" ACERCA DE LOS AUTORES C. J. SAVANT, Jr., es un ingeniero dedicado a la educacin, Recibié su Ph.D. cum laude de\ California Institute of Technology y ha impartido cétedra en el sistema de la California State University, en los campus de Long Beach y Los Angeles. El doctor Savant posee el “Premio al Profesor Distinguido” otorgado por la California State University y constantemente es elegido por sus alumnos como el “profesor ‘més querido del Departamento de Ingenierfa Eléctrica” en la misma universidad. MARTIN S. RODEN es Jefe del Departamento de Ingenierfa Eléctrica y de Computacién en la California State University en Los Angeles. El Dr. Roden recibié su BSEE summa cum laude del Polytechnic Institute of Brooklyn, y iuego pas6 cinco.afios haciendo investigacién en los Laboratorios Bel, el'Iugar de na~ cimiento del transistor. Su interés en la educacién lo llev6 a la academia, donde ‘ocupé los cargos de Jefe de Departamento, Decano Asociado, Decano y Vicepre- sidente Asociado varias veces. Sin embargo, el principal amor del profesor Roden sigue siendo la ensefianza, por lo cual se le otorg6 el Premio al Profesor Dist guido de la Universidad. Es un miembro muy activo de la TEEE, obtuvo el Premio ‘al Consejero mas Distinguido, y es miembro del Institute for the Advancement of Engineering. GORDON CARPENTER es un Teniente Coronel retirado de la Fuerza Aérea de Jos Esiados Unidos, donde acumul6 més de veinteafios de experiencia en el diseio - y desarrollo de alta teenologia para el equipo de la USAF. Esta experiencia hizo al profesor Carpenter muy realista en sus métodos de educaci6n de los futuros inge- nieros. En su carrera en la Fuerza Aérea como director de R&D, entrené nuevos ingenieros para desarollar especificaciones de hardware a partir de requerimientos de sistemas y asegurar que el hardware pueda constrirse para cumplir esas es- pecificaciones. El Coronel Carpenter es un convencido partidario de la educacién orientada al disefo, y su experiencia prictica ha sido esencial para este texto.VvPREFACIO La presente obra ha sido escrita para utilizarse como texto en los cursos de clectrénica bésicos en programas de pregrado en ingenieria. El libro cubre tres &reas:- dispositivos discretos, circuitos integrados lineales y circuitos integrados Ip lp CA GIL Repién desérica o » © en directo. La regi6n desértica disminuye de tamafio debido a la atraccién de pportadores mayoritarios al lado opuesto. Esto es, el potencial negativo ala derecha atrae huecos a la regién p, y viceversa. Con una regién desértica més pequefia, la corriente puede fluir con mayor rapidez. Cuando.se polariza en directo, Ip—Is =I después-de alcanzar el equilibrio, donde J es la corriente a través de la uniGn. Por otra parte, si la tensi6n se aplica como en la figura 1.11(c), el diodo se polariza en inverso. Los electrones libres se llevan del material n hacia la derecha; ¥¥ del mismo modo, los huecos se llevan hacia la iaquierda. La regiGn desértica se ‘hace més ancha y el diodo acta como un aislante. Cuando se polariza en inverso, Is — Ip =1 luego de alcanzar el equilibrio, donde es 1a corriente a través de la unién. Operacién del diodo En la figura 1.12 se ilustran las earactersticas de operacién de wn diodo practice. Esta curva difiere de la caracterstica ideal de la figura 1.9(0) en los siguientes puntos: conforme la tensién en directo aumenta més allé de cero, la cortiente no fluye de inmediato. Es necesaria una tensién minima, denotada por V3, pare obtener una coriene significtiva. Conforme la tension tiende aexceder V, 8 €0- riente aumenta con rapide. La pendiente de la curva caracerstca es grande Pero ‘no infinita, como en el caso del diodo ideal. La tensién minima necesaria para obte- ner una corriente significativa, V,, es aproximadamente 0.7 V para semiconductores 39 Ma12 Capitulo 1 Andlisis de ciruitos con diodos semiconductores Figura 12 (Caracteriieas de operacin del dodo, Regi de polasiacion Repisn de potaizacion en desto 02 07 * Conesie |v, SH e pdida reste & Roprra de svalancha 4e silcio (a temperatura ambiente) y 0.2 V para semiconductores de germanio. La Giferencia de tensién para el silico y el germanio radica en la estructura at6mica e los materiales. Para diodos de arseniuro de galio, V, €s més 0 menos 1.2 V. ‘Cuando el diodo esta polarizado en inverso, existe una pequefia cortiente de fuga. Esta corrente se produce siempre que la tensién sea inferior a la requerida para romper la unién. La comiente de fuga es mucho mayor para los diodos de germanio que para los de silicio 0 arseniuro de galio. Si la tensién negativa es lo suficientermente grande como para estar en la regién de raptura, podria destruirse un diodo normal. Esta tensién de ruptura se define como tensién inversa pico (PIV, ‘peak inverse voliage) en-las especificaciones del fabricante (el Ap. D contiene hojas de especificaciones representativas. A menudo se hard referencia a ellas en €l texto, por lo que serfa conveniente tomar unos minutos para localizarlas en este momento). La curva de la figura 1.12 no esté a escala en la regi6n inversa, ya {que la ruptura por avalancha suele tener valores negativos de tensiGn elevados (generalmente 50 V0 més). El dafio al diodo normal en ruptura se debe a la avalancha de electrones, que fluyen a través de la uni6n con poco incremento en la tensién, La corriente muy grande puede destruir el diodo si se genera excesivo calor. Esta ruptura a menudo se conoce como la tensién de ruptura del diodo (Ve.1.2. Diodos semiconductores 13 Figura 1 Modelos de diodes o7v 7 Ry Diode ideat (© Modelo en ed (dteto einvers) ie z (@) Model simple en oa pars el diodo polarizado en inverse (© Modelo en ca para el diodo polaraado en diecto Los diodos se pueden construir para utilizar Ia tensién de ruptura a fin de simular ‘un dispositivo de control de tensidn. El resultado es un diodo Zener, que se analiza en la seccién 1.6. 