Professional Documents
Culture Documents
Ασκήσεις Η ΙΙ 6-14
Ασκήσεις Η ΙΙ 6-14
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΙΙ
6o Εξάμηνο
Ασκήσεις 6-14
2020
Νικόλαος Βουδούκης
Άσκηση 6 [Α6: 1/6]
Τοπολογία CMOS δύο σταδίων
VDD
3
M5 30 M6
M8 45
M1 M2 uout
I _
36 36 +
18
6 6 M7
M3 M4
2
Άσκηση [Α6: 2/6]
Τοπολογία CMOS δύο σταδίων
3
VDD
M1 M2 uout
I _
36 36 +
18
6 6 M7
M3 M4
M1 M2 uout
I _
36 36 +
18
6 6 M7
M3 M4
5
VDD
M1 M2 uout
I _
36 36 +
18
6 6 M7
M3 M4
6
VDD
M1 M2 uout
I _
36 36 +
18
6 6 M7
M3 M4
8
Λύση [Α7: 2/3]
10
Άσκηση 8 [Α8: 1/4]
Ζεύγος Darlington BiCMOS
11
Λύση [Α8: 2/4]
Έχουμε:
ID = IS = VBE / RB = 0.7mA
13
Λύση [Α8: 4/4]
14
Άσκηση 9 [Α9: 1/2]
BJT
15
Λύση[Α9: 2/2]
17
Λύση [Α10: 2/2]
18
Άσκηση 11 [Α11: 1/2]
BJT
Στο παρακάτω κύκλωμα θεωρείστε ότι τα transistor βρίσκονται στην ορθή ενεργό
περιοχή και οι τιμές των παραμέτρων και των εξαρτημάτων είναι:
19
Λύση [Α11: 2/2]
Στο παρακάτω κύκλωμα θεωρείστε ότι τα transistor βρίσκονται στην ορθή ενεργό
περιοχή και οι τιμές των παραμέτρων και των εξαρτημάτων είναι:
21
Λύση [Α12: 2/2]
Στο παρακάτω κύκλωμα θεωρείστε ότι τα transistor βρίσκονται στην ορθή ενεργό
περιοχή και οι τιμές των παραμέτρων και των εξαρτημάτων είναι:
23
Λύση [Α13: 2/2]
Λύση
Η αντίσταση εξόδου κάθε MOS είναι:
Άρα:
ΕΜΠ - Ασκήσεις Η ΙΙ - Ν. Βουδούκης 25