ЛЕКЦІЯ №1,2

Аналогові апарати
Аналоговий пристрій – призначений для оброблення аналогових сигналів. Під обробленням
мають на увазі: підсилення, фільтрацію, модуляцію, перетворення спектра. Тут ми будемо
розглядати підсилювальні пристрої. Аналоговий сигнал – це неперервний за рівнем у часі
сигнал, який може приймати на скінченному або нескінченному проміжку часу певне
значення в певному діапазоні.

1. Сигнал на зажимах мікрофона.

0
t

Рис 1.1

2. Дискретні в часі, неперервні за рівнем.

Ек
U

0
Ті
t
Ті – тактові імпульси.

Рис 1.2
3. Дискретні (квантові) за рівнем неперервні в часі.

Цифровий аналоговий
U перетворювач

Uд Uаналогове
(Цифр. код)
ЦАП
Uд

Ti
0
Рис 1.3 t

4. Дискретні в часі і дискретні за рівнем.

U

0
Рис 1.4
t
 Принцип роботи підсилювача
Підсилювач – це пристрій призначений для підсилення (збільшення рівня вхідного сигналу)
за напругою (струмом, потужності) за рахунок перетворення під дією вхідного сигналу
енергії джерела живлення в енергію вихідного сигналу.

  
Ri



  



дія вхідного сигналу
Rн Uвих
Еж

Рис.1.5
Ri – внутрішній опір підсилювача
(активного елемента)

Краще відображає принцип дії підсилювача така спрощена схема:

+

-
Еж
Rн
VT
(АЕ)
регулюючий
опір каналу Ri

Uвх
Ic АЕ – активний елемент.

Езм

Рис. 1.6

іс іс
(0.1...1А) Іm~ Івих

Іо

Uзв t

Uвх

0.1.....1В

Рис 1.7
 
   
Іс – струм стоку має 2 складові: постійну (задається напругою зміщення Езм), змінну (Іm~)
(залежить від рівня вхідної напруги).
Івх – вхідний струм →0
Івих – може бути значним.
Підсилення за струмом буде великим, підсилення за напругою у польових транзисторах
відносно невелике, залежить від Еж, Rн, Rі; за потужністю підсилення також велике, тому
що      .

Ро
Еж

АЕ
Uвх Рвих
Uвих
(Рвх) Рвх
Рк
(Рвих)

Рис 1.8

Рк – потужність, яка розсіюється на елементі.

На цьому рисунку показано, що під дією Рвх енергія джерела живлення
перерозподіляється на корисну енергію в навантажені і енергію втрат в активному
елементі (нагрів).
(відповідні потужності Ро, Рвх, Рк)
В окремих випадках вхідна потужність також може передаватись на вихід.

Параметри підсилювачів.
1.Коефіцієнт підсилення.
а) коефіцієнт підсилення за напругою.
 



В діапазоні середніх частот комплексний коефіцієнт   . Це у випадку активного
опору Rвх. та Rвих. Для багатокаскадних підсилювачів:

    ! "  #"$% $

&'  ( )* +,-.
&'  ( )* / ( )* /+0 ! / ( )*"

U1 U2
Ku1 Ku2 Ku3 Kun

Rн Uвих

Uвх 1 к-д 2 к-д 3 к-д n к-д

Рис 1.9

  1 
 

    ! "  ! 
   "2 

б) коефіцієнт підсилення за струмом.

+  



НЧ,ВЧ     (фазу не враховують)

 3  #4$% 3$
3 &'  ( )*3 +,-.
3 &'  54 $% 6 (дБ)

в) коефіцієнт підсилення за потужністю.



, 

   #4
$% $
 &'  7 )*
 &'  54$% 6 (дБ)
8
 9

,    3
8 9

г) наскрізні коефіцієнти передачі.

9
 @
23  8
 :;,<=6>=? [A]
B6
S→ <   B; для БТ
AC
B3
:  B ; для ПТ
DA
АЧХ – це частотна залежність модуля коефіцієнта передачі від частоти вхідного
сигналу.
8F
E  G
8 HIJKLM

Ku ППстр
ПЗстр

0
f
Рис 1.10
Форма АЧХ залежить від призначення підсилювача постійного чи змінного
струму, діапазону частот, ширини смуги пропускання.Для ППстр характерним є те, що Кu
починається з нульової частоти.
Для підсилювача змінного струму (ПЗстр) як правило (але не обов’язково)
коефіцієнт підсилення  GN%O  . Це зумовлено наявністю роздільних конденсаторів у
складі підсилювача.
– У широкосмугових підсилювачах, як правило +EPQR S TP$" .

Кu

Кmax
1

0.707

0 fmin fmax f Рис 1.11

– У вузькосмугових підсилювачів.