1.2.3 Modelos de suite equivalentes del diodo cireuito mostrado en la figura 1.13(a) representa un modelo simplificado del diodo de silcio bajo condiciones de operacién en cd tanto en directo como en inverso, Las relaciones para este modelo se aproximan a las curvas de opereciGn del diodo de la figura 1.12. El resistor R representa la resistencia en polarizacion inversa del diodo y, por lo general, es del orden de megaohms (MO). El resistor ‘Ry representa la resistencia de bloque y contacto del diodo, y suele ser menor que ‘50.2. Cuando se encuentra polarizado en directo, el diodo ideal es un cortocireuto, 6 resistencia cero. La resistencia de circuito del diodo préctico modelado en la figura 1.13(@) es BUR) Ry a *14 Capitulo 1 Anélisis de circuitos con diodos semiconductores Bajo condiciones de polarizacién en inverso, el diodo ideal tiene resistencia infinita (Circuito abierto), y la resistencia de circuito del modelo prictico es R,. El diodo {deal que es parte del modelo de la figura 1.13(a) esté polarizado en directo cuando Ja tensiGn entre sus terminales excede de 0.7 V. Los modelos de circuito en ca son més complejos debido a que la operacién del diodo depende de Ia frecuencia. En la figura 1.13(b) se muestra un modelo simple en ca para un diodo polarizado en inverso. El capacitor, Cy, representa Ja capacitancia de unin. En la figura 1.13(€) se muestra el circuito equivalente fen ca para un diodo potarizado en directo. El modelo incluye dos capacitores, el capacitor de difusién, Cp, y el capacitor de unién, Cz. La capacitancia de difusién, Cp, se aproxima a cero para diodos polarizados en inverso. La resistencia dindmica es ra y esté dada por la pendiente de la caracteristica tensiGn-corriente. A baja frecuencias, los efectos capacitivos son pequefios y ra és el tinico elemento significativo. 1.3 FISICA DE LOS DIODOS DE ESTADO SOLIDO Ahora que se ha analizado la construccién del diodo y presentado una breve in- troduccién a los modelos pricticos del diodo, se explorardn algunos aspectos més detallados de las diferencias entre diodos précticos ¢ ideales. En el apéndice B se incluyen detalles adicionales. 1.3.1 Distribucién de carga [Los diodos se pueden visualizar como la combinacién de un semiconductor de tipo n conectado a un semiconductor de tipo p. Sin embargo, en una produccién real, se forma un solo cristal semiconductor con una parte del cristal contaminada por material de tipo n y la otra parte contaminada por material de tipo p. ‘Cuando existen materiales de tipo p y de tipo n juntos en un cristal, se produce ‘una redistribucién de carga. Algunos de los electrones libres del material n migran 2 través de la-unién y se combinan con huecos libres en el material p. De la misma forma, algunos de 10s huecos libres del material p se mueven a través de la uni6n y Se combinan con electrones libres en el material n. Como resultado de esta ‘edistribucién de carga, el material p adquiere una carga negativa neta y el material 1m obtiene una carga positiva neta. Estas cargas crean un campo eléctrico y una diferencia de potencial entre los dos tipos de material que inhiben cualquier otro movirhiento de carga. El resultado es una reduocién en el nmero de portadores de Corriente cerca de la unin, Esto sucede en un érea conocida como region desé El campo eléctrico resultante proporciona una barrera de potencial, 0 colina, en 421.3 Fisica de los diodos de estado sdlido 15 Figura 114 ‘Bueras de potecil. Potéacat Posiiéa tuna diteccién que inhibe la migracién de pontadores a través de la uni6n. Esto se muestra en la figura 1.14. Para producir una corriente a través de la unién, se ‘debe reducir la barrera de potencial o colina aplicando una tensi6n con la polaridad aptopiada a través del diodo. 1.3.2. Relacién entre la corriente y la tensién en un diodo Existe una relacién exponencial entre la corriente del diodo y el potencial aplicado. Es posible escribir una expresi6n dinica para la comiente que se aplique a condi- ciones de polarizacién tanto en directo como en inverso. La expresin se aplica siempre que la tensién no exceda la tensiGn de ruptura. La relacién se describe por medio de la ecuacién (1.1). [exe (22) - 1] an Los términos de la ecuacién (1.1) se definen como sigue: ip ip = comtiente en el diodo up = diferencia de potencial a través del diodo I, = comriente de fuga q = carga del electrén: 1.6 x 107" coulombs (C) k= constante de Boltzmann: 1.38 x 10-# °K T = temperatura absolvta en grados Kelvin rn = constante empirica entre 1 y 2, que a veces se refiere como el factor exponenciai de idealidad 4316 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores La ecuacién (1.1) se puede simplificar definiendo wr wet a q Esto da inele [= (2) 5 H| a2 Si se opera a temperatura ambiente (25°C) y sélo en la regién de polarizacién en directo (vp > 0), entonces predomina el primer término en el paréntesis y la corriente esté dada aproximadamente por ip = Teexp. (3) as) Estas ecuaciones se ilustran en la figura 1.15, La comrente de ssturacin inversa, Ie, eS funcign de la pureza del material, de la contaminacién y de la geometia del diodo. La constante empirica, n, es un ‘iimero propiedad de la construcciGn del diodo y puede variar de acuerdo con los niveles de tensiGn y de corriente. Sin embargo, algunos diodos operan sobre un ‘ntervalo considerable de tensign con una constante n aceptable. Si m = 1, el valor de nVp es de 26 mV a 25°C. Cuando n = 2, nVp tiene un valor de 52 mV. Para diodos de germanio, por lo comin se considera que n es 1. Para diodos de silcio, 1a teorfa de Sah-Noyce-Shockley (SNS) [47] predice que n deberia ser 2. Aunque se predice el valor de 2, muchos diodos de silicio operan con n en el intervalo 13 a 16. El valor de n puede variar un poco, inclusive en una produccién particular debido a la tolerancia durante Ia fabricacién, la pureza del material y los niveles de contaminacién ((36], Sec. 1.2). ‘Ya se tiene la informacin necesaria para evaluar Ia relacién entre la corriente ¥y Ta tension en un punto de operacién Q. Aunque las curvas para la regién en directo mostradas en la figura 1.15 recuerdan una linea recta, se sabe que la linea ‘no es recta, ya que sigue una relacién exponencial. Esto significa que la penidiente de la linea se modifica conforme cambia ip. Se puede diferenciar Ia expresién de Ja ecuacién (1.3) para encontrar la pendiente en cualquier ip dada: io [oe (38)] wp a as) Para eliminar la funci6n exponencial, se resuelve la ecuaci (1.2) a fin de obtener ee aaFigura 115 Relacin tensiGn-comiene en el dodo 1.3.3 1.3. Fisica de los diodos de estado s6lido 17 ip= le av; (Sato region deca) vy % (Toda ta curva) ip Te +1 vw (3%) ‘Entonces, al susttur esta expresi6n en la ecuacién (1.4) se tiene dip Gv +h) dup Vy La resistencia dinfmica, rg, ¢s el reefproco de esta expresi6n, © Vr . Vr “+ ~ t4 ip ‘Aunque se sabe que ra cambia cuando cambia ip, se puede suponer fija para um intervalo de operaciGn espectfco, Se utiliza el término Ry para denotar 1a resistencia del diodo en directo, la cual se compone de rg y la resistencia de contacto. Efectos de la temperatura ‘La temperatura tiene un papel importante en la determinacién de las caracteristcas coperacionales de los diodos. Los cambios en estas caracteristicas provocados por cambios de temperatura requieren ajustes en el disefio y empaquetado de los Circuitos. 