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    Rafael Ishida
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    CAPITULO Transistores de Efeito de Campo 5.1 INTRODUCAO 0 transistor de efeito de campo, abreviado por FET (direto do inglés, Field-Etfect Transistor), é um dispositivo de trés termi nais, utilizado em varias aplicagdes e que realiza, em larga esca- Ta, muitas das fungdes do TBJ descritas nos Caps. 3 ¢ 4. Embora haja diferengas importantes entre os dois tipos de dispositivos, verificam-se também muitas semelhangas que serdio mgstradas nas segdes Seguintes, AA diferenga fundamental entre os dois tipos de transistores € 6 fato de 0 TBI ser um dispositive controlado a corrente, como mostrado na Fig. 5.1a, enquanto que o JFET é um dispositivo con- troladoa tenséo, conforme a Fig. 5.1. Em outras palavras, acor- rente J, na Fig. 5.1a € a funcao direta do nivel de Jy, Para o FET, acorrente [sera fungao da tensio Vis aplicada do circuito de en- trada, como mostra a Fig. 5.1b. Em cada caso, a corrente do cit- ‘cuito de saida esta sendo controlada por um parametro do circui- to de entrada — em um caso, o nivel de corrente, € no outro, 2 tensio aplicada, Assim como existem transistores bipolares npn e pnp, existe transistores de efeito de campo de canal n e canal p. Entretanto, € importante observar que 0 TBJ & um dispositivo bipolar —o prefixo bi- revelando que 0 nfvel de condugao € fungao de dois portadores de carga, elétrons e buracos. O FET é umdlispositivo unipolar, dependendo somente da condugio realizada por elétrons (canal n) ou buracos (canal p), \ (Corrente de controle) fy [ T oe ter ft t (Tensto de contole) Vey co Fig. (a) Amplificadores controados a correntee (b) controlados atensio, wa IpsslVp O termo “efeito de campo” escolhido para a denontinago do dispositivo merece alguma interpretagio. Todos conhecemos 3 caapacidade de um ima permanente atairlimalhas de ferro sem a necessidade de contato. O campo magnético do ima perma- nente envolve as limalhas e as atrai, por meio das linhas de flu- xo magnéticas, que realizam o trabalho com o menor esforgo possivel, Para o FET, um campo eléirio & estabelecido pelas, ‘cargas presentes, que controlardo 0 eaminho de condugio do Circuito de sada sem a necessidade de um contato entre as quan- tidades controladoras e controladas. ‘Quando se apresenta um dispositive com conjunto de ap ceages semelhantes s de um outro é mostrado, hi uma tendén- cia natural de se comparar algumas das caracteristicas gerais de lum dispositivo com as do outro. Uma das caracteristicas mais importantes do FET é a sua alta impeddncia de entrada, Com, niveis que variam de | até varias centenas de megaohms, pode- se afirmar que sua impedancia de entrada € consideraveimente ‘maior do que a de configuragSes com TBJ — uma caracteristi- cca muito importante a ser considerada em projetos de sistemas, de amplificagio linear, Por outro lado, o TBI apresenta sensi- bilidade muito maior as variagbes no sinal aplicado, Em outras, palavras, a variagéo na corrente de saida é tipicamente maior para 0 TBIs do que para os FETS, para uma mesma variago no si- nal de entrada, Por isso, os ganhos de tensao dos amplificado- res com TBJ so normalmente maiores do que os verificados, para os amplificadores com FET. Em geral, os FETS sto mais estiveis com relagio a temperatura do que os TBIs, e, em geral, so menores fisicamente do que os TBs — caracteristica part cularmente Util na construgdo de circuitos integrados (CD. AS caracteristicas de construgio de alguns FETs, entretanto, podem faz8-1os mais sensiveis ao manuseio do que os TBIs. Doistipos de FETS serio introduzidos neste capitulo: 0 ran- sistor de jungo por efeto de campo (FET) € 0 transistor de feito de campo metal-sxido-semicondutor (MOSFET). A ca- tegoria MOSFET seri desmembrada em dois tipos, deplegio e intensificagao, descrtos posteriormente, O transistor MOSFET tornou-se um dos dispositivos mais importantes utilizados no projeto e gonstrucio de circuitos integrados para computadores, digitais. E termicamente estivel, além de outras caracteristicas que 0 destacam em projetos de circuitos para computadores. Entretanto, como elemento discreto em um encapsulamento tipo, ccaneca, ele deve ser manuseado com cuidado (observagao dis- ccutida em segio posterior TosdVe Em 1955, 0s Ds. lan Munro Ros (frente) e G, C, Dacey desenvolveram com {jumamenie um procedimento experimental para deerminar as caracteisticas de lm transistor de feito de camp. (Contesia da ATT Archives.) A construgao e caracteristicas do FET serdo abordadas neste capitulo, enquanto que as configuragées de polarizacdo serio apresentadas no Cap. 6. A analise feita no Cap. 4utilizando TBJs serd itil na deduco de importantes equagdes, e na compreensio dos resultados obtidos para os circuitos com FET. 5.2. CONSTRUCAO E CARACTERISTICAS DO JFET ‘Como indicado anteriormente, o SFET € um dispositivo de trés terminais, com um terminal capaz de controlar 0 nivel de cor- rente entre os outros dois. Na nossa discussao sobre 0 TBJ, otran- sistor npn foi empregado durante a maior parte da andlise e pro- {jeto, com uma seco dedicada ao efeito da utilizagdo do transis- tor pnp. Para o transistor JFET, o dispositivo de canal n sera 0 mais empregado na andlise, enquanto que para o dispositivo de canal p s6 serdo dedicados alguns parigrafos ¢ segoes. A construgio basica do JFET de canal n € mostrada na Fig. '5.2. Observe que a maior parte da estrutura é composta do mate- rial tipo n, formando o canal entre as camadas imersas de mate- Contatos ‘hmicos Porta () Regio de Regio de deplegso eplesio Fonte (5) Fig, .2 Transistor de efeito de campo de jungio UFED). Transistores de Ffeito de Campo 151 Fonte Pon Fig. $.3 Analogia do fuxo de égua para o mecanismo do JFET. rial tipo p. A parte superior do canal tipo m esté conectada atra- ‘vés de um contato dhmico ao terminal denominado dreno (D), enguanto que a extremidade inferior do mesmo material est li- gada através de um contato dhmico ao terminal referido como Fonte (8). Os dois materiais tipo p estio ligados entre si € ao ter- ‘minal porta (G). Em resumo, portanto, 0 dreno e a fonte estio conectados aos extremos do canal tipo m e a porta as duas cama- das do material tipo p. Sem um potencial aplicado, as duas jun- des p-n do JFET estdo sob condigdes de nao-polarizaeao. O resultado é uma regio de depleedo em cada jungao, como mos- trado na Fig. 5.2, que se assemelha & mesma regiao de um diodo sob condigdes de no-polarizagao, Lembre ainda que uma regio de deplegao niio contém portadores livres, e portanto nao permi- te a condugao através da regido. ‘As analogias so raramente perfeitas e &s vezes podem con- fundir, mas a analogia da gua da Fig. 5.3 apresenta um sentido para o controle feito pelo terminal de porta e para a terminologia aplicada aos terminais do dispositivo. A fonte de pressio da dgua pode ser associada & tensdo aplicada do dreno paraa Fonte, ¢ esta estabelecersi um fluxo de sgua (elétrons) saindo da torneira (fon- te). A “porta”, por meio de um sinal aplicado (potencial) contro- Jao fluxo de agua (carga) para o “dreno”. Os terminais de dreno e fonte situam-se em extremidades opostas do canal n da manei- ramostrada na Fig. 5.2, isto porque a terminologia é definida para 0 fluxo de elétrons. Ves = 0 V, Vos Maior que Zero Na Fig. $.4 uma tensio positiva Vps foi aplicada através do ca- nal, ¢ a porta foi conectada