Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича

Кафедра загальної хімії та хімічного матеріалознавства

Солодін Сергій Володимирович

Дефектна структура та вплив

термодинамічних умов відпалу на
властивості монокристалів CdTe<Mn>
Спеціальність «102 Хімія»

Науковий керівник:
д.х.н., проф. Фочук П.М..

Чернівці - 2020
 Застосування Cd(Mn)Te
 детектори рентгенівських та γ-променів
медицина (комп’ютерна томографія)
атомна енергетика
(дозиметрія, радіологічний контроль)
космічні дослідження
(рентгенівські та γ-телескопи)
 сонячні батареї
 оптоелектроніка

2
 Проблематика

- Підвищений вміст домішок у вихідному Mn

- Відсутність технології вирощування/очистки яка

б забезпечувала одержання високоомних
кристалів Cd(Mn)Te придатних детекторів γ-
випромінювання

- Не встановлена хімічна поведінка домішки Mn у

кристалах CdTe при мікролегуванні

3
 Мета роботи

Метою даної роботи є

встановлення закономірностей впливу домішок
Mn, In і Ge, термодинамічних умов відпалу,
параметрів вирощування на структуру дефектів та
властивості кристалів системи Cd-Mn-Te для оцінки
перспективності одержаного матеріалу з метою
використання його в якості детектора γ-
випромінювання

4
 Завдання
 виростити кристали CdTe, леговані Mn з вмістом домішки 5×1016-
1×1020 ат/см3; леговані In або Ge кристали твердих розчинів Cd1-xMnxTe
з вмістом MnTe 0,02-0,08 та нелеговані кристали твердих розчинів
Cd1-xMnxTe з вмістом MnTe 0,02-0,30;
 провести дослідження електричних властивостей кристалів CdTe,
легованих Mn та кристалів Cd1-xMnxTe (CMT) у інтервалі температур 77-
1173 К;
 встановити вплив технології вирощування на електричні
характеристики і на спектри фотолюмінесценції кристалів Cd0,95Mn0,05Te,
легованих In;
 встановити закономірності формування точкових дефектів (ТД) та
оцінити поведінку домішки Mn в умовах високотемпературної
рівноваги ТД;
 провести дослідження позитронної анігіляційної спектроскопії
кристалів CdTe:Mn;
 розробити модель поведінки ТД у кристалах CdTe:Mn 5
 Методи дослідження

• високо- та низькотемпературний ефект Холла;

• фото-Холлівська спектроскопія;
• ІЧ-мікроскопія;
• ІЧ-спектроскопія;
• позитронна анігіляційна спектроскопія;
• низькотемпературна фотолюмінесценція;
• комп’ютерне моделювання поведінки ТД та розподілу
вкраплень в об’ємі кристалу.

6
 Технологія вирощування кристалів
Класичний вертикальний Модифікований метод рухомого
метод Бріджмена (МБ) нагрівника (МРН)

Схема установки для вирощування Схематичне зображення ампули з

кристалів CdTe:Mn та Cd1-xMnxTe
вертикальним методом Бріджмена зі
схемою температурного профілю
печі.
матеріалом під час росту кристала
модифікованим методом рухомого
нагрівника.
7
 Cпеціальна термічна обробка (метод «сухої зони»)
кристалів Cd0,95Mn0,05Te+Te (5×1018 см-3)
Умови проведення
термообробки
методом сухої зони:
1. Темп. зони ~ 785 К
2. Темп. фону ~ 610 К
3. Ширина зони ~ 2,5
см
4. Швидкість
опускання ампули ~
0,2 мм/год
5. Довжина злитка ~ 9
см
6. Тривалість ~ 19 днів
1 – механізм опускання ампули,
2,3,4,5 – фонові нагрівачі;
Схема установки для термообробки злитків методом 6,7 – зонні нагрівачі;
«сухої зони» зі схемою температурного профілю 8 – кварцовий стержень;
печі 9 – кристал;
10 – частина кристалу, нагріта
вище температури топлення
телуру (723 К). 8
Методика проведення дослідження

Схема установки для дослідження ефекту Холла та

електропровідності за високих температур

ПК – персональний комп’ютер;
ТР – терморегулятори;
ЦВ – цифровий вольтметр;
М – магніт;
БК – блок керування;
БЖ – блок живлення;
Т1 – термопара зони зразка;
Т2 – термопара зони компоненти;
П – піч.
В ампулі: у верхній часині зразок,
на дні – наважка кадмію