TPQR U TP$" U TO
Кu
f

VT  TPQR2NWXK  7 Y Z[

0 fmin fo f
fmax
Рис.1.12

АЧХ багатокаскадних підсилювачів визначається АЧХ окремих каскадів.

\ T  #4
$% \X

Н аскр а зна А Ч Х
Кu

А Ч Х 1 -го каскад у

Кu = K u 1*K u2
А Ч Х 2-го ка ска ду
Кu 2

К u1

0 f

Рис 1.13

ЛЕКЦІЯ №3
Логарифмічна АЧХ

20lgKu(f)

f або lg(f)

Рис. 3.1
 ЛАЧХ зручна при побудові наскрізної АЧХ. Тобто якщо відомі АЧХ окремих каскадів,
то наскрізна ЛАЧХ підсилювача може бути отримана шляхом додавання значень Ku на різних
частотах.

Нормована АЧХ
Завдяки нормуванню легко порівнювати АЧХ різних підсилювачів або окремих каскадів.

К(f)/Ko

Кнорм

f0

Рис. 3.2

Нормування можна вести відносно коефіцієнту підсилення на заданій частоті (наприклад

на середній), або відносно максимального значення Ku (рідше).
К0 визначають на середній частоті.
В аудіо підсилювачах за середню частоту приймають 1 кГц.
Такого виду АЧХ отримують при вимірюваннях, розрахунку.
При проектуванні задають поле допуску для АЧХ.

20lgKu

f min fmax

Рис. 3.3

Як правило, АЧХ має бути рівномірною у всьому діапазоні робочих частот.

 K u, A
Ku
Спектр вхідного сигналу

Спектр
вхiдного
сигналу
Складові спектра

Рис. 3.4

Aвих ( f ) = Aвх ( f ) ⋅ K ( f )

A
Складові спектра вихідного сигналу
Спектр
вихiдного
сигналу

Рис. 3.5

Відсутність нерівномірності АЧХ є запорукою відсутності частотних амплітудних спотворень

сигналу.
Спотворення – це зміна форми сигналу при проходженні через підсилювач.
К

Рис. 3.6
Інколи АЧХ умисно роблять нерівномірною, для корекції сигналу

Фазо-частотна характеристика (ФЧХ)

ФЧХ – це частотна залежність аргумента комплексного коефіцієнта передачі.

K& ( f ) = K ( f ) ⋅ e jϕ ϕ = ϕвих − ϕвх - різниця фаз

Фактично, це частотна залежність фазового зсуву, який вносить підсилювач. Ідеальною є

лінійна ФЧХ.

iдеальна
характерисика

фазовi спотворення
реальна
характерисика

Рис. 3.7

Uc 1-ша гармонiка

2-га гармонiка

Рис. 3.8
 При фазових спотвореннях порушуються фазові співвідношення між окремими
складовими спектра вихідного сигналу. Амплітудні та частотні спотворення зумовлені
нелінійністю ФЧХ називаються лінійними спотвореннями. Характерними для лінійних
спотворень є зміна амплітудних і фазових співвідношень спектрів вихідного сигналу без
утворення нових складових.
Це є принциповою відмінністю від нелінійних спотворень.

Робочий діапазон частот – це смуга частот від нижньої частоти до верхньої в межах якої
коефіцієнт підсилення не виходить за межі заданих допусків. Або лінійні спотворення амплітуд
(фаз) не перевищують заданого значення.

Лекція №4
Коефіцієнт гармонік. Коефіцієнт нелінійних спотворень (НС)
Ці коефіцієнти є кількісною мірою НС сигналу. Вони виникають при проходженні сигналу
через нелінійний спотворювач. Характерним для НС є утворення нових складових у спектрі
вихідного сигналу. Пояснити це можна на прикладі синусоїдального вхідного сигналу:

Авх

f
fc

Авих

f
fc 2fc 3fc
Рис 4.1

При відсутності НС вищі гармоніки відсутні і утворюються при НС. На цьому оснований метод
вимірювання Кг та Кнс : вимірюють напругу (струм, потужність) вищих гармонік по відношенню
до першої гармоніки, або до рівня сигналу.

Кг = ]  ]d^  ]f^
^_`_a_b ^ _d`^ _a_dK^ ^ _f`^ _a_fb^
+
c ec^ fc^
Коефіцієнт гармонік вимірюється за допомогою аналізатора спектра, але цей прилад має високу
ціну. Тому користуються вимірювачем спектра НС:

КНС=]gc_g^_g`_a  ]g^_g`_gh_a  ]f^  ]d^

^_`_gh_a ^ _f`^ _a_fb^ ^ _d`^ _a_dK^
+
gi fi^ ei^
Більш об’єктивною оцінкою є Кг , але КНС є більш розповсюджені з деяких причин:

U без спотворень

із спотвор.