diretamente & fonte, estabelecendo a ‘condigio Viz, = 0 V. O resultado é o terminal de portae fonte no mesmo potencial, e uma regido de deplegao na extremidade in- ferior de cada material p, semelhante a distribuigao encontrada para a situago de nao-polarizacio da Fig. 5.2. No instante em que a tenso Vip (= Vp) € aplicada, os elétrons fluem para 0 terminal de dreno, estabelecendo a corrente convencional ,,.com © sentido definido pela Fig. 5.4. O caminho do fluxo de cargas revela claramente que as correntes de dreno e fonte so equiva~ Tentes (I = 1,). Sob as condigdes mostradas na Fig. 54,0 fluxo de cargas nio érestringido, elimitado apenas pela resisténcia do anal n entre 0 dreno e a font. importante observar que a regio de deplegao é mais larga na parte superior, em ambos 0s materiais tipo p. Este fato é mais bem explicado com o auxilio da Fig. 5.5. Assumindo uma resis- téncia uniforme no canal n, ela pode ser distribufda da maneira mostrada na Fig. 5.5. A corrente J, estabelecerd niveis de tensao ao longo do canal, como indicado na mesma figura. O resultado € que a regido superior do material tipo p estara reversamente polarizadaem cercade 1,5 V, enquanto que a regido inferior estard 152 Dispositives Eletronicos e Teoria de Cireuitos Fig. £4 JFET para Vo, = OV e Vns > OV. reversamente polarizada por apenas 0,5 V. Lembre da andlise da operagdo do diodo que, quanto maior a tensao reversa aplicada, mais larga é a regido de deplecao — justificando a distribuigao da regio de deplegao mostrada na Fig. 5.5. Devido ao fato de a jjungo p-n estar reversamente polarizada, a comrente de porta € ‘zero ampéres, como mostrado na mesma figura. Esta caracteris- tica do JFET € bastante relevante. "Na medida em que a tensao V,, aumenta de 0 para alguns volts, a corrente aumenta como previsto pela lei de Ohm, € 0 grifico de Tp versus Vos tem a forma mostrada na Fig. 5.6. A relativa linearidade da curva revela que, para a regio de baixos valores de Vp, a resistencia é absolutamente constante, Quando Vg au~ ‘menta de valor e se aproxima do nivel V,, na Fig. 5.6, as tegides de deplegao da Fig. 5.4 se alargam, provocando considerdvel redugao na largura do canal. Isto acarreta um aumento na resis- tncia do canal, epresentado na curva da Fig. 5.6. Quanto mais horizontal acurva, maior é a resistencia, eno limite tem-se uma resisténcia “infinita”. Se a tenso V>, for elevada a um nivel onde as duas regides de deplegao parecem se “tocar”, como mostrado na Fig. 5.7, resulta na condigao de pinch-off. O nivel de Vos que estabelece esta condicao é referido como tensio de constrigao (do inglés, pinch-off) e € denotado por V,, como mostra a Fig. 5.6. Fig. 8.5 Variagio dos potencias eversos de poarizagio através da jungio pt ‘dem canal n do JFET. IosdVr ON { estreitamento do canal Vp Fig. 56 Jp versus Vox part Vas =O. Na verdade, o termo “pinch-off” é inapropriado, sugerindo que a corrente é cortada e cai a zer0 A. Entretanto, como mostrado na Fig. 5.6, este 60 caso extremo — J, mantém umn nfvel de sa- turagio definido por [pssna Fig. 5.6. Na verdade, ainda existe um canal muito estreito, com uma corrente de altissima densidade. 0 fato de /, no ser Cortada no pinch-off e manter o nfvel de sa- turagio indicado na Fig. 5.6 € verificado pelo seguinte argumen- to: a auséncia de uma corrente de dreno impossibilitaria a e téncia de diferentes niveis de potencial através do canal n, e nfo estabeleceria os niveis de tensio reversos a0 longo da juno p- rn, Com isto, haveria a perda da distribuigao da regio de deple- Vj. 0 JFET apresenta as caracteristicas de uma fonte de corrente, Como ‘mostrado na Fig. 5.8, a corrente é constante em [p = Incy Tas & tensio Vos (paraniveis > V,) & determinada pela carga empregada, ‘Aescolhia da notaga0 /p.; vem do fato de a comrente ser do Dre- no para Fonte (Source), com um curto-circuito (Short-circuit) D + Pinch-off(constrigho) Yas=Ve Fig. £7 Pinch-off Vn = OV, Vas = Vp TosdVr Fig. 58 Fonte de corente equivalemte para Vis = OV. Vis > Vp da porta para a fonte. Se continuarmos a investigar as caracteris- ticas do dispositivo, acharemos que’ Ipss€a corrente maxima de dreno para um JPET, e é defi nido pela condi¢do Ves = 0 V e Vos > WV Observe na Fig. 5.6 que Vis = 0 V para toda a curva, Os pré- ximos pardgrafos desereverio como a curva caracteristica da Fig, 5.6 € aletada por variagdes no nivel de Ves. Ves < OV A tensfo da porta para a fonte, denotada por Vas, € a tensio ‘controladora do JFET. Assim como varias curvas para Ic versus Vee foram estabelecidas para diferentes niveis de [, no TBJ, cur- vas de fp versus Vos para varios niveis de Vas podem ser desen- volvidas para o JFET. Para o dispositivo de canal n, a tensio controladora Vs é feita cada vez mais negativa, a partir de Ves 0 V. Ou seja, 0 terminal de porta estard cada vez mais em potenciais menores comparados a font. Na Fig. 5.9, uma tensio negativa de ~1 V foi aplicada entre ‘0s terminais de porta e fonte, para uma tensdo Vp; reduzida. A polarizagao negativa estabelece regides de deplecao semelhan- tes aquelas obtidas com Vge = 0 V, mas com niveis menores de Vj: Portanto, 0 resultado da aplicagdo de uma polarizagao ne- gativa na porta é alcangar a condigao de saturacdio em niveis menores de tensio Vax, como mostrado na Fig. 5.10, para Vos =1V. Onivel de saturagio resultante para /» foi reduzido, © de fato continuaré a reduzir para valores de Vis cada vez mais ne~ gativos. Observe também na Fig. 5.10 como a tensao de pinch- off diminui, descrevendo uma parabola, & medida que Vosse tor- Tp (8) Lugar geomérico dos nives de pinch-off a |W, Regio | Regite de sturagio onmiea | Joss 8 Vos =0V. rs 10 15 2 25 Ve (para Vos =O) 153 Transistores de Eleito de Campo Vos > OV Fig. 5.9 Aplicaso de uma tensSo negativa no terminal de porta de um JFET. nna cada vez mais negativo. Eventualmente, quado Vos = —V,.a tensilo serd suficientemente negativa para estabelecer um nivel de saturagdo com I, = 0 mA, e, para todos os efeitos, pode-se considerar que o dispositivo foi “desligado”. Em resumo: O nivel de Ves que resulta em Ip =0mA € definido por Ves /,.com V, sendo uma tensao negativa para dispositivos de canal n, € uma tensio positiva para JFETs de canal p. Na maioria das folhas de especificagdes, a tensio de pinch- off é especializada como Ves. a0 invés de Vp. A folha de espe- cificagdes sera revista mais tarde, ainda neste capitulo, quando ‘6s elementos mais importantes forem introduzidos. A regiao & direita do lugar geométrico da tensdo de pinch-off, na Fig. 5.10, € a regitio normalmente empregada para amplificadores lineares (amplificadores que ndo distorcem o sinal aplicado), e € quase sempre referida como corrente constante, saturagdo, ou regido de amplificacdo linear. Fig. 5.0 Curvas caracerstieas do FET de canal n com los = 8 mAeV, = —4V. 154 Dispositivos EletrOnicos e Teoria de Circuitos Resistor Controlado a Tensao A regitio 3 esquerda do lugar geométrico da tensio de pinch-off, ‘na Fig, 5.10, 6 denominada dlimica ou regio de resis trolada a tensdo, Nesta regio, o JFET pode realmente ser em- pregado como um resistor variével (alvez para um sistema de controle automatico de ganho), cujaresisténcia é comtrolada pela, tensio porta-fonte aplicada. Observe na Fig, 5.10 queainclinagio 4ecada curva, e portanto aresisténcia do dispositive entre dreno e fonte para Vp. < V, é fungi da tensio Vas aplicada, Quando a tensdo Ves assume Valores mais