Professional Documents
Culture Documents
Presentation - Final
Presentation - Final
Науковий керівник:
д.х.н., проф. Фочук П.М..
Чернівці - 2020
Застосування Cd(Mn)Te
детектори рентгенівських та γ-променів
медицина (комп’ютерна томографія)
атомна енергетика
(дозиметрія, радіологічний контроль)
космічні дослідження
(рентгенівські та γ-телескопи)
сонячні батареї
оптоелектроніка
2
Проблематика
3
Мета роботи
4
Завдання
виростити кристали CdTe, леговані Mn з вмістом домішки 5×1016-
1×1020 ат/см3; леговані In або Ge кристали твердих розчинів Cd1-xMnxTe
з вмістом MnTe 0,02-0,08 та нелеговані кристали твердих розчинів
Cd1-xMnxTe з вмістом MnTe 0,02-0,30;
провести дослідження електричних властивостей кристалів CdTe,
легованих Mn та кристалів Cd1-xMnxTe (CMT) у інтервалі температур 77-
1173 К;
встановити вплив технології вирощування на електричні
характеристики і на спектри фотолюмінесценції кристалів Cd0,95Mn0,05Te,
легованих In;
встановити закономірності формування точкових дефектів (ТД) та
оцінити поведінку домішки Mn в умовах високотемпературної
рівноваги ТД;
провести дослідження позитронної анігіляційної спектроскопії
кристалів CdTe:Mn;
розробити модель поведінки ТД у кристалах CdTe:Mn 5
Методи дослідження
6
Технологія вирощування кристалів
Класичний вертикальний Модифікований метод рухомого
метод Бріджмена (МБ) нагрівника (МРН)
ПК – персональний комп’ютер;
ТР – терморегулятори;
ЦВ – цифровий вольтметр;
М – магніт;
БК – блок керування;
БЖ – блок живлення;
Т1 – термопара зони зразка;
Т2 – термопара зони компоненти;
П – піч.
В ампулі: у верхній часині зразок,
на дні – наважка кадмію
9
Порівняння електрофізичних характеристик нелегованих кристалів
Cd1-yMnyTe та Cd1-xZnxTe
11 3,0
Cd1-yMnyTe б
10 5
2
1
m0
4
9 3 2,7 1a
2a
lg(m, см2/(Вґс) )
8 2a
lg(RХ, см3/Кл)
3
Б А 1a
2,4
7 4
6 5
5 Cd1-xZnxTe 2,1
4 2
1,8
3 1
2 а 1,5
1 2,0 2,2 2,4 2,6
2 4 6 8 10 12 lg(T, K)
1000/(T, K)
початок злитку
g ~ 0,2 ДО ПІСЛЯ
11
11
Вплив спеціальної термічної обробки «суха зона» на
очистку кристалів кристалів Cd0,95Mn0,05Te+Te (5×1018 см-3)
ДО кінець злитку ПІСЛЯ
g ~ 0,8
Об’єм 3D моделі:
2,7х2,3х1,0 мм3
5
2,0x104
-3
1,4x10
-3
Кількість вкраплень, см
Кількість вкраплень, см
1,2x105
1,5x104
1,0x105
8,0x104
1,0x104
6,0x104
4,0x104 5,0x103
2,0x104
0,0 0,0
4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
Діаметр вкраплень, мкм Діаметр вкраплень, мкм
12
Електрофізичні характеристики зразків кристалу Cd0,95Mn0,05Te+Te (5×1018 см-
до і після очистки методом «сухої зони» (МСЗ)
11
До очистки МСЗ 2,4 б
10 №1п
9 №3к
2,2
lg(m, см2/(Вґс) )
Після очистки МСЗ
lg(RХ, см3/Кл)
8
№2
7 №4
2,0 До очистки МСЗ
6 №1п
№3к
5 1,8
4 Після очистки МСЗ
№2
3 а 1,6 №4
2
2 4 6 8 10 12 1,8 1,9 2,0 2,1 2,2 2,3 2,4 2,5 2,6
1000/(T, K) lg(T, K)
(до чи (g)
2,4
Ом×с см2/(В
після
м ×с)
2,2 МСЗ)
40
до очистки МСЗ g=0,9
2,0
30
a, см-1
a, см-1
1,5
Б А g = 0,9
20 після очистки МСЗ
1,0 після очистки МСЗ g=0,2
g = 0,8 10 g=0,8
0,5 g= 0,2
0
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 1,50 1,52 1,54 1,56 1,58 1,60
hn, еВ hn, еВ
14
Електричні властивості кристалів Cd1-xMnxTe, легованих In
Кристали Cd0,95Mn0,05Te:In,
C0(In) = 3,0×1017 см-3.
