1.

3 Conceptosde Electrónica de Potencia 3

Rectificador
P

+ +
 Convertidor


P
Inversor
Figura 1-2 Un convertidor puede funcionar como un rectificador o un inversor,
dependiendo de la dirección de la potencia media P.

Entrada Convertidor 1 Convertidor 2 Salida

Fuente Carga

Figura 1-3 Dos convertidores se utilizan en un proceso de varios pasos.

1.3 CONCEPTOS DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA

Para ilustrar algunos conceptos en electrónica de potencia, considere el
problema de diseño de crear un nivel de voltaje de 3 V CC a partir de una
batería de 9 V. battery. El propósito es suministrar 3 V a una resistencia a la
carga. Una solución simple es utilizar un divisor de voltaje, como se muestra en
la Fig. 1-4. Para una resistencia de carga RL,la inserción de una resistencia en
serie de 2RL da como resultado 3 V a través de RL. Un problema con esta
solución es que la potencia absorbida por la resistencia de 2RL es el doble de
entregada a la carga y se pierde como calor, haciendo que el circuito sólo 33.3
por ciento eficiente. Otro problema es que si el valor de la resistencia a la
carga cambia, la tensión de salida cambiará a menos que la 2RL resistance
cambie proporcionalmente. Una solución a ese problema podría ser
utilizar un transistor en lugar de la resistencia de 2RL. El transistor se
controlaría de tal manera que la edad de voltios a través de él se mantiene
a 6 V, regulando así la salida a 3 V. Sin embargo, se encuentra el mismo
problema de baja eficiencia con esta solución.
Para llegar a una solución de diseño más deseable, considere el
circuito en Fig. 1-5a. En ese circuito, se abre y se cierra periódicamente un
interruptor. El interruptor es un cortocircuito cuando está cerrado y un circuito
abierto cuando está abierto, haciendo que la tensión

2RL +
+
9V RL 3 V



Figura 1-4 Un divisor de voltaje simple para crear 3 V a partir de una fuente de 9 V.
4 Capítulo 1 Introducción

+
+

9V vx(t)

 

(a)
vx(t)

9V

3V
Promedio

T T T
3
(b)

Figura 1-5 (aa) Un circuito conmutado; (b) una forma de onda devoltaje pulsada.

a través de RL igual a 9 V cuando el interruptor está cerrado y 0 V

cuando el interruptor está abierto. La tensión resultante a través de RL será
como la de la Fig. 1-5b. Esta tensión obviamente no es una tensión de CC
constante, pero si el interruptor está cerrado durante un tercio del
período, el valor promedio de vx (denotado como Vx) es un tercio de la tensión
deorigen. El valor medio se calcula a partir de la ecuación
T/3
1T 1 T1
avg(v ) á V á v (t) dt á 9 dt + 0 dt (1-1)
á 3V 3 3 3
x x
T
x
T T
0 0 T/3
Teniendo en cuenta la eficiencia del circuito, la potencia instantánea (ver
Cap. 2) absorbida por el interruptor es el producto de voltaje y corriente.
Cuando el Switch está abierto, la potencia absorbida por él es cero porque la
corriente en él es cero. Cuando el interruptor está cerrado, la potencia absorbida
por él es cero porque el voltaje a través de él es cero. Dado que la potencia
absorbida por el interruptor es cero tanto para las con- diciones abiertas como
cerradas, todo power suministrado por la fuente de 9 V se entrega a
RL,haciendo que el cir- cuit sea 100 por ciento eficiente.
El circuito hasta ahora no logra el objeto de diseño de la creación de
un dc voltio- edad de 3 V. Sin embargo, la forma de onda de voltaje vx se
puede expresar como una serie Fourier que contiene un término dc (el
valor medio) más términos sinusoidales en frecuencias que son múltiplos
de la frecuencia de pulso. Para crear una tensión de 3 V CC, vx se
aplica a un filtro de paso bajo. Un filtro de paso bajo ideal permite que el
componente de CC de voltaje pase a través de la salida mientras se eliminan
 1.4 Interruptores 5
Electrónicos

los términos de CA, creando así la salida de CC deseada. Si el filtro no tiene

pérdidas, el convertidor será 100% eficiente.
 + +
vx(t)
9V RL 3V

Filtro de paso bajo


Figura 1-6 Un filtro de paso bajo permite que solo el valor promedio de vx pase a través de la carga.

Control de interruptores

+ +

Vs vx(t) Filtro de paso bajo Vo

 

Figura 1-7 Comentarios se utiliza para controlar el interruptor y mantener la tensión de salida deseada.

En la práctica, el filtro tendrá algunas pérdidas y absorberá algo de energía.

Además, el dispositivo electrónico utilizado para el interruptor no será perfecto
y tendrá pérdidas. However, la eficiencia del convertidor todavía puede ser
bastante alta (más del 90 por ciento). Los valores requeridos de los
componentes del filtro se pueden hacer más pequeños con frecuencias de
conmutación más altas, por lo que las frecuencias de conmutación grandes
deseables. Los caps. 6 y 7 describen el proceso de conversión dc-dc en
detalle. El "interruptor" en este ejemplo será algún dispositivo electrónico
como un transis- tors de efecto de campo de óxido metálico (MOSFET), o
puede estar compuesto por más de un dispositivo electrónico.
El proceso de conversión de energía generalmente implica el control del
sistema. Se miden las cantidades de salida del convertidor, como el voltaje y la
corriente, y los parímetros de funcionamiento se ajustan para mantener la salida
deseada. Por ejemplo, si el murciélago de 9 V en el ejemplo de la Fig. 1-6
disminuyó a 6 V, el interruptor tendría que ser
cerró el 50 por ciento del tiempo para mantener un valor medio de 3 V
para vx. Un sistema de control de retroalimentación detectaría si la tensión de
salida no fuera de 3 V y ajustaría el cierre y la apertura del interruptor de
capor separado, como se ilustra en la Figura. 1-7.