negatives, a inclinagao da curva, toma-se mais horizontal, comespondendo a um aumento no nivel de resisténcia, A equagao abaixo fornece uma boa aproximagio para o nivel de resistencia em termos da tensdo V,, aplicada a (6.1) ioe onde r, & a resisténcia com Vos valor particular de Ves. ara um JFET de canal n, com, igual a 10 KO (Vos = OV, Vp = =6V),r,na Eq, (5.1) vale 40 KO, para Vos = —3 V. 0 Ver, aresisténcia para um Dispositivos de Canal p OJFET de canal p € construido exatamente da mesma forma que ‘ dispositivo de canal n da Fig. 5.2, 86 que agora as localizagdes dos materais tipo p e sao trocadas, como mostrado na Fig. 5.11 (0s sentidos das correntes sao invertidos, assim como as polari- dades das tenses Vs @ Vax. Para 0 dispositivo de canal p, 0 ca- nal serd constrito para tenses positivas crescentes da porta para fonte, e para as curvas da Fig. 5.12, 0s valores de Vos considera- dos serio negativos, com Ips igual a 6 mA e uma tensio de pinch- offde V;5= +6 V. O sinal menos para V,; indica simplesmente ‘que a fonte esté em um potencial mais alto do que o dreno. Observe que. para niveis elevados de Voy. a curva ascende subitamente, assumindo valores ilimitados. O crescimento ver- + tf Nos + P £00 eee em - vor ff } Nos= a = ie as 4s lg, 11 JFET de canal. InsdVo Reslto de rupture Fig. $12 Curves caracteristicas para o JFET de canal p com Jay = 6 mA V, = +8V. tical é uma indicago de que houve uma ruptura, e a corrente através do canal (no sentido esperado) € limitada agora apenas pelo circuito externo. Embora nao apareca na Fig. 5.10, para o dispositivo de canal n, 0 mesmo ocorre para este tipo de disposi- tivo se uma tensao suficiente for aplicada. Esta regio pode ser evitada seo valor de Vor, for observado na folha de especifica~ ges, ¢ 0 projeto é tal que 6 valor de Vs menor do que este nivel para todos 0s valores de Ves. Simbolos Os simbolos grificos para os IFETs de canal n e canal p sto ‘mostrados na Fig. 5.13. Observe que a seta estd apontando para dentro no dispositivo de canal n da Fig. 5.13a, indicando 0 sen- tido que a corrente [iia fluir se a junedo p-n fosse diretamente polarizada, Para 0 dispositivo de canal p (Fig. 5.13b), a nica diferenca no simbolo € 0 sentido da seta Sumario Varios pardmetros e relagdes importantes foram introduzidos nesta segao. A lista abaixo relaciona alguns que irdo surgir fre- ientemente na andlise feita neste capitulo, e no préximo, para 0s IFETs de canal n Accorrente méxima é definida por Ips, € ocorre quando Ves =0Ve Vis =1V,1 como mostrado na Fig. 5.14a 2 2 + + fo te 6 “ws Ys t z Yes os os “$§ ® © Fig. 5.13 Simbolos do SFE: (a) canal n (b) canal p IsdVe © Para tensdes Vos entre porta efonte menores do que (mais rnegativos do que) o nével de pinch-off. a corrente de dre- 10 €0A (Ip = 0), como aparece na Fig. 5.146. Para todos 0s valores de Ves entre 0 Ve o nivel de pinch- off, acorrenteIpird variar entre Insc €OA, respectivamente, como se pode observar na Fig. 5.14c. Para os JFETs de canal p, uma lista semethante pode ser desenvolvida. 5.3 CARACTERISTICAS DE TRANSFERENCIA Deducao Para o TBJ, a corrente de saida I. a corrente controladora de entrada /, foram relacionadas pelo pariimetro beta, considerado cconstante na anélise realizada, Na forma de equacZo, varidvel controle c Bla t (5.2) constante Je = file) Na Eq, (5.2) hé uma relagio linear entre Jc € Iy. Se 0 valor de Ip for dobrado, I aumentard também por um fator de 2. Infelizmente, esta relacdo linear nao existe entre as quantida- des de safda e entrada de um JFET. A relagdo entre Ip € Vos € definida pela equagdio de Shockley: varidvel controle (33) t 4 constantes ———— 155 Transistores de Efeito de Campo Woo! 2 Nol o Fg. S14 (2) Vag = O Vs lo log () corte (lp = 0A) Vox menor do «que onfvel de pinch-off 6) f va Flaentre 0 A.e fn para Vg menor fu igual a0 V, e maior do que a tens de pinot. 0 termo quadrético da equagio resulta em uma relagio no-li near entre Jy e Vs, produzindo uma curva que cresce exponenc ‘almente com valores crescentes de Ves, Para a andlise de a ser feita no Cap. 6, 0 método grifico sera mais diretoe ficil de se utilizar do que o método matemético. 0 método grifico, entretanto, exigiré o tragado da Eq, (5.3) para represeniar 0 dispositivo, e o tragado da equagio do circuito re- lacionando as mesmas varidveis. A solugdo é definida pelo pon- to de intersegdo das duas curvas. Note que, quando aplicamos o icas do dispositive ndo sao afeta- étodo grafico, as caracter das pelo cirevito no qual 0 do circuito pode mudar com a intersecdo entre as duas curvas, ‘mas a curva de transferéncia definida pela Eq. (5.3) nio é da. Em geral, portanto: Ascaracterfsticas de transferéncia definidas pela equacao de Shockley nao sao afetadas pelo circuito no qual o dis- ositivo é empregade. ‘Acurva de transferéncia pode ser obtida utilizando-se a equa ‘go de Shockley, ou das curvas caracteristicas da Fig. 5.10. Na Fig. 5.15 sto fornecidos dois gréficos com a escala vertical em ®, William Bradford formalador dae sistore FET. (Cortes (1910-198), cosinventor do primeiro transistor © efeita de campo” empregada no desenvolvimento do tan ‘dy ATT Archives 156 Dispositives EletrOnicos e Teoria de Circuitos miliampéres para cada grifico. Um é 0 grifico de I, versus Vis, cenquanto que 0 outro é I, versus Ves. Utilizando-se as caracte- risticas de dreno & direita do eixo “Y", pode ser desenhada uma linha horizontal da regido de saturagdo da curva, denotada por Vex = OV, a0 eixo Ip, O nfvel de corrente resultante para ambos, (08 grificos & Ing O ponto de intersegdo na curva de Ip versus Vo, seri da maneira mostrada, uma vez que 0 eixo vertical € de- finido por Ves = 0 V. Para revisio: Quando Ves = 0 V, ly = loss Quando Ves = V, = —4 Va comente de dreno é zero mitiam- pares definindo outro ponto na curva de transferéneia. Ou seja Quando Ves = Vjp Ip = OmA. Antes de prosseguirmos, é importante perceber que as curvas caracteristicas de dreno relacionam um pardmetro de safda (ou dreno) com outro pardmetro de safda (ou dreno) — ambos os ei- xos sio definidos por variaveis na mesma regiao das curvas ca- racteristicas do dispositivo. As curvas caracteristicas de transfe- réncia relacionam uma corrente de safda (ou dreno) versus um pparmetro controlador de entrada, Hé, portanto, uma “transferén- Cia” direta das variaveis de entrada para a saida, quando se empre- ga acurvaesquerda da Fig. 5.15. Se a elagdo fosse linear, 0 grd- fico de J, versus Ves Seria uma reta entre Ips, V,._Entretanto, a curva € parabélica, jf que os intervalos verticais Entre as curvas ccaracteristcas de dreno diminuem consideravelmente, na medida fem que Ves assume valores mais negativos. Compare 0 intervalo centre as curvas de Vos = 0 V e Vos = ~1 V como existente entre Vos = ~3 Veatensio de pinch-off. A variagio de Ve; amesma, mas a variagdo resultante em [, é consideravelmente diversa Se uma linha horizontal for desenhada da curva Ves = ~1V para 0 €ix0 Ip, € entdo estendida até 0 outro eixo, pode-se obter ‘outro ponto da curva de transferéncia. Observe que Vos = —1V no eixo das abscissas do grifico da curva de transferéncia, para I, = 4,5 mA. Observe na definigdo de /p,em Vax = 0 Ve —1V, que os niveis de saturagio de 1, sio empregados, ¢ a regio Shmica é ignorada. Continuando com Ve = -2 Ve ~3 Va curva de transferéncia pode agora ser completada. Para a andlise do Cap. 6, nos basearemos na curva de transferéneia de /, versus Ve ndo nas caracteristicas de dreno da Fig. 5.15. Os proximos ppardgrafos introduzirao um método répido e eficiente para otraga- Ios/Ve Fig. 5.15 Obtendo a curva de rans rencia da curvas de deno, do de Ip versus Vey dados apenas 0s niveis de Ins V, € @ equa Ho de Shockley Aplicando a Equacao de Shockley ‘A curva de transferéncia da Fig. 5.15 também pode ser obtida diretamente da equagio de Shockley (5.3), fomecidos apenas os valores de Ips € V,. OS niveis de Inxs V, definem os Timites da curva em ambos os eixos, restando-nos apenas achar alguns pon- tos intermedisrios. A utilizago da Eq. (5.3) como base para 0 levantamento da curva de transferéncia da Fig. 5.15 é mais bem demonstrada examinando-se alguns valores especificos de uma variavel, e achando o valor resultante para a outra variavel, tal como mostrado abaixo: Substituindo Vas = 0V dé Eq. (5.3): fy = Ios 1 e Tp = Tosslva.