4518 Capitulo 1 Andlisis de cireuitos con diodos semiconductores Figura 1.16 7 Dependencia de Ip hacia la tempera. TT To T>T\>T Vy Conforme aumenta la temperatura, disminuye la tensién de encendido V;. Por otra parte, un descenso en la temperatura provoca un incremento en V,. Esto se ilustra en la figura 1.16. Aqui V, varia linealmente con la temperatura de acuerdo ccon la siguiente ecuacién (se supone que la corriente del diodo, ip, se mantiene constante): Vy(Ty) — Va (To) = RT — To) donde Te = temperatura ambiente, 025° T; = nueva temperatura del diodo en °C Vi(C,) = tens del diodo a temperatura ambiente VAT k = coeficiente de temperatura en V/°C tensién del diodo a la nueva temperatura ‘Aunque de hecho k varia con cambios en los parémetros de operacién, la préctica estindar en ingenier‘a permite suponer que es constante. A continuacién se mues- tran valores de k para varios tipos de diodos ({50}, Sec. 1.11): ~2.5 mVFC. para diodos de germanio -2.0 mVFC para diodos de silicio 1:5 mVFC para diodos de Schottky 46Ejercicios 1.3. Fisica de los diodos de estado sélido, 19 Vy(Zz) es igual a os valoces mostrados abajo. diodos de silicio: onVv diodos de germanio: o2V diodos Schottky: 03V diodos de arseniuro de galio: 1.2 V La comiente de saturacién en inverso, I,, es otro pardmetro que depende de Ja temperatura. Aumenta aproximadamente 7.296/°C para diodos tanto de silicio ‘como de germanio. En otras palabras, J. se duplica mas o menos por cada 10°C de aumento en la temperatura, La expresiOn para la corriente de saturacién inversa fen funci6n de la temperatura es IAT) = ToT exp [BCT - T)] donde kj =0.072/C y Ty 7; son dos temperaturas diferentes. Esta expresi6n se puede simplificar y reesctibir como: To(Pa) = ToT APO as) Esta simplificacién es posible porque OP a2 1.1 Cuando un diodo esté en conduccién a 25°C, hay una cafda de 0.7 V entre sus terminales. {Cufl es la tensi6n, V>, a uavés del diodo a 100°C? Reps Vj, =0.55.V 1.2 El diodo descrito en el ejercicio D1.1 se enfria a ~100°C. ;Cusl es la tension necesaria para establecer una corriente apreciable a la nueva temperatura? Resp: Vy =0.95.V Lineas de carga del diodo ‘Como el diodo es un dispositivo no lineal, se deben modificar las técnicas estindar de anilisis de circuitos. No se pueden escribir ecuaciones simples y resolver para las variables, ya que las ecuaciones s6lo son vélidas dentro de una regién particular de operacién. a a20 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores Figura 117 ‘Gauita con dio. (2) Circuito del diodo Vs % Noo 8s IR + Yoo (©) Linea de carga en ef dodo ‘A menudo un circuito cofitiene fuentes de ed y fuentes variables en el tiempo. Si se hace a las fuentes variables iguales a cero, la tnica energfa suministrada a Jos circuitos proviene de las fuentes de cd. Con las fuentes variables en el tiempo fuera del circuit, la tensi6n y la corriente en el diodo definen lo que se conoce como punto de operacién en reposo (punto Q). En a figura 1.17(a) se ilustra un cicuito con un diodo, un capacitor, una fuente y dos esistores. Si se denomina a la corrientey ala tensiGn del diodo como las dos inobgnitas del circito, se necesitan dos ecuaciones independientes que incluyan estas dos incégnitas para encontrar una soluci dnica para el punto de operacién. Una de las ecvaciones es la restricci6n proporcionada por los elementos conectados al diodo. La segunda es la relacién real entre corviente y tensi6n para el diodo. Esias dos ecuaciones se deben resolver simulténeamente para determinar la tensi6n y la corriente en el diodo. Esta solucién simulténea se puede levar a cabo en forma gréfica. Si-en primer lugar se toma la condicin de cd, la fuente de tensiGn se vuelve simplemente Vs, y el capacitor es un circuito abierto (es decir, la impedancia del 481.3. Fisica de los diodos de estado sélido 21 capacitor es infinita a frecuencia cero). Por tanto, la ecuacién de lazo se puede escribir como Vs = Vp + Vai = Vo $Zii+ Jo? Vp=-Rilp+Vs a6) Esta es Ia primera de dos ecuaciones que incluyen la corriente y la tensién del iodo. Es necesario combinarla con la caracteristica del diodo y resolver para el punto de operacién, La gréfica de esta ecuacién se muestra en la figura 1.17(0) y se etiqueta como “linea de carga en cd”. La grifica de la caracteristica del diodo también se muestra en el mismo conjunto de ejes. La interseccién de las dos ‘grficas da la solucién simultinea de las dos ecuaciones y se etiqueta como “punto Q” en Ia figura. Este es el punto en el cual opera el circuito con las entradas variables iguales a cero. La Q (quiescent) denota condicién de reposo. SSi ahora se aplica una seffal variable en el tiempo ademés de la entrada de cd, cambia una de las dos ecuaciones simultineas. Si se supone que la entrada variable es de una frecuencia suficientemente alta como para permitir la aproximacién del capacitor como un cortocircuito, Ia nueva ecuaci6n est dada por (1.7): vy = va ie(Ry || Re) v= =(Ri || Radia + ¥s an De los mychos parémetros, s6lo se han considerado los componentes variables en el tiempo. (Notese la utilizaci6n de letras minisculas para las variables. Considérese Ja simbologia de etiquetas presentada al principio del texto.) Entonces, el valor total de los parémetros esté dado por y la ecuacién (1.7) se vuelve p= Voq = ~(Rs | Ri Xip ~Ipq)+ % Esta sitima ecuaciGn se etiqueta como “linea de carga en ca” en la figura 1.17(0). La linea de carga en ca debe pasar a través del punto @, ya que en los momentos en que la parte variable se hace cero, las dos condiciones de operaciOn (cd y ca) deben coincidir. Por tanto la linea de carga en ca se determina de manera \inica, ~ 4922 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores Ejemplo 1.41 h La fuente de tensién, ug = 1.1 + 0.1 sen 1000t ‘se coloca a través de una combinaciGn en serie de un diodo y un resistor de 100 2, ‘como se muestra en la figura 1.18. Encuéntrese la corriente, ip, si SOLUCION Se utiliza LTK para la ecuacién en ed a fin de obtener Ve=V,+IoRe Ye-¥y He Ibe 100 mA Esto fija el punto de operacin en cd del diodo. Se necesita determinar la resistencia dindmica (se utiliza el simbolo Ry en ver de ra, porque el primero incluye la resistencia de contacto) para poder establecer la resistencia de la uni6n polarizada fen directo para la sefial de ca. ‘Utilizando 1a ecuacién (1.4a) y suponiendo que la resistencia de contacto es despreciable, se tiene ay Ft Ow 100 ‘Ahora se puede reemplazar el diodo por un resistor de 10 9, con la salvedad de que permanezca polarizado en directo durante todo el periodo de la sefial de entrada de ca. Utlizando otra vez LTK, se obtiene vy = Ryigt Rria * Ry Rt TiO fa 0.91 sen 10008 mA Por tanto, la corriente del diodo esté dada por ip =4+0.91 sen 1000t mA ‘Como ip siempre es positiva, el diodo se encuentra potarizado en directo todo el tiempo, y la solucién esté completa. ‘ 50Figura 1 Cito con diodo en 13.5 13.6 