Electronica de Potencia Rashid Espanol PDF

Electronica de potencia Circuitos, dispositivos y aplicaciones Segunda edicién MUHAMMAD H. RASHID Ph.D... Fellow IEE Professor of Electrical Engineering Purdue University at Fort Wayne TRADUCCION: ING. GABRIEL SANCHEZ GARCIA Ingeniero Mecanico Electricista-UNAM REVISION TECNICA: ING. JOSE ANTONIO TORRES HERNANDEZ Inaeniero en Electronica Universidad La Salle, A.C. BIBLIONE. LATACE M4 PRENTICE HALL. HISPANOAMERICANA, S.A MEXICO - NUEVA YORK - BOGOTA « LONDRES « SYDNEY PARIS « MUNICH + TORONTO + NUEVA DELHT «TOKIO SINGAPUR + RIO DE JANEIRO + ZURICHo2L3e1 SBR aaad EDICION EN ESPANOL PRESIDENTE DE LA DIVISION LATINO AMERICANA DE SIMON & SCHUSTER RAYMUNDO CRUZADO GONZALEZ. DIRECTOR GENERAL: ‘MOISES PEREZ ZAVALA DIRECTOR DE EDICIONES: ALBERTO SIERRA OCHOA (GERENTE DIVISION TNIVERSIT ARIA: ENRIQUE IVAN GARCIA HERNANDEZ (GERENTE EDITORIAL: JOSE TOMAS PEREZ BONILLA EDILOK; LUIS GERARDO CEDENO PLASCENCLA, GERENTE DE EDICIONES: JULIAN ESCAMILLA LIQUIDANO SUPERVISOR DE TRADUCCION: TOAQUIN RAMOS SANTALLA. SUPERVISOR DE PRODUCCION: ENRIQUE GARCIA CARMONA BDICION BN INGLES. Publisher: Aba Apt Procicton Fair: Mona Porpili Cover Designer: Wanda Lubelska Design Copy Editor: Barbara Zeiders Prepress Buyer: Linda Behrens Manufactring Buyer: Dave Dickey ‘Supplements Editor: Alice Dworkin Editorial Assistant: Sherley McGuire ‘RASHID: ELECTRONICA DE POTENCIA, CIRCUITOS, DISPOSITIVOS ¥ APLICACIONES 2/E4. ‘Traducido del inglés de la obra: Power Electronics Circuits, Devices, and Applications All Rights Reserved. Authorized translation from english Janguage edition published by Prentice Hall Inc. ‘Todos los Derechos Reservados. Traduccién autorizada de a edividn en ingles publicada por Prentice Hal! Inc AL Rights Reserved. No part of this book may be reproduced or transmitted in any form ‘or by any means, electronic or mechanical, including photocopying recoding ot by sty information storage retrieval system. without permission in writing ere the pilisher Proihibida la reproduccisn total o parcial de esta obra, por cualquicr medio 0 método sin autorizaciGn por escrito del editor. TDerachas mservados © 1905 respecto a la primera edicién en expafiol publicada por PRENTICE HALL HISPANOAMERICANA, S.A. Enrique Jacob 20, Col. El Conde 53500 Naucalpan de Juez, Edo, de Mex. ISBN 968.880-586-6 ‘Miembro de la Cémmara Nacional de Ia Industria Editorial, Reg. Num, 1524 ‘Original English Language Eaition Published by Prentice Hal Inc, Copyright © 1993 eave eae All Righty Reserve. = ISBN 0-13-678996-X S Impreso en Mexico/Printed in Mexico5 A mis padres. mi esposa Fatima y mis hijos, Faeza, Farzana y HasanPrefacio El libro Electrénica de potencia esté concebido como libro de texto para el curso sobre “electrtni- cca de potencia/convertidores estéticos de potencia” para estudiantes intermedios y avanzados en Ingenieria eléctrica y electrénica, También se podré utilizar como libro de texto para estudiantes graduados, y podrd considerarse como libro de referencia para ingenieros practicantes involucra- {dos en el disenio y en las aplicaciones de ta electronica de potencia. Los prerrequisitos serian cur- 303 sobre clectr6nica bdsica y circuitos clécwicos bisicos. El contenido de Electrénica de potencia sobrepasa el alcance de un curso de un semestre. Para un curso elemental, os capitulos 1 al 11 deberdn ser suficientes para dar una solida base de la electr6nica de potencia. Los capftulos 11 al 16 deberdn dejarse para otros cursos, o bien incluirse en un curso de graduados. El tiempo que se asigna normalmente a un curso sobre electrinica de potencia en una curti- ‘cla tfpica de subgraduados es un semestre, La electronica de porencia se ha desarrollado ya a tal punto que en un curso de un solo semestre resulta dificil eubrir completamente el tema, Los fun- amentns ie Ia electrdnics de potencia esti hien exiablecidos y no cambian con rapide7. Sin embargo, las caractersticas de Los dispositivos mejoran en forma continua y aparecen otros nuevos. Flecirénica de potencia, mediante el método de anélisis empirico, cubre primero las técnicas de conversién y las caracteristicas de los dispositivos y después sus aplicaciones. Hace nfasis en los principios fundamentales de la conversiGn de potencia, Esta ediciGn de electrénica de potencia es ‘una revisidn completa de su primera edicién, que (i) utiliza métodos de andlisis empiricos, en vez de método deductivos, (i) introduce lo més avanzado y de actuatidad en técnicas de. modnlacién, (Gi) presenta un nuevo capitulo sobre “Inversores de pulso resonante” y cubre las técnicas correspondientes de avanzada, (iv) integra el software estindar de la industria, SPICE, y los ejemplos de disetio que se verfican mediante la simulacién SPICE, (v) analiza convertidores con cargas RL, y (vi) ha comregido errores tipogréficos y expandido secciones y/o parrafos a fin de aftadir explica ciones. El libro esti dividido en cinco partes: 1, Introduccién—capitulo 1 2. Técnicas de conmutacién del SCR y técnicas de conversién de potencia—capftulos 3, 5, 6, 7,9, 10y 113. Dispositivos—capitulos 2, 4 y 8 4, Aplicaciones—capftulos 12, 13, 14 y 15 5. Protecciones—capitulo 6 Los temas como los referentes a los circuitos trffsicos, cieuitos magnéticos, funciones de con- mutacién de convertidores, anlisis transitorios en cd y anilisis de Fourier se incluyen en los apéndices. La electidnica de potencia se ocupa de la aplicacién de la electrénica de estado s6tido para el control y la conversién de la potencia elécirica. Las tScnicas de conversién requieren de la con- mutacién Ue dispositivos semiconduciores de potencia, Los circuitws elecunicus de bajo nivel, ue por lo comiin estin formados por circuitos intogrados y de componentes discretos, generan las sefiales de compuerta requeridas para los dispasitivos de potencia. Tanto los circuitas integrados ‘como los componentes discretos se han ido reemplazando por los microprocesadores, Un dispositivo de potencia ideal no deberia presentar limitaciones de conmutacién, en tér- ‘minos del tempo de activacién, ef tiempo de desactivacién y las capacidades de manejo de co- rriewts y de voligi, v conectarse ui al desconectarse. La tecuulugia de toy semiconductores de ppotencia esti desartollando ripidamente dispositivos de potencia de conmutacién répida, con \i- mites crecientes de voltaje y de corriente. Dispositivos de conmutacién de potencia como los TBS de potencia, los MOSFET, SIT, IGBT, MCT, SITH, SCR, TRIAC, GTO y otros, estén encontran- do crecientes aplicaciones en una amplia gama de’ productos. Con dispositivos de conmutacién mas rdpidos disponibles, las aplicaciones de los microprocesadores modernos en la sintesis de las estrategias de control de los dispositivos de potencia mancjados por compucrta para cumplir con las especificaciones de conversién, han ampliado el Ambito de la electrdnica de potencia. La revo- Tucién de la electrénica de potencia ha ganado un gran impulso, desde fines de los afios ochenta y principios de los aftos noventa. En el curso de los siguientes 30 aos, a electrénica de potencia conformaré la forma y el estado de la electrcidad en algsin lugar entre su generacidn y todos sus usuarios. Las aplicaciones potenciales de la electrdnica de potencia auin estén pendientes de ser ‘exploradas por completo, pero en este libro hemos hecho toda suerte de esfuerzos para cubrir tan tas apticaciones como nos ha sido posible. Muhammad H. Rashid Fort Wayne, Indiana PrefectReconocimientos Muchas personas han contribuido a esta edicién y han hecho sugerencias bazadas en eus experien- cias como profesores 0 como estudiantes en cl saldn de clase, Me gustaria dar las gracias a las si- _guientes personas por sus comentarios y sugerencias: Mazen Abdel-Salam—Universidad del Petrdleo y 1os Minerales King Fahd Arabia Saudita Ashoka K. $. Bhat—Universidad de Vietoris, Canadé Fred Rrockhurst—Instituta de Tecnologia Rose-Hulman Joseph M. Crowley—Universidad de Illinois, Urbana-Champaign Mehrad Ehsani—Universidad Texas A&M Alexander E, Emanuel—Instituto Politécnico de Worcester George Gelt—Universiiad Estatal le Ohio Herman W. Hill—Universidad de Ohio ‘Wahid Hubbi—Insiinuo de Tecnologia de New Tersey Marrija llie-Spong—Universidad de Illinois, Urbana-Champaign Shahidut I. Khan—Universidad de Concordia, Canada Peter Lauritzen—Universidad de Washington Jack Lawlet—Universidad de Tennessee Arthur R. Miles Universidad Estatal del Norte North Dakota ‘Mehdat M. Morcos—Universidad Estatal de Kansas Hassan Moghbelli—Universidad Calumet de Purdue H. Ramezani-Ferdowsi—Universidad de Mashhad, Irén Ha sido muy placentero poder tibujar von el editor, Alatt Apt, y cou la editora de desarrollo, Son dra Chdvez. Finalmente, me gusta sign, fa agradecer a mi familia por su carifo, paciencia y comprenContenido CAPITULO 1 INTRODUCCION 1 1 Aplicaciones de la elevtrGnica de potencia, 1 Tiistoria de la electrénica de potencia, 2 Dispositivos semiconductores de potencia, 5 Caracteristicas de control de los dispositivos de potencia, 10 Tipos de circuitos electrénicas de potencia, 12 Disefio de equipo de electrénica de potencia, 15 Efectos periféricos, 15 Médulos de potencia, 16 ‘Médulos inteligentes, 17 Publicaciones periédicas y conferencias sobre electrénica de potencia, 17 Resumen, 18 Referencias, 18 Preguntas de repasu, 19CAPITULO 2 DIODOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA 20 241 Introduccién, 20 2-2. Caracteristicas de diodos, 20 2-3 Caracterfsticas de la recuperacién inversa, 23 2-4 Tipos de diodos de potencia, 25 2-41 Diodos de uso general, 25 2-4.2 —Diodos de recuperacién répida, 25 2-43 Diodos Schottky, 26 2-5 Efectos del tiempo de recuperacion directa e inversa, 27 2-6 — Diodos conectados en serie, 29 2-7 Diodos concetados en paralelo, 31 2-8 Modelo SPice de diodo, 32 Resumen, 34 Referencias, 38 Preguntas de repaso, 35 Problemas, 35 CAPITULO 3 CIRCUITOS CON DIODOS Y CIRCUITOS RECTIFICADORES 37 31 Introducci6n, 37 3-2. Diodos con cargas RC y RL, 37 3-3. Diodos con cargas LC y RLC, 40 3-4 Diodos de marcha libre, 46 3-5 Recuperacién de la energta atrapada con un diodo, 48, 3-6 Reotificadores monofasicos de media onda, 91 3-7 Pardmetros de rendimiento, 52 3-8 Rectificadores monofésicos de onda completa, 59 3-9 Rectificador monofésico de onda completa con carga RL, 63 3.10 Rectificadores multifase en estrella, 67 3-11 Rectificadores triffésicos en puente, 71 3.12 icadar trifésico con carga RL, 74 343 _Disefio de circuitos rectificadores, 76 3-14. Voltaje de salida con filtro LC, 85 3-15. Efectos de las inductancias de la fuente y de la carga, 88 Resumen, 90 Referencias, 91 Preguntas de repaso, 91 Problems, 91 CAPITULO 4 TIRISTORES 96 41 Introduccion, 96 4-2 Caracterfsticas de los tiristores, 96 Contenido43 Modelo de tiristor de dos transistores, 98 4-4 —Activacién del tiristor, 100 4-5 Proteceldn contra diidt, 102 4-6. Proteccién contra dv/dt, 103, 4-7 Desactivacién del tiristor, 105 4-8 — Tipos de tiristores, 105 4.81 Tiristores de control de fase, 107 48.2 Tiristores de conmutacién répida, 107 4-83 Tiristores de desactivado por compuerta, 108 484 Tiristores de triodo bidireccional, 109 48.5 Tiristores de conduccién inversa, 110 48.6 Tiristores de inducci6n estética, 111 4-8.1 _Rectificadores controlados de silicio fotoactivados por luz, 111 488 Tiristores controlados por FET, 112 4-89 Tisistor controlados por MOS, 112 4-9 Operaci6n en serie de tiristores, 114 4-10 Operacién en paralelo de tiristores, 117 4-11 Cirenitos de disparo de tiristor, 118 4-12, Transistor monounién, 120 4-13 Transistor monounién programable, 123 4-14 Modelo SPice para el tiristor, 124 Resumen, 126 Referencias, 127 Preguntas de repaso, 128 Problemas, 128 CAPITULO5 RECTIFICADORES CONTROLADOS, 130 51 Introduccién, 130 5-2 Prnctpto de operacion del convertidor controlado por fase, 131 3 Semiconvertidores monofésicos, 133 5-3.1 Seusivonvertidur monofésico von carga RL, 136 5-4 Convertidores monofiisicos completos, 138 5-4.1 Convertidor monofésico completo con carga RE, 141 5-5. Convertidores monofisicos duales, 143 5-6 — Convertidores monofésicos en serie, 145 5-7 Convertidores trifasicos de media onda, 150 5-8 Semiconvertidores trifésicos, 153 5.8.1 Semiconvertidores triffésicos con carga RL, 157 5-9 Convertidores trifasicos completos, 158 5-9.1 Convertidor trifasico completo con carga RL, 164 5-10 Convertidores trifisicos duales, 165 Contenido xi rsMejoras al factor de potencia, 167 $-11.1 Control del éngulo de extincién, 167 5-112 Control del Angulo simétrica, 169 5-11,3 Control por modulacin del ancho de pulso, 172 5-11.4 — Modulacién senoidal del ancho de pulso, 175 Disefio de circuitos convertidores, 176 Efectos de las inductancias de carga y de alimentacién, 182 Circuitos de disparo, 184 Resumen, 184 Referencias, 186 Preguntas de repaso, 186 Problemas, 187 CAPITULO 6 CONTROLADORES DEVOLTAJECA 190 1 62 63 6-4 65 6-6 67 68 6-9 6-10 61 6-12 6.13 Introducci6n, 190 Principio del control de abrir y cerrar, 191 Principio del control de fase, 193 Controladores bidireceionales monofésicos con cargas resistivas, 195 Controladores monofisica con cargas inductivas, 198 Controladores trifésicos de media onda, 201 Controladores trifésicos de onda completa, 206 Controladores trifésicos bidireccionales conectados en delta, 210 Cambiadores de derivaciones de un transformador monofésico, 214 Cicloconvertidores, 218 6-10. Cicloconvertidores monotasicos, 219 6-10.2_Cicloconventidores trifésicos, 221 610.3 Reduccién de arménicas de salida, 222 ‘Controladores de voltaje de ca con control PWM, 225 Disefio de circuitos de controladores de voltaje ca, 226 Ffectos de las inductancias en alimentacién y en la carga, 233, Resumen, 234 Referencias, 234 Preguntas de repaso, 235 Problemas, 236 CAPITULO 7 TECNICAS DE CONMUTACION DE TIRISTORES 239 TA 12 13 Introducci6n, 239 Conmutacién natural, 240 Conmutacién forzada, 240 7-3.1 Autoconmutacién, 241 7-3.2 Conmutacién por impulso, 243 Contenide7-33. Conmutaci6n por pulso resonante, 246 7-34 Conmutacion complementaria, 250 7-35 Conmutacién por pulso externo, 251 7-36 — Conmutacién del Indo de la carga, 252 73.7 Conmutacién del lado de la linea, 252 7-4 Disefio de circuitos de conmutacién, 254 7-5. Modelo SPice del tirstor de ed. 256 7-6 — Capacitores de conmutacién, 259 Resumen, 259 Referencias, 260 Preguntas de repaso, 260 Problemas, 260 CAPITULO 8 TRANSISTORES DE POTENCIA 262 8-1 Introduccién, 262 8-2 Transistores de unién bipolar, 263 8-21 Caractertsticas en régimen permanente, 203 8-22 Caracteristicas de conmutacidn, 267 8-23 Limites de conmutacién, 274 8-24 Control de la excitacién de la base, 276 83 MOSFET de potencia, 280 8-31 Caracterfsticas en régimen permanente, 280 832 — Caracterfsticas de conmutacién. 284 8-33 Excitacién de compuerta, 285 8-4 SIT, 286 8-5 IGBT, 287 8-6 Operaciénen serie yen paralelo, 289 8-7 _Limitaciones pot dildt y dviat, 291 8-8 Aislamiento de las excitaclones de compuerta y de base, 294 8-81 Transformadores de pulso, 295 8-82 _Acopladores épticos, 295 8-9 Modelos SPice, 296 Resumen, 29 Referencias, 299 Preguntas de repaso, 300 Problemas, 301 CAPITULO 9 PULSADORES DE CD 303 9-1 Introduceién, 303 9-2 Principio de la operacién reductora, 303 9-3 Pulsador reductor con carga RL, 306 Contenido ~94 o5 96 97 98 9.9 9-10 Principio de operacion elevadora, 309 Pardmetros de rendimiento, 312 Clasificacién de pulsadores, 312 Reguladores en modo conmutado, 316 9.7.1 Reguladores reductores, 317 9-7... Reguladores elevadores, 320 9-7.3 Reguladores reductores-elevadores, 323 9.7.4 Reguladores Cuk, 326 9-7.5 _Limitaciones de la conversin en un paso, 330 Circuitos pulsadores con tiristores, 331 9-8.1 Pulsadores conmutados por impulso, 331 9-8.2 Efectos de las inductanclas de la alimentacion y de ta carga, 336 9-8.3 Pulsadores de tres tiristores conmutados por impulso, 337 9.84 Pulsadores de pulso resonante, 338 Disefio de un circuito pulsador, 342 Consideraciones magnéticas, 350 Resumen. 351 Referencias, 351 Preguntas de repaso, 352 Problemas, 353 CAPITULO 10 INVERSORES DE MODULACION DE ANCHO DE PULSO. 356 10-1 10-2 10-3 10-4 10-5 10-6 10-7 10-8 109 10-10 Introducci6n, 356 Principio de operacién, 357 Pardmetros de rendimiento, 359 Inversores monofésicos en puente, 360 Inversores tnfasicos, 304 105.1 Conduccién a 180°, 364 10-5.2.Conduccién a 120°, 370 Control de voltaje de inversores monofésicos, 372 10.6.1 Modulacién de un solo ancho de pulso, 372 10.6.2 Modulacién varios anchos de pulso, 374 10-63 Modulacién senoidal del ancho de pulso, 376 10-64 Modulacién senoidal modificada del ancho de pulso. 378 10-6.5 Control por desplazamiento de fase, 380 Control de voltaje en inversores trifésicos, 381 Técnicas avanzadas de modulacién, 382 Reduccion de arménicas, 387 Inversores con tiristor por conmutacion forzada, 390 10-101 Inversores con conmutaciGn auxiliar, 391 10-10.2_Inversores de conmutacién complementaria, 393, Contente, 400 10-12 Inversor de enlace de cd variable, 402 10-13 Disefio de circuitos inversores, 404 10-14 Consideraciones magnéticas, 410 Resumen, 410 Referencias, 410 Preguntas de repaso, 411 Problemas, 412 CAPITULO 11 CONVERTIDORES DE PULSO RESONANTE a4 11-1 Introduccién, 414 11-2. Inversores resonantes en serie, 415 11-2.1 Inversores resonantes en serie con interruptores unidireccionales, 415 11-2.2__Inversores resonantes en serie con interruptores bidireccionales, 422 11-23 Respuesta de frecuencia para cargas en serie, 428 11-2.4 Respuesta de frecuencia para carga en paralelo, 431 11-2.5 Respuesta de frecuencia para cargas en serie-paralclo, 433 11-3 Inversores resonantes en paralclo, 434 11-4 Inversor resonante de clase E, 439 11-5 Rectificadar resonante de clase F, 443 11-6 Convertidores resonantes de conmutacién a corriente cero, 446 11-61 Convertidor resonante ZCS de tipo L, 446 11-62 Convertidor resonante ZCS de tipo M, 451 11-7 Convertidores resonantes de conmutacién a voltaje cero, 451 11-8 Convertidores resonantes de conmutacién a voltaje cero en dos cuadrantes, 454 L-9 _Inversores resonantes de enlace cd, 457 Resumen, 460 Referencias, 461 Preguntas de repaso, 462 Problemas, 462 CAPITULO 12 INTERRUPTORES ESTATICOS 464 124 Inuwduccién, 464 12-2 Interruptores monofiisicos de ca, 464 12-3 Interruptores triffsicos de ca, 467 12-4 Interruptores inversores trifisicos, 469 12-5. Interruptores de ca para transferencia de bus. 470 12-6 Interruptores de cd, 471 12-7 Relevadores de estado sélido, 472 12-8. Disefio de interruptores estéticos, 474 Resumen, 474 Tantenida wiiReferencias, 475 Preguntas de repaso, 475 Problemas, 475 CAPITULO 13 FUENTES DE PODER 477 134 Introduceién, 477 13-2 Fuentes de poder de ed, 478 13.2.1 Fuentes de poder de cd en modo de conmutacién, 478 13-2.2 Fuentes de poder de cd resonantes, 481 13-23 Fuentes de poder bidireccionales de ca, 481 13.3 Fuentes de poder de ca, 483 13-3.1 Fuentes de poder de ca en modo interrumpido, 485 13-3.2 Fuentes de poder de ca resonantes, 486 13-3.3 Fuentes de poder de ca bidirecctonales, 486 13-4 Conversiones multietapas, 487 13-5. Acondicionamiento del factor de potencia, 487 13-6 Consideraciones magnéticas, 488 Resumen, 490 Referencias, 490 Preguntas de repaso, 491 Problemas, 491 CAPITULO 14 PROPULSORES DE CD 493 14.4 Intmeduceién, 49% 14-2 Caracterfsticas bésicas de los motores de cd, 494 14-3 Modos de operacién, 498 14-4 Propulsores monofésicos, 501 14.4.1 Propulsores de convertidor de media onda monofésico, 501 14.4.2 Propulsores de semiconvertidor monofisico, 503 14-43 Propulsores de convertidor completo monofasico, 504 14.8.4 Propulsores de convertidor dual monofisico, 505 14-5. Propulsores tifésicos, 508 145.1 Propulsores de convertor trifésico de media onda, S09 14.5.2 Propulsores de semiconvertidor trifésico, 509 14.52 Propulsores de convertidor triffisico completo, 509 14.5.4 Propulsores de convertidor trifésico dual, 510 14.6 Propulsores de pulsador, 513 14.6.1 Principio de control de potencia, 514 14-62 Principio de control de freno regenerativo, 515 14-63 Principio de control de freno reostético, 518 14.5.4 Principio de contro! combinado de freno regenerativo y reostatico, 519 Contenido14-6. Propulsores pulsadores de dos y uatro cuadrantes, 520 14-66 Pulsadores multifase, 522 14-7 Control en lazo cerrado de los propulsores-de ed, 524 14.7.1 Funci6n de transferencia en lazo abierto, 524 14-72 Funci6n de transferencia en laz0 cerrado, 528 14-13 Control en taza por seguimiento de fase, 533 14-74 Control por microcomputadora de propulsores de ed, 534 Resumen, 535 References, 536 Preguntas de repaso, 536 Problemas, 537 CAPITULO 15 PROPULSORES DE CA 541 1541 Introduccién, 541 15-2 Propulsores de motores de induccién, 542 15-21 Caracterfsticas de rendimiento, 543 15-22 Control del voltaje del estator, 549 Control del voltaje del rotor, 552 Control por frecuencia, $59 Control de voltaje y de frecuencia, S61 Control de corriente, $63 Control de voltaje, corriente, y frecuencia, 566 15-2.8 Control en lazo cerrado de motores de induccién, 568 15-3. Propulsores de motores sfncronos, 573 15-3.1 Motores de rotor cilindrico, 575 15-3.2 Motores de polos salientes, 578 15-33 Motores de reluctancia, 579 15-34 