MÔ TẢ THÍ NGHIỆM ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT

MỤC LỤC

PHẦN 1: MÔ TẢ CÁC MODULE HỆ THỐNG THÍ NGHIỆM ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT.........................................1

PHẦN 2: MÔ TẢ CÁC BÀI THÍ NGHIỆM ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT......................................................................6Y
Bài 1: KHẢO SÁT ĐẶC TÍNH VAN BÁN DẪN.........................................................................................................7
Bài 2: SƠ ĐỒ CHỈNH LƯU DIODE.............................................................................................................................8
Bài 3: SƠ ĐỒ CHỈNH LƯU TIRISTOR 1 PHA............................................................................................................9
Bài 4: SƠ ĐỒ CHỈNH LƯU TIRISTOR 3 PHA..........................................................................................................10
Bài 5: SƠ ĐỒ ĐIỀU ÁP XOAY CHIỀU TIRISTOR.................................................................................................11
Bài 6: SƠ ĐỒ BĂM XUNG KHÔNG ĐẢO CHIỀU...................................................................................................12
Bài 7: SƠ ĐỒ BĂM XUNG ĐẢO CHIỀU..................................................................................................................13
Bài 8: SƠ ĐỒ NGHỊCH LƯU NGUỒN ÁP MỘT PHA.............................................................................................14
Bài 9: SƠ ĐỒ NGHỊCH LƯU NGUỒN ÁP BA PHA.................................................................................................15
 PHẦN 1: MÔ TẢ CÁC MODULE HỆ THỐNG THÍ NGHIỆM ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT

Hệ thống thí nghiệm điện tử công suất gồm 17 module các loại + 01 máy biến áp ba pha. Chi tiết
các module thí nghiệm được liệt kê như sau:
STT Tên module Yêu cầu kỹ thuật Chức năng
1. Module nguồn – + Điện áp vào 380V/50Hz Cấp nguồn từ điện
2. MPS1 + 6 đầu điện áp ra, điện áp trên mỗi cuộn thứ áp lưới đến
cấp 50V module bàn thí
+ Công suất 3KVA nghiệm.
+ THD < 5%.
+ Thể hiện thông số máy biến áp trên mặt
layout
+ Khả năng bảo vệ quá tải, ngắn mạch.
+ Khả năng bảo vệ thứ tự pha, chỉ thị thứ tự
pha bằng đèn báo (Thứ tự thuận và thứ
ngược).
+ Sử dụng Jack cắm an toàn Ɵ12.
+ Hệ thống nút ấn (start, stop, E-stop)
+ Kích thướ c: 470x300x150
+ Hộ p sơn tĩnh điện, Panel phay CNC

3. Module nguồn + Thể hiện sơ đồ mạch lực nguồn chỉnh lưu Cấp nguồn một
chỉnh lưu – trên mặt layout. chiều cho các bài
MN1 + Sử dụng chỉnh lưu cầu diode 3 pha thí nghiệm băm
50A/1000V, đầu ra có tụ lọc DC. xung và nghịch
+ Điện áp vào lớn nhất 380V/50Hz lưu.
+ Điện áp ra lớn 600VDC
+ Cầu chì bảo vệ ngắn mạch
+ Sử dụng Jack cắm an toàn Ɵ12.
+ Kích thướ c: 300x300x200
+ Khung sơn tĩnh điện, Panel phay CNC

4. Module van bán + 06 Diode 25A/1000V, có cầu chì bảo vệ Thực hiện các bài
dẫn diode – cho mỗi diode. thí nghiệm về sơ
ML1 + Kích thướ c: 440x300x200 đồ mạch chỉnh lưu
+ Sử dụ ng Jack cắ m an toà n Ɵ12. Diode.
+ Khung sơn tĩnh điện, Panel phay CNC

5. Module chỉnh + 06 Tiristor 50A/1200V, có cầu chì bảo vệ Thực hiện các bài
lưu Tiristor – cho mỗi Tiristor. thí nghiệm về sơ
ML2 + Kích thướ c: 440x300x200 đồ mạch chỉnh lưu
Tiristor.
 + Sử dụng Jack cắm an toàn Ɵ12 cho phần
lực và Ɵ4 (phân biệt màu giữa cực G và K)
cho phần điều khiển.
+ Khung sơn tĩnh điện, Panel phay CNC

6. Module điều áp + 06 Tiristor 50A/1200V (gồm 3 cặp mắc Thực hiện các bài
xoay chiều song song ngược), có cầu chì bảo vệ cho mỗi thí nghiệm về sơ
Tiristor – ML3 Tiristor. đồ mạch điều áp
+ Kích thướ c: 440x300x200 xoay chiều
+ Sử dụng Jack cắm an toàn Ɵ12 cho phần Tiristor.
lực và Ɵ4 (phân biệt màu giữa cực G và K)
cho pha điều khiển.
+ Khung sơn tĩnh điện, Panel phay CNC

