Outros Dispositivos de Dois Terminais 20.1 INTRODUCAO Hi varios dispositivos de dois terminais que possuem uma tinica jungdo p-n, tal como a pastilha semicondutora do diodo Zener, ‘mas com diferentes modos de operacaio, curvas caracteristicas, € reas de aplicagio. Alguns destes dispositivos, incluindo o diodo Schottky, diodo tinel, varactor, fotodiodo e célula solar, serio apresentados neste capitulo. Além destes componentes, serio também analisados a célula fotocondutiva, o LCD (display de cristal liquido) e o termistor. 20.2 DIODOS DE BARREIRAS CHOTTKY (PORTADORES QUENTES) Ultimamente, vem crescendo o interesse no dispositivo de dois terminais denominado diodo de barreira Schottky, barreira de superficie, ou de portadores quentes. Sua utilizagao ficou limi tada inicialmente& faixa de atasfreqiéncias, devido ao seu tempo de resposta rapido (particularmente importante nas alts freqiién- ccias), ¢& sua figura de ruido reduzida (um parmetro considera- do em aplicagdes de alta frequéncia). Atualmente, entretanto, este dispositivo esta sendo empregado em fontes de poténcia de bai- xa lensfo/alta corrente, e em conversores ac-de. Outras éreas de aplicagao incluem sistemas de radar, logica TTL Schottky para ‘computadores, misturadores e detectores em equipamentos de ‘comunicagées, instrumentagdo ¢ conversores anal6gico-digitais. Sua constrigio & bem diferente da jungdo p-n convencional A Fig. 20.1 mostra como a jungo metal-semicondutor deste dis- positivo é concebida. O semicondutor é normalmente de silicio tipo m (embora em algumas ocasides se utilize silicio tipo p), € s sio utilizados, como molibdénio, platina, cromo ‘ou tungsténio. Diferentes técnicas de fabricacio resultam em diferentes conjuntos de caracteristicas para 0 dispositivo, sobre- tudo no que se refere 2 faixa de frequéncia de emprego ¢ niveis de polarizagio direta. Como ha outras prioridades neste livro, nao serd possivel examinar cada técnica, mas este tipo de informa- ‘glo €, em geral, fornecido pelo fabricante. Contudo, 0 tipo de montagem do diodo Schottky costuma produzir uma regio de Jungo mais uniforme e com um nivel elevado de robustez. Em ambos os materiais,o elétron € o portador majoritétio, No metal, 0 nivel de portadores minoritrios (buracos)€ insignifican- CAPITULO Contato metlico fothesdo 30870 Anode (+) Metat Tela de dui desilio — tunsio de metal semicondutor > Contato metitico 8 catodo (=) Fig. 20.1 Diodo de poradores quent te. Quando os materiais slo agrupados, os elétrons no material semicondutor de silicio tipo 7 fluem imediatamente para o metal agregado, estabelecendo, assim, um fluxo intenso de portadores ‘majoritérios. Como os portadores injetados tém um nivel de ener- gia cinética muito alto comparado aos elétrons do metal, eles sio chamados de “‘portadores quentes”. Na jungaio p-n convencional, hhavia.ainjegdo de portadores minoritirios na regio de jungio. Aqui, 6s el6irons sao injetados em uma regiao com a mesma pluralidade deelétrons. Os diodos Schottky sd, portanto,tnicos, jé que acon- dugiio 6 totalmente realizada pelos portadores majoritarios. O flu- xo intenso de elétrons para o metal cria uma regio préxima & su- perficie de junio com deplegdo de portadores, no material de sili- cio — semelhante & regido de deplecao no diodo de juno p-n. O8 portadores adicionais no metal estabelecem neste uma “parede negativa’ na fronteira entre os dois materiais. O resultado distoéa criagdo de uma “barreira na superficie”, impedindo qualquer fluxo de corrente. Ou seja, os elétrons (cargas negativas) no material de silicio enfrentam uma regido de portadores livres a uma “parede negativa” na superficie do metal. ‘A aplicagiio de uma polarizacao direta, representada pelo pri- meiro quadrante da Fig. 20.2, reduza forga da barrera negativa, atraindo os elétrons desta regidio pelo potencial positivo apli do, O resultado a redugdo do fluxo intenso de elétrons através da