Estabilidad en polarización de transistores
BJT’S y parámetros S
David Alexander Cano Tirado, Juan Pablo Corredor Trujillo
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Resumen—Para garantizar que los transistores BJT´S
funcionen correctamente, es necesario observar (tanto los factores
externos como internos) como éstos afectan el trabajo de los
transistores y realizar sus respectivos correctivos para así
asegurar el buen funcionamiento.
Palabras Claves—Estabilidad, Factores externos, Polarización,
Transistor.
I. INTRODUCCIÓN
C on la creación de la electricidad el hombre a creado un
sin fin de aplicaciones, como por ejemplo los transistores
los cuales nos sirve para realizar operaciones de amplificación,
conmutación, etc. El estudio de este componente es de vital
importancia ya se encuentra en todo nuestro alrededor y por
ende debemos ser rigurosos en su análisis y además en
corroborar su correcto funcionamiento. Es así que para realizar
lo anterior debemos conocer muy bien todos los factores que
los rodean y sus efectos en éste, ya que al analizar un diseño
no se toman en cuenta y al ponerlos en la realidad estos
cambian drásticamente todos los resultados obtenidos, con lo
cual se pretende prevenir esto para que no se tenga que
realizar un mayor trabajo y ser eficiente a la hora de
presentarse problemas.
Cabe aclarar que estos factores pueden ser directos o
indirectos al usuario, estudiaremos básicamente los problemas
que son intrínsecos a los transistores como puede ser la
temperatura, su ganancia de corriente directa y demás. Ya que
se nos sale de las manos el uso que se le de al transistor según
el usuario, sabiendo que existe una hoja técnica de
especificaciones donde está muy bien descrito las principales
zonas límites donde el transistor trabaja y sus características de
operación en general. Éstas se basan en algunos conceptos que
posteriormente analizaremos.
Finalmente mostraremos esto a partir de gráficas que nos
permiten observar como son estos cambios afectan el
funcionamiento de los transistores BJT’S.
Escuela Colombiana de Ingeniería “Julio Garavito”.
david.cano@mail.escuelaing.edu.co
II. MARCO CONCEPTUAL
A. Transistor BJT
Un transistor al ser un semiconductor puede trabajar como
su nombre lo indica como conductor o aislante dependiendo de
la configuración química que se presente con el cambio de la
carga respecto del tiempo, mas específicamente con la
corriente que está circulando. El transistor BJT, es llamado así
ya que sus siglas significan (en inglés) “Bipolar Junction
Transistor”
Ilustración 1. Tomado de:
http://www.videosistemas.com/proyectos/tutorial-transistores.pdf
Los BJT’S se pueden clasificar en dos: los NPN y los PNP, a
pesar de ser diferentes se pueden realizar funciones similares
en éstos, ahora bien como se muestra en la ilustración 1 cada
uno posee tres terminales las cuales se explicaran brevemente:
Base: Ésta divide los terminales de colector y emisor,
además independientemente el tipo de transistor se debe
polarizar en directo la unión base-emisor y en inverso la unión
base-colector para que funcione adecuadamente.
Colector: Como su nombre lo indica se encarga de
recolectar portadores a la carga.
Emisor: Como en el caso anterior el emisor es el que envía
portadores a la carga. En el los tipo NPN es por donde la
corriente sale y en los PNP es por donde entra la corriente.
Además se sabe que unión base-emisor está polarizada en
directo y por ende el voltaje es de 0.7 en los transistores de
Silicio.
Otro concepto muy importante para este tipo de transistores
es como se relaciona el voltaje colector-emisor con la corriente
de colector, y por supuesto el punto Q donde el transistor
opera normalmente a menos que se salgan de las zonas que
mas adelante explicaremos con detenimiento ya que con ellas
se pueden lograr muchas cosas dependiendo el uso que se les
den, en nuestro caso trabajaremos para la amplificación y es
por eso que se debe hacer la siguiente aclaración que se
demostrará con esta grafica:
Ilustración 2.