-09 64) 65) ara as caracteristicas de dreno da Fig. 5.15, se substituirmos. Ves= -1V, Ip = 8mA(0,15" mA(,5625) LS mA Tus/Ve como mostrado na Fig. 5.15. Observe 0 cuidado que tivemos com 08 sinais negativos de Vax € V, nos célculos acima, A troca de ‘um sinal levaria a um resultado totalmente errado. Deve ficar bem claro da consideraco acima que dados Ipss€ V, (normalmente fornecidos pelas folhas de especificagdes), 0 valor de J, pode ser determinado para qualquer nivel de Ves. In- versamente, utilizando uma algebra bdsica, podemos obter [da Eq. (5.3)] uma equacio para o nivel resultante de Vos para um dado valor de /,, A dedugio é bem simples ¢ resulta em 6.6) ‘Vamos testar a Eq. ($.6), achando o valor de Vs que resulta em uma corrente de dreno de 4,5 mA, para o dispositive com as caracteristicas mostradas no grfico da Fig. 5.15. SER vse -av(1~ 2584) —4 V(1 — V0,562: —4 V1 — 0,75) = -4 V(0,25) valor substituido no eélculo anterior e verificado pela Fig. 5.15. Método Simplificado ‘Uma vez que a curva de transferéncia ¢ tracada freqilentemente, seria bem vantajoso possuirmos um método simplificado para 0 Tevantamento da curva que realizasse o trabalho de modo mais ido c eficiente e mantivesse ainda um nivel aceitavel de pre- cisio, O formato da Eq, (5.3) € tal que, para valores especificos de V;s, 08 niveis resultantes de /, podem ser empregados facil- mente na marcagio de pontos no grafico, necessirios para o es- ogo da curva. Se especificarmos Ves como sendo metade do valor de pinch-off V,, o nivel resultante de J, seri o seguinte, determinado pela equacdo de Shockley: o= los = Ioss(1 = Ipss(0,25) (37) Entretanto, é importante observar que a Eq. (5.7) nfo vale apenas para um valor particular de V,, Ela é uma equagio geral, para qualquer valor de V,, como, por exemplo, Vos = V2. O resultado determina que a corrente de dreno sera sempre um {quarto do nivel de saturagd0 [pce assim como a tensdo porta-fonte ametade do valor de pinch-off. Observe o valor de Ip para Ves = V2 = -4.V/2 = —2V, na Fig. 5.15. Se fizermos J, = Ipg/2e inserirmos na Eq, (5.6), acharemos que 157 Transistores de Efeito de Campo 68) Pontos adicionais podem ser determinados, mas a curva de transferéncia pode ser esbogada com um nivel satisfat6rio de precisio, utilizando-se apenas os quatro pontos definidos acima, ¢ revistos no Quadro 5.1, De fato, na andlise do Cap. 6, um mé xximo de quatro pontos so utiizados para 0 esbogo das curvas, de transferéncia, Na maioria das situagdes, utilizando apenas 0 ponto definido por Ves = V,/2e as intersegdes dos eixos em loss ¢ V,, Serd 0 suficiente para grande parte dos eéleuls. QUADRO 5.1 Ve, versus I, Usando a Equacto de Shockley Vos be 0 Tons 039, Sad ov, Seat Ve oma EXEMPLO 5.1 Esboce a curva de transferéncia definida por Jp, = 12 mA.e V, = -6V. Solucao Os dois pontos so definidos por Ips = 2 mA e Ves = OV e Ip =OmAe Vos = V, Em Vos = V/2= ~6V/2 = ~3V, acorrente de dreno ser determi- nada por fy = Ips/4= 12 mA/4 = 3A. Em fp = [ps/2 = 12 mA/ 2-= 6 mA, a tensio porta-fonte é determinada pot Vos ® 03 V, = 0,3(—6 V) = =18V. Todos os quatro pontos do grificoestdo bem definidos na Fig. 5.16, com a curva de transferéncia completa. Ip (mA) Fig. .16 Curva deransferénci para ‘oFxemplo 5.1 =12mA Vos = Vp=-6V 158 Dispesitivos EletrOnicos e Teoria de Circultos Para os dispositivos de canal p, a equagio de Shockley (5.3) pode, ainda, ser aplicada exatamente como mostrada, Neste caso, tanto V, como Vix serdo positivos e a curva seré a curva de trans- feréncia refletida do dispositivo de canal n, com os mesmos va~ lores limitantes. EXEMPLO 5.2 Esboce a curva de transferéncia para um dispositivo de canal p, com Ipss = 4mA€ V, = 3V. Solucao Em Vos = VJ2 = 3V/2 = 1,5 Voy = Ingl4 = 4 mA/4 = mA. Em Ip = Ing/2 = 4 mA/2 = 2 MA, Ves = 0.3 Vp = 0,33 V) = 0,9 V. Todos estes pontos aparecem na Fig. 5.17, junto com os pontos definidos pot fnss€ V,. Jy (mA) Fig. 5.17 Curva de wansferéncia para o dispositive de canal p do Exemplo 52. 5.4 FOLHA DE ESPECIFICACOES QFETs) Embora o contetido geral das folhas de especificagdes possa va- riar desde 0 minimo absoluto até um grande mimero de quadros e graficos, existem alguns pardmetros fundamentais que serio fornecidos por todos os fubricantes. Alguns dos mais importan- tes serdo apresentados nos préximos parégrafos. A folha de es- pecificagao para o JFET 2NS457 de canal n, fabricado pela Motorola, é mostrado na Fig. 5.18. Especificacdes Maximas Nominais A lista contendo os niveis méximos permitidos para um disposi- tivo normalmente aparece no inicio das folhas de especificagées, com as tensdes maximas entre os terminais, niveis méximos de corrente,¢ nivel maximo de dissipagao de protein do dispositi- vo. Os niveis méximos especificos para Vp € Ving nao devem ser ultrapassados, em qualquer ponto de operagao determinado no projeto. A fonte aplicada V,, pode exceder estes valores, mas @ tensdo existente entre estes terminais nao deve nunca ultrapassé- los. Qualquer projeto tentar evitar estes niveis, mantendo uma ‘boa margem de seguranga. O termo reverso em Vece define tensio maxima positiva em relagao ao terminal de porta (conside- IasdVe rando a polarizagio para um dispositivo de canal n), antes de atingir a tensdo de ruptura, Em algumas folhas de especiticades, 6 denominada de BV, — Tensao de Ruptura com Dreno-Fonte = 0V), Embora normalmente projetado para ope- mA, se forcado a aceitar uma corrente de porta, 0 total do dispositivo em 25°C (temperatura ambiente) é a ppoténcia maxima que ele pode dissipar sob condiges normais de operagao, ¢ é definida por Po = Vos 69) ‘Observe a semelhanga no formato com a equagio de dissipagao maxima de poténcia para o TBI. ( fator de redugao ¢ discutido com detalhes no Cap. 3, mas, por ora, saiba que a especificago 2,82 mW/ °C revela que a dis- sipagao méxima diminui de 2.82 mW para cada aumento de 1°C nna temperatura, acima de 25°C. Caracteristicas Elétricas AAs caracteristicas elétricas incluem o nivel de V, nas CARAC- TERISTICAS QUANDO NAO CONDUZINDO e Ips: as CA RACTERISTICAS QUANDO CONDUZINDO. Neste caso, V, Vegas) Vatia de —0,5 até —6,0 V, € Inss de 1 até 5 mA. O fato de ambos os parimetros variarem de dispositivo para dispositi- ‘vo deve ser considerado no desenvolvimento de um projeto. As outras quantidades so definidas sob as condigdes mostradas entre parénteses. As caracteristicas de pequenos sinais sio discutidas no Cap. 9 Fabricacao do Encapsulamento e Identificacao dos Terminais Este particular JFET tem 0 aspecto mostrado na fotha de especi ficagbes da Fig. 5.18. A identificagdo dos terminais ¢ igualmen- te fornecida da figura. Os JFETS esto dispontveis ainda em ‘encapsulamento tipo caneca, como mostrado na Fig. 5.19, com 2 identificago dos seus terminais. Regiao de Operagao A folha de especificagées e a curva definida pelas tensdes de pinch-off para cada nivel de Vx determinam a regidio de opera- ‘do nas curvas de dreno da Fig. 5.20, para uma amplificacao li- near. A regio Ohmica define os valores minimos permitidos de Vpo, para cada nfvel de Ves, € Vos, especifica o valor méximo deste pardimetro. A corrente de saturagao Jnss, Corrente maxima de dreno, ¢ 0 nivel maximo de dissipagao de poténcia definem a curva desenhada, como foi feito para 0 TBJ. A regio sombrea- da resultante 6 a regio de operagio normalmente utilizada em ‘um projeto de amplificador. 