234 Capitulo 5 Uniones en semiconductores: diodos p-n Shockley, Brittain, Moore, Bardeen, etc., condujo al nacimiento de los modernos dispositivos de estado sdlido. 5.10 PROBLEMAS Seccién 5.2 0! om y N= 10° em, Problema 5.1 Un diodo p-n de GaAs abrupto tiene N, = a) _Calcule las posiciones del nivel de Fermi a 300 K en las regiones p y 1. b) Dibuje el diagrama de la banda de equilibrio y determine el potencial de contacto V;. Problema 5.2 Considere la muestra discutida en el problema 5.1. El diodo tiene un didmetro de 50 uum. Calcule las anchuras de agotamiento en las regiones p yn. También caicule la carga en las regiones de agotamiento y grafique el perfil de campo eléctrico en el diodo. Problema 5.3 Un diodo de silicio p-n abrupto a 300 K tiene una adulteracién de N, = 10" cm”, N, = 10! cm. Calcule el potencial interconstruido y las anchuras de agotamiento en las regiones n y p. Problema 5.4 Un diodo p-n de Ge tiene N, = 5 x 10" cm” y N, = 10" cnr, Calcule el potencial interconstruido a 300 K. ,A qué temperatura decrece el voltaje interconstruido en 1%? Seccién 5.3 Problema 5.5 El diodo del problema 5.1 esté sujeto a los valores de polarizacién de: i) V/= 0.1 V; ii) V;= 0.5 V; iii) V, = 1.0 Vs iv) V, = 5.0 V. Calcule las anchuras de agotamiento y el maximo campo F,, bajo estas polarizaciones. Problema 5.6 Considere un diodo p*n de Si con N, = 10'* em’ y Ny = 10! en, El coefi- ciente de difusién del huevo en el lado n es 10 cm? /s y 7, = 10-1 s. El rea del dispositive 10 cm?, Calcule la corriente de saturacién inversa y la corriente directa para una polarizacién directa de 0.4 V a 300 K. Problema 5.7 Considere un diodo de silicio p'n con érea de 10“ cm?, La adulteracién esté dada por N, = 10'* cm y N, = 10" cm”, Grafique los valores a 300 K de las corrientes J, ¢ l, para una polarizacién directa de 0.4 V. Suponga que 1, = % = 1 fis y desprecie los efectos de la recombinacién, 0 em*s y D, = 10 em*/s . Problema 5.8_Un LED de GaAs tiene un perfil de adulteracién de N, = 10!” em , Ny = 10! ma 300 K. El tiempo de portador minoritario es de 1, = 10 s; 1, = 5x 10” s. El coeficiente de difusidn del electrén es de 100 cm?-s*' mientras que para los huecos es de 20 em?-s"! Calcule la raz6n de la corriente de electrones inyectada con respecto a la corriente total.10 Problemas 235 Problema 5.9 El diodo del ejemplo 5.8 tiene un drea de I mm: y se encuentra funcionando a una polarizacién directa de 0.5 V. Suponga que el 50% de los portadores minoritarios inyecta~ dos se recombinan con Ia carga mayoritaria para producir fotones. Calcule la tasa de la genera- cidn de fotones en el lado 1 y en el lado p del diodo. Problema 5.10 Consider un diodo p-n de GaAs con un perfil de adulteracién de cm™, Ny = 10!7 cm a 300 K. Los tiempos de vida del portador minoritario son t, = 107 s; respectivamente. Calcule y grafique la densidad de corriente del portador minoritario en las regiones neutrales n y p para polatizacién directa de 1.0 V. Problema 5.11 Considere un diodo p-n fabricado de InAs a 300 K. La adulteracién es N, = 10!Sem™ = Ny. Calcule la densidad de corriente de saturacién si las masas de la densidad de estados det electrén y el hueco son 0.02 m, y 0.4 nt,, respectivamente, Compare este valor con el correspondiente al diodo p-n de sili (0 adulterado a los mismos niveles. Los coeficientes de difusién son D, = 800 em?