7. Module van bán + 04 MOSFET 25A/600V, có cầu chì bảo vệ Thực hiện các bài
dẫn MOSFET 1 cho mỗi MOSFET. thí nghiệm về sơ
pha-ML5 + Mỗi MOSFET được điều khiển bởi 1 Driver đồ băm xung
có dòng peak lên tới 2A, tần số phát xung lớn không đảo chiều,
nhất lên tới 40kHz. đảo chiều, nghịch
+ Điện áp mở 15V, điện áp khóa 0V. lưu nguồn áp 1 pha
+ Kích thướ c: 300x300x200 dùng van bán dẫn
+ Sử dụng Jack cắm an toàn Ɵ12 cho phần MOSFET.
lực và Ɵ4 (phân biệt màu giữa cực G và S)
cho phần điều khiển.
+ Khung sơn tĩnh điện, Panel phay CNC

8. Module van bán + 04 IGBT 25A/1200V, có cầu chì bảo vệ cho Thực hiện các bài
dẫn IGBT 1 pha mỗi IGBT. thí nghiệm về sơ
–ML4 + Mỗi IGBT được điều khiển bởi 1 Driver có đồ băm xung
dòng peak lên tới 2A, tần số phát xung lớn không đảo chiều,
nhất lên tới 40kHz. đảo chiều, nghịch
+ Điện áp mở 15V, điện áp khóa -5V. lưu nguồn áp 1 pha
+ Kích thước: 300x300x200 dùng van bán dẫn
+ Sử dụng Jack cắm an toàn Ɵ12 cho phần IGBT.
lực và Ɵ4 (phân biệt màu giữa cực G và E)
cho phần điều khiển.
+ Khung sơn tĩnh điện, Panel phay CNC

9. Module mạch + 06 MOSFET 25A/600V, có cầu chì bảo vệ Thực hiện các bài
lực nghịch lưu 3 cho mỗi MOSFET. thí nghiệm về sơ
pha dùng + Mỗi MOSFET được điều khiển bởi 1 Driver đồ băm xung
MOSFET -ML6 có dòng peak lên tới 2A, tần số phát xung lớn không đảo chiều,
nhất lên tới 40kHz. đảo chiều, nghịch
+ Điện áp mở 15V, điện áp khóa 0V. lưu nguồn áp 1 pha
 + Kích thước: 440x300x200 dùng van bán dẫn
+ Sử dụng Jack cắm an toàn Ɵ12 cho phần IGBT.
lực và Ɵ4 (phân biệt màu giữa cực G và S)
cho phần điều khiển.
+ Khung sơn tĩnh điện, Panel phay CNC

10. Module van bán + 06 IGBT 25A/1200V, có cầu chì bảo vệ cho Thực hiện các bài
dẫn IGBT 3 pha mỗi IGBT. thí nghiệm về sơ
–ML7 + Mỗi IGBT được điều khiển bởi 1 Driver có đồ băm xung
dòng peak lên tới 2A, tần số phát xung lớn không đảo chiều,
nhất lên tới 40kHz. đảo chiều, nghịch
+ Điện áp mở 15V, điện áp khóa -5V. lưu nguồn áp 1 pha
+ Kích thước: 440x300x200 dùng van bán dẫn
+ Sử dụng Jack cắm an toàn Ɵ12 cho phần IGBT.
lực và Ɵ4 (phân biệt màu giữa cực G và E)
cho phần điều khiển.
+ Khung sơn tĩnh điện, Panel phay CNC

11. Module lọc LC – + Mạch lọc LC (3 bộ) có tần số cắt 1kHz. Thực hiện chức
MT1 + Kích thước: 440x300x200 năng lọc điện áp
+ Sử dụng Jack cắm an toàn Ɵ12. đầu ra các sơ đồ
+ Khung sơn tĩnh điện, Panel phay CNC nghịch lưu nguồn
áp 1 pha và 3 pha.
12. Module tải RLC + Tụ hóa 450V/470µF, Điện cảm 1mH/10A, Là tải thụ động
– MT2 Bóng đèn 100W. cho tất cả bài thí
+ Kích thước: 440x300x200 nghiệm.
+ Sử dụng Jack cắm an toàn Ɵ12.
+ Khung sơn tĩnh điện, Panel phay CNC