junco, controlado agora pelo nivel de potencial aplicado. A barreira na jungao de um diodo Schottky € menor do que a en- ccontrada em dispositivos de junciio p-n, tanto na regiao direta-368 Dispositivos EletrOnicos e Teoria de Circultos I 1 [ Dioso de Diode de junio portadores ; pn quentes ' | | I Dindode | Diodo ve ponaores | ino “ I I I I I Fig. 2.2 Comparagdo das curv dos diodos de portadores quentes ede ung pn ‘mente polarizada como na inversamente polarizada. Este efeito & desejivel na regiao diretamente polarizada, mas muito indese- jjével na regio inversamente polarizada. O crescimento exponencial da corrente para a situagio de pola- rizagio direta € descrito pela Eq. (1.4), mas, para este caso, 7) de- pende da técnica de fabricagdo (1,05 para a fabricagéo tipo mono- cristal, que se assemelha ao diodo de germanio). Na regitio de po- Tarizagio reversa, a corrente/,¢ resultado principalmente do fluxo dos elétrons do metal que passam para o material semicondutor. Um dos objetivos da pesquisa desenvolvida na fabricagio de diodos Schottky € a redugio das altas correntes de fuga que surgem em temperaturas acima de 100°C. Com a melhoria do projeto, as uni- 100 0) para a faixa indicada de iluminaga0. ‘Uma aplicagio do dispositivo bem simples, mas interessante, aparece na Fig. 20.29. O objetivo do sistema € manter V, em um, nivel fixo, mesmo que ¥; flutue em torno do seu valor nominal ‘Como indicado na figura, aélulaFotocondutiva 0 bulbo.eoresistor fazem parte deste sistema regulador de tenso. Se Vtivesse de cair em amplitude por uma série de razdes, o britho do bulbo também diminuivia. A reduggo nailuminagdo rsultariaem um aumento na resisténcia (R,) da célula fotocondutiva mantendo V, em seu nfvel nominal, determinado pela regra do divisor de ten RY, RFR ‘Tentando demonstrar a qualidade do material dispontvel para cada dispositivo implementado pelos fabricantes, considere a célula fotocondutiva de CdS (sulfeto de cadmio) descrita na Fig. ig, 2029 Regulador de tensdo empregando uma ella fotocondutiva,581 Outros Dispositives de Dois Terminais, ol +4000 A 6000 A 8000 A 10.000 A. Comprimento de onda (A) 0 wae ‘oe ise po de Resposta Vers Lue és Candelas ‘Subida (cegundos) Decaisa (epundon) Fig. 20.30 Caracteristicas de uma céulafotocondutiva de CdS da Claires. (Cortesia da Clirex Electronics.) 20.30. Observe novamente a preocupago com a temperatura e tempo de resposta. 20.8 EMISSORES DE IV Diodos emissores de infravermelho sao dispositivos de estado sélido, de arseneto de gélio, que emitem um feixe de fluxo radi- ante quando diretamente polarizados. A fabricagao bésica do dispositive é mostrada na Fig. 20.31. Quando a jungdo est dire- tamente polarizada, elétrons da regido n recombinam-se com os buracos excedentes do material p, em uma regido de recombi- nagdo especialmente projetada, situada entre os materiais tipos pen. Durante este processo de recombinagao, certa quantidade de energia € irradiada para fora do dispositive na forma de f6- tons. Estes fotons gerados. serio reabsorvidos na estrutura ou deixardo a superficie do dispositivo como energia radiante, como mostra a Fig. 20.31 ‘A Fig. 20.32 mostra o fluxo radiante em mW versus acorren- te direta de de um dispositivo tipico. Observe que hd uma rela- ‘80 quase linear entre os dois parametros. A Fig. 20.33 apresen- taum diagrama interessante para estes dispositivos. Observe que para dispositivos com um sistema de colimagao intema, 0 di sgrama € muito estreito, Tal dispositivo aparece na Fig. 20.34, com sua construgdo interna e simbolo grafico. Leitoras de cartdes ¢ fitas de papel. codificadores, sistemas de transmissd0 de dados, e alarmes contra invasdo sao algumas das dreas em que este dis- positivo pode ser empregado. 