1.3. Fisica de los diodos de estado sélido 23 bs 1000 Si la amplitud de la corriente en ca es mayor que él valor de ta corriente en cd, la solucién se debe modificar. En ese caso, cuando la amplitud de corriente en ca en la parte negativa es mayor que el valor en ed, el diodo se polariza en inverso y la coments se nul. Esta situaci we anna ena seceida 18 ¢ Capacidad de manejo de potencia Los diodos se clasifican de acuerdo con su capacidad de manejo de corriente. Las ccaracteristicas se determina por la construccién fisica del diodo (por ejemplo, el tamafo de la unién, el tipo de empaque y el tamafio del diodo). Las especificaciones del fabricante se utilizan para determinar la capacidad de potencia de un diodo para ciertos intervalos de temperatura. Algunos diodos, como los de potencia, se clasifiean por su capacidad de paso de cortiente. La potencia instanténea disipada por un diodo se define por medio de la ex- presién de la ecuaci6n (1.8): po=vpip as) Capacitancia del diodo El cireuto equivalente del diodo incluye un pequefio capacitor. El tamafio de este capacitor depende de la magnitud y polaridad de 1a tensién aplicada al diodo, asf como de las caracteristicas de la uni6n formada durante la fabricacin, En el modelo simple del diodo de unién mostrado en la figura 1.19, la regién alrededor dela unign es deficiente ef electrones y huecos. En el lado p de la unién existe una gran concentracién de huecos, mientras que en el lado 7 18 concen- traci6n de eleetrones es grande. La difusién de estos eletrones y huecos se produce cerca de la uni6n, provocando wna corriente de difusin iniial. Cuando los huecos se difunden hacia la regi6n n a través de la nin, se combinan répidamente con los electrones mayoritarios presentes en el drea y desaparecen. Del mismo modo, Jos eleetrones se difunden a través de Ia uniGn, se recombinan y desaparecen. Esto forma una regiGn desértca (a veces Hamada regién de carga espacial) cerca de la unién debido a la recombinacién de electrones y huecos. Conforme se aplica una tensi6n inversa a través de la unién, esta regi6n se ensancha, provocando que la regiGn desértca aumente de tamaio. st24 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores Movimiento de huecos debido 's polaizacin iaversa Movimiento de eleewones dbido \ - ' polaiaci savers 1 Regis TF estrics Hiuxso ——9 +0 SO Electén oe ee oo eee Figura L19 Modelo de dio y circuit equivalence 14 1.4.1 La regién desémtica actia como aislante. Por tanto, un diodo polarizado en inverso actéa como un capacitor cuya capacitancia varia en raz6n inversa a la raiz cuadrada de la tensiGn a través del material semiconductor. La capacitancia equivalente para diodos de alta velocidad es inferior a 5 pF. Esta capacitancia puede legar a ser tan grande como 500 pF en diodos de alta co- rriente (baja velocidad). Se deben consultar las especificaciones del fabricante para El lado izqujerdo de esta ecuacién es la pendiente, my, del andlisis de la secci6n anterior. El lado derécho es la méxima pendiente de la sefial de audio (es decir, el ‘méximo valor de la derivada de Vm senist). Resolviendo para el valor limite de la capacitancia, se encuentra nell ORpm aan Esta ecuacién se puede utilizar para seleccionar el valor del capacitor cuando se conoce la resistencia de carga. DI.7 Una portadora de radiofrecuencia de 15 Mz se modula con una sefial de ‘5 KHz con un {adice de modulacién de 0.5. Sila resistencia de carga del detector es 5. KM, gqué valor de capacitor se debe afiadir en paralelo a la carga para filtrar Ia sefial de radiofrecuencia? Resp: 0.013 pF DL Si el capacitor detector del ejercicio D1.7 se cambia a 0.01 pF, jhasta qué valor se puede elevar la frecuencia modulante para filtrar la RF al mismo grado que en el ejercicio D1.7? Resp: 6.37 kHz DIODOS ZENER lOTECA El diodo Zener es un dispositive donde la contaminacién se realiza de tal forma i6n caracteristica de ruptura 0 avalancha, Vz, es muy pronunciada. 6 k34 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores 1.6.1 Si la tensi6n en inverso excede la tensiGn de ruptura, el diodo normalmente no se Gestruye. Esto siempre que la corriente no exceda un maximo predeterminado y el dispositivo no se sobrecaliente. ‘Cuando un portador generado en forma térmica (parte de la corriente de satu- zacién inversa)atraviesa la barrera de la unién (véase Fig. 1.14) y adquiere energta el potencial aplicado, el portador choca con iones en el cristal e imparte sufi- ciente energia para romper un enlace covalente. Ademds del portador original, se genera un nuevo par electr6n-hueco que puede tomar suficiente energia del campo aplicado para chocar con jones en ouo cristal y crear nuevos pares elect6n-hueco. Esta acci6n contintay asf se rompen los enlaces covalentes; este proceso se conoce como multiplicacién por avalancha 0 ruptura por avalancia. Existe un segundo mecanismo por el cual se rompen los enlaces covalentes. La utilizacién de un campo eléctrico bastante fuerte en la unién puede provocar Ja ruptura directa del enlace. Si el campo eléctrico ejerce una fuerza intensa en un electrén de enlace, el electén se extrae del enlace covalente provocando Ta rmultiplicacién de pares electr6n-hueco. Eite mecanismo se lama ruprura Zener. El valor de la tensién inversa al cual se produce este fendmeno se controla con la cantidad de contaminante en el diodo. Un diodo fuertemente contaminado tiene baja tensiGn de ruptura Zener, mientras que un diodo poco contaminado tiene una tension de ruptura Zener elevada, ‘Aungue se describen dos mecanismos distintos para que se produzca la ruptura, 1 menudo se intereambian."Con valores de tensiGn por arriba de aproximadamente 10 V, el mecanismo predominante ¢s la nuptura por avalancha ((35], Sec. 2.9). Como el efecto Zener (avalancha) se produce en un punto predecible, el diodo se puede utilizar como referencia de tensiGn. La tensi6n inversa a la cual se produce la avalancha se lama tensién Zener. 1a caraceristica de vin diodo Zener tipico se muestra en la figura 1.28, El sfm- bolo de circuito para el diodo Zener es diferente del de un diodo regulary se ilustra cen Ja figura 1.28 La méxima comiente inversa, Izmuy que puede soporar el diodo depende del disefio y ta construccién de éste. La cortiende de pérdida (znia) por de- bajo del vértice de la curva caracteristica generalmente se supone que es 0.1 Tmax La utilizaciOn de Izqiq asegura que 1a curva de avalancha permanezca paralela al je ip entre Izmix € Tzmie- La cantidad de potencia que el diodo puede soportr 8 Pz = IzmisVz Regulador Zener Se puede utilizar un diodo Zener como regulador de tensién en la configuracion ‘mostrada en Ia figura 1.29. En la figura se ilustra una carga cuya resistencia puede variar sobre un intervalo particular. Este circuito se disefia de tal forma que el diodo opere en la regién de ruptura, aproximindose asf a una fuente ideal de tensi6n. La tensiGn de salida permanece relativamente constante aun cuando la tensi6n de ta fuente de entrada varfe sobre un intervalo més 0 menos amplio ({49], Sec. 4.4). 