Tomado de http://laimbio08.escet.urjc.es/assets/files
/docencia/ECA/Tema%204%20BJT_07_08.pdf
En la ilustración 2 se puede observar tres posibles estados.
El primero es la Zona de Corte en ésta el voltaje colector-
emisor puede ser muy elevado y nuestra corriente de colector
cero, esto debido a que la corriente de base es cero y por su
relación con la ganancia; en la vida real esto no ocurre ya que
el voltaje máximo al que se puede llegar es al suministrado por
la fuente que se le inyecte, se puede hacer una relación con un
circuito abierto ya que no existe corriente pero si voltaje. El
segundo se conoce como la Zona de Saturación en ésta pasa
todo lo contrario que al caso anterior, la corriente de colector
es elevada mientras que el voltaje colector-emisor no posee
una magnitud de consideración, en la realidad la corriente del
colector depende de la fuente que se le inyecte y también el
tipo de configuración con la cual se polarice además se puede
decir que el transistor se encuentra en corto ya que existe una
corriente pero con un voltaje igual a cero y por último se
encuentra la Zona activa donde se trabaja la parte de
amplificación y en la cual trabajaremos ya que en ésta la
corriente, tanto de emisor como de colector no varían tanto y
allí es donde nos basaremos nuestro estudio sobre la
estabilización y el parámetro S.
B. Forward Current Gain (HFE)
El HFE, también conocido como beta (β) se usa siempre y
cuando se garantiza que se esta trabajando en la zona activa
asimismo que se encuentre polarizado correctamente.
Éste se relaciona con la corriente de base y la corriente de
colector mediante la siguiente ecuación:
I Colector
 (1)
I Base
Aquí se muestra como existe una relación la cual se le llama
ganancia en corriente ya que la corriente de colector recibe un
aumento en su magnitud a partir del β que posee cada
transistor.
III. ESTABILIZACIÓN
La estabilidad según un diccionario por la web se define
como “Ausencia de cambios y constancia en un periodo
determinado” [1] a partir de esta premisa es que se trabaja para
que el transistor no se vea alterado por factores que son ajenos
a él, pero se presentan en el medio. “La estabilidad de un
sistema es una medida de la sensibilidad de una red ante
variaciones en sus parámetros” [2] como lo dice en el anterior
fragmento la estabilidad no es más que la “sensibilidad” que
posee el sistema para ver sus cambios, pero esto es
fundamental ya que con base en eso se genera un estudio
riguroso sobre los factores que hacen que esta sensibilidad se
vea perjudicada.
A. Forward Current Gain (HFE)
A pesar que ésta es una característica del transistor se puede
observar que cuando existe una variación en la temperatura se
puede ver afectado y posteriormente cambiar su valor ya sea
incrementado o disminuido dependiendo obviamente del
cambio de la temperatura.
B. Voltaje base-emisor
Aquí también la temperatura juega un papel importante ya
que observamos ante un incremento de esta el voltaje base-
emisor disminuye un determinado voltaje. Esta variación en
los transistores de silicio es la siguiente:
mV
VBE (Temperatura)  7.5 (2)
C
C. Corriente de Saturación inversa ( I co )
Ésta también se ve afectada por la temperatura y esta
relacionada de la siguiente forma, “se duplica en su valor por
cada incremento de 10°C en la temperatura”. [3]
Como se identificó el factor que hace que la estabilización se
vea alterada es la temperatura, por lo general para esto existen
los disipadores de calor los cuales ayudan a que el sistema no
cambie abruptamente su temperatura y ayudan a regular y
prevenir este grave problema que afecta a todos los
componentes en general.
Otro factor que debe ser analizado profundamente es la
estabilidad de la fuente de entrada que se suministre ya que si
presenta variaciones éstas afectan a todo el circuito y dañan la
estabilidad.
Por consiguiente analizaremos más de fondo como todo lo
anterior se ve reflejado en el transistor en las rectas de carga y
en su zona activa, zona de saturación y zona de corte. I C
S ( )  (5)


