradas com 0 sentido convencional adotado para as correntes. Apesar dea con- figurago para o transistor ter sido mudada, as relagSes de cor- rente desenvolvidas anteriormente para a configuragio base-co- ‘mum sio ainda aplicaveis. Isto &, Ip = Je-+ Ip€ Le All. Para a configuracio emissor-comum, as caracteristicas de safda sao representadas pelo grafico da corrente de saida (Ie) versus a tensio de safda (Vex). para uma faixa de valores de cor- rente de entrada (/,). As caracteristicas de entrada sio represen- tadas pelo grafico de corrente de entrada (I) versus a tensio de centrada (V), para uma faixa de valores de tensdo de saida (Ve.). ‘Observe que nas caracteristicas apresentadas pela Fig. 3.14 0 valor de J, esté em microampéres, comparado aos miliampéres de J... Considere também que as curvas de 1, nfo estio to hori- zontais quanto aquelas obtidas para /, na configuragao base-co- mum, indicando que a tenso coletor-emissor influencia no va~ lor da corrente de coletor. A regilio ativa para a configuraco emissor-comum € a porgio ‘do quadrante superior dieito que apresenta a maior linearidade, isto 6, aregifo na qual as curvas de Jy Sio mais ou menos retas € esto igualmente espacadas. Na Fig. 3.14a, esta regido situa-se & direita da linha vertical em Ver,, € acim da curva para [y igual a zero. A regio & esquerda de Ve,_, & chamada regitio de saturagao. Na regio ativa de um amplificador em emissor-comum, 4 jungdo coletor-base estd reversamente polarizada, ‘eniquanto a jungao base-emissor estd diretamente polari- zada, Observe que a afirmagdio acima estabelece as mesmas condi- ges que existiam na regio ativa da configuragdo base-comum. Vee @ Fig, 3.13 Notaco ¢ simbolos utlizados na configuragao emissor-comum: (a) ansisor np: (b) transistor pnp, (Regido de satura) 87 ‘Trancistores Bipolares de Juncao SR SEES 02 04 06 OF LO ge ¥) © ig. 3.14 Curva carctrstica de um transistor de sillcio na confgurasao emissor-comum: (a) carsteristicas do coletor: (b) caractristcas de base A regio ativa da configuragdo emissor-comum pode ser empre- gad para amplificagao de tensdo, corrente ou poténcia.. ‘A regio de corte da configuragio emissor-comum ni € defini- dda da mesma maneiraestabelecida para a configurago base-comum. Note nas caracteristicas de coletor da Fig. 3.14 que /- ni ¢ igual a zero quando /, é zero. Para a configuragao base-comum, quando a corrente de entrada J; era igual a ero, acorrente de coletor era igual somente 8 corrente de saturag0 reversa ep, le modo que a curva I, = 0 eo cixo das tensdes eram considerados coincidentes. ‘A razio para esta diferenca observada nas caracteristicas de coletor pode derivar de uma manipulagao apropriada das Eqs. 8.3) € 3.6). Ou seja, Eq. (3.6) Substituindo, vem I Io = ale + Iewo elle + Ty) + Loo Rearranjando, aparece Ie = Se considerarmos 0 caso discutido acima, onde 1, = 0 A, ¢ substituirmos por um valor tipico de a, tal como 0,996, a corren- te de coletor resultante é a seguinte: Ie = LOM. Icao. © Ta” 1=0,996 Jeno _ Door = 250lcx0 Se Ica fosse 1 A, acomrente de coletor resultante com /, = 0 A seria 250(1 1A) = 0.25 mA, refletindo na curva caracteristica da Fig, 3.14. Como referéncia futura, a corrente de coletor definida para a condigdo /, = 0 jc teré a notagao indicada pela Eq. (3.9) tego = oe oes G9) Na Fig. 3.15, as condigdes que envolvem esta corrente so de- ‘monstradas com 0 seu sentido de referéncia assinalado. Para uma amplificagao linear (distorgdo minima), a re- gido de corte para a configuragdo