621.6 Diodos Zener 35 Figura 1.28 ip iodo Zener { Region de Regidn de polarizacisn inversa polazasin direc 1 tea 10% lami \ iodo Diode regular Zener Veni Figura 129 Regulado Zener. Es importante conoter el intervalo de la tensi6n de entrada y de la corriente de carga para disefiar este circuito de manera apropiada. La resistencia, Ry, debe set tal que el diodo permanezca en el modo de tensién constante sobre el intervalo completo de variables. ‘La ecuacién de nodo para el eircuito de la figura 1.29 da ve —Vz _u- Ve az 6336 Capitulo 1 Andlisis de cicuitos con diodos semiconductores ara asegurar que el diodo permanezca en la regi6n de tensién constante (ruptura), se examinan los dos extremos de las condiciones de entrada-salida. 1. Lacomriente a través del diodo iz es minima cuando la corriente de carga iz. es méxima y la fuente de tensi6n vs es minima, 3 2. La comriente a través del diodo iz es méxima cuando la corriente de carga iz es minima y la fuente de tensién vs es méxima. Cuando estas caracteristicas de los dos extremos se insertan en la ecuacién (1.12), se encuentra Condicién 1 Ryo em (1.138) Contcin 2: Ri = Pome V2 3b) Se igualan (1.130) y (1.136) para obtener (Ws min ~ Va Ti, mio + 12 mix) = (V5 mix ~ Ve (Ut mtx + I rain) (1.130), En un problema prictico, es razonable suponer que se conoce el intervalo de tensiones de entrada, el intervalo de corriente de salida en la carga y el valor de tensién Zener deseado. La ecuacién (1.13c) representa por tanto una ecuacién en dos incégnitas, las corrientes Zener méxima y minima. Se encuentra una segunda ecuaciGn examinando la figura 1.28. Para evitar la porcién no constante de la curva caracteristica, se utiliza la regla prictica de que la méxima corriente Zener debe ser al menos 10 veces mayor que la minima ((46], Sec. 5.4); esto es, Tenn = 0.12 wis Este ¢s un criterio de disefio aceptable ‘Ahora se escribe la ecuacién (1.13c) como Ws nia = Vala Tz ess) (Vs mia — Va) Et ts + 0.10 rte) Resolviendo entonces para la méxima cortiente Zener, se obti Tema = Lente — Vs nis) + Tn ma(Vs te ~ V2) 2 mite = Vs win — 0.9Vz — 0.1V 5 max Ahora que se tiene la méxima corriente Zener, el valor de R; se puede calcular de Ia ecuacién (1.13a) 0 de la (1.136). —$$$$$$____«Figora 130 Regulador con dado Zener. 1.6 Diodos Zener 37 Ejemplo 1.2 |, Disefio de un regulador Zener Diséfiese un regulador Zener (Fig. 1.30) para cada una de las siguientes con- diciones: a, La comiente en Ia carga varia de 100 mA 2 200 mA y la fuente de tensiGn varia de 14 V a 20 V, >. La comiente en la carga varfa de 20 mA a 200 mA y la fuente de tensién vara de 10.2 a 14 V. Utilicese un diodo Zener de 10 V en ambos casos. SOLUCION a. El disefio consiste en elegir el valor apropiado de la resistencia, Rj, y la esti- smacin de potencia para el Zener. En primer lugar se utilizan las ecuaciones de esta seccién para calcular la méxima corriente en el diodo Zener y luego. encontrar el valor del resistor de entrada. De la ecuacién (1.14), se obtiene Tome = S100 = 14+ 0.2000 ~ 10) 2 mte = 14 —9,9(10) = 0.1000) = 0.533 A 3 Entonces, de la ecuacién (1.136), se obtiene R; como sigue: Vemux—Vz___20-10 1533 +01 5.8.2 Tent * Toate No es suficiente especificar s6lo la resistencia de Rj, también se debe se- leccionar el resistor apropiado que maneje la potencia estimada. La maxima potencia esté dada por el producto de la tensién por la corriente, utilizando el méximo de cada valor. Pr = Inmis(V5 mix ~ V2) Tz mis + Tismia)(V5 mtx ~ Vz) 63 x 10= 6.3 W38 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores Por siltimo, se debe realizar la estimacién de potencia del diodo Zener. La ‘méxima potencia disipada en el diodo Zener esté dada por el producto de la tensi6n y la cortiente Pz = Vela pi = 10x 053=5.3W b. Repitiendo os pasos para los parémetros de la parte (b), se obtiene 0.02(10 — 10,2) +0.2(14 ~ 10) 10.2 = 0.9(10) = 0.1(14) Ta mis 4A El valor negativo de Iz mie indica que el margen entre Vsnin y Vz no es lo ‘bastante grande para permitir a variacin de la corrente en la carga. Esto es, bajo la condicién del peor caso de 10.2 V de entrada y 200 mA de corriente en la carga, no es posible para el Zener mantener 10 V a uavés de sus terminales. Por tanto, el regulador no opera comectamente para ninguna eleccién de resistencia. El circuito regulador Zener de Ia figura 1.30 se puede combinar con el restif- cador de onda completa de la figura 1.24 para obtener el regulador Zener de onda completa de la figura 1.31 El componente Rr se llama resistor de sangria y se utiliza para proporcionar tun trayecto de descarga para el capacitor cuando se quita la carga. Por lo comin, los resistores de sangria son resistencias altas para que no absorban una potencia significativa cuando el circuito estd en operacién. Como Ry es mucho mayor que AR, se desprecia en el siguiente andliss El valor de Cp se encuentra adaptando la ecuaciGn (1.10) a esta situaciOn, La resistencia en la ecuacién es la resistencia equivalente a través de Cr. El diodo Zener se reemplaza por una fuente de tensién, Vz. La resistencia equivalente es entonces la combinacién en paralelo de Re y Ry. Como Re es mucho mayor que Ry, la resistencia es mis © menos igual a R,. Puesto que la tensi6n a través de Rj no cae a cero, como es el caso del rectificador de onda completa, en la ecuaciGn (1.9) Vass $€ debe reemplazar por Ia excursién total de tensiGn. Por tanto, el capacitor queda especificado como en la ecuaci6n (1.15), donde se supone que @ (ia raz6n del transformador) es 1 Figura 1.31 Regulador Zeer de onda complet R, Dh Ji : no 1 ™ -} ve pt +1.6.2 1.6 Diodos Zener 39 SVs = Va) Or = ER as) La tensién més grande que se coloca sobre el regulador es Vs mux. Como antes, AV 8 el rizo pico a pico y fp la frecuencia fundamental de la forma de onda retificada (es decir, el doble de la frecuencia original para rectiicaci6n de onda completa) Diodos Zener practicos y porcentaje de regulacién En a seccién anterior se supuso que el diodo Zener era ideal. Esto es, en la regién de ruptura por avalancha, el diodo se comporta como fuente de tensién constante. Esta suposicin significa que la curva de Ja figura 1.28 es una linea vertical en la regin de ruptura. En la préctica, esta curva no es vertical, y Ia pendiente es provocada por una resistencia en serie. La tensiGn de ruptura es enfonces una funci6n de la coriente en vez de una constante. El diodo Zener