“Las redes que son muy estables y relativamente insensibles

ante variaciones de temperatura tienen factores de estabilidad
bajas. Mientras mayor sea el factor de estabilidad, más
sensible será la red ante variaciones en ese parámetro”[5].
Consecutivamente para conocer cuanto es la variación total
todas se suman dejando como incógnita la variación de
corriente en colector ya que esta es común a todo y se obtiene:

IC  S ( ICO )ICO  S (VBE )VBE  S ( ) (6)

Hay que aclarar que dependiendo el tipo de polarización

Ilustración 3. esta ecuación se transforma, pero en sí de esta se parte a todas
Tomado de http://webs.uvigo.es/mdgomez/DEI/Guias/ tema6.pdf
las configuraciones que se conocen.

Como se observa en la ilustración 3 el punto Q cambia A. Polarización en emisor

respecto a la resistencia, si tomamos también en cuenta que
estas poseen una tolerancia este punto puede variar un poco, Para esta configuración se obtiene el siguiente resultado:
pero además al saber que nuestro voltaje suministrado puede
cambiar también, esto hace que el punto Q se perturbe mucho
logrando que el sistema no sea del todo estable.
1  ( RB / RE )
Ahora si nos referimos a la temperatura podemos observar las S ( I CO )  (   1) (7)
(   1)  ( RB / RE )


S (VBE )  (8)
RB  (   1) R E

Ilustración 4
Tomado de http://webs.uvigo.es/mdgomez/DEI/Guias/ tema6.pdf I C1 (1  ( RB / RE ))
S ( )  (9)
hojas de especificación que en ellas encontramos que dan un 1 (1   2  ( RB / RE ))
rango de operación para las características que se alteran por
culpa de ésta.
A pesar que este tipo de configuración es muy sensible a los
cambios de corrientes debido a su resistencia en el emisor esto
IV. FACTORES DE ESTABILIDAD no asegura que sea sensible a la hora de variar otros aspectos
“Los factores de estabilidad nos dan la variación de una como la temperatura, es así como esta configuración puede
tensión o una corriente en función de alguno de los parámetros generar una variación, en la estabilidad, baja cuando la
susceptibles de cambio en el dispositivo.”[4] En pocas resistencia en el emisor sea excesivamente grande, así
palabras es un cambio que se hace respecto a algo, las originará aproximadamente un factor de estabilidad en la
ecuaciones que emulan esto son: corriente de saturación inversa próximo a uno, pero esta
noción va en contra del principio que obliga a que la
I c resistencia en la base sea mayor a la resistencia en el emisor y
S ( I CO )  (3)
I co por ende no va a ser muy eficaz a la hora de estabilizarse por
causa de la temperatura. Concluyendo esta configuración
tiende a ser más estable cuando la proporción entre las
I C
S (VBE )  (4) resistencias tienden a un valor pequeño y es inestable cuando
VBE esta misma proporción se acerca a un valor cercano dado por
la ganancia de corriente más uno.
 D. Polarización por retroalimentación
B. Polarización fija
Para esta configuración se obtiene el siguiente resultado:
Para esta configuración se obtiene el siguiente resultado:
1  ( RB / RC )
S ( ICO )  (   1) S ( I CO )  (   1) (16)
(10) (   1)  ( RB / RC )

 
S (VBE )  (11) S (VBE )  (17)
RB RB  (   1) R C

S ( ) 
I C1 I C1 ( RB  RC )
1
(12) S ( )  (18)
1 ( RB  RC (1   2 ))
Como se puede observar esta configuración es la más Como paso en la polarización por emisor y en el divisor de
deficiente, respecto a las otras, a la hora de estabilizar ya que voltaje existe una relación, pero esta vez es la resistencia de
como no posee una resistencia en el emisor no tiene una base respecto a la de colector, ya que la resistencia de emisor
comunicación con las demás terminales y por ende refleja se toma como cero o sea como un corto, pero como en la
estos datos, se podría pensar que la ganancia de corriente fuera polarización por emisor no se puede suponer esto y además la
mínima para que se estabilizara pero no tendría sentido ya que relación que la resistencia de colector sea muchísimo mayor
no serviría de nada el transistor y perdería su sentido. que la de base siendo de algún modo semejantes la resistencia
de base siempre va a ser mayor que la resistencia de colector
ya que así se debe cumplir para que el transistor se encuentre
polarizado de la forma adecuada. Por lo anterior a pesar que
C. Polarización por divisor de voltaje esta polarización posee una estabilización por la división de
corriente que se genera al conectar la resistencia de base entre
Para esta configuración se obtiene el siguiente resultado: la resistencia de colector y el colector del transistor, no es
suficiente y por ende la polarización que presenta menos
sensibilidad ante los cambios es la divisor de voltaje, es por
1  ( RTh / RE )
S ( I CO )  (   1) (13) esto que esta debe usarse para trabajos donde necesiten un
(   1)  ( RTh / RE ) sistema con poca sensibilidad ya la división de voltaje que se
genera en las cargas asegura un valor constante en el voltaje de
 emisor y así, también genera una comunicación con todos los
S (VBE )  (14) terminales y así, no se presenten variaciones que tengan que
RTh  (   1) R E ver con el transistor.