emissor-comum serdé definida por Te Iceo. Em outras palavras, a regio abaixo de J, = 0 A deve ser evitada para que o sinal nao seja distorcido. Quando empregado como chave em um circuito légico de computador, o transistor terd dois pontos de operagio de interes se: tim na regido de corte e outro na regiao de saturagdo. A con- digdo de corte deveria idealmente estabelecer Ic = 0 mA para a tensio Vcr escolhida. Como o valor de Tero € tipicamente baixo para osilicio, o corte em termos de chaveamento acorrerd quando J,= 0 pA 04 Ie = Ieeor para transistores de silicio somente. Para transistores de germinio, entretanto, ocorte para o chaveamento ‘ocorreré quando houver as condicdes resultantes de Ie = Ieso Em geral, esta condigdo pode ser obtida em transistor de germanio, invertendo-se a polarizagao da juncio base-emissorem algumas dezenas de volts. Lembre-se de que, para a configuragdo base-comum, 0 con- junto de curvas caracteristicas para a entrada eta aproximadamen- te uma linha reta, resultando em Vpe = 0.7 V para qualquer valor de J, maior do que 0 mA. Para a configurago emissor-comum, [Coletor pare Fig. 215 CondigSes do circuit relacionadas 8 fy 88 Dispositivos Eletronicos e Teoria de Cireultos ‘mesma consideracao pode ser feita, resultando na Fig. 3.16. Os resultados apoiam nossa conclusio anterior de que para um tran- sistor na regido ativa ou “ligada” a tenso base-emissor é de 0.7 'V. Neste caso, a tensto esti fixa para qualquer valor de corrente de base, EXEMPLO 3.2 (@) Utilizando as caracterfsticas da Fig. 3.14, determine J; em Ip = 30 pAe Ver = 10V. (b) Utilizando as caracterfsticas da Fig. 3.14, determine /. em \7 Ve Vex = 15 V. (a) Naintersegdo de I, = 30 WA. Vex = 10 V, Ie (b) Utilizando a Fig. 3.14b, Jy = 20 wA em Vag Fig. 3.14a, descobrimos que J. = 2,5 mA na intersegao de 1, = 20 wAem Ve, = 15 V. Beta (B) Na andlise de os valores de /< I, so relacionados por um parii- ‘metro denominado beta e definido pela seguinte equagdo: G.10) onde Jc [, fo determinados por um ponto de operacdo particu- larna curva caracteristica. Os dispositivos na prética apresentam valores de que variam tipicamente de 50 até 400, concentra- dos, em sua grande maioria, no meio da faixa, Assim como a, B certamente mostra o valor relativo de uma corrente em relagdo a ‘outra, Para um dispositive com um Bde 200, a corrente de coletor € 200 vezes maior do que a corrente de base. ‘Nas folhas de especificagdes, B,. € normalmente inclufdo ‘como fire, com ht derivado de circuito equivalente ac hibrido, a 1a(HA) sResEsse ss 02 OF 06 | 08 ony 1 Vge¥) Fig. 316 Aproximapio linear equivalent curva caracteristca do transistor da Fig. 3.146, B ser introduzido no Cap. 7. As letras FE so derivadas da ampli- ficagtio de corrente direta (forward) e configuragao emissor-co- ‘mum, respectivamente. ara a andlise ac, um beta ac foi definido como se segue: Ma Ver CO nome formal para B., fator de amplificacao de corrente di- reta em emissor-comum. Uma vez que a corrente de coletor €, normalmente, a corrente de saida para a configuracZo emissor- comum, ¢ a corrente de base € a corrente de entrada, 0 termo amplificagdo 6 incluido na nomenclatura acima, ‘A Equacio (3.11) & semelhante em formato & equacio para ‘a, na Seca0 3.4. O procedimento para a obtencdo de a. das crvas caracteristicas ndo foi descrito por causa da dificuldade de se medir variagdes de Jc /, nas curvas. A Equacao (3.11), centretanto, pode ser descrita com alguma clareza e, na verdade, o resultado pode ser utilizado para se