5.5 INSTRUMENTACAO Lembre do Cap. 3 que existem instrumentos de medida dispont- veis para medir o valor de 8. para 0 TBJ. O mesmo nio se pode dizer para o FET, ji que nio hé dispositivos semelhantes para Imedir os niveis de Ips; V,. Entretanto, o tragador de curvas in- Ts/Vo ‘Transistores de Efeito de Campo 2N5457 CASE 29-04, STYLES 159 MAXIMUM RATINGS Rain Sor [vane [tain Daaiota Vaage galas ve [ince Voge Ven fas vee Fevers GaSe Voge Vee [25 | Woe ‘Gae Current, Tg 10 made 7 [Teale Basa @Ts=BE Th [a0 | aw | JETS Denesiore me 3m | are GENERAL PURPOSE Tani Tempsate R Le NCHANSFL-DEPLETION Sag: Chl Tampa ae uve FLECERICAL CHARACTERISTICS (1, Tier to INDO Tor pra Characters Sava [win] ep [et] OFF CHARACHERISTICS ‘Gute Sans Breakdown Voge el HAde. Voy) Vawass | 28 - z Vie Gas Revere Caron We = 15 We. Moy i218 Vie, = Ty = 100°C) | Ga Sours CuoflVolage | ON oe 15 Vast = 1nAde) 2aNs457 } Ee ‘Gate Source Voge {pg 13 Vey = 100 BAe) oy cuaracrenisrics Zero-Gne Voltage Drain Cue (on 18 V8e Nog =0) aNsast ia made SMALL-SIGNAL CHARACTERIST sand TrnaerAamitance Connon Sour (Wg 2 18 Ve Veg 2 l= 1ORHZD ansssr ba ‘ikon ‘apa ATaance Gomnon Soar Toe 15 Voc Now =f TORI Dal : Tn ate, < Tranr Capscinse (We 1S Ve Neg =e = MMH) Go © Fig, $8 JFET 2NS457 de canal nda Motorola." troduzido para o TBJ pode revelar as caracteristicas de dreno do JFET, por meio de um ajuste apropriado dos diversos controles, ‘Acscala vertical (em miliampéres)¢ a escala horizontal (em volts) foram ajustadas para mostrar por inteiro as curvas, como apre~ sentado na Fig. 5.21. Para o JFET da Fig. 5.21, cada divisio ver- NT Os eros origins em ngs ontds net guano fora adds pore © ‘ese econ a pica o borat, so especcgoes seas rm ingle, com ras ‘eegien Desere com tout oltre cote os eos ecicos qu ele ene tr ns id pression tical (em centimetros) representa uma variagao de I; de 1 mA, ‘enquanto a divisio horizontal corresponde 1 V. O intervalo entre osniveis de Vox € de 500 mV, ou seja, 0.5 Vlintervalo, revelando que a curva mais acima é de Vas = 0 V € a curva logo abaixo é de Vos = —0,5 V para o dispositivo de canal n. Utilizando o ‘mesmo intervalo, a préxima curva é —1 V, depois ~ 1,5 V,€ fi nalmente ~2 V. Desenhando-se uma reta da curva mais acima até 0 eixo Ip, 0 Valor de Ipxs pode ser estimado em mais ou me- nos 9 mA. O nivel de V, pode ser estimado observando-se o va- lor de Vjs da curva inferior e levando-se em conta a redugo da disténcia entre as curvas na medida em que Vos se torna mais 160 Dispositivos EletrOnicos e Teoria de Cireultos 2N2844 ENCAPSULAMENTO 22.03, MODELO 12 TO-I8 (TO-206AA) Dreao (Encapsle- rmeo) 2 Pora 3 7 1 Foate IFETs de EMPREGO GERAL 19 Encapsulamento tipo canecae identifica dos terminals para um FET ecarl p negativo. Neste caso, V, 6, certamente, mais negativo do que ~2 Ve talvez préximo a ~2,5 V. Entretanto, saiba que as curvas de ‘Vestio muito préximas umas das outras quando se aproximam, da condigdo de corte, e talvez. V, = —3 V seja uma melhor op- ‘glo, Deve-se também observar que o intervalo entre as curva é ajustado para mostrar um total de cinco curvas, limitando as cur- vas a Voy = 0 V, -0,5 V, ~1 V, —1,5 V, € ~2 V. Se fosse para 10 curvas, o inremento seria reduzido para 250 V = 0,25 V.ea curva Ves = ~2.25 mV seria inclufda, além das demais curvas adicionadas entre as mostradas na Fig. 5.21. Acurva Vo; = ~2.25 \V revelaria 0 quanto as curvas se aproximam umas das outras & Lugar geometrco dos avis de pinch-off a Vos 1 1 Mos nan Fig, :20 Regio de operago para um projeto de ampliieag linea. ‘medida que se aproximam de V,, Felizmente, 0 nivel de V, pode ser estimado com grau de preciso razoavel, aplicando-se sim- plesmente a condicdo estabelecida no Quadro 5.1. Ou seja, quan- Go Ip = Ipg/2,entio Vox = 0.3 V,, Para as curvas caracteristicas da Fig. 5.21, Ip = Jnsd2 = 9 mA/2 = 4,5 mA, e como se pode ver na Fig. 5.21, 0 valor comespondente de Ves é aproximada- =0.9 V. Utilizando esta informacao achamos que V, 0,9 Vi0,3 = ~3 V, que seré 0 nivel escolhide para Vos = 0V Vos =-05V Ing = 45 mA —>| ? Wes = -0,99) SW Ww av Fig, :21 Curvascaracteristias de dreno para um JFET 2N416 apresentadas por um ragador de cuvas. Isls este dispositive. Com este valor, determinamos que em Vis = -2V, Ves \* 2 =m mA, confirmado pela Fig. 5.21. =2,5 V, a equagdo de Shockley produz. fy = 0,25 3 V, revelando claramente o quiio répido as curvas um de V,,. A importéncia do pardimetro g,,€ a forma como ele é determinado das curvas da Fig. 5.21 sio abordadas no Cap. 8, quando as condigdes de pequenos sinais fore examinadas. 5.6 RELACOES IMPORTANTES Varias equagdes ¢ caracteristicas de operagao relevantes foram introduzidas nas tiltimas segdes, ¢ sdo de particular importancia para a anélise que vem a seguir das configuragdes de ac. Com © intuito de isolar e enfatizar a importincia de taisrelagdes, elas foram repetidas abaixo, ao lado das equagdes correspondentes para o TBI. As equacoes do JFET sio definidas para a configu- ragGo da Fig. 5.22, enquanto que as equagées do TBJ baseiam- se na Fig. 5.22b, JFET BT | tp= loc ~ 82) <> te= Ala | p= tos“) €> te Be oh ety 5.10) Ig=0A <> Vee = 0.7 ‘Uma clara compreensio do que realmente representa cada uma das equagées acima é suficiente para abordar a mais complexa das configuragoes de. Lembre que Vjg = 0,7 V era amitide 0 ponto de partida para a andlise de uma configuragio com TBJ. De maneira andloga, a condigio Jz = 0A ¢ freqlientemente a infor- ‘macio inicial utilizada para a andlise de uma configurago com JFET. Para a configuracao com TBI, Ip é, em geral, o primeiro parimetro a ser determinado. Para a JFET € normalmente Vos. A semelhanca entre as andlises das configuragdes com TBJ eJFET se tomnard evidente no Cap. 6. O) Fig, §.2 (a) JFET versus (b) TBI Transistores de Efeito de Campo 161 5.7 MOSFET TIPO DEPLECAO Como mencionado na introdugio deste capitulo, hd dois tipos de FETs: JFETs e MOSFETs. 