Chapitre 2 : Diodes à jonction pn

ELEN075 : Electronique Analogique

ELEN075 : Electronique Analogique / Diodes pn

Un aperçu du chapitre

1. Jonction pn à l’équilibre.

2. Jonction pn en polarisation directe

3. Jonction pn en polarisation inverse

4. Caractéristique courant-tension

5. Claquage en polarisation inverse

ELEN075 : Electronique Analogique / Diodes pn 2.1

 1. Jonction pn : constitution
• Un bloc de silicium est dopé sur une moitié avec des atomes trivalents
(accepteurs) et sur l’autre moitié avec des atomes pentavalents (donneurs)
→ jonction pn.

• Frontière entre les régions p et n : jonction métallurgique.

• Région p : ions négatifs, trous majoritaires et électrons minoritaires.

• Région n : ions positifs, électrons majoritaires et trous minoritaires.

Schéma de principe Exemple de jonction pn sur un circuit intégré

Al
SiO2

p n n
p

anode cathode substrat de type n

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Formation de la région de déplétion (ou zone de charge d’espace)

• Les trous, majoritaires dans la région p, diffusent dans la région n.

• Les électrons, majoritaires dans la région n, diffusent dans la région p.

• Au voisinage de la jonction métallurgique, les électrons et les trous subissent

des recombinaisons.

• Dans cette région, les charges des ions (accepteurs ou donneurs) ne sont pas
compensées par celles des porteurs libres. Les ions sont découverts. Ils sont
ancrés au réseau.

• Il en résulte une charge d’espace et un champ électrique interne.

• Ce champ s’oppose à la diffusion des porteurs libres.

=⇒ équilibre entre la diffusion et l’entraı̂nement par le champ électrique.

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 Jonction pn à l’équilibre (i = 0 et v = 0)
contact ohmique jonction métallurgique contact ohmique

ions ions
Type p − − + + Type n
trous majoritaires − − + + électrons majoritaires
électrons minoritaires − − + + trous minoritaires
ions accepteurs (−) − − + + ions donneurs (+)

région neutre région de déplétion région neutre

~
champ E
V

tension de diffusion V0

Remarque : la charge totale (sur l’ensemble de la diode) est nulle (neutralité

électrique).

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Courants à l’équilibre
• Courant dû aux porteurs majoritaires : i

– les trous diffusent de p vers n : ip−diff > 0 ;

– les électrons diffusent de n vers p : in−diff > 0.
Au total, idiff (v = 0) = ip−diff + in−diff > 0. v

• Courant dû aux porteurs minoritaires :

Certains porteurs générés thermiquement dans les régions neutres au voisinage
de la région de déplétion parviennent à celle-ci sans subir de recombinaison.
Ces porteurs sont entraı̂nés par le champ électrique de la région de déplétion
vers la région opposée.
Ainsi, un trou généré dans la région n et atteignant la région de déplétion est
entraı̂né vers la région p, ce qui engendre un courant négatif.
Le courant total des porteurs minoritaires est le courant de saturation inverse
ou courant de fuite iinv = −IS < 0.

ELEN075 : Electronique Analogique / Diodes pn 2.5

 Jonction pn à l’équilibre : quelques remarques

• A l’équilibre, le courant total est nul : i = idiff + iinv = 0 ⇒ idiff = −iinv . En

écrivant iinv |v=0 = −IS , on a
idiff |v=0 = IS .

• IS dépend de la concentration des porteurs minoritaires et dépend donc

fortement de la température et des concentrations des impuretés de dopage.

• La tension de diffusion V0 dépend de la température, de la concentration de

dopage et du gap du matériau.
Pour le Si, V0 ≃ 0.6 à 0.8 V à T = 300 K.

• La différence de potentiel entre l’anode et la cathode vaut zéro, pas V0 !

• Valeurs typiques de la largeur de la région de déplétion : de 0.1 à 10 µm.

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2. Jonction pn polarisée en direct

• Pour faire passer un trou de la région p vers la région n, il faut travailler

contre le champ électrique interne, ou, en d’autres mots, vaincre la barrière de
potentiel e V0. (e = 1, 6 10−19 C est la charge électrique d’un trou).

• Courant des majoritaires :

Si on applique une différence de potentiel positive entre la région p et la
région n, on diminue l’intensité du champ électrique interne =⇒ un plus grand
nombre de porteurs majoritaires peuvent franchir la région de déplétion !

• On peut montrer que

cf.supra
idiff (v) = idiff |v=0 ev/VT = IS ev/VT
kT
où VT = est la tension thermique : VT ≈ 26 mV à T = 300 K.
e

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• Courant des minoritaires : il est inchangé ! (analogie de la cascade).

ev/VT − 1 .


• Courant total : i = idiff − IS =⇒ i = IS

• L’apport de porteurs majoritaires au voisinage de la jonction métallurgique

conduit à une réduction de la largeur de la région de déplétion.

• Diode polarisée en direct :

V
R

région p − + région n
− +
e¯
− +

− +

−IS
idiff

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3. Jonction pn en polarisation inverse

Polarisation : différence de potentiel positive entre la région n et la région p.

• L’intensité du champ électrique interne augmente.