Рис 4.2

Як видно, амплітуди обох сигналів приблизно рівні Uc≈U1. З цієї причини при малих рівнях НС
(до 10%) Кг≈КНС. Тобто:
jC
Кг=
kcljC^
На око помітні спотворення більші 5…6%.
Кг багато каскадного підсилювача розраховують як сумарний коефіцієнт всіх гармонік:

Кг∑=mn( / no / np

де Кг∑ - коефіцієнт гармонік всього підсилювача; Кгі∑ - коефіцієнт і-тої гармоніки всього

Кгі∑=5s
підсилювача.
t% Гn6r - і-тої гармоніки j-го каскаду;
N – кількість каскадів
8 81
8 8
Кг2= ; Кг3= …

iк (вих)

t
Рис 4.3
Будь-яким методом (3-х, 5-ти ординат, моделювання…) для кожного каскаду по ескізним
характеристикам визначають гармонійний склад. Після цтого розраховують для кожного
каскаду коефіцієнт гармонік Кг2 і Кг3. Потім – коефіцієнт гармонік для всього підсилювача за
формулою (2). За коефіцієнтом окремих гармонік всього підсилювача визначають коефіцієнт
гармонік всього підсилювача за формулою (1).
 Реальні спектри складаються з багаьтох спектральних складових і при наявності не
лінійності ці складові взаємодіють між собою. Внаслідок цього виникають нові
інтермодуляційні складові частоти, яких вираховують:

fкомб = ± m·fc1 ± n·fc2 ± p·fc3 ±…

де m, n, p = 1, 2, 3… - номера гармонік;
fc1, fc2 – частоти, в складі вхідного спектра.
Інтермодуляційне спотворення обчислюють двох сигнальним методом. На вхід
підсилювача подають два сигнали близькі по частоті та однакові за рівнем. При наявності
інтермодуляційного спотворення в спектрі вихідного сигналу з’являються комбінаційні
складові, найбільш інтенсивними з яких є комбінаційні 3-го порядку :

2fc1-fc2; 2fc-fc

Авх

f
f c1 f c2
Авих

f
f c1 f c2

Рис 4.4

Перехідна характеристика
Це реакція на одиничний скачок. Характеризує підсилювач в режимі підсилення імпульсних
сигналів.

Перехід спотворення
Це спотворення імпульсного сигналу.

U вх

t
 U вих

Uвих
Umax 0.9Umax
?

0.1Umax
t
Tфронту
Рис 4.5

Якщо подати на вхід підсилювача імпульсний сигнал з крутими фронтами, то на виході

матиме місце затягування фронтів (переднього і заднього). Вони зумовлені завалом АЧХ в
області високих частот. Сколювання вершини [∆U] і наявність зворотного викиду зумовлено
завалом в області НЧ (наявність роздільних конденсаторів). Наявність коливального процесу на
вершині зумовлена наявністю резонансних кіл або зниження стійкості

Коефіцієнт шуму
Характеризує рівень власних шумів підсилювача і визначає його чутливість.

Чутливість – (здатність підсилювача підсилювати малі сигнали) – це мінімальний

рівень сигналу на вході при якому на виході забезпечується задане співвідношення сигнал/шум
(і заданий рівень сигналу). Крім розглянутих вище параметрів обов’яковими для нормування є:

Rвх(zвх) – це опір, що створює вхід підсилювача для джерела сигналу.

 i(vh)

U(vh)
Ri
R(vh)

Ec

Рис 4.6
Rвих – це внутрішній опір підсилювача як джерела вихідного сигналу.

Ri

U(vuh)
z(n)
Ec R(n)

Рис 4.7
Крім того є поняття: вхідна, мінімальна, максимальна, номінальна потужність.
ГОСТ 21849-87: апаратура радіоелектронна побутова. Методи вимірювання електричних
параметрів УЗЧ.
ГОСТ 24388-88: УЗЧ побутові.
ГОСТ 24838-87: Вхідні і вихідні параметри.

ЛЕКЦІЯ №5

Зворотній зв’язок

Зворотній зв'язок – це електричний зв'язок колами підсилювача при якому частина енергії з
виходу подається на вхід.

Uвх Ku Uвих
β

Iзз β
КЗЗ

Рис 5.1
 Rк Cзз Rк

Uвих
Ck
Uвх VT
VT

Рис 5.2 Рис 5.3

β – коефіцієнт зворотного зв’язку.

ЗЗ може бути корисним і паразитним,
який виникає не залежно від бажання.
Ск – ємність колекторного переходу, паразитне ЗЗ.

Зворотний зв’язок може бути внутрішній і зовнішній.