Motores de imn permanente, 580 15-35 Motues de reluctancia commutada, 581 15-36 Control en lazo cerrado de motores sfneronos, 582 153.7 Propulsores de motor de ed y ca sin escobillas, 582 Resumen, 586 Referencias, 587 Preguntas de repaso, 588 Problemas, 588 CAPITULO 16 PROTECCION DE DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS 591 16-1 Introduecién, 591 16-2 Enfriamiento y disipadores de calor, 591 16-3 Circuitos de apoyo, $97 16-4 Transitorios de recuperacién inversa, 597 Contenido xin16-5 Transitorios del lado de alimentacién y del lado de carga, 603 16-6 Proteccién de voltaje mediante diodos de selenio y varistores de éxido metélico, 606 16-7 Protecciones de cortiente, 607 16-7.1 Cémo utilizar los fusibles, 608 16-7.2 Corriente de falla con fuente de ca, 615 16-7.3 Corriente de falla con fuente de ed, 617 Resumen, 620 Referencias, 620 Preguntas de repaso, 620 Problemas, 621 APENDICE A CIRCUITOS TRIFASICOS 62a APENDICE B CIRCUITOS MAGNETICOS 628 APENDICE C FUNCIONES DE CONMUTACION DELOS CONVERTIDORES 633 APENDICED ANALISIS DE TRANSITORIOS EN CD 639 APENDICEE ANALISIS DE FOURIER 643 APENDICEF LISTADO DE PROGRAMAS DE COMPUTO EN IBM-PC BASICA 646 APENDICEG HOJAS DE DATOS 656 BIBLIOGRAFIA 695 INDICE 697 i ContenidoIntroducci6n 1-1_ APLICACIONES DE LA ELECTRONICA DE POTENCIA Durante muchos afios ha existido la necesidad de controlar la potencia eléctrica de los sistemas de traceién y de los controles industriales impulsados por motores eléctricos; esto ha llevado a un emprano desarrollo del sistema Ward-Leonard con el objeto de obtener un voliae de corriente directa variable para cl control de los motores ¢ impulsores. La clectrénica de potencia ha revou: cionado la idea del contrat para la conversién de potencia y para el control de Ios motores eléctricos. La electrinica de potencia combina ta energia, la electrénica y el control. El control se en carga del régimen permanente y de las caracteristicas dindmicas de los sistemas de lazo cerrado, [La energia tiene que ver con el equipo de potencia estica y rotativa 0 giratoria, para la geners- iGn, ransmisién y disiribucién de energia eléctrica. La electrénica se ocupa de los dispositivos y irenitos de: estado séilido requeridas en el procesamienta de sefiales para cumplir con los objeti= vos de control deseados. La elecirdnica de potencia se puede definir como la aplicacién de la electrénica de estado solido para el control y la conversidn de la energia eléotrica. En la figura 1-1 se muestra la interrctaciGn de la electrOnica de potencia con la energia, la electronica y el control. La clectrGnica de potencia se basa, en primer téring, en la commutacign de dispositivos se rmiconductores de potencia. Con ol desarrollo do la tecnologia de los semiconductores de potencia, las eapacidavtes del manejo de: la encrgta y la velocidad de conmutacién de los dispositivos de potencia han mejorado tremendamente. El desarrollo de la tecnologia de los microprocesadores-mi- crocomputadoras tiene un gran impacto sobre el control y la sintesis de la estrategia de control para los dispositivos semiconductores de potencia, El equipo de electr6nica de potencia moderna uuiliza (1) semiconductores de potencia, yue pueden compararse com el mdsculo, y (2) mieroelee= ‘wénica, que tiene ol podor y la intaligencia del cerebro. La electrdnica de potencia ha alcanzado ya un lugar importante en la tecnologia moderna y se utiliza ahora en una gran diversidad de productos de alta potencia, que incluyen controles de calor, controles de iluminacién, controles de motor, fuentes de alimentacién, sistemas de propul- sion de veniculos y sistemas de comente directa de alto voltae (HVDC por Sus siglas en inglés).~ potoncia \ a LN ' Eleronicn mw) \ Figura 1-1 Relacién de la electrinica de potencia con la energia, la elects. niga y el conto Resulta dificil azar los limites de las aplicaciones de la electronica de potencia; en especial con Tas tendencias actuales en el desauiullo Ue lus dispositivos Ue potcuia y Tuy aniciupiuvesalores, el limite superior esté ain indefinido, En la tabla 1.1 se muesran algunas de las aplicaciones de la celectrénica de potencia. 1-2 HISTORIA DE LA ELECTRONICA DE POTENCIA, La historia de la electrénica de potencia empez6 en cl aflo 1900, con la introduccisn del rectificador de arco de mercurio, Luogo aparecieron, gradualmente, el rectficador de tanque metilico, el reotificador de tubo al alto vacio de rejilla controlada, el ignitrén, el fanots6n y el tiratrén, Estos dispositivos se aplicaron al control de la cnergia hasta la década de 1950, La primera revolucién clectrénica inicia en 1948 con la invencién del transistor de silicio en los Bell Telephone Laboratories por los seflores Bardeen, Bratlain y Schockley. La mayor parte de. las tecnologias elocwénicas avanzadas acluales ticncn su origen en esta invencién, A wavés de los aos, la microslectrnica moderna ha evolucionado a partir de los semiconductores de silicio. EL siguiente gran parteaguas, en 1956, también provino de los Bell Telephone Laboratories: la inven- cidn del transistor de disparo PNPN, que se defini6 como un tiristor 0 rectificador controlado de silicio (SCR por sus siglas en inglés). La segunda revolucion electronica empez6 en 1958 con el desarrollo del tiristor comercial ‘por General Electric Company. Ese fue el principio de una nueva cra en la elcetrénica de potcncia. Desde entances, se han intraducida muy diversas tipos de dispositivos semiconductores de potencia y técnicas de conversién, La revolucién de la microelectrénica nos dio la capacidad de z Tnteaduccian Cap.TABLA 1.1 ALGUNAS APLICACIONES DE LA ELECTRONICA DE POTENCIA ‘Abre pera elétricos Acondicionamiento del ie laces ‘Alarmas contra robo Amplfeadores de audio ‘Avrcadorea pa tains de gat ‘Atensadores ‘Atenoadoresluminosos Calder. Calefaccitn por inducsin (Cargador de bea ‘Centtiadores lominosos ‘Charolas para caer ainenos Cobia elescens (Computadors Controle de calor Controls lneales de motor de indvcign Carnie directa do alto valine (IVDO) Cros letrodepit leeromecsnico Eletroimanes Blevadores Excitdores de generador Exhibidores -uenes de atimentacion para acromaves Fuentes de alimentacisn pura laser GGrabacionesmagnéicas Grassy tomes Herramientas manvales Homo de mento Tpicign ales IMumintein de aa frecuencia Juegos Locomotor Menclores de atimento Molinos Preciptadoreselecostiticos Process quimicos Pubic Pera de chore antmbicns Polsador Relevadores de cnganche Seeaderas do rope ‘Seendors eléaticos Sopladores Vehicles cstrcos Veniladores Veniladores eléticos Fuente: Ref. 5 Fuentes de alimentacén para radarisonar “Transto masivo Minera Control de homoe Controle de motor Frente de alimentaion ‘Compensacdn de voamperios racivos Penni de posi pee Generadores ullrassnicoe Propulores motores Maquina dispensadoras automstieas Teteruporesestticos Boris y compresores Fomraloe Fetocopis Contos de seals de insta “Transmisores de muy baja frecvencia Deflectors deteleisin “Trenes de inacin Sistemas de seguridad Ampliticadors de ratio frecuencia Fuente de alimentacidn de enegia solar CContoles de temperatura Pronas de impresién Blasts pra lampara de arco de mercurio uenes de alimenacin no inerumpibes Soldadora ‘Material ftogrtica Jaguetes Preuccion de papel Sicomse sore Trenes Amanque de méqinassineronas Prnyecores de cine Reguladores de voltae Fuentes de poder para aplicaciones espucales “Temporiaiores Miguinas de coser ‘Accleradores de paniculas Firat sient Relevadore de etado sido Aspiradoas de vacto “Tranepanadores de personas Unidad superficial de rang Barn de conto de reactor nuclear Reguladores CContactoes de estado sido Refrigeradoes Seo, 12 Historia dea electronica de potenciaprocesar una gran cantidad de informacién a una velocidad increfble. La revolucién de la elects niica de potencia nos esté dando la capacidad de dar forma y controlar grandes cantidades de ener- fa con una eficiencia cada vez. mayor. Debido a la tusiOn de Ia electrOnica de potencia, que es el idsculo, con Ta microclecudniva, que es el cerebro, v¢ han descubieriy muctas aplicaciones pu- tenciales de la electrSnica de potencia, y se descubrirén més, Dentro de los siguientes 30 atfos, la electrnica de potencia formaré y condicionaré la electricidad. en alguna parte de la linea de trans- isin, entre el punto de generaciGn y todos los usuarios. La revolucién de la electronica de potencia ha ganado inercia, desde el fin de los afios 80 y principios de los 90. En la figura 1.2 se ‘muestra la historia cronologica de la electronica de potencia. 1-3 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA__ Desde que se desarrolié primer tiristor de rectificador controlado de silicio (SCR), a fines de 1957, ha habido grandes adelantos en los dispositivos semiconductores de potencia. Hasta 1970, los tiristores convencionales se habian utilizado en forma exclusiva para el control de la energia cn aplicaciones industriales, & partir de 1970, se desarrollarun varius tipos Ue dispositives seini= conductores do potencia que quodaron disponiéles en forma comercial. Estos ¢e pueden dividi en cinco tipos principales: (1) diodos de potencia, (2) tristores, (3) tansistores bipolares de juntura de potencia (BIT), (4) MOSFET de potencia, y (5) transistores bipolares de compuerta aislada (GBT) y transistores de inducci6n estéticos (SIT). Los tristores se pueden subdividir en ocho t- [pos: (a) liristor de conmutacion forzada, (b) trisior conmutado por linea, () tristor desactivado por compucria (GTO), () tiristor de conduecién inversa (RCT), (6) tiristor de induceién estético (SITH), (0 tristor desactivado con asistencia de compuerta (GATT). (g) rectficador contralado de silicio fotoactivado (LASCR), y (h) tiristores controlados por MOS (MCT). Los transistores de induccién estéticos también estén disponibles en forma comercial. Los diodos de potencia son de tres tipos: de uso general, de alta velocidad (o de recupera- ‘ion répida) y Schoutky. Los diodos de uso general estén disponibles hasta 3000 V, 3500 A, y la cspocificacién de los diodes de recupsracién répida puede Hegar hasta 3000 V, 1000 A. El tiempo {de recuperacién inversa varia entre 0.1 y 5 ts. Los diodos de reeuperacién répida son esenciales para la interrupcidn de los convertidores de potencia a altas frecuencias. Un diodo tiene dos terminales: un cétodo y un énodo. Los diodos Schouky tienen un voltaje bajo de estado activo y un tiempo de recuperacién muy pequeto, tipicamente en nanosegundos. La corriente de fuga aumen- 1a con el voltaje y sus especificaciones se limitan a 100 V, 300 A. Un diodo conduce cuando el voliaje de su dnodo ¢3 mas alto que el de su cétodo; siendo la caida de voltaje directa de un diodo de potencin my hajn,tipicamente 05 y 1.2. V_ Si el voliaje de edtodo es mAs alo que el voliaje de Sinodo, se dice que el diodo esté en modo de bloqueo. En la figura 1-3 aparecen varias configuraciones de diodos de uso general, mismos que se agrupan bésicamente en dos tipos. Uno se conoce como de perno 0 montado en perno y el otro como de disco empacado a presién 0 de disco de hockey. En el de pemo, tanto el dmodo com el cétudo podrfan ser el pert. ‘Un tiristor tiono tos trminales: un dnodo, un eétode.y’ una compueria. Cuando una pequefa corriente pasa a través de la terminal de la compuerta hacla el cétodo, el tristor conduce. siempre cuando la terminal del nodo esté a un potencial mas alto que el cétodo. Una vez.que el tirstor est en un modo de conduccién, el circuito de la compuerta no tiene ningkin control y el tristor continiia conduciendo. Cuando un tiristor estéen un modo de conduccién, la caida de potencial en directa es Sec. 1-3 Dispositivos semiconductores de poten: 5Figura 1-3 Varias configuraciones de diodos de uso general. (Cortesfa de Po- werex, Ine.) ‘muy pequena, fpicameme 0.5 a 2 V. Un tristor que conluce se pucdé Uesactivar haciend que et potencial del énodo sea igual 0 menor que el potensial del edtodo. Los tiristores conmutados en Ii nea se desactivan en ra7dn dla naturalcza senoidal del voltae de entrada, y los tiristores conmutados en forma forzada se desactivan mediante un circuito adicional conocido como circuiteria de conmutacién. En la ligura 1-4 se muestran varias configuraciones de tristores de control de fase (0 de conmutacidn de linea): tipo perno, po disco de hockey, tipo plano, y tipo de aguya Los tiriswies naturales u vomuutads en Inca estén disponibles con especificaciones de hhasta 6000 V, 3500 A. El tiempo de desactivacidn de los tiristores de bloqueo inverso de alta velocidad ha mejorado en forma sustancial y es posible obtener de 10 a 20 us con un tiristor de 1200-V, 2000-A. El tiempo de desactivacién se define como el intervalo de tiempo entre el instante en que la corriente principal se reduce a cero después de la interrupcidn externa del circuito {de voliaje principal, y él instante en que el tristor es capaz. de aceptar un volte principal especificado, sin activarss (2). Los RCT y los GATT se utilizan en gran medida pora la interrupeién de alta velocidad, en especial en aplicaciones de traceién, Un RCT se puede considerar como wn tie ) Figura 1-4 Varias configuraciones de tristor. (Conesia de Powerex, Inc.) Tntroducsian Cap. 1ristor que incluye un diodo inverso en paralelo, Los RCT estén disponibles hasta 2500 V, 1000 {(y 400 A de conduccién inversa) con un tiempo de interrupcién de 40 is. Los GATT estén disponibles hasta 1200 V, 400 A con una velocidad de interrupcién de 8 us. Los LASCR, que se fabri- ‘can hasia 6000 V, 1500 A, con una velocidad de interrupcidn de 200 a 400 ps, sou auecuados para sistemas de energia de alto volta, especialmente en HVDC. Para aplicaciones de corriente alter- ra de haja potencia los TRIAC. se utilizan ampliamente en todo tipo de controles sencillos de calor, de iluminacién, de motor, asi como interruptores de corriente alterna. Las caracteristicas de los TRIAC son similares a dos tiristores conectados en inverso paralelo con una sola terminal de ‘compuerta. El flujo de corriente a través de tin TRIAC se puede controlar en cualquier direccién, Los GTO y los SITIT som tiristores auto desactivados. Los GTO y los SITII se act diane la aplicacién de un pulso breve positivo a ls compuertas, y se desactivan mediante 1a apl ‘eacién de un pulso corto nexativo a las mismas. No requicren de ningtin circuito de conmutacién. Los GTO resultan muy atractivos para la conmutacién forvada de convertidores y estén disponi bies hasta 4000 V, 3000 A. Los SITH, cuyas especificaciones pueden Hegar tan alto como 1200 ‘V, 300 A, se espera que pues ser aplicados a convertidores de mediana potencia con una fre~ cucncia de varios cientos de kiloheru: y mis alli del rango de frecuencia de los GTO. En la figura 1.5 se muestran varias configueaciones de GTO, Un MCT se puede. “activar” mediante 1m peque= fio pulso de voltaic negativo sobre la compuerta MOS (respecto a su dnodo), y desactivar mediante un pulso pequetio de voltae positivo. Es similar a un GTO, excepto en que la ganancia de desactivacién es muy alta, Los MCT estén disponibles hasta 1000 V, 100 A. Los transistores bipotares de alta potencia son comunes en Tos convertidores de ener frecuencias menores que 10 kHz y su aplicacién es efieaz en las especificaciones de potencia de hasta 1200 V, 400 A. Las diferentes configuraciones de los transistores bipolares de potencia apa recen ch la figura 8-2. Un transistor bipolar tiene tres terminales: base, emisor y colector. Por lo general, se opera en forma de interruptor en la configuracién de emisor comin, Mientras que la base de un transistor WN este a un potencial mas allo que el emisor, y la Corriente de base sea 10 suficientemente grande como para excitar al transistor en Ta regién de saturacién, cl transistor 36 conservari activado, siempre que la unién del colector al emisor esté correctamente polarizada, La cafda directa de un transistor en conduccidn est en ef rango de 0.5 1.5 V. Sie vollaje de excita- Figura 1-8 Tiristores desactivados por com: puerta, (Conesfa de Intemational Recife)ign de la base es retirado, el transistor se conserva en modo de no conduccién (es decir desactivado). Los MOSFET de potencia se uilizan en convertidores de potencia de alta velocidad y estin “isponibies en una especificacion de relatlvamemte poca pouencia en rango de 1000 V, 50 A, en un rango de frecuencia de varias decenas de kilohertz. Los diferentes MOSFET de potencia de distin tas tamafios aparecen en ta figura 8-21. Ls [GBT son transistores de potencia controladas par voltaje. Por naturaleza, son mas répidos que los BIT, pero atin no tan rapidos como los MOSFET. Sin embargo, oftecen caracteristicas de excitacién y de salida muy superiores a las de los BJT. Los IGBT son adecuados para alios volajes, alias corrientes y frecuencias de hasta 20 KHz. Los IQBT estén disponibles hasta 1200 V, 400 A. Un SIT es un dispositive de alta potencia y de ata frecuencia. Es, en esencia, la versién en estado s6lido del tubo de vacfo triodo. y es similar a un JFET. Tiene una capacidad de potencia de ‘bajo ruido, baja distorsidn y alta frecuencia de audio. Los tiempos de activaciGn y desactivacién son muy cortos,tipicamente de 0.25 ys. La caracteristica de normalmente activo y la alta caida de voltae limitan sus aplicaciones para conversiones de energia de uso general. La especificacign de uso de corriente de los SIT pueden ser hasta de 1200 V, 300 A, y la velocidad de interrupeiéa ppuede ser tan alta como 100 kHz. Los SIT son adecundos para aplicaciones de alta potencia, alta frecuencia (es decir audio, VHF/UHF, y amplificadores de microondas). Las especificaciones de Jos dispositivos semiconductores de potencia comercialmente disponibles aparecen en la tabla 1.2, donde el voliaje activo es ta caida del voltje de estado activo del dispositive a la coriente especi- ficada. En la tabla 1.3 aparecen las caracteristicas vi y los simbolos de los dispostivos semicon ductores de potencia cominmente utilizados. TABLA 1.2 ESPECIFICACIONES DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA Especificacion Alu Tiempo de Resistencia en Ge voltaje/ frecuencia conmutacién estado activo Tipo corriente a) us) @ Diedoe Uso genera oun V/s000 A 1k 100 16m ‘At veloc $3000 v/io00 & to 2s Im Schouky 30 Vi5 A 20k 033 10m Tirstores desacivador De blaqueoinverso S000 V/S000A tk 200 025m ‘forma forma Alta valocidad 1200 v/1s00 & toe 20 Oat Bloqueo inverso 2500 V/400 A Sk 40 216m Conduceiéninversn 2500,V/1000 A 5k «0 2m carr. 1200 VH00 4 20k . 224m Disparo luminico 6000 ViSOOA 400, 200-400 053m TRIAC 1200 Vi500 A 400 200-400 357m Thinenes desseivadin GTO 4500 ¥70000 4 1 18 25m ‘utométicamente SITE 000 V/2200A 20k 65 575m ‘Transstres de Individual, 400 ¥7250 A 20k 9 4n ptencia 400 ¥/40 A 20k 6 sim 630 V/50 A 25k 17 15m Dartington 1200 Vi400 A, 1 30 1m sir 1200 ¥7300 & 1008 055 12 MOSFET depotencia Individual 500 V8.6, 100% 07 06 1000 V8.7 A. 100K 09 2 500 ¥/30 A 100% 06 On 16a Individual 1200 V/400 4 20k 23 6m McT. Individual 600 V0 A 20k 22 18m Fuente: Re 3 Introduccion Cap.TABLA13_ CARACTERISTICAS Y SIMBOLOS DE ALGUNOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA Dispostvos simbolos caractevticas r) Ab « , code = | A py 7 m ie z wy aeeareare & Z Tistor on ay a = Vac € smu ac « 6 say Dra decompuers u cto — pe Mee t0 ja x 7% M | A x Pa se To “menos oa Lee Disparo de te 7 Baba de comuar as P Z Lasont - 4 vac 7 3 Newest ‘cer Te . Vasa> Vest sl ee Dts a a B e mosrer aie vest e | os Voss oooh ss A. A vee Voy ® Vass = OV. st Vest © Vesa Veen s oeLas hojas de datos para un diodo, SCR, GTO, BJT, MOSFET, IGBT y MCT se dan en el apéndice G. En la figura 1-6 se muestran las aplicaciones y los rangos de frecuencia de los dispositivos de potencia, Un superdispositivo de potencia deberia (1) tener un voltae activo igual a ce- 10, @) sopoiat un voliaje fucta de conductiGn infinite, 3) mancjar una vouienteinfinita, y (4) “activarse” y “desactivarse” en un tiempo cero, teniendo por lo tanto una velocidad de conmutae ign infiita, od r] E.. SRE — er Copscidad (VAD J =a Frecuencia de operacién (He) 1K eK ie Figura 1-6 Aplicaciones de los dispositives de potencia. (Contesia de Powerex, Inc.) 1-4 CARACTERISTICAS DE CONTROL DE LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA Los dispositivos semiconductores de poteneia se pucden opsrar como interruptores mediante la apliacién de sefales de conten!» la terminal de compuiceta de tos tiristores (y a la hase de. Jos ‘ransistores bipolares). La sala requerida se obtiene mediante la variacién del tiempo de conduc- cin de estos dispositivos de conmutacién. En la figura 1-7 se muestran los voltajes de salida y las ccaracterisicas de control de los dispositivos de interrupeién de potencia de uso comin, Una vez ‘que un tiristor esté en modo de conduccién, la sefal de la compuerta ya sea positiva 0 negativa no tione efecto; esto aparece on la figura 1 7a, Cuando un dispositive semiconductor de potencia esté fen modo de conduccidn normal, existe una pequela cafda de valtaje a través del mismo. En las formas de onda de voltae de salida de la figura 1-7, estas caidas de votaje se consideran des ciables y, a menos que se especifique lo contrario, esta suposicién se conservard a través de los capitulos siguientes 10 Tatroduccion Cap. 7isor IM ATK a wet, (a) Titer inten cupin (b} Interruptor GTO/MCTISITH (an ol caso de MCT, n T la polaridad de V, se invierte como se muestra) te * Q os 5 el L-4. 