STATIČKE KARAKTERISTIKE TRANZISTORA U SPOJU ZAJEDNIČKOG EMITERA

-U priručnicima koji dolaze uz tranzistore redovito su prikazane ulazne i izlazne

karakteristike, često prijenosne, a ponekad i karakteristike povratne veze, pa ćemo ih ovdje
obraditi.
-Analizu ćemo provesti za NPN-tranzistor u spoju sa zajedničkim emiterom.
-Pri analizi ostalih spojeva mogu se koristiti parametri spoja zajedničkog emitera.
-Istu analizu možemo primjeniti i za PNP- tranzistor, uz promjenu polariteta napona i
smjerova struja. (Polariteti napona: UBE i UCE su za NPN tranzistore pozitivni, a za PNP
negativni. Definiramo li konvencionalno pozitivan predznak struje kad ona ide od plusa
prema minusu, IB i IC su za NPN tranzistore pozitivni, a za PNP negativni.)

-Na slici je prikazan NPN-tranzistor i PNP- tranzistor u spoju sa zajedničkim

emiterom.
(Projektor)

-Iz statičkih karakteristika mogu se izračunati statički i dinamički parametri za niske

ferkvencije.

-Prisjetimo se!
-U spoju zajedničkog emitera baza je ulazna, kolektor izlazna, a emiter zajednička
elektroda za ulazni i izlazni krug.
-Tako je ulazna struja, struja baze IB, a izlazna struja, struja kolektora IC. Ulazni napon
je napon između baze i emitera UBE, dok je izlazni napon onaj između kolektora i emitera UCE.
-Dakle,
 ulazne veličine su: IB i UBE
 izlazne veličine su: IC i UCE

-Ove četiri veličine opisuju stanje tranzistora. U svrhu što potpunijeg opisa ponašanja
tranzistora iskorištena su sva četiri kvadranta koordinatnog sustava.

-Na slici vidimo višekvadrantni prikaz statičkih karakteristika tranzistora.

(Projektor)

I. Kvadrant prikazuje IC=f(UCE) uz parametar IB  izlazne karakteristike

II. Kvadrant prikazuje IC=f(IB) uz parametar UCE  prijenosne karakteristike
 III. Kvadrant prikazuje IB=f(UBE) uz parametar UCE  ulazne karakteristike
IV. Kvadrant prikazuje UBE=f(UCE) uz parametar IB  karakteristike povratne veze

a) Ulazne karakteristike tranzistora u spoju zajedničkog emitera i parametri

-Ulazna karakteristika tranzistora u spoju zajedničkog emitera daje ovisnost ulazne

struje baze IB o ulaznom naponu baza-emiter UBE, uz stalnu vrijednost izlaznog napona
kolektor-emiter UCE:

IB = f ( UBE ), uz UCE = konst.

-Na slici su prikazane ulazne karakteristike NPN- i PNP-tranzistora u spoju

zajedničkog emitera.

(Projektor)

-Iz karakteristika vidimo da porastom napona U BE , uz stalan napon UCE, struja baze
raste po eksponencijalnom zakonu. Dakle, ulazna karaktersitika tranzistora je nelinearna.
-Struja baze IB počinje teći tek kad napon UBE postigne određeni iznos (za silicijske
tranzistore to je oko 0,5 V).
-Promjena napona UCE vrlo malo utječe na iznos struje IB.
-Ulazna karakteristika tranzistora podsjeća na propusnu karakteristiku diode zato što
se ovdije radi o propusnoj polarizaciji PN-spoja.

-Omjer napona UBE i pripadne struje IB statički (istosmjerni) je ulazni otpor između
baze i emitera tranzistora RBE.

U BE
RBE 
IB

-Ovaj otpor RBE treba razlikovati od otpora za izmjeničnu struju kojeg nazivamo
dinamički (izmjenični) ulazni otpor rbe, a određuje se iz ulaznih karakteristika tranzistora,
kao što je prikazano na slici.
(Projektor)
 -Dinamički (izmjenični) ulazni otpor rbe računa se prema izrazu:

U BE
rbe  |U CE=konst.
I B
-Dinamički (izmjenični) ulazni otpor rbe je omjer promjene ulaznog napona ΔUBE i
time odgovarajuće promjene ulazne struje baze ΔIB, uz stalan izlazni napon UCE.

b) Izlazne karakteristike u spoju zajedničkog emitera i parametri

-Izlazne karakteristike tranzistora u spoju zajedničkog emitera daju ovisnost izlazne

struje kolektora IC o izlaznome naponu kolektor-emiter UCE, uz stalnu vrijednost ulazne struje
baze IB:

IC = f ( UCE ), uz IB = konst.