9
Порівняння електрофізичних характеристик нелегованих кристалів
Cd1-yMnyTe та Cd1-xZnxTe
11 3,0
Cd1-yMnyTe б
10 5
2
1
m0
4
9 3 2,7 1a
2a

lg(m, см2/(Вґс) )
8 2a
lg(RХ, см3/Кл)

3
Б А 1a
2,4
7 4

6 5

5 Cd1-xZnxTe 2,1

4 2
1,8
3 1

2 а 1,5
1 2,0 2,2 2,4 2,6
2 4 6 8 10 12 lg(T, K)
1000/(T, K)

Температурна залежність коефіцієнта Холла (а) та рухливості (б) в

зразках кристалів Cd1-xZnxTe (1, 1а – x = 0,04; 2, 2а – x = 0,10);
Cd1-yMnyTe (3, 4, 5 – y = 0,04; 0,06; 0,100 відповідно)

Кристали Вид [A2], 1016. [A1], 1016. Ni, 1016. см-3

акцепторів см-3 см-3
Cd1-xZnxTe A1, A2 0,5-2 3-10 6-22
Cd1-yMnyTe A2 0,5-6 4-20 8-50
1
0
 Вплив спеціальної термічної обробки «суха зона» на
очистку кристалів кристалів Cd0,95Mn0,05Te+Te (5×1018 см-3)

початок злитку
g ~ 0,2 ДО ПІСЛЯ

кінець злитку ДО ПІСЛЯ

g ~ 0,8

11
11
 Вплив спеціальної термічної обробки «суха зона» на
очистку кристалів кристалів Cd0,95Mn0,05Te+Te (5×1018 см-3)
ДО кінець злитку ПІСЛЯ
g ~ 0,8

Об’єм 3D моделі:
2,7х2,3х1,0 мм3

5
2,0x104
-3

1,4x10

-3
Кількість вкраплень, см

Кількість вкраплень, см
1,2x105
1,5x104
1,0x105
8,0x104
1,0x104
6,0x104
4,0x104 5,0x103
2,0x104
0,0 0,0
4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24
Діаметр вкраплень, мкм Діаметр вкраплень, мкм

12
 Електрофізичні характеристики зразків кристалу Cd0,95Mn0,05Te+Te (5×1018 см-
до і після очистки методом «сухої зони» (МСЗ)
11
До очистки МСЗ 2,4 б
10 №1п
9 №3к
2,2

lg(m, см2/(Вґс) )
Після очистки МСЗ
lg(RХ, см3/Кл)

8
№2
7 №4
2,0 До очистки МСЗ
6 №1п
№3к
5 1,8
4 Після очистки МСЗ
№2
3 а 1,6 №4

2
2 4 6 8 10 12 1,8 1,9 2,0 2,1 2,2 2,3 2,4 2,5 2,6
1000/(T, K) lg(T, K)

№ Стан Положенн Т=300К [А2], Nі, [А1],

2,8
εА2,
№3к, до очистки МСЗ
зразка криста- я зразка в 1016 1016 1016
m0 №4к, після очистки МСЗ
еВ
2,6 лу злитку см-3 см-3 см-3
ρ, µ,
lg(m, см2/(Вґс) )

(до чи (g)
2,4
Ом×с см2/(В
після
м ×с)
2,2 МСЗ)

2,0 1п до ~0,2 19 57 0,16 3,7 - -

2п після ~0,25 19 60 0,17 2,8 - -
1,8
2,0 2,1 2,2 2,3 2,4 2,5
3к до ~0,9 23 55 0,17 3,3 20 7,7
lg(T, K)
4к після ~0,8 24 50 0,17 2,7 9 2,3
13
Спектри поглинання зразків кристалу Cd0,95Mn0,05Te+Te (5×1018 см-3)
у інфрачервоній області
50
2,5 до очистки МСЗ

40
до очистки МСЗ g=0,9
2,0
30
a, см-1

a, см-1
1,5
Б А g = 0,9
20 після очистки МСЗ
1,0 після очистки МСЗ g=0,2

g = 0,8 10 g=0,8
0,5 g= 0,2

0
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 1,50 1,52 1,54 1,56 1,58 1,60
hn, еВ hn, еВ