7 o Vv. fs ‘ - . —" terrptor t 7 T 7 1 +, (o)nterruptor MOSFETAGET Figura 1-7 Csracteristcas de contol de los dispositive de interupsin de potencia See Ta Caractaristioas da antral de loa diapaeiives de potencia 7"Los dispositivos semiconductores de potencia se pueden clasificar a partir de: 1, Activacién y desactivacién sin control (por ejemplo diodo) 2, Activacién controlada y desactivacién sin control (por ejemplo SCR) 3. Caracteristicas de activacién y desactivacién controladas (por ejemplo BJT, MOSFET, GTO, SITH, IGBT, SIT, MCT) 4. Requisito de senal continua en la compuerta (BJT, MOSFET, IGBT, SIT) 5. Requisito de pulso en la compuerta (por ejemplo SCR, GTO, MCT) 6. Capacidad de soportar vollajes bipolares (SCR, GTO) 7. Capacidad de soportar vollajes unipolares (BIT, MOSFET, GTO, IGBT, MCT) 8. Capacidad de corriente bidireccional (TRIAC, RCT) 9. Capacidad de corriente unidireccional (SCR, GTO, BJT, MOSFET, MCT, IGBT, SITH, SIT, diodo) 1-5 TIPOS DE CIRCUITOS ELECTRONICOS DE POTENCIA Para el control de la potencia eléctrica 0 del acondicionamiento de la misma, es necesario conver- Ur la potencia de una forma a otra, las caracteristicas de interrupcidn de os dispositivos de powen- cia permitcn dicha convorsisn. Los convertidores de potcncia catéticos Hevan a cabo estas finciones da conversién de potencia. Un convertidor se puede considerar coma una matriz de Conmutacién. Los circuitos elecuénicos de potencia se pueden clasificar en seis tipos: 1, Rectificadores de diodos 2. Convertidores ca-cd(reetiicadores controtados) 3. Convertidores ca-cd (controladores de voltaje de ea) 4. Convertidores ca-cd(pulsadores de ed) $. Conwvertidores cd-ca(inversores) 6, Interruptores estticos Los dispositivos de los convertidores siguientes se uilizan dnicamente para Hustrar Tos principios bisicos. La aceién de interrupeidn de un convertidor puede ser Hevada & eabo por mis de in dispositivo. La seleveidin de un dispasitivo en panticular depends dl voliaje, Ia corriente y dos requisitos de velocidad del convertidor. Rectificadores. Un circuito rectiicador por diodos convierte el voltaje de ca en un vollaje fio de ed como se muestra en la figura 1-8. El voltaje de entrads al rectificador puede ser mo- nofésico 0 wifisico, Convertidores ca-cd. _ Un convertidor monofésico con dos tiristores de conmutacién natural aparece en la figura 1-9. El valor promedio del volije de salida se puede controlar varian- 4o el tiempo de conduceidn de los tnstores o et angulo de retraso de disparo, a. La entrada puede 2 Tntroduecién Cap. 1Diago 0, “Aimentacion ee ceca ‘deca Diode 0, {2) Diagrama de circuito (b) Formas de onda de voltaje Figura 1-8 Circuito retficador monofésico ser una fuente mono 0 trifisica trolados. 10s convertidores también se conocen como rectificadores con- Convertidores ca-ca, Estus convertidures se utilizan para obteucr un voltae de salida do corrionto altorna variable a partir de una fuente de corriente alterna fija, Ia figura 1-10 muestra tun convertidor monofésico con un TRIAC. El voltaje de salida se controla mediante la variacién del tiempo de conduccidn de un TRIAC 0 cl Angulo de retraso de disparo, a. Estos tipos de convertidores también se conocen como controladores de voluaje de ca. Convertidores ed-ed. Un convertidar ed-ed también se conoce como un pulsador 0 un regulador de conmutacién, en la figura 1-11 aparece un pulsador de transistor. El voltaje pro- ‘medio de salida se controla mediante la variacidn del tiempo de conduccién 1, del transistor Q;. Si Tes el period de corte, entonces f = S7. 8 se conoce como el ciclo de trabajo del pulsador. ns Resistencia de carga ‘Alimenracion a = deca i Tir 2 (2) Diagrama de circuito (0) Formas de onda de vottaje igura 1-9 Convertidor monofisico ea-ed Sec. 1-5 Tipos de circultos electronicos de potencia 3Aimentacion 2 Vn sen ot js. $eience (ar Diagrama de creita () Formas da onda cavalo Figura 1-10 Convertor monofésico ca-ca Convertidores cd-ca. Un convertidor de ed a ca umbién se conoce como un inversor, Un inversor monofisico de transistor se muestra en la figura 1-12, Silos transistores My y M3 conducen durante medio periodo, y Ms y Mz conducen durante la otra mitad, el voltaje de salida tiene tuna forma alterna Fl voltaje de salida puede ser controlada varianda et tiempo de conduceién de los tansistores. Interruptores estaticos. Dado que los dispositivos de potencia pueden ser operados como interruptores estiticus v contactors, la alimientaciGu a estos interruptores puede ser de ca 0 do.ed y £¢ conocon como interruptores estaticos de ca o interrupiores de cd. + et Transistor a, ' fe Im Lt tment r— “ a Ss). é L-- -- 7 Oy . (8) Diagrams de ceuto (Formas de onda devote Figura 1.11 Convertidor de edd 1 Introduccion Cap. 1; ' i cy » t 7 oo oo —_§, To" maancte| WR Ve vie & decd > Ve Vy ie ° T Tt mu fe t F ie file Figura 1212 Convention nnnuisiva odbc 1-6 DISENO DE UN EQUIPO DE ELECTRONICA DE POTENCIA EI disefio de un equipo de clectrénica de potencia se puede dividir en cuatro partes: 1, Diseito de los cireuitos de potencia 2, Proteccidn de fos dispositivos de potencia 3. Determinacion de ta estratcgia de eonirol 4, Discito de los circuitos logicos y de mando En los capitulos siguientes, se describen y analizan varios tipos de circuitos electrénicos de potencia, En el andlisis se supone que los dispositivos de potencta son interruptores ideales, a me thos que se indique To vontiatio, desprecidindose fos efectos de la inductancia de dispersidn de ci cuito, Ia resistencia del circuito y In inductancia de ta fuente. Los dispositivos y circuitos de potencia prdcticos difieren de estas condiciones ideales quedando los disetios de los circuitos tam- bign afectados. Sin embargo, en las primeras etapas det disefto, resulta muy iil et andlisis simp! ficado del circuito para comprender la operacién del mismo y para establocer las caracteristicas y In estrategia de control Anis Uc claborar um prototipo, cl diseytador deberd investigat fos efectes de los pardimetros| dol ciruito (y las imperfeceiones do los dispositivos) modificando ol disoRo, si es necesario. S6lo después de que se haya construido y prohaclo cl prototino, cl discfador podré confiar en la validez dol mismo y podrd estimar con mas exacttud algunos de los pardmetros de circuito (por ejemplo Ja inductancia de dispersisn). 1-7_EFECTOS PERIFERICOS Las operaciones de los convertidores de potencia se basan principalmente en ta conmutacign de dispositivos semiconductores de potencia; y como resultado, los convertidores introducen arméni cas de corriente y de voliaje en cl sistema de alimentacién y en ta salida de los convertidores. See. 7 Efectos perifericos 5Estas pusden originar problemas de distorsién del volijc de salida, gencracién de arménicas cn el sistema de alimentacidn ¢ interforencia con circuitas de comunicacién y sefalizacién, Normal- ‘mente es necesario introdueirfiltros en la salida y en la entrada de un sistema convertidor, para reducir a una magnitud aceplable el nivel de arménicas. En la figura 1-13 se muestra el diagrama de bloque de un convertor de potencia generalizado La aplicacién de la electrénica de potencia pa- 1a alimentar cargas elecirOnicas sensibles presenta un rew sobre temas de calidad de 1a potencia y presenta problemas y proocupaciones quo deben ser rosucltas por los investigadores. Las eantida ddes de entrada y de salida de los convertidores pucden ser ca 0 ed. Factores tales como la distor- sién aménica total (THD), el factor de desplazamiento (HF) y el factor de potencia de entrada (IPP) son medidas de la calidad de una forma de onda. A fin de determinar estos factores, es necesario encontrar el contenido armOnico de las formas de onda. Para evaluar el rendimiento de un convertidor, los voltajesicorricntes de entrada y de salida de un convertidor se expresan en sctics de Fourier. La calidad de un convertidor de potencia se juzga por la calidad de sus formas de onda de voltae y de corriente. Goanaradr da sehal de control de ~ Figura 1-15 Sistema convertisor de potencta generalizada, La estrategia de control para fos convertidores de potencia juega un papel importante en 1a _generacién de arménicas y en la distorsién de la forma de onda de salida, y puede guiarse a fin de minimizar 0 reducir estos problemas. Los convertidores de potencia pueden causar interferencia de radio frecuencia. debido a radiacién clectromagnética. y los circuitos de mando generar seftales erréneas. Esta interferencia se puede evitar mediante un blindaje aterrizado, 4:8 MODULOS DE POTENCIA Los dispositivos de potencia estin disponibles como unidades individuales 0 como médulos. A menudo un convertidor de potencia requiere de dos, cuatro o seis dispositivos, dependiendo de su topologia. Los médulos de potencia con dual (en configuracién de medio puente), quad (en puente completo), 0 seis (tifésicos) estan disponibles para pricticamente todos los tipos de dispositivos de potencia, Los moktulos ofrecen las ventajas de menores pérdidas en estado activo, atas caracteristicas de interrupeién de voltaje y corricnte y una velocidad mas alta que la de los dispositivos convencionales. Algunos médulos incluyen cieuiteria para la proteceiGn de wansitorios y de la excitacién de compuerta. 6 Tntraduccion Cap.1-9 MODULOS INTELIGENTES Los citcuitos de excitacién de compuerta estin disponibles comercialmente para excitar dispositivos individuales © médulos. Los médulos intcligentcs, que represcnian cl estado més avanzado de In electrdnica de potencia, integran el médulo de potencia junto con et circuito periférico. El cir- ccuito periférico esté formado por un aislamiento de cntrada/Salida de una interfaz con el sistema de la sefial y el sistema de alto voltaje, un circuito de excitacidn, un circuito de proteccién y de iagndstico (para evitar una corriente excesiva, corto circuilo, carga abierta, sobrecalentamiento y voliaje excesive), consol por micrucomputadora y uit alinemacién de de contol, Los usuarios sélo necesitan concctar fuentes do alimentacién externas (flotantes). Un modelo inteli gente también se conoce como potencia inteligente. Estos médulos se utiizan cada vex més en la electr6nica de potencia [8]. Los siguientes son algunos fabricantes de dispositivos y de médulos Advanced Power Technology Brown Bovert Fuji Electric/Collmer Semiconductor, inc. Harris Corp. Hitachi Lid. International Rectifier ‘Marconi Electionic Devices, Ine. Mitsubishi Elocuic Motorola, tne. National Semiconductors, Inc. Nihon International Eleetronies Corp. Power Integrations, Inc Powerex, Inc. PowerTech, Inc RCA Comp. Se Siliconix, Ine. Tokin, Ine. Tokyo Denki ‘Toshiba Corp. Uniteode Integrated Circuits Westeodde Semiconductors Lid. fon International 1-10 PUBLICACIONES PERIODICAS Y CONFERENCIAS SOBRE LA ELECTRONICA DE POTENCIA Existen muchas publicaciones peridicas y conferencias profesionales en los cuales se haven pd- blicos los dosarrolios nuevos. Algunos de ellos son: Sec. 1-10 Publicaciones perlodicas y conterencias sobre la elecironica de potencla 17IFFE Transactions an Industrial Electronics IEEE Transactions on Industry Applications IEEE Transactions on Power Delivery TEBE Transactions on Power Electronics IEE Proceedings on Electric Power Journal of Electrical Machinery and Power Systems Applied Power Electronics Conference (APEC) European Power Electronics Conference (EPEC) IEEE Industral Electronics Conference (IECON) IEEE Industry Applications Socicty Annual Mecting (IAS) Intemational Conference on Electrical Machines (ICEM) Intemational Power Electronics Conference (IPEC) Power Conversion Intelligent Motion (PCIM) Power Electronics Specialist Conference (PESC) RESUMEN. Conforme se desareolla la tgenologia de los dispositivos semiconductores de poteneia y los eireui- tos integrados, se amplia el potencial para la aplicacién de la electronica de potencia, Ya existen "muchos dispositivos semiconductores ce potencia comercialmente disponibles; sin embargo, con- Linda el desarrollo cn esta direccin, Los convertidores de potencia se agrupan por lo general en seis categorias: (1) rectificadores, (2) convertidores ca-cd, (3) convertidores de ca-ca, (4) convert dores ed-ed, (5) convertidores ed-ca y (6) intercuptores estiticos. El disco de los cireuitos de la electednica de poiencin reqpriere dl disefin de lox cireuttos de potency de control. 1.8 arméni- cas de voltaje y de corriente generadas por los convenidores de potencia se pueden reducir (0 mi- nnimizar) con una clecciGn apropiacta de la estrategia de control, REFERENCIAS 1. RG. Holt, “Historical review, present status and fu ture prospects”. International Power Electronics Conference, TOKio, 1983. pp. 6-18 s. 2. General Electic, D. R.Grafhum y F. B. Golden, e SCR Manual, 6h od. Englewood Cills. Nl ‘ce Hall, 1982, tional Semiconductor Power Converter Conference, 1982, pp. 1-19. R.G. Hol, Semiconductor Power Electronics. New York: Van Noctzand Reinhold Company, Ino 1986. 6. TM. lahns, “Designing intelligent muscle inta ine dustrial motion control”, IEEE Transactions on In- dusirial Electronics, Vol. 1E37, No. 5 1990, pp. 3. F, Harashima. “State of the art on pawer electronics and electrical drives in Japan”. 3rd IFAC Symposium ‘on Control in Power Electronics and Elecirical Dri vers, Lausanne, Suiza, 1983, tutorial veion and sur vey papers, pp. 23-33 4. BLR. Polly. “Power somicondueior devices: a status review". IEEE Industry Applications Society Interna: 329 341, BR. K. Rose, “Recent advances in power electronics. IEEE Transactions Power Electronics, Vol. PET, No. 1, 1992, pp. 2-16. B. K. Bose, Modern Power Electronics: Evolution, Technology. and Applications. Nueva York: (EEE Press, 1992. 8 Introduccion Cap. 1PREGUNTAS DE REPASO = sQué es electninica de potencia? 2. {Cull son los diversos tipos de tristores? . .Qus es un ciruito de conmutacién? 2Cuafles son las condiciones para que un tirstor conduzca? {4Cémo se puede desactivar un ts ion? or en conde: {QUE es conmutacion de linea? {Que es vommutacisnforzada? . {Cudl oo la diferencia entre un titistor y un ‘TRIAC? . 2Cual es Ia caracteristica de compuerta de un ctor {Cvdl es el tempo de desactivacisn de un itistor? 2Qv6 es un convertor? {Cusl es el principio de eonversién de ea-cd? {Cudl es el principio de conversin de ea-ea? 1410, 1a. 12. 13. 14. 1s. {Cuil es el principio de conversisn de ed-ed? {Cuil s el principio de comversisn de ed-ea? 116. 1. ba, 12, 123 124 13s, 1.26, {iCuiles son Tos pasos incluidos en el disefo de un ‘equipo de electdnica de potencia? {Cuiles son los efectos peiféricos del equipo elec tedinioo de potencia? 1 {Cues sun ay Uieremtia enue Ins waracien ates dle campurta dle las GTO y los tristores? . {Cues son las diferencias entre las earacterfsticas dd compuerta de tristores y wansistores? 1. {Cuales son las diferencias en las caractersticas de compueria de los TBI y los MOSFET? 2Cubl cs la caracterfsticn de compucr lost? {Cudl es la caracteristica de compuerta de un Met? {Cuil es la caracterfstica de compuerta de un SIT? {Cables son las diferencias entre un TBJ y los lopr? eCusles com [ae diferoncine entra lot MCT y los Gtor {Couales son las diferencias entre los SITH y los Gror de un Gap. 1 Preguntas de repasoDiodos semiconductores de potencia 2:1 INTRODUCCION, Los diodos semiconductores de potencia jucgun un papel significativo en os eircuitos clectrSni- os de potencia, Lin diodo funciona como un interrupior, a fin de llevar a cabo varias funciones, ‘como la de interruptores en los rectficadores, de marcha libre en los reguladores conmutados, in- versién de carga de capacitores y transferencia de energfa entre componentes, aislamiento de vol- tnje,retroalimentacién de la energia de la carga ala fuente de energia y recuperacién de la energia strapada, Para la mayor parte de las aplicaciones, se puede suponer que los diodos de potencia 20 terruptores ideales. pero los diodos précticas o reales dificren de las caracteristicas ideales y ti nen ciertas limitaciones. Los diodos de potencia son similares a los diodos de sefial de unig pn. Sin embargo, los diodos de potencia tienen mayores capacidades en el manejo de la energia, el Voltaje y la corriente, que los diodos de seftal ordinarios. La respuesta a la frecuencia (0 velocidad ‘de coumutaci6n) es baja en comparacigin con los diodus de seta, 2:2 CARACTERISTICAS DE LOS DIODOS Un diodo de potencia es un dispositivo de unién pn de dos terminales, por 1o general, una unién pn esti formada por aleacién, dilusién y crecimiento epitaxial, Las técnicas modemas de control tn Tus provesos de UifusiGn y epitaxiales pormiten obtener las caracteristicas desea para el dis= positivo, En la figura 2-1 aparece un corte transversal de una unin pn y un simbolo de diodo. Cuando el potencial del snodo es positive con respecto al eétodo, se dice que el diodo tiene polarizacién directa 0 positiva y el diodo conduce. Un diodo en conduccién tiene una cafda de voltaje directa relativamente pequetta a través de sf mismo; la magnitud de esta caida de voltae depende del proceso de manutactura y de la temperatura de la union, Cuando el potencial del ca- todo es positive con respecto al Snodo, se dive que el diodo tiene polarizacién inversa. Bajo con= 20Anode Citodo anode cétode pla i hoop. — én pn (Simhat Figura 2-1. Simbolo de died y unig pn dliciones de polarizacién inversa, luye una pequetla curriente inversa (Gannbigu eonucida evity co rriente de fuga) en el rango de 1os micros o de los miliamperios, cuya magnitud crece lentamente en funcién del voltaje inverso, hasta llegar al voliaje de avatancha o zener. En la figura 2-2a se ‘muestran las caracteristicas v-i de un diodo en régimen permanente. Para fines précticos, un diodo se puede considerar como un interruptor ideal, cuyas caracterfsticas se muestran en la figura 2-2b, [Las caracteristicas »-1 mostradas en Ia figura 2-2a se pueden expresar mediante una ecuacin conocida como la ecuacitin Schockley de dodo, y esté dada por orriente a través del diodo, A ‘oltaje de! diodo con el snodo positivo con respecto al cétodo, V 1, = comiente de fuga (0 corriente de saturacién inversa), tipicamente en el rango entre 10% ‘n= constanie empirica conocida como coeficiente de emisién o factor de idealidad, cuyo valor varia de 1 a 2. El coeficiente de emisién n depende del material y de la construccldn ffsica del diodo. En el caso de los diodos de germanio, n se considera igual a 1. En los diodos de silicio, el valor predicho de nes, pero en Ta mayor pace de las diodas de silicio reales, el valor dem eae entre. 1.1 y 1.8, En la ecuacidn (2-1), Vres una constante llamada voltaje térmico y esté dada por r (2-2) vp = C2 @ i Yo 3 f re Figura 2-2 Caracteristicas »-i del diodo, Sea22 Caracieristicas de los dlodos Za-arga del electr6n: 1,602 x 10°” culombios (C) smperatura absoluta en Kelvins (K = 273 + °C) k= constante de Boltzmann: 1.3806 x 10° /K ‘A.una temperatura de unién de 25 °C. la ecuacién (2-2) da a (273 + 25) pee = 25.8 mv A una temperatura especiticada, la corriente de fuga /, ¢s una constante para un diodo dado. La tearacterfstiva Uel digdo de la figura 2-2a se puede dividit en ues regiones, Regisn de polarizacién direeta, donde Vp > 0 Regi6n de polarizacién inversa, donde Vo <0 Regin de ruptura, donde Vp <= Vx Regién de polarizacién directa. En la regisn de polarizacion directa, Vp > 0. La corriente del diodo fo es muy pequenia si cl voltaje del diodo Vp es menor que un valor espectfico Viv (uipicamente 0,7 V), El diodo conduce toualmente si Vp es mayor que este valor Vio, que 9° conoce- como ot volinje umbral, voliaje de corte. 