-Na slici su prikazane izlazne karakteristike NPN- i PNP-tranzistora u spoju

zajedničkog emitera.
(Projektor)

-Vidimo da je izlazna karakteristika nelinearna, kao i ulazna, dakle tranzistor je

nelinearna komponenta.

 U područjima malih pozitivnih napona kolektor-emiter UCE > 0, koji iznose

nekoliko stotina milivolta, struja kolektora I C ovisi o naponu kolektor-emiter UCE
približno linearno po Ohmovom zakonu. Struja kolektora IC naglo raste.
Kažemo da se tranzistor nalazi u području (stanju) zasićenja. Područje
zasićenja je dio između koljena karakteristike i ordinate.
  Iznad koljena karakteristike, daljnjim povećanjem napona kolektor-emiter UCE,
struja kolektora IC se vrlo malo mijenja uz stalnu struju baze I B. Dok je struja
kolektora IC bitno ovisna o struji baze I B. Ovo područje nazivamo aktivno
(stanje) područje rada tranzistora.
Povećanje napona kolektor-emiter UCE preko određene vrijednosti uzrokuje
nagli porast struje kolektora IC koja prekomjerno grije tranzistor pa dolazi do
proboja u unutarnjoj strukturi tranzistora što može dovesti do njegova
uništenja.

 Uz struju baze IB = 0 teče kroz tranzistor jako mala kolektorska struja I C. Ta

struja naziva se preostala struja kolektora I CEO i za silicijske tranzistore je reda
veličine nekoliko mikroampera ili manje. Stoga se ona kod normalnih
temperatura, može praktički zanemariti pa kažemo da je tranzistor u području
(stanju) zapiranja. Područje zapiranja nalazi se ispod karakteristike struje
baze IB = 0.

-Omjer napona UCE i pripadne struje IC statički (istosmjerni) je otpor između baze i
emitera tranzistora RCE.

U CE
RCE 
IC

-Dinamički (izmjenični) izlazni otpor za izmjeničnu struju između kolektora i emitera

rce, a određuje se iz izlaznih karakteristika tranzistora, kao što je prikazano na slici.

(Projektor)

-Dinamički (izmjenični) izlazni otpor rce računa se prema izrazu:

U CE
rce  | I =konst.
I C
B

-Dinamički (izmjenični) izlazni otpor rce je omjer promjene izlaznog napona ΔUCE i
time odgovarajuće promjene izlazne struje kolektora ΔIC, uz stalnu ulaznu struju IB.

-Tipične vrijednosti dinamičkog izlaznog otpora su od 10 kΩ do 150 kΩ.

c) Prijenosne karakteristike u spoju zajedničkog emitera i parametri

 -Prijenosne karakteristike tranzistora u spoju zajedničkog emitera daju ovisnost
izlazne struje kolektora IC o ulaznoj struji baze IB, uz stalnu vrijednost izlaznog napona
kolektor-emiter UCE:

IC = f (IB ), uz UCE = konst.

-Na slici je prikazana prijenosna karakteristika NPN-tranzistora u spoju zajedničkog

emitera.
(Projektor)

-Iz prijenosne karakteristike tranzistora vidi se da je struja kolektora I C jako ovisi o

struji baze IB. Što je struja baze IB veća, veća je i struja kolektora IC.

-Dakle, mala promjena ulazne struje, tj. struja baze I B uzrokuje znatnu promjenu
izlazne struje, tj. struje kolektora IC, što znači da je tranzistorom moguće postići strujno
pojačanje.