13. Mạch điều khiển + Chế độ xung điều khiển: xung rộng, xung Thực hiện chức
Tiristor 1 pha – đơn (độ rộng xung 100µs), xung chùm (tần số năng điều khiển
MĐK1 10kHz). Chế độ này sẽ đựa lựa chọn trên mặt các bài thí nghiệm
layout. về chỉnh lưu và
+ Điện áp đồng bộ vào 1 pha. điều áp xoay chiều
+ Công suât mở van: Ig = 100mA, Vgk = 3V. Tiristor 1 pha.
+ Điều khiển Tiristor lên tới 1200V/100A.
+ Cách ly qua biến áp xung.
+ Phải đo được dạng đặc tính qua từng khâu
điều khiển: đồng pha, so sánh, tách xung,
xung điều khiển đi tới van Tiristor…trên mặt
layout.
+ Kích thước 470x300x150
+ Sử dụng Jack cắm an Ɵ4 (phân biệt màu)
cho phần điều khiển.
+ Khung sơn tĩnh điện, Panel phay CNC
+ Nguồn cấp 220V/50Hz.
14. Mạch điều khiển + Chế độ xung điều khiển: xung rộng, xung Thực hiện chức
Tiristor 3 pha – kép (độ rộng xung 100µs), xung chùm (tần số năng điều khiển
MĐK2 10kHz). Chế độ này sẽ đựa lựa chọn trên mặt các bài thí nghiệm
layout. về chỉnh lưu và
+ Chọn chế điều khiển cho điều áp xoay c điều áp xoay chiều
+ Công suât mở van: Ig = 100mA, Vgk = 3V. Tiristor 3 pha.
+ Điều khiển Tiristor lên tới 1200V/100A.
+ Cách ly qua biến áp xung.
+ Phải đo được dạng đặc tính qua từng khâu
điều khiển: đồng pha, so sánh, tách xung,
xung điều khiển đi tới van Tiristor…trên mặt
layout.
+ Điện áp đồng bộ 3 pha
+ Kích thước 470x300x150
+ Sử dụng Jack cắm an Ɵ4 (phân biệt màu)
cho phần điều khiển.
+ Khung sơn tĩnh điện, Panel phay CNC
+ Nguồn cấp 220V/50Hz.
15. Mạch điều khiển + Công nghệ điều khiển: thực hiện điều khiển Thực hiện chức
băm xung đảo số và tương tự. năng điều khiển
chiều- + Có 3 chế độ điều khiển: điều khiển riêng các bài thí nghiệm
MĐK3AD (độc lập), điều khiển đối xứng, điều khiển về sơ đồ băm xung
không đối xứng. đảo chiều.
+ Thay đổi độ rộng xung và tần số sóng mang
trên mặt layout (phải sử dụng triết áp nhiều
vòng), tần số phát xung 10kHz.
+ Phần LCD hiển thị độ rộng xung và tần số
phát xung của phần điều khiển số.
+ LED 7 thanh hiển thị tần số phát xung của
phần điều khiển tương tự.
+ Kích thước 470x300x150
+ Sử dụng Jack cắm an Ɵ4 (phân biệt màu)
cho phần điều khiển.
+ Khung sơn tĩnh điện, Panel phay CNC
+ Nguồn cấp 220V/50Hz.

16. Mạch điều khiển + Công nghệ điều khiển: thực hiện điều khiển Thực hiện chức
băm xung không số và tương tự. năng điều khiển
đảo chiều- + Có 2 chế độ điều khiển: điều chế độ rộng các bài thí nghiệm
MĐK4AD xung (PWM), điều chế tần số (PFM). về sơ đồ băm xung
+ Thay đổi độ rộng xung và tần số sóng mang không đảo chiều.
trên mặt layout (phải sử dụng triết áp nhiều
vòng).
+ Phần LCD hiển thị độ rộng xung và tần số
phát xung của phần điều khiển số.
+ LED 7 thanh hiển thị tần số phát xung của
 phần điều khiển tương tự.
+ Kích thước 470x300x150
+ Sử dụng Jack cắm an Ɵ4 (phân biệt màu)
cho phần điều khiển.
+ Khung sơn tĩnh điện, Panel phay CNC
+ Nguồn cấp 220V/50Hz.

17. Mạch điều khiển + Công nghệ điều khiển: thực hiện điều khiển Thực hiện chức
nghịch lưu số và tương tự. năng điều khiển
nguồn áp 1 pha- + Có 3 chế độ điều khiển: chuyển mạch 2 các bài thí nghiệm
MĐK5AD bước, điều chế PWM kiểu đơn cực, điều chế về sơ đồ nghịch
PWM kiểu lưỡng cực. lưu nguồn áp 1
+ Thay đổi độ rộng xung và tần số sóng mang pha.
trên mặt layout (phải sử dụng triết áp nhiều
vòng).
+ Tần số phát xung 10kHz.
+ Phần LCD hiển thị độ rộng xung và tần số
phát xung của phần điều khiển số.
+ LED 7 thanh hiển thị tần số phát xung của
phần điều khiển tương tự.
+ Kích thước 470x300x150
+ Sử dụng Jack cắm an Ɵ4 (phân biệt màu)
cho phần điều khiển.
+ Khung sơn tĩnh điện, Panel phay CNC
+ Nguồn cấp 220V/50Hz.

18. Mạch điều khiển + Công nghệ điều khiển: thực hiện điều khiển Thực hiện chức
nghịch lưu số và tương tự. năng điều khiển
nguồn áp 3 pha- + Có 3 chế độ điều khiển: chuyển mạch 6 các bài thí nghiệm
MĐK6AD bước, điều chế sinPWM, điều chế vector về sơ đồ nghịch
không gian SVM. lưu nguồn áp 3
+ Tần số phát xung 10kHz. pha.
+ Thay đổi độ rộng xung và tần số sóng mang
trên mặt layout (phải sử dụng triết áp nhiều
vòng).
+ Phần LCD hiển thị độ rộng xung và tần số
phát xung của phần điều khiển số.
+ LED 7 thanh hiển thị tần số phát xung của
phần điều khiển tương tự.
+ Kích thước 470x300x150
+ Sử dụng Jack cắm an Ɵ4 (phân biệt màu)
cho phần điều khiển.
+ Khung sơn tĩnh điện, Panel phay CNC
+ Nguồn cấp 220V/50Hz.