0 voltaie de activacién. Por lo tanto, el voltaje umbral es un voliaje al cual cl diodo conduce totalmente. Consideremos un pequciio voltaje de diodo Vp = 0.1 V, n= Ly Vr-= 25.8 mV. De la ecua- cci6n (2-1) poxtemos encontrar que la corriente correspondiente al diodo /p ¢s I = Led = 1) = hfe M809 — 1) = 14873 ~ = 48.23%, con 2.1% de error Por lo tanto, para Vp > 0.1 V, que es por lo general cl caso, Ip >> fa, ¥ la ecua aproximar, dentro de un error d& 2.1%, a on (2-1) se puede " (23) In = Beto’ — = 1, RegiGn de polaricacion inversa. Eu la regis de polatizacign inversa, Vp < 0. Si Vp es nogativo y IVp1 >> Vr, cosa que ocurre para Vp < 0.1, el término de la exponencial de la ecua- cidén (2-1) se. vuelve despreciablemente pequefia en comparacidn cor. la unidad, y la corriente del diodo Ip se vuelve In = beer" (2-4) Jo que indica que ta corriente del diodo Zen la diteccién inversa es constante y es igual al. Region de ruptura. En la region de ruplura, cl voltaje inverso es alto, por to general ‘mayor que 1000 V. La magnitud del voltaje inverso excede un voliaje especificado conocido coma voltaje de rupiura, Von, La corrionte inversa aumenta rictamente con un pequefla cambio en cl voltae inverso mas alld de Vine. La operacién en la regién de ruplura no sera destructiva, siempre y cuando la disipacidn de la potencia esté dentro del “nivel seguro” especificado en la hoja de datos del fabricante, A menudo es necesario limitar la corriente inversa en la regién de la ruptura, a fin de mamcner Ia disipacion de la energfa uenuro de valores permisibles, @ Diodos semiconductores de potencia Cap. 2Ejemplo 2-1 Lacaida de voltaje directa de un diodo de potencia es Vp = 1.2 V a Ip = 300 A. Suponiendo que n= 2y Vr = 25.8 mV, encuentre la corriente de saturacién ly Solucion Aplicando la ecwacion (2-1), podemos encontrar la comiente de tuga (o comiente de. saturacién) Jy a panir de 30 = per Br2eI0 lo que nos da f, = 2.38371 x 10 A. 4 2.3 CARACTERISTICAS DE LA RECUPERACION INVERSA La corriente de un diodo de unién con polarizacién dirécta se debe al efecto neto de los portadores ‘mayoritarios y minoritarios. Cuando un diodo esté en modo de conduccién directa y su corriente se reduce a cero (debido al comportamiento natural del circuito del diodo o a la aplicacién de un vol- {aye mverso), el dio continua conduciendo, debido a los portadores minoritarios que permanecen almacenados en la unién pu y en el matcriat del cuerpo del semiconductor. Los portadores minoritarios requieren de un cierto tiempo para recombinarse con eargas opuestas y neutralizarse, Este tiempo se conoce como tiempo de recuperacién inversa del diodo. En ta figura 2-3 se muestran dos caracteristicas de recuperacién inversa de diodos de unidn, El mas comiin es et tipo de recuperacidn suave. El tiempo de recuperacién inversa se denomina ty y se mide a partir del cruce del cero inictal de la corriente dct dlodo con el 25% de la Corriente inversa maxima (0 de PICO), fe ret formado por dos componente’, 6 ¥ ffs est generado por el almacenamionto de carga en la regién de agotamiento de la unin y representa el ticmpo entre el cruce por cero y la corriente inversa pi 0, In. ts es debido al almacenamiento de carga en el material del cuerpo del semiconductor. La re- Tacin tute se conace como el factor de suavidad, SF. Para efectos précticos, uno debe preocuparse por el tempo total de recuperacidn fy por el valor pico de la corriente inversa Jee In = lat be 5) La corriente inversa pico se puede exprosar en dildt inversa como, at Fi 26) Tem = be Sul {a1 Rocuporacion suave (e1 Recuperacion sbruta Figura 2-3 Caractersticas de recuperacign inverse See. 2-3 Caracteristicas de a recuperacion inversa 33El tiempo de recuperacién inversa tr, puede define como cl intervalo de tiempo entre et instante en que la corriente pasa a través del cero, durante el cambio de la conduccisn directa a la condicion de bloqueo inverso, y el momento en que fa Corriente inversa se ha reducldo al 20% de su valor inverso pico ing depende de la temperatura de la unién, de la velocidad de abatimiento de la corriente directa y de la corriante directa antes de la conmutacién, La carga de recuperacién inversa Ons, eS 1a cantidad de portadores de carga que fluyen a través del diodo en direccién inversa debido a un cambio de la conducciGn directa a la condicién 4de bloqueo inverso, Su valor queda determinado por ef arca encerrada por Ia trayectoria de fa cO- rniente de recuperaci6n inveisa La carga d inionto, que os el rea envuclta por la trayectoria de la corrionte de re cuperacién, es aproximadamente Que = tents + Hnats = Maret, (2-7) bin 20x ; (28) Tee Igualando fa ecuacién (2-6) con la ceuacién (2-8) nos da ota 29) ~ dildt Si tes despreciable en comparacidn con f,, que por lo general es cl caso, fy = fe ¥ la ecuacin (2-9) se convierte en (2-10) y RD Se puede notar, de las ecuaciones (2-10) y (2-11), que el tiempo de recuperacién inversa fy y la cornente de recuperacion inversa pico re dependen de la carga de almacenamicnto Qre ¥ de irae iaverso (0 reaplicado). La carga de almacenamiento depends de la Corrente directa det diodo Jr. La cortionte de rocuporacidn inversa pico Tans la carga inversa Qa y el Factor de suavidad son todos de interés para el disefiador de circuitos. y estos pardmotros se incluyen en forma comin en las hojas de especificacién de diodos. ‘Si un diodo esté en una condicidn de polarizacién inversa, fuye una corriente de fuga debi- 4.2 10s portadores minoritaros. En ese caso, a aplicacion de un voltae directo obligaria al diodo a conducir a corriente en la dircocién dirccta. Sin embargo, se requiere de un cierto tiempo, cono~ ido como el tiempo de recuperacién directa (0 de activacién), antes de que los portadares maya- ritarios de toda la unin puedan contribuir al flujo de corriente. Si la velocidad de elevacién de la Corriente directa es alia, y la corriente directa esté concentrada en una pequefia superficie de la unin, el diodo puede falar. Por Io tanto, el tiempo de recuperacién directo limita la velocidad de elevacidn de fa corriente directa y la velocidad de conmutacién, a Diodos semiconductores de potencia Cap. 2Ejemplo 2-2 El tiempo de recuperacién inversa de un diodo es fy = 3 4s y la velocidad del decremento o de la reduccién de la corriente del diodo es di’dt = 30 A/us. Determine (a) la carga de almacenamiento ‘Gra y (b) la comiente mversa pico Ia. Solucién typ = 3ps y dildt = 30 Alps. (9) De la ecnncisn (12-10), Lit Orn = $= 08 % 30 Ales «0 x 10 = BS uC (&) Dela exuacin (2-11) end a bag ~ 200 G = NE TIT = 90 A 24 TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA Idcalmente, un diodo no deberia tener tiempo de recuperacién inversa. Sin embargo, el costo de fabricacién de un dioco semejante aumentaria. En muchas aplicaciones, no son de importancia los efectos del tiempo de recuperacién inversa. y se pueden uiilizar diodos poco costosos. Dependien- do de las caracteristicas de recuperacin y de la técnicas de fabricacién, los diodos de potencia se pueden clasificar en tres caicgorias. Las caracteristicas y las limitaciones précticas de cada uno de estos tipos restringen sus aplicaciones, 1, Diodos estindar 0 de uso general 2. Diodos de recuperacisn répida 3. Diodos Schouky 2-4.1 Diodos de uso general Los diodos de rectificacién de uso general tienen un tiempo de recuperacién inversa relativamente alto. tipicamente de 25 us, v se utilizan cn aplicaciones de baja velocidad, en las que el tiempo de recuperacién no es crtico (por ejempto, en rectificadores de diodos y convertidores para una baja frecuencia de entrada, de hasta 1 kHz, y en convertidores conmutados en linea). Estos diodos cu- ‘ren especificaciones de corriente desde menos de uno hasta varios miles de amperios, con especificaciones de voltaje desde 50 V hasta alrededor de 5 KV. Estos diodos gencralmente se fabrican por difusidn, Sin embargo, los rectficadores de tipo de aleacién usados en las fuentes de alimen- tacién para méquinas de soldadura son muy econdmicos y duraleros. cuyas especificaciones pueden llegar hasta 300 A y 1000 V. 2.4.2 Diodos de recuperacién répida Los diodos de recuperacidn rapida tienen un tiempo de recuperacton bajo, por 1o general menor que 5 js. Se atilizan en circuitos convertidores ed-cd y cd-ca, en los que la velocidad de recupe- cin es a meniido de importancia crite Fsios diodas euheen especificaciones de corriente, des: dde menos de uno hasta cientos de amperios, con especificaciones de voltaje desde SOV hasta aproximadamente 3 kV. Para especificaciones de voliaje por arriba de 400 V, los diodos de recuperacién répida por Jo general se fabrican por uifusion y 1 tiempo de recuperacion es comrolado por Uifusién de oro 0 Sec. 24 Tipo de diodes de potencia 2splatino. Para especificaciones dle voltaje por debajo de 400 V, los diodos epitaxiales proporcionan velocidades de conmutacién mayores que las de 10s diodos de difusion, Los diocios epitaxial ti nen la base més angosta, lo que permite un ripido tiempo de recuperacién, tan bajo como 50 ns. En la figura 2.4 se muestran diodos de recuperacién rida de varios tamaiios 2.4.3 Diodos Schottky En un diodo Schotiky se puede etiminar (0 minimizar) el problema de almacenamiento de carga de una unidn pn, Esto se lleva a cabo estableciendo una “barrera de poteneial” con un contacto en- uve un metal y un semiconductor. Sobre una capa dclyaala epitaxial silicio de tipo a se deposita tuna capa de metal, La barrera do potencial simula el comportamiento de una unin pr, La accién rectificadora slo depende de los portadores mayoritarios, y como resultado no existen portadores rminoritarios on exceso para recombinar, El efecto de recuperacidn se debe tinicamente a la auto- capacitancia de la unidn semiconductora. La carga recuperada de un diodo Schottky es mucho menor que la de un diodo equivalente {de unin pn. Daxlo que se debe slo a la capacitancia de la unién, basicamente cs independiente de Ia difdtinvorsa. Un diodo Schottky tiene una salida de voltae directa rolativamente baja. Lacorriente de fuga de un diodo Schottky es mayor que la de un diodo de unién pa. Un dio do Schoitky con un vollaje de conduccién retativamente bajo tiene una corriente de fuga relativamente alta, y vicoversa. Como resultado, su voltaje miximo permisible esté por fo general lumitado a 100 V. Las espeeiticaciones de corriente de los diodos Scholtky varian de 1 300 A, Los diodos Schottky son idcales para las fuentes de alimentacién de alta corriente y de bajo voli Je en corrionte directa, Sin embargo, también se utilizan en fuentes de alimentacién de baja corriente para una eficiencia mayor. En la figura 2-5 se muestran rectficadores Schotky de 20 y de 30 A duales, Figura 2-4 Diodos de recuperacién ré- ida, (Contesia de Poweren, lite) 36 Diodos semiconductores de potencia Cap. 2Figura 2-5 _Reetificadores contrles Schottky de 20 y 40:30 A dusle, (Cortes do Insenational Rectifier.) 2:5 EFECTOS DEL TIEMPO DE RECUPERACION DIRECTA E INVERSA La importancia de estos parimetros se puede explicar con ta figura 2-6a. Si cl interruptor. SW. se cierra on 1= 0 y se manticne cerrado el tiempo suficionte, una corriente en régimen permanente Ip = VIR fuird a wavés de la carga y cl diodo en marcha libre Dy quedaré con polarizacién inversa, Si | petido ote Fo wevewicion Figura 246 Cireito olsdor sin inductor (by Formas de onda Timitarte did. See. 2-5 Efectos del tiempo de recuperacion directa ¢ inversa ra<1 interruptor se desconecta en £~ t, 1 diodo Dm conducirs y Ia corricnte de carga circulars a tra vés de Da. Ahora, si interruptor se vuelve a conectar en e! tiempe 1 = tel diodo Da Se compor- tard como si estuviera en corto circuito. La velocidad de elevacién de la corriente directa del interruptor (y del diodo D;), y la velocidad de reduccién de la corriente directa en el diodo Dz serian muy allas, endiondo al infinito, Te acuerdo con 1a ecuaciGn (2-11), la cortiente de pico inversa del diodo Dy podrfa ser muy alta, y los diodos Di y Dm podrian daftarse. En la figura 2-6b se rmuestran Ias diversas formas de onda para Jas corrientes de diodos. Fste problema por lo general se resuelve conectando un inductor limitante difdt,L,, tal y como aparece en la figura 2-7a. Los diodos reales o practicos requieren de un cicrto tiempo de activacidn, antes de que toda la superficie de la unién se haga conductora, dildt debe mantenerse bajo, para alcanzar el limite de tiempo de activacicn, Este tiempo a veces se conoce como tlempo de recuperacién directa ty. La velocidad de clevacién de la corrintc a vavés dol diodo Ds, que deberia ser la misma aque la velocidad de redueciin de Ia corricnie 9 través dl dda Dy eS ay ane a9 dt ks a) ee oe yw (ei Formas de onda Figura 2-7 Circuito pulsador con inductor limitante dil 2 Diodos semiconductores de potencia Cap. 2Si fy es el tiempo de recuperacién inversa de Dp, la cortiente de pico inversa de Dy es (2-13) y lacorriente de pico a través del inductor L, serfa 2-14) In = Io + dew ‘Cuando la corricnte del inductor se convierte en fy cl diodo Dm se desconccta 0 desactiva repenti- namente (suponiendo una recuporacién abrupta) y rompe la trayeetoria del flujo de corriente. En raz6n de una carga altamente inductiva, la corriente de carga no puede cambiar répidamente de Io ‘Jp. La energia excedente almaccnada en L, induciria un alto voltae inverso a través de Da, y €St0 ‘podria dafar al diodo Dy. La cnergéa almacenada excedente resultante de un tiempo de recupera- in inverso se calcula a partir de Wa = $LiUlo + dee)? ~ Jil 5) Wa = 4b, [(o+ 54) - 2] (216) Las formas de onda de las varias corricmtes se muestran en la figura 2-7b, Esta energfa excedente se puede transferir del inductor L, a un capacitor C,, que se conecta a través del diodo Dy. El valor de C, se puede determinar a panic de ACV = Wr obien ow, , Gas (2-17) donde V- es el voltaje inverso permisible del diodo. ‘Una resistencia R,, que se muestra eu la figura 2-7a con Ifneas punteadas, se couecta en serie con ol capacitor, para amortiguar cualquier oscilaci6n transitoria. La ecuacién (2-17) es aproximada y no toma en consideracién los efectos de L. y de R. durante los transitorios de la transferencia de cnergia, El disco de C. y de R, se analiza en la seccién 15-4 2.6 DIODOS CONECTADOS EN SERIE En muchas aplicaciones de alto votaje (es decir, en iineas de transmisién HVDC), un diodo comercialmente disponible no puede dar la especificacién de voltaje requerida, por lo que los diodos se conecian en serie para aumentar las capacidades de bloqueo inverso. ‘Consideremos dos diodos coneciados en seric, tal y como se mucsira en la figura 2-8a, En la prictica, las caracteristieas vi para el mismo tipo de diodo differen dchido a tolerancias en su proceso de produccién, En la figura 2-11b se mucstran dos caracteristicas v- para tales diodos. En condicién de polarizacién directa, ambos diodos conducen la misma cantidad de corriente, y 1a cafda de voltaje directa de cada diodo deberia scr pricticamente la misma, Sin embargo, en la Condicidn de bloqueo inverso, cada diodo tiene que Hevar la misma corriente de fuga y, como resultado, los voltajes do bloqueo variarin on forma significativa ‘Sec.2-6 Dlodos conectados en serie 2(a1 Diagrama oe creuto (0) caraconstca wt Figura 248 Dos diodos conectados en serie con polarizacin invers. ‘Una solucién sencilla a este problema, tal y como se muestra en la figura 2-¥a, es obligar a {que se comparta el mismo voluaje conccundo un resistencia a waves de cals diode, Debide a ex ta distribucién do voltajes iguales, la corriente do Fuga do cada diodo seria diferente mostrindose, esto en la figura 2-9b. En vista de que la corriente de fuga total debe ser compartida por un diodo y su resistencia, L Ta + Tey = ta + Tee 18) Pero Ini = VoURi€ Im = VoulRa = VouRo. La ecuacién 2-18 proporciona la relacién entre Ri y Ra para una distribucién de voltaje igual, cn la forma Met Me hit Rn lat Re (2419) Si las resistencias son iguales. R = R = Ry y los dos voltajes del diodo serfan ligeramente dis tos, dependicndo de las similitudes entre las dos caracteristicas vi. (a1 Diagrama de crcuito (0) Caracteriates wt 1ra 2-9 Diodos concetados en serie, con curactertaticas de distibucién de voltaje en régimen permanente 30 Dindas semiconductores de potencia _ Cap.?Los valores de Vn y Vo se pueden determinar de las ecuaciones (2-20) y (2-21): Voy Vor it pales 220) Voi + Vox (2-21) a distibucién del volts bajo condiciones wansitorias (es decir, debido a cargas en conmuta- cin, aplicaciones iniciales de un voligje de entrada) se leva a cabo conectando capacitores a ira 6s de cada diodo, lo que se muesizaen la figura 2-10. R, limita Ia velocidad de elevacién del voltaje de bloguco. DBiatiowoion Distibuetbn de voldje on ‘vole ‘estado per ee igura 2-10 Diodos en serie con redes de distibucién de veltaje bajo condiciones de ré- ‘gimen permanente y wansitoria. 2.7 DIODOS CONECTADOS EN PARALELO En aplicaciones de alta potencia, los diosos se conectan en paralelo para aumentar la capacidad de conduccién de corriente, fin de lenar las especficaciones de corriente deseadas. La distribucién de corriente de los diodos estaria de acuerdo con sus respectivas caidas de voltaje directas. Se puede obtener una distribucion uniforme de corriente proporcionando inductancias iguales (por éjemplo en las terminales) © conectando resistencias de distribucién de corriente (cosa que puede no ser prictica debido a perdidas de energia); lo anterior se muestra en la figura 2-11. Es posible minimizar este problema seleccionando diodos con caidas de vollajedirectas iguales 0 diodos del mismo tipo, Dado que los diodos estin conectados en paralelo, os voltajes de bloqueo inverso de cada diodo seria los mismos. . Las resistencias de la figura 2-118 ayudarin a 1a repartcion de corriene en condiciones de ségimen permancntc. La reparticién de la corricnte bajo condiciones dinémicas se puede Hevar a cabo mediante fa conexién de inductores acoplados, tal y como se muestra en Ia figura 2-11b, Si Te D, YD Yor Yor ° Rhy ie Ga q a ue 8u i. 3 1 (a) estado permanente 1b) Repartiion dnd Figura 2-11 Diodos conectads en paraelo, Sec.2-7 Diodes conectados en paralelo atse eleva la cortiente a través de Di. el L dildt a través de Li aumenta. y se induce un voltaje correspondiente de polaridad opucsta a través del inductor L2. El resultado es una trayectoria de baja impedancia a través del diodo D2 y la corriente sc transfiere a Dz. Los inductores generarfan picos de vollaje y podrian resullar costosos y voluminosos, especialmente en corrientes alta. 2:8 MODELO SPICE DE DIODO EI modelo SPice de un diodo aparece en la figura 2-122, La corriente de diodo Ip, que depend de su voltae, estérepresentada por una fuente de corriente. R, es a resistencia en serie, yse debe a la resistencia del semiconductor. R,, también conocido como resistencia det cuerpo, depende de la A Rs A o + oY S wl Dio K K {a} Biodo (©) Modelo SPce A A Rs — Rs Vo} 2 Ro Figura 2-12 Modelo de diodo SPice, (e) Modeto de poquesa (9) Modelo exttico con diodo de polarizacin inversa, 2 Diodos semiconductores de potencia_Cap.2cantidad de dopados. Los modclos de pequefia scfal y estéticos que se generan mediante SPice aparecen en la figura ?-19b y c, respectivamente. Ces una funcién no lineal del voltaje de diodo vp yes igual a Cz = dag/dvp, donde gy es la carga de la capa de agotamiento. SPice genera los pa- metros de pequefta sefial a partir del punto de operacidn, Elentunciado del modelo SPice de un diodo tiene la forma general Poev2 Paev puevey DNAME ¢s cl nombre del modlo y puede empezar con cualquier carécter; pero el tamaiio de esta palabra por lo general se limita a ocho caracteres. D es el sfmbolo dol tipo para dicdas. PI, P2, y V1, V2, .. Son los pardmetros de madclo y sus valores, respectivamente, Ejemplo 2-3, Dos diodos que se muestran en la figura 2-Ja estin conectados en serie, un voltaje total de Vp = 5 kV. Las corriontes de Tuga inversas de los dos diados son [41 = 30 mA ¢ Jyg = 35 mA. (a) En- ‘cucnire los voltajes de diodo, si las resistencias de distribuci6n del vottaje son iguales, Ri = Ra = R = 100 kQ, (b) Enouenire lus resiteneis do reparticion dol voltaje Ry y Ray si los voltajes del diodo son iguales. Vox = Vra = Vi/2. €) Usilice PSpice para verificar los resultados de la parte (2). Los pardmetros de! madclo PSpice son: BV = 3KV e IS = 30 mA para el diodo Dy, € IS = 35, ‘mA para el diodo Dp, Solucton (a) fy) = 30.MA, fy Vox. Dela ceuacién (2-19), 100K. Vp = Voi + V2 0 bien Vo; Sustituyendo Vp; SAY, MOR 6 69 3910-9 = 2809 2.5 kV. De la ecuacién, 19 ‘que nos da la resistencia R2 para un valor conocido Ry como Vek > RT Bids fa) @23) Suponiente que Ry — 100 kA, obtenemos 2SKV x 100k0 TSKV = 100 KO x GF x 10 — 30 10 125 ka. See ZR Modelo SPice de Diada ert(€) El citeuito de diodo para la simulacién PSpice aparcos en la figura 2-13, La lista del archivo de circuito es como sigue: Example 2-3. Diode Voltaje-Sharing Cireu veo1) Oe SKY R12 .01 Ri 23 100K bl 3 2 Moo nofeee eee 3 ae 0072 THODEL M0D2 0D (1S=35™A 2 Diode model paraneters toe 3 De ing point analysis Los resultados de la simulaci6n PSpice son 508-02 Ip, - -38 a 2.258003 Vpe ~ -2250 V 100z+12 Rye = 1 Ga Figura 2-13 Circuito de diodo pare Ja simulacion PSpice del ejemplo 2. RESUMEN. Las caracteristicas de los diodos pricticos dificren de las de los diodos idcales. El tiempo de recu- peraciOn inversa juega un papel signilicauivo, espectalmente en aplicaciones de interrupcion de alta velocidad. Los diodos se pueden clasificar en wes tipos: (1) diodos de uso gencral, (2) diodos de recuperacidn ripida y (3) diodos Schouky. Aunque un diodo Schottky se comporte como un diodo de unién pa, no existe unidn fisica: y como consecucncia, un diodo Schottky es un dispositivo de portadores mayoritarios, Por otra parte, un diodo de unién pn es un diodo de portadores tanto mayoritarios como minoritarios. ‘Si para aumentar la capacidad det voltaje de bloqueo los diodos se conectan en serie, se requieren de redes de reparticién de voltaje bajo condiciones de régimen permanente y transitorio. ‘Cuando los diodos se conectan en paralelo, para aumentar Ia capacidad de conduccién de corriente, también requieren de elementos de reparticién de corriente. aa Diedos eemisonductores de potencia Cap. 2REFERENCIAS 1. M.S. Ghausi, Electronic Devices and Circuits. 