-Iz prijenosne karakteristike tranzistora možemo izračunati istosmjerni, tj. statički

faktor strujnog pojačanja Β ili hFE kao omjer struje kolektora IC i struje baze IB uz stalan
napon UCE prema izrazu:

IC
hFE    |UCE=konst.
IB
-Kako je tranzistor aktivna komponenta koja dinamičkim uvjetima pojačava ulazni
signal, računa se izmjenični tj. dinamički faktor strujnog pojačanja β ili hfe, koji se računa
prema izrazu:

I C
h fe    |U CE=konst.
I B
-Dinamički faktor strujnog pojačanja β određuje se također iz prijenosnih
karakteristika kao omjer promjene struje kolektora ΔIC i pripadajuće promjene struje baze
ΔIB, uz stalan napon kolektor-emiter ΔUCE.

-Navedeni parametri opisani su za NPN-tranzistor. Isti izrazi vrijede i za PNP-

tranzistor.

-Na iznos obaju faktora utječe napon UCE, struja IC i temperatura.

-S porastom struje kolektora IC oba faktora rastu do određenog iznosa, a zatim se smanjuju,
kao što vidimo na slijedećoj slici.

(Projektor)

-Dinamički i statički faktor strujnog pojačanja β i Β u spoju zajedničkog emitera

malo se razlikuju i mogu se smatrati jednakima:

  .

-Potrebno je napomenuti da pojedini uzorci istoga tipa tranzistora imaju vrlo različite
vrijednosti faktora pojačanja koje se često međusobno razlikuju i nekoliko puta. Stoga
karakteristike proizvođača mogu poslužiti samo kao osnovna informacija, a za stvarne
karakteristike i parametre, ako je potrebno, izvodi se snimanje i mjerenje za svaki uzorak.

Napišite podnaslov,

OGRANIČENJA U RADU TRANZISTORA

-Ograničenja u radu tranzistora mogu se podjeliti na strujna i naponska ograničenja,

ograničenja snage, te temperaturna i frekvencijska ograničenja.

 Strujna ograničenja

-Proizvođači navode maksimalne dopuštene vrijednosti struje baze IBM i struje

kolektora ICM.
-Povećavanjem struja tranzistora dolazi do zagrijavanja tranzistora. Struje kroz
tranzistor ne smiju biti veće od navedenih jer dovode do uništenja uslijed zagrijavanja.

 Naponska ograničenja

-Proizvođači navode maksimalne vrijednosti reverznog napona baza-emiter U BEM i

maksimalni dopušteni napon između kolektora i emitera UCEM.
-Prekoračenjem tog napona došlo bi do proboja.

 Oganičenja snage

-Umnožak struje kolektora IC i napona između kolektora i emitera UCE daje disipiranu
snagu u tranzistoru:
PD = UCEIC.

-Proizvođač daje maksimalnu dopuštenu disipciju PDM koja je u izlaznim

karakteristikama predstavljena hiperbolom.
 -Prekoračenje maksimalne dopuštene disipcije može dovesti do trajnog uništenja
tranzistora.

-Na slijedećoj slici označena je maksimalna dupuštena struja kolektora, maksimalni

dopušteni napon između kolektora i emitera i hiperbola maksimalne dopuštene disipcije.

(Projektor)

-Radna točka mora se nalaziti unutar označenog područja izlaznih karakteristika.

 Temperaturna ograničenja

-Od vanjskih faktora najveći utjecaj na karakteristične veličine tranzistora ima

promjena temperature. Zbog povećanja temperature, povećava se preostala struja kolektora
ICEO (kod silicijskih tranzistora promjena temperature za 10°C utrostručuje vrijednost struje
kolektora) i faktor strujnoga pojačanja β.

-Na slijedećoj slici prikazana je ovisnost dinamičkog faktora strujnog pojačanja β o

struji kolektora IC, pri različitim temperaturama.

(Projektor)

-Promjenom temperature dolazi do promjena izlaznih karakteristika, kao što vidimo na

slijedećim slikama.

(Projektor)
 -Povećanjem struje kolektora IC, uz istu struju baze IB, povećava se razmak između
izlaznih karakteristika.

-Protjecanje kolektorske struje IC dovodi do zagrijavanja tranzistora. Pri tome je

disipirana snaga (razvijena snaga, utrošak snage), kao što smo rekli, jednaka umnošku
struje kolektora IC i napona između kolektora i emitera UCE: PD = UCEIC.