20.9 DISPLAYS DE CRISTAL LIQUIDO O display de cristal iguido (LCD) possui uma vantagem impor- tante em relago ao LED: exige menos poténcia para o seu fun-582 Dispositivos Eletronicos e Teoria de Circuitos “Temperatura do encapsulamento (T,) = 20C 10 = z z 6 5 . a a *, 0020 1, — Corrente de diveta — mA, Fig, 20.32 Flaxo radiant ipico vey sus corrente dine de par um dodo en GelV. (Contesia RCA Solid State Division cionamento, O nivel nevessrio é da ordlem de microwatts para o display, enquanto que para o LED o nivel de poténcia exigido estén faixa de miliwatts. Este dispositivo, entretanto, necessita ‘de uma fonte de luz externa ou interna, é limitado a faixa de tem- peratura de cerca de O° até 60°C, e sua vida til € motivo de po- atensidae radiant rel “Angulo de rasiado (graus) Fig. 20.3 Diagrams deitensdade adiane de diodosemissores de TV da RCA, (Conesia RCA Solid State Division) lemica, pois os LCDs potlem quimicamente se degradar. Os ti- ‘pos alvo de maior interesse s20 0s dispositivos de efeito de cam- poe de espalhamento dinamico. Estes dois tipos serio analisa- dos com um certo nivel de detalhes. Resins epi Disesso dortxe Z Supertcie parties fetetora radiate —Emissor © © Aprox. 2X 0 mano rest o Fig, 20.4 Diodo emissor de IV da RCA: (a) Fabrcagio; (b) foto (€)simboto. (Cortesia RCA Solid State Division.)583 ‘Outros Dispositives de Dois Terminais, Lr incdemte Revestmento condstor transparente Fig. 20.38 Cristal iquido nemitico sem ensio aplicada, Luz incidente 2) Regitotaisparenie 050 Cra iqude EEspagador 4 lace Oxido de nao Regides opacas + V (tensio aplicada) Revestimento condor transparente Fig, 20.36 Cristal iquido nemstico com tenso aplicada cristal liquido é um material (normalmente onganico para LCDs) que flui como um liquido, mas com uma estrutura mole- cular com algumas propriedades normalmente associadas 20s 6lidos. Para os dispositivos de espalhamento de luz, 0 maior interesse esta no cristal liquido nemadtico, com a estrutura do cristal mostrada na Fig. 20.35. As moléculas individuais apre- sentam 0 aspecto de um bastdo, como mostrado na figura. A su- perficie condutora de Gxido de indio ¢transparente e, sob as con- digdes mostradas na figura, a Iuz incidente passa através da es- trutura sem ser obstruida pelo cristal liquido. Se uma tensdo (para os dispositivos comerciais, o nivel de limiarsitua-se normalmente entre 6 a 20 V) for aplicada aos terminais da superficie conduto- ra, como mostrado na Fig, 20.36, o arranjo molecular é pertur- bado, estabelecendo regides com diferentes indices de refragao. ‘A luz incidente 6, portanto, refletida em diferentes diregdes na interface entre regides de diferentes indices de refragao (fendme- no chamado — espathamento dindmico — inicialmente estuda~ do pela RCA em 1968). A conseqiiéncia disto é que na regio tem que a luz éespalhada o aspecto & 0 de um vidro fosco. Obser- ve na Fig. 20.36, entretanto, que 0 vidro fosco aparece somente onde as superficies condutoras so opostas entre si, que as de~ ‘mais reas permanecem transhicidas, ‘Um digito em um display LCD pode ter o aspecto de segmen- tos mostrado na Fig. 20.37. A érea escura é na verdade uma su- perficie condutora conectada aos terminais inferiores para ocon- trole externo, Duas mascaras semelhantes sdo colocadas em la~ dos opostos de uma camada espessa selada de material de cristal Iiquido, Para mostrar o niimero 2, p.ex., 08 terminais 8, 7, 3, 4, 5 seriam energizados e apenas as regides correspondentes fi- cariam opacas, enquanto as outras éreas permaneceriam trans- parents. Como indicado anteriormente, 0 LCD nao gera sua propria luz, dependendo de uma fonte externa ou interna. Sem ilumina- «80 externa, sera necessario para o dispositivo ter sua prépria luz interna, posicionada atrés ou ao lado do LCD. Durante o dia, ou «em éreasiluminadas, pode ser colocado um refletor atrés do LCD. para refletir a luz através do display, methorando assim a ilumi- nacdo. Para uma operagéo ainda melhor, alguns fabricantes de rel6gio esto uilizando uma combinagdo dos modos transmissivo (fonte propria de luz) e refletivo, chamada transfletivo. 