1.4 INTERRUPTORES ELECTRÓNICOS

Un interruptor electrónico se caracteriza por tener los dos estados
encendidos y apagados, idealmente siendo un cortocircuito o un circuito
abierto. Las aplicaciones que utilizan dispositivos de conmutación son
deseables debido a la pérdida de energía relativamente pequeña en el
dispositivo. Si el interruptor es ideal, la tensión del interruptor o la
corriente del interruptor es cero,
la potencia absorbida por cero. Los dispositivos reales absorben algo de energía
cuando están en estado de encendido y al hacer transiciones entre los estados
de encendido y apagado, pero las eficiencias de circuito todavía pueden ser
bastante altas. Algunos dispositivos electrónicos como los transistores también
pueden funcionar en el rango activo donde tanto el voltaje como la corriente
son distintos de cero, pero es deseable utilizar estos dispositivos como
interruptores al procesar la potencia.
El énfasis de este libro de texto está en el funcionamiento básico del
circuito en lugar de en el rendimiento del dispositivo. El dispositivo de
conmutación particular utilizado en un circuito de electrónica de potencia
depende del estado existente de la tecnología del dispositivo. technology. Los
comportamientos de los circuitos electrónicos de potencia a menudo not se
ven afectados significativamente por el dispositivo real utilizado para la
conmutación, particularmente si las caídas de tensión a través de un interruptor
conductor son pequeños en comparación con otros voltajes de circuito. Por lo
tanto, los dispositivos semiconductores se modelan generalmente como
interruptores ideales para que se pueda enfatizar el comportamiento del
circuito. Los interruptores se modelan como cortocircuitos cuando están
encendidos y circuitos abiertos cuando están apagados. Por lo general, se
supone que los tran-sitions entre estados son instantáneos, pero los efectos
del cambio de nonideal se discuten cuando es apropiado. En esta sección se
ofrece una breve discusión sobre los interruptores de semiconductores y
información adicional relacionada con los circuitos de accionamiento y
desaire en Chap. 10. La tecnología de interruptores electrónicos
estácambiando de maneravirtual, y se pueden encontrar tratamientos
exhaustivos de dispositivos de última generación en la literatura.

El Diodo
Un diodo es el interruptor electrónico más simple. Es incontrolable en que las
condiciones de encendido y apagado están determinadas por voltajes y
corrientes en el circuito. El diodo es sesgado hacia delante (encendido) cuando
la corriente id (Fig. 1-8a) es positivay sesgada inversamente (desactivada)
cuando vd es negativa. En el caso ideal, el diodo es un cortocircuito

Ánodo
id
+
id Yo En
vd
 Desactivado
vd Ⅴ

Cátodo
(a)
(b) (c)

i
En
Desós
T

trr
 (d) (e)

Figura 1-8 (a) Diodo rectificador; (b) característica i-v; (c) característica i-v
idealizada;
(d) invertir el tiempo de recuperación trr; (e) Diodo Schottky.
cuando es sesgado hacia adelante y es un circuito abierto cuando sesgado
atrás. Las características de tensión de corriente reales e idealizadas se
muestran en la Fig. 1-8b y c. La característica idealizada se utiliza en la
mayoría de los análisis de este texto.
Una característica dinámica importante de un diodo nonideal es la
corriente de recuperación inversa. Cuando un diodo se apaga, la corriente
en él disminuye y momentáneamente
se vuelve negativo antes de convertirse en cero, como se muestra en la Fig. 1-
8d. El tiempo trr es el tiempo de recuperación inversa, que suele ser inferior a 1
μs. Este fenómeno puede llegar a ser importante en aplicaciones de alta
frecuencia. Los diodos de recuperación rápida están diseñados para tener un trr
más pequeño que los diodos diseñados para aplicaciones de frecuencia de línea.
Los diodos de carburo de silicio (SiC) tienen muy poca recuperación inversa, lo
que resulta en circuitos más eficientes, especialmente en aplicaciones de alta
potencia.
Los diodos Schottky (Fig. 1-8e) tienen una barrera de metal a silicio en
lugar de una unión P-N. Los diodos Schottky tienen una caída de tensión
directa de típicamente 0,3 V. Estos se utilizan a menudo en aplicaciones de
bajo voltaje donde las gotas de diodo son significativas rel- ative a otros
circuitos voltages. La tensión inversa para un diodo Schottky está limitada
a unos 100 V. La barrera metal-silicio en un diodo Schottky no está sujeta a
transitorios de recuperación y se enciende y apaga más rápido que los diodos de
unión P-N.