• La barrière de potentiel qui s’oppose au courant des majoritaires est plus

élevée qu’au repos.

v<0
• Le courant idiff diminue : idiff (v) = IS ev/VT = IS e−|v|/VT < IS .

• Le courant des minoritaires reste inchangé.

• Le courant total est négatif : i = idiff (v) − IS < 0.

• La largeur de la région de déplétion augmente.

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Diode polarisée en inverse :

V R

région p − − − + + + région n
− − − + + +
e¯
− − − + + +

− − − + + +

−IS
idiff

Remarque importante : aussi bien en polarisation directe qu’en polarisation

inverse, le courant des fils de connexion est transporté par des électrons !

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4. Caractéristique i − v théorique
ev/VT − 1


i = IS

Si v ≫ VT : i ≈ IS ev/VT (le courant prédominant est celui des majoritaires).

Si v ≪ −VT : i ≈ −IS (le courant prédominant est celui des minoritaires).
Intensité : IS typiquement de 10−8 A à 10−14 A pour des composants discrets.
Ci-dessous : IS ≈ 10−14 A,
i (mA) 7

2 genou

1
0
−0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 v (V)
Vf

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 Caractéristique réelle d’une diode à jonction

i
Modèle en polarisation directe :
 
O(mA) i = IS ev/(nVT )−1

VBR où n est un coefficient de non-idéalité.

(n ≈ 2 à courant faible ou intense).
Vf v
Ecarts par rapport au modèle,
O(µA) en polarisation inverse :

1. |i| ≫ IS pour les faibles tensions inverses.

2. Claquage pour v ≈ VBR < 0.

Notations : O(·) signifie de l’ordre de ·.

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5. Claquage de la jonction en inverse

Deux mécanismes de génération d’un grand nombre de paires électron-trou. Les
porteurs libérés peuvent conduire un courant important, à tension relativement
constante.
Si Si Si
1. Effet Zener : dans des jonctions fortement dopées
et polarisées en inverse, la force électrique qui s’exerce
sur les électrons liés (de valence) peut dépasser leur Si Si Si
force de liaison. Les électrons sont libérés en grand
nombre et le matériau est ionisé.
Typiquement, pour une diode au silicium, |VBR| < Si Si Si

5 V.
~
E

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2. Effet d’avalanche : les porteurs de charge en transit dans la région de
déplétion sont fortement accélérés. Lorsqu’ils subissent des collisions avec le
réseau, ils peuvent provoquer l’ionisation du matériau. Les porteurs libérés sont à
leur tour accélérés et peuvent générer de nouvelles paires par chocs. La réaction
en chaı̂ne qui en résulte entraı̂ne une multiplication importante des porteurs libres.

Typiquement, pour une diode au Si, |VBR| > 7 V.

~
E

p e− e− n

trou e−
trou
e− e−
trou

trou e−

région de déplétion

Le claquage n’est pas destructif si la puissance dissipée, P = VR i, est

raisonnablement faible.

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Effets de la température sur la caractéristique i − v en

polarisation directe
En polarisation directe, on a i ≃ IS ev/(nVT ) pour v > nVT .
IS est proportionnel aux densités des porteurs minoritaires et dépend donc de T ;
par ailleurs VT = kT /q dépend de T .
A courant i constant, on observe une chute de tension directe v de ∼ 2 mV à
chaque élévation de température de un degré celsius.

i
T2 T1

I
2 mV/◦ C
T2 > T1

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 Effets capacitifs

On applique une tension v = VDC + VAC sin(2πf t). Sous une variation dv de
la tension appliquée, la charge emmagasinée dans le composant varie de dQ. Le
composant est ainsi caractérisé par une capacité dynamique
 
 dQ 
C(VDC ) =   .
dv VDC donné

v(t)
VAC
VDC dv

dt t

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• Jonction polarisée en inverse (VDC < 0)

→ C est la capacité de jonction, Cj , associée aux variations de la charge des
ions découverts dans la région de déplétion :
W

région p − − − + + + région n
− − − + + +

− − − + + +

− − − + + +

−dQ dQ
(sous une augmentation dv de la tension inverse)
 
 dQ  εS
Un calcul détaillé montre que Cj =   = où S est la section droite.
dv W
Cette capacité est une fonction non linéaire de la tension moyenne VDC
→ application du varactor (capacité dont la valeur est déterminée par la tension
moyenne à ses bornes).

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• Jonction polarisée en direct (VDC > 0)
→ deux capacités en série :
– la capacité de jonction Cj
– la capacité de diffusion Cd, qui est associée aux variations de la charge
totale transportée par les porteurs majoritaires qui diffusent dans les régions
neutres.

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D’autres types de diodes (composant redresseurs)

• Diodes au germanium : Vf ∼ 0.3 V

• Diodes Schottky : jonctions métal–semiconducteur. Vf ∼ 0.3 − 0.5 V.

• Photodiodes.
Ces diodes ont un courant de saturation inverse qui augmente lorsqu’elles sont
illuminées : le rayonnement lumineux génère de nombreuses paires qui peuvent
participer à la conduction électrique.

• Diodes électroluminescentes (LED).

Les porteurs majoritaires qui diffusent dans les régions neutres subissent des
recombinaisons radiatives, c’est-à-dire produisant un rayonnement lumineux.

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