4. P. W. Tuinenga, SPICE: A Guide to Cireuit Sim Nueva York: Holt, Rinehart and Winston, 1985, p. lation and Analysis Using PSpice. Englewood 672. Cliffs, N. J: Prentice Hall, 1992. 2, PR. Gray y R. G. Meyer, Analysis and Design of 5. PSpice Manual. Irvine, Calif: MicroSim Corpora Analog Integrated Circuits. Nueva York: Jon tion, 1992. Wiley & Sona, Ine. 1984, p. 1 3. M. H. Rashid, SPICE for Circuits and Electronics Using PSpice. Englewood Cliffs, N. J.: Prentice Hall, 1990. PREGUNTAS DE REPASO Bet {Calles son los tipos de diodos de potencie? 211. ,Cules son ls iferoncis principles err los 2:2, {Qué es la coniente de fuga de los diodos? diovios de unin pr y los diodos Schowtky? ; 22, ;Cules son las Timitaciones de los diodos oie i Schotky? 243, {Cull es l tempo de recuperacién invesatp- 2-4. {Qué oI crsone de rocporacisn nvorn ds e * co de los diodos de uso general? los diodos? 2-5. ;Qué es el factor de suavidad de los diodos? a4 sCufl ce ol ismpe de. eae tipi 2.6, ;Cuiles son los tipos de recuperacién de los a ne diodos? 218, {Cudles son los problemas de los diodos conectados on serie, y eudlee zon lac goluciones post 2-7, ;Cudl es la causa del tiempo de recuperacién ies x Ps {nversa de un diodo de unin pr’? 28, {Cuil es el efecto del tiempo de recuperacién 2-16, ;Cudles son los problemas de los diodos conec- lados en paralelo, y cudles son las soluciones posibles? Si dos diodos estén conectados en serie con igual repanicion de voluje, :por qué difieren las 29, {Por qué es necesario uilizar dieaos de recupe- racién répida para convorsin de alia velocidad? 210. ;Qué-es el tempo de recuperacidin directo? corrientor de fuga de lor diodos? PROBLEMAS |. El tiempo de recuperacién inverse de un diodo es Determine (a) el coeficiente de emisién n, y (b) fy = S us, y la velocidad de reduccién de Ia cor la corriente de fuga Jn mente del diodo es didi = 8) Afi. Si el factor de suavided co SF» 0.5, dotormins (a) a carge do 9.9, almacenamiento Qe. y (b) le cortiente inverse ico fe. }. Dos diodos estén conectados en serie y el voltaje a tlavés de cada unu de ellos 9¢ mnantioue igual mediante la conexién de una resistencia de distri bucién de voliaje, de tal forma que Voi = Vox 2000 V y Ri = 100 kO. Las caracteristicas vi de los diodos aparecen en la figura P2-3, Determine las corrientes de Fuga de cada diodo y Ia resisten- cin Ry a travis dl dodo Da. 2:2, Los valores modidos de un diodo a una tempera tura de 25 °C son Problemas EC2-4, Dos diodos estén concetados en paralclo siende In cafda de voltaje directa a través de cada uno de ellos de 1.5 V. Las caracteristicas 1-i de los diodos aparecen en la figura P2-3, Determine las co- rionles diroctas a traves de cada dod. 2-5. Dos diodos estan conectados en paralelo, como se smweatra on Ia figure 2 119, con rosistoncias ds ro particién de corriente. Las caracteristicas v-i se ‘muesiran en la figura P2-3. La corriente total es Jy = 200 A. El voltaje a través de un diodo y su igura ¥2-3 resinencis ey v= 2.5 V. Determine los valores do las resistencias Rt y Ro sila corriente se comparte cn forma ideal entre ambos diodos. 2.6, Dos diodos estén conectados en serie, como apa- reco en la figura 2-9a, La resistencia a través de los diodos es Ry = R= 10 kQ. El vollaje de entrada do corrionte diracta oe SkV. Lae eorrientes de fuga son Ix) = 25 mA c La = 40 mA. Determi- ne el voltae a través de los diodos. 36 Diodos semiconductores de potencia _Cap.2Circuitos de diodos y rectificadores 3-1 INTRODUCCION Los diodos semiconductores tienen muchas aplicaciones en la electrdnica y en los circuitos de genieria eléetrica, Los diodos también son ampliamente utilizados en los circuitos de electrénica de potencia para la conversin de energia eléctrica. En este capftulo se anatizan algunos circuitas de diodos de uso comin en la eleewniea de poteneia para el procesamiento de la energia. Se hace ina introduecisn a tas aplicaciones de. los diovios para la conversién de. energia de ca a ed. 108 convertidores de ca a cd se conocen comunmente como rectificadores, tos rectificadores de diodos entregan a la salida un potencial fijo de corriente ditecta, Para simplificar, los diodos serén Considerados como ideales. Por “ideales” queremos decir que el tempo de recuperacion inversa fry la cafda de voli directo Vp son despreciables. Esto 6s, fy = Oy Vp = 0. 3:2 DIODOS CON CARGAS RCY RL La figura 3-1a muestra un circuito de diodos con una carga RC. Cuando se cierra el interruptor $ en 0, la coment dcarga, qu ae arves Jel apa, sped dterminar a parti de Ven unt ucn ent b fide + ost = on ntonent hides oft ~ 0 a= Ri a2) Con la condicién inicial vt = 0) = 0, la solucién de ta ecuacién (3-1) (misma que se resuelve en el apéndice D.1) da la corriente de carga t como Vv, = MS une r w= R G3) 37(2) Diagrams de creuito (0) Formas de onda Figura 3-1. Circuito de diodo con carga RC. El voltaje del capacitor ve es wat) = B fide = va = ee) = val =) ov done t= RC es la constante de tiempo de una carga RC. La velocidad de cambio en el votaje del ‘capacitor es doe. Veg unc oe = Ree os y la velocidad de cambio inicial del voltaje del capacitor (cuando 1 = 0) se obtiene a partir de ka ceuacidn (3-5): eo v, de Me 3-6 di |” RE a En Ia figura 3-2a aparece un circuito de diodo con una carga RL. Cuando el interruptor Sy se cierra en ¢= 0, la corriente ia través dl inductor aumenta y se expresa como Vi, = unt up LS + Ri a7 di a 2, 7 i, - ot : ieee {a1 Bagram oe creuto to) Formas oe onc igura:3-2 Cireuito de iodo con carga KL. 38 Circuits de diodes y rectificadores Cap. 3Con ta condici6n inicial ir ee D.2) da , 1a solucién de la ecuacién (3-7) (que se resuelve en el apéndi- v, Magy — em 3-8) Raney G8) in) La velocidad de cambio de esta corriente se puede obtener a partir de la ecuacién (3-8), como sigue oe 8) dob ¥ ta velocidad inci de elevacfn de a coin (en = secuine del ecuacidn 0-8) ayy, . ay aw G10 Et volaje ve vavés det induces yl) Veet (HN) ‘cuando LR = + ¢s la constante de tiempo de una carga RL. Las formas de onda para et volte v, y para a cornente aparecen en la figura 3-20. St >> LR, ol voliaje @ wavés del inductor iene a coro y su vouiente akcanza un valor en ségimen permna- nente de J, = V,/R. Si en ese momento se intenta abrir el interruptor Sy, la energia almacenada en el inductor (=0.5L/*) se transformard en un alto voltaje inverso a través del interruptor y del diodo. Esta cenergia se disipard en forma de chispas en el interrupir, y es probable que el diodo D; se dae en este proceso, Para resolver una situacién como ésta, se conecta un diodo comtinmente conocido como odo de marcha lbre a traves de la carga inductiva, tl y como se ve.en la figura 3-8a Nota. Dado que la corviente en las figuras 3-1a y 3-2a es unidireccional y no ticnde a care- bar de potaridad, los diodos no afectan la operacién del circuito, Jemplo 3-1 Un circuito de diodo aparece en la figura 3-3a con R = 44 Q y C= 0.1 MF. El capacitor tiene un voligje inicial, Vp = 220 V. Si el inwertupior Sy se cera en 1 0, dewertine (a) la eorriemte pico del iodo, (b) la energéa disipada en la resistencia R y (e) el woltaje del capacitor en el tiempo t= 2 ps Solucién Las formas de onda se muestran en la figura 3-3b. (a) Se puede utilizar la ecuacién (3-3) con V, = Vo siendo la corriente de pico del diodo fp 1, % a (b) La energie W disipada es W=0SCV6 = 0.5 x 0.1 x 10° x 220° (©) Para RC=44 x 0.1244 ysy 100242 J = 2.42 my Lis, ¢lvoltaje del capacitor es UAE = 2 ps) = Voe"* = 220 x e284 139.64 V Now, Como la cortieme es unidireccional, et diodo no afecta la operaciGn del cixcuito, ‘See, 32 Dlodos con cargas ACy AL 3. o(___ >, Dy > Yo “ otal : ° 1 Ce Digrme ce cute (2 Fomas de ond Figuen 3:4 Ciruitn de devin en carga RC 3-3 LiWDOS CON CARGAS LCY ALC Un cireuito de diodto con carga LC aparece en la figura 3-4a, Cuando se cierra el interruptor Sy en £0, ka corrivae de vanya Z del capacitor se eapnesa eon dit V,= Late! ide+ n= 0) Con condiciones iniciales i(¢ = 0) = 0 ve ), se puede resolver la ecuacién (3-12) en fun- cin de la corriemte i del capacitor como (vea el apéndice D.3) G13) G14) G-15) il (a) Dagrames ge ereuto (e Formas ae onaa 1ra 3-4 Circuito de diodo con carga LC. 20 Circuitos de diodos y rectificadares Cap. 3La velocidad de elevacién de la couicute se obticne a past de la eouacign (3-13) como di_v, o - Fc0s w 31 apt aes y la ecuacién (3-16) da la velocidad iniciat de elevacién de la corriente (en 1 = 0) como di) _ Ys deo Te G-17) vole vans dl capacitors pus dcr cono it wo=d fia vid ~ eas on ow En un momento VTC. la corriente del diodo i cae hasta cero y cl capacitor se carga hasta 2V,, En la figura 3-4b se muestran las formas de onda para el voltaje vy y la comriente i ‘Bjemplo 32 Un cireuito de diodo con una carga LC se mucstr en la figura 3-58, el eapacitor tiene un voltaje Inicial Vo = 290 V, capacitancia (= 20 HF e ineictancia J. = 80 WH. Si el interrupt Sy se cierea en 1 = 0, determine (a) la corsiente de pico a través del diodo, (b) el tiempo de conduecién del diodo y (cl voltae del capacitor en régimen permanente. Solucion (a) Utiizando la ley de voltae de Kirchhoff (KVL Kirchhoyfs Voltage Law), podemos cacribir la ccuacién do la comionte {dela siguiente forma dt ta elias ot a 0 y la corriente i con condiciones iiciales (= 0) = Oy vt = 0) = ~Vo se resuelve como an = vy ¥ donde = 1NTE = 101 20% BO = 25,000 rad. La comin e pico Jp <9 D: 7 oy, |v ~ I: Veja, (a) Dagrame de ckeuto (er Formas ee ond Figura3-5- Circuito del dodo con cares LC. See. 32 Diodes con cargae ACy ALC a(®) En = 1) = x VLG, la comente del dlodo se converte en cero y el tempo de coudue~ ci6n del diodo #8 1 — w VEC ~ 2 VRB ~ 125.66 us (©) Se puede demosirar fécilmente que el voltaje del capacitor es wan = Bflide= v= Vy cos wt Para t= 1 = 125.66 ps, (t= t:)= -220 cos = 220 V. En Ia figura 3.6 aparece un circuito de diado con carga RLC. Si el interruptor S; se cierra en = 0, podemos utilizar la ley KVL para escribir la ecuacién de la corriente de carga i como ai 1 LE RFE fide + v= O=V (G19) con condiciones inicialesi(e~ 0) y we(¢~ O)= vo, Al diferencias la eeuacién (3-19) y dividie ambos miembros entre, obtenemos ai Rd, i 20) de La Te Bajo condiciones de régimen permanente, el capacitor estd cargado al voluje fuente Vs, siemdo corrionte do régimon pormanonte coro. También en la ecuacidn (3-20) es coro la componente forzada de la corriente. La corriente se debe al componente natural La ecuacidn caracteristica en el dominio de Laplace de s es 1 R ' i = 3-21) L* * Lc i. tas races dela ecuncidn cundritiea (3-21) extn datas por Rk, {Ryo sos ae 2 VGr) ~ ze Ga) Definamos dos propicdades importantes de un circulto de segundo orden: et factor de amortigua- aas 3.23) y la frecuencia de resonancia, (3-24) Figura 3.6 Circuito de diodo com carga REC. @ Girouitos de diodes y restilicadarce Cap. 3Sustituyendo estos valores en ta ecuacidn (3-22), obsenemos Sia = ~at Va? ~ aj 3.25) La solucién en funcién de la cortiente, que dependerd de los valores de cy de @o,seguiria alguno de tres casos posibles. Caso 1. Si a= oo, las rafees som iguales, 91 = 2, y el vitcuito se conoce como criticur ‘mente amortiguado. La solucién seré de Ia forma i) = (Ay + Arde" (3-26) a0 2. Si o> op, las rafces serdn reales y el circuito se dice que estard sobreamorti- ‘guado, La solucién toma ta forma WY) = Ayen + Ane’ 3-27) Caso 3. Si a< wo, las rices serdn complejas y el circuito se dice que estard subamorti- ‘guado. Las raices son Sia = at jo, (3-28) donde wr s¢ conoce como la frecuencia de resonancia (0 la frecuencia resonante amortigua: a) yo, = Vong 68 Ta colucidn toma ta forma fle) = e-*(Ay cos at + Az sem wy) G29) que es una sinusoide amortiguada 0 de decaimiento. Nota. Las constantes A y Az 69 puodon dotorminar a parti de las condiciones inicialee del cirenitn, La relaci6n e/g se connce comtinmente como la relaciéin de amortiguamiento, 8. Por lo eneral, los circuitos electrdnicos de potencia estén subamortiguados, de forma que la corriente del circuito se hace pricticamente sinusoidal, afin de tener una salida de corriente alterna y/o desactivar un dispositivo semiconductor de potencia. =... 1H eirouito KLC de segundo orden de la figura 3-6 tiene el voltaje fuente V, = 220 V, una indue- tancia L = 2 ml, una capacitancia C = 005 uF y una resistencia R = 160 2. El valor iniial de voltae del capacitor Vo = 0. Sie! inermuptoe «se cierra on f= 0, determine (a) wna expresién para la corriente i) y (6) el tiempo de conduccién del diodo. (c) Dibuje un esbozo de id). (4) Utilice PSpice para gaficar la corient instanténea i para R = 50 0, 160 2 y 320.2. Solucton (a) De Ia ecuacion (3-23), = RIZL = 16) % 10K x 2) = 40,000 rad/s, y de 1a ecua cidn (3-24), y= IW LC * 10° rad/s. 0, = VIDP TOTP = 91,652 rads Dado que a < a, se trata de un circuito subsmortiguado, y la solucién es de la forma il) = e°°4Ay cos ay + As senent) En 1= 0, (1 0)=0 y sto da Ay = 0. La golucién £0 conviorte on Ho) = e-*A2 sen ut See.33 Diedoo oon cargas LCy ALG a3La derivada de (1) se convierte en di SF = 608 tse (Cuando el interruptor se cierra en 1= 0, el capacitor ofrece una baja impedancia y el inductor una sta impedantia. La velocidad inicial de clevavidu de la covicnte esté Timitada dnicaniente por el inductor L Por lo tanto, en 1= 0, el ld del cirewita ee V, iL. Por lo tanta, ay Flea = & To que nos da la constante en Ia forma, ¥, _ 220 x 1000 OE OLR xD Ay La expresién final para la cortiontei() es An) = 1.2 sen (91,6520e~ “A (b) El tiempo de conduccién del diodo fy se obsiene cuando £= 0. Esto es, = gag MIT us ety (©) Fleshnze de la forma de onda de la corriente aparece en Ia figura %-7. (@) El citcuito correspondiente a la simulacign PSpice (3] se muestra en Ia figura 3-8. La lista del archivo de circuito es como sigue: Example 3-3 LC Cirewit With Diode YALU = 160 1 Define paraneter VALU PuL (9 INS ims 2200); Picewise linear 1 0 203 40 en vith model oM0D nsient analysis phics postprocessor PROBE : El wazo PSpice de la comient I()aravés dela resistencia R aparece en la figura 39, Figura 3-7. Forma de onda de corriente para el ejemplo 3-3 a Circuits de diedes y rectificadores Cop. 3220V Date/Time run 1.08. 0.88: (a) Circuito Figura. Example 3-3 onvt7/92 15: 45: UL yous oral 2008 as i+ - > Figura:3-9 Graticaciones para el ejemplo 3-3. ARLE Circuit with a Diode 8 Cirouito RLC para simulacién PSpice. 27.0 Temperature: “Sue tue 2,008 0000, n 506.33 Diodos con cargas Icy ALC3-4 DIODOS DE MARCHA LIBRE Sil interupior S; de la figura 3-2a se cierra durante el tiempo f, se establece una corriente a tra- vvés de la carga; si entonces se abre el intesruptor, se debe encontrar una trayectoria para la corriente de la carga inductiva, Esto se efectia normalmente conectando un diodo Dy tal y como aparece en la figura 3-10a, este diodo usualmente se Hama dlodo de marcha libre. La operaciin del cireulo Se puede dividie en dos modos. El modo 1 empicza cuando el intorruptor se cierra en t= 0, y el modo 2 empieza cuando se abre el interruptor. Las circuitos equivalentes para cada uno de los modos aparecen en la figura 2-10b. i; ¢ iz se definen como las corrientes instantineas correspondientes a Jos modos 1 y 2, espectivamente. 1 y son las duraciones correspondientes de dichos modos. Modo 1. Durante este modo, la corriente del diodo ij, que es similar a a de la ecuacisn G8). es it) = 2 = ent (B« age ) 3-30) Cuando el interruptor se abre en # = fy (al final de este modo), 1a corriente de dicho momento se convierte en nil Gan a8 R 7 L ugh ve On we ie a n a {3} Diagrams de cireuito (b) Circuits equivalentes {er Formae de onda Figura 3-10 Circuito con dodo de marcha lire a6 Circuitos de diodos y rectificadores Cap. 3Sieel tiempo fy es lo suficientemente largo, la corrionte llega al valor de régimen permanente y una corriemte /, = Vo/R Muye a través de la carga. Modo 2. Este modo empieza cuando se abe el interruptor y la corriente de carga empicza a fluir a través del diodo de marcha libre Dp. Si redefinimos el origen del tiempo al principio de este modo, la corriente a través del diodo de marcha libre se encuentra a partir de + Ris 332) con la condicicn inicial is(t = 0) j. La soluci6n correspondiente a la ecuacion (3-32) da la co- i) = heme 633) esta comriente decae en forma exponencial hasta cero en ef momento = f2, siempre y cuando f2 >> IR, Las formas de onda de las corrientes aparccen en la figura 3-10c. Ejempla En la figura 3-10, la resistencia os desprociable (R= 0), el voliaje de fuente es V,= 200 V, y Ia inductancia de carga es L = 220 wH. (a) Dibuje la forme de onda de la corriente de carga si el interruptor se cierra durante un tiempo 4; = 100 js y a continuacién se abre. (b) Determine la ener- fa almacenada en el inductor de carga. Solucién (a) El diagrama del circuito aparece en Ia figura 3-114 con una corriente inicial cero. (Cando et interruptor se cierra en (= 0, la corriente de earga aumenta en forma lineal y se expresa de la forma y, yar fo = Vall = 220 x 1007220 100 A. (@) Cuando of interruptor Sse abre on un tiompo 1 = 1, la corrionte de carga empicza a uur a través del diodo Da. Dado que en el circuito no hay ningin elemento disipativo (resisti- vo) la corriente de carga se manticne constante en Iq = 100 A, y la energfa almacenada en el inductor serd de 0.5 Lif = 1.1 J. Las formas de onda de a corriente aparecen en la figura 3-116. yen w (a) Diagrama de cireutos (0) Formas de onda Figura 3-11 Circuito del iodo con carga 6. See, 34 Diodes de marcha libre ro]3-5 RECUPERACION DE LA ENERGIA ATRAPADA CON UN DIODO En el circuito ideal sin pérdidas de la figura 3-11, la energia almacenada en el inductor queda atrapada, dado que en el circuto no existe resistencia, En un circuito real es deseable mejorar la ¢ficiencia devolviendo esa energia almacenada a la fuente de alimentacién. Esto se puede levar a ‘cabo si se agrega al inductor un segundo bobinado y se conecta un diodo Dy, tal y como aparece cn la figura 3-12a, El inductor se comporia como wn transformedor. El secundario del transformador se conecta de tal forma que si vs es pasitivo, ve es negativo can respecto a vi y viceversa. El bobinado secundario, que faciita el retomo de la energia almacenada a la fuente via el diodo Ds, se conoce como bobinado de reiroalimentacién. Suponiendo un transformador con una inductancia magnetizante Lm, el circuito equivalente es como el que aparece en la figura 3-12b. Transtormadar ‘deat fb) Cheute eguivaione s it. Lnenmede 2 a Gp (e) Circuito equivatonte Figura 3-12 Circuito con un diodo de recuperacién de energf. ae Circuitos de diodos y rectificadorSi el diodo y el voltaje secundario (voltaje de la fuente) se refieren al lado primario del transformador, el circuito equivalente es como se muestra en la figura 3-12c. ise ip definen las corrientes primaria y secundaria del transformator,respectivamente. La relacién de vueltas de un transformador idcal se define como N2 aey (334) La operacién del circuito se puede dividir en dos modos. El modo 1 empieza cuando se cierra el interruptor S; en ¢= 0 y el modo 2 empieza al abrirse el interruptor. Los circuitos equivalentes para los modos correspondientcs aparecen en la figura 3-13a, 11 y 2 Son las duraciones de Hos mouos Ly 2, respectivamente, Modo 1. Durante este modo, el interruptor $1 esté cerrado en t = 0, El diodo Dj tiene po- lrizacién inversa y la corriente a través del diodo (corriente secundaria) es aip = 0, 0 bien, iz = 0. Utilizando et KVL de la figura 3-13a para el modo 1, V, = (vp~ VV, y eso nos da el vollaje inver- ‘0 del diodo como vp = Vl + a) 335) Suponiendo que no existe una corriente inicial en el citcuito, la corriente primaria es la musma que la corriente i, del interruptor. y se expresa como diy Vs = bn Ge 336) Jo que da vs i =i) =e (3-37) Este modo es validy pura 0S $4 y termina cuando el interruptor se abre en «= 4, Al final de es+ 1@ modo, la corrionte en el primario so conviorie on 338) Modo 2. Durante este modo so abro el interruptor, se invione el voltaje a través del in- ‘ductor y el diodo D; se polariza directamente. Fluye una corriente a través del secundaria del ransformador y la energia almacenada en ef inductor se regresa a la fuente. Utilizando la ley KVL y redefiniendo el origen del tiempo al principio de este modo, la corriente primaria se expresa como di) | Ve aly 39 Lm dt a z con la condicién ial in(1 = 0) = Jo, y podemos despejar la corriente como noe - derek 40) alm See. 5-5 Recuperacion de la energia atrapada con un diodo asF (a) Cieite eavivaente Modo?” tw (etl 1 1 \ \ ---- \ ' \ ‘0 (b) Formas de onda Figura 242 Circuitos y formas de onda equivalontee 50 Circuitos de diodos y retilicadores Cap, 3Se puode calcular el tiompo do conduccisn del diodo Dy a partir de la condici6n iy(t = ecuacidn (3-40) yes Ode la GB-41) El modo 2 es vélido para 0'< 1 tp, Al final de este modo en ¢= fz, toda la energia almacenada en el inductor Lm ha sido devuclta a la fuente. Las diversas formas de onda para a = 10/6 correspondientes a los voltajes aparecen en a figura 3-13b. Bjemplo ss 0 Paral evuito do rocuperacin don enorgia doa figure 12a, [a induoancia magnezant del wane formador es Ly. = 250 WH. Ni = 10 y N> = 100. Las inductancias de fuga y la resistencia del transfor- tador son desprecisbles. El volaje dela fucnte es V; = 220 V y no existe coriene inci en el ciruito, Si se cera el ineruptor Sy durante un impo f= 50 sy desputs se abe, a) determine el ‘oie invero del dodo Dy, () calcul el valor pico de asin ett pritnaio, e) eau el val ico dea comianteen el stcundaro, determine e tempo de condcién del dco Dy (0) deter. rine la eneriasuministada por a fuente. Solucién La relacién de vueltas es a = Na/Nj = 100/10 = 10. (@) Dela ecuacién (3-3), e voltae inverso del dodo es up = Vil +a) = (®) De Ia ecuacién (3-98), ol valor pico de Ia corriente primaria,, = 20x 9 b= =4A (©) El valor pico de la corriente secundaria [9 Io/a = 44/10 = 4.4 A, (W) De luecuacién (3441), ef empo de couduvciin del diodo es iLnly 10 Sf = 280 44 x 3 = 500 us ® 20 (© La energia de fuerte, Utilizando la ecuacién (3.38), obtenemos we | Ln = 0.5 X 250 x 10% x 44? = 0,282 5 = 242 my 3-6 RECTIFICADORES MONOFASICOS DE MEDIA ONDA Un rectificador es un circuito que converte una seal de corriente alterna en una seftal unidirec- ional, Los diodos ve usun extensamente en los recificadores, Un rectficador monofésico de 1 dia onda o: el tipo més sencillo, pro no ee utiliza normalmente on aplicaciones industriales. Sin embargo. resulta til para comprender el principio de la operacién de los rectificadores. En la fi- {ura 3-1a aparece el diagrama de circuito con una carga resistiva. Durante el medio ciclo positivo del voltae de entrada, cl diodo D, conduce y l voltae de entrada aparece a través de la carga. ‘See.5-6 _ Rectificadores monofasicos de media onda 3tI 2 | % Vee Venton ot aE [a (a) Diagrama de cireito (br Fores de onda Figura 3-14 Rectifieador monofésien de madia ond, ‘Durante el medio ciclo negativo del voltaje de entrada, el diodo esta en condicion de bloqueo y ct voliaje de salida es cero. Las formas de onda para los voliajes de cntrada y de salida se mucstran cen Ia figura 3-146. 