Tiristores
Los tiristores son interruptores electrónicos utilizados en algunos circuitos
electrónicos de potencia donde se requiere el control del encendido del
interruptor. El término tiristor a menudo se refiere a una familia de
dispositivos de tres terminales que incluye el rectificador controlado por
silicio (SCR), el triac, el tiristor de desvíode puerta (GTO), el tiristor
controlado por MOS (MCT), y otros. Thyristor y SCR son términos que a
veces se usan como sinónimos. El SCR es el dispositivo utilizado en este
libro de texto para ilustrar los dispositivos de encendido controlados en la
familia de los tiristores. family. Los tiristores son capaces de grandes
corrientes y grandes voltajes de bloqueo para su uso en aplicaciones de alta
potencia, pero las frecuencias de conmutación no pueden ser tan altas como
cuando se utilizan otros dispositivos como MOSFET.
Los tres terminales del SCR sonánodo, cátodo y compuerta (Fig.1-9a). Para
que el SCR comience a conducirse, debe tener una corriente de
compuerta aplicada mientras que tiene una tensión positiva de ánodo a
cátodo. Después de establecer la conducción, la puerta sig- nal ya no es
necesaria para mantener la corriente de ánodo. El SCR continuará conduciendo
mientras la corriente del ánodo siga siendo positiva y por encima de un valor
mínimo llamado nivel de retención. Higos. 1-9a y b muestran el símbolo
del circuito SCR y la característica de voltaje de corriente idealizada.
El tiristor de apagado de compuerta (GTO) de la Fig. 1-9c, al igual que el
SCR, se enciende por una corriente de compuerta de corta duración si la tensión
de ánodo a cátodo es positiva. Cómo- nunca, a diferencia del SCR, el GTO se
puede apagar con una corriente de puerta negativa. Por lo tanto, el GTO es
adecuado para algunas aplicaciones en las que se requiere el control de
encendido y apagado de un interruptor. La corriente de desvío de compuerta
negativa puede ser de duración breve (unos pocos microsegundos), pero su
magnitud debe ser muy grande en comparación con la corriente de encendido.
Típicamentely, la corriente de apagado de la puerta es un tercio de la corriente
del ánodo en el estado. La característica idealizada i-v es similar a la de la Fig.
1-9b para el SCR.
Ánodo
iA Un Ánodo

+
vA iA
En
Puerta K
Desós
 Puerta
G vAk
K
Cátodo
Cátodo (b) (c)
(a)

Ánodo
MT2
Un Onu
G
Puerta
o
Puerta G

K K
MT1
Cátodo
(d)
(e)

Figura 1-9 Dispositivos tiristores: (a) Rectificador controlado por silicio (SCR); (b)SCR
idealizado i-v
característica; (c) tiristor de desvío de compuerta (GTO); (d) triac; (e) tiristor controlado por
MOS (MCT).

El triac (Fig. 1-9d) es un tiristor que es capaz de conducir corriente en

cualquier dirección. El triac es funcionalmente equivalente a dos SCR
antiparalelo (en paralelo pero en direcciones opuestas). Los ciclos de
atenuación de luz incandescentes comunes utilizan un triac para modificar los
ciclos medios positivos y negativos de la onda sinusoidal de entrada.
El tiristor controlado por MOS (MCT) en la Fig. 1-9e es un dispositivo
funcionalmente equivalente al GTO pero sin el requisito de corriente de
puerta de apagado alto. El MCT tiene un SCR y dos MOSFET integrados en
un solo dispositivo. Un MOSFET enciende el SCR y un MOSFET apaga el
SCR. El MCT se enciende y apaga estableciendo el voltaje adecuado
desde la puerta to cátodo, en lugar de es- tabular una corriente de compuerta
en el GTO.
Los tiristores fueron históricamente el interruptor de electrónica de
potencia de elección debido a las clasificaciones de alto voltaje y corriente
 disponibles. Los tiristores todavía se utilizan, especialmente en aplicaciones
de alta potencia, pero las clasificaciones de los transistores de potencia han
aumentado mucho, haciendo que el transistor sea más deseable en muchas
aplicaciones.

Transistores
Los transistores funcionan como interruptores en circuitos electrónicos de
potencia. Los circuitos de accionamiento de transistores están diseñados
para tener el transistor en estado completamente encendido o
completamente apagado. Esto difiere de otras aplicaciones de transistores,
como en un circuito de amplificador lineal donde el transistor opera en la
región que tiene simultáneamente alto voltaje y corriente.
Desag
üeDiD iD iD
En
vGs3 vGs2 vGs1
+
vGs a 0
Puert vDS
a G+

vGS Desós
S vDs vDS

Fuente

Figura 1-10 ((a) MOSFET (canal N) con diodo corporal; (b) Característicasdel MOSFET;
(c) características de MOSFET idealizadas.

A diferencia del diodo, el encendido y apagado de un transistor son

controlables. Los tipos de transistores utilizados en circuitos electrónicos de
potencia incluyen MOSFET, transistores de unión bipolar (BJT) y dispositivos
híbridos como trans-sistors de unión bipolar de puerta aislada (IGBT). Higos. 1-
10 a 1-12 muestran los símbolos del circuito y las características de voltaje
de corriente.
El MOSFET (Fig. 1-10a) es un dispositivo controlado por voltaje con
caracter- tics como se muestra en la Fig. 1-10b. La construcción MOSFET
produce un diodo parásito (cuerpo), como se muestra, que a veces se puede
utilizar para una ventaja en circuitos de electrónica de potencia. Los
MOSFETde potenciason del tipo de mejora en lugar del tipo de agotamiento.
Una tensión suficientemente grande de puerta a fuente encenderá el
dispositivo,

Colector
C
iC iC iB3
B + iB2 iB1
Base vCE
 iB Un 0
iB
E
 Emisor vCE(SAT) vCE
(a)
(b)

iC
En

Desactivado
vCE
(c) (d)

Figura 1-11 (a) BJT (NPN); (b) Característicasde BJT; (c)características idealizadas de BJT;
(d) Configuración de Darlington.
 C

E
(a)
Colector
C

Puerta G

E
Emisor
(b)

Figura 1-12 IGBT: (a)Circuito equivalente; (b) símbolos de circuito.