№16 (МБ), № 17 (МРН), №18 (МРН+МБ) №18 (МРН+МБ)
13 2,6
eб = 0,07 еВ
№ Положення Т=300 К
кристала зразка
12 2,5
А
lg(m, см2/(Вґс))
Б
ρ,
lg(RХ,см3/Кл)
у злитку, g μ, 11 2,4
(Ом×см)
см2/(В×с)
10 2,3
eD = 0,80 еВ eб = 0,09 еВ
16 0,3 4,8×1010 50 (p)
eD = 0,82 еВ
16 0,8 1,6×1010 80 (n) 9
g = 0,20
lgRh2
2,2
15
Електричні властивості кристалів Cd1-xMnxTe, легованих In
-7,0 300
(№16) m (№16)
(№17)
-7,5
E6 = 0,99 еВ
-1
200
lg(σ, Омґсм)
m, см /(Вґс)
-8,0
E4 = 0,69 еВ
E2= 0,56 еВ
E5 = 0,80 еВ
2
E3 = 0,62 еВ
E1= 0,52 еВ
-8,5
100
а
-9,5 0
0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 1,1
hn, еВ
16
Електричні властивості кристалів Cd1-xMnxTe, легованих In
№18 (МРН+МБ)
-7,0 500
(g=0,20) m (g=0,20)
-7,5 (g=0,88) m (g=0,88)
400
-8,0 (g=0,20)
-1
mтемнова
m, см /(Вґс)
lg(σ, Омґсм)
2
-9,0 E1= 0,62 еВ E3 = 0,89 еВ
-9,5
200
mтемнова
-10,0
(g=0,88)
а
-10,5 100
0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 1,1
hn, еВ
17
17
Спектри фотолюмінесценції кристалів Cd0,95Mn0,05Te, легованих In
МБ МРН
Нормалізована інтенсивність ФЛ, в.о.
1,25 1,30 1,35 1,40 1,45 1,50 1,55 1,60 1,65 1,70 1,75
1,0 1,1 1,2 1,3 1,4 1,5 1,6 1,7
Енергія фотонів, еВ
Енергія фотонів, еВ
Нормалізована інтенсивність ФЛ, в.о.