А20 + (hν)1 → А2- + h+ εА2=0,16 еВ А1- + (hν)2 → А10 + e- εА1≈0,05 еВ

Зразок [А20], см-3 α1, см-1 [А1-], см-3 α2,см-1

(0,25еВ) (1,57еВ)

До очистки, g=0,9 3,3×1016 2,15 7,7×1016 44

Після очистки, g=0,8 2,7×1016 1,15 2,3×1016 15

14
 Електричні властивості кристалів Cd1-xMnxTe, легованих In

Кристали Cd0,95Mn0,05Te:In,
C0(In) = 3,0×1017 см-3.
№16 (МБ), № 17 (МРН), №18 (МРН+МБ) №18 (МРН+МБ)
13 2,6
eб = 0,07 еВ
№ Положення Т=300 К
кристала зразка
12 2,5
А

lg(m, см2/(Вґс))
Б
ρ,

lg(RХ,см3/Кл)
у злитку, g μ, 11 2,4
(Ом×см)
см2/(В×с)
10 2,3
eD = 0,80 еВ eб = 0,09 еВ
16 0,3 4,8×1010 50 (p)
eD = 0,82 еВ
16 0,8 1,6×1010 80 (n) 9
g = 0,20
lgRh2
2,2

17 0,2 0,4×101 - (p)

lgRhg = 0,88
8 2,1
2,2 2,4 2,6 2,8 3,0 3,2 3,4
17 0,7 1,2×107 - (n) 3
10 /(Т,К)
18 0,2 5,0×109 270 (n)
№ Положення Ступінь
18 0,8 5,2×109 150 (n)
кристал зразка компенсації k,
у у злитку, g [D+/D]
18 0,20 0,36
18 0,88 0,16

15
 Електричні властивості кристалів Cd1-xMnxTe, легованих In

Кристали Cd0,95Mn0,05Te:In, C0(In) = 3,0×1017 см-3

Фото-Холлівські дослідження (300 К)

№16 (МБ), № 17 (МРН) №18 (МРН+МБ)

-7,0 300
 (№16) m (№16)
 (№17)
-7,5
E6 = 0,99 еВ
-1

200
lg(σ, Омґсм)

m, см /(Вґс)
-8,0
E4 = 0,69 еВ
E2= 0,56 еВ
E5 = 0,80 еВ

2
E3 = 0,62 еВ
E1= 0,52 еВ
-8,5
100

-9,0 m(темнова) = 72, см2/(Вґс)

а
-9,5 0
0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 1,1
hn, еВ

Iнтенсивність збудження I=1,3×1015 см-2с -1

16
 Електричні властивості кристалів Cd1-xMnxTe, легованих In

Кристали Cd0,95Mn0,05Te:In, C0(In) = 3,0×1017 см-3

Фото-Холлівські дослідження (300 К)

№18 (МРН+МБ)
-7,0 500
 (g=0,20) m (g=0,20)
-7,5  (g=0,88) m (g=0,88)

400
-8,0 (g=0,20)
-1

mтемнова

m, см /(Вґс)
lg(σ, Омґсм)

-8,5 E2= 0,75 еВ

300

2
-9,0 E1= 0,62 еВ E3 = 0,89 еВ

-9,5
200
mтемнова
-10,0
(g=0,88)
а
-10,5 100
0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 1,1
hn, еВ

Iнтенсивність збудження I=1,3×1015 см-2с -1

17
17
 Спектри фотолюмінесценції кристалів Cd0,95Mn0,05Te, легованих In

МБ МРН
Нормалізована інтенсивність ФЛ, в.о.

Нормалізована інтенсивність ФЛ, в.о.