resultando en una pequeña tensión de drenaje a fuente. En el estado on, el

cambio en vDS es linealmente proporcional al cambio en iD. Por lo tanto, el
en MOSFET puede ser mod- eled como una resistencia en el estado llamada
RDS(encendido).. Los MOSFET tienen resistencias en estado tan bajas como unos
pocos miliohmios. Para una primera aproximación, el MOSFET puede ser
mod- eled como un interruptor ideal con una característica mostrada en la Fig.
1-10c. Las calificaciones son de 1500 V y más de 600 A (aunque no
simultáneamente). Las velocidades de conmutación MOSFET son mayores
que las de los BJT y se utilizan en convertidores que operan en la gama de
megahercios.
Las características típicas de BJT se muestran en La Figura. 1-11b. El
estado de encendido para el transistor se achieved proporcionando
suficiente corriente base para conducir el BJT en saturación. La tensión de
saturación colector-emisor es típicamente de 1 a 2 V para una potencia BJT.
La corriente base cero da como resultado un transistor apagado. La
característica idealizada i-v para el BJT se muestra en Fig. 1-11c. El BJT es
un current-
dispositivo controlado, y los BJT de potencia suelen tener valoresfe de h
bajos, a veces inferiores a 20. Si un BJT de potencia con hFE a 20 es
llevar una corriente colector de 60 A, por ejemplo, la corriente base tendría
que ser más de 3 A para poner el transistor en saturación. El circuito de
accionamiento para proporcionar una alta corriente de base es un circuito de
potencia significativo en sí mismo. Las configuraciones de Darlington tienen
dos BJT conectados como se muestra en la Fig. 1-11d. La ganancia de
corriente afectiva de la combinación tion es aproximadamente el producto
de las ganancias individuales y, por lo tanto, puede reducir la
 1.5 Selección de interruptores 11

corriente requerida del circuito de accionamiento. La configuración de

Darlington se puede construir a partir de dos transistores discretos o puede
obtenerse como un único dispositivo de alimentación. Los BJT de potencia rara
vez se utilizan en nuevas aplicaciones, pasando por MOSFET e IGBT.
El IGBT de la Fig. 1-12 es una conexión integrada de un MOSFET y un
BJT. El circuito de accionamiento para el IGBT es similar al del MOSFET,
mientras que las características en el estado son como las del BJT. Los IGBT
han reemplazado a los BJT en muchas aplicaciones.

1.5 SELECCIÓN DE INTERRUPTORES

La selección de un dispositivo de alimentación para una aplicación determinada
depende no sólo de los niveles de tensión y corriente requeridos, sino también
de sus características de conmutación. Los transistores y los GTO
proporcionan control tanto de encendido como de apagado, DEN de
encendido pero node urna y dediodos de ninguno de los dos.
Las velocidades de conmutación y las pérdidas de potencia asociadas son
muy importantes en los circuitos de electrónica de potencia. El BJT es un
dispositivo portador minoritario, mientras que el MOSFET es un dispositivo
portador mayoritario que no tiene retardos de edad de almacenamientode
portadora minoritaria, dando al MOSFET una ventaja en las velocidades de
conmutación. Los tiempos de conmutación BJT pueden ser una magnitud
mayor que los del MOSFET. Por lo tanto, el MOSFET generalmente tiene
pérdidas de conmutación más bajas y se prefiere sobre el BJT.
Al seleccionar un dispositivo de conmutación adecuado, la primera
consideración es el punto de funcionamiento requerido y las características de
encendido y apagado. El ejemplo 1-1 describe el procedimiento de selección.

EJEMPLO 1-1

Selección de interruptores
El circuito de la Fig. 1-13a tiene dosinterruptores o. El interruptor S1 está encendido
y conecta la fuente de tensión (VVs a 24 V) a la fuente de corriente (IIo a 2 A). Se
desea abrir el interruptor S1 para des- conectar Vs de la fuente actual. Esto
requiere que un segundo interruptor S2 cerca para proporcionar un trayecto para
Io actual, , como en la Fig. 1-13b. Más adelante, S1 debe volver a cerrarse y S2
debe abrirse para restaurar el circuito a su estado original. El ciclo es repetir
a una frecuencia de 200 kHz. Determine el tipo de dispositivo necesario para
cada interruptor y los requisitos de tensión máxima y alquiler de cada uno.
■ Solución
El tipo de dispositivo se elige entre los requisitos de encendido y apagado, los requisitos
de voltaje y corriente del interruptor para los estados de encendido y apagado, y la
velocidad de conmutación requerida.
Los puntos de funcionamiento de estado estacionario para S1 están en (v1, i1)
á (0, Io) para S1 cerrado y (VVs, 0) para el interruptor abierto (Fig. 1-13c). Los
puntos de operación están en los ejes i y v V I positivos, y S1 debe apagarse
cuando i1 i o > 0 y debe encenderse cuando v1 V s > 0. Por lo tanto, el
dispositivo utilizado para S1 debe proporcionar control tanto de encendido
como de apagado. La característica MOSFET
12 Capítulo 1 Introducción i1S1
+v1

i1 S1 
v2
+ v1 á +
+ S2


+ v2 Io Vs Io
Vs 
i2
S2
+
(b)
i2

i1 i2

S1 S2
Cerrado (0, Io) (0Yoo) Cerrado

Abierto Abierto
v v2
(Vs, 0) (Vs,0)
(c) (
d
)

S1

S1

+
S2 Vs + Io
 Io

S2

(e)

Figura 1-13 Circuito para el ejemplo 1-1. (a)