0
1,660 еВ (D ,X) МРН+МБ
C0(In) = 3,0×1017 см-3 1,0 №18 (МРН+МБ)
g-0,2 1,658 еВ (D0,X)
1,653 еВ
g-0,8 (A0,X)
Умови експерименту: 0,8
в
Т=7К 0,6 A-центри
1,604 еВ
ДАП
~1,5 еВ 1,597 еВ
λ = 632 нм ДАП
2 0,4
I = 40-200 мВт/см ZPL 1LO
0,2
1LO
0,0
1,25 1,30 1,35 1,40 1,45 1,50 1,55 1,60 1,65 1,70
Енергія фотонів, еВ 18
Електричні властивості кристалів Cd1-xMnxTe, легованих In
11,0 2,2
lg(mn, см2/(Вґс))
lg(RХ, см3/Кл)
10,5 Г 2,0
2
10,0
Д 1,8 1a
9,5
9,0 1,6
В 1 А
8,5 1,4
б
8,0 Б
2,4 2,6 2,8 3,0 3,2 3,4 2,4 2,6 2,8 3,0 3,2 3,4
19
3
103/(T, K) 10 /(T, K)
Електричні властивості кристалів Cd1-xMnxTe, легованих In
Кристали (МРН+МБ): CMT:In, C0(In) = 3,5×1017 см-3
g=0,2 g=0,2
10,5 g=0,75 g=0,75
e1= 0,53 еВ
10,0 2,4
eб = 0,11 еВ
lg(RХ, см3/Кл)
lg(mn, см2/(Вґс))
9,5
2,3
9,0
e1= 0,34 еВ
eD= 0,61 еВ
8,5
2,2
8,0
eб = 0,06 еВ
20
Електричні властивості кристалів Cd1-xMnxTe, легованих In
11,0 400
10,5
-3
9,5 n 300
m, см /(Вґс)
9,0 m
8,5
200
2
8,0
7,5
7,0 100
6,5
6,0
5,5 0
1,3 1,4 1,5 1,6 1,7 1,8 1,9 2,0 2,1
hn, еВ
23 0,34 n 1,8×10-9 - 15
21
Електричні властивості кристалів Cd1-xMnxTe, легованих Ge
10 11
Cd1-xMnxTe-Ge x = 0,02
9 x = 0,04
10 x = 0,08
8
lg(RХ, см3/Кл)
7
lg(r, Ом×см)
9
6
5 8
4 Нелеговані Cd1-xMnxTe
3 7
2
1 6
0.00 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3.6
x(MnTe), моль 1000/(T, K)
2,5 εА=0,60-0,70 еВ
2,4 n-Cd1-xMnxTe-In (x=0,05)
V 2 )-
(Ge Cd
2,3 Cd
T3/2
lg(m, см2/(В×с))
2,2
2,1
2,0
Cd0,95Mn0,05Te:In, C0(In) = 3,0×1017 см-3
1,9
Cd0,96Mn0,04Te:Ge, C0(Ge) = 8,0×1018 см-3
p-Cd1-xMnxTe-Ge (x=0,04)
1,8
1,7
2,45 2,50 2,55 2,60 2,65
lg(T, K) 22
Електричні властивості нелегованих кристалів Cd1-xMnxTe
16,5
lg([e-], см-3)
17.0 γ = 0,28 1073 K
973 K 873 K 973 K
16,0 γ = 0,22
16.5 973 K
15,5 873 K
γ = 0,26 773 K
γ = 0,22
873 K 15,0
16.0
873 K
14,5 773 K
γ = 0,13
15.5 14,0
-2.5 -2.0 -1.5 -1.0 -0.5 0.0 -3,0 -2,5 -2,0 -1,5 -1,0 -0,5 0,0
lg(PCd, атм) lg(PCd, атм)
17,0
200
16,5
m, см /(Вґс)
lg([e-],см-3)
150
16,0
2
100
15,5
50
15,0
14,5 0
0 100 200 300 400
Час, хв
Ізотермічна (Т=770 К, P(Cd)макс. = 0,016 атм) релаксація концентрації носіїв
та рухливості у зразку
24
Кристали CdTe, леговані Mn
Спектроскопія анігіляції позитронів (САП), Т=295 К
([Mn]=1017-1020 ат/см3) 10000
1
2
Зразки з початку злитку: 3
Кількість імпульсів
1 – зразок нелегованого СdTe; 1000
t1
10
t2
Номер каналу
τ1 ~ 295 пс
n-CdTe+Mn τ2 ~ 320 пс
[VCd2-] = 1,5×1016 -6,5×1016 см-3
17,2
P(Cd,макс)
17,0
16,6
Модельний CdTe, P(Cd,мін)
16,4
17,0 17,5 18,0 18,5 19,0
lg([Mn], ат/см3)
E(дифузії) = 2,76 еВ
Mni2+ MnCd+
• Mn – донор за схемою іонізації: MnCd ↔ MnCd+ + e-