prctico se modela como se muestra en la figura 1.32. Este modelo reemplaza al diodo Zener con un diedo ideal en serie con una resistencia, Rz. Para mostrar los efectos de este resistor en serie, se resuelve nuevamente el ejemplo 1,2. Se supone que se incorpora un diodo Zener préctico en el cicuito, con una resistencia de diodo Rz = 22. En ese ejemplo, se utiliza el cireuito de la figura 1.30 como un regulador donde la méxima coriente Zener es 0.53 A. Se supone que Izu es el 10% de Iznss, 0 0.053 A. Dedido a Rz, Ia tension de salida (a través de la carga) ya no es la constante 10 V. Los valores minimo yy méximo de esta tensin se encuentran a partir de la figura 1.32, uilizando los valores de corriente mfnimo y méximo. La tensién a través del diodo ideal de la figura 1.32 es 10 V, por lo que se puede escribir Vermin = 10+ (0.053 x 2) = 10.1 V Vomis = 10+ (0.53 x 2) = 11.1 V Figura 1:32. Cizeuito Zener equivalent yMe o740 Capitulo 1 Andtisis de circutes con diodos semiconductores Ejercicios El porcentaje de regulacién se define como la excursi6n de tensién dividida entre. cl valor de latensiGn nominal. A menor porcentaje de regulacién, mejor regulador. Por tanto, en este ejemplo, Vo mtx ~ Vo nip _ 1.1~10.1 rcentaje de reg. = = Ls 2 io Vo vomis 10 0.1, 0 10% Este valor d& regulacién es pobre, y la regulacién se incrementa limitando la corriente en el Zener a un valor més pequefio. Esto se consigue wilizando un amplificador en serie con la carga. El efecto de este amplificador es limitar las variaciones de coriente a través del diodo Zener. Estos amplifcadores se estudian en el capitulo 6. _ DL9 Un circuto regulador Zener (véase Fig. 1.30) tiene una entrada cuya tensién varia entre 10 y 15 V y una carga cuya comiente varia entre 100 mA y 500 mA. Encuénrense los valores de Ri ¢ Iz x Suponiendo que se uiliza un Zener de 6 V. Resp: 6.33.9; 132A D1.10 Enel ejercicio D1.9, encuéntrense las estimaciones de potencia para el diodo Zener y para el resistor de entrada. Resp. 7.94 W; 128 W D1.11 En el ejercicio 1.9, encuéntrese el valor del capacitor necesario si la fuente es Ia salida de un rectificador de media onda con una entrada de 60 Hz. Resp. 3800 uF D112 Si no se utilizara el resistor, Re, en el circuito de la figura 1.31, y hubiera un transformador de derivacién central 4:1 con una entrada de 120 V rms a'60 Hz, {qué valor para Rj seria necesario para mantener 10 V a través de una carga cuya Corriente varia entre 50 mA y 200 mA? Sup6ngase que la tensién minima permitida en Ia entrada del regulador es 14 V. Resp: 148.2 D113 {Qué valor de capacitor es necesario en el regulador del ejercicio D1.12 ‘para mantener una tensi6n minima de 14 V? Resp: 697 pF D1.14 En el circuito del ejercicio D1.12, supéngase que Ia tensién de entrada varia de 110 V a 120 V ims a 60 Hz. Selecci6nese un valor de capacitancia que se se eenww LT Disefo de una fuente de poder usando un cireuito integrado 41 ‘acomode tanto a una variaci6n de corriente de carga de 50 mA a 200 mA como a 1a variaci6n de tensiGn de entrada especificada. Resp: C= 922 pF DISENO DE UNA FUENTE DE PODER USANDO UN CIRCUITO INTEGRADO Los reguladores se empaquetan como circuitos integrados (CD; como ejemplo, se enfocari la atencién sobre la serie MC78XX. Las hojas de especificaciones apropiadas aparecen en el apéndice D, y se deben considerar durante la siguiente exposicién, Se pueden obtener varias tensiones diferentes de la serie de CI 7800; éstas on 5, 6, 8, 8.5, 10, 12, 15, 18 y 24 V. Todo lo que se requiere para disefiar un regulador alrededor de tno de estos Cl es seleccionar el transformador, 10s diodos yeel filtro. En la figura 1.33 se muestra un cireuito caracterfsico. Lanhoja de especificaciones para este CT indica que debe existir una terra comin centre Ia entrada y Ia salida, y que la tensi6n mfnima en la entrada del CI debe estar al menos.2 6 4 V por encima de la salida regulada. Para asegurar esta sltima condicién, es necesaro fltrar la salida del rectificador. En la figura 1.33, Cr realiza este fitrado cuando se combina con la resistencia de entrada del CI. La resistencia de entrada equivalente m4s pequefia del CI esté dada por Visnia/ Tints. Entonces 5(Vs mix — Vi) OF Ban fyVsmal lime am donde Vs mix €$ la tensién més grande que sé aplica al CI, AV es la caida de tensin del capacitor (es dei, la tensén pico mis pequefia aplicada al Cl menos Ja tensi6n de salida del CT més 4 V) y fp es el mimero de pulsos por segundo. El capacitor de salida, Cp, se afiade para ayudar a aislar los efectos de la err Feouncia provenines dela cuter de ears. ‘Figura 1.33. Fuente de alimensacion eguada, Sy Dt Earda oe vy [C7008 ——2 ee = cc Y 6942 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores Los reguladores de la serie MC7900 son idénticos a los de la serie 7800, con la cexcepcién de que los primeros proporcionan tensiones reguladas de salida negativas en vez de positivas. Ejemplo 1.3 a Ejercicios ‘Sup6ngase que se desea disefiar un circuito regulador con CI para generar 12 V de salida en una carga cuya corriente varia de 5a 800 mA. SOLUCION Se use el circuito de Ia figura 1.33 con un regulador 7812. La salida Gel transformador esta dada por una onda senoidal rectificada completa de amplitud 115V3/6, 0 27.1 V (cero a pico) a 120 Hz. La fensi6n minima que se desea en la entrada del CI es Vomi = 1242= 14 V donde se utilizan 2 V por arriba de Ia salida deseada, La resistencia equivalente de carga mas pequefia es le raz6n entre la minima tensién y la méxima corriente, 0 16 Bere Ry (el peor caso) La diferencia de tensi6n entre el méximo y el minimo es V=21-162111V Entonces, de la ecuacién (1.15), se resuelve para el filtro capacitor: _ S@IA= 12) = TaG@reoy20 c = 451 uF Usilizando un capacitor de al menos 451 4F, se asegura que el regulador propor- cione 12 V regulados para cualquier carga que consuma una cortiente de hasta 800 ma. eo DLS Se utiliza un CI MC7812 como regulador con un transformador con deri- vvaciOn central para hacer la rectificacién de onda completa de una sefial de 40 V de amplitud pico a pico. {Cuél es el capacitor mas pequefio que se requiere para roporcionar una salida de 12 V a 400 mA? Resp: 332 uF 7018 18 Recortadores y fijadores 43 D116 En el ejercicio D1.15 se utiliza un MC7808 en lugar del MC7812. ;Cudl es el capacitor de menor valor necesario para filtar la sefial rectificada de onda completa? Resp: 332 uF RECORTADORES Y FIJADORES 1.81 Los diodos tienen otras aplicaciones aparte de la rectificaciGn y la detecci6n. Entre ellas estén las de recortar una sefial de entrada o limitar s6lo partes de la sefal. Los Vat Vy, Gory Wie Los recortes positive y negativo se pueden realizar sirnulténeamente, El resul- tado es un recortador polarizado en