ESQUEMA DEL CAPITULO 129 Resumen 12.10 Analisis por compuradora 12.1. Introduecisn; definciones y tipos de amplificador OBIJETIVOS DEL CAPITULO 122 Anplificador clase A slimentado enserie En est capitulo usted aprenderé 123° Amplficadorclae A acoplado por « Las diferencias ene los amplificadres teansformador clase A, AB y clase C. 124 Operacion de un amplificador clase B «Que provoca la dstorsign de un 425. Gievitos del amplficador clase B amplificador 426 Distozsén de un ampliicador ‘© Laciciencia de varias clases de 327 Disipacidn de calor de un transistor amplificadores de potencia ‘# Cilculos de potencia pata varia clases 128 Anplificadores clase C y clase D de amplificadaces 12.1 INTRODUCCION; DEFINICIONES Y TIPOS DE AMPLIFICADOR ‘Un amplificadorreibe una seal proveniente de alin ransductor de deteccién u otra fuente de en- wads, y enlzega una versién amplificada de la sefal a alga disposiivo de salidao a olza etapa el ampliicador. Bn genes, la sed de un tansductor de entrada es pequeia (de algunos milivolts provenientes de la entrada de un reproductor de castes, CDs o cualquier otto dispositive e alm ‘cenamient, o bien de una antena) y necesita ser amphiicada lo sufciente para que funcione un dis- positive de silida (bocina u ozo dispositive de manejo de potenci}. En amplificadore de seal pPequetia, los fictoes principales suele st Ia linealidad de la amplifcaci6n y la magnitod del gs nancia. Como la coriente y el voltae de la sefal son pequeios en un amplifcador de sefial peque- fa, lacantidad de capacidad de manejo de potenciay a eficiencia en relaién con lapotenci n0 son Geterminantes. Un amplifcador de voltaje amplifica el voltae sobre todo para incrementar el yota- {ede a seal de entrada. Los amplficadores de potencia ode gran seal, por otra parte, proparcio: nan la sufiientepotencia a una carga de slid para excitar una bocina v oto dispositive de poten cia, por lo general desde algunos watts hasta decenas de wats. En este capitulo nos concentramos nls circuitos de amplificadores que se ulizan para el manejo de sefles de gran voltae con: ‘eles de cortiente que van de moderados a alts. La caractessticas principales de un amplifiadt Ge gran seal son Ia eficiencia de potencia del ctcuito, Ie maxima cantidad de potencia que el circuito es capaz de maneja y el acoplamiento de impedancia con el dispositive de slida ‘Un método utlizado para categorizaramplificadoreses por clase. Bésicamente, las clases de amplificadores representan la cantidad de vatiaién de Ia seal de salida en un ciclo de opeca- cidn durante el ciclo completo dela seal de entrada, A continuacién veremos una descripeién breve de las clases de amplifcador,n AMPLIFICADORES. DE POTENCIA Nive ‘sjocis ‘ Bxcain dead tat | ee | _ | xc eld Nivel de a east oy +______-, ov ‘ » FIG. 12.1 (Clases de operacién de amplificador Clase A: La sfial de salida varia alo largo de los 360° dl ciclo. La figura 12.1a muestra que sto require que el punto Q se polarce aun nivel de modo que cuando menos la mitad de la ex- cursin de la sel de slide pueda varias hacia aribay hacia abajo sin que legue a ser un votaje Sulfcientemente alto como para se limitado por el nivel de alimentaci6n de vollaje, 0 demasiado bajo como para que se aprexime al nivel de slimentacién bajo, 00 V en esta descipcign, ‘Clase B: Un circuto clase B proporciona una sefal que Varia durante la mitad del ciclo de la sefial de entrada, o durante 180° de la seal, como se muestra en la figura 12.1b, El punto de polasizacién decd de la clase B es por consiguiente de OV, con la slida que vara entonces partir de este punto de polaizacién durante miedi ciclo. Obviamente, a sala no es una ro produccidn fel dela entrada si solo hay un semiciclo. Se requeren dos operaciones de clase B ‘una para que proporcione una salida en el semicilo de salida posiivay la otza para que haya peracid en el semiciclo de sada negativa. Entonces, los semiciclos cembinados proporcionan salida durante los 460° de operaciGn, Exe tipo de conexién se conoce como operacisn equi brada (push-pull, la cua analizarennos rads adelante en este capitulo, Observe que la operaci6n B pors{ misma crea un sefil de sada muy distorsionada, puesto que la reproduccion de Is en: teada ocure durante slo 180° de la excursi¢n de la seal de sala, Clase AB: Un amplificador se puede polarizara un nivel deed sobre el nivel de eortiente de base cera de la clase By por sobre la mitad del nivel de vollje de alimentacién dela clase A esta condiciém de polarizacin es la clase AB. No abstante, la operacin clase AB requiere una conexién push-pell pata lograr un ciclo completo de sala, pero el nivel de