Внутрішній ЗЗ утворюється за допомогою елементів, які належать до певного каскаду.
Зовнішній ЗЗ – за допомогою зовнішніх по відношенню до каскаду.

+
E
Rб Rк -

Uвих
Cp
Uвх VT1
Ik

Rе
Uзз

Рис 5.4

+
Rкn E
Rб Rк -

VTn
Uвих
Cp
Uвх VT1

Rзз

Рис 5.5
На рис.5.4 показано внутрішній зворотній зв'язок (ВЗЗ); на рис.5.5 показано завнішній ЗЗ.
ЗЗ може бути позитивним (ПЗЗ) та і негативним (НЗЗ). Негативний ЗЗ такий,при якому напруга
прикладена до входу підсилювача зменшується при введенні НЗЗ.

Uвх.1
Ku
Uвих

Uвх
Ес
КЗЗ

Uзз
Рис 5.6

При ПЗЗ напруга прикладена до входу збільшується при введенні ЗЗ.

ПЗЗ:

U зз Uзз
х .1

Uвх.1
Uв

Ec Ec

Рис 5.7

При ф – довільне. При ф=0,

де ф – зсув фази між Ес і Uзз.
Uвх.1 > Ec Uвх.1 > Ec

НЗЗ:

U зз
Uз
з Ec
U в х .1
Ec
х .1
Uв

Рис 5.8

Uвх.1<Ec при ф=180

Для одного і того ж КЗЗ ЗЗ у широкому діапазоні може бути ПЗЗ на одних частотах,НЗЗ – на
інших.
Зворотній зв'язок може бути:
- частотно залежним
- частотно незалежним

Частотно залежний ЗЗ – це такий при якому β=ф(f). Частотно незалежним ЗЗ – β=const, не

залежить від частоти.
Коло ЗЗ і сам підсилювач утворює петлю ЗЗ.

ЗЗ може бути:
- однопетлевим
- багатопетлевим

ЦАП – цифровий аналоговий перетворювач.

Трипетлевий ЗЗ.

КЗЗ
3-я петля
1 каcкад 2 каcкад 3 каcкад
U вих
U вх
2-а петля
КЗЗ

1-а петля
КЗЗ

Рис 5.9
8

\  8
– коефіцієнт підсилення без НЗЗ.
8..
u  8
 – коефіцієнт ЗЗ.

U вх.1
Ku
U вих
Uвх

Ес
КЗЗ
Uзз

Рис 5.10
 u  -- петлеве підсиленння.
7 / u  – глибина ЗЗ.
В залежності від того як з’єднані між собою Uвх і ЗЗ визначається паралельний чи
послідовний ЗЗ. В залежності від якого параметра Uн чи Iн залежить β розрізняють:
- ЗЗ за напругою +v
- ЗЗ за струмом +vw

Для Uн і Iн відповідно напруга і струм на Rн. При цьому спосіб введення ЗЗ не

залежить від способу знімання ЗЗ. Тому розрізняють 4 види ЗЗ:
Спосіб введення Спосіб знімання
послідовний за напругою
послідовний за струмом
паралельний за напругою
паралельний за струмом

Визначення способу введення та знімання ЗЗ роблять методом КЗ (короткого

замкнення) та ХХ (холостого ходу). Для визначення способу введення обривають джерело
сигналу або закорочують його. Якщо при обриві джерела сигналу Uзз не прикладена до
підсилювача, а при КЗ – прикладена, -- то це є послідовне КЗЗ(коло ЗЗ) .

Відповідні структурні схеми:

Послідовно за напругою.
Uвх та Uзз – послідовно.
..  u x 


U вх.1 U ви х
Ku
Zн
Uвх

Ес
К ЗЗ
Uзз

Рис 5.11

Послідовний за струмом.
Uвх та Uзз – з’єднані послідовно.
..  u yz  u w {н

U вх.1 U ви х
Ku Zн
Ri Iн
Uвх

Ес
КЗ З
Uзз

Рис 5.12
 Паралельний за напругою:
Uвх та Uзз – з’єднані паралельно.
..  u 


U вх.1 U вих
Ku
Zн

Uвх
Ес
КЗЗ

Uзз Рис 5.13

Паралельний за струмом:
Uвх та Uзз – з’єднані паралельно.