paralelo, que se diseha utilizando dos diodos n44 Capitulo 1 Analisis de circuitos con diodos semiconductores PPL Figura 134 Ciruitosreconadores pcos. 1 dos fuentes de tensién orientadas de forma opuesta. El circuito produce una onda 4e salida como.1a mostrada en la figura 1.36 cuando se suponen diodos ideales. La ‘extensién a diodos précticos es paralela al andlisis que conduce a los resultados de Ja figura 1.35. Otro tipo de recortadar es el polarizado en serie, ue se muestra en la figura 1.37. La baterfa de 1 V en serie con la entrada provoca que la sefial de entrada se superponge en una tensién de cd de —1 V en vez de estar simétrica alrededor el eje cero. Suponiendo que este sistema utiliza un diodo ideal, se encuentra ue el diodo de la figura 1.37(a) conduce s6lo durante la porcién negativa de la sefial de entrada condicionada (es decir, desplazada). Cuando el diodo se encuentra fen conduccién, la satida es cero. Se tiene una salida distinta de cero cuando el iodo no conduce. En la figura 1.37(b), lo contrario es cierto. Cuando Ia sefial condicionada es positiva, el diodo conduce y existe sefial en la salida, pero cuando ¢l diodo esté apagado, no hay sefial de salida. Aungue la operacion de 1os dos nR1.8 Recortadores y fijadores 45 Figura 135 Ferma de onda de slide para el ciruito dela figure 13400. | Did en i i | — directo — | circuitos es diferente, las dos salidas son idénticas. En la figura 1.37(c) y (é) se invierte la polaridad de la baterfa, y en la salida se obtienen las formas de onda mostradas. 1.82 Fijadores Una forma de onda de tensién se puede desplazar afiadiendo en serie con ella una fuente de tensi6n independiente, ya sea constante o dependiente del tiempo. La ‘fiacidn es una operacién de desplazamiento, pero la cantidad de éste depende de la 2B46 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores oh st Van 1V Figura 137 Reconador con poarzacn en serie. Vn ent Enns () Czeito Bjador (@) Salida cuando Vp < Vn Figura 138 Circuito fjador. 741.9. Tipos alternos de diodos 47 eM) nM) iC 4 4 al £ le yk ob ' ' i ae (@) Bouade (®) Fijudor con constane de tempo grande (9. Salida con constante tempo pegueta Figura 1.39 Fijacén en cero. forma de onda real. En la figura 1.38 se muestra un ejemplo de ijacion. La forma de onda de entrada se encuentra desplazada por una cantidad que leva el valor pico de la onda desplazada al valor Vp. Por tanto la cantidad de desplazamiento es la cantidad exacta necesaria para cambiar el méximo original, Vm, al nuevo réximo, Vp. La forma de onda se “fja” al valor Vp. Si la forma de onda en la entrada cambia, a canidad de desplazamiento se modifica de manera que la saida siempre se fijaen Vp. Ast el circuito de fijacién proporciona un componente de cod necesario para lograr el nivel de fijacin deseado. Un circuito de fjacién esté compuesto de una batera ( fuente de cd), un diodo, un capacitor y un resistor. El resistor y el capacitor se eligen de tal forma que Ja constante de tiempo sea grande. Es deseable que el capacitor se cargue a un valor constante y permanezca en ese valor durante el periodo de la onda de entrada. Si se cumple esta condicién y se supone que la resistencia en directo del diodo es cero, la salida es. una reproduceién de la entrada con el desplazamiento adecuado. ‘Cuando la salida uata de exceder Va, el diodo se polariza en directo y la salida se limita a Vp. Durante esos instantes, el capacitor se carga, Cuando se alcanza el ‘estado estacionaro, el capacitor se carga al valor Ve =Vn-Va En la figura 1.39 se ilustra un eircuito de fjacién donde la salida se fija a cero (€s decir, no existe baterfa, por lo que Vz = 0). Como el diodo se encuentra en irecci6n opuesta al del cireuto previo, se fija el minimo en lugar del maximo de la salida. Se muestra el cicuito con una onda cuadrada como entrada. Es impor- ‘ante que la tensin a través del capacitor permanezca aproximadamente constante durante el semiperiodo de la onda de entrada. Una regla practica de disefio es hacer que la constante de tiempo RC tenga al menos cinco veces la duracién del semiperiodo (es decir, cinco veces 1 ~ to 0 fa ~ i). En este caso, el circuito RC tiene menos del 20% de la constante de tiempo para cargarse 0 descargarse durante €l semiperiodo. Esto coloca el valor final en poco menos del 18% del valor inicial (@ sea, exp(~0.2) = 0.82). Si la constante de tiempo es muy pequefa, Ia onda se distorsiona, como se muestra en la figura 1.39(c). ((6], Sec. 1.22.) Para reducir el error a menos del 18%, se puede incrementar la constanté de tiempo (por ejemplo, 10 veces la duracién del semiperiodo), 7 ’48 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores 1.9 TIPOS ALTERNOS DE DIODOS: 1.94 Esta secci6n presenta brevemente los siguientes tipos de diodos: ‘© Schottky ‘© Varactor Tinel Emisor de Juz Fotodiodo PIN Diodos Schottky I diodo Schottky se forma al enlazar un metal, como aluminio o platino, a sili- cio de tipo n. Se utiliza a menudo en circuitos integrados para aplicaciones de conmutacién de alta velocidad. Su simbolo y su construccién se muestran en la figura 1.40. EI diodo Schottky tiene una caracteristica de tensi6n contra comrente similar ala del diodo de unién pn de silico, excepto porque la tensién en directo, V,, es 0.3 V en ver de 0.7 V. Cuando el diodo Schottky se opera en modo directo, se induce corriente por el movimiento de electrones del silicio de tipo n 1 lo largo de fa unién y a través del metal. Como los electrones se mueven casi sin resistencia’ través de los metals, el tiempo de recombinacién es pequefio, del orden de 10 ps. Esto es més répido que un diodo ordinario de unién pn. Pot tanto, el diodo Schottky es de gran valor en aplicaciones de conmutaci6n de alta velocidad. La capacitancia asociada con el diodo es pequefia. EI material metélico en el contacto 1 y la regién n poco contaminada forman tuna unin rectificadora, mientras que la regiGn n muy contaminada y el contacto 2 forman un contacto Shmico. Los electrones en direccién directa del silicio de tipo m cruzan la unién hacia el metal, donde existen muchos electrones disponi- bles. Esto produce un dispositive de portadores mayoritarios que contrasta con Jos diodos estindar de unién pn, donde los portadores minoritarios determinan las cearactefsticas del diodo. El diodo Schottky a veces se denomina diodo de barrera, ya que se forma una barrera a través de la unién debido al movimiento de electrones del semiconductor ala interfaz metélica. Los diodos Schottky son tiles en ta tecnologia de CI porque resultan féciles de fabricar y pueden construirse al mismo tiempo que-los otros componentes del Circuito integrado (chip). La fabricacién de un diodo Schottky en un circuito integrado requiere de un paso menos que la fabricacién de un diodo de unién pm, ya ue éste necesita la difusin adicional del tipo p. Las caracteristicas de bajo ruido del diodo Schottky lo hacen ideal para aplicaciones en supervisién de potencia de radiofreeuencias de bajo nivel, en detectores de alta frecuencia y en mezcladores de radar Doppler. 