1,666 еВ (D0,X) 1,656 еВ (A0,X)
1,0 №16 (МБ) 1,0 №17 (МРН)
g-0,3 g - 0,2 1,652 еВ (D0,X)
ДАП g - 0,7 (D0,X)
g-0,8 1,670 еВ
0,8 1,617 еВ 1,660 еВ 0,8 1,643 еВ (A0,X)
(A0,X) б
а
1,603 еВ
0,6 ДАП 0,6 ДАП
1,604 еВ A-центри
~1,50 еВ
0,4 0,4
1,586 еВ
Глибокі рівні/ ~1,50 еВ 1,670 еВ ДАП
дислокації ~1,1 еВ A-центри (D0,X) 0,2 1LO
0,2 1LO

0,0 0,0 1LO

1,25 1,30 1,35 1,40 1,45 1,50 1,55 1,60 1,65 1,70 1,75
1,0 1,1 1,2 1,3 1,4 1,5 1,6 1,7
Енергія фотонів, еВ
Енергія фотонів, еВ
Нормалізована інтенсивність ФЛ, в.о.

0
1,660 еВ (D ,X) МРН+МБ
C0(In) = 3,0×1017 см-3 1,0 №18 (МРН+МБ)
g-0,2 1,658 еВ (D0,X)
1,653 еВ
g-0,8 (A0,X)
Умови експерименту: 0,8
в
Т=7К 0,6 A-центри
1,604 еВ
ДАП
~1,5 еВ 1,597 еВ
λ = 632 нм ДАП
2 0,4
I = 40-200 мВт/см ZPL 1LO
0,2
1LO
0,0

1,25 1,30 1,35 1,40 1,45 1,50 1,55 1,60 1,65 1,70
Енергія фотонів, еВ 18
 Електричні властивості кристалів Cd1-xMnxTe, легованих In

Кристали (МРН+МБ): CMT:In, C0(In) = 3,5×1017 см-3

Електричні параметри зразків CMT:In за 300 К (n-тип)
№ Вміст Перед ТО Після ТО, (420 К, 60 хв)
криста MnTe, g σ, (Ом×см)-1 RХ, см3/Кл μe, σ, (Ом×см)-1 RХ, см3/Кл μe,
ла x см2/(В×с) см2/(В×с)

19 0,05 0,75 8,0×10-7 2,5×107 28 2,9×10-8 5,8×109 175

19 0,05 0,2 1,2×10-7 7,8×108 95 4,0×10-9 3,3×1010 133
20 0,10 0,8 3,1×10-8 7,7×108 23 4,2×10-10 2,2×1011 92
12,0
2,4
11,5 а 2a

11,0 2,2

lg(mn, см2/(Вґс))
lg(RХ, см3/Кл)

10,5 Г 2,0
2
10,0
Д 1,8 1a
9,5
9,0 1,6
В 1 А
8,5 1,4
б
8,0 Б
2,4 2,6 2,8 3,0 3,2 3,4 2,4 2,6 2,8 3,0 3,2 3,4

19
3
103/(T, K) 10 /(T, K)
 Електричні властивості кристалів Cd1-xMnxTe, легованих In
Кристали (МРН+МБ): CMT:In, C0(In) = 3,5×1017 см-3

g=0,2 g=0,2
10,5 g=0,75 g=0,75
e1= 0,53 еВ
10,0 2,4
eб = 0,11 еВ
lg(RХ, см3/Кл)

lg(mn, см2/(Вґс))
9,5
2,3
9,0
e1= 0,34 еВ
eD= 0,61 еВ
8,5
2,2
8,0
eб = 0,06 еВ

7,5 eD= 0,46 еВ а б

2,1
2,4 2,6 2,8 3,0 3,2 3,4 2,4 2,6 2,8 3,0 3,2 3,4
103/(T, K) 103/(T, K)

№ кристала Вміст MnTe, Положення зразка εD, еВ εб, еВ Ступінь

x у компенсації,
злитку, g k, [D+/D]
19 0,05 0,75 0,46 0,11 0,994
19 0,05 0,2 0,61 0,06 0,78
20 0,10 0,8 0,63 0,20 0,90

20
 Електричні властивості кристалів Cd1-xMnxTe, легованих In

Кристали Cd0,8Mn0,2Te:In (№21) Cd0,7Mn0,3Te:In (№22) Cd0,7Mn0,3Te:In (№23)

МБ: C0(In) = 8,0×1017 см-3 C0(In) = 1,0×1018 см-3 C0(In) = 8,0×1018 см-3

11,0 400
10,5

lg(r, Омґсм) / lg(n, см )