polarzacién de od sue estar mis cerca del nivel de coriente de base cero pata tna mejor efiiencia de la poten cia, como se descrbird en breve, Para la operacién clase AB, la excursin de la sefial de salida cuare entre 180° y 360° y no es ni operacin clase A ni operacin clase B. (Clase C: La slida de un ampliicador clase C se polariza para que opere a menos de 180° del ciclo y funcionaré s6lo con un cituit sintonizado (tesomane), el cual proporcionan ciclo com- pleto de operacion a a frecuencia sntonizada o resonante, Por consigtiente, esta clase de opers- ‘in se uiliza en areas especiales de ercuitossintonizados, como radio 0 conmunicaciones Clase D; Esta clase de operaci6n es una forma de un amplificador que uiliza sefiales de polios (digitale), las cuales se activan durante un ntervalo corto y se desactivan durante un iter valo mis largo. La aplicacin de fcnicas digitales permite obtener una sefal que varie durante ¢! ciclo completo (mediante ciscuitos de mucstco yretencién) para recrear la salida de muchas Piezas dela sefal de entrada. La ventaja principal de la operacién clase D es que el ampliica- dor se “activa” (utilizando potencia) s6lo durante intervals cortosy la eficiencia otal puede ser prdeticamente muy alt, como se desribe a continuacién Eficiencia de un amplificador La eficiencia de potencia de un amplifcador, definida como la relaciOn entre la potencia de sa: lida y Ia potencia de entrada, mejora (se hace mayor) cuando va de a clase Aa la clase D. En \érminos generales, vemos que un amplificador clase A, con polarizacién de eda la mitad del nivel del voltaje de alimentaci, utiliza bastante potencia para mantener lapolarizacién incluso sin sefial de entrada aplicada. Lo anterior da como restltado tna eliiencia muy pabre, en espe- cial con sefales de enteada pequefas, cuando se suminista muy paca potencia de ed la carga En realidad la eficiencia méxima de un eiscuito de clase A, Ia cual ocutre durante la excursionTABLA 12.1 Comparacién de clases de amplificadores Clase a AB B c D Ciclo de operacign «360 180° 4360" 180" ‘Menos de 180° Operacidn pulsaate eo iieiencia de potenia 25% @ 50% nce 259% 15% ener mis de 809% (60%) y 78.50 “general a clase C nose isa para smiisvar grandes cantdades de polencia y por lanl eta cficienca ne eda age de comtente y vollaje mixima, es de s6lo 25% con una conexida de carga directa o alimentado en serie, y de 50% con una conexin de transformador con la carga. Se puede demostrar que la ‘operacin clase B con potencia de polarizacin de cd, sin seal de entrada, proporciona una ef- clencia maxima de 78.5%. La opetacin clase D puede aleanzar una efciencia de potencia de amas de 90% y s la operacion ms eficiente de todas las clases de operacién. Come la clase AB se encuentra entre las clases A y B en cuanto a polarizacin, también eae entre sus valores de cficienci: entre 25% (0 50%) y 78.5%. La tabla 121 resume la operacién de las diversas clases ée amplificadores, Esta tabla proporciona una comparscidn relativa dela operacin del ciclo de salida yl eficencia de potencia de los diverts tipos de clases. En la operacién clase B, una co- ‘erin push-pull se obtieneo con un acoplamiento de trnsformador © mediante na operacién en simetefa complementaria (0 casi complementaria) con tansistores npn y pap pata proporcio. nar operacién en cielos de polaridad opuesta. Aun cuando la operacin con transformador pro- porciona sefiles en ciclos opuestos, el tansformador en sf mismo es bastante grande en muchas aplicaciones. Un circuito sin transformador que utiliza wansistores en simetria complementaria ‘opera de la misma manera en un paquete mucho més pequefio. Mis adelante en este capitulo se ddan ejemplos y citcuitos. 12.2 AMPLIFICADOR CLASE A ALIMENTADO EN SERIE Podemos utilizar la conexidn de cteuito de polasizacin fja simple mostrada en la figure 12.2 para analizar las caracteristicas principales de un amplificador clase A alimentado en serie, Las Sinica dterencias entre este cireuitoy la versiGn de sefal pequeia ya antes considerada fon que Jas sfiales manejadas por el cireuito de gran seal se encuentran en el orden de volts, y el ran- sistor tilizado es un transistor de potencia que es eapaz de operar en un rango que va desde algunos watts hasta decenas. Como se demostraréen esta seccién, ext eiouito no es el mejor @ tlizar como amplificador de sefial grande debido a su baja eficiencia de potencia. En general la beta de un transistor de potencia es menor de 100, el circito de amplificador total que uiiza ‘wansistores de potencia capaces de manejar grandes cantidades de cariente 0 potencia aunque no proporsionen mucha ganancia de