12345678 Fig, 2037 LCD com digios 6 oto segments584 Dispositives Eletronicos ¢ Teoria de Circuitos Lacree spugador “ Polariagio horizontal nto Polaieadoes verticns da lor Ler incident Supericies condutorastransparentes ‘de So apicaas 38 tenses de plarizago consegue passar através, ‘do polrzndor vertical Bastfo vertical Bastio horizontal ores ito ig, 20.38 LCD transmissivo de efeito de campo sem tenso splicad, OLCD de efeitos de campo ou nematico apresenta o mesmo aspecto de segmentos e a mesma fina camada de cristal liguido encapsulado, mas seu modo de operagao € muito diferente. Se- ‘melhante ao LCD de espalhamento dindmico, 0 efeito de campo pode ser operado no modo refletivo ou transmissive com uma fonte interna. O display transmissivo aparece na Fig. 20.38. A fonte de luz. interna esté & direita e 0 observador a esquerda. A diferenga mais perceptivel nesta figura em relagao Fig. 20.35 € «a inclusao de um polarizador de luz. S6 a componente vertical daluz incidente na direita consegue passar através do polarizador vertical de luz. No LCD de efeito de campo, ou a superficie con- 10 A) com as ‘de um componente de baixa poténcia (=< 100 mA). Os dados © ca- racteristicasforecides so significativamente diferentes? Por que? § 20.5 Diodos Tunel Quais sio as diferencas principais entre um diodo semicondutor de jungao eum diodo tunel? Observe no circuito equivalente da Fig. 20.14 que o capacitor ‘aparece em paralelo com a resistencia negativa. Determine @ reatincia do capacitor em 1 MHz e 100 MHz se C = 5 pF, de- termine a impedincia total da combinagdo paralela (com R =152 M) em cada freqiéncia, O valor da reatincia indutiva é relevante em algumas dessas freqlencias se L, = 6 nH? Por que voeé acredita que a maxima corrente reversa nominal do, «iodo tinel pode ser maior do que a corrente nominal direta?(Su- ‘esto: Veja as caracterstcas ¢ considere a poténcia nominal.) 920, au 2, 23, 2s. "26. "27. "30, “31 32. 33. "34, 38. 589 ‘Outros Dispositives de Dois Terminais Determine aresisténcia negativa para 0 diodo tne! da Fig. 20.13 Determine os pontos de operagdo estavel para o circuito da Fig, 20.17 se E = 2 V, R= 0,39 KS, eo diodo tinel da Fig. 20.13 for ‘empregado, Use valores tipicos do Quadro 20.1 Para £ = 0,5 Ve R= 51.0, esboce v, para circuito da Fig. 20.18, ‘¢0 diodo tinel da Fig. 20.13, Determine afreqiéncia de oscilagdo para o circuito da Fig. 20.19 § 20.6 Fotodiodos Determine «energa associada com os ftons da luz verde, de comprimento de onda igual a 5000 A. DE sua resposta em jules em elétron-vols {@) Baseado na Fig, 2020, estime quais valores de freqéncia estioassociados com os limites infer superior da expec tro vsivel (b) Qual éocomprimento de onda em microns associado a0 pico da respostarelaiva do slicio? (©) Sedetinirmos stand passant da esposa espectal de cada material como send faixa de feqlencia em qe a expos test acima de 70% do valor de pico, qual €a banda pas- Sante do silico? Referindo se Fig, 20.22, determine /, para V, dade da luz igual 24% 10-* Win. (@) Qual material da Fig. 20.20 parece apresentara melhor re- posta is fontes de lor amarta, vermelha, verde e infaver~ tmelha (menor do que 11.000 A)? (b) Na froqiéncia de 0.5% 10" He, que cor apresenta a max rma resposta espectal? Determine a queda de tens através do resistor da Fig. 20.21 para um flux incident de 3000 fe, ¥,= 25 V, eR = 100 KO. Utlize as curas caacterstieas da Fig. 2022, 10 Ve intensi § 20.7 Celulas Fotocondutivas Qual é a taxa de variagdo aproximada da resisténcia com a ‘luminagio, para uma célula fotocondutiva com as caracte- risticas da Fig. 20.28 para os intervalos (a) 0,1 — 1k, (b) | = 10 kA, ¢ (c) 10> 100 kM? (Observe que a escala € log.) Que regio apresenta a maior taxa de variagao da resisténcia com a iluminagio? que € “corrente escura” de um fotodiodo? Se a iluminagao sobre um diodo fotocondutivo, na Fig. 20.29, Ede 10 fe, e R, igual 5 