U вх U вх.1 U вих
Ku
Ri Zн
Iн
Ес Ri

КЗЗ
Uзз

Рис 5.14

Якщо при обриві (або ХХ) джерела сигналу Uзз прикладена до входу підсилювача,
а при КЗ – не прикладена (відсутня) – це є паралельний ЗЗ.
Для визначення способу знімання відповідно розривають або закорочують Zн. (!!
Повне навантаження, а не тільки корисне!!!)
Якщо при обриві Zн Uзз зникає, а при КЗ Uзз є, то це є ЗЗ за струмом.
Якщо при обриві (ХХ) Zн Uзз не зникає, а при КЗ – зникає, то це є ЗЗ за напругою.
 Лекція №6
Види ЗЗ за схемотехнічними рішеннями

Rk

Uвих
Uвх'
Uбе
Uвх
Iк
Uзз Iк~
Re

Рис 6.1

Внутрішній послідовний НЗЗ за постійним та змінним струмом.

Iк0 ⋅ Re = Ee
Iк~ ⋅ Re = e~ - напруги ЗЗ

Перейдемо до еквівалентної схеми вхідного кола:

Ee -> Eзз

Uвх
e~ -> eзз

Рис 6.2

Усунути ЗЗ за змінним струмом можна, ввівши блокувальний конденсатор Сбл.

1
X Cбл = << Re
ω мін С
 Re
Cбл

Ik0 Ik~
Рис 6.3

Rб

Uвих

Uвх Iзз

Рис 6.4

Rб – резистор НЗЗ
Це внутрішній паралельний НЗЗ за напругою.
Струм ЗЗ через резистор зворотного зв’язку створює на вхідному опорі транзистора і
внутрішньому опорі джерела сигналу падіння напруги ЗЗ.

I~ Еж
Cбл

Uвих

Uвх
Iзз

Рис 6.5
Блокувальний конденсатор прибирає ЗЗ за змінною складовою
 Еж

Uвих
за напругою

за струмом
Uвх
Rе

Rзз

Конденсатори, позначені зеленим кольором,

прибирають ЗЗ за змінною складовою
Конденсатор, позначений жовтим кольором,
прибирає ЗЗ за постійною складовою

Рис 6.6

Зовнішній послідовний ЗЗ за напругою (якщо знімаємо з колектора), або за струмом

(якщо знімаємо з емітера).
Rзз і Re утворюють дільник, який і є колом ЗЗ.
Re
Коефіцієнт ЗЗ β=
Re + RЗЗ

Еж

Uвих
Rд
за напругою

за струмом
Uвх
RI

Rзз

Рис 6.7
 Зовнішній паралельний ЗЗ за постійним і змінним струмом, якщо знімаємо з RI , або за
напругою, якщо знімаємо з виходу.
Опір R Д вводять для збільшення коефіцієнту ЗЗ в тому випадку, якщо внутрішній опір
джерела сигналу малий.

Вплив ЗЗ на параметри підсилювача

На коефіцієнт підсилення. Вплив ЗЗ проявляється по різному при послідовному і

паралельному ЗЗ. При послідовному ЗЗ:

Ri (Zi)

Uвх' Ку Uвих

ec Uвх

Uзз

Рис 6.8

'
U& 33 & U& вих U&
&
β= & (**)
Ку = ' К& у 33 = вих
U вих U& вх U& вх

U& 'вх = U& вх + U& 33 (*)

U& вих
U& U& U& 'вх К& у
К& у 33 = вих = ' вих = = =
U& вх U& вх − U& 33 U& 'вх U& 33 β ⋅ U& вих
− ' 1−
& ' &
U вх U вх U& 'вх
К& у
= = К& у 33
1 − βК у &

В окремих випадках, коли ЗЗ негативний βК& у = − β К у

Ку
тоді для НЗЗ К у 33 =
1 + βК& у
Ку
для ПЗЗ βК& у = βК у і К у 33 =
1 − βК& у
 &
При послідовному ЗЗ при введенні НЗЗ, коефіцієнт підсилення зменшується в 1 + βК у
разів. Введення ПЗЗ веде до збільшення коефіцієнту підсилення.

Наскрізний коефіцієнт підсилення

U& вих
К& *у =
I вх ⋅ Zi + U& 'вх
При введенні ЗЗ:
U& U& вих U& вих U& вих
К& *у 33 = вих = = = =
'
I&вх Z& i + U& вих I&вх Z& i + (U& вх &'
e&c − U& 33 ) &
I U U &
Z& i ⋅ вх + ( вх − 33 )
U& вх U& вих U& вих
К*
=
1 − βК *

При чому :
Z& вх
К& *у = ⋅ К& у
& &
Z вх + Z i
U&
Ку =
U вих
К& *у = вих
U вх e&c

Лекція №7
Паралельний зворотній зв’язок не змінює коефіцієнт підсилення.
Ů'вх = Ůвх = Ůзз
Ku& *
Ku * =
1 + β ⋅ Ku&
Ku
Uвх U'вх

Ri

Eс Uзз
ЗЗ

Рис 7.1
 Вплив зворотного зв’язку на нестабільність підсилення
В будь-якому підсилювачі коефіцієнт підсилення буде з якимось розкидом , який буде
пов’язаний з розкидом елементів.
Ku ± ∆ Ku
До ∆ Ku ще додається вплив напруги живлення ∆ Eж , температури ∆ t°, старіння елементів.
Негативний ЗЗ може зменшувати нестабільність і розкид коефіцієнта підсилення.