voltaje Operacién con polarizacién de cd La polarizacidn de ed estableida por Vcc y Ry ja lacosrente de polrizaciin de base de eden Vee = 01 a (12.1) de modo que la coriente de colectores Te Bly (12.2) yel voliaje de colector a emisor es Vee = Veo ~ tee (12.3) ara apreciar I imporiancia de la polarizacién de cd en la operaién del amplificador de poten consdere lacaraterfstica de eolector mostrada en la figura 123. Se traza una recta de carga de cd con los valores de Vee Re, La interseccién del valor de polrizacin de cd de I, con la recta de carga de ed determina entonces el punto de operacién (punto D) para el eixcuto. Los valores de punto quiscente son los calculades con las ecuaciones (12.1) a (123). Sila coriente de colector e poltizacin de ed se establece ala mitad de la posible excursion de la seal (entre O y Vec/ Ro), se podeé dar la maxima excursi6n de lacorrente de colector. Adems, sl veltaje quescente {de colectoraemisor se establece a a mitad del voltae dealimentacién, sera posible la mayor exc sin del volaj. Con el punto Q establecido en este punto de poarizacién dptima, la consderacio- nes de potencia para el crcuito de la figura 12.2 se determinan como se describe a continuacién, nl w% + FIG. 12.2 Amplificador de seal grande ‘late A alimentado en sere, ors674 AMPLIFICADORES DE POTENCIA, FIG. 12.3 Caractere de transistor que muestra areca de carga ye punto 0. Operacién en ca (Cuando se apica una sefal de entrada de ca al amplificador de la figura 12.2, asada varard a ppatir de su volte y coriente de operacién de polarizaci de ed. Una seal de entrada peque- fa como la de la figura 12.4 hard que la cortiente de base varie por azsba y por debajo del pn- to de polarizacidn de ed la eval haréentonces que la cortiente de colector (slid) vare a partir del punto de polarizacién de ed establecido, asf como también que el voltae de colector a emi- tor varie en (orno a su valor de polarizacién ded. A medida que la sefl de entrada se haga m: grande, la sala variaré ain ms en (orno al punto de polarizacién de ed establecido hasta que Is comrienteo el voltae aleance una condicidn limitante, Para la cozrent, esta condicién limi tante es o una coriens cero ene extreme bajo, 0 Vec/ Reon el extrem alto de su excursién, Para cel voltae de colector aemiser, el Limite s 0 bien OV o el voltae de alimentacién, Vcc. ‘cate de aida] Re 7 Toten de Yoo Ver Gee de sain © Yoo Vee | SK. pacar de ‘ola de sai ‘Beessin de vole dsl FG. 124 Variacion de las sehales de entrada y sada de un amplificadon Consideraciones sobre la potencia [La potencia que entra aun amplificador la proporciona la fuente. Sin seal de entrada, la cortien- te dec abserbida es la corsiente de polarizacién de colector Ic. Por tanto, lapotencia extraida de la fuente ee Pied) = Voce, (2.4)Incluso con una sefil deca apicada, la corriente promedio extraida de la fuente no cambia, de odo que la ecuacin (12.4) representa la potencia de entrada suministrada al amplificador clate A alimentado en serie. Potencia de sallda La corriente voltae de slide que varan alrededor del punto de polarizacion cnlregan potencia de ca. ala carga. Esta potencia de ca se suministra ala carga Re en el crcuito ela figura 12.2. La sefal deca V, hace que la comrcate de base varie alrededor dela corriente de polarizacién de ed y que lacortiente de colector lo haga alzededor de su nivel quiescent Ic, ‘Como se muestra en la figura 12.4, la seial de entrada de ca genera sefales de corriente y voltaje deca. Cuanto més grande es la sefl de entrada mayor cla excursion de salida, hasta el valor maximo establecido por el circuito. La potencia deca entregada ala carga (Rc) Se expre- sade diferentes manera, Con seiales RMS, La potencia de ca entregada ala carga (Re) se puede expresar como sigue P(ea) = Vee(tms)fe(ems) (12.5) P.(ca) = Fe(rms)Re (12.6) ‘o(rms) (12.7) Eficiencia La ficiencia de un amplificador representa la cantidad de potencia de ca suministrada (transfe- rida) desde la fuente de ed. La eliciencia del ampllicador se caleula con Plea) 100%, (12.8) x Pied) Eficiencia méxima Para el amplificador clase A alimentado en serie, la efiiencia maxima se ‘etecmina con las oscilaciones de votajey corience maxims, Paa la excursin de voltae es Vee(p-p)maximo = Veo ara la excursion de coriente es Tolp-p) maxims (Con excusindevlaje mixima en Ia cco (12.79 obenemoe Vee(Wee!Re) se Vie Bee CCalculamos Ia entrada de potencia méxima con la comiente de polarzacién de ed establecida a Ja mitad del valor maximo: P.