3:7 PARAMETROS DE RENDIMIENTO Aunque el voltaje de salida, tal y como aparece en la figura 3-140, sed, es discontinuo y contie~ rnc arménicas. Un rectticador e3 un procesador de potencia que debs proporcionar una salida de fed con una cantidad minima de contenide arménica. Al mismo tiempo, deherd mantener la coriente de entrada tan sinusoidal como sea posible y en fase con él voltaje de entrada, de tal forma {que el factor de potencia esté cercano a la unidad. La calidad del procesamiento de energfa de un rectificador requiere de la determinacién del contenido arménico de la corriente de entrada, del voltaje de salida y dela corriente de sala, Utilizaremos las exparsiones Uc la serie Ue Fourier pa- +a encontrar el contenido arménico de voltajes y corrientes. Hay distintostipos de circuitos de rec tificadores y los rendimientos de un rectificador se evalian normalmente en funcién de tos pardmetros siguientes: El valor promedio det voluje de salida (0 de carga), Vea El valor promedio dela corriente de salida (de carga), fee Ta sald de povencia en ed, Poa = Veales (3-42) El valor medio cuadréuico (rms) del voltaje de salida, Vins El valor medio cuadratico (rms) de la corriente de salid3, Fmms 52 Circuitos de diodos y rectificadores Cap. 3La potencia de salida en Poa = Vinslrns (3-43) La efictencta (0 relacton de reciifcacion) de un rectificator, que es una citra de mérivo y ros permite comparar la efectividad, se define como Pos n= Be G-44) El volise de sida se puede deverminar vom fornady de dos vomponentes: (1) el valor ed 4 @) la componente do ea v ondulatoria. El valor efecivo (oms) de la componente de ca del voltaje de salida es Ven = VE, = Vi G45) El factor de forma, que es una medida de la forma del voltaje de salida, es Vo FP- ym G45) El factor de componente ondulatoria, que es una medida del contenido de la componente ondulatoria, se define como Vea RF= 72 G47) Sustituyendo la ecuacién (3-45) en la (3-47), el factor de la componente ondulatoria se puede expresar como (3-48) El facior de uiilizacién del ransformador se define como 2 Pes TUF = 7 G-49) donde ¥, € J, son el voltaje y la corriente media cuadratrica (rms) del secundario del transforma dor, respectivamente, Yeamos las formas de onda quc se muestran Ia figura 3-15, donde v, es el 7” corsa tna ‘Vottgje ae entraaa Cortiente fundamental Figura 3-18. Formas de onda del voltae y coriente de entrada, Seo. 3-7 _ Pardmetros de rendimiento 3svoltaje de entrada sinusoidal. i, es la corriente de entrada instanténea. e is es el componente fundamental. Si @ es el éngulo entre las componenics fundamentales de la corriente y el voltaje de entra dda, © se llama el dngulo de desplazamuento. El factor de desplazamiento se define como DF 0s (3-50) EL factor armAnica de ta corriente de entrada se define como G51) donde £1 es la componente fundamental de ta corriemte de enwrada [,. Tanto f11 como fy se expre- aan agui en valores #ms. El factor de potencia de entrada se define como G52) A menudo resulta de interés cl factor de cresta CF, que resulta una medida de la corriente de entrada pico fyi) 69 comparacion con su valor Fins ,, 2 fin de establecer las especificaciones de corriente de pico de dispositivos y components. El CF de la corriente de entrada se define me: diane Lied) or - (3-53) Notas 1. EI factor armonico HF es una medida de ta distorsicn de una forma de onda y también se conoce como distorsién arménica total (THD). 2. Si la corriente de entrada /, es puramente sinusoidal, Ia = I, y el factor de potencia PF es igual al factor de desplazamiento DF. El Angulo de desplazamiento se convierte en el dngulo de impedancia 6 = ta'(oL/R) en el caso de una carga RL. 3. El factor de desplazamiento DF a menudo se conoce como el factor de potencia de despla- zumiento (DPF) 4. Un rectificador ideal deberfa toner 1 = 100%, Vax = 0, RF = 0, TUF = 1, HF = THD = 0, y PF= DPF= EJemplo 3-6, El rectiticador de la Figura 3-14a tiene una carga resistiva pura igual a R. Determine (2) la ef iencia, (Y) ol factor de fornia, (6) el factor de componente onduletoria, (d) el factor de utiliza idm de transformacién, (¢) ol voltaje inverse pien (PIV) det dino Dy y (D el valor CF de ta coriente de entrada. Soluciém El voliaje de silida promedio Vjc se define como L tr [loan Debemos notar de la figura 3.14b que w/(1)= 0 para T/2 <1 T- Por lo tanto, tenemos Ys (ogg ®F — 1) oT (eos) EI? Vnsen a at = Ba Circuitos de diodos y rectificadores Cap. 3Pero la frecuencia de la fuente es J = 1/T'y @ = 2RJ. Por fo tanto, oss Para im volinje sinusoidal e valor v(t) = Vqsent para 0 #5 7/2 el valor ms del voltae de salidecs Py Tt Vag (Vp senor? di]! = = 08V, c 55) 05Vy R De la ecuacisin (3-42), Pea = (0.318V) IR, y de la ecuacin (3-43), Pea = (0.5Vm) IR. (@) Dela ceuseién (3-44), la eficienciam = (0:318V) 0.5Vq)" = 405% @) De le couacitn (9-46), factor deforma FP = 0 5Vq)0.318Vq = 157 es decir 157%. {@)De fs earn (oR), fase de componente ondalaora RF = VTP = 1 = 1.2 ex dir 121% (@) El voltae msds sscundario de ensformador es Lp al 2% Lf’ wy senor df!” =“ = o701¥,, s [Ff We senony ar]! = Ye 656) EEL valor ms de fa corriente del secundario del transforimaor es La anisia que ba carga 0.5V R 4 La especificacin en vallamperis (VA) del ransformador, VA = VJ, = 0.707 Vox 0:5 VIR De la ecuacién (3-49), TUF = Ped(Vs ls) = 0:3181(0.107 x 0.5) 0.286. (€) El vollaje de bloqueoinverso pico PIV = Vo © Liye) = Vell Ty = OSV IK. El factor de cesta C¥ de la comiente de entrada es CF = 5-2 Lagicfle= Nota, 1(TUF = 1/0.286 = 3.496, lo que significa que el transformador debe ser 3.496 veces mayor de lo que: tendria que ser para proporcinnar energta a panir de un voltaje de ca puto. Este rectificador tiene un alto factor de componente ondulatoria, 121%; una eficiencia baja, 40.5%; y tun TUF pobre, 0.286, Ademés, el wansformador tiene que conducir cd, y esto da como resultado tun problema de saturacién en el nécleo del transformador. ‘Veamos el circuity que se muestra en la figura 3-14a con una carga RL tal y wou apareve eat la figura 3-16a, Debido a la carga inductiva, el periodo de conduccién del diodo Dy se extenders ‘més alli de los 180° hasta que la corriente se haga cero en cot = m + 6. Las formas de onda de la Seno irae de rendimientoa 3sDy conduce () Formas de onda (eiformas de onda Figura 3.16 Rectifieador de media onda con carga RL. ¥ del voltaje aparecen en la figura 3-16b. Debe hacersc notar que cl vz promedio del inductor es Va. fate v, Vea = 2 [2 sen wt tet) = 3 [+008 wile? G37) v, = ag Ul costa + a] Lacorriente de carga promedio es ey = Vea IR. De la ecuaciGn (3-57) se puede notar que es posible aumentar el voltae promedio (y la corriente) haciendo que @ = 0, lo que e3 posible afadiendo un diodo de marcha libre Dr, tal y como aparece en Ia figura 3-16a con linea puntendas. Fl efecto de este diodo es evitar que aparezca un voltaje negativo a través de la carga: y como resultado, aumenta la energia magnética almacenada. En ‘ra, la corriente proveniente de Dy se transfiere a Dm, proceso conocido como conmu- tacién de diodos. En la Figura 3-16c se muestran las formas de onda, Dependiendo de la constante 56 Circuitos de diodos y rectificadores Cap. 3de tiompo, la corriente de la carga puede resultar discontinua, Con una carga resistiva, la corriente 4 serd discontinua y continua con una carga muy inductiva, La vontinuidad de la coniente de wat~ ‘ga dopenderd de su constante de tiempo t = aLiR. Si la salida se conecta a una baterfa. cl recificador se puede utilizar como cargador de bate~ ras, Esto se muestra en la figura 3-17a, Para v, > E, el diodo D; conduce. Se puede encontrar et ‘ngulo a cuando cl diodo inicia la conduccién, a partir de la condicién Vase £ bere a (3-58) Bama nit R oy ot voRl|B vs > “al :La corriemte de carga i,, que se muestra en la figura 3-17b, se puede determinar a partir de %-E _ Va sen ~E paraa < wt Say C08 nwt + 5, Sen mest) aye 2 a= ge fn awn = 3 [* awn = ie [> s10 608 moot att) = [1,008 not dwt) = 0 = 2 anemar don)=2 [senna dn = Sustituyendo los walores de a y bq 18 expresicn correspondiente ala corriente de entrada es not , senSwt |.) in ; Pte) 86H El valor ms de la componente fundamental de la corriente de entrada es t= As = 0901. ai Elstree a soe dea hater [es De la ecuacién (3-51), -t = 0484 0 48.439% ur =m -[( aie 790 (©) El éngulo de desplazamicnto ecuacién (3-52), el factor de potencia P 'y el factor de desplazamiento DF = cos 6 (Infl)e0s $ = 0:90 (en atras0. Dela 2.9 RECTIFICADOR MONOFASICO DE ONDA COMPLETA CON CARGA RL ‘Con una carga resistiva, la corrente de carga tiene una forma idéntica al voltaje de salida. En la préc- tica, la mayor parte de las cargas son en cierta cantidad inductivas, a corriente de carga depende de Jos valores de la resistencia de carga R y de la inductancia de carga L. Esto aparece en la figura 3-21a. Se afade una bateria de vole para poder desarrolarexutciones de tipo general. Si el volaje de cemtrada es v= Vg Sen wor = V2 Vs Sen wr, la Corriente de carga fy se puede deducir de dit | py 5 Lat Rite V2 V, s0n wt Seo. 38 Rectificador monofasico de onda completa con carga AL es(ar cheuto Figura 3.21 Rectificadar de puente completo con carga RL ue tlene una soluci6n de ta forma _V2M, E s _ entry —E -65) ip YF semlent — 8) + AyeriRH — 3-65) donde la impedancia de la carga Z = [R* + (cL)*)', y el éngulo de impedancia 0 = tan" '(«L/R). Caso 1: corriente de carga continu: La constant Ay en la ecuaci6n (3-65) se puede determinar a partir de la condicign: en wr = x, i= fh Meaney vay en) ete Si sustituimos de Ay en la ecuacién (3-65), obtenemos vi¥, Z viv, sencur ~ 0) + (1,+ E~ 2¥ eno) ettorwn Bajo una condicién de régimen permanente, (ct = U) = iy(tt = x). Esto significa que, i,(«r= 0) =. Aplivaily esta com ny obtetremos el valor dé /} eon v2 Lee unm Bp sen Tomes - RP = 0 3-66) he el cual, después de sustituirse en la ecuacién (3-66) y de simplificarse, nos da in viv, 3 fenton - 0+ p—macen 8H ~ Be G67) paa0carsrei20 Circuitos de diodos y rectificadores Cap. 3Lacorriente rms del diodo se puede encontrar de la ecuacién (3-67) como Lyra a 1y entonces, la corriente rms de salida se puede determinar mediante la combinacién de las corrien. ies rms de cada diado como Ings = UB + PY? = VII, ‘También se puede encontrar la corriente promedio del diodo a partir de la ecuacién (3-67) como aif t= f ie don Caso 2: corriente de carga discontinua. La corrente de carga fluye s6lo durante el perfodo 0S «Sb, Los diodos empiezan a conducir en a= a, dado por aasent & Va En af ~ 0 n(esf) ~ Oy ta eouncion 3-65) nos da B_viy, = [EB 2% ssen(q — 9)] ettiow A= [F~ ~S¥semia - 0] ! ue, después de susttuirse en ta ecuacién (3-65), proporciona la corriente de carga tM sentar — 0+ [EF - YEY enta — oy] ome 308) En c= Bla corrente cae a cro, ¢i(u? =) = 0, Esto.os A YEN genus ~ 0) + [EYE senta - | ets B se puede determinar de esta ecuacién trascendental mediante un método de solucién iterativo (pmieba y error), que se analiza en la seccién 6-5, Inicie con B = 0, ¢ incremente su valor en cantidades muy pequenas, hasta que el lado izquierdo de esta ecuacién se convierta en cero, La corrientc rms del diodo se puede encontrar a partir ck la ccuacién (3-68) como Lf = [Lf tawn)” La corriente promedio det diodo también se puede encontrar a partir de la ecuacién (3-68) como Ejemplo 3:12 + El recificador de onda completa monofasico de la figura -2la tiene L = 6.5 mH, R = 2.5 Q,y E= 10 V. El voliaje de entrada es V, = 120 V a 60 Hz. (@) Determine (1) la corriente de carga en régi- ‘men permanente /; en «or = 0, (2) 1a comriente promedio del diodo /g (3) a corriente rms del diodo S20. 3-9Example 3-12 ey (8) i cemicnte rns sla Tony (0) Utce PSpice para graficar ta eamiente de said instanté- nea i, Suponga los pardmeisos de dido IS = 2.22E-15, BV = 1800 V. Soluciin No so sabe si la corriente de carga es continua o discontinua. Supongamos que la comente de carga es continua y procedamos con la soluciGn, Si 1a hipOtesis no es correct, 1a Co- rricntc de carga seré cero y entonces pasaremos al caso discontinuo correspondionte, (3) R= 25 0. L=65 mH. f = 60 Hz, w= 2x x 60 = 977 ead, Vy = 120 V, 2 = (RP + cot)" tan "(OUR = 4443". (1) La corriente de carga en régitnen permanente en wr = 0, fy = 32.8 A. Dado que 1h > 0, la ‘comriente de carga os continua y la hipStesis es correcta. (Q) La imtegracisn numérica de i, de la eeuscién (3-67) nos da una corriente promedio de dio do [y= 19.61 A. (3) Medianto Ia integracién numérica de iZ entre los Kimites «! = 0 y ®, obtenemos la corriente rms del diodo J, = 28.5 A, (4) La coriente rs de salida lng = V {y= V2x 28.50 = 403 A. Notas 1. [ytiene un valor minimno de 25.2 A on tf ~ 25.5° y un valor méxima de $1.46 A en ox = 125.25°. Ir se convierte en 27.41 A en ox = @ y en 48.2 A en cr = O + %, Por lo tanto, el ‘Valor méximo de / ocurre aproximadamente en «x= 6 2. La conmutacién de los diodos hace que las ecuaciones de las corrientes sean no lineales Un méwodo numérico de solucién de las corrientes de diodo es mis eficaz que las técnices elsicas, Para resolver en funcién de fr, fa fy Se uiliza un programe de compatadora que hace uso de Ia integracién numérica, Se recomienda a lox estudiantes que verifiquen lor resultados de este cjemplo y que valoricen la wilidad de la solucm numérica, especialmente en a resolucidn de ecuaciones no Fineales de circuitos de diodos. (b) El rectifieador puente monofisico para la simulacién PSpice aparece en la figura 3-22. La lista de archivo de circuito es como sigue: Phase Bridge Rectifier with RL load ved o.1y cota) 203 nee mee m1 2 $0 psu 2 sMODEL — MOD. -DLT5*2.22E-15 Ave TADOUY po del parameters Tray 13.325. 16.667M5 } Teansien: analysis eno La graficacion PSpice de Ia corriente de salida instantinea i, se muestra en la figura 3-23, que da fy =31.83 A. cy Circuitos de diodos v rectificadores Cap. 3Figura 3-22 Rectificador puente ‘monofsico para simulacién de PSpice exomply 3-12 Sinple-Pose Briuye-Rectifier @ with Rot 2099 Date/Tine run B7/s7/98 18° 8847 - Temperature: 27.0 608 aon Si * Bins dss =m SOs) Ons re dem, hase Sd69om 18.355 Figura 3-23 Graficas de PSpice para el ejemplo 3-12. 3-10 RECTIFICADORES MULTIFASE EN ESTRELLA Hemos visto en la ecuacién (3-62) que cl voltaje promedio de salida que se podria obtener de los rectificadores de onda completa monofasicos es 0.6566"Vn. Estos rectiticadores se utilizan en aplicaciones hasta un nivel de potencia de 15 KW. Para salidas de powenvia mayures, se ulilizan los rectificadares trifésicos y mulifésicos. Las series de Fourier de los voltajes de salida dados por la ecuacién (3-63) indican que las salidas contienen arménicas. la frecuencia de la componente fundamental es c} doble de la frecuencia de la fuente (2f). En la préctica es comiin utilizar un Soc. 5-10 Rectificadores multifase on estrella o7filtro para reducir el nivel de arménicas en la carga: el tamatio del filtro se reduce con el aumento de fa frecuencia de las arménicas. Ademés de la mayor salida de potencia de los rectificadores rmulifase, también aumenta la frecuencia fundamental de las arménicas y resulta q veces la fre- ‘cuencia fuemte (gf). Este rectificador se conoce como un recificador estrella. El circuito rectificador de la figura 3-18a se puede extender a varias fases mediante embobi- nados multifase en el secundario del ranstormador, tal y coma se muestra en la figura 3-24a, Este Circuito se puede considerar como q rectificadores monofésicos de media onda y es del tipo de media onda. El diodo de orden & conduciré durante el periodo cuando e voltaje de la fase & sea mayor que el de las demas fases. Las formas de onda para voltajes y correntes aparecen en Ia fi- ura 3-240. Bl perfody Ue conduvcid Ue cada diodes 2a/y. De la figura 3-24b se puede notar que la corrente que fluye a través del embobinado secundario es unidireccional y contiene una componente de cd, S6lo el embobinado secundario lleva cortiente en un momento determinado y, como resultado, el primario debe estar conectado en del- o {) Formas de ondas Figura 3.24 Rectificadores muliifase e Circuites de diodos y rectificadores _Cap.31a, a fin de climinar la componente deed del lado de la entrada del transformador. Esto minimiza el contenido arménico de la corriente de Hinea primatia, Si suponemos una onda coseno desde n/g hasta 2z/g, el voltaje promedio de salida para un reotificador de q fases esti dado por 2 ony Vas = 327g |" Vo 008 ot dws) 3-69) Vows = [ z [P Vi cost wr dwn] : (3-70) Si la carga es resistiva pura, la Corriente de pico a través del diodo €s lm = Vm/R pudiéndose encontrar el valor rms de la corricnte dct diodo (0 de una corriente secundaria de transformador) como 71) Yeas Elemplo 313 ‘Un recificadortrifisico en esta tiene une carga puramente resistiva con R ohms. Determine {@) ta eficiencia, (by ol facor deforma, (6) o factor de componente ondulaora, (6) e factor de Uilianen del traneformacor, (@) el voltaje de pie inverno PIV de cada diodo (1) la coriente pico através del iodo, sic reetificadorentrega Iie = 30 A a.un voltae de salida de Vag = 140 V. Solucién Para un reciificadortrifésico q = 3 en las ecuaciones (3-69) 3-70) y (3-7) (@) Do la ecuacin (3-69), Voy = 0827 Vu les = O8TT VR. De la ecuacisn (3-10), Vang (0.84068 Vn ys = 0.84068 VR De te cousciCn O42), Pog = (O.82TV aI, de la cuacisn (O43), Pay (ORAO6RU. PR y de a covscin (3) In oficencin (ox7v,P (0.84068 ¥,.)° (%) De In ecnacin (1-46), ol factor de forma FF = 0.84068 /0.827 = 1.0165, o hien 101.65%, (6) De la ceuacién (3-48), el factor de componente ondulatoria RF = VLO16S"= 1 = o.rw2a = 18244, (@) De la eeuacion 0-56), De tn eeuacin (3-71), la corriente rms del secundio dt ransformador, 1707 Ve ‘oltaje ms del secundario del ransformador, Vs = as 1, = vasse, = 28! R Lacspcitccn on voters (VA) el ansfomador para @= 36s Vas avn 3 onbri, x Ste De la ecuacién (3-49) 0.827 TUF = 350.707 x 0.4854 ~ 06? Sen S10 Ranifondores malane on ona w(El waliaj de pico inverse deca did os igual valor pic del voltae nen Tinea en el secundario. Enel apéndice Ase analiza los circuits trifsios. El voltae linea a lnea es V3 ‘veces el vollsje de fas y por lo tanto, PIV = 13 Vy (0 La comiente promedio a traves de cada atodo es 1 sen? . Inf sen on Para q= 3, la 0.275TIq. La corronte promedio # través de cada diodo es 1g= 30/3 = 10 A dan- 4o esto la cortiente pico como n= 1010.2757 = 36.27 A Efemplo 1g (@) Express el voltaje do salida del roctificador de qfases de la figura 3-24a en series de Fourier. (©) Siq= 6, Vm = 170 V, y la frcuencia de alimentacién es f = 60 He, determine el valor ms de Ja armonica dominante y su frecuencia, Solucién (a) Las formas do onda para q pulsos so muosiran en la figura 3-24b,siendo Ia fre cuencia de sada q veces la componente fundamental (9. Para encontrar las contantes dela serie de Fourier, integremos deste ~R/g hasta t/q donde las constantes son = 2 JM nemorden b= a Vu €08 WF £08 net det} wig) = ti fein = le) snl + Dal ml ant att (n= Dsenl(n + Hilal t = Wein + Lisentin — Ln Después de simplificar y usar las elaciones iigonoméricas, obtenemos eon(A +B) ~ sen A cos B + cos A gon B y sem(A ~ B) = sen A cos B cos AsenB obtenemos ty ~ 2a (n sen cos © — cos "*s0n™) 8-73) we =D ag ae" En el caso del rectfcador con ¢ pulsos por ciclo, las arménicas del volaje de salida son: la de orden ql de orden 2g, lade orden 3g, lade orden 4g, la ecuacién (3-73) es valida pare = 0, 1g, 24,34. El término seno(na/a)= sen R= Oy Ia ecuacién (3-73) se convient 1a component on se enuenra haciendo que = 0,768 Van = Vaden om ue es el mismo que el de la ecuacién (3-69). La serie de Fourier del voltaje de salida vz se expresa como 70 Circuitos de diodos v rectificadores Cap. 3‘Sustituyendo ol valor de ay, obtonemos wa Vode (i= 3 seco come!) G79 (b) Para q = 6, el voltae de salida se expresa como cos but wut = 0.9890¥,, (1 cos aur + ++ +) 8 Lasoxta amin es a dominant. El vlorrms oun vole sins 1 vets sa mage nitud de pico, y el rms de la sexta arménica es Vg = 0.9549 Vm x 2/(35 x V2) 56 A siendo su Tremenclefeeoy e300 He 3-11. RECTIFICADORES TRIFASICOS EN PUENTE Un rectificador trifdsico en puente como el que se mucsira en la figura 3-25 es de uso comiin en aplicaciones de alta energia. Este es un rectificador de onda completa. Puede operat sin 0 con ansformador y genera componemtes ondulaworias Ut seis pulsos eu el voltaje de satida, Loy div dos eatin numerados en orden de secuencia de conduccién, cada uno de ellos conduce durante 120°. La secuencia de la conduccidn de los diodos es 12. 