S1 cerrado, S2 abierto; (b) S1 abierto, S2
cerrado;
(c) puntos de funcionamiento para S1;
(d) puntos defuncionamiento para
S2; (e)la implementación del
conmutador mediante un MOSFET y
un diodo; (f) cambiarla
implementación utilizando dos
MOSFET (rectificación sincrónica).

de Higo. 1-10d o la característica BJT

de La Fig. 1-11c coincide con el
requisito. Un MOSFET sería una buena
opción debido a la frecuencia de
conmutación requerida, los requisitos
simples de la unidad de compuerta y
el requisito de voltaje y corriente
relativamente bajo (24 V y 2 A).
 Los imp
puntos de lem
funcionamien enta
to de estado ción
estacionario del
para S2 están circ
en (v2, i2) uito
de
á(—Vs,0) en con
la Fig. 1-13a mut
y (0, Io) en ació
la Fig. 1-13b, n.
como se La
muestra en corr
la Fig. 1-13d. ient
Los puntos e
máx
de ima
funcionamien
es 2
to se A, y
encuentran el
en el eje de volt
curación aje
positiva y en máx
el eje de imo
tensión en
negativa. Por el
lo tanto, una esta
corriente do
positiva en de
S2 es el blo
requisito de que
encender S2, o es
de
y existe una 24
tensión V.
negativa
cuando S2
debe
apagarse.
Dado que los
puntos de
operación
coinciden con
el diodo (Fig.
1-8c) y no
senecesita
ningún otro
control para
eldispositivo,
un diodo
es una opción
apropiada
para S2. El
cuadro 1-13e
muestra la
 1.6 SPICE, PSpice y Capture 13

Aunque un diodo es un dispositivo suficiente y apropiado para el switch

S2,, un MOSFET también trabajaría en esta posición, como se muestra en la Fig.
1-13f. Cuando S2 está encendido y S1 está apagado, el alquiler de cur- fluye
hacia arriba desde el drenaje de S2.. La ventaja de utilizar un MOSFET es
que tiene una caída de voltaje mucho más baja a través de él cuando
conduce en comparación con un diodo, lo que resulta en una menor pérdida de
potencia y una mayor eficiencia del circuito. La desventaja es que se requiere
un circuito de control más complejo para encender S2 cuando S1 está
apagado. Sin embargo, hay varios circos de control disponibles para hacer esto.
Este esquema de control se conoce como rectificación síncrona o conmutación
sincrónica.
En una aplicación de electrónica de potencia, la fuente de corriente en este circuito
podría representar un inductor que tiene una corriente casi constante en él.

1.6 ESPECIAS, PSPICE Y CAPTURA

La simulación por ordenador es una valiosa herramienta de análisis y diseño
que se enfatiza a lo largo de este texto. SPICE es un programa de simulación de
circuitos desarrollado en el Departamento de Ingeniería Eléctrica y Ciencias
de la Computación de la Universidad de California en Berkeley. PSpice es
una adaptación comercialmente disponible de SPICE que fue desarrollada para
el ordenador personal. Capture es un programa de interfaz gráfica que permite
realizar una simulación a partir de unarepresentación gráfica al de un diagrama
decircuito. Cadence proporciona un producto llamado OrCAD Capture, y una
versión de demostración sin costo alguno. 1 Casi todas las simulaciones
descritas en este libro de texto se pueden ejecutar utilizando la versión de
demostración.
La simulación puede asumir varios niveles de modelado de dispositivos y
componentes, dependiendo del objetivo de la simulación. La mayoría de los
ejemplos y ejercicios de simulación utilizan modelos de componentes
idealizados o predeterminados, haciendo que los resultados de aproximaciones
de primer orden, sean los mismos que el trabajo analítico realizado en la
primera discusión de un tema en cualquier libro de texto. Después de
entender la operación fundamental de un circuito de electrónica de potencia, el
ingeniero puede incluir modelos de dispositivos detallados para predecir con
mayor precisión el comportamiento de un circuito real.
Probe, el programa de postprocesador gráfico que acompaña a PSpice, es
especialmente útil. En la sonda, la forma de onda de cualquier corriente o
voltaje en un cir- cuit se puede mostrar gráficamente. Esto le da al estudiante
una mirada al comportamiento del circuito, es decir, que no es posiblecon el
análisis de lápiz y papel. Además, Probe es capaz de cálculos matemáticos que
implican corrientes y/o voltajes, incluyendo la determinación numérica de rms
y valores medios. Ejemplos de análisis de PSpice y diseño para la electrónica
de potencia circuson una parte integral de este libro de texto.
Los archivos de circuito PSpice enumerados en este texto se desarrollaron utilizando la versión
16.0. La revisión continua del software requiere actualizaciones en las técnicas
de simulación.

1
https://www.cadence.com/products/orcad/pages/downloads.aspx#demo
14 Capítulo 1 Introducción

R a 106 Ω desactivada (abierta)

R a 10oΩ  (Cerrado)

Figura 1-14 Implementación de un interruptor con resistencia

en PSpice.