determinar a, utilizando uma equagio a ser descrita em breve. Nas folhas de especificagdo, B,. ¢ normalmente incluido como fy. Observe que a tnica diferenga entre a notagdo utili- zada para o beta de, especificamente, By. = hiya, € 0 tipo de le- tra subscrita. A letra mintiscula h continua se referindo ao cir- cuito equivalente hibrido a ser descrito no Cap. 7, ee refere-se ‘a0 ganho de corrente direita (forward) na configuracdo emis- sor-comum, A utilizagdo da Eg, (3.11) é mais bem descrita através de um exemplo numérico, utilizando o conjunto de caracteristicas mos- trado na Fig. 3.14a e repetido na Fig. 3.17, Vamos determinar Bac para uma regio do grafico definida pelo ponto de operacao Ip = 25 pA Vex = 7.5 V, como indicado na Fig. 3.17. A restri- ‘glo de Vcg ser constante exige que uma linha vertical seja dese- ‘hada através do ponto de operacio Ver = 7,5 V. Em qualquer ponto desta linha vertical, a tensio Veg éde 7,5 V, uma constan- te, A variagio em /, (A/,) como a que aparece na Eq. (3.11) é portanto, definida pela escolha de dois pontos acima e abaixo do onto Q, ao longo de uma linha vertical, com distdncias aproxi- madamente iguais em relago a0 ponto Q. Para esta situagao, as xvas [, = 20 WA e Jy = 30 WA atendem a exigéncia sem se distanciarem muito do ponto Q. As curvas também estabelecem valores para Jp, sendo desnecesséria a interpolagao de valores. Deve ser mencionado que a melhor determinagao é normalmen- te feita mantendo-se AJ, 0 menor possfvel. Nas duas intersegdes de I, € 0 eixo vertical, os dois valores de Ic, € Iex So obtidos do eixo das ordenadas. O B,,resultante para a regido pode ser deter- minado por Gan A Mp | Yee=sonsune Fe, = Te, Bre Ia, ~ Is, 3,2mA—2,2mA _ 1 mA 30HA-20 HA 10 HA = 100 ‘A solugo acima revela que, para uma entrada ac na base, a cor~ rente de coletor seré aproximadamente 100 vezes maior do que a corrente de base. Se determinarmos o beta de no ponto Q: Ie _ 2,7 mA elma) 89 “Transistores Bipolares de Junto Fig. 3.17 Determinando 8, ©. das Embora nao sejam exatamente iguais, em geral, os valores de Bac € Bx: sao bem proximos e podem ser empregados indistinta- mente. Isto é, se B,. € conhecido, assume-se que 0 valor de Bx. seja mais ou menos 0 mesmo, e vice-versa. Tenha em mente que em um mesmo lote o valor de A, itd variar de um transistor para ‘outro, apesar de todos os transistores possuirem o mesmo ntime- rode cédigo. A variagio pode nao ser significativa, mas, para a maioria das aplicagdes, € certamente suficiente para validar a aproximagao feita acima. Genericamente, quanto menor for 0 valor de Jceo, mais préximos sio os valores dos dois betas. O que se verifica na pritica so valores de Z,, cada vez menores,vali- dando a aproximagao anterior. Seas curvas caractersticas tem oaspecto mostrado na Fig. 3.18, valor de f,. € 0 mesmo em qualquer regido das curvas. Observe que o intervalo para I, 6 constante e igual a 10 WA, ¢ a distancia vertical entre as curvas 6 mesma em qualquer ponto —neste caso, 2 mA. O céleulo do valor de 8, no ponto @ indicado resulta em pa. e| QmA—7mA__ _2mA "Aly |vaqncomune 4S HA 35 WA 10 HA A determinagao do beta de no mesmo ponto Q resulta em fe _ mA ““T 40 pA revelando que, se as curvas t€m o aspecto mostrado na Fig. 3.18, © valor de B,. € By. serd 0 mesmo em qualquer ponto da curva. Em particular, note que Jez = 0 WA. Embora na pritica ndo se encontre um conjunto de transisto- res com curvas caracteristicas exatamente iguais as da Fig. 3.18, curvas carscersticas para ocoletor, esta