Графік2
y → Aвих , вихідний параметр підсилювача
x → Aвх , внутрішній параметр підсилювача
Rн ⋅ Rк
Ku = S ⋅ Rн = S ⋅
Rн + Rк

Rк
Ср

Rн

Рис 7.3

VT→S→yох
Яким буде ∆Ku при ∆Rн(або ∆Rк , ∆S)
∆y
= tgα = y′
∆x
∆y = ∆x ⋅ y ′
∆y y ′ ∆x x
= ∆x ⋅ = ⋅ ⋅ y′
y y x y
∆Авих Авх ∆Авх
= ⋅ А′вих ⋅
Авих Авих Авх

Lк Ск

Рис 7.4
 ∆f ο
=? при заданому ∆Cк
fο
1 1
fο = = ⋅ Lк −0,5 ⋅ Cк −0,5
2π Lк ⋅ Cк 2π
3
∂f ο 1 −
= ⋅ Lк −0 ,5 (− 0,5) ⋅ Cк 2
∂Cк 2π

∆fο Cк ⋅ L/ к −0,5 ⋅ (− 0,5) ⋅ Cк −1,5 ∆Cк 1 ∆Cк

= ⋅ =− ⋅
fο 1 Cк 2 Cк
⋅ Lк −0 ,5 ⋅ Cк − 0,5 ⋅ 2π
2π
∆f ο
від Lк
fο
∆fο 1 ∆Lк
=− ⋅
fο 2 Lк
∆Кuзз ∆Ku
→ Квп ⋅
Kuзз Ku
,
Кu
Ќuзз= .
1 + β& ⋅ Ku
 ∆K& u  K& u 1
  = .
⋅ 2
 &
K u  зз  .

Ku 1 + β& ⋅ Ku 
.  
1 + β& ⋅ Ku
( )
.
1 ⋅ 1 + β& ⋅ K& u − Ku ⋅ β 1
2
= 2
 .
  .

1 + β ⋅ Ku  1 + β ⋅ Ku 
   
∆Ku
∆Ku 1  ∆Ku  Ku  ∆Ku 
= ⋅  = = 
Ku 1 + β& ⋅ K& u  K& u  1 + β ⋅ K& u  Ku  зз

Для НЗЗ:
 ∆K& u 
 
 ∆K& u   K& u 
  =
 &
K u  НЗЗ 1 + β& ⋅ K& u

При введені НЗЗ нестабільність підсилення (розкид коефіцієнта підсилення за рахунок

розкиду параметрів елементів) зменшується в 1 + β& ⋅ K& u разів. ( )
ОП:
Ku = (10 ÷ 50 ) ⋅ 10 3 = (30 ± 20 ) ⋅ 10 3

Після введення ЗЗ з глибиною

1 + β& ⋅ K& u = 1000 - коефіцієнт підсилення (тобто номінальне значення).
30 ⋅ 10 3
Kuзз = = 30
10 3
 ∆Ku 20 ⋅ 10 3
= ⋅ 100 ≈ 67 %
Ku 30 ⋅ 10 3
 ∆Ku  67
  = 3 = 0,067 %
 Ku  НЗЗ 10

KuНЗЗ =30 ± 0,067%

Коефіцієнт підсилення фактично стабільний. Таким чином за допомогою НЗЗ можна

значно знизити вплив від температури , розкиду параметрів елементів , від напруги живлення.

Для ПЗЗ:
∆Ku
 ∆Ku  Ku
  =
 Ku  ПЗЗ 1 − β ⋅ Ku
ПЗЗ збільшує нестабільність підсилення; збільшується чутливість до зміни температури , Еж і
тд.

Вплив ЗЗ на вхідний опір

Проявляється по різному для послідовного і паралельного ЗЗ.

Послідовний ЗЗ
Івх
Ku
U'вх

Ri

Uвх

Eс
ЗЗ
Uзз

Рис 7.5
U&вх
z&вх ЗЗ =
Iвх
U& ′вх
z&вх =
Івх
z&вх -вхідний опір підсилювача без ЗЗ.
U& ′вх − Uзз U& ′вх β& ⋅ U&вх  β& ⋅ U&вх 
z&вх ЗЗ =
Iвх
=
Івх
−
Івх
= z&вх ⋅ 1 −
Uвх 
( )
 = z&вх ⋅ 1 − β& ⋅ K& u = z&вх ЗЗ

Для НЗЗ:
z&вх НЗЗ = z&вх ⋅ (1 + β ⋅ Ku )
При послідовному НЗЗ вхідний опір підсилювача збільшується. І в цьому випадку НЗЗ є
засобом отримання високих вхідний опорів.