• Розчинність за 873-1073 К не перевищує 1017 см-3
26
Кристали CdTe, леговані Mn
Ed = 150 меВ
Ed = 100 меВ
16,0
P(Cd, макс)
17,5 Mn-86
1073 K
Ed = 0,10 еВ
973 K
17,0 1073 K
lg([e-], см-3)
873 K
16,5 973 K
16,0
873 K
29
Кристали CdTe, леговані Mn
Mn-86
17,5 Mn-86
1073 K
Ed = 0,10 еВ Ed = 0,10 еВ
973 K 17.5
17,0 1073 K
lg([e-], см-3)
lg([e-], см-3)
873 K
16,5 973 K
17.0
16,0
873 K
30
Кристали CdTe, леговані Mn
№ C0 (Mn), Схема Швидкість Т=295 К
кристал см-3 легування охолоджен
у ня Тип ρ, [e-]/[h+] , µХ,
провідно Ом×см см-3 см2/(В×с)
сті
32
Висновки
33
Висновки
5. Аналіз уперше отриманих результатів високотемпературних (873-
1073К) досліджень ефекту Холла у кристалах CdTe:Mn (при кількостях
домішки 5×1016 -1×1020 ат/см3) дозволив створити комп’ютерну
модель системи точкових дефектів у цьому матеріалі, на підставі якої
було установлено розчинність домішки Mn (~1017 ат/см3 ) та її
донорну поведінку (Ед ≈100 меВ), що робить цю домішку
малопридатною для детекторного матеріалу.
34
Дякую за увагу!
Схема установки для вимірювання часу життя
позитронів
СК – сцинтиляційний кристал,
ФП – фотопомножувач,
Д – дискримінатор,
КЧА – конвертор час-амплітуда,
АЦП – аналого-цифровий
перетворювач.
36
Розрахунок концентрації акцепторів, іонізованих центрів
Правило Матіссена:
1/μ = 1/μ0+ 1/μi
μ0 = 57[exp(252/T) – 1], (см2/В×с)
Формула Брукса-Херінга:
μi = 0,83×1018 T3/2× Ni – 1 (lnb + 3,4)/(ln b + 3,8)2, (см2/В×с)
де b = 1013T2(p´) -1, а p´≈ рнас
[А1-]=[А1]=0,5Nі-[А2-],
37
Розрахунок концентрації VCd2-
[VCd2-] = k/µ
швидкість захоплення k та коефіцієнт захоплення μ для вакансії Cd
μ = 8×10-8 см-3с-1,
відомий з літератури
38
Методика експерименту
Формули, які використовуються для розрахунку
електропровідності, концентрації та рухливості
носіїв заряду
Il (1)
b c Vh ,
де l – відстань між зондами, см; c – товщина зразка, см; b – ширина
зразка, см; І – сила струму, мА; Vh – середнє значення падіння напруги на
мВ
зондах 1-3, 2-4,
c 108 (2)
RH = VH ,
IH
де Н – напруженість магнітного поля, Гс; VH – падіння напруги на
контактах Холла, мВ
μ = σ · RH , (3)
де RH – стала Холла
1 (4)
n
RH e
де е = 1.6 ·10−19 Кл – заряд електрона
39
39
17,0
Mn+Cd
16,5
16,0
lg([дефекту], см-3)
e- (модельна лінія для чистого CdTe) AMn-
15,5
15,0 V2+
Te
+
h
14,5
Cd2+
i
14,0
V2-
Cd
Mn-86
13,5
Ed = 0,10 еВ Te-i
13,0
-2,0 -1,8 -1,6 -1,4 -1,2 -1,0
lg(P(Cd), атм)
40
Фотолюмінесценція кристалів Cd0,95Mn0,05Te, легованих In
41
17,5 червоний - початок злитку
червоний – g=0,23 1173 K
синій - кінець злитку
синій – g=0,81
17,0 1073 K
lg([e-], см-3)
16,5 973 K
42