fornece um conjunto de curvas earacteristicas que pode ser ‘comparado aos resultados obtidos de um tragador de curva (a set descrito em breve). Na analise a seguir, o subscrito de ou ac no serd empregado para , evitando-se, assim, que as expressdes tenham simbotos desnecessérios. Para situagdes de andlise de, B serd reconheci- do simplesmente como f. ¢ para a anilise ac, 8. Se um valor de B é especificado para uma configurago em particular do tran- sistor, normalmenteserdo realizados ambos 0s caleulos, de e ac. Utilizando-se as relagées bésicas desenvolvidas até o momen- to, uma expresso pode ser desenvolvida relacionando e a. Usando B= Illy, temos fy = Ie/B,€ de 0 = Ill, temn08 T= Hel a. Substituindo em c+ le ns temos Ie Io feng te B dividindo ambos os lados da equagéo por I. resulta em Ieee a B ou = ap +a=(B+ De portanto, G.12a) 90 —_Dispostivos EletrOnicos e Teoria de Circuitos B 1emay Iy= 60 pA, I= 509A, Ja = 409A Ja= 109A Iq= OWA (Ieo=0 HA) ee a 0 5 0 5 20 Vee Fig. 3.18 Curvascarateristieas nas quis 8, € 0 mesmo em qualquer pono, ¢ Bi. = By i 3.126) Le= il! G14) Além disso, lembre que ejéque Ip=lotly Iceo pea ‘mas usando a equivaléncia ings temos = (p+ @.15) ‘As duas equagdes acima tém um papel importante na andlise desenvolvida no Cap. 4. chegamos a Iceo = (B+ Dlewo Polarizacao A polaizagao apropriada cle um amplificadorem emissor-comum pode ser determinada de maneira semelhante aquela introduzida para a configuragdo base-comum. Vamos assumir que temos um ‘como indicado na Fig. 3.14a. Beta um pardmetro particularmen- transistor npn tal como mostra a Fig. 3.19a, e a proposta€ polari- te importante, porque fornece uma relacao direta entre niveis de zar apropriadamente o dispositivo para operé-lo na regio ativa. ccorrente dos circuitos de entrada e safda para uma configuracao_O primeiro passo € indicar o sentido de J, determinado pela emissor-comum. Isto & seta no simbolo do transistor da Fig. 3.19b. Em seguida, outras ou Bleso. 3.13) Mec ® © © Fig. 3.19 Determinando a polarizagio apropriaa para um transistor npn em coafigurago emissor-comum, B correntes stio introduzidas como mostrado, sabendo-se que Ic + Ig = Ip Segundo a lei das correntes de Kirchhoff. Finalmen- te, as fontes so introduzidas com polaridades que estao de acordo com os sentidos de , ¢ Zc. A mesma abordagem pode ser feita para os transistores pnp. Se o transistor da Fig. 3.19 fosse um transistor pnp, todas as correntes e polaridades da Fig. 3.19¢ seriam invertidas, 3.7. CONFIGURAGAO COLETOR-COMUM ‘Aterceirac tiltima configuragio uilizada € a configuracdo coletor ‘comum mostrada na Fig. 3.20 com as notagdes adequadas de tensio ecorrente. A configuragdocoletor-comum & utilizada prineipalmente para o casamento de impedéncia, uma vez que esta configuracio presenta uma alta impediincia de entrada e uma baixa impedincia de saida, revelando-se em uma situagio diferente daquela encontra- da para as conliguragées coletor-comum e base-comum. ‘Uma configuragao coletor-comum esta mostrada na Fig. 3.21 com o resistor de carga conectado do emissor para a terra. Ape- sarde o transistor estar conectado de uma forma que se asseme- Iha & configuragio emissor-comum, o coletor esta atetrado. Do ponto de vista de projeto, nao ha necessidade de um conjunto de ccurvas caracteristicas sobre a configuracio coletor-comum, para escolher os parametros do circuito da Fig. 3.21. O projeto pode ser feito, utilizando-se as caracterfsticas do emissor-comum da Segdo 3.6. Na pritica, as curvas