/s; D, = 30 cm’/s. Los tiempos de vida del portador son %, = t= 10° s para el InAs, Para el diodo de silicio emplee los valores D,, = 30 cm/s; D, = 10. em*/s; 1, =1,=107s ip Problema 5.12 Considere un diodo p-n en el que la adulteracién se gradta linealmente. La adulteracién est dada por Ny ~Ny= Gx de modo que la adulteraci6n es de tipo p para x <0 y de tipo n para x > 0. Demuestre que el perfil de campo elécttico esté dado por donde Wes la anchura de agotamiento dada por ay Problema 5.13 Un diodo de silicio se utiliza como un termémetro al funcionar a una co- rriemte de polarizacion directa fija, El voltaje es entonces una medida de la temperatura. A 300 K, se encuentra que el voltaje del diodo es de 0.6 V. {Cudnto cambiaré el voltaje si la tempe- ratura varia en | K? Seccién 5.4 Problema 5.14 Considere un diodo p-n de GaAs con N,= 10!” em™, Ny = 10" cmv. El tea del diodo es de 10 cm? y las movilidades de portador minoritario son (a 300 K) 1, = 3 000 cm? /V-s; [1, = 200 em? /V-s, Los tiempos de recombinacién electrén-hueco son 10s (ty = T236 Capitulo 5 Uniones en semiconductores: diodos p-n = 1). Calcule la corriente del diodo para una polarizacién inversa de 5 V. Grafique la corriente de polarizacién directa det diodo, incluso la corriente de recombinacién-generacién entre 0.1 Vy lov. Problema 5.15. Un diodo de uni6n p-n abrupto de GaAs de base grande tiene un area de 10° cm’, N, = 10" em, N, = 10" em hate 1o*s, D,=6 ems"! y D, = 100 cm? s Caleule la corriente de diodo a 300 K para una polarizacién directa de 0.3 V y una polarizacién inversa de 5 V. El tiempo de recombinacién electrén-hueco en las regiones de agotamiento es de 107s. Seccién 5.5 Problema $,16 El campo critico para ruptura de silicio es de 4 x 10° V/em. Calcule la adul- teracién del lado 1 de un diodo p*n abrupto que permite tener un voltaje de ruptura de 30 V. Problema 5.17 _Considérese un diodo de GaAs p*n abrupto a 300 K con una adulteracién de 0! cnr, Calcule el voltaje de ruptura. Repita los calculos para un diodo p*n similarmente adulterado hecho de diamante, Utilice el apéndice B para los datos que se puedan necesitar. Problema 5.18 ;Cuél es la anchura de la barrera de potencial que ven los electrones durante la filtraci6n cudintica de banda a banda en un campo aplicado de 5 x 10° V/em en GaAs, Si y Ing s:Gays7As (Eq = 0.8 V)? Problema 5.19 La probabilidad de filtracién cusntica en una barrera de potencial triangular se discutié en el capitulo J. Si la masa efectiva del electrén es de 0.5 m,, y la banda de separa- cién del semiconductor es 1.0 eV, ja qué campo aplicado la probabilidad de filtracién cudntica Hega a ser de 10? Problema 5.20 Consider un diodo p-n de Si con N, = 10! em-; N, = 10'* cm. Suponga que el diodo sufrird una ruptura por filtracién Zener si el campo pico aleanza los 10° Vem. Calcule la polarizacién inversa a la cual el diodo presentaré ruptura Problema 5.21 Diodo de penetracién: Para diodos de unién que tengan que funcionar a altas polarizaciones inversas, se necesita una regidn de agotamiento muy gruesa. Sin embargo, en condiciones de polarizacién directa esta regién no se encuentra agotada y conduce a una resis- tencia en serie, Se utiliza una estructura de p*-n-n* en tales casos. La anchura de la regién m es més pequefia que la anchura de Ia regién de agotamiento para ruptura. Considérense dos diodos p*-n-n* de Si y que la regi6n » tiene una adulteracién de 10! cm, En un caso la region nes de 150 pm de longitud mientras que en el otro caso es de 80 ym. {Cuales son los voltajes de polarizacién inversa que pueden tolerar los diodos antes de que la corriente inversa se dispare? Seceién 5.6 Problema 5.22 Un diodo de silicio p*-m tiene un érea de 10° cm?, La capacitancia de unién medida estd dada por (a 300 K)