0s MOSFETS subdividem-se em tipo deplegao e tipo intensificacao. Os termos deplecdo e intensifi- cagio definem os seus modos basicos de operagio, enquanto que a expressiio MOSFET representa o transistor de efeito de campo metal 6xido semicondutor (do inglés, metal-oxide-semicon- ductor field-effect mransistor). Como existem diferengas nas ca- racterfsticas e operagao dos dois tipos de MOSFET, eles sio abordados em secdes separadas. Nesta seco, examinaremos 0 MOSFET tipo deplecio, com caracteristicas semelhantes as de ‘um JET entre o corte e a saturagdo de Jnss;entretanto, suas cur- ‘vas caracteristicas apresentam uma particularidade: estendem-se até a regio de polaridade oposta para Ves Construcao Basica A construgio bésica do MOSFET tipo deplegio de canal n ‘mostrada na Fig. 5.23. Uma camada grossa de material tipo p € formada a partir de uma base de silcio, e € chamada de substra- 10, Ela representa o alicerce sobre o qual o dispositivo sera cons truido, Em alguns casos, o substrato esté intermamente conecta- do ao terminal de fonte. Entretanto, muitos dispositivos discre- tos oferecem um terminal adicional, denominado SS, resultando «em um dispositivo com quatro terminais, como 0 que aparece na Fig. 5.23. Os terminais de fonte e dreno sao conectados por meio de contatos metalicos as regides n-dopadas, ligadas entre si por ‘um canal n como mostra a figura. A porta é conectada também & superficie metélica de contato, mas permanece isolada do canal ‘npor uma camada muito fina de didxido de silfcio (SiO, ). 0 SiO, uum tipo particular de isolante, denominado dielétrico, que cria ‘campos elétricos opostos (por esta razdo prefixo di) quando submetido a um campo externo aplicado. O fato de a camada de SiO, representar uma camada isolante, revela o seguinte: Nao hi conexao elétrica direta entre o terminal de porta e o canal de um MOSFET. (Dreno) ‘Comtatos metilicos — hoe Sebstato G ‘ss Subatrato ? Regides Fonte meepades 3) Fig. 5:23 MOSFET tipo deplego de canal. 162 Dispositivos Eletronicos ¢ Teoria de Cicuitos Além disso: Eacamada isolante de SiO, na construgao do MOSFET a responsdivel pela desejdvel alta impedancia de entrada do dispositive. Na verdade, a impedancia de entrada de um MOSFET equi- vale normalmente a um JFET tipico, ainda que a impedincia de entrada da maioria dos JFETs seja bastante alta para grande par- te das aplicagdes. A impedincia de entrada extremamente alta continua confirmando 0 fato de que a corrente de porta (Ic) € absolutamente zero ampére para as configuragées de polariza- fio de. ‘A razio para o nome FET metal éxido semicondutor torna-se agora muito Sbvia, O metal refere-se &s conexdes de dreno, fon tee porta com superficie apropriada —em particular, o terminal de porta e o controle proporcionado pela area de superficie de ccontato; 0 dxido para a camada isolante de didxido de silicio: & semicondutor para a estrutura basica na qual as regides tipo pen estio espalhadas. A camada isolante entre a porta e o canal su- geriu um outro nome para o dispositive: FET de porta isolada ou IGFET (insulated-gate FET ), ainda que este nome esteja sen- do cada vez menos utilizado na atual literatura, Operacdo Basica e Caracteristicas Na Fig. 5.24, a tensio porta-fonte € feita zero volt, devido &.co- nexdo de um terminal com 0 outro, ea tensfio Vos aplicada atra- és dos terminais dreno-fonte. O resultado é uma atragao para o potencial positivo do dreno, dos elétrons livres do canal n, esta~ belecendo uma corrente semelhante 2 que atravessa o canal do JFET. Na verdade, a corrente resultante com Vos = 0V continua ‘a ser chamada de Ipss, conforme a Fig. 5.25. 'Na Fig. 5.26, a tensio Vg, € negativa, p. €x., ~1 V. O poten cial negativo na porta tendera a pressionar 0s elétrons em dire- ‘¢do ao substrato tipo p (cargas do mesmo tipo se repelem)¢ atrair buracos do substrato tipo p (cargas opostas se atraem), como ‘mostrado na Fig. 5.26. Dependendo da amplitude da polarizagio negativa estabelecida por Vz, teremos um nivel de recombina- cio entre elétrons e buracos, reduzindo o niimero de elétrons li- ‘res no canal n disponiveis para a condugdo, Quanto mais nega- tiva a polarizagio, maior é a taxa de recombinacio. O valor re- sultante da corrente de dreno é, portanto, reduzido & medida que TasdVe Pp ss oo Fig. £24 MOSFET tipo deplego de canal com Vs = 0'V e uma ens80 Vo aplicads. Vos se torna mais negativa, como mostra a Fig. 5.25 para Ves ~TV, ~2 V,e assim por diante, até o nfvel de pinch-off de ~6 'V..0s niveis resultantes de corrente de dreno e o tragado da cur- va de transferéncia sao levantados exatamente da maneira des- crita para o JFET. Para valores positivos de Ves, porta, agora com potencial po- sitivo, arrasta elétrons adicionais (portadores livres) do substra~ to tipo p devido a corrente de fuga reversa,e estabelece novos, portadores através de colisées resultantes de particulas acelera~ das Se a tensio porta-fonte continuar a crescer positivamente, Fig. 5.25 mostra que a corrente de dreno erescerd ripido pelas, razdes lstadas acima. O espagamento vertical entre as curvas Vos =0V eV, = +1 V da Fig. 5.25 € uma clara indicagio do quan- to a conrente aumenta quando se varia Vas de 1 volt. Devido & aventuada clevagdo da curva, o projetista deve se preocupar com a especificagio para a maxima corrente de dreno, uma vez. que ela pode ser ultrapassada com uma tensio positiva de porta. Ou Fig, $25 Caractristicas de dreno etransfe- nei pata um MOSFET tipo deplegdo de canal IosdVp subsea de ‘material p + S) tauracor atraidos para 0 potencial egativo a porta tetons repetidos pelo potencial egatvo na porta Fig. 5.26 Reduso dos portadores livres no canal devido ao potencial negative no terminal de porta seja, para o dispositivo da Fig. 5.25, a aplicagdo de uma tenstio Ves = +4 V resultaria em uma corrente de dreno de 22,2 mA, capaz de eventualmente exceder a especificagao maxima (de corrente ou poténcia) para o dispositivo. Como revelado acima, a aplicagdo de uma tensdo positiva porta-fonte “intensificou” 0 rimero de portadores livres no canal, comparado ao estabeleci- do quando Vs = 0 V. Por isso, a regidio de tensdes positivas de porta, nas curvas de dreno ou de transferéncia, é normalmente chamada regido de intensificagdo, ¢ a regido entre os niveis de corte e saturagao é denominada regido de deplegao. E particularmente interessante e itil que a equagdo de Shockley seja aplicdvel as caracterfsticas do MOSFET tipo de- plegio, nas regides de deplecdo e intensificagao, Para ambas as regides, deve-se apenas tomar cuidado com sinal de Vs¢ aten- ‘glo nas operagdes matemiéticas. EXEMPLO 5.3 Esboce a curva de transferéncia para um MOSFET tipo deple- gio de canal n com Ins; = 10 mA € Vp = ~4V. Solugao Em. Ves =0V, Ip = loss -4V, [p= Oma BS Ves = 03Vp = 3(-4V) = 12 aque pode ser visualizado na Fig, 5.27. 163 Transistores de Efeito de Campo Ipimd) 2 tO Vos \ % Loar 2 Fig. 5.27 Curva de ranferénca para um MOSFET tipo depleo de canal n com Iga = mA V,= ~4V. Antes de tragar a regido para valores positivos de Vas, obser- ‘ve que J, aumenta muito rapidamente para valores positivos cres- centes de Vs. Portanto, escolha valores razodveis para se substi- tuir na equago de Shockley. Neste caso, tentaremos +1 V: Vos In loss 1 Vp ay waa 22 10 mA(1 5625) 5,63 mA que € suficientemente alto para completar o gréfico, MOSFET Tipo Deplecao de Canal p ‘A construgio de MOSFET tipo deplegiio de canal p €exatamente ‘oposta a0 que aparece na Fig. 5.23. Isto 6, existe agora um subs- ‘rato tipo ne um canal tipo p, como mostrado na Fig. 5.28a. Os terminais so os mesmos, mas todas as polaridades das tenses € 08 sentidos da correntes so invertidos, como mostrado na mesma figura. As curvas de dreno possuem 0 mesmo formato das curvas apresentadas na Fig. 5.25, porém com valores nega~ tivos de Vos, positivos de Jp (uma vez que o sentido definido foi 164 Dispositives Eletronicos ¢ Teoria de Circuitos Ip (mA) r23a456 % o Fig. £:28 MOSFET tipo deplegso de invertido), ¢ Ves com polaridades opostas, como se pode obser- varna Fig. 5.28c. A inversdo da polaridade de Vs resulta em uma ‘curva de transferéncia com o mesmo formato da