19. Module đặc tính + Tích hợp phần Driver, mạch đo điện áp và Nghiên cứu đặc
van – MV1 dòng điện chảy qua 4 loại van bán dẫn: tính động và tĩnh
Tiristor (50A/1200V), BJT (1200V/25A), của 4 loại van bán
IGBT (25A/1200V), MOSFET (25A/600V). dẫn: Tiristor, BJT,
+ Thay đổi được độ rộng xung và lựa chọn IGBT, MOSFET.
tần số phát xung (mức thấp, mức cao) để
nghiên cứu đặc tính đóng/cắt van bán dẫn.
+ Tích hợp chức năng bảo vệ Desaturation
cho van IGBT.
 PHẦN 2: MÔ TẢ CÁC BÀI THÍ NGHIỆM ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT

Trên cơ sở các module thành phần, chúng tôi xây lên 8 bài thí nghiệm cho học phần Điện tử
công suất. Mục đích, yêu cầu kỹ thuật và tài liệu thí nghiệm được trình bày chi tiết thông qua các
bài thí nghiệm sau đây.
Bài 1: KHẢO SÁT ĐẶC TÍNH VAN BÁN DẪN
1. Mục đích: Các phần tử bán dẫn công suất được sử dụng trong sơ đồ các bộ biến đổi như các
khóa điện tử, gọi là các van bán dẫn. Mục đích bài thí nghiệm giúp sinh viên hiểu rõ nguyên lý
hoạt động và các đặc tính (đặc tính tĩnh và đặc tính động) của phần tử bán dẫn, nguyên lý thiết
kế tầng Driver làm nhiệm vụ tạo tín hiệu điều khiển cho mỗi loại van bán dẫn khác nhau và vai
trò mạch Snuber cho mỗi loại van bán dẫn. Vị trí bài thí nghiệm sẽ được thực hiện sau khi sinh
viên đã học chương 1 “Các phần tử bán dẫn công suất cơ bản” của học phần Điện tử công suất.
2. Yêu cầu bài thí nghiệm:
+ Phân tích được đặc tính đóng/cắt và vai trò mạch Snubber cho van Tiristor.
+ Phân tích được đặc tính đóng/cắt và vai trò mạch Snubber cho van BJT.
+ Phân tích được đặc tính đóng/cắt và vai trò mạch Snubber cho van MOSFET.
+ Phân tích được đặc tính đóng/cắt và vai trò mạch Snubber cho van IGBT.
3. Các module để thực hiện bài thí nghiệm:
Module cấp nguồn (MN1, MN2) và module đặc tính van (MV1).
4. Sinh viên cần chuẩn bị
Sinh viên cần phải mô phỏng trước đặc tính đóng/cắt của 4 loại van bán dẫn trên (tham số giáo
viên dạy lý thuyết học phần Điện tử công suất cung cấp) bằng phần mềm Ltspice.
5. Tài liệu thí nghiệm
Tài liệu hướng dẫn thí nghiệm phải đầy đủ các mục sau:
+ Mục đích bài thí nghiệm.
+ Phần sinh viên chuẩn bị trước ở nhà: Yêu cầu sinh viên hoàn thành công việc mô phỏng, Giáo
viên hướng dẫn thí nghiệm kiểm tra trước khi cho sinh viên vào thí nghiệm.
+ Các bước tiến hành thí nghiêm: Mô tả chi tiết các bước tiến hành thí nghiệm, và phải có hình
vẽ mô tả kết nối giữa các module bàn thí nghiệm.
+ Thu thập kết quả thí nghiệm.
+ Phân tích so sánh kết quả thí nghiệm với kết quả mô phỏng.
 Bài 2: SƠ ĐỒ CHỈNH LƯU DIODE