за постійним
струмом

Cбл

Рис 7.6

Rc→Rнзз для постійного струму

При відсутності Сбл з’являється ЗЗ і за змінним струмом , внаслідок чого вхідний опір каскаду
зростає.
Але ціною цього є зниження коефіцієнта підсилення.
Для ПЗЗ:
z&вх ПЗЗ = z&вх ⋅ (1 − β ⋅ Ku )
ПЗЗ зменшує вхідний опір підсилювача , але збільшує коефіцієнт підсилення і нестабільність.

Zвх
+(-)
Ec
+(-)
-(+)
-(+) Uзз

Рис 7.7

Вхідне коло , в більшості випадків , являє собою з’єднання активної складової , ємності і
впливає на окремі складові.

Свх
Rвх

Рис 7.8
 Лекція №8
Вхідний опір , являє собою паралельне з’єднання Rвх і Xсвх.

Zвх Свх
Rвх

Рис 8.1

1 1
Z&вх = =
&
Yвх 1
+ j ⋅ ω ⋅ Cвх
Rвх
1 − β& ⋅ K& u 1
( )
Z&вх зз = Z&вх ⋅ 1 − β& ⋅ K& u =
1
=
1 j ⋅ ω ⋅ Cвх
+ j ⋅ ω ⋅ Cвх +
Rвх ( )
Rвх ⋅ 1 − β& ⋅ K& u 1 − β& ⋅ K& u
(
Rвхзз = Rвх ⋅ 1 − β& ⋅ K& u )
НЗЗ:
(
Rвхзз = Rвх ⋅ 1 + β& ⋅ K& u )
ПЗЗ:
(
Rвхзз = Rвх ⋅ 1 − β& ⋅ K& u )
(
При НЗЗ активна складова вхідного опору збільшується в 1 + β ⋅ Ku . НЗЗ є засобом збільшення
& & )
вхідного опору підсилювача.
Вхідний опір при ПЗЗ зменшується .
Свх
Свх зз =
(
1 − β& ⋅ K& u )
НЗЗ:
Свх
Свх зз =
(
1 + β& ⋅ K& u )
ПЗЗ:
Свх
Свх зз =
(
1 − β& ⋅ K& u )
При введенні НЗЗ вхідна ємність зменшується в 1 + β ⋅ Ku разів.
& & ( )
При ПЗЗ – збільшується.
 Вплив паралельного ЗЗ на вхіний опір

Iс Iвх
Ri
Ku

Iзз Zн
Eс

ЗЗ

Рис 8.2

І&с = І&вх + І&зз

U&вх
І&вх =
Zн
U&вх U&вх + U&вих
І&с = +
Z&вх Z&зз
U&вх U&вх 1 1
Z&вх зз = = = = (*)
I&c  Uвих  1 1 + K& u 1
 1 1+  + 1
Uвх ⋅  + Uвх  Z&вх Z&зз + Zзз
 Z&вх Z&зз  Zвх 1 + Ku
 
 
Zвх зз
З (*) видно , що еквівалентне паралельному з’єднанню Zвх та Zзз в зменшеному на
(1+Ku) разів.

підсилювач

Zвх Zвх
Zзз

Рис 8.3

Z&вх ⋅ Z&зз
Z&вх =
Z&зз + Z&вх ⋅ (1 + Ku )
Окремі випадки

1. Zзз = Rзз , чисто активні

Ri
Ku

Eс Zн

Rзз

Рис 8.4

При активному характері Zзз зменшується тільки активна складова вхідного опору.
 Rзз 
 
Rвх зз = Rвх  1 + Ku 
||
Cвх зз = Свх

2. ЗЗ здійснюється через ємність.

Ri
Ku

Eс Zн

підсилювач

Zвх Cзз(1+Ku) Rвх Cвх

Рис 8.5

При ємнісному характері КЗЗ вхідна ємність при наявності ЗЗ збільшується на величину
Сзз(1+Ku).

Вплив ЗЗ на вихідний опір

На зміну вихідного опору впливає вид знімання ЗЗ: за напругою чи струмом.

