02.

előadás

PN Dióda karakterisztika:
Kisebbségi
 uUBE 
i  I S 0  e T  1 13 töltéshordozók drift Nagy
I S 0  10 A
  árama, kisebbségi többségi
  töltéshordozó töltéshordozó
[mA] i
koncentrációval, a diffúziós
kT áram a
UT   26 mV generációval
q T 300K 0 arányos jellemző
IS0 u
600mV
Uny
Pld.: e 26mV
 1010 , i=1mA Letörés
Többségi
diffúziós Többségi diffúziós
áram áram = kisebbségi
megszűnik, drift áram – külső
csak a összeköttetésen
kisebbségi áram nem folyik
drift marad
Záró irány Nyitó irány

Nyitó irányra jellemző:

 Exponenciális áram karakterisztika, amit gyakran közelítünk egy egyszerű nyitó
feszültség (Uny) paraméteres modellel. (pl. szilícium dióda nyitófeszültsége kb. 0.6 V)
 Diffúziós kapacitás, arányos a nyitó irányú árammal: 𝐶𝐷 = 𝑘𝑜𝑛𝑠𝑡 ∗ 𝐼𝑛𝑦

Záró irányra jellemző:

 Kicsi, záró irányú feszültségtől független záró irányú áram, amit a hő hatásra, fény
besugárzásra létrejövő generációval keletkező kisebbségi töltéshordozók tartanak
fenn.
 Tértöltés kapacitás, minél nagyobb a záró irányú u feszültség, annál kisebb (𝑈𝐷 a
szennyezési koncentrációktól függő diffúziós potenciál, a nyitófeszültség körüli érték):

CT 
konst
u  0
UD u

 A záró irányú feszültséget növelve egy bizonyos – típusfüggő feszültségnél

bekövetkezik a hirtelen áram növekedés, a letörés.
 02.előadás

Diódák a gyakorlatban
1.) Szilícium dióda
Tipikus nyitó feszültség a
Silícium dióda
i
kis áramú (mondjuk 100mA – es) [mA] i
u
diódák esetén 0.6V. Schottky, fém- Si pn dióda
félvezető dióda Schottky dióda
Kicsi záró irányú áram jellemzi. u i

A leggyakoribb dióda típus. [nA]

u
2.) Schottky dióda
Nem PN dióda, hanem fém félvezető dióda, pl. fém és n típusú félvezető dióda. Ebben a
diódában nincs diffúzióval létrejövő kisebbségi töltéshordozó injekció, tehát nincs diffúziós
kapacitása. Ez a tény nyitó irányból záró irányba történő üzemmód váltás esetén gyorsabb
működést eredményez, nem kell eltávolítani a diffúziós töltéseket, csak a tértöltés kapacitás
feltöltése követel időt.
Nyitó feszültsége tipikusan 0.2.. 0.3 V, jóval kisebb a tipikus szilícium diódákénál.
Hasonló áramú szilícium diódához képest nagyobb záró irányú áram jellemzi.
3.) Zener dióda
A zener diódát meghatározott
letörési feszültségre tervezik, és [mA] i
Zener dióda
záró irányban, ebben a letörési üzemmódban
használjuk. Mivel a letörési karakterisztika Uz2 Uz1 u i
nagyon meredek, alkalmas Ideális Zener diódák
karakterisztikái Uz1 és u
feszültség stabilizálásra. Ha a kapcsolási rajz Uz2 letörési
szerinti V1 feszültség, és/vagy az Rt feszültségekkel

i
[mA]
Uz2 Uz1 u

Iz1 Valódi Zener dióda

karakterisztika véges
meredekségű letörési
Iz2 szakasszal

terhelő ellenállás vagyis a terhelő áram változik, a Zener diódán lévő letörési feszültség
ideális estben állandó marad, hiszen hiába változik meg a dióda árama is, az Uz zener
feszültség állandó. (Nem ideális, valós zener dióda Uz feszültsége az áram függvényében kis
mértékben változik, azaz a karakterisztika meredeksége, azaz a belső ellenállása véges, ez azt
jelenti, hogy a kimenő feszültség kis mértékben változik.)
 02.előadás

4.) Varicap dióda

Záró irányú u egyen feszültséggel hangolható kondenzátort valósít meg.
A záró irányú tértöltés kapacitást hasznosítjuk vele. A tértöltés kapacitás közelítése:
konst
𝐶𝑇 ≈
√𝑢
u

A BB145B varicap dióda kapacitásának záró irányú feszültség függvénye:

 02.előadás

5.) LED (Light Emitting Diode), LD (Laser Diode)

A nyitó irányban előfeszített diódában lezajló rekombinációkor a vezetési sávból, az
alacsonyabb energiájú vegyértéksávba kerül az elektron, miközben leadja a tiltott sávnak
megfelelő energiáját. A különböző félvezető anyagok különböző tiltott sáv szélességgel
rendelkeznek, legkisebb távolságra az infra LED, legnagyobb távolságra a kék LED sávjai
vannak. Ennek megfelelően adnak le kis energiát, kis frekvenciájú, (vörös), vagy nagy
energiát, nagy frekvenciájú, kék szín fotonját előállítva.
A lézer dióda (LD) specialitása a keskeny spektrumú fény, az egyetlen frekvenciájú fény.
Stabil, szabályozott nyitó irányú áram meghajtást, stabil, szabályozott hőmérsékletet kíván.