1. Mục đích: Mục đích bài thí nghiệm giúp sinh viên hiểu rõ nguyên lý hoạt động của các sơ đồ
mạch chỉnh lưu dùng Diode: chỉnh lưu 1 pha (hình tia, hình cầu), chỉnh lưu 3 pha (tia, hình cầu).
Vị trí bài thí nghiệm sẽ được thực hiện sau khi sinh viên đã học “sơ đồ chỉnh lưu diode” trong
chương 2 “Các sơ đồ chỉnh lưu” của học phần Điện tử công suất.
2. Yêu cầu bài thí nghiệm:
+ Đo dòng điện chảy vào sơ đồ chỉnh lưu diode tương ứng.
+ Phân tích hệ số đập mạch điện áp đầu ra đối với sơ đồ chỉnh lưu tương ứng.
3. Các module để thực hiện bài thí nghiệm:
Module cấp nguồn (MN1) và module chỉnh lưu diode (ML1), module tải (MT2).
4. Sinh viên cần chuẩn bị
Sinh viên cần phải mô phỏng nguyên lý làm việc các sơ đồ chỉnh lưu diode bằng phần mềm
PSIM hoặc Matlab/Simpower Systems.
5. Tài liệu thí nghiệm
Tài liệu hướng dẫn thí nghiệm phải đầy đủ các mục sau:
+ Mục đích bài thí nghiệm.
+ Phần sinh viên chuẩn bị trước ở nhà: Yêu cầu sinh viên hoàn thành công việc mô phỏng, Giáo
viên hướng dẫn thí nghiệm kiểm tra trước khi cho sinh viên vào thí nghiệm.
+ Các bước tiến hành thí nghiêm: Mô tả chi tiết các bước tiến hành thí nghiệm, và phải có hình
vẽ mô tả kết nối giữa các module bàn thí nghiệm.
+ Thu thập kết quả thí nghiệm.
+ Phân tích so sánh kết quả thí nghiệm với kết quả mô phỏng.
 Bài 3: SƠ ĐỒ CHỈNH LƯU TIRISTOR 1 PHA

1. Mục đích: Mục đích bài thí nghiệm giúp sinh viên hiểu rõ nguyên lý hoạt động và điều khiển
phát xung của các sơ đồ mạch chỉnh lưu Tiristor 1 pha (sơ đồ cầu và sơ đồ hình tia). Vị trí bài thí
nghiệm sẽ được thực hiện sau khi sinh viên đã học “sơ đồ chỉnh lưu Tiristor 1 pha” trong chương
2 “Các sơ đồ chỉnh lưu” của học phần Điện tử công suất.
2. Yêu cầu bài thí nghiệm:
+ Do dạng sóng điện áp ra, và dạng xung điều khiển tại các điểm testpoint để hiểu rõ nguyên lý
điều khiển dọc cho sơ đồ chỉnh lưu hình tia. Các dạng xung điều khiển cần phải được thiết lập:
xung đơn, xung chùm, xung rộng.
+ Do dạng sóng điện áp ra, và dạng xung điều khiển tại các điểm testpoint để hiểu rõ nguyên lý
điều khiển dọc cho sơ đồ chỉnh lưu hình cầu. Các dạng xung điều khiển cần phải được thiết lập:
xung đơn, xung chùm, xung rộng.
+ Tính toán mối quan hệ giữa góc mở α và tín hiệu điều khiển từ triết áp đặt.
3. Các module để thực hiện bài thí nghiệm:
Module cấp nguồn (MN1), module chỉnh lưu (ML2), module điều khiển (MĐK1), module tải
(MT2).
4. Sinh viên cần chuẩn bị
Sinh viên cần phải mô phỏng nguyên lý làm việc các sơ đồ chỉnh lưu Tiristor bằng phần mềm
PSIM hoặc Matlab/Simpower Systems tương ứng với 3 loại xung điều khiển: xung đơn, xung
chùm, xung rộng.
5. Tài liệu thí nghiệm
Tài liệu hướng dẫn thí nghiệm phải đầy đủ các mục sau:
+ Mục đích bài thí nghiệm.
+ Phần sinh viên chuẩn bị trước ở nhà: Yêu cầu sinh viên hoàn thành công việc mô phỏng, Giáo
viên hướng dẫn thí nghiệm kiểm tra trước khi cho sinh viên vào thí nghiệm.
+ Các bước tiến hành thí nghiêm: Mô tả chi tiết các bước tiến hành thí nghiệm, và phải có hình
vẽ mô tả kết nối giữa các module bàn thí nghiệm.
+ Thu thập kết quả thí nghiệm.
+ Phân tích so sánh kết quả thí nghiệm với kết quả mô phỏng.
 Bài 4: SƠ ĐỒ CHỈNH LƯU TIRISTOR 3 PHA