1.7 INTERRUPTORES EN PSPICE

El interruptor controlado por voltaje
El interruptor controlado por voltaje Sbreak en PSpice se puede utilizar
como un modelo idealizado para la mayoría de los dispositivos electrónicos.
El interruptor controlado por voltaje es una resistencia que tiene un valor
establecido por una tensión de control. 1-14 ilustra el concepto de utilizar una
resistencia controlada como interruptor para la simulación PSpice de
circuitos de electrones de potencia. Un MOSFET u otrodispositivo switching
es idealmente un interruptor abierto o cerrado. switch. Una gran resistencia se
aproxima a un interruptor abierto, y una pequeña resistencia ap- aproxima
un interruptor cerrado. Los parámetros del modelo de conmutación son los
siguientes:

Parámetro Descripción Valor predeterminado

Ron Resistencia "On" 1 (reducir esto a 0.001 o 0.01
K)
ROFF Resistencia "Off" 106 K
Von Tensión de control para el 1.0 V
estado
VOFF Tensión de control para el 0V
estado apagado
La resistencia se cambia de grande a pequeña por la tensión de
control. La resistencia de apagado predeterminada es de 1 MK,, que es
una buena aproximación para un circuito abierto en aplicaciones de
electrónica de potencia. El valor predeterminado en la resistencia de 1 K
suele ser demasiado grande. Si el interruptor va a ser ideal, la resistencia
en el modelo de interruptor debe ser anged a algo mucho más bajo, como
0.001 o 0.01 K.

EJEMPLO 1-2

Un interruptor controlado por voltaje en PSpice

El diagrama de la captura de un circuito de conmutación se muestra en la Fig. 1-15a. El
interruptor se implementa con el interruptor controlado por voltaje Sbreak, situado en el
dispositivo Breakout. La tensión de control es VPULSE y utiliza las características
mostradas. Los tiempos de subida y bajada, TR y TF, se hacen pequeños en
comparación con el ancho y el período del pulso, PW y PER. V1 y V2 deben
 1.7 Interruptores en 15
PSpice

abarcar los niveles de voltaje de encendido y apagado para el interruptor, 0 y 1 V por

defecto. El período de conmutación es de 25 ms, correspondiente a una frecuencia de 40
kHz.
Se accede al modelo PSpice para Sbreak haciendo clic en Editary, a continuación,
en Modelo PSpice. La ventana del editor de modelos se muestra en la figura 1-
15b. La resistencia de encendido Ron se cambia a 0.001 K
VPULSE
S1
V1 a 0
++ + Vs 24V
V2 a 5
TD a 0 + Vcontrol – – 
 Sbreak
TR 1n
TF a 1n 
Rload 2
PW a 10us PER a
25us
0
(a)

(b)

(c)

Figura 1-15 (aa) Circuito para el ejemplo 1-2; (b) edición del modelo de interruptor PSpice Sbreak
16 Capítulo 1 Introducción

para que Ron sea 0,001K; (c) la configuracióndel análisis transitorio; (d) la salida dela sonda.
 10.0 V

7,5 V Voltaje de control del interruptor

5.0 V

2.5 V

0
V(Vcontrol:+)
V

40 V
Voltaje del resistor
de carga

20 V

SEL>>

0V
0s
20 μs 40 μs 60 μs 80 μs
V(Rload:2 Tiem
)
po
(d)
Figura 1-15 ((continuación))

para aproximarse a un interruptor ideal. Se accede al menú Análisis transitorio

desde Configuración de Simulation. Esta simulación tiene un tiempo de ejecución de
80 μs, como se muestra en la Figura. 1-15c.
La salida de la sonda que muestra el voltaje de control del interruptor y las formas
de onda de tensión de resistencia de carga se ve en la Fig. 1-15d.

Transistores
Los transistores utilizados como interruptores en circuitos electrónicos de
potencia se pueden idealizar para la simulación mediante el uso del interruptor
controlado por voltaje. Como en el ejemplo 1-2, un transistor ideal se puede
modelar como muy pequeño en resistencia. Una resistencia en la que
coincida con lacterística de chara MOSFETse puede utilizar para simular la
resistencia conductora RDS(ON) de un MOSFET para determinar el
comportamiento de un circuito con com- ponents nonideal. Si se requiere una
representación precisa de un transistor, un modelo puede estar disponible
en la biblioteca de dispositivos PSpice o en el sitio web del fabricante.
Los modelos IRF150 e IRF9140 para MOSFET de potencia se encuentran
en la biblioteca de demostración ver- sion. library. El modelo MOSFET
MbreakN o MbreakN3 predeterminado debe tener parámetros para el VTO de
tensión de umbral y el KP de hormiga constagregado al modelo de dispositivo
PSpice para una simulación significativa. Los sitios web del fabricante,
como International Rectifier en www.irf.com, tienen modelos SPICE
disponibles para sus
 VPULSE
V1 a 0 Rg M1
V2 a 12 + IRF150 + Vs
Vcontrol 10
TD a 24V
á
0o Rloa 2
TR 1n
d
TF a 1n
PW a 10us
PER 25us
0

Figura 1-16 Un circuito de accionamiento MOSFET idealizado en PSpice.

Productos. El BJT QbreakN predeterminado se puede utilizar en lugar de un

modelo de transistor detallado para una simulación rudimentaria.
Los transistores en PSpice deben tener circuitos de accionamiento, que
pueden ser idealizados si no se requiere el comportamiento de un circuito de
accionamiento específico. Las simulaciones con MOSFET pueden tener
circuitos de accionamiento como ese en Fig. 1-16. La fuente de tensión
VPULSE estab- permite la tensión de puerta a fuente del MOSFET para
encenderlo y apagarlo. La resistencia de la puerta puede no ser necesaria, pero
a veces elimina los problemas numéricos de conver- gence.