10,0 r

-3
9,5 n 300

m, см /(Вґс)
9,0 m
8,5
200

2
8,0
7,5
7,0 100
6,5
6,0
5,5 0
1,3 1,4 1,5 1,6 1,7 1,8 1,9 2,0 2,1
hn, еВ

№ зразка Положення зразка Тип Т=300 К

у злитку, g провідності σ, (Ом×см)-1 [e-], см-3 μ,
см2/(В×с)
21 0,19 n 3,4×10-8 9,2×1010 <5
22 0,21 n 5,0×10-8 - <5

23 0,34 n 1,8×10-9 - 15
21
 Електричні властивості кристалів Cd1-xMnxTe, легованих Ge
10 11
Cd1-xMnxTe-Ge x = 0,02
9 x = 0,04
10 x = 0,08
8

lg(RХ, см3/Кл)
7
lg(r, Ом×см)

9
6
5 8
4 Нелеговані Cd1-xMnxTe
3 7
2
1 6
0.00 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3.6
x(MnTe), моль 1000/(T, K)

2,5 εА=0,60-0,70 еВ
2,4 n-Cd1-xMnxTe-In (x=0,05)
 V 2  )-
(Ge Cd
2,3 Cd
T3/2
lg(m, см2/(В×с))

2,2
2,1
2,0
Cd0,95Mn0,05Te:In, C0(In) = 3,0×1017 см-3
1,9
Cd0,96Mn0,04Te:Ge, C0(Ge) = 8,0×1018 см-3
p-Cd1-xMnxTe-Ge (x=0,04)

1,8
1,7
2,45 2,50 2,55 2,60 2,65
lg(T, K) 22
 Електричні властивості нелегованих кристалів Cd1-xMnxTe

Високотемпературні вимірювання коефіцієнта Холла (773-1073 К)

17,5
17.5 Cd Mn Te γ = 0,14 Cd0,7MnMn Te 1073 K
Cd 0,98Mn0,02Te
0,98 0,02 1073 K 17,0 Cd 0,7 0,3 0,3Te
1073 K
973 K γ = 0,13
lg([e-], см-3)

16,5

lg([e-], см-3)
17.0 γ = 0,28 1073 K
973 K 873 K 973 K
16,0 γ = 0,22
16.5 973 K
15,5 873 K
γ = 0,26 773 K
γ = 0,22
873 K 15,0
16.0
873 K
14,5 773 K
γ = 0,13
15.5 14,0
-2.5 -2.0 -1.5 -1.0 -0.5 0.0 -3,0 -2,5 -2,0 -1,5 -1,0 -0,5 0,0
lg(PCd, атм) lg(PCd, атм)

Тискові залежності концентрації носіїв заряду

Великий вміст MnTe (30%)


Mn Cd
Зменшення розчинності
власного міжвузлового Cdi2+
23
 Електричні властивості кристалів Cd0,95Mn0,05Te, легованих In
Високотемпературні вимірювання коефіцієнта Холла
Cd0,95Mn0,05Te:In C (In) = 3,5×1017 см-3
0
(МРН+МБ)
17,5 250

17,0
200

16,5

m, см /(Вґс)
lg([e-],см-3)

150
16,0

2
100
15,5

50
15,0

14,5 0
0 100 200 300 400
Час, хв
Ізотермічна (Т=770 К, P(Cd)макс. = 0,016 атм) релаксація концентрації носіїв
та рухливості у зразку

24
 Кристали CdTe, леговані Mn
Спектроскопія анігіляції позитронів (САП), Т=295 К
([Mn]=1017-1020 ат/см3) 10000
1
2
Зразки з початку злитку: 3

Кількість імпульсів
1 – зразок нелегованого СdTe; 1000

2 – зразок CdTe:Mn ([Mn]0 =1×1017

ат/см3)
100

t1

10
t2

Номер каналу

нелегований CdTe τ1 ~ 295 пс

[VCd2-] < 1015 см-3
p-CdTe+Mn τ2

τ1 ~ 295 пс
n-CdTe+Mn τ2 ~ 320 пс
[VCd2-] = 1,5×1016 -6,5×1016 см-3

Донори у CdTe+Mn: MnCd+ або Mni2+ 25

 Кристали CdTe, леговані Mn
Високотемпературні вимірювання коефіцієнта Холла (773-1173 К)

17,2

P(Cd,макс)
17,0

lg([e-], см-3) P(Cd,мін)