(ca}méxima ) , VeclRe Pyméxima(cd) = Vec(Femaxima) = Vee~22=E 2 Vic 2Re Podemos utilizar entonces Ia ecuacin (12.8) para calcula Ia eficencia maxima’ Paméxima(ca) fede 9 méximo = ENE oom, 2 mixima(de) / BR = EES x 1008 Vic/2Re 25% AMPLIFICADOR CLASE A 675 ALIMENTADO EN SERIE676 AMPLIFICADORES La cficiencia maxima de un amplificador clase A alimentado en serie es por tanto de 25% DE POTENCIA. Como esta eficiencia méxima acurirésélo en condiciones ideals tanto de excursin de voltaje ‘como de excursién de cariente, la mayorta de los circuits alimentados en serie proporeionarn potencias de mucho menos que 25% ee EJEMPLO 121 Calcul Ia potencia de entrada la potencia de saliday la eficiencia del ciccuito de amplificador de la igure 12.5 para un voltaje de entrada que produce una coriente de base de tom pice. toa pete BY Re" ma ® ® FIG. 12.5 Operacién de un circuitoalimentado en serie para ejemplo 12. Soluciéa: Usando las ecvaciones (12-1) a (12.3) podemos determinar el punto Q como 1, Me awIV _ gov 07V Ing Bs Tn Teg = Bly = 25(19.3mA) = 482.5mA = 048A Veco ~ eRe = 20V ~ (0.48.0)(20.0) Este punto de polatizacién se marca en la caracteristica de colector de transistor de Ia figura 12.5b, La variacin de ca dela seial de salida se obtiene grificamente con la recta de carga \cazada en la figura 12.5b al conectar Vex = Vee = 20V con Jc = Veo/Re = 1000 mA = 1 A, como se muestra, Cuando la corrente de base de case inctementa a parts de su nivel de poli acid de ed, la coriente de colectr se eleva kp) = Bla(p) = 25(10mA pico) = 250 mA pico Coa la ecuaciéa (12.6) obtenemos = 193mA Vera Tp), _ (250. 104A)? rn Palca) = FEC Re (200) = 0.625 W Coa la ecuaci6a (124) obtenemos P(e) = Veeleg = (20V}(048.A) = 9.6W caleulat la eficiencia de potencia del amplificador podemos wiliza la ecuacién (12.8) Pca) w == x 100% X 100% = 65% Pied) 36W12.3. AMPLIFICADOR CLASE A ACOPLADO POR TRANSFORMADOR ‘Una forma de amplificador clase A con eficioncia méxima de 50% utiliza un tansformador pa- ‘2 acoplar la sefial de sala a Ja catga, como se muestta en la figura 12.6, Esta es una forma de circtito simple que ulilizaemes para presentar algunos conceptos. Mas adelante estudiaremos la mayoria de las versiones de ciruito priticos. Dado que el circuito wliza un transformador para escalonar el vollaje o la corrent, a continuacida repasasemos la elevacién y reduccién de voltae y corviente Moe 0 » FIG. 12.6 Amplificador de potencia de audio aceplada por transformador Accién de transformador ‘Un tansformador puede elevar 0 reducit los niveles de voltae y coriente, de acuerdo con la relacién de vueltas, como explicsfemos a continuacién, Adem, la impedancia conectada a un lado de un wranslormador puede hacerse que aparezca o més grande o mis pequefa (clevads 0 reducida) en el otro lado de transformador, dependiendo del cuadrado dela relacién de vueltas e los devanados del tansformador, El siguiente anliss supone una tansferencia de potencia ‘deal (100%) del primario al secundario; es decir, no se consideran pérdidas de potencia, Transformacién de voltaje Como se muestra en la figura 12.72, el wansformador puede clevar fo reducir un voltae apicado a un lado directamente como la relacién de vueltas (0 ntimero de Di + Dix 100% = Vario} + (Oa + (0.02) x 100% = 0.1095 x 00% 10.95% ‘Un instrumento como un analizador de espectros permite la lectura de los arménicos presentes ‘en la gfial y mostrar en pantalla el componente fundamental de una seal y varios de sue armé- nicos. Asimismo, un instrumento analizador de ondas permite una lectra mis precisa de los componentes arménicos de una sefal distorsionada al filvar cada uno de estos componentes y proporcionar una letura de éstos. En cualquier caso, la ténica de considerar que cualquier ‘efal distorsionada contene un componente fundamental y componentes arménicos es préctica yi. Enel caso de una sefal que ocusre en clase AB o clase Bla distorsidn puede ser princi- palmente de arménicos pares, de los cuales el segundo es el mayor. Por tant, aungue en teoria la stl dstorsionaca contiene todos los componentes arménicos «partir dl segundo en adelan- te, el mds importante en funcién de la cantidad de distorsin en las clases presentadas es el segundo arménico,fe tt 2 uri = 3s on a i 2 Fi. 12.20 Forma de onda para obtener la distorsin del segundo arménic Distorsi6m del segundo arménico La figura 12.20 muestra una forma de onda uilizada pera obtener Ia distorsin del segundo arméaico, Se muestra una forma de onda de cortiente de colector con los nveles de seal quiescent, minim y maximo, y el vempo en el eval se pre~ sentan marcados en la forma de onda. La sefial mostrada indica que hay algo de distorsin. Una ecuaciéa que describe de forma aproximada la forma de onda de la seal distorsionada es eg + to + heosat + Ixcos ot (12.32) La forma de onda actual contien la corsente quiescent eiginal Ic, a cual cure con una seal de entrada ceo; una corrient ed adicional f originada por el protiedio ao cero de a seal dis ‘orsionada; el componente fundamental de a seal de ea distorsionada /, y un segundo compo- ds veces la frecuencia fundamental. Aungue los demas arménicas también cslin presentes, gui s6lo consideramos el segundo. Si se iguala la cortiente obtenida con la cevacién (12.32) en algunos puntos del ciclo con la que se muestra en la forme de onda de cortente se obtienen Ia res relacions siguientes Enel punto | (a = 0) gig = Hg * Io + 110080 * Iyc080 Teng: = Meg + to +h + he Enel punto2 (wt = 7/2), 2 an + hcos= + feos 2 2 Enel punto 3 (wr = 7), fe Teg ~ To + Iyeosm + feos 2m eg + hhh * ls Teg Resolviendo las tres ecuaciones precedentes simalténcamente se obtienen los siguientes re- sutados Heats * Henn ~ Hep + Recuriendo a a ecuacién (12.50), pademos expresa a definicién de la distorsin del segundo ens ~ Menta hb —— X 100% ‘Con ta inserci6n de los valores de J ¢ /, ates determinados se obtione Henig * Hone) ~ Heo D.= X 100% (12.33) Kena ~ Meni Del mismo modo, la distorsién del segundo arménico se pusde expresar en funcién de los vol- 4 Vero ee ee toon (12.34) DISTORSION DE 695 UN AMPLIFICADOR696 AMPLIFICADORES DE POTENCIA, De rey EXEMPLO 12.5 Caleule Is distorsi6n del segundo arménico si una forma de onda de salida ‘mostrada en la pantalla de un osciloscopio proporciona las siguientes lectaras 2 Verna = EV. Vetgus = 22, Very = 12V. B. Vergy = 4V: Very, 20, Very = 12V. Soluciéa: Con a ecuacién (12.34), obtenemos (Q22V +1) BV, viv (20V + 4V) ~ 12, | tort «2309 | 10m = 0 snasenta Potencia de una seal distorsionada Cuando ocure la distosin, la potencia de salidacalculada para la seal no dstorsionada ya no ‘es correcta En estos casos, la potencia de sada entregada al esstor de carga Re producida por 1 componente fundamental de Ie sefialdistorsionada es p= Hike (12.35) La potencia tol producia por ods los components umicos ela seal dsorsionada se “ Wena ne AE (12.36) 2 La poteacia total también se puede expresar en funcién dela distorsin arm6nice total, peuspispis on k= a+ THD, (12.37) Pe EMPLO 1216 aca una letra de distin amnica de, = 01, D, = 002y De = 001, MUAY Re cael sri amin tl component de potaia unde ya pen Solu: La distorsin arménica oles tub = Vo} + DE = DE = Vioay> (oa) > (OI) = on Lapotenca fundamental calla con la cua (12.35) 8 (4ay(sn) 2 La potensa total calcd con I eeunin (12.37 65 por tanto P= (1+ THD)P, ~ (1+ (04)o4 ~ (L01)64 total = ow (Observe que la potenca tolal se debe principalmente a componente fundamental incluso con 10% de distorsi del segundo arménio.) Descripcién grafica de los componentes arménicos de una sefial distorsionada po {Una forma de onda distorsionada como la que ocure en operacin clase B se puede representar ‘por medio del anlisis de Fourier como tna forma de onda fundamental con componentes amé- nicos. La figura 12.21a muestra un semicilo positive como el tipo que darfa por resultado un lado de un ampliicador clase B, Con la tenicas de ands de Fourier podemos obtener el com- ‘ponente fundamental dela sefaldistorsionada como se muestra en la figura 12.21b, Asimismo, ‘el segundo y tecer componentes arménicos se obtienen y muestra en las figuras 1221c y d, respectivamente, Si tlizaos la técnica de Fourie podemos consteur la forma de onda distor sionada sumando los componentes fundamental y arménicos, come se muestra en la figura 12.21e, En general, se puede representarcualquicr forma de onda distosionada priédica con la suma de un componente fundamental y todos los componentes arménicos, cada uno de ampli- tud variable y a Varios éngulos de faseDISIPACION DE CALOR 697 poset png esd dane Die UN TRANSISTOR Component de segando arse Yysen3or . 7 7 7 @ Vom de onda eiginada por el componeste sandaentlyelsegundo y exer a6aicos FIG. 12.21 Representacién fica de una sel distorsionada por medio de los componentes arménicos. \CION DE CALOR DE UN TRANSISTOR DE POTENCIA ‘Aun cuando se uilzan circuitos integrados en aplicaciones de seal pequefia y baja potenca, la ‘mayorfade las aplicaciones de alta potenci ain xequierentansistores de potencia indvidvales Las mejoras on las tSenieas de produccin han permitido obtener valores nomsinales de potencia és altos en cépsulas pequesias, han incrementado el volaje de ruptura maximo de los transis- 27 La potencia maxima manejada or ua dispositive particle Ia temperatura en las uniones e un tansistorestn relacionadas, puesto que la potencia disipada por el dispositive ineremen- (ala temperatura en fa unin