Diodos
Se asume un diodo ideal cuando se desarrollan las ecuaciones que describen un
circuito de electrónica de potencia, lo cual es razonable si los voltajes del
circuito son mucho más grandes que la caída de tensión directa normal a través
de un diodo conductor. La corriente de diodo está relacionada con el voltaje del
diodo por

id á ISevd>nVT — 1
(1-2)
donde n es el coeficiente de emisión que tiene un valor predeterminado de 1 en
PSpice. Un diodo ideal se puede aproximar en PSpice estableciendo n a un
número pequeño como 0.001 o 0.01. El diodo casi ideal se modela con la parte
Dbreak con modelo PSpice
modelo Dbreak D n a 0.001

Con el modelo de diodo ideal, los resultados de la simulación coincidirán con

los resultados analíticos de las ecuaciones descripntes. Un modelo de diodo
PSpice que predice de forma más accu- rates el comportamiento de los diodos
se puede obtener de una biblioteca de dispositivos. library. Las
simulaciones con un modelo de diodo detallado producirán resultados más
realistas que el caso idealizado. Sin embargo, si los voltajes del circuito son
grandes, la diferencia entre el uso de un iodo d idealy un modelo de diodo
preciso no afectará a los resultados de ninguna manera significativa. El
modelo de diodo predeterminado para Dbreak se puede utilizar como un
compromiso entre los casos ideales y reales, a menudo con poca diferencia
en el resultado.
Figura 1-17 Modelo de tiristor simplificado (SCR) para PSpice.

Tiristores (SCR)
Un modelo SCR está disponible en la biblioteca de piezas de la versión de
demostración de PSpice y se puede utilizar para simular circuitos SCR. Sin
embargo, el modelo contiene un número relativamente grande de componentes
que impone un límite de tamaño para la versión de demostración PSpice.
Un modelo SCR simple que se utiliza en varios circuitos en este texto es un
interruptor en serie con un diodo, como se muestra en la figura. 1-17. Cerrar
el interruptorled de control de voltaje equivale a aplicar una corriente de
compuerta al SCR, y el diodo evita la corriente inversa en el modelo. Este
sencillo modelo SCR tiene la disadvan- tage significativa de requerir que
el interruptor controlado por voltaje permanezca cerrado durante todo el
tiempo del SCR, por lo que requiere cierto conocimiento previo del
comportamiento de un cir- cuit que utiliza el dispositivo. En los capítulos
posteriores se incluye más explicaciones.

Problemas de convergencia en PSpice

Algunas de las simulaciones PSpice en este libro están sujetas a problemas
numéricos de conver- gence debido a la conmutación que tiene lugar en
circuitos con inductores y capacitores. Todos los archivos PSpice presentados
en este texto han sido diseñados para evitar la convergencia problems. Sin
embargo, a veces cambiar un parámetro de circuito hará que un error converja
en el análisis transitorio. En caso de que haya un problema con la convergencia
de PSpice, los siguientes remedios pueden ser útiles:
• Aumente el límite de iteración ITL4 de 10 a 100 o más. Esta es
una opción a la que se accede desde las opciones del perfil de
simulación, como se muestra en la Fig. 1-18.
• Cambie la tolerancia relativa RELTOL a algo distinto del valor
predeterminado de 0.001.
• Cambie los modelos de dispositivo a algo que no sea lo ideal. Por
ejemplo, cambie la resistencia de encendido de un interruptor controlado
por voltaje a un valor mayor, o utilice una fuente de voltaje de control
que no cambie tan rápidamente. Un diodo ideal podría hacerse menos
ideal aumentando el valor de n en el modelo. Generalmente, los modelos
de dispositivos idealizados introducirán más problemas de convergencia
que los modelos de dispositivos reales.
 1.8 Bibliografía 19

Figura 1-18 El menú Opciones para configuraciones que pueden resolver problemas de
convergencia. RELTOL e ITL4 se han cambiado aquí.

Figura 1-19 circuito RC para ayudar en la convergencia PSpice.

• Agregue un circuito RC "snubber". Una resistencia en serie y

capacitancia con una pequeña constante de tiempo se puede colocar a
través de interruptores para evitar que los voltajes cambien demasiado
rápido. Por ejemplo, colocar una combinación en serie de una
resistencia K de 1 ky un condensador de 1 nF en paralelo con un
diodo (Fig. 1-19) puede mejorar convergence sin afectar los resultados
de la simulación.

1.8 Bibliografía
M. E. Balci y M. H. Hocaoglu, "Comparison of Power Definitions for Reactive Power
Compensation in Nonsinusoidal Circuits", International Conference on Harmonics
and Quality of Power, LakePlacid, N.Y. 2004.
L. S. Czarnecki, "Considerations on the Reactive Power in Nonsinusoidal Situations",
International Conference on Harmonics in Power Systems, Worcester
Polytechnic Institute, Worcester, Mass., 1984, págs. 231–237.
A. E. Emanuel, "Powers in Nonsinusoidal Situations, A Review of Definitions
and Physical Meaning", IEEE Transactions on Power Delivery,vol. 5, no. 3,
julio de 1990.
G. T. Heydt, Electric Power Quality, Stars in a CirclePublications, West
Lafayette, Ind., 1991.
W. Sheperd y P. Zand, Energy Flow and Power Factor in Nonsinusoidal Circuits,
Cambridge University Press, 1979.