16@ Conduccisa Figura 140__Diodo Schott. 1.9.3 1.9.4 1.9 Tipos alternos de diodos 49 Regién de resistencia negatva Cava pan 1 dodo roma Figura 141" Caractertcas del dio eine Diodos varactor 1Los diodos de unién pn normales exhiben capacitancia cuando se operan en modo Ge polarizacién inversa. El diodo varactor se fabrica espectficamente para operar en este modo, La capacitancia ¢s una funcién de la inversa de tensi6n, Por tanto, €! diodo actia como capacitor variable, donde el valor de Ja capacitancia es una funcién de la tensi6n de entrada, ‘Un uso comin de este diodo es en el ascilador controlado por tensién (VCO, voltage controlled oscillator). El VCO es un generador senoidal-cuya frecuencia de salida depende de la tensiGn de entrada. Diodos tunel (diodo Esaki) El diodo tinel esté més contaminado que e! diodo Zener, provocando que la zona desértica sea pequefia. Esto aumenta la velocidad de operacién, por lo que el diodo tinel es dtil en aplicaciones de alta velocidad. Conforme aumenta la po- Jarizacién directa, la corriente aumenta con mucha rapidez hasta que se produce Ja ruptura. Entonces la corriente cae répidamente. Esta caracteristica se muestra en Ja figura 1.41. La regiGn de pendiente negativa de la caracteristica se puede modelar como resistencia negativa en serie con una fuente de od. El diodo ttine! €$ Util debido a esta regién de resistencia negativa. Como ejemplo, se puede uti- lizar en conjuncién con un circuito sintonizado para producir un oscilador de alta frecuencia y alta Q. La regiGn de resistencia negativa de un diodo tinel se desarrolla de manera caracteristica en el intervalo de 50 mV a 250 mV. Esta tensiGn relativamente baja limita sus aplicaciones ((36}, Sec. 3.4). Diodos emisores de luz y fotodiodos Ciettos tipos de diodos son capaces de cambiar la fuente de energia eléctrica fuente de energla luminica. El diodo emisor de luz (LED, light emiting diode) 750 Capitulo 1 Andlisis de cireuitos con diodos semiconductores transforma la corriente eléctrica en luz. Es sil para diversas formas de despliegues, ya veces se puede utilizar como fuente de luz para aplicaciones de comunicaciones por fibra 6ptica. Un electrén puede caer de la banda de conduccién a un hueco y liberar energta fen la forma de un fotén de luz. La relacién entre momento y energia en el silicio y el germanio es tal que el electrén libera su energ(a como calor cuando regresa de la banda de conduccién a la de valencia. Sin embargo, en un cristal de arsenfuro de galio el electrén produce un fotén cuando regresa de la banda de condiuccién a la de valencia, Aunque no existen suficientes electrones en un cristal intrinseco para producir luz visible, cuando se aplica polarizacién directa, se inyecta tun gran nimero de electrones del material nal p. Estos electrones se combinan con Inuecos en el material p en el nivel de energfa de la banda de valencia, y se liberan fotones. La intensidad de la luz es proporcional a la velocidad de recombinacién de electrones y, por tanto, proporcional a la cortiente del diodo. El diodo de arseniuro de galio emite ondas de luz en una longitud de onda cercana a la banda infrarroja. Para producir luz en el intevalo visible, se debe mezclar fosfuro de galio con el arseniuro de galio. Un fotodiodo realiza la funcién inversa al LED. Esto es, transforma la fuente de energia luminica en corriente eléctrica. Se aplica polarizacién inversa al fotodiodo y la corriente de saturaci6n inversa se controla por la intensidad de luz que ilumina €l diodo. La luz genera pares electrén-hueco, que inducen corriente. El resultado es una “fotocorrente” en el circuito extemo, que es proporcional a la intensidad de luz efectiva en el dispositivo. Este se comporta como generador de corriente constante mientras la tepsin no exceda la tensi6n de avalancha. Los tiempos de respuesta son inferiores a I 4s. La sensibilidad del diodo se puede aumentar si el frea de la unin se hace mayor, ya que se pueden colectar mAs forones, pero esto también aumenta el tiempo de respuesta pues la capacitancia de unién se vuelve mayor. En la figura 1.42 se muestra un fotodiodo. La coriente inversa, —Iy, aumenta conforme lo hace la intensidad de luz, H. Se puede utilizar la ecuacién (1.18) para estimar la corriente del fotodiodo, Ip: Jp=nqH lg) cficiencia cudntica carga del electr6n: 1.6 x 107 C @ x A= intensidad de luz en fotones/s densidad de flujo de fotones en fotones/s-cm? rea de Ta unién en em? Muchos detectores de luz de silicio consisten en un fotodiodo de unién y un amplificador, casi siempre en un circuito integrado, Se deja el andlisis de este tipo de dispositivo para el capitulo 3, ———_ 8Figura 142 El fotodiodo. 1.10 Especifcaciones de los fabricantes 51 ys én 19.5 1.10 Diodos PIN Un diodo que tiene una regién poco contaminada y casi intrinseca entre las regio nes p y n se llama diodo PIN. El nombre se deriva del material intrinseco entre las capas p y n. Debido a su construcci6n, el diodo PIN tiene baja capacitan- cia y, por tanto, encuentra aplicacién en frecuencias altas. Cuando se polariza en directo, la inyeccién de portadores minoritarios aumenta la conductividad de la regign intcinseca. Cuando se polariza en inverso, la regién se vacia totaimente de portadores y Ja intensidad del campo a través de la regién es constante. La cstimacién méxima de tensi6n del diodo se determina por la intensidad del campo cerftico para la avalancha y el espesor de la regién i. Los diodos PIN se utilizan en conmutadores de radiofrecuencia, altemadores y esplazadores de fase en radiofrecuencia. Con una corriente de control variable, los diodos PIN se utilizan en modulacién de amplitud ((36), Sec. 3.4). ESPECIFICACIONES DE LOS FABRICANTES La construccién de un diodo determina la cantidad de cortiente que es capaz de ‘manejar, Ja cantidad de potencia que puede disipar y Ia tensién inversa pico que ‘puede soportar sin dafiarse. Cada fabricante desazrolla estos criterios en las ho- Jas de especificaciones del dispositive. Algunos ejemplos de especificaciones del fabricante se dan en el apéndice D. ‘A continuacidn se listan los parémetros principales que se encuentran en la hoja de especificaciones del fabricante de un diodo rectificador: 1, Tipo de dispositive con el niimero genérico de los niimeros del fabricante. 2. Tensién inversa pico (PIV). 3. Maxima corviente inversa en PIV. 4, Maxima comiente de ed en directo. 79