de ése. Obviamente, un transistor de 100 W tendeé més eapacidad de potencia que uno de 10 W. Por ta parte las tenicas correctas de disipacién de calor pera tirdn opera un dispositive a casi lamitad des valor nomsinal de potencia mixim ‘De los dos tipos de transstaes bipolares —germanio y silicio— fos de slicio proporcionan rmayores valores nominales de temperatura miximos, En general, [a temperata minima de ‘nidn de estos pos de tansstoes de potecia ex como sigue Silicio 150-200°C Germanio 100-110°C ara muchas aplicaciones la potencia dsipada promedio se puede representar de forma apro- ximada como Po = Veale (12.38) Esta disipacin de potenci, sin embargo, se permite slo hasta na temperature méxima. Por arriba de esta temperatura la capacidad de dsipacin del dispositive de potencia debe reduc se de modo que a mas ata temperatura dela céprula la capaidad de manejo de potencia se reduce a 0 W ala terperstura mixima de la psula del dspositvo.698 AMPLIFICADORES DE POTENCIA, Fig. 12.22 Disipadores de calor de potencia ipicos ‘Cuanto més grande sea la potencia manejada por ol transistor, mis alte ser le temperatura de la cépsula, En realidad, el {actor limitante del manejo de potencia dea transistor particular ce la temperatura de la unién del colector del dispositive. Los tansistres de potencia se mon- tan en grandes cépsulas de metal pata proporcionar una gran étea por la eual se pueda iradiar (tcansfri) el calor generado por el dispositive. Aun asi, la operaci6n de un transistor directa ‘mente al zite (monlado en una tarjeta de plistico, por ejemplo) limita de manera grave el valor nominal de potencia del dispositive. Si en cambio (como se acostumbra), el dispositive se mon- ta sobre un dsipador de calor, su eapacidad de manejo de potencia puede aproximarse al valor ‘nominal méximo.En la figura 12.22 se muestran algunos disipadores de calor. Cuando se utli- za.un dsipador de calor el calor producido por el transistor que dsipala potencia iene wn rea mayor para iradiar ((ansferi) el calor al aie, con lo cual se mantiene la temperatura de la psu. un valor mucho mis bajo del que resultarfa sn el disipador de calor. Aun con un dsi- pador de calor infinite (que, desde luego, no esté disponible), con el cual Ia temperatura de la ‘cépaula se mantone ala temperature ambiente (del aire), la unién se calenaré muy por arriba dela temperatura de la edpsulay se debe considerat un valor nominal de potencia mixin ‘Como incluso un buen disipador de calor no pede mantene la temperatura dela c@psula de un \eansistor ala temperatura ambiente (La cusl, entre paréntesis, podria ser de més de 25°C si el circuita se encuentra confnado en un éea donde otto dispositive también iradian una gran caa- tidad de calor). se requierereducir la capacidad de dsipacin de potencia nominal méxima perm tida para un Gansistor particular como una funcién dela temperatura del epsula incrementada ‘La figura 1223 muestra una tipica curva de reduceién dela eapacided de dsipacin de poten- cia de un transistor de silico, La curva muestra que el fabricante especificaré un punto de alta \emperatura (no necesariamente de 25°C), después de la cual ocurre una reduccién lineal de la capacidad de disipacign de potencia, Para el de silico, la potencia maxima que deberé manejar €1 dispostivo no se reduce a 0 W hasta que la temperatura de la cépsta sea de 200°C, iipacin msxima otal enti a 3 Pr 2s 0 9S 100 195 150175 200 “Temperatura del pela (C) FIG. 12.23 Curva de reduccin dela capacidad de dsipacion de potenca tipca para transistoresdeslici No se equiere una curva de reduccin puesto que la misma informacién podtie dase sinsple- smente como us factor de devaluacia eal hojadeespeificaciones del dispositive. Expresado dle manera matemica, tenemos factor de reduccién Po(temp,) = Po(temps) — (Temp; Tempo}{ de la capacidad de (12.39) disipacién de potenca, donde el valor de Temp, es la temperatura a la cual dsbe iniciar la reduocién de la capacidad de disipaciéa de potencia, el valor de Temp, e la temperatura particular de interés (Sobre el valor ‘Temp.), Po(temp,) y Po(Cemp,) son ls isipaciones de potencia méximas alas temperaturases- pecificadas, y ol factor de reduccién de la capacidad de disipacién de potencia es el factor dado pporel fabricante en watts (0 miliwatts) por grado de temperatur Da rarer EIEMPLO 12.17 Determine qué disipacion méxima se pemmitir para un transistor de silicio de ‘80 W (valuade 2 25°C) si se requiere que se reduzca la capacidad de disipaci6n de potencia sobre 25°C por un factor de reduccidn de 0.5 W/"C a una temperatura de la cdpsula de 125°C, Soluclin: —p,(125°C) = Pp(25°C) ~ (125¢C ~ 25°C)(05 W/*C) 80 ~ 100°C(0.5 W/°C) = 30W2s interesante observar qué valor nominal de potencia resulta cuando se utiliza un transistor DISIPACION DE CALOR 689 sin disipador de calor. Por ejemplo, un transistor de siicio con un valor asignado de 100 W a (o DE UN TRANSISTOR por debajo de) 100°C esté devaluado a s6lo 4 W a (0 por debajo de) 25°C, la temperatura al DE POTENCIA aire libre, Por tanto, cuando se utiliza sin un disipador de calor, el dispositive puede manejat un maximo ée s6lo 4 W 2 la temperatura ambiente de 25°C. Uiilizar un disipador de calor lo bastante grande para mantener la temperatura de la cépsula « 100°C y 100 W permite operar al valor nominal de potencia maxima Analogia térmica de un transistor de potencia La seleceién de un disipador de calor adecuado requiere un detalle may minucioso que no se necesita, dadas nuestras consideraciones hisicas presentes del transistor de potencia. Sin embargo, ‘més detalles en relacin con las caracterfsticastérmices del transistor y su relacién con la dis- pacién de potencia del transistor, pueden ayudar a tener una idea més clara de cémo la empe- ‘atura Limita Ia potenea, EI siguiente anlisis es bastante stil ‘Una ilustracién de cémo la temperatura de la unién T,, la temperatura dela cépsula Tey la temperatura ambiente T, estin relacionadas por la capacidad de manejo de calor dl disposi- tivo (un coeficiente de temperatura normalmente llamado resistencia tmica) se presenta en ln analogia térmica a eléctsica mostrada en la figura 12.24 / | Temperatura del wi “Tempersaa dea capa Te) oS ‘Aisne yconacio “Tempera el sipador de aor Ts) Disipador de calor empezar ambit Fy) h OO +855 +8 Cero sbclto Fig. 12.24 Analogta térmica a eléerica En a analogia térmica a eléctic, se uli el tmino resistencia térmica para descibit los efectos del calor mediante un tino eléctrico. Las términos que aparecen en la figura 12.24 se efinen como sigue resistencia tmica total ente fa unig y el medio ambiente) resistencia térmica del transistor (entre la unién y la cépsula). resistencia térmica del aislante (entre la cépsula y el disipador de calor 4 = resistencia térmica dl dsipador de calor (entte el disipador de calor y el medio ambiente). (Con la analogia elétrica para las resistencias tfrmicas, podemas escribir On = Bie + Bes + Osu (12.40) ‘También podemos utilizar la analogia con la ley de voltajes de Kirchhoff para obtener T) = Pia + Ts (12.41) La lima relaci6n muestra que la temperatura de la uni6n “Mota” en Ja temperatura arsbiente, y ‘evanto mas alts la temperatura ambiente, mas bajo ex el valor de disipacin de potencia per- sito del dspositivo El factor térmico 0 informa sobre qué lana reduccign (oclevacin) de la temperatura resulta «on una eantidad daa de disipacin de potencia. Por ejemplo. el valor de @yc sue ser de alrede- or de 0.5°C/W. Esto significa que con una disipacién de 50 W, la diferencia de temperatoraTo AMPLIFICADORES DE POTENCIA, FIG, 12.25 Circuito de amplifcador clase C entre la toraperatura de la ces de slo 5 T, ~ Te = Po = (O.5°C/W)5OW) = 25°C Por tanto, sel isipador de calor puede mantener laeSpsula , digamos, 50°C, entonces la unign estd a solo 75°C. Esta es una diferencia de temperatura relativamente pequeia, sobre todo a niveles bajos de disipacién de potencia. FE] valor de la resistencia témica de la unin al are libre (sin disipador de calor) por lo ge- eral es de sala (medida con un termopar y Ie temperatura interna dela unién Oy = 40°C/W alae tire Para esta resistencia térmica, s6lo 1 W de potencia disipada origina una temperatura de la uni6n 40°C ms alta que la temperatura ambient. Ahora ze puede ver que un disipador de calor genera una baja resistencia térmica ene la cip- sulay el aire, mucho menor que el valor de 40°C/W de la cApsula del tansistor sola. Con un Aisipador de calor que tiene O54 = 2°C/W y con una resistenci térmica aislane (entre la cipsula y disipadar de calor) de Bes = 08'C/W ¥ por lkimo, para el transistor, Go) = 05°C] cobtenemos On = O54 * Bee * Bey O°C/W + O8C/W + O5°C/W = 3.3°C/W {As que, con un dispador de calor, la resistencia témica ene el ate y la unin es de slo 45.3°C/W, comparada con 40°C/W para el wansistor que opera drectament lsc libre. Con cl valor de anterior para un trasistcroperado a, por ejemplo, 2 W, ealculamos T= T= OnPp = (33°C/WY2W) = 66°C Dicho de ora manera el ws de un disipadar de calor en este ejemplo permite un ineremento de so 66°C dela temperatura de la unién comparado cone increment de 80°C sin un dispador de ear. ee EIEMPLO 1218 Se viliza un tansistor de poteacia de silcio sin disipador de calor (8 = 15°C/W). Bl tansistor, de 150 W (25°C), tiene 