Problemas
1-1. La fuente actual en el ejemplo 1-1 se invierte para que la corriente positiva esté
hacia arriba. La fuente de corriente debe conectarse a la fuente de tensión
cerrando alternativamente S1 y S2. Dibuje un circuito que tenga un MOSFET y
un diodo para lograr este cambio.
1-2. Simular el circuito en el ejemplo 1-1 utilizando PSpice. Utilice el interruptor de
tensión controlado Sbreak para S1 y el diodo Dbreak para S2. (aa ) Edite los
modelos PSpice para idealizar el circuito utilizando RON a 0,001 K para el
conmutador y n a 0,001 para el diodo. Visualice el voltaje a través de la
fuente de corriente en Sonda. (b) Utilice RON a 0,1 K en Sbreak y n a 1
(el valor predeterminado) para el diodo. ¿En qué se diferencian los resultados
de las partes a y b?
1-3. El modelo MOSFET de potencia IRF150 se encuentra en la biblioteca EVAL
que acompaña a la versión de demostración de PSpice. Simule el circuito
en el ejemplo 1-1, utilizando el IRF150 para el MOSFET y el modelo de diodo
predeterminado Dbreak para S2. Utilice un circuito de accionamiento de
compuerta idealizado similar al de la Fig. 1-16. Visualice el voltaje a través de la
fuente de corriente en Sonda. ¿Losresultados difieren de los que utilizan
interruptores ideales?
1-4. Utilice PSpice para simular el circuito del Ejemplo 1-1. Utilice el QbreakN
predeterminado de PSpice BJT para el Switch S1. Utilice un circuito de
accionamiento base idealizado similar al del circuito de accionamiento de
compuerta para el MOSFET en la Fig. 1-9. Elija una resistencia base adecuada
para asegurarse de que el transistor se enciende para un transistor hFE de 100.
Utilice el Dbreak de diodo predeterminado PSpice para switch S2. Visualice la
tensión a través de la fuente de corriente. ¿En qué se diferencian los resultados
de aquellos que utilizan interruptores ideales?
 CHAPTER 2
Cálculos de potencia

2.1 Introducción
Los cálculos de potencia son esenciales para analizar y diseñar circuitos
electrónicos de potencia. Los conceptos básicos de potencia se revisan en este
capítulo, con particular em- phasis en los cálculos de potencia para circuitos
con voltajes y corrientes no insoidales. El tratamientont adicional se da a
algunos casos especiales que se encuentran con frecuencia en la electrónica
de potencia. Se muestran los cálculos de potencia mediante el programa de
simulación de circuito pSpice.

2.2 POTENCIA Y ENERGÍA

Poder instantáneo
La potencia instantánea para cualquier dispositivo se calcula a partir de la
tensión a través de él y la corriente en él. El poder instantáneo es
p(t) á v(t)i(t) (2-1)
Esta relación es válida para cualquier dispositivo o circuito. La potencia
instantánea es generalmente una cantidad que varía en el tiempo. Si se observa
la convención de signo pasivo ilustrada en la Fig. 2-1a, el dispositivo está
absorbiendo la potencia si p(t) es positivo a un valor especificado detime t. El
dispositivo suministra energía si p(t)es negativo. Las fuentes con frecuencia
tienen una dirección actual supuesta consistente con la potencia de suministro.
Con la convención de la Fig. 2-1b,una ppositiva(t) indica que la fuente
estásuministrando energía.
21
22 C A P í T U L O 2 Cálculos de potencia Power

i(t i(t)
)
+ +
v(t) v(t)
 

(a) (b)

Figura 2-1 (a)

Convención de signo
pasivo: p(t) > 0 indica
que se está absorbiendo
la potencia; (b) p(t) > 0
indica que la fuente está
suministrando energía.

Energía
La energía, o el trabajo, es la integral del poder instantáneo. Observando la
convención de signo pasivo, la energía absorbida por un componente en el
intervalo de tiempo de t1 a t2 es
t2

(2-2)
W Un P(t)
3
Despegue
t1
Si v(t) está envoltios e i(t) está enamperios, la potencia tiene unidades de vatios
y la energía tiene unidades de julio.

Potencia media
Las funciones periódicas de voltaje y corriente producen una función de
potencia instantánea periódica. La potencia media es el promedio de tiempo de
p(t) durante uno omás períodos. El power P promedio se calcula a partir de
t0+T t0+T
P á 1p(t) Despegue á 1
v(t)i(t) Despegue (2-3)
T 3 3T
t0 t0

donde T es el período de la forma de onda de potencia. Combinando Eqs. (2-3)

y (2-2), la potencia también se calcula a partir de energía por período.

P- W
(2-4)
T
La potencia promedio a veces se denomina potencia real o potencia
activa,especialmente encircuitos de CA. El término potencia generalmente
significas potenciapromedio. power. La potencia media total absorbida en un
circuito es igual a la potencia media total suministrada.
 2.2 Potencia y energía 23

EJEMPLO 2-1

Energía y energía
El voltaje y la corriente, consistentes con la convención de signo pasivo, para un
dispositivo se muestran en la Fig. 2-2a y b. (a) Determinar lapotencia instantánea
p(t) absorbida por el dispositivo.
(b) Determine la energía absorbida por el dispositivo en un período. (c) Determinar la aver-
potencia de edad absorbida por el dispositivo.

■ Solución

i(t) á b
—15

6 ms < t < 20 ms
A

(a) La potencia instantánea se calcula a partir de Eq. (2-1). El voltaje y la corriente son

expresado como

p(t) Un C — 300 W
ower, que se muestra en la Fig. 2-2c, es el producto de la tensión

400 W0 < T < 6 Sra 6 ms < T < 10 Sra

10 ms < T < 20 Sra
0
v(t) = 0
t) 20 V

20 V
0 < t < 10 ms

10 ms < t < 20 ms

0 < t < 6 ms
 6 ms 20 ms

6 ms 10 ms 20 ms

se expresa como
Instantánea p
d corriente y
20 V

0
i(t)

20 A
0

15 A
p(t )
400 W

0
 T

•300 W
10 ms
(a)
T

(b)
T

(c)