1. Mục đích: Mục đích bài thí nghiệm giúp sinh viên hiểu rõ nguyên lý hoạt động và điều khiển
phát xung của các sơ đồ mạch chỉnh lưu Tiristor 3 pha (sơ đồ cầu và sơ đồ hình tia). Vị trí bài thí
nghiệm sẽ được thực hiện sau khi sinh viên đã học “sơ đồ chỉnh lưu Tiristor 3 pha” trong chương
2 “Các sơ đồ chỉnh lưu” của học phần Điện tử công suất.
2. Yêu cầu bài thí nghiệm:
+ Do dạng sóng điện áp ra, và dạng xung điều khiển tại các điểm testpoint để hiểu rõ nguyên lý
điều khiển dọc cho sơ đồ chỉnh lưu hình tia 3pha. Các dạng xung điều khiển cần phải được thiết
lập: xung đơn, xung chùm, xung rộng.
+ Do dạng sóng điện áp ra, và dạng xung điều khiển tại các điểm testpoint để hiểu rõ nguyên lý
điều khiển dọc cho sơ đồ chỉnh lưu hình cầu. Các dạng xung điều khiển cần phải được thiết lập:
xung kép, xung chùm.
+ Tính toán mối quan hệ giữa góc mở α và tín hiệu điều khiển từ triết áp đặt.
3. Các module để thực hiện bài thí nghiệm:
Module cấp nguồn (MN1), module chỉnh lưu (ML2), module điều khiển (MĐK2), module tải
(MT2).
4. Sinh viên cần chuẩn bị
Sinh viên cần phải mô phỏng nguyên lý làm việc các sơ đồ chỉnh lưu Tiristor bằng phần mềm
PSIM hoặc Matlab/Simpower Systems tương ứng với 3 loại xung điều khiển: xung kép, xung
chùm.
5. Tài liệu thí nghiệm
Tài liệu hướng dẫn thí nghiệm phải đầy đủ các mục sau:
+ Mục đích bài thí nghiệm.
+ Phần sinh viên chuẩn bị trước ở nhà: Yêu cầu sinh viên hoàn thành công việc mô phỏng, Giáo
viên hướng dẫn thí nghiệm kiểm tra trước khi cho sinh viên vào thí nghiệm.
+ Các bước tiến hành thí nghiêm: Mô tả chi tiết các bước tiến hành thí nghiệm, và phải có hình
vẽ mô tả kết nối giữa các module bàn thí nghiệm.
+ Thu thập kết quả thí nghiệm.
+ Phân tích so sánh kết quả thí nghiệm với kết quả mô phỏng.
 Bài 5: SƠ ĐỒ ĐIỀU ÁP XOAY CHIỀU TIRISTOR

1. Mục đích: Mục đích bài thí nghiệm giúp sinh viên hiểu rõ nguyên lý hoạt động và điều khiển
phát xung của các sơ đồ mạch điều áp xoay chiều Tiristor 1 pha và 3 pha. Vị trí bài thí nghiệm sẽ
được thực hiện sau khi sinh viên đã học “sơ đồ điều áp xoay chiều Tiristor 1 pha và 3 pha” trong
chương 3 “Các sơ đồ điều áp xoay chiều” của học phần Điện tử công suất.
2. Yêu cầu bài thí nghiệm:
+ Do dạng sóng điện áp ra, và dạng xung điều khiển tại các điểm testpoint để hiểu rõ nguyên lý
điều khiển dọc cho sơ đồ điều áp xoay chiều Tiristor 1 pha. Các dạng xung điều khiển cần phải
được thiết lập: xung đơn, xung chùm, xung rộng.
+ Do dạng sóng điện áp ra, và dạng xung điều khiển tại các điểm testpoint để hiểu rõ nguyên lý
điều khiển dọc cho sơ đồ điều áp xoay chiều Tiristor 3 pha. Các dạng xung điều khiển cần phải
được thiết lập: xung kép, xung chùm.
3. Các module để thực hiện bài thí nghiệm:
Module cấp nguồn (MN1), module chỉnh lưu và điều áp tiristor (ML2+ML3), module điều khiển
(MĐK1, MĐK2), module tải (MT2).
4. Sinh viên cần chuẩn bị
Sinh viên cần phải mô phỏng nguyên lý làm việc các sơ đồ điều áp xoay Tiristor bằng phần mềm
PSIM hoặc Matlab/Simpower Systems tương ứng với 3 loại xung điều khiển: xung đơn, xung
chùm, xung rộng, tương ứng.
5. Tài liệu thí nghiệm
Tài liệu hướng dẫn thí nghiệm phải đầy đủ các mục sau:
+ Mục đích bài thí nghiệm.
+ Phần sinh viên chuẩn bị trước ở nhà: Yêu cầu sinh viên hoàn thành công việc mô phỏng, Giáo
viên hướng dẫn thí nghiệm kiểm tra trước khi cho sinh viên vào thí nghiệm.
+ Các bước tiến hành thí nghiêm: Mô tả chi tiết các bước tiến hành thí nghiệm, và phải có hình
vẽ mô tả kết nối giữa các module bàn thí nghiệm.
+ Thu thập kết quả thí nghiệm.
+ Phân tích, so sánh kết quả thí nghiệm với kết quả mô phỏng.
 Bài 6: SƠ ĐỒ BĂM XUNG KHÔNG ĐẢO CHIỀU