23. 34. 45. 56 y 61. El par de diodos conectados entre cl par de fincas de alimentacién que tengan la diferencia de potencial instanténeo mds alto de linea a linea serin los que conduzcan, En una fuente conectada en estrella tifsica el voltaje de linea a linca es V5 voces el voltae de fase. Las formas de onda y 10s tiempos de con- duveidn de Tos dioxios apauccen en la figura 3-26. El voliaje promedio de salida se encuentra a partir de Vea V3 Vi, cos wt dlwt) G77) 1,654V. Prima Figura 3-25 Recifcador puene ifsc, San 3:11 Renilfiradarea tiffsicos en puente 7Figura 3-26 Formas de onda y tiempos de conduccisn de los diodos. donde Vn €s el voliaje de fase pico. El vole rms de salida es vm = [eh Fare fy 3V3- 008? wr dw (3-78) 3 Yn = 1.63534V Ga) Yn = 16 Si la carga es puramente resistiva, la corriente pico a través de un diodo es Im = V3 VmIR y el va- Tor rms de la corriente del diodo es A [cos ra” a (LG bef os = 0.5518/, z Circuites de diodos y rectificadores Cap. 3€l valor rms de la corriente secundaria del translormador, es cmt at yy" ow = 0.7804 y donde Ines la corriente de linea pico en el secundacio. Ejemplo 3-15 Un rectfcadortrifésco en punts tiene une carga puramenteresistiva de valor R. Determine (8) In eicienea, (2) el factor ae forme, () el factor de componente ondulatoria, (el factor Ge utili zacién del transformador, (6) ol voltaje de pico inverso (PIV) de cada diodo y (1) la corriente pi co a través de un diodo, El rectificador entrega Jes = 60 A a un voltaje de salida de Veg = 280.7 V la frecuencia del fuente es 60 He Solucién (a) De la ecuacién (3-77), V. 654 Vin @ led = 1.654Viq /R. De ta ecuacion (3-78), Vis = 1.0554 Vg € Ime = 1.6554V ng /R. De 1a ccuacion (3-42), Pea = (1.654Vn) /R, de la eouacion (B-A3), Puy = (1.6554V ,)IR, y de ln ecuacién (3-44) la eficiencia ex _ 1.654¥ 99 7 TLessav {@) De i ecuncin 0-46) cl fcior de forma FF = 1.6554/1.654 = 1.0008 = 100.08%. {© De accu (48) factor de cormponente ondulatoria RF = ¥T.00RF=1 = 0.0 = 4% (4) De la ecuacién (3-57), el voltaje rms del secundario del transformador, cdV, = 0.07 De Ia ecuacton (3-80), I coment rms de secundaria cel transformaor es = 99.83% 1, = 0.78041, = 0.7804 x V3 Ye La cspecificacin en votamperes dol ransformador es VA = 3V,f, = 3 * 0.707Vq x 0.7808 x V3 2 De Ia ecuacién (3-49) Last 3x V3 x 0.707 % 0.7804 (©) De la ecuacién (3-77). el voluge de linea pico a neutro ¢s Vn = 280.7/1.654 = 169.7 V. EI voliaje de pico inverso de cada diodo es igual al valor pico del voltaje en el secundario de nea a linea, PIV = V3 Vq = V3 x 169.7 = 293.9 V. (D) La corriente promodio a través de cada diodo es TUF uspaz t= = Z[P Iqcos et los) = fy 28en = 0.31831q La contiemte promediv a wavés de cada diody 69 1y= G03 = 20 A, y por To tanto la couiente pic 05 I= 20)0 3183 = 62.83.A Nota. Este rcetificador ticne un tendimicnto vonsiderablemente mayor que el rectificador ‘multifase de la figura 3-24 con seis pulsos. Beast) Rea sdores Uilisicos en puunite 73:12 RECTIFICADOR TRIFASICO EN PUENTE CON CARGA RI Se pueden aplicar las ccuaciones que se han deducido en la seccién 3-9 para determinar la corriente de carga de un rectificador trifsico con carga RL (similar al dela figura 3-17a). De la figu- +a 3.26 se puede notar que et voltaje de salida se convierte en vy = VE Vee soneot para 5 ot = donde Viz es ol volta rms de entrada de linea a linea, La corrionte de carga i, se puede encontrar partir de te + Rip + B= VI Vey sen or dt {que tiene una solucion de la forma BV E wot — 6) + Ayettan — E : ip = Sy Moenlot — 8) + Ay i G81 donde la impedancia de carga Z = (R? + (ol)°}!? y el éngulo de impedancia de la carga es @ tan “(wL/R). La constante Ay de la ecuacién (3-81) se puede determinar a partir de la condicién: en wr = 1/3, i: - E_ ViVi» | etzsetan V2 Vow En condicién de estado permanente, (1 = 2n/3) = i,(ox = 0/3). Esto significa que (a = 23) = ‘h, Aplicando esta condicién obienemas cl valor dey como = V2 Vagsen (2m!3 ~ @) = sen(r/3 ~ Geet eae Ime E -R Pah =0 (383) que, después do sustituirse on la ccuacién (3-82) y simplificarse, nos da = V2 Me onion — 0) + 82 6) — sent To ewere in Ear 0. la comet de carga e contin, (9) Mediante la integracin numérica dei ent os ites «x= R/ y 297, oblenemos la co- rents ms del od, como fy = 62.71 A (4) La corriente ms de salida Ins = V3 J, = V3 x 62.71 = 108.62 A. (0) Flvecead uitsic'ca pues pace le sinulaic PSpae epee oul gue 3-27 Latics del achive de creto ex como igo Example 3-16 Three Phase Beidge Rectifier With RL load van 89 SIN (@ 469.7. 6on2) van 2 0 SIN (0 169.7¥ 60HZ 0 0 1200E6), ven 3 0 SIN (0 169.7¥ 6oHZ «0-0 1200eG) Lo 6 7 ASM wT S$ aw; Je source to measure the output current wW 8 1 De OV ; Voltaje source to measure the input current p22 # BHO F Diede mudel D324 DMO D534 DMOD De 8 2 pMOD -MODEL MOD D (I Bv=1800v) 2 Diode model parameters PROB Graphics postprocessor fons ILS-0 abstol - 1.000 reltol - .01 vntol - 1.000m La graficacién PSpice de la corriente instanténea de salida i, se muestra en la figura 3-28 ue nos da /; = 104.89 A. Sec. 3-12 Recilficador wifasico en puente con carga RL 75Figura 3-27, Rectificadorwifésico en puente pars ta simulacién PSpice, Example 3-16 Tnnee-Prace Gridge Rectifier with AL Load Pi /S2 se 02 36 * Temperature: 27.0 404, —t_ 20ers tins ens~«tane ~~~ swans ~—eams «cams ens eve " - one EE: 5.8mm 140,918 fez PaSbon 1305288) Figura 3-28 Graficacin PSpice para el ejemplo 3-16. 3-13 DISENO DE CIRCUITOS RECTIFICADORES El disefto de un recificador significa determinar las especificaciones de los diodos semiconductores. Las especificaciones de los diodos se lenan normalmente en términos de la corriente promedio, la corriente rms, la Corriente pico y el vole de pico inverso, No existen procedimientos esténdar para €l diseti, pero es necesario determinar las formas dela corrientey del voltaje de! diodo. 76 Circuitos de diodos y rectificadores Cap. 3w Ye. @ ‘e e wae Vatenat 6; Rectiieador w Figura 3-30 Filuos de corriente altema. En las ecuaciones (3-61), (3-63) y (3-76) hemos notado que la salida de los rectficadores contiene arménicas. Se pueden utilizar filtros para suavizar la salida de vollaje en od del rectifica- ‘or, que se conocen como filtros de cd, Los filtros de cd normaimente son de tipo L, C y LC, tal y como se mucstra cn la figura 3-29. Debido a la eccién de rectficacién, la corriente de entrada del rectificador también contiene arménieas, para eliminar algunas de Ins arménicas del sistema de alimentacién de energia se utiliza un filiro.de ca, El filtro de ca es, por lo regular, de tipo LC, tal y como se muestra en la figura 3-30. Normalmente, es necesario determinar las magnitudes y las frecuencias de las arménicas para el disefio del filtro. Mediante ejemplos se explican los pasos ne- cesarios en el diseno de rectificadores y firs. ‘Bjemplo 3-17 Un reatficador trifésico en puente alimenta una carga altamente inductiva, de tal forma que la corriente promedio de carga es J, = 60 A, el contenido de las componentes ondulatorias es despreciable. Determine las especificaciones de los diodos, si el voltae de linea a neutro de Ia ali- ‘mentaci6n, conectada en estrella, es 120 V a 60 Iz, Soluciém Tas corsientes a través de los diodos aparecen en la figura 3-31. La corriente promedio de un diodo 14 = 60/3 = 20 A. La corriente rms es El voltaje de pico inverso, PIV = V3 Vn = V3 x VEX 120 = 294 V. Nora, Bl factor de WZ se uti para convert el valor de rms a valor pico, Ejemplo 3-18 La corriente através de un diodo aparece en la figura 3-32. Determine (a) la corriente ms y (b) Ia corriente promedio del diodo, sity = 100 ps, f= 350 ps, fs = 500 us, f = 250 He, f. = 5 kH2, In= 490 ACla= 130A. See. 3-13 Diseho de civeuitos rectificadores 74|-- — be rut i = i 3 Ps r Hl : t - r I T r “ t t ae T 1 d a i o Figura 3-31 Corriente «través de los diodos. Solucién (2) El valor ms se define como, 1 EEffdesenminedrs fr * G85) =U + Pye donde 0, = 2nf, = 31,415.93 rad/s, ty = n/a, = 100 ms, y T= I/f. rr qe & Ty = |e fy lm semenge)? de} = Ly Eemeral =n 50314 y aa n= (bftna v Ie ) (387) = 29.054 Te! Figura 3-32. Forma de onda de corriente 7a Circuitas de diodos y rectificadores Cap a‘Sustituyendo las ecuaciones (3-86) y (3-87) en la ecuacién (3-85), el valor rms es fi 2 1= [2s H70 - 9] 88) = (50.317 + 29.05%)'? = $8.09 A (©) La comentepromotio se encusnitaa partido Lj Lp t= [ffi ta senwnnde | [teat] = hast le donde 1pm = tnt I= f, Usenet) at = 8 6-89) 1p fa Ff? dt = Lf ~ 4) 6-90) Por lo tanto, la corriente promedio se convierte en + flrs ~ 4) = 76 + 5. fea = ‘Ejomplo 319 El rectifieador monofésico en puenteeatéalimentado de una fuents a 12 V, 60 He. La resistencia de carga es R = 500 0. Caleule el valor de un inductor en serie que limitaré la corriente rms de ‘componente onclulatoria Jaa & menos del S% de fa Solucién Laimpedancia de carga 5 om Av, i Qt — cos(4ut — i) “a= atte [feotar 09+ poten aa...) 039 donde Ves _ Vn 1a- "RoR La ecuacion (3-93) dl el valor rms de la comiente de componente ondulatoria como VF (1), Va)? __ a) + see Haan ( Be Considerando tinicamente la arménica de orden més bajo (n= 2), tenemos WV Sec. 3-13 Disefio de circuitos rectificadores 73cand el vator de Jas y después de simplifcar, el factor de companer Jaya Tas” Vie GaP Para R = $00.2 y f = 60 Hz, el valor de inductancia se obtiene como 0.4714? = 0.05* [1 + (4 x. 60 x L/500°)] y esto da un valor de L = 6.22 H. De la ecuacién (3-93) podemos notar que una inductancia en la carga ofrece une alta impe cancla para tas corrientes armenicas y actla como fio para reduciras. Sin embargo, esta inductancia introduce un reraco de Ia corrente de carga con respecto al volaje de entrads; en el cat0 <ée un rectficador de media onda monofisico, se requiere de un diodo de marcha libre para per- mir una trayectoria para esta corriene inductiva. Elemplo 220 ador monofésico en punto 02 alimentado a parr de una fuente do 120 V 60 He. La resistencia de la carga es R = 500 Q2 (a) Diseie un filtro C, de tal forma que el factor de compo- rete ondulatoria del voltaje de salide sea menor de 5%. (b) Con el valor del capacitor C de la parte (a), calcule el voltaje promedio de la carga Vis Soluclon Cuando el voltae instantnco v, de la figura 3-33 es mds alto que el volaje instant neo del eapacitorv, los diodos (D; y Dz © Ds y D4) conducen; entonces el capacitor se carga de 1a alimentacin Si el voltae instanténco de slimentacién v, beja por debaio del volajeinstanté- neo del capacitor v,, los diodos (D; y Dz o Ds y Da) tienen polarizacién negativa y el capacitor Ce descarga a través dela resistencia de carga R. El voltae del capacitor v varia entre un mini- so Vein) Y un midxitoo Veiqiyy Es se muesira en ta figura 3-330. Supongamos que f; ex el tiempo de carga y que fy es el tiempo de descarga del capacitor Cx El circuito equivalente durante la carga se mcstra en le figura 3-33c. El capacitor se carga précticamente en forma instaninea al voltaje de alimentacin v- El capacitor C serd cargado al Volts pico de aimentacién Vj, de tal forma que v(t = f)) = Vnw En la figura 3-33d se muestra el cincuito equivalente Jorante la desearge, El capacitor se desearya cn forma exponencial «trae ondtlaaria es RE 0.05 vs de R | + var = 0+ J hare ot = 0) + Ai que, con le condicién inicial de v(t = 0) = Vyy da la corriente de descarga como ig = Men ovone, LR El voltaje de sala (o del capacitor) vz durante el perfodo de descarga se puede determinar a par- tirde lj deconponen oti pc pV pee entre aun gue 21 een 8.90 se presi elt = 4) = wile = 1) yall — PRY (3.94) Yaa vn Vou = Vn — 28 = Vy = Gee 395) 80 Circuitos de diodos y r¢ Cap. 3ve . c Rw “| o a ; (3) Modeled cireuto w Ibi Formas de onda para al recifiesdor de onda complet oy & Cox Ve Ce Ven R 0 ot ~ cares (8 Dnsearom Figura 3-33 Rectificador puemte monofisicy eon flze C, Por Io tanco, el voltae de componente ondulatoria de salida en valor rms Vix se puede encontrar ‘en forms aproximada a partir de = Yao. Vn Va =a VaIRG, ‘Yoel factor de Womponcnte ondulatoria RF se puede dewerminar a partir de Vea Vn AIRC, \ © Ves” EVE IRC, VolURC. =D ~ VER. ~ 1) RF 396) ‘Sec.5-13 Diseho de circultos rectificadores atque se puede resolver para Cx 1 1 1 1) - At : = 126.2 uF gpl! pag) 7 ax @ emo (5x agg) 7 EH (b) De la ecuacién (3-95), el voltaje promedio de la carga Vea €s 169.7 TRH 500 x 262 10% Veg = 109.7 — 169.7 = 11.21 = 138.49 V Ejemplo 3-21 Un filtro LC tal y como se muestra en la figura 3-29c se utiliza para reducir el contenido de componente ondulatoria del voltaje de salida para un rectificador monofésico de onda completa. La resistencia de carga os R = 40 0, Ia inductancia de earga es L = 10 mH y la frecuencia de la fuente es 60 Hz. (es decir 377 rad/s). (a) Determine los valores La y Cz de tal manera que el factor de componente ondulatoria de voltaje de salida sca 10%. (b) Utilice PSpice para calcular las componentes de Fourier del voltaje de la corriente de selida vz. Suponga pardmetros de diodo 15 = 1E-25, BY = 1000 V. Solucidn (@) Bl cievito equivatente para li armas aparece en I figura 3-34. Para facilitar 1 paso de la corriente de componente ondulatora de la arménica de rango n a través dl eapaci- {or del filtro, la impedancia de le carga debe ser mucho mayor que la del capacitor. Esto es, VIET tral? >> iat, Eat oondicign goneralmonte queda stnoeha modiante alsin VET al? = 0 697) yy bajo esta condicién, el efecto de la carga seré despreciable. El valor rms de la componente ar- Iménica de rango n, que aparecerd en la salida, se puede encontrar utiizando la regla del divisor de voltae, y se expresa como = Mw, Vom Mnaok.) — Tine) G38) La cantdad tota de voltae de componente ondulatoriadebida a todas las armonicas es va=( dvi) 6.99) Para un valor especificado de Ves y con el valor de C, correspondiente de la ecuacién (3-97), se puede caleular el valor de Le. Pxiemos simplificar et céleulo considerando s6lo la arménica do- rinante. De fa esuscig (3-63) encontramos que la segunda arménica ela dominente y au valor ams es V2 = 4Vm(3N 2m) y ol valor de ed. Vou = 2Veu Figura 3.34 Circuito equivalente para anmnicas a Circuitos de Giodos y rectificadores Cap. 3Para n =, las ecuaciones (3-98) y (3-99) dan = Ya= Vo lorem valor del capacitor C, se aleul pati de D VET CT = 9° otien 0 Ce ee = 6 IVR = Gel) ” ‘A pautir de la ecuacién (3-47), el factor de componente ondulatoria se define como Yo Vi wa F Vea” Vic O@ILE = 1 obien, (an pLCe— (@) El rectificedor monofésico on puente para la simulacién PSpice apercee en Ia figura 3.35, La lista del archivo del circuito es como sigue: ve 1D SIN (@ 169.7¥ Goa 13 8 30,83mH Be oR 7 om + Used to converge the solution LS 6 0M R 7 5 40 wot 2 Voltaje souree to measure the input current plo? 3 } Diode Models ps 03 bea 2 s¥opEL DMOD 1S BY-LETOY) —f Dhede model parameters Toran ious aus SOUS } Transient analysis Trour 12042 i Fourier analysis of output voltase END 20.83mH 50m Figura 3-35 Puente rectifieador monotasico para la simulacidn PSplce. See,3-13 Disetio de circultos rectificadares 33Los resultados de la simulacién PSpice para el voltaje de salida V(6,5) son como sigue: FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE V16. 5) De COMPONENT = 1.1409738+02 HARMONIC FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED 19 0) compourws — enwpourM (DFA PRASE (DEC) 1 1.200802 1 1.000E+00 1.038e+02 0. 0008+00 2 2lanne+o2 6 Algeie-o2 —112368+02 «1988401 a aieooeso2 2 1i7ee-02 912266402 -1,1808+02 4 4.800802 1.566E-01 1.2016-02 4.875840 5. 501€+01 5 Slouve+o2 —1.274-01«9.767B-03 © «2.232E+01 8.144402 1 B.400Ev02 —9.2728-02 «6.3438-03 —«1.997E+00 1 018E +02 8 Si600E+02 «6 9878-02 -«5.354E-03.-1.061E+00 -1,048E+02 ° ploage+o3 —«.01ve~o2_—4.6126-09 “9 430ErCO © —10725+02, TOTAL HARMONIC DISTORTION = 5.636070E+00 PERCENT lo que verifies el diver smplo 3-22 Un filo de entrada LC, tal y como aparece en la figura 3-30, se utiliza para reducir las arméni- cas de corriente de entrada de un rectificador de onda completa monofésico de la figura 3-208, La coriente de carga est libre de componentes ondulatorigs y su valor promedio es J. Si a fre- ‘euencia de alimentacidn es f= 60 Hz (0 377 rads), determine la frecuencia de reeonaneia del filtro, de tal forma que la corriente arménica total de entrada quede reducida al 1% de la componente fundamental. Solucién El circuito equivatente a la componente armnica de orden m aparece en la figura 3-36. EI valor ems de la corrieate arminics de orden m que aparece en lx alignentaci6n se olaiene utili ‘zandlo la regla do divisor de corriontc Hnwe) fa lacy = Tne G-100) donde Jy 05 ol valor rms do la cortiente arménica do orden n. La cantided total de corriente ar ‘ménica en la linea de alimentacién es Figura 3.36 Ci semaica ‘equivalente para cortiente wa Circuitos de diodes y rectificadores Cap. 3De ta ecuacion (3-b4), 14 = Ag NV 2M € Jy = 41g 2 nh) para G-100) y (2-101) obtencmos 3, 5, Tow De las ecuaciones oe Esto se puede resolver para el valor de LC; Para simplificar los eflculos, si consideramos tnics- ‘mente la tereera arménica, 3{(3 ¥ 2.» wv 60)? LC; 1] = U0.01 = 100, 0 bien, LC; = 26.84 10° y Ia frecuencia de! filtro es VAL, = 193.02 radls, 0 sea 30.72 Hz. Suponiendo que C; sea = 1500 UF, obtenemos que Lj = 17.893 mH. 6-102) Nou, EL filuy de couiene alteina se sintoniza por to general con la frecucnia arménica in- volucrada, pero requiere de un disefio cuidadoso, para evitar cualquier posibilidad de resonancia con el sistema de energia La frecuencia de resonancia de la corriente de tercera arménica es 377 x 1131 rads. 9-14 VOLTAJE DE SALIDA CON FILTRO LC El circuito equivalente de un rectificador de onda completa con un filtro LC aparece en la figura 3-37a. Suponga que el valor de Cs es muy grande, de tal forma que su voltaie esté libre de componentes ondulatorias con un valor medio de Vo. Le és la inductancia total, incluyendo la inductancia de fuente 0 de linea, y se coloca generalmente del lado de la entrada, para que actie como ‘una inductancia de corriente alterna mas que un fitro de corriente directa’ Si Vegs menor que Vim, Ja corriente iz empezaré a fluir en el dngulo a, que esté dado por Vea = Vin sence queda Vet sent DF + (6) Circuito equvalente Figura 3.37 Voltsje de eal con filtro LC. Seo F18 _ Voltaje de slide von filtwe LO osdonde x= Veu/Vq Ta corriente de salida 1, est dada por dig _ yy Le Fp = Vm sen at ~ Vos que se puede resolver en funcién de I [7 (Vm sem ot ~ Vea) dfwt) (cos a ~ c0s wt) ~ Y# (wr ~ 0) para ot = a 6-103) El valor de wr = B cn el cual la corriente i, baja hasta coro se puede encontrar a partir de la condicidn i, (at = 8). cos f + x8 La ecuacién (3-104) se puede resolver en funcién de B mediante iteracién, Una vez. que se conocen los valores de oy de B. a partir de la ecuacisn (3-103), se puede determinar la corriente promedio de carga Je. Para Vea = 0, la corriente pico que puede fTuir a través del rectificador es Myx = Vple. Normalizando leg con respecto Ira obtenemos faa. olde 2 probe Je Vn 0S a + xa G-104) 7 Vaal ee i, don) 8-105) TABLA3-1___ CORRIENTE DE CARGA NORMALIZADA. x Tele Iamllge B (Go) (%) __(%)__(grados) _(grados) 0 3634 ~«47.62~=«*SSC«8 3 3029 «4203297 150.62 102850 -37.05 5.74 139,74 IS 2150 3258 863 131.88 2 18092852154 125.79 25 1515S 24.83 14.48 120.48, 3012622148 17.46 116.21 35042 1k 2049 112.04, 4 853 15.67 23.58 108.83, 45 689 1.172674 105.99 50 $4810.91 30.00 103.25 53 428-889 33.37 10087 6 327 7:10 36879887 6 2425514054 (97.04 172 413 44d 95.43 1S 116 295 48.59 94.09 8 072° «19G $3.13 92.88 8030117 SR) 71 9 017056 64.16 90.91 95008 O16 71.81 (90.56 100 0 0.00 90.00 a6 Circuitos de diodos y rectNormalizando ms COM Tespecto @ Ip Obtenemos Tens _ @Lelems _ | 2 [8 (Le ; Ta Vn lef (ei Dado que cry B dependen de ta relacién de voltae x, las ecuaciones (3-105) y (3-106) también de- ppenden gnicamente de x. La tabla 3-1 muestra los valores de las relaciones Tellp ¥ Ue Inna EM funcién de la rolacién de voligje x 1) dw | (3-106) Bjemplo