I C1 (1  ( RTh / RE ))
S ( )  (15)
1 (1   2  ( RTh / RE )) V. CONCLUSIÓN

La tecnología que desarrolla día a día el ser humano, ha

Como en este diseño se trabaja con su equivalente y no con su
podido crear elementos que facilitan sustancialmente ciertas
diagrama original es claro observar que es mas factible que la
actividades que requieren desde poco esfuerzo hasta una fina y
proporción de la resistencia equivalente sea menor y la
delicada precisión. Dentro de todo este interesante y
resistencia del emisor sea mayor debido a que la resistencia
revolucionario mundo tecnológico, está parte del material de
equivalente sale a partir del paralelo de las dos resistencias que
interés de este documento: Los transistores, pero más
estaban en la base, sabemos que esto nos generará un número
específicamente, los transistores Bipolares BJT nos permiten
menor y por ende el factor de estabilidad en este disminuirá
aplicaciones tales como amplificación, conmutación,
considerablemente respecto de los otros tipos de
oscilador, y pilar de la electrónica digital que está
polarizaciones, falta estudiar el último caso donde existe una
prácticamente presente en cada rincón del mundo actual.
retroalimentación que tal vez pueda ser mas eficaz que este
montaje.

Ilustración 5. Tomada de: http://www.tecnotopia.com/wp-
content/uploads/2009/12/evolucion_transistor.jpg
Los transistores son componentes electrónicos demasiado
útiles siempre y cuando operen bajo los parámetros que
amerite la situación. Este documento describió los puntos que
hay que tener presentes al diseñar para que el transistor que es
objeto de estudio, se comporte de manera estable y no sea tan
sensible a cambios inherentes a su funcionamiento, es decir,
comúnmente, un circuito con un transistor BJT, debe
comportarse de manera estable, y aparentemente insensibles a
cambios climáticos, es decir poseen un factor de estabilidad
muy bajo.
Al ser estable el diseño del circuito con el transistor,
conlleva a como se dijo anteriormente, a que factores externos
al transistor, afecten su buen funcionamiento y aparezcan
valores de voltaje o de corriente que no se desea. Los
parámetros S ayudan a ver que tan estable se encuentra el
transistor BJT.
Suponga que a cierta persona le solicitan diseñar un circuito
que se comporte de cierta manera. Además de esto, suponga
que la persona a quien se le solicita, se encuentra a una gran
distancia del lugar donde el sistema va a operar; además de
ello, el diseñador le hace falta conocimiento de las condiciones
atmosféricas, conocimiento del comportamiento de la red
eléctrica, incluso, la persona que operará el sistema. Volviendo
un poco crítica la situación, diremos que el diseñador, que está
ubicado en algún país de la región ecuatorial (clima
“constante”), enviará su trabajo a un país de latitud media, por
ejemplo, Alemania. Si el diseñador no tiene en cuenta que
Alemania es un país que tiene estaciones: inviernos fríos y
veranos cálidos (en algunas regiones), y además de ello, crea
su sistema sin tener en cuenta los parámetros de diseño que se
dieron recientemente, su transistor cada verano y cada
invierno, trabajara en regiones para las cuales no fue diseñado,
afectando su desempeño o incluso trabajando como no
debería, generando problemas con el comprador, debido a
incumplimiento en el lo acordado, ya que la polarización que
tuvo en cuenta desprecia factores que son externos al
transistor. Por ejemplo la temperatura al ser mayor, genera un
decrecimiento de alrededor de 7.5 mV en el voltaje base-
emisor del transistor por cada grado centígrado, es decir, que
diez grados centígrados generarían un decaimiento de
aproximadamente 75 mV y la corriente de saturación inversa
duplicaría su valor. El diseñador habrá fracasado con el
objetivo, y peor aún, perdería credibilidad laboral.
Para diseñar un sistema que además de estabilidad y
aparente insensibilidad, e incluso que tenga un factor de
estabilidad, se deben usar los parámetros S.
Como se dijo anteriormente, un sistema muy estable y
aparentemente insensibles, a variaciones de temperatura,
seguramente presenta un nivel bajo de estabilidad. Pero del
mismo modo, niveles altos de estabilidad, más sensible será a
los cambios posibles en temperatura. Son factores que se
complementan uno al otro. De este modo, los parámetros S
pretenden encontrar “un punto medio” entre esos factores, para
así poder tener las características que requiere el diseño y se
acople de la mejor manera a situaciones que así lo requieran.