1. Mục đích: Mục đích bài thí nghiệm giúp sinh viên hiểu rõ nguyên lý hoạt động mạch băm
xung không đảo chiều (thực chất dạng bộ biến đổi Buck) và phương pháp điều chế độ rộng xung
PWM. Vị trí bài thí nghiệm sẽ được thực hiện sau khi sinh viên đã học “sơ đồ mạch băm xung -
chopper” trong chương 4 “Hệ thống biến đổi xung áp DC/DC” của học phần Điện tử công suất.
2. Yêu cầu bài thí nghiệm:
+ Do dạng tín hiệu điều khiển PWM trên mảng mạch điều khiển.
+ Do dạng điện áp ra.
+ Tính toán được hệ số điều chế (duty cycle), tần số sóng mang với cả 2 nguyên tắc điều khiển:
điều khiển số và điều khiển tương tự.
3. Các module để thực hiện bài thí nghiệm:
Module cấp nguồn (MN1+MN2), module IGBT và MOSFET 1 pha (ML4+ML5), module điều
khiển (MĐK4AD), module tải (MT2).
4. Sinh viên cần chuẩn bị
Sinh viên cần phải mô phỏng nguyên lý làm việc các sơ đồ băm xung không đảo chiều sử dụng
van bán dẫn MOSFET hoặc IGBT, và nguyên lý thực hiện điều chế độ rộng xung PWM cho sơ
đồ này.
5. Tài liệu thí nghiệm
Tài liệu hướng dẫn thí nghiệm phải đầy đủ các mục sau:
+ Mục đích bài thí nghiệm.
+ Phần sinh viên chuẩn bị trước ở nhà: Yêu cầu sinh viên hoàn thành công việc mô phỏng, Giáo
viên hướng dẫn thí nghiệm kiểm tra trước khi cho sinh viên vào thí nghiệm.
+ Các bước tiến hành thí nghiêm: Mô tả chi tiết các bước tiến hành thí nghiệm, và phải có hình
vẽ mô tả kết nối giữa các module bàn thí nghiệm.
+ Thu thập kết quả thí nghiệm.
+ Phân tích, so sánh kết quả thí nghiệm với kết quả mô phỏng.
 Bài 7: SƠ ĐỒ BĂM XUNG ĐẢO CHIỀU

1. Mục đích: Mục đích bài thí nghiệm giúp sinh viên hiểu rõ nguyên lý hoạt động mạch băm
xung đảo chiều (thực chất dạng bộ biến đổi cầu H sử dụng van bán dẫn MOSFET hoặc IGBT) và
phương pháp điều chế độ rộng xung PWM. Vị trí bài thí nghiệm sẽ được thực hiện sau khi sinh
viên đã học “sơ đồ mạch băm xung đảo chiều” trong chương 4 “Hệ thống biến đổi xung áp
DC/DC” của học phần Điện tử công suất.
2. Yêu cầu bài thí nghiệm:
+ Do dạng tín hiệu điều khiển PWM trên mảng mạch điều khiển và dạng điện áp ra sơ đồ mạch
lực tương ứng với 3 phương pháp điều khiển khác nhau: điều khiển riêng (độc lập), điều khiển
đối xứng, điều khiển không đối xứng.
+ Tính toán chu kỳ phát xung và hệ số điều tương ứng với các chế độ điều khiển nói trên.
+ Nguyên lý thực hiện chế độ điều khiển: điều khiển số và điều khiển tương tự.
3. Các module để thực hiện bài thí nghiệm:
Module cấp nguồn (MN1+MN2), module IGBT và MOSFET 1 pha (ML4+ML5), module điều
khiển (MĐK3AD), module tải (MT2).
4. Sinh viên cần chuẩn bị
Sinh viên cần phải mô phỏng nguyên lý làm việc các sơ đồ băm xung đảo chiều sử dụng van bán
dẫn MOSFET hoặc IGBT theo 3 phương pháp điều khiển: điều khiển riêng (độc lập), điều khiển
đối xứng, điều khiển không đối xứng bằng phần mềm PSIM hoặc Matlab/Simpower Systems.
5. Tài liệu thí nghiệm
Tài liệu hướng dẫn thí nghiệm phải đầy đủ các mục sau:
+ Mục đích bài thí nghiệm.
+ Phần sinh viên chuẩn bị trước ở nhà: Yêu cầu sinh viên hoàn thành công việc mô phỏng, Giáo
viên hướng dẫn thí nghiệm kiểm tra trước khi cho sinh viên vào thí nghiệm.
+ Các bước tiến hành thí nghiêm: Mô tả chi tiết các bước tiến hành thí nghiệm, và phải có hình
vẽ mô tả kết nối giữa các module bàn thí nghiệm.
+ Thu thập kết quả thí nghiệm.
+ Phân tích, so sánh kết quả thí nghiệm với kết quả mô phỏng.
 Bài 8: SƠ ĐỒ NGHỊCH LƯU NGUỒN ÁP MỘT PHA