El voliaje rms de entrada al ercuito de la figura 3-37aes 120 V, 60 Hz. (a) Sil voliaje de salida en ceortiene directs €s Voy = 100 V a og = 10 A, deterine ls valores de Iu inductancia Ze, By © w- (6) Sify =S.Ay L,= 65 my, uli la tabla 3-1 para determina lor valores de Vy, «Bye (@) La relacin de volajex = Vases) Resolviendo a evuncion Q-108) en funion de B,elreneine un valor de cin 9-105) dala relaign de conient ha = 3-A6U%. De abi = 0.03464 = 288.67 A. EL valor raquerdo de inductances t= Ye 2 187 <* Toa 7 ST BRT {a ccutcdn (3-106) dt eat de Cote mle = 7.466%, Dea Fg = 0.07466 I= 007466 288.67 221.55 A (6) ba = 6.5 ma = Vn Ls) = 169.1377 6.5 mH) = 69.25 A. eg __S 20m it oS = naa = 1.56 mH Utitizando ta interpolacién lineal, obienemos |, ($5 = 4047.22 ~ 8.53) i caer G8 aaa 0.4399 x 169.7 = 74.66 V a= a + (ayes — ay 9d aysg + Q6T4 = 2500.22 - 889) 956 = 23.58 Fen 26.1 Bass = aly =» aoe Oe . (005.99 = 108.8919.2 — 855) _ 19g se = 108.83 = a = 106.56 sa 2 Te Jae sop o GIT = 1S.6000-22 855) gr = 1367 SSM 28 13.97% Por fo tanto. me = 0.1367 x Ie = 0.367% 6925 2947 A. Bea 314 Vohaje do solide on fkro I 33:15 EFECTOS DE LAS INDUCTANCIAS DE LA FUENTE Y DE LA CARGA En las deducciones de los voltajes de salida y de los criterios de rendimiento de los rectficadores, se Supuso que la fuente no tenfa ni inductancias ni resistencias. Pero en un transformador y en una allmentaciGn real, éstas estin siempre presenies por 10 que los rendimientos de los rectificadores 6 modifican ligeramente. El efecto de la inductancia de Ia fuente, que es més significativa que ta de Ia resistencia, se puode explicar haciendo referencia a la figura 3-38. El diodo con el voitaje més positivo conducirs. Consideremos el punto «x = x donde los voltajes vac ¥ Yee Son iguales, tal y como se muestra en la figura 3-38. La corriente /ea sigue todavia ‘luyendo a través del diodo D;. Debido a la inductancta L, la corrente no puede bajar a cero de in- ‘ediawo, y Ia uansferencia de cortiente no puede ser instantinea. La corriente ia se reduce, resul- tando en un voltaje inducido a través de L1, de valor +1, y el voltje de salida se convierte en vz Vea + vii. Al mismo tiempo, la corriente a través de Ds, in aumenia desde cero. induciendo un vol- taj igual a través de L2, de valor ~v12, el voltae de salida se convierte en Vz = Ve ~¥12. El resultado 5 que los voltajes de dnodo de os diodos D y Ds son iguales; y ambos diodos conducen durante un cierto periodo, que se conoce como dngulo 1 de conmutacton (o de superpostcin). Esta transferencia de corriente de un diodo al otro se conoce como conmutacién, La reactancia correspondiente a la inductancia se conoce como reactancia de conmutacién. : (0) Formas de onde Figura 3-38 Rectificador puentetifisico, con inductancias de fuente. BB Circuitos de diodos y rectun cierto perfodo, que se conoce como dngulo jt de conmutacién (0 de superposicién), Esta transferencia de corriente de un diodo al otro se conoce como conmuiacién. La reactancia correspondiente ala inductancia se conoce como reactancia de conmutacién. El clecto de esta superposicion es reducir el voltaje promedio de salida de los convertidores. El voliaje a través de Lz s ai ode 3-107) Suponiendo una elevacidn lineal de corriente i desde 0 hasta leg (0 una constante dildt = Ai/A\), Podemos escribir la ecuacion (3-107) como be At = Ly Ai (3-108) esto se repite se veces en el caso denn puente eetificadortifisico. Utlizando la ecuacién (3-108), la reduccién promedio de voltaje debida a las inductancias de conmutacién es 1 Vg = 2 vp) + Ve + Vey) AE = 2F(Ly + Ly + Ly) AL (3-109) = FL, + Ls + Ladle Si todas las inducuanclas son Iguales, y Le es = Ly = La Vy = Of Lela G-110) donde f es la frecuencia de alimentacién en hertz. 3, la ecuaci6n (3-109) se convierte en Ejemplo 3-24 Un puentc rectificador trifisico es alimentado a partir de una fuente conectada en estrella de {208 6OFz, La corriente promesio de carga es de 60 A y tlene una componente ondulatoria despreciable, Caleule Ia reduecidn poreontual del voltajo do selida dobida a la conmutacién si la in uctancia de linea por fase es 0.5 mH. Solucton L,= 0.5 mH, Vy De la ecuacién (3-77), Ves taj de sala, 20V, f= 60 Ha a = 60 A y n= 03x 120'= 1607 V. 1.654 x 169.7 = 280.7 V. La ecuacién (3-110) da la reduccién de vol- 00 6X 60 X 0.5 x 10 X 60 = 1BV 0 108 x se = 3.85% y el voltae de salida fectivo es (280.7 ~ 10.8) = 266.9 V. Los diodos do un rectifieador do onda complota monofésieo do la figura 3-19a tinen un tempo de recuporacin inverso t= 50 ms y ol voltae rms de entrada es Ve = 120 V. Determine el efec- to del iempo de recuperacién inversa sobre cl volte promedio de salida sila frecuencia de la alimentacién es (a) f,= 2KH,y ©) f= 60 Hz. Solucton Et sempo de recuperacion inversa doberfaafecar el volaje de selida det refi dor. En of reoiicador do onda completa do la Figura 3-19a, ol diodo Dj no estark desactivado envwt = m: mis bien, seguiré conduciendo haste que = 1/0 + iy. Como resultado del tiempo de ecuperacién inversa, el voliaje promedio de salida se roducirdy la forma del volaje de salida aparece como se mucsira en la figura 3-39. ‘See. 3-14 _ Voltaje de salida con fitros LC 38Figura 3-39 Efecto del tiempo de recuperacin inversa sobre el volaje de salida Si el volaje de entrada es v= Vz sent = V2, sen, la reduccién promedio de sada es ve 2 ff vasenara = 22 - = eq ~ cos at Va = V3 V, = V2 x 120 = 169.7V Sin dong de sips ens, con C6) oe rome ss Vg 0.6366V, = 108.03 V. (9) Para f= SO jie y f, = 2000 Hy, a rodueciin del voltae promos de ealida ee vp = YEA ~ cos2afite) () Para by = 50 us y fe 0 Hr, la reducci6n del voltaje de salida de corriente directa es , Vip = EE (U ~ £08 Daft) ~ $.68 % 10-5 Vo = 96X10 V 0 8.88 x 10% of Vic Nota. El efecto de ty es significativo para una fuente de alta frecuencia, en el caso de una fuente normal de 60 Ilz, este efecto se pucde considerar despreciable. RESUMEN En este capitulo hemos visto las aplicaciones de los diodos semiconductores de potencia en accién {de marcha libre, recuperando energéa a partir de cargas inductivas y en la conversidn de senates de cortiente alicmna a corricntc directa, Existen tipos distintos de rectificadores, dependiendo de las cconexiones de los diodos y del transformadar de entrada, Se definieran los parimetros de renci- miento de los rectificadores y se mosiré que los rendimientos de los rectificadores segiin sus tipos. Los rectficadores gencran arménicas en la carga y en la Iinea de alimentacién, estas ar- ménicas se pueden reducir mediante filuros. Los rendimiefitos de los rectificadores también son Influidos por as inductancias de fueme y de carga, 30 Circuitos de diodos v rectificadores Cap. 3Ld REFERENCIAS Schaefer, Rectifier Circuits: Theory and Design. ‘Nueva York: John Wiley & Sons, Ine, 1975. 2 ‘W, Lee, Power Converler Handbook: Theory, Design, and Application. Peterborough, Ont: Ca nadian General Electric, 1979. 3H. 32, 33. 34 3S. 36. 34. 38, 3. a0, 341. 32, 33, a4, 345, 316, a. 3. M. H. Rashid, SPICE for Power Electronics and Electric Power, Englewood Cliffs, N. I: Prentice Hall, 1993, PREGUNTAS DE REPASO. {Cul es la constante de tiempo en un circuito RL? {Cual es 1a constante de tiempo en un eireuiiw Ror Cul es Ia frecuencia de resonaneia en un eir- cuito LC? {Qué es el factor de amortiguacién on un circui- toRLC? {Cul Ia diferencia entre frecuencia de res0- hhanvia y fiveuenie de ammiguavitn Ge un eit cute REC? Qué es un diodo de marcha libre y cual es su uso? {Qué es Ja energfa arapada en un inductor? {mo se puede recuperar la cnergia atrapada, mediante un ciodo? {Qué es relacién de vuckas en un transforma or? {Qué es un rectifieador? {Onl es In diferencia tentre un reetifieador yun convertidor? {Qué es la condici6n de bloquco de un diodo? {Cudles son los pardinetros de rendimiento de lun rectficador? {Cul es el significado del factor de forma de un rectficador? {Cul ca el significado det factor do componente fondulatoria de un rectificador? {iQué es la eficioncia de la rocificacin? CuAl es el significado del factor de utilizacin el transformador? 347. B18, 319. 320, 3a. 3.22, 30, am 3.22, {Qué es et factor de desfase? {Qué es l factor de potencia de entrada? {:Qué es el facior de armonicas? ic media onda y uno de onda completa? {Cuil cs el voltaie de salida en ed de un rctifi- cador monofésico de modia onda? {Cuil cs el voltaje de salida en ed de un reeifi- ‘ador de onda completa monofésico? Les I diferencia entre un rectificedor de es Ta frecucncia Fundamental del voltaje de Salida dun rectificadar monofésica de onda completa? |. Cudles son las ventajas de un rectificador tifa ico sobre uno monofisico? {Cuiles son Tas desventajas de un rectificador ‘multifane de media onda? {Cues son Tas ventajas de un puente rectificador teifésico sobre un rectificador en estrella de seis fases? . {Cuéles son los objetivos de los filtros en los Circuits de recificacion? 1. ,Cuslea son las diferencias entre los filtros deen y los de od? 1. ;Cusles son los efectos de las inductancias de la fuente sobre el voliaje de salida de un rectificador? ules son Tos efecios de las induetancias de ‘carga sobre la salida de un recificador Qi es la eanmntacin cle dodo? Qué cs el éngulo de conmutacién de un rectifi- ccador? PROBLEMAS. En la figura P3-1 aparocen las formas de onda de eogriente da vn capacitor Determine Iae ose pecificaciones promedio, rms y pico de este ca pavitor Problemes ottye 300n9 t= 2501 ts 20008 G2 S00 ° t . Figura P3-1 342, Las formas de onda de Ia corriente que fluye a Determine las especificaciones de corriente pro- través de un diodo aparecen en la figura P32, medio, ms y pico del diodo. igura P3-2 343, Un circuito de diodo se muestra en Ia figura P3- 3-5, Si el inductor del circuito de la figura 3-4 tiene 3con R= 22Qy C= 10 uP. Si el interruptor 5, tuna corriente inical de f, determine la exprese cierra en 1 = 0, determine la expresién para el sin para el voltaje através dol capacitor. volaje & raves del capacitor y la energie perdi- 3.6, Sj el interruptorS; de la figura P3-6 se cienra en dacn el cireuito ), dcicimine le expresi¢n pare (a) la eoutien- te que Muye a través del interrupter i(O y (h) la ¢ 8 velocidad de elevacién de la cortiente difdt.(€) Dibuje esbozos de i) y de dildt. A) {Cudl es el valor de dildt inicial? Para la figura P3-6 en: Sy ceventre wélo dil nici 3-7. El ciouito de segundo orden de la figura 3-6 ti. no un voliaje de fuente V, = 220V. una inductancia L = 5 mH, una capacitancia C = 10 UF y una resistencia & = 22 0. El voltaje inicial del capacitor es Vo = 50 V. Si cl intemuptor se cierra con ¢= 0, determine (a) una expresign para el valor de la corrientey (b) el tiempo de conduccién el diodo. (€) Dibuje un esbozo de i). Para ol circuto de recuperacin de energia de la figura 3-12, la inductancia magnetizante det transformador €8 Ly = 150 WH, Ni = 10 y Na Figura P3-3, 3-4, Un cirouito de diodo aparcce on la figura P3-4 con R= 10.0, L= S mH y V,= 220 V. Si fuye una corriente de carga de 10 A a través del dio: do de marche libre Dy y el interruptor 5; se ci: rra en 1 = 0, determine la expresion de la ‘corrionte ja través dol intorruptor. 200. Las inductanciaa do fuga y las recitonciae dol transformador son despreciables. El voltaje de fuente es V, = 200 V y en el circuito no existe corriente inicial. $i durante un tiempo f = 100 ps se clerra el interruptor 5) y # continua- 2238. 340. 341. 32, aaa. ssa Sk ‘ ety | L o @ s: us oy + wm rm Reoso i 7 ‘ tour Fo Fe | Las 10H @ Figura P3-6 cin se abre, (a) determine el volajeinverso del el voltaje promediode salida del rectficador si iodo Dy, (b) ealeule la cortiente pieo del pr tas iinluctansias Ue fucite son despreciables. rari, (€) ealcule la coriente pico del secundle- 3-14, Ropita el problema 3-13 si la inductancia de rio, (4) determine el tiempo durante el cual el diodo D conduce y (e) determine le energia proporcionadia por la fuente. Un puemte rectificador monofésico tiene una carge purameonte resistive R = 10 0, ol voliajo pico de alimentacin Va. = 170 V y la frecuencia de alimentacin f = 60 Hz. Determine el voltae promedio de salida del rectficador, si la induc laneia de la fue es Uespeciable Repita cl problema 3.9 ai Ia induetanei de Ia fuente por fase (incluyendo Ia inductancia de fuga del transformador) es Le = 0.5 ml. Un rectificador de seis fases en estrella tiene tuna carga puramente resistive R= 10 82, un voltaje pice de alinsentaciin Vm = 170 V y la fie cuencia de alimentacisn f = 60 Hr Determine el voltaje promedio de salida dol retificador, si Ia inductancia de fuente es despreciable. Repita el problema 3-11 si la inductancia de fuente por fase (Incluyendo ta inductancla de fu 1 dol tansformador) os Le = 05 mH. Vin pense rectficador trifisica tiene wna earea pramente resstiva R = 100 {2 estéalimenta- do a parti de una fuente de 280-V 60-Hz. El primario y el secundario del transformador de ‘nirada estén consetados on estrella. Determine 346, 3aR, fuente por fase neluyendo ta inductancia de fuga dol transformador es) Le = 0.5 mH. E] puente rectificador monofésico de la figura 4-19a se necesita para alimentar un voltae promedio de Vag = 400 V a una carga resitiva R = 10.0. Determine las especificaciones del vol- Laje y de corriente de los diodos y del transfor- smador. Se requiere de un puente rectiticador wilgsico ‘pa alinveitar un voltaje promedio de Vag = 750 Ven na corriante Thee ce componente incila- toria de f,y= 9000 A. El primario y el secundario de! wansformador estin conectados en esiel Determine las especificaciones de voltaje y de corvente para los diodes y el transformader. . E} rsetificador monofisica de la figura 3-188 tiene una carga RL. Si el voltaje pico de entrada es Vm = 170 V, la frecuencia de entrada f = 60 Hy, y la rosistencia de carge R = 15 0, dotermi- ne la inductancla de carga L para limitar la ar- ménica de corriente de carga a un 4% del valor promedio Fe. El recificader trifésico estrella de la figure 3-24a tiene una carga RL. Si el voltaje pico en el secun- Gario por fase es Vm = 170 V a 60 Hz y la resistencia do carga ee R = 15 0, determine la inductancia Problemas 33319. 320. 321, 322, 323. 3.24. de carga L para limiter les arminicas de corrente de lacarga 2% del valor promo ks El voltaje de bateria de le figura 3-I7a es E= 20 V y su capacidad es 200 W-n. La comiente de ‘carga promodio deberé ser Ieg = 10 A. El voltae de entrada en el primario es Vp = 120 V. 60 Hz teniendo el transformador una relacin de vueltas n = 2:1. Calcul (a) el éngulo de conduccién 8 del diodo, (b) la resistencia limitadora de corriente R, (6) la eepacificacin de potencis Py de R. (@) el tiempo de carga h en horas, (e) la eficiencia 1) de rectificador y (fe voltaje de pico inverso PIV del diodo. El rectficador monofésico de onda completa de Ja figura 3-21a tiene una L = 4.5 mH, R= 5.2 y E-~ 20 V. El voltaje do ontrada ot V,~ 120 Va 60 Ha, (a) Determine (1) la corriente de carga en régimen permanente /; a 0 = 0, (2) la co- rente promedio dol diodo 1g, (3) la corriente us del diol fy (4) la eonivate de sada is Ings: (0) Ulice PSpice para grafica le comrente instantinea de salida ig, Suponga los pardmeiros de diodo 1S = 2.22E-15, BV=1800V. El rectificador wriffsico de onda completa de la figura 3-254 tiene una carga = 2.9 mH, K = 5 @y E = 20 V. El voltae de entrada, linea « Hinea, es Vas = 208 V. 60 Hz. (a) Determine (1) la corriente de carga en régimen permanente hy a ‘t= 13, (2) la comiente promedio de diodo Ia, @) la comriente rms de diode f,y (4) la comiente smo do slida fm, (b) Usiice PSpice para graft carla cortinic instanténea de salida i. Suponga los pardmetros de diodo IS = 2.22E-15, Un puente rectficador monofésico esté alimen: tado desde una fuente de 120 V, 60 Hy La resistencia de carga ca R = 200 Q. (a) DiseBe un fro . de tal forma que el factor de componente on- Galatoria det voltae de salida sea menor del 5%. (6) Con el valor del capacitor C de la parc (8), calcule el voliaje promedtio de 1a carga Veg. Replta et problema 3-22 para un rectificador -monoféeico de media onda FF voltaje rms de entrada al eirenito de ta figura 3.334 68 120 V, 60 He, (a) Si el voliaje de salida de comrente directa es Vor = 48 V 2 lei = 25 A, determine los valores de Ia inductance, th Be 94 3.8, 326. a7. 328, 329, ens (B) Si leg = 5 Ay be = 6.5 mH, utilce ta ta- bia 3-1 para calcular los Valores de Veis&, € fms El rectificador monofésico de la figura 3-188 tone une carga resistive R, y un capacitor C esd cconcctado a través de la carga. La corriente promedio de carga es let Suponiendo que el tiempo de carga dol capacitor es despreciable en com paracién con el de descarga, determine las ar- infnias del voltaje rms de salida, Vex EI filtro LC quo se muestra on ta figura 3-296 oe utlizado para reducir el contenido de compo- rnonte ondulatori del votaje de selida en un rectificador estrella de seis fases. La resistencia de carga es A = 20 0, la inductancia de varga es £ = 5 mil, y la frecuencia de la fuente es 60 Hz Determine fos pardmetros del filtro Le y Cx, de tal manera que el factor de componente ondulatoria dol voltae de salida sea 5%. El puente rectficador ritésico dela figura 3-258 tione una carga RL y 08 alimontado a partir do tuna fuente concctada en estrella. (a) Use el mé- todo de las series de Fourier para obtener expre~ siones para el voltaje de salida v(t) y de la corticnte de carga ig(). (b) Si el voltaje pivy de fase 05 Vm = 170 V a 60 He y la resistencia de carga es f = 200 O, determine la inductancia de carga L pare limitar la corriente de componente ondulatoria 2 2% del valor promedi fe El rectficador monofésico de media onda de la figura 3-16a tiene un diodo de marcha libre y tuna comtiente promedio de cares libre de com pponente ondulatoia, J. (a) Dibuje las formas de onda para las corrientes en Dt, Dm el primario del iransformadir, (b) exprese Ia vortiente del Primario en serios de Fourier y €) datermine el factor de potencia de entrada PF y el factor ar- :ménico HF de la corrente de entrada del rectificador. Suponga une relacién de vueltas del wransformadur igual sla wid, El rectfieador monofésico de onda completa de la figura 3-18a tiene una corriente promedio de carga, libre de componente ondulatoria, [a (a) Dibuje las formas de onda de las corrientes en Di, D2 y el primario del transformador, (b) ex- proce la corrente del primario en series de Fou- rier y (€) determine el factor de potencia de cnirada PF y el factor arménico HF de la corriente de entrada al rectificador. Suponga unarelacién de vucltas del transformador igual a 1a unidad. 3-30, El recificador multifase en estrella de la figura 3.31. 32. 3333, 3-24a ene ues pulsos proporeionanuy una eo rriente promedio de carga, libre de componente onduletoria, /y, El primarioy el secundario del ttansformador estén conectados en esirela, Su- ponga una relaciGn de vueltas del translormedor {gual ala unida. (a) Dibuje las formas de onda para la corvientes en Ds, Da. Ds y en el primario del transformador, (b exprese la corriente nel primario en series de Fourier y (e) determine el factor de potencia de entrada PF y e factor ‘rménico HF de la corrionto do onirada Repita el problema 3 30 s el primario dal tans formador esté concctado en dela y el socunda- rio en estrella El rectifcador multifase en estrella de fa figura 3-24a tiene seis pulsos proporcionando una co- ‘lence promedio de carga, libre de componente condulatoria, [El primario del transformador ext conectado en dela el secundario en este- Ua. Suponga una relacién de vueltas del transformador igual a la unidad. (a) Dibuje las formas de ona par las corricntes en Dy, Dz, Ds ¥¥ el primarin dol trancformadoe,(h) expres ta corriente en el primario en series de Fourier (e) Aeiermine el factor de potencia de entrada PF y cl tacior armémico HE dla corniente de entrada El puente retificadortrifsico dela Figura 3-258 proporcions una corriente de earge, libre de ‘componente ondulatora, [x El primar y else cundario del transformador estén conectados en estrella, Suponga una relaciGn de vuelas del $34. 338. 3536, transformador igual a Ta unidad. (a) Dibuje las formas de onda para las corientes en Ds, Ds, Ds yy lu eoricate de fase en el secundatio del trans- Toemadoe, (b) exprese la coriente de fase en el sccundario en series de Fourier y (¢) determine cl factor de potencia de entrada PF y del factor rménico HF de la coriente de entrada Kepita el problema 3-53 si el primanio del transformador esté concetado en dele y ol sccundario en estrella Repita el problema 3-33 si tanto el primario co- ‘mo el secundario del transformador estén conectados en delta Un circuito de diodos se muestra en la figura 3.36, donde la corriente de carga esi fluyendo ‘través dol diodo Dp Si so cierra ol interruptor S, en ¢= 0, determine (a) expresiones para v0, {e(0 € ig(0; (b) €l tiempo f donde el diodo Di deja de conduct; (€) el tiempo fy donde el volta- Je a eaves del capacivyr se convierte en cero y (@) al tiempo requerido para que el capacitor se recargue al voltaic de elimentacion Ve Figura P3-36, Sec. 52 History of Power Electronics

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