kA, determine o valor de V, para que apareca 6 V através da célula. Utilize as caracteristicas da Fig, 20.28' Utilizando 0s dados fornecidos na Fig. 20,30, esboce a curva de condutincia percentual versus temperatura para 0,01, 1,0 € 100 fe, A que conclusées pode-se chegar? (@)_ Esboce a curva de tempo de subida versus iluminagi0, con- siderando os dados da Fig. 20:30, (b)Repita 2 letra (a) para o tempo de decaimento. (©), Discuta os resultados nas letras (a) e (b). dispositivo de CaS da Fig. 2030 6 mais sensivel a que cores? § 20.8 Emissores de IV (a) Determine o fluxo irradiado pelo dispositivo da Fig. 20.32, para uma corrente de direta de 70 mA. (b) Determine o fluxo irradiado em lumens, para uma corrente de direta de 45 mA. (a) Considerando a Fig. 20.33, determine a intensidade radiante zelativa no angulo de 25°, para um dispositivo de lente plana. (b) Trace a curva de intensidade radianterelativa versus angu- lo de irradiagio para o dispositivo de superficie plana. ‘Se 60 mA de corrente de deta forem aplicados ao emissor de 1V 'SGIOLOA, qual sera fluxo irradiado, em lumens, a 5° do cen-590 36. 31, 38. 39 4 2. 43, Dispositivos Elettomicos e Teoria de Circultos {o, considerando que o dispositive tem um sistema de colimagio interno? Tome como referencia as Figs. 0.32. 20.33. § 20.9 Displays de Cristal Liquido Referindo-se & Fig. 20.37, que terminais devem ser energizados para que seja apresentado no display 0 nimero 7? ‘Com suas palavras, descreva a operagdo bésica de um LCD. Discuta as diferengas relatvas existentes entre o modo de opera- 0 do LED e do LCD. (Quais io as vantagense desvantagens relativas de um LCD com- pparado a um display de LED? § 20.10 Células Solares ‘Uma cétula solar de 1 em por 2em tem uma eficiéncia de conver- so de 9%, Determine a poténcia maxima nominal do dispositive. ‘Considerando a grosso modo que a poténcia nominal de uma célu- lsolar é determinada pelo produto V,1,,a taxa de aumento deste ‘parimetro é maior com niveis maiores oi menores de iluminagi0? (a) Baseado na Fig. 20.48, determine a densidade de poténcia, necesséria para estabelecer uma corrente de 24 mA com wma, tensio de sada de 0.25 V. (b) Por que, na Fig. 20.48, a densidade de poténcia méxima & 100 mW/em®? (©) Determine a corrente de sada para uma poténcia de 40 mW/ cm’ e tensio de saida de 0.3 V. Esboce uma curva de corrente de safda versus densidade de poténcia para uma tensio de saida de 0.15 V, uilizando as caracteristicas apresentadas na Fig. 20.48. @ a Esboce uma curva de tensio de safda versus densidade de poténeia, para uma corrente de 19 mA, ‘As das curvas tragadas nas letras (a) e(b) so lineares den- two do limite de maxima poténcia? o © § 20.11 Termistores ‘44, Para o termistor da Fig. 20.49, determine a taxa dinimica de variagdo da resisténcia especifica com a temperatura, em T = 20°C. Compare com 0 valor obtido em T = 300°C. Dos resultados, determine se variagdo da resisténcia por variagio tunitéria da temperatura € mais acentuada para nfveis meno- res ou maiores de temperatura. Lembre-se de que a escala vertical € logaritmica, 45, Usilizando a informagio fornecida na Fig. 20.49, determine a resistencia total de um material com 2 em de comprimento e s- pedficie perpendicular de I em", na temperatura de 0*C. Lembre- se de que a escala vertical é logaritmica, (a) Baseado na Fig. 20.50, determine a corrente na qual 0 coe~ ficiente de temperatura do material muda de postivo para negativo, a 25°C, (As escalas sio logaritmicas.) Determine a potéacia e niveis de resisténcia do dispositivo (Fig, 20,50) no pico da curva de O°C. Na temperatura de 25°C, determine a poténcia nominal, considerando que 0 valor da resisténcia & de 1 MO. Na Fig. 20.52, V= 0,2 Ve Ryauos = 10.0. Sea corrente através, do dispositive indicador €2 mA e a queda de tensfo através des- 60 V, quanto vale a resisténcia do termistor? w) © 4. Otero: Os aesico indica problemas mals dls