16,8
Модельний CdTe, P(Cd,макс)

16,6
Модельний CdTe, P(Cd,мін)

16,4
17,0 17,5 18,0 18,5 19,0
lg([Mn], ат/см3)

Залежність концентрації електронів за 973 К від вмісту Mn у кристалах

CdTe:Mn (при різних P(Cd), [Mn]0= 5×1016-1×1019 см-3

E(дифузії) = 2,76 еВ
Mni2+ MnCd+
• Mn – донор за схемою іонізації: MnCd ↔ MnCd+ + e-
• Розчинність за 873-1073 К не перевищує 1017 см-3
26
 Кристали CdTe, леговані Mn

Побудова моделі структури точкових дефектів кристалах CdTe:Mn при

високотемпературній рівновазі дефектів

1 0  е + h+ K1=[е][h+] = 5×1039 ехр(-1,5/kТ)

2 Cd(v)  Cd +V +2е
3 Cd(v)  Cd + 2е-
4 Cd +2е  Cd(v)+V
5 Cd + е Cd(v) + V
6 CdTe+е Cd(v) + Te
7 Mn  Mn + e-
K2=[V ][е]2P = 3×1057 ехр(-1,47/kТ)
K3 =[Cd ][е]2P = 6×1061 ехр (-2,28/kT)
К4 = [V ][е]-2P =1×10-14 ехр (-1,14/kТ)
K5 = [V ][е]-1P = 8×106 ехр (-2,08/kТ)
K6 = [Te ][е]-1P = 4×102 ехр (-1,19/kТ)
K7 = 1×1017ехр (-0,1/kТ)

 ] +2[V 2 ] + [Te  ] + [е] = 2[Cd 2 ] + 2[V 2 ] + [Mn  ] + [h+]

І. [V Cd Cd i i Te Cd (8)
К15 = К150 exp (-Ed/kT) ≈1×1017exp (-Ed/kT) (9)
 + V 2  ↔ (Mn  V 2  )– ≡ A –
ІI. Mn Cd Cd Cd Cd Mn (10)

K16 = [AMn– ]/[Mn Cd

 ][V 2 ]
Cd
(11)

 ] + 2[V 2 ] + [Te  ] + [е] + [AMn–] = 2[Cd 2 ] + 2[V 2 ] + [Mn  ] + [h+]

[V Cd Cd i i Te Cd (12)

K16 =3×10-20 exp (0,92/kT) (13)

27
 Кристали CdTe, леговані Mn
Пошук енергії іонізації донора MnCd+

Ком’ютерна модель ізотерми lg[e-] за 873 К

17,0
Ed = 0 еВ Mn-86
T = 873 K
Кристал CdTe:Mn
Ed = 50 меВ (C0[Mn]=1×1017 см-3)
lg([e-], см-3)

16,5 Ed = 100 меВ

Ed = 150 меВ
Ed = 100 меВ

16,0
P(Cd, макс)

-2,0 -1,5 -1,0

lg(PCd, атм)

Залежність модельованого lg[e-] від ізотерм lgP(Cd) за 873 К.

Сині круги – експериментальні дані, жовті круги - екстраполяція до P(Cd)макс.
Суцільні лінії - моделі для різних значень Ed, пунктирні лінії – для чистого CdTe,
вертикальна лінія показує відповідну межу lgP(Cd)макс.

К15 = К150 exp (- Ed/kT) = 1×1017 exp (-0,1/kT) 28

 Кристали CdTe, леговані Mn
Кристал CdTe:Mn (C0[Mn]=1×1017 см-3):

17,5 Mn-86
1073 K
Ed = 0,10 еВ
973 K

17,0 1073 K
lg([e-], см-3)

873 K
16,5 973 K

16,0
873 K

P(Cd,макс) P(Cd,макс) P(Cd,макс)

15,5
-2,0 -1,5 -1,0 -0,5 0,0
lg(P(Cd), атм)

І. Залежність модельованого lg[e-] в ізотермах lgP(Cd) при 873-1073 К

припускаючи присутність лише донорних атомів Mn у вузлах Cd

29
 Кристали CdTe, леговані Mn

Кристал CdTe:Mn (C0[Mn]=1×1017 см-3):