Színes LED: Különböző félvezető anyagok

különböző tiltott sávszélességgel
Energia
Vezetési sáv
Távozó foton
ℏ𝜈 ℏ𝜈 ℏ𝜈 ℏ𝜈
Vegyérték sáv
Infra vörös piros zöld kék
λ: 1550 nm 700 nm 500 nm 400 nm
Tipikus nyitó feszültségek: Uny: 1.1 V 1.7 V 2.1 V 3V

piros zöld
LED dióda, Spektrum Spektrum
i
Lézer dióda LD LED Lézer dióda LD
Infra kék
i

u
u λ0 λ0
Uny1 Uny3 λ [nm] λ [nm]
Uny2 Uny4
 02.előadás

6.) Fotodióda:

[mA] i
Fotodióda:
Fotodióda

Energia Beeső foton

IS0 u i
ℏ𝜈 Vezetési sáv

Vegyérték sáv [nA] u

A fotodiódát záró irányban feszítjük elő, záró irányú árama (𝐼𝑆0 ) a generáció által
meghatározott kisebbségi töltéshordozó koncentrációtól függ, ami pedig függ a fény
besugárzás intenzitásától. Ha beérkezik a ℏν energiájú foton, és ez az energia nagyobb, mint a
fotodióda félvezetőjének tiltott sávja, akkor elektron szakadhat ki a félvezető kristályrácsának
kötéséből és létrejön egy elektron lyuk pár – ez a folyamat a generáció. Az így megnövekedő
kisebbségi töltéshordozó koncentráció jól érzékelhető a záró irányú áram megnövekedésével.
Az ábra a záró irányú árammal arányos feszültség előállítását mutatja:

A fotodióda fő jellemző paramétere a fény hatására létrejövő záró irányú áram a beeső
fényteljesítményhez képest, mértékegysége az A/W. Egy telekommunikációs hullámsávon
(1550nm, a fényvezető szálak ezen a hullámhosszon jól átengedik a fényt) használatos
fotodióda (FGA01C) érzékenysége a hullámhossz függvényében:
 02.előadás

7.) Napelem: Sötét

energia P=u(-i)
i
Napsütés -i P Pmax
ℏν
irz Ropt
energia
E
n p
u u
uü
Fény besugárzás
i
Aktív, energia
energia
u termelő síknegyed

síknegyed

R i

A Panasonic AM-1417 típusú négycellás napelem képe és

energiatermelő síknegyedbeli dióda karakterisztikája 50Lux és
200Lux megvilágításnál:
 02.előadás

Bipoláris rétegtranzisztor:
NPN tranzisztor: B
uBE uBE>0 Bázis
uBC uBC<0
n++ p n

E C

Emitter w<Ln Kollektor

UBE=0 𝐸𝐵𝐸 𝐸𝐵𝐶 UBC=0
UBE>0 𝐸𝐵𝐸 𝐸𝐵𝐶
n(x) UBC<0
n(0) x

uCE

Az emitter réteg jóval erősebben szennyezett (n++), mint bázis. A bázis hossza (w ) rövid az
elektronok diffúziós hosszához (Ln) képest.
A tranzisztor működését a normál aktív tartományban vizsgáljuk: UBE>0, UBC<0.
A nyitó irányban előfeszített BE dióda árama az n++ szennyezés miatt főként elektron áram. Mivel a
bázis az injektált elektronok diffúziós hosszánál jóval rövidebb, és a záró irányban előfeszített BC
dióda 𝐸𝐵𝐶 elektromos erőtere a BC dióda kiürített rétegéhez érkező elektronokra nyelőként szolgál,
ezért a bázisbeli elektronsűrűség az n(x) elektron koncentráció az ábra szerinti a hely függvényében.
Ez konstans (minimális rekombinációjú) áramú diffúziós elektron áramot jelent felidézve a diffúziós
dnx 
áram összefüggését: i  qADn . A bázis áram ezért javarészt a lyukáramból áll csupán. Mivel a
dx
BC dióda erőtere az összes kiürített réteghez érkező elektronra nyelő bármely BC záró feszültség
esetén, ezért a kollektor áram nem függ a CB dióda záró feszültségétől, csupán az elektron injekció
szintjétől, ami viszont a BE dióda nyitófeszültségétől függ. Ennek alapján belátható, hogy a dióda
normál aktív tartományú helyettesítő képe az alábbi bal oldali ábra A áramerősítési tényezővel, ahol a
közel 1:
C C
C C
uBC uBC iC
(1-A)iEC AiE (1-Ai)iCC
B B

uBE uBE AiiC

iE
E E

Normál aktív üzem Inverz aktív üzem

uBE>0, uBC<0 uBE<0, uBC>0

Ha az emitter és a kollektor szerepét felcseréljük kapjuk az inverz működési módot a jobb

oldali ábra szerint. Ez egy sokkal kisebb Ai áramerősítési tényezőjű módot jelent.
 02.előadás

Egyesítve az aktív és az inverz üzemmódokat kapjuk a minden módot leíró Ebers-Moll

modellt:

C
C
iC
Ebers-Moll uBC
idC
C AidE
modell
B

AiidC
idE
uBE
iE

E
Ebers-Moll egyenletek:
idE
 u BE
  uUBC 
iE  I S 0  e UT
 1  Ai I Si0  e T  1

   
   
idC

 uUBE   uUBC 
iC  AI S 0 e  1  I Si0  e T  1
 T 
   
   

Tranzisztor üzemállapotok, karakterisztikák

B-E dióda B-C dióda Üzemi állapotok:

Nyit Zár Normál aktív (uBE >0, uBC <0, uCE >Um )

Zár Zár Lezárt (Nem folyik áram) (uBE ≤ 0, uBC <0, uCE ≥ Um )

Nyit Nyit Telítés (Szaturáció) (uBE >0, uBC >0, uCE <Um )

Zár Nyit Inverz aktív (nem használt)

Transzfer Kimeneti karakterisztika

karakterisztika
iC iC

M IC0 M UBE0 uBE

IC0

uBE uCE
UBE0 Um UCE0
Telítés Normál aktív tartomány