caracteristicas de safda para a ‘configuragao coletor-comum sao iguais as curvas caracteristicas dda configuragio emissor-comum. Para a configuragao coletor- ‘comum, 0 grifico de /_ versus Vgc para um conjunto de valores de /, representa a curva caracteristica da safda. A corrente de entrada, portanto, & a mesma para as configuracdes coletor-co- mum ¢ emissor-comum. O eixo horizontal representando a ten- siio para a configuracao coletor-comum é obtido simplesmente ‘Ve ‘Transistores Bipolares de Jungio OL Fig. 321 Configuragocoletor-comum utlizada para casamento de impedancta, se invertendo o sinal da tensdo coletor-emissor das curvas. Fi nalmente, hd uma diferenga sutil na escala vertical de J- para as curvas do emissor-comum, se I & substituido por [; para as cur- vvas caracteristicas do coletor-comum (pois @ = 1). Para 0 cit- cuito de entrada da configuragao coletor-comum, as curvas ca- racteristicas levantadas para a base do emissor-comum sao sufi- cientes para se obter as informagGes necessarias. 3.8 LIMITES DE OPERACAO. ara cada transistor, hd uma regio de operagio nas curvas que assegura que os limites para o transistor serdo respeitados e que 0 sinal de safda conter4 um minimo de distorgao. Esta regitio foi definida para as curvas caracteristicas de um tran- sistor da Fig. 3.22. Todos os limites de operagdo sao defini dos, baseados em uma folha de especificagdes tipica, descrita na Segio 3.9. ‘Alguns dos limites de operacao sio auto-explicativos, como a corrente maxima de coletor (normalmente referida nas folhas de especificacées como corrente de coletor continua) ¢ a tensio maxima coletor-emissor (freqiientemente abreviada como Vexo ] a | Ye : | Te | ts by z E be tn so ole te 1 ay id © Fg. 320 Notas simboloswilizados paras configura coletor-comum:()feanSistrpp(b) transistor np 92 Dispositivos Eetronicose Teoria de Citeuitos Regio de saturagio f-3Y Veta Vee) ig, 3.22 Definindo a regio linear (sem distro) de opereso do transistor, 0 Vianceo Na folha de especificagao). Para o transistor da Fig. 3.22, Te,,, € Vero foram especificados como sendo de 50 mA e 20 V, respectivamente. A linha vertical no grafico, representan- do Ver,y.€Specifica 0 valor minimo de Ver que pode ser aplicado sem que 0 transistor caia na regio nao-linear, denominada re- gio de saruragdo. Em geral, 0 valor da Ver,,.é de cerca de 0,3 V especificada para este transistor. valor maximo de dissipagdo de poténcia é determinado pela seguinte equacao: G16) Para o dispositivo da Fig. 3.22, a poténcia de coletor dissi- pada € de 300 mW. A questio que surge & de como tragar a curva de dissipagao de poténcia de coletor, especificada pelo fato de que 300 mW Pou = Verle ou Vee le = 300 mW Em qualquer ponto das curvas, 0 produto de Veg por Ie deve ser igual a 300 mW. Se escolhermos o valor de J. maximo, 50 mA, ¢ substituirmos na relago acima, obtemos Veele = 300 mW Vce(50 mA) = 300 mW. Como resultado, achamos que /.= 50 mA, portanto Vee ‘V na curva de dissipagio de poténcia, como indicado na Fig. 3.22. Se agora escolhermos o valor maximo de Ver, 20 V, 0 valor de fc €o seguinte: (20 Vile = 300 mw 1c = OW os ma 20V definindo um segundo ponto na curva de poténcia. Escolhendo agora um valor intermedifrio de /., como, por exemplo, 25 mA, e solucionando para o valor resultante de Vcr, ‘obtemos Vee(25 mA) = 300 mW e 300 mW Vee =F5ma 7 2 V como indicado também na Fig. 3.22. ‘Uma estimativa grosseira da curva real pode normalmente ser obtida utilizando-se os trés pontos definidos acima. E-claro