8)¢ = 0.5°C/W, y el aislante de rmontaje tiene Oc, = 0.6°C/W. ,Qué potencia méxima se puede disipar si la temper ambiente es de 40°C y T),,, = 200°C? Solucién: Dot 200°C = 40°C Fic ¥ Ues + Oey OSCIW = O8'CIW + LS°C/W Po asw 8 AMPLIFICADORES CLASE CY CLASE D e plificadores clase C, aunque no se vtlizan como amplificadores de audio, s{se wilizan‘anto en ‘ircuitos sintonizados como en sistemas de comunicaciones ‘Amplificador clase C ‘Un ampliicador clase C, com el de la igure 12.25, se polaiza para que opere a menos de 180°C del ciclo de la seal de entrada. El crcuitosintonizado en asada, sin embargo, poporcionaré un ciclo completa de la seal de salida ala frecuencia fundamental oresonante del circuit sntoniza- do (circuito tanque Ly C) de la slid. Por consiguicnte, este tipo de operacinestéimitado en st ‘so a una frecuencia fija, como ocurre en un citeuito de comunicaeiones, por ejemplo, La opera- «nde un citcuito clase C no esta pensada para amplificadores de potenciao de gran seal ‘Amplificador clase D Un ampliticador clase D estédiseado para que opere con sefales digitales 0 de pulsos. Con ‘este tipo de circuit se logra una eficiencia de més de 90%, lo que lo hace bastante deseable enamplificadores de potencia. Se necesita, sin embergo, convertir cualquier sefal de entrada en una forma de onda pulsante antes de wulizarla para excita una carga de gran potency luego vol- vera convertirla seal en una seta senoidal afin de recuperar la sedal original. La figura 12.26 muesta cémo se puede convert una seal senoidal en una seal de pulsos con alguns forma de fonda de diente de sierra orecortada, para que se eplique junto con la entrada aun circuito de am- plilicador operacional po comparador, de modo que se produzca una sefal de pulso sepresen- (ative, Aungue se ulliza la Jetza D para describ el siguiente tipo de operacin de polaizacicn ‘espués de la clase C, la D también podsta significar “Digital”, puesto que tales la naturaleza Ge las seBalesproporcionadas al ampliicador clase D % J suse . | \| 7 Form coda de oad / v. sv : roma FIG. 12.26 Recorte de una forma de onda senoidal para producir una forma de onda digital La figura 12.27 muestra un diagrama de blogues de la unidad requerida para ampliicar la sofa clase D y Tuogo converts de evo en una sei senoidal mediante wn filtro pasobajas ‘Como ios dispostivos transstorizados de los amplficadoreswilizados para generar la salidaes- tin bésicamente apagados 0 encendidos, proporcionan corriente slo cuando estén encendidos, con poca pédida de potencia por #4 bajo vollaje de “encendido”. Como la mayor parte de la poteacia aplicada al amplidicador se wansfiee a a cagg, la eficiencia del cixcuito en general es muy alta, Los dispostivos de potencia MOSFET han sido los preferidos come dispositivas de control del ampliicador clase D. AMPLIFICADORES. CLASE CYCLASE D Reconviene la veils FIG. 12.27 Diagrama de bloques de un amplificador clase D. 7 a ligalesensenoidales, 701702 AMPLIFICADORES. DE POTENCIA 12.9 _RESUMEN Conclusiones y conceptos importantes 1, Clases de ampliticadores Clase A. La ctapa de sali conduce durante 360° (un cicto completo de a forma de ond). (Clase B. Cada una de las etapas de slide conduce durante 180°C (juntas proporcionan un clo complet) Clase AB. Cada una de la etapas de slida conduce durante 180°C y 360°C (proporcionan, uu cielo completo con menos eficienci) Clase C. La ctap de sala conduce durante menos de 180°C (atlizada en citcuitossito- sizados), Clase D. Opera con setales digitaes ode puso, Eficiencia de un amplificador: Clase A Efciencia maxima de 25% (sin transformador)y 50% (con tansformados) Clase B. Etciencia maxima de 78.5%. 3, Consideraciones acerca dela potencia: 4. La fuente de alimentacién de ed proporciona lapotenca de entrada be. La potencia de salda es Ia que se entregaa la catea «, La potencia disipada por los dispostivos actives es en exencia Ia diferencia entre las ppotencias de entrada y sada 4, La operacién push-pull (complementaria) en general es la opuesta de Los dispostivos con tu petiodo de encendido a a vez: una “erapuja” durante un semiccloy Ta otra ala” du- zante el otto semiciclo 5. Distorsidn arménica se refer ala naturaleza no senoidal de una forma de onda peri6ica ta distorsién se define como perteneciente a la frecuencia periéica y a miltipls de dicha Arecuencia 6. Disipador de calor se climinar el calor generado en un elemento del circuito. real uso de ofpeulas © marcos metéicos o ventladores, para Ecuaciones: P,(ed) = Vecleg P,(ca) = Ver(tms)fe(rm) = Pe (ams Re Ve(oms) - Hen ‘cal Me(P) Patea) eer) 5 Viz(p-p) aR iG Pica) Accién de wansformador: un x 100%