anterior, porém refletida em relago ao eixo /,, como mostra a Fig. 5.28b. Ou seja, a corrente de dreno ird do corte, em Ves = V, na regiaio positiva de Vos, até Jpys, € continuard a aumentar para valores ‘cada vez mais negativos de Vs. A equago de Shockley é ainda aplicdvel, e requer apenas que se utilize o sinal correto de Vs V, na equasao. Simbolos, Folhas de Especificacoes € Encapsulamento Os simbolos grificos de um MOSFET tipo deplecao de canal n € p sio apresentados na Fig. 5.29. Observe que os simbolos es- colhidos tentam refletir a construcao real do dispositivo, A au- canal p o Fig. 5.29 Simbolosgrificos para (a) MOSFETs tipo depleglo de canal ¢ (6) MOSFET tipo deplegio de canal p Tose Nos © canal p com Ins = 6A € V, séncia de uma conexao direta (devido a isolagao da porta) entre ‘porta e o canal é representada por um espago entre a porta e os ‘outros terminais do s{mbolo. A linha vertical que representa 0 canal liga 0 dreno a fonte e é “sustentada” pelo substrato, S80 reservados dois simbolos para cada tipo de canal, isto porque, em ‘alguns dispositivos, o substrato tem um terminal externo, enquan- ‘to que em outros nao. Em grande parte da andliserealizada no Cap. 6, serdo utilizados dispositivos com o substrato ¢ a fonte conecta- dos, sendo utilizados, portanto, 0s simbolos inferiores da Fig. 5.29. dispositivo que aparece na Fig. 5.30 possui tés terminais, e a identificagto destes € mostrada na mesma figura. A folha de ‘especificagdes para um MOSFET tipo deplegao é semelhante & de um JFET. Os niveis de V, € Iss 80 fornecidos a0 longo da lista, com os valores maximos permitidos e as caracteristicas para © estado “ligado” e “desligado”. Além disso, jé que [> pode ul- trapassar 0 nivel [pss normalmente se fornece outro ponto que representa um valor tipico de J, para uma tensdo positiva (quan- do 0 dispositivo & de canal n). Para o exemplo da Fig. 5.30, Ip € Toya) = 9 MA de com Vys = 10 V € Ves = 3,5 V- 5.8 MOSFET TIPO INTENSIFICACAO Embora existam algumas semelhangas na construcio e no modo de operagao entre 0 MOSFET tipo deplegio e tipo intensifica- 0, as caracteristicas do MOSFET tipo intensificagao apresen- tam muitas particularidades. A curva de transferéncia nfo é de- finida pela equacao de Shockley, e a corrente de dreno, para este dispositivo, ¢ cortada antes da tensdo porta-fonte atingir deter- ‘minado valor. Em particular, o controle da corrente neste dispo- sitivo de canal n é realizado por uma tensdo positiva porta-fonte, ‘que nao ocorria para o JFET de canal n e MOSFET tipo deple- «ode canal n, onde este controle era feito por tensdes negatives. Construgao Basica ‘A construgao basica de um MOSFET tipo intensificagao de ca- nal mé apresentada na Fig, 5.31. Uma camada grossa de material tipo p & formada a partir de uma base de silicio, e € novamente Ioade Transistors de Feito de Campo 165 2N3797 CASE 22-03, STYLE 2 TO-1X(TO.206AA) i ETS LOW POWER AUDIO. nto Teprus Kan us SHAN Sivags Came! Tonpsratwe Rings | Tog | swan | DEPLETION RACTERISTICS «f= 25 mle thors ite Ke i Character [ae Dae oe] 1 OA CAMA TERINTICN Dr Soe Brak Wl Vom Ve Cite yi iye sane ES wx | - T os TD] paae ON CHARACTER rsa Tan Mita i — pee am son] 2200 | son Wig =10V Mg 20.F BM ‘nips Ate Teal For Tipe tN ag =Ih = LOMA aww vn | iw Tap Copactance c = Ma nN Nog =O = 08 eee eee FUNCHON AT CHARACTERISTICS Se Fite . a w Wee LY Nag 2015 LOKI Ry = een Trin sal a raat clas hati ET age curs sate Nags conSoE RIT NTRS Nisan we Fig, 5.80 MOSFET 23797 tipo de- plgdo de canal nda Motorola.* ‘chamada substrato. Como no MOSFET tipo deplecio, em certas nal como um componente do dispositivo. A camada de SiO, est ocasides o substrato esté conectado internamente ao terminal de presente para isolar a plataforma metélica da porta da regido entre fonte, e em oultras temos um quarto terminal disponivel para oo dreno e a fonte, que, neste caso, é 0 substrato tipo p. Em resu- controle do potencial do substrato. Os terminais de fonte e dreno mo, portanto, a construgio de um MOSFET tipo intensificago estio conectados novamente as regides n-dopadas, através de contatos metélicos, mas observe na Fig. 5.31 que no hé um ca —_____ nal entre as duas regides n-dopadas. Esta € a diferenga principal _*N:Ostems cgi cm gts condos nests gra ora tard foe 9 gue existeentre aconsrugao do MOSFET tipo deplegioe acons- isc ately idn qu oes scons cme emro gece trugio do MOSFET tipo intensificagio —a auséncia de um ca- tars i ia prota 166 _Dispositivos Eletronicos e Teoria de Circuitos Si0s 2 ‘regio i ‘Sopada sem cant Conan sve, sabato a substat 6 ee 3 wo 3 Eopace Fig, $.31 MOSFET tipo intensticago de canal 6 bem semelhante & do MOSFET tipo deptegao, sendo a diferen- ‘gaprincipal a auséncia de um canal entre os terminais de dreno fonte no tipo intensificagao. Operacdo Basica e Caracteristicas Se Vg, for igual a 0 V ¢ uma tensio for aplicada entre 0 dreno e fonte do dispositivo, a auséncia do canal n (com uma quantidade ‘generosa de portadores livres) ndo permite que circule uma cor- rente de dreno — bem diferente do MOSFET tipo deplecdo € JEET, onde Ip = Ipys. Nao basta acumular grande nimero de portadores (clétrons) no dreno ¢ fonte (devido as regiées n- V;. a corrente de dreno esté relaciona- da com a tensio porta-fonte pela seguinte relagao ndo-linear: in= Wes = VD (6.13) Novamente, termo quadritico 60 responsivel pela relagdo no- linear entre fe Vey. O termo k é uma constante que é Fungo da construgdo do dispostiv. O valor de k pode ser determinado da seguinte equagio [derivada da Eq. (5.13)}, onde Ipiay € Voson representam um ponto particular das eurvas do dispositivo. ee k Weston = Va G19) Substituindo Iyoq)= 10 mA quando Verge) = 8 V, das curvas dda Fig. 5.34, temos que 10 mA @V-2VF Vy = 0,278 x 10-* A/V? e encontrando a equagio geral para I, Ip = 0,278 X 107(Ves = 2 VE Substituindo Vs = 4 V, achamos que 10 ma 10 mA. ' 367 Ip = 0.278 x 10-4 V ~ 2. V)? = 0,278 x 1042)* = 0.278 x 10-4) = LLL mA. como pode ser verificado na Fig. 5.34. Em Ves ‘quadratico se anula, ey = 0 mA. ara a anélise de do MOSFET tipo intensificagio a ser reali- zada no Cap. 6, as curvas caracteristicas de transferéncia serio novamente as curvas empregadas para uma solugao gréfica. Na Fig. 5.35, as curvas de dreno e de transferéncia foram colocadas lado a lado para descreverem 0 procedimento de transferéncia de uma para a outra. Este processo é realizado, essencialmente, dda mesma forma descrita anterionmente para o JFET ¢o MOSFET V, 0 termo Fig, 5.34 Caractersticas de dreno de um MOSFET tipo intensiicagio, ddecanal n com V; = 2Vek= 0.278 x 10°? AVS 168 Dispositivos Eletronicos e Teoria de Circuitos Ip (mA) IosdVh Vos=Vr=2V ig. 3 Esbogando a curva caracteritca de ranserénci pura um MOSFET tip intensticago de canal, a partir das curvas cracteristicas de dreno, tipo deplecao. Neste caso, entretanto, deve ser lembrado que a corrente de dreno 60 mA para Ve; = V». Acima deste nivel, sur- ge uma corrente /, cujo valor € determinado pela Eq. (5.13). Observe que na definicdo dos pontos da curva de transferéncia a partir da curva de dreno, somente 0s niveis de saturagio so empregados, por isso a regido de operacao ¢ limitada aos valo- res de Vas maiores do que os niveis de saturagiio, como definido pela Eq, (5.12). ‘A curva de transferéncia da Fig. 5.35 € certamente bem di- versa daquela obtida anteriormente. Para um dispositive de ca- nal n (induzido), a curva esté agora completamente na