1. Mục đích: Mục đích bài thí nghiệm giúp sinh viên hiểu rõ nguyên lý hoạt động mạch nghịch
lưu nguồn áp một pha (thực chất dạng bộ biến đổi cầu H sử dụng van bán dẫn MOSFET hoặc
IGBT) và phương pháp điều chế độ rộng xung PWM. Vị trí bài thí nghiệm sẽ được thực hiện sau
khi sinh viên đã học “sơ đồ nghịch lưu nguồn áp một pha” trong chương 5 “Hệ thống nghịch lưu
độc lập DC/AC” của học phần Điện tử công suất.
2. Yêu cầu bài thí nghiệm:
+ Do dạng tín hiệu điều khiển PWM trên mảng mạch điều khiển và dạng điện áp ra sơ đồ mạch
lực tương ứng với 3 phương pháp điều khiển khác nhau: điều khiển xung vuông (góc dẫn van
bán dẫn 1200 và 1800), điều chế PWM kiểu đơn cực, điều chế PWM kiểu lưỡng cực.
+ Tính toán chu kỳ phát xung và hệ số điều tương ứng với các chế độ điều khiển nói trên.
+ Nguyên lý thực hiện chế độ điều khiển: điều khiển số và điều khiển tương tự.
+ Đo dạng điện áp trước và sau mạch lọc LC.
3. Các module để thực hiện bài thí nghiệm:
Module cấp nguồn (MN1+MN2), module IGBT và MOSFET 1 pha (ML4+ML5), module điều
khiển (MĐK5AD), module tải (MT1+MT2).
4. Sinh viên cần chuẩn bị
Sinh viên cần phải mô phỏng nguyên lý làm việc các sơ đồ nghịch lưu nguồn áp 1 pha sử dụng
van bán dẫn MOSFET hoặc IGBT theo 3 phương pháp điều khiển: điều khiển xung vuông (góc
dẫn van bán dẫn 1200 và 1800), điều chế PWM kiểu đơn cực, điều chế PWM kiểu lưỡng cực
bằng phần mềm PSIM hoặc Matlab/Simpower Systems.
5. Tài liệu thí nghiệm
Tài liệu hướng dẫn thí nghiệm phải đầy đủ các mục sau:
+ Mục đích bài thí nghiệm.
+ Phần sinh viên chuẩn bị trước ở nhà: Yêu cầu sinh viên hoàn thành công việc mô phỏng, Giáo
viên hướng dẫn thí nghiệm kiểm tra trước khi cho sinh viên vào thí nghiệm.
+ Các bước tiến hành thí nghiêm: Mô tả chi tiết các bước tiến hành thí nghiệm, và phải có hình
vẽ mô tả kết nối giữa các module bàn thí nghiệm.
+ Thu thập kết quả thí nghiệm.
+ Phân tích, so sánh kết quả thí nghiệm với kết quả mô phỏng.
 Bài 9: SƠ ĐỒ NGHỊCH LƯU NGUỒN ÁP BA PHA

1. Mục đích: Mục đích bài thí nghiệm giúp sinh viên hiểu rõ nguyên lý hoạt động mạch nghịch
lưu nguồn áp một pha sử dụng van bán dẫn IGBT và phương pháp điều chế độ rộng xung PWM.
Vị trí bài thí nghiệm sẽ được thực hiện sau khi sinh viên đã học “sơ đồ nghịch lưu nguồn áp ba
pha” trong chương 5 “Hệ thống nghịch lưu độc lập DC/AC” của học phần Điện tử công suất.
2. Yêu cầu bài thí nghiệm:
+ Do dạng tín hiệu điều khiển PWM trên mảng mạch điều khiển và dạng điện áp ra sơ đồ mạch
lực tương ứng với 3 phương pháp điều khiển khác nhau: điều khiển xung vuông (góc dẫn van
bán dẫn 1200 và 1800), điều chế sinPWM, điều chế vector không gian SVM.
+ Tính toán chu kỳ phát xung và hệ số điều tương ứng với các chế độ điều khiển nói trên.
+ Nguyên lý thực hiện chế độ điều khiển: điều khiển số và điều khiển tương tự.
+ Đo dạng điện áp trước và sau mạch lọc LC.
3. Các module để thực hiện bài thí nghiệm:
Module cấp nguồn (MN1+MN2), module IGBT 3 pha (ML6), module điều khiển (MĐK6AD),
module tải (MT1+MT2).
4. Sinh viên cần chuẩn bị
Sinh viên cần phải mô phỏng nguyên lý làm việc các sơ đồ nghịch lưu nguồn áp 1 pha sử dụng
van bán dẫn MOSFET hoặc IGBT theo 3 phương pháp điều khiển: điều khiển xung vuông (góc
dẫn van bán dẫn 1200 và 1800), điều chế sinPWM, điều chế vector không gian SVM bằng phần
mềm PSIM hoặc Matlab/Simpower Systems.
5. Tài liệu thí nghiệm
Tài liệu hướng dẫn thí nghiệm phải đầy đủ các mục sau:
+ Mục đích bài thí nghiệm.
+ Phần sinh viên chuẩn bị trước ở nhà: Yêu cầu sinh viên hoàn thành công việc mô phỏng, Giáo
viên hướng dẫn thí nghiệm kiểm tra trước khi cho sinh viên vào thí nghiệm.
+ Các bước tiến hành thí nghiêm: Mô tả chi tiết các bước tiến hành thí nghiệm, và phải có hình
vẽ mô tả kết nối giữa các module bàn thí nghiệm.
+ Thu thập kết quả thí nghiệm.
+ Phân tích, so sánh kết quả thí nghiệm với kết quả mô phỏng.