Los parámetros que influyen en el funcionamiento como ya
se dijo anteriormente, son: la ganancia de corriente directa
(HFE o  ), el voltaje base emisor del transistor, y la corriente
de saturación inversa. El lector podrá encontrar las relaciones
mencionadas que expresan estos factores páginas atrás.
Podrá darse cuenta el lector que gran parte de las relaciones
depende de la resistencia que cae en el emisor, y debe cumplir
que la resistencia de base, debe ser mucho mayor a la
resistencia de emisor. Si se hace el cociente de estas dos
cantidades debe ser mayor a la ganancia de corriente en
directo es decir al HFE o  , (depende del texto en que se vea
esto.
Ilustración 6
Tomado de: http://www.ibercivis.es/content/images/Transistor-
photo.jpeg
Cabe recalcar que cada transistor, bien sea de unión NPN o
unión PNP, puede teóricamente comportarse de manera
similar, pero en la practica, son elementos que se comportan
totalmente distintos a lo que teóricamente se piensa, por eso
antes de continuar, vale recordar que es de vital importancia
conocer la respectiva hoja de especificación del transistor que
se desea trabajar.
En general, para obtener un sistema ubicado en el punto Q
de la recta de carga que brinda esta polarización, el problema
radica específicamente en encontrar el tipo de polarización
que se va a utilizar. Esta dependerá más que todo del problema
que se desee solucionar ya que la polarización en serie es
menos estable que las otras ya que las otras tienen en el
emisor, una carga que genera una disminución (en caso de que
sea un aumento en la corriente de colector) en el voltaje de
colector generado por el aumento de la corriente en el emisor y
por en ende un aumento en el voltaje de emisor, y de este
modo, el sistema trata de compensar esa subida en el flujo de
carga dado en la corriente de colector. Vale recordar que es
esta la principal razón por la cual las en las ecuaciones
anteriormente dadas aparece en todos los casos la corriente
que pasa por el colector del transistor. El análisis
anteriormente hecho, se hizo principalmente para la
configuración de polarización estabilizada por emisor, y tiene
una ecuación que podría caracterizar el resto de las
polarizaciones como lo son: polarización por
retroalimentación, o la polarización universal (conocida
también como la polarización por divisor de voltaje); para
adecuar las ecuaciones si se puede observar, únicamente es
asumir la resistencia del emisor en la polarización por
retroalimentación como la resistencia de colector, y el caso
contrario ocurre en la polarización universal (o polarización
por divisor de tensión), donde la resistencia de base viene
dado por la resistencia de Thevenin, es decir el producto de las
resistencias antes de la base, sobre la suma de ellas, es decir, el
paralelo que estas forman, sin olvidar que si se procede de esta
manera, se debe hacer el voltaje de Thevenin, que vendría
siendo el divisor de voltaje sobre la resistencia más próxima a
tierra (comúnmente conocida como la resistencia dos).
z
Ilustracion 7. Tomado de
http://www.unicrom.com/Tut_circuitos_polarizacion_transistor_bipolar.asp
Finalmente, como se puede observar, el análisis de los
parámetros S, más que todo se reduce a conocimiento general
de polarizaciones posibles en transistores BJT en corriente
directa. Si se domina este esto, se procede únicamente a
adecuar a las condiciones que parámetros S solicita. Esto,
como se pudo observar en el ejemplo que se dio, puede
permitir no solo un buen funcionamiento, sino del mismo
modo trabajo que posiblemente en el ámbito laboral, se puede
ver bien recompensado, logrando no solo una satisfacción del
cliente, sino posiblemente un reconocimiento en la labor
hecha.
Puede que esto sea relativamente fácil y que no presente
mayor dificultad el manejo teórico-numero recientemente
brindados por medio de este documento, pero esto nos permite
dar un gran paso en el conocimiento de un componente que
como se dijo al inicio, es la base de la electrónica digital, y se
quiera o no, está presente en la gran mayoría de cosas y
componentes que diariamente son objeto de uso.
REFERENCIAS
[1] [Online]. Disponible: http://es.thefreedictionary.com/estabilidad
[2] R. L. Boylestand, “Electrónica: Teoría de Circuitos,” , 8va ed, Ed.
Pearson, pp. 210.
[3] R. L. Boylestand, “Electrónica: Teoría de Circuitos,” , 8va ed, Ed.
Pearson, pp. 211.
[4] Disponoble: http://webs.uvigo.es/mdgomez/DEI/Guias/tema6.pdf
[5] R. L. Boylestand, “Electrónica: Teoría de Circuitos,” , 8va ed, Ed.
Pearson, pp. 212.