II. Залежність модельованого lg[e-] в ізотермах lgP(Cd) при 873-1073 К

припускаючи присутність і донорних атомів Mn у вузлах Cd і їх асоціатів
з вакансіями кадмію

Mn-86
17,5 Mn-86
1073 K
Ed = 0,10 еВ Ed = 0,10 еВ
973 K 17.5
17,0 1073 K
lg([e-], см-3)

lg([e-], см-3)
873 K
16,5 973 K
17.0

16,0
873 K

P(Cd,макс) P(Cd,макс) P(Cd,макс)

16.5
15,5
-2,0 -1,5 -1,0 -0,5 0,0 0.9 1.0 1.1 1.2
lg(P(Cd), атм) 1000/(T, К)

30
 Кристали CdTe, леговані Mn
№ C0 (Mn), Схема Швидкість Т=295 К
кристал см-3 легування охолоджен
у ня Тип ρ, [e-]/[h+] , µХ,
провідно Ом×см см-3 см2/(В×с)
сті

1d 1×1017 I ≈ 0,5 К/хв p 102-104 9×1012- 7×1014 60

2d 1×1019 I ≈ 2 К/хв n/p 450-1,6×108 8×108- 2×1014 50-70

3d 1×1019 I ≈ 0,5 К/хв n 107-109 1×108-1010 40-70

4d 1×1019 I ≈ 0,5 К/хв n 5×102-1×105 1010-1013 720

5d 1×1020 I ≈ 0,5 К/хв p 3×104 2×1012 80
6d 1×1018 II ≈ 5 К/хв n 1×108 6×109 <10
7d 5×1018 II ≈ 1 К/хв n 32 3×1014 650
8d 1×1020 II ≈ 0,5 К/хв p 7×103 9×1012 90
9d 5×1016 III ≈ 0,5 К/хв n 3×103 2,5×1012 860
10d 3,5×1018 ІІІ ≈ 1 К/хв p 3×1010 3,0×106 65
11d 1×1018 I ≈ 0,5 К/хв p 3×103 3×1012 85
31
12d 1×1018 I ≈ 0,5 К/хв p 2×104 4×1012 75
 Висновки
Комплексне дослідження хімічних та електро-фізичних властивостей
кристалів системи Cd-Mn-Te показало, що розроблені нами тверді розчини
Cd0,95Mn0,05Te, контрольовано леговані домішкою In або Ge з концентрацією
домішки у розплаві C0 = 3,5×1017 і 8×1018 см-3, відповідно, перспективні для
їх використання в якості матеріалу для виготовлення детекторів γ-
випромінювання, проте кристали CdTe, леговані Mn для цього непридатні.
Такий результат отримано на підставі наступних експериментів:
1. Розроблено нову комбіновану технологію вирощування макрооднорідних
легованих монокристалів Cd0.95Mn0.05Te:In з використанням модифікованого
методу рухомого нагрівника та методу Бріджмена, які володіють високим
питомим опором (ρ~1010 Ом×см) та високим ступенем компенсації донорів
(k > 0,9).

2. Уперше впроваджено і застосовано нову методику термічного відпалу

кристалів Cd0,95Mn0,05Te («суха зона»), яка може бути використана для
додаткового очищення вирощених злитків від вкраплень Те та
неконтрольованих мілких акцепторів, що у результаті покращує електро-
фізичні характеристики матеріалу.

32
 Висновки

3. Високий опір (ρ~1010 Ом×см) кристалів n-Cd1-xMnxTe-In з невисокими

значеннями «х» (0,05-0,1) та вмісту In зумовлений пониженою
концентрацією електронів, такий матеріал придатний для
детекторних цілей. В той же час в кристалах з великими вмістами
MnTe (x≥0,2) та In високоомність матеріалу зумовлена сильно
зниженою рухливістю носіїв заряду. Це робить такі кристали
непридатними для використання в якості детектора γ-
випромінювання.

4. Уперше проведені дослідження ефекту Холла у кристалах Cd1-xMnxTe-

Ge, дозволили визначити їх високий питомий опір (ρ~109 Ом×см) та
відсутність областей мікронеоднорідностей всередині кристалів, що
робить їх перспективними для застосування в якості детекторів γ-
випромінювання.