que, quanto mais pontos vocé tem, mais precisa é a curva; entretanto ativa aproximada é quase sempre suficiente. A regio de corte é definida como a regido abaixo de Ic = Tero Esta regido também deve ser evitada para que o sinal de saida presente 0 minimo de distorgo. Nas folhas de especificagdes, somente cap € fornecida. Deve-se utilizar a equagd0 Tero = Blew para que se tena alguma idéia do nivel de corte. A operagdo na regido resultante da Fig. 3.22 assegurard uma distorgao minima do sinal de saida e valores de corrente e tensdo que nao danifica- 10 0 dispositivo, ‘Se as curvas caracteristicas nao esto disponiveis ou nfo cons- tam da folha de especificagdes (o que normalmente ocorre), deve- se simplesmente assegurar que Ic, Ver € 0 seu produto Verle 8 situem nos intervalos determinados pela Eq. 3.17. Tero 3 Te = le, Vee. G17) Para aconfiguragao base-comum, a curva de maxima poténcia é definida pelo seguinte produto dos parimetros de safda: Con = Veale Pe G.18) 3.9 FOLHA DE ESPECIFICACOES DO TRANSISTOR 44 que a folha de especificagdes & o elo de comunicagio entre © fabricante eo usuario, toma-se muito importante que a informa- cio fomnecida seja reconhecida e corretamente compreendida, Embora, até entao, nfo tenham sido apresentados todos 0s pard- ‘metros, a partir deste momento um vasto ntimero deles passard a ser familiar ao leitor. Os parimetros restantes serdo introduzidos tem capitulos posteriores. A referéncia ser, portant, feita a esta folha de especificagées, para rever a maneira em que o parime- tro é apresentado, A informagio forecida na Fig. 3.23 € retirada diretamente de Transistores de pequenos sinais, FET’s, ¢ Diodos, que sio pu- blicagées preparadas pela Motorola Inc. 0 2N4123 € um transis- tor npn de aplicagdo geral com a identificagao do encapsulamento dos terminais mostrados no canto superior direito da Fig. 3.23a. Grande parte das folhas de especificagoes slo divididas em Va- lores nominais méximos, caracteristicas térmicas, e caracterts- ticas elétricas. As caracteristicas elétricas sto divididas posteri- ‘ormente em “ligado”, “destigado” e caracteristicas para peque- nos sinais. As caracteristicas "ligado” e “destigado” referem-se a limites de, enquanto as caracteristicas de pequenos sinais in- ‘cluem os parimetros importantes para a operacao ac. Observe na lista de valores maximos permitidos (Maximum Ratings) que Verais, = Vero = 30 V com equ, = 200 mA. A dissipagao maxima permitida para 0 dispositivo (foral device dissipation) € 625 mW. O fator de redugdo de capacidade (erating factor) especifica que 0 valor maximo de poténcia dissipada deve diminuir 5 mW a cada I° de aumento na tempe- ratura acima de 25°C. Nas caracterfsticas “desligado” (“of”), Toyo € especificado como sendo de 50 nA, e nas caracterfsticas “figado” (“on”) Vera, = 0,3 V. O valor previsto para fy, varia de 50 até 150em I, = 2mAe Vee = 1 V, eum valor minimo de 25 em um valor mais alto de corrente (50 mA) na mesma ten- sio. (0s limites de operagio foram agora definidos para o disposi- tivo, e so repetidos abaixo no formato da Eq, (3.17), utilizando yg = 150 (limite superior) © Tero (15050 nA} 7.5 wA. Certamente, para muitas aplicagdes 0 valor 7,5 uA = 10,0075 mA pode ser considerado como sendo de 0 mA. Limites de Operagaio 7,5 MA S Ic = 200 mA 0,3.V 5 Ver = 30V Veele = 650 mW Nas caracteristicas para pequenos sinais (small-signal characteristics) 0 valor de i, (B,.) € fornecido juntamente com ‘Transistors Bipolares de Juncio 93 um gréfico da Fig. 3.23f, que