regio de valores positivos de Vase decresce a partir de Vos = Vs. A ques- tio que surge agora € como tragar as curvas de transferéncia da- dos os valores de ke Vz, como feito a seguir para um MOSFET espectfico: Ip = 0,5 * 10-Wes ~ 4 VF Inicialmente, uma linha horizontal é desenhada em I = 0 mA, de Ves = OV até Vos = 4 V como mostrado na Fig. 5.36a, Apés isso, um valor para Ves maior do que V; (como, p. ex., 5 V) é escolhido e substituido na Eq, (5.13), para determinar 0 nivel resultante de /: Ip = 05 x 10 Was ~ 4 VP 0,5 x 10°%S V ~ 4 VP = 0,5 x 10-%(1)? = 0,5 mA um ponto no grifico € obtido como mostra a Fig. 5.36b. Para completar o tragado, outros valores para Vcs 840 escolhidos, € 08 niveis correspondentes de /, obtidos. Em particular, em Ves V,7,Ve8 V, onivel de [, €2 mA, 4,5 mA e 8 mA, respectiva- ‘mente, como mostrado no gréfico resultante da Fig. 5.36c. MOSFETs Tipo Intensificacao de Canal p A construgio de um MOSFET tipo intensificagio de canal p € exatamente 0 inverso do que aparece na Fig. 5.31. Ou seja, 0 substrato agora € o tipo n, © as regides abaixo das conexdes de dreno ¢ fonte so p-dopadas. Os terminais so identificados da ‘mesma forma, mas todas as polaridades das tensdes e os senti- dos das correntes so invertidos. As curvas caracteristicas de dreno terao 0 aspecto mostrado na Fig. 5.37¢, mostrando que quanto mais negativo Ves, maior é a corrente de dreno. A curva de transferéncia apresenta o mesmo formato da curva da Fig. 5.35, porém refletida em rela¢o ao eixo 5, com /, crescente para valores de Vs negativos decrescentes (crescentes em médulo) abaixo de V;, como mostra a Fig. 5.37b. As Equagdes (5.11) até (5.14) sio igualmente aplicaveis aos dispositivos de canal p. Simbolos, Folhas de Especificacoes Encapsulamento Os simbolos gréficos para os MOSFETs tipo intensificagio de canal ne p io apresentados na Fig. 5.38. Observe novamente que os simbolos tentam refletira construgdo real do dispositivo. A linha pontilhada entre o dreno e a fonte significa que nao ha ‘um canal entre os dois terminais sob condigdes de nio-polariza- cao. E, na verdade, a tinica diferenca entre os simbolos dos MOSFETs tipo deplecao e tipo intensificaga ‘A folha de especificagoes para 0 MOSFET tipo intensifica- ‘go de canal n da Motorola é mostrada na Fig. 5.39. O tipo de encapsulamento e a identificacao dos terminais sio fornecidos pproximos as especificagdes méximas do dispositivo, que agora inclui uma corrente méxima de dreno de 30 mA de. A folha de especificagdes fornece o nivel de Ips; Sob condigdes de “no con- dugdo”, que para este caso € apenas 10 nA de (em Vos = 10 V, Vez = 0 V), bem menor do que 0 verificado para 0 IFET € 0 MOSFET tipo deplegao. A tensio de limiar é denominada de Voss» © Varia de I até 5 V de, dependendo do dispositivo em- pregado. A folha de especificagdes nao fornece o valor de k da Eq. (5.13), entretanto especifica um valor tipico de Ip.q)(3 MA neste caso) para um nivel de Vesin (10 V para este valor de 1p). Em outras palavras, quando Vey ~ 10'V, fp = 3 mA. Os valores apresentados de Vesa, nin) © Vesin) Permitem uma determina- «do de k baseada na Eq. (5.14) e, deste modo, obtemos a equa- Go geral para a curva de transferéncia. As caracteristicas do TasdVe Transistores de Efeto de Campo Fig. 5.36 Tragando a curva de ransferéncia de um MOSFET tipo intensificaglo com & = 0,5 X 10" A/V Vy 2 % @ © o 5 10 AW Fig, £:37 MOSFET tipo intensiticaglo de canal p com V; = 2.Vek 169 170 Dispositivos EletrOnicos e Teoria de Circuitos canal n canal p : ie © © Fig. 5.38 Simbolos par (a) MOSFET tipo intensticagdo de canal » e (b) MOSFET tipo intensificaglo de canal MOSFET que devem ser observadas quando do emprego do dis- positivo sao revistas na Segio 5.9. EXEMPLO 5.4 Usilizando os dados fornecidos na folha de especificagdes da Fig 5.39 e considerando uma tensio limiar de Ves = 3 V- determine: (a) O valor resultante de k para © MOSFET. (b) A curva de transferéncia Solugao (a) Eq. (5.14): & Fos (asim) ~ Voscam)™ 3mA (ov -3V) = 0,061 x 10-9 A/V? (Vas ~ Va 0,061 x 107%(Ves — 3. VP (b) Eq. (5.13): Io Para Ves=5V Ip = .061 x 10-5 V- 3. VP = 061 x 10-42)? 061 107%(4) = 0,244 mA Para Vos = 8 V, 10 Ve 12 V, Ip serd 1,525 mA, 3 mA (como previsto) ¢ 4,94 mA, respectivamente. A curva de transferéncia € esbogada na Fig. 5.40, 5.9 EMPREGO DO MOSFET ‘A camada de SiO, entre a porta eo canal do MOSFET proporcio- na a agradivel caracteristica de alta impedancia de entrada para Is/Ve 0 dispositivo; entretanto, a largura extremamente reduzida da camada introduz um problema para 0 emprego do MOSFET, ¢ que nao existia para o TBS ¢ JFET, Normalmente, hd um acd- ‘malo suficiente de carga estitica (devido a condigdes externas) que estabelece uma diferenga de potencial através da fina cama- dae que pode, eventualmente, danificé-lae permitir a conducdo através desta. E, portanto, imperativo que se utilize algum me- ‘canismo para manter os terminais do dispositivo conectados até ‘que 0 mesmo seja inserido no sistema, Desta maneira, evita-se a possibilidade do surgimento de um potencial entre dois termi- nais do dispositivo, Com a conexo, a diferenga de potencial entre quaisquer dois terminais € mantida em 0 V. Por tltimo, toque sempre os terminais no terra para permitir a descarga das cargas estiticas acumuladas, antes de empregar 0 dispositivo, e sempre ‘o manuseie segurando pelo encapsulamento. Via de regra, ocorrem transientes (mudangas abruptas no nt- vel de tensio ou corrente) em um circuito, quando elementos so removidos ou inseridos com a fonte ligada. As vezes, 0s niveis de transiente podem ultrapassar 0s limites que o dispositivo su- porta, e por esta raziio, a fonte deve estar sempre desligada a0 ‘modificarmos a configuracao do circuito. ‘A maxima tensdo porta-fonte normalmente é fornecida na folha de especificagdes do dispositivo. Um método para assegu- rar que esta tensio ndo serd ultrapassada (talvez devido a transientes) em ambas as polaridades ¢ introduzir dois diodos Zener, como mostra a Fig. 5.41. Os Zeners so colocados em posigées opostas um do outro. Se si0 utilizados Zeners de 30 V surge no circuito um transiente positivo de 40 V, o Zener mais abaixo na figura ird “disparar” em 30 V, e o diodo acima ir li- gar com uma queda de tensio de zero volt (idealmente — para a Tegifio positiva “ligada” de um diodo semicondutor). O resulta- do é que limitamos a tensio porta-fonte em 30 V, Uma desvan- tagem introduzida pelo Zener é que a resisténcia de um diodo Zener “desligado” é menor do que a impedincia de entrada esta- belecida pela camada SiO,. A impedancia de entrada é reduzida, mas mesmo assim € grande o suficiente para a maioria das apli- cages. Tantos sio 0s dispositivos discretos que possuem a pro- tecio por Zener, que alguns dos problemas listados acima no incomodam mais. Entretanto, devemos ser ainda bem cautelo- sos quando do emprego de dispositivos MOSFET discretos. 5.10 VMOS ‘Uma das desvantagens do MOSFET, quando comparado 20 TBI, € 0 seu nivel reduzido de poténcia de operacao (tipicamente, ‘menor do que | W). Esta deficiéncia para um dispositive com tantas caracteristicas positivas pode ser minimizada modifican- do-se 0 modo de construgao, onde se abandona a estrutura pla- nar, como consta na Fig. 5.23, ¢ adota-se uma estrutura vertical do tipo mostrado na Fig. 5.42, Todos os elementos do MOSFET planar estio presentes no FET metal-

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