33
 Висновки
5. Аналіз уперше отриманих результатів високотемпературних (873-
1073К) досліджень ефекту Холла у кристалах CdTe:Mn (при кількостях
домішки 5×1016 -1×1020 ат/см3) дозволив створити комп’ютерну
модель системи точкових дефектів у цьому матеріалі, на підставі якої
було установлено розчинність домішки Mn (~1017 ат/см3 ) та її
донорну поведінку (Ед ≈100 меВ), що робить цю домішку
малопридатною для детекторного матеріалу.

6. Розкид та невідтворюваність електричних характеристик кристалів

CdTe:Mn при ~ 300К пояснюються накладенням випадкових факторів,
обумовлених режимом охолодження/відпалу кристалів та наявністю
в
них невстановлених кількостей неконтрольованих домішок.

34
Дякую за увагу!
Схема установки для вимірювання часу життя
позитронів

СК – сцинтиляційний кристал,
ФП – фотопомножувач,
Д – дискримінатор,
КЧА – конвертор час-амплітуда,
АЦП – аналого-цифровий
перетворювач.

36
 Розрахунок концентрації акцепторів, іонізованих центрів

Правило Матіссена:
1/μ = 1/μ0+ 1/μi
μ0 = 57[exp(252/T) – 1], (см2/В×с)
Формула Брукса-Херінга:
μi = 0,83×1018 T3/2× Ni – 1 (lnb + 3,4)/(ln b + 3,8)2, (см2/В×с)
де b = 1013T2(p´) -1, а p´≈ рнас

[А1-]=[А1]=0,5Nі-[А2-],

37
 Розрахунок концентрації VCd2-

Повний час життя позитрона τb, який враховує обидві часові

компоненти, був розрахований згідно формули:
τb = (I1/τ1 + I2/τ2)-1

Швидкість захоплення k позитрона на вакансії розраховувалася за

допомогою формули:
k = τm-τb/τb(τ2-τm)

[VCd2-] = k/µ
швидкість захоплення k та коефіцієнт захоплення μ для вакансії Cd
μ = 8×10-8 см-3с-1,
відомий з літератури

38
 Методика експерименту
Формули, які використовуються для розрахунку
електропровідності, концентрації та рухливості
носіїв заряду
Il (1)

b  c  Vh ,
де l – відстань між зондами, см; c – товщина зразка, см; b – ширина
зразка, см; І – сила струму, мА; Vh – середнє значення падіння напруги на
 мВ
зондах 1-3, 2-4,
c 108 (2)
RH =  VH ,
IH
де Н – напруженість магнітного поля, Гс; VH – падіння напруги на
контактах Холла, мВ

μ = σ · RH , (3)
де RH – стала Холла
1 (4)
n
RH  e
де е = 1.6 ·10−19 Кл – заряд електрона

 39
39
 17,0
Mn+Cd

16,5

16,0
lg([дефекту], см-3)
e- (модельна лінія для чистого CdTe) AMn-
15,5

15,0 V2+
Te
+
h

14,5
Cd2+
i

14,0
V2-
Cd
Mn-86
13,5
Ed = 0,10 еВ Te-i

13,0
-2,0 -1,8 -1,6 -1,4 -1,2 -1,0
lg(P(Cd), атм)

40
 Фотолюмінесценція кристалів Cd0,95Mn0,05Te, легованих In

Зведена інформація, отримана зі спектрів ФЛ зразків Cd0,95Mn0,05Te:In

(С0(In) = 3×1017 см-3)
Номер Метод Положення (D0,X), (A0,X), ДАП, A-центри,
кристалу вирощування зразка у еВ еВ еВ еВ
злитку, g
19 МБ 0,32 1,666 1,660 1,604 ~ 1,5
19 МБ 0,84 1,670 - 1,617
20 МРН 0,28 1,652 1,643 1,586
20 МРН 0,86 1,670 1,656 1,603
21 МРН+МБ 0,20 1,660 1,653 1,597
21 МРН+МБ 0,88 1,658 - 1,604

41
 17,5 червоний - початок злитку
червоний – g=0,23 1173 K
синій - кінець злитку
синій – g=0,81
17,0 1073 K
lg([e-], см-3)

16,5 973 K

16,0 873 K 873 К

973 К
1073 К
15,5 1173 К

-2,5 -2,0 -1,5 -1,0 -0,5 0,0 0,5

lg(PCd, атм)

42