-Disipirana snaga za pojedini tip tranzistora ne smije prijeći dopuštenu vrijednost P DM.
To znači da vrijednost napona UCE i struje IC moraju na izlaznim karakteristikama biti ispod
krivulje najvećega dopustenog utroska snage PDM.

(Projektor)

-Maksimalno dopuštena disipcija PDM povezana je s temperaturom kolektorskog spoja

i s temperaturom kićišta tranzistora. Uslijed disipcije tranzistor se grije, pa je temperatura
kućišta uvijek viša od temperature kućišta. Povećanjem temperature okoline smanjuje se
dopuštena disipcija tranzistora.

-Tranzistori većih snaga imaju znatan utrošak snage zbog čega jače griju.

-Da bi se stvorena toplina mogla djelotvornije zračiti u okolinu, i time spriječiti

pregrijavanje tranzistora, tranzistori se ugrađuju u metalna kućišta, pa na rashladno tijelo
preko kojeg se odvodi toplinska energija s tranzistora.

-Na slijedećoj slici prikazana su rashladna tijela za tranzistore.

(Projektor)

-Prikladnim odabranim kućišta i rashladnih tijela može se povećati disipcija uz istu

temperaturu.

-Primjeri spajanja kućišta tranzistora na hladnjake prikazani su na slici.

 (Projektor)

 Frekvencijska ograničenja

-Pod djelovanjem radioaktivnoga zračenja može doći do smanjenja faktora strujnog

pojačanja β.

-Frekvencijska ograničenja povezana su s postupnim pogoršavanjem karakteristika

na višim frekvencijama zbog parazitskih kapacitivnosti PN-spojeva baza-emiter i baza-
kolektor.

-Manje su osjetljivi tranzistori namijenjeni radu pri visokih frekvencijama, kao i

germanijski u usporedbi s silicijskim.

-Porastom frekvencija smanjuje se faktor strujnog pojačanja β. Proizvođač daje

podatak za frekvenciju pri kojoj faktor strujnog pojačanja ima vrijednost 1. Ta se frekvencija
naziva tranzitna frekvencija.

 Ograničenja uslijed djelovanja svjetlosti

-Svjetlost može značajno utjecati na svojstva svih poluvodičkih elemenata. Kako bi

svojstva tranzistora bila neovisna o utjecaju svjetlosti, kućista tranzistora izrađuju se od
materijala koji ne propušta svjetlost.

-Tranzistori se izrađuju u različitim kućištima. Na samom kućištu označen je tip

tranzistora koji daje proizvođač. Načini označavanja tranzistora nalaze se u dodatku na kraju
udžbenika.
-Na slici je prikazano nekoliko tranzistora različitog oblika kućišta.

(Projektor)

-Za svaki tip kućišta određen je položaj priključka baze, emitera i kolektora.
ZAKLJUČAK:
Ponovimo:

-Što predstavljaju statičke karakteristike tranzistora?

-Koje četiri veličine opisuju stanje tranzistora?
-Što predstavljaju ulazne karakteristike tranzistora u spoju zajedničkog emitera?
-Što predstavljaju izlazne karakteristike tranzistora u spoju zajedničkog emitera?
-Što predstavljaju prijenosne karakteristike tranzistora u spoju zajedničkog emitera?
-Definirajte dinamički ulazni otpor tranzistora u spoju zajedničkog emitera i navedite iz kojih
se karakteristika računa.
-Definirajte dinamički izlazni otpor tranzistora u spoju zajedničkog emitera i navedite iz kojih
se karakteristika računa.
-Definirajte faktor strujnog pojačanja u spoju zajedničkog emitera i i navedite iz kojih se
karakteristika računa.
-Navedite ograničenja u radu tranzistora!
-Objasnite naponska ograničenja u radu tranzistora!
-Objasnite strujna ograničenja u radu tranzistora!
-Objasnite ograničenja snage u radu tranzistora!
-Opišite utjecaj temperature na svojstva tranzistora!
-Što se događa porastom temperature s faktorom strujnog pojačanja β?
-Što je tranzitna frekvencija?