apresenta sua variagdo com a corrente de coletor. Na Fig. 3.23), 0 efeito da temperatura ¢ da corrente de coletor no valor de fise(B,.) € demonstrado. A temperatura ambiente (25°C) observe que irr(Bu.) apresenta um valor maximo de | em aproximadamente 8 mA, A medi- da que /- aumenta a partir deste valor, ir, cai a metade em Ic = 50 mA. Se Je diminui para 0,15 MA, lize também se reduz a metade, Como se trata de uma curva normalizada, se em- pregarmos um transistor com Bq. = fre = 50 a temperatura ambiente, o valor maximo em 8 mA é de 50. Em J; = 50 mA, Jpg cai para 50/2 = 25. Em outras palavras, normalizar signi fica que o valor real de f,, para qualquer valor de Ic, foi di- vidido pelo valor maximo de frre naquela temperatura ¢ Jc 8 mA. Observe ainda que a escala horizontal da Fig. 3.233 € uma escala logaritmica. Escalas logaritmicas so examinadas a fundo no Cap. 11. Quando encontrar tempo, vocé pode de- sejar voltar os graficos desta segdo para rever as primeiras segoes do Cap. 11 "Antes de abandonarmos a descrigdo das caracteristicas, tome nota do fato de as caracterfsticas reais do coletor ndo serem for- necidas. Na verdade, a maioria das folhas de especificagbes, ofe- recidas por grande parte dos fabricantes, falha ao nao dar as ca~ racteristicas completas. Em um projeto, espera-se que 05 dados fornecidos sejam suficientes para que se utilize 0 dispositivo efe- tivamente, ‘Como se observou na introdugo desta segdo, nem todos os parimetros da folha de especificagGes foram definidos nas se- Ges ou capitulos anteriores. Entretanto a folha de espe- Cificagdes fornecida na Fig. 3.23 sera mencionada continuamen- te nos capitulos seguintes, & medida que pardmetros forem in- troduzidos. A folha de especificagdes pode ser uma ferramenta extremamente ttil no projeto e na andlise, ¢ todo esforgo deve ser feito para que se conhega a importincia de cada parametro, ce como ele pode variar com a corrente, temperatura, ¢ assim por diante. 3.10 TESTE DE TRANSISTORES ‘Como no caso dos diodos, ha trés maneiras de se verificar um transistor: com o tracador de curvas, os medidores digitais, e 0 ohmimetro. Tracador de Curvas 0 tragador de curvas da Fig. 1.45 produziré o display da Fig. 3.24 se todos os controles estiverem corretamente ajustados. OS displays menores da direita determinam as escalas utilizadas para as curvas. A sensibilidade vertical é de 2 mA/div, resul- ftando na escala mostrada na esquerda da tela do monitor. A sensibilidade horizontal é de 1 V/div, resultando na escala apre~ sentada abaixo das curvas. A funcao intervalo (step) revela que fas curvas so separadas por uma diferenga de 10 wA, come~ ‘gando em 0 wa para a curva inferior. O titimo fator de escala fornecido pode ser utilizado para determinar rapidamente o pardimetro B,, em qualquer regido das curvas. Simplesmente multiplique 0 fator mostrado no display pelo numero de divi- sdes entre as curvas de [, na regio de interesse. Por exem- plo, vamos determinar B,, em um ponto Q de Ic = 7 mA e Veg = 5 V. Nesta regido do display, a distancia entre as curvas de 1,6 j de uma divisdo, como indicado na Fig. 3.25. Utilizando 0 fator especificado, achamos que 94 Diposios Herons Teri de Gos B (MAXIMUM RATING: aig Save [ND tae aa Ee Vea Teva Se 2N4123, Gales Be Vag Ven CASE 29.04, STYLE | EnierBse Vie Teno P50 0-92 (10.2264) Cali Case = CORTE ean “ata Device Dissipation Ts Py ‘as Dente ahve 36°C so__| mwe ‘Opeaing and Sorage ncn Tilw | seri]

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