1.При ЗЗ за напругою
Z&вих
Z&вих зз =
1 − β&K& u
При НЗЗ:
Z&вих
Z&вих НЗЗ =
1 + β&K& u НЗЗ за напругою зменшує вихідний опір.
Z&вих << Z&н

Нехай Zн ↓ → U Z вих ↑ → Uвих ↓ → Uзз = β Uвих ↓ → U ′вх ↑ → Uвих ↑

&

Внаслідок дій зворотнього зв’язку при зміні Zн буде змінюватися Uвих , це призведе до
зміни напруги прикладеної до підсилювача , оскільки НЗЗ призведе до збільшення U ′вх , а це
означає , що Uвих почне зростати.Повної компенсації Uвих не буде , але вона зменшується.
ЗЗ за напругою стабілізує Uвих і в ідеальному випадку при нескінченно глибокому ЗЗ
Напруга залишилася б сталою , не залежно від причини зміни цієї напруги.

Лекція №9

|вих
При ЗЗ за напругою вихідний опір змінюється таким чином:

|вих0ЗЗ 
7 x u \}

|вих
НЗЗ: (при 180°)

|вих0ЗЗ 
7 / \}

2) за струмом.
При ЗЗ за струмом вихідний опір збільшується
|вих0ЗЗ  |вих / |ЗЗ 7 x u \}

Iн
Zн

Zзз

Рис.9.1
 Вплив ЗЗ лінійні частотні спотворення.

МНв  МНв 
К~ К~ЗЗ
Кн Кнв ЗЗ

КO -- коефіцієнт підсилення на середній частоті (за напругою).

без НЗЗ
Ko
Kн(в) з НЗЗ

0 fн fв f

Kн Kнзз

Рис.9.2

Нормована АЧХ

K
Ko
1 з НЗЗ

без НЗЗ

0 fн fв f

Рис.9.3

К нв
К OЗЗ  К НВ ЗЗ 
К ~
 К ~  Кнв
 К O 7 / u К нв ‚ М нв 7 / u К нв ‚ М нв М нв uКнв
€НВ ЗЗ    / 
7 / u К O К нв 7 / u К O 7 / u К O 7 / u К O

М нв 7 / u К нв uКнв

КO
М нв
  /
Кнв
7 / u К O 7 / u К O 7 / u К O
М нв 7 x 7 / uКO Мнв x 7
 /  /7
7 / u К O
7 / u К O
7 / u К O
Мнв x 7
€НВ ЗЗ  /7
7 / u К O
При НЗЗ за напругою:
Мнв 2 Мнв 2
€НВ НЗЗ  / 7 , €НВ ПЗЗ  /7
 К~ 2 К~

При негативному ЗЗ за напругою частотні спотворення зменшуються в заданому діапазоні

частот еквівалентно розміщені діапазону робочих частот при незмінній нерівномірності.

Вплив НЗЗ на нелінійні спотворення.

КГНЗЗ 
КГ
7 / uК
НЗЗ зменшує КГ (КНС) в 7 / uК разів.
вх0  С x ЗЗ

Uвх.1 Uвих
Uбе Ku Uвих

Ес Zн
t t
Uзз

Uзз= *Uвих - повторює форму Uвих

Рис.9.4
 Uбе Uc
Uзз
Uвх.1

Рис.9.5

Лекція №10

Трактування змінних нелінійних спотворень при наявності НЗЗ:

При вимірюванні НЗЗ на вхід підсилювача подають sin сигнал, спектром якого є одна
складова з частотою fc. При нелінійних спотвореннях з’являються вищі гармонійні складові 2fc ,
3fc ... Через КЗЗ ці складові з виходу підсилювача прикладаються на його вхід, при чому
безпосередньо до входу буде прикладено вхідний сигнал з частотою fc та напруга ЗЗ з цією ж
частотою. При цьому ці дві складові прикладено в протифазі, як наслідок коефіцієнт підсилення
для першої гармоніки зменшиться.
Але крім першої гармоніки до входу будуть прикладена напруга ЗЗ, складові якої є
вищими гармоніками (2fc , 3fc...), яких не було в спектрі вхідного сигналу.Внаслідок цього ці
складові приводять в точку виникнення нелінійних спотворень і взаємодіють із складовими що
в цій точці утворилися. При чому по колу ЗЗ ці складові приходять в противазі і зменшують
вищі гармоніки.

Забезпечення режиму роботи підсилювача

за постіцним струмом

Переглянути принцип роботи підсилювача (д/з) !

 Rn
E
Ib0

E Ik0

Рис.10.1
Для того, щоб забезпечити режим роботи за постійним струмом до вихідного кола
активного елемента треба прикласти Еж. Для отримання змінення робочої точки у вхідному колі
(БЕ) ми повинні забезпечити напругу зміщення (Езм = Ебе). Ці параметри визначають положення
робочої точки. (Rн не завжди включають у вхідне коло), в даному випадку це Rн.

E
Ib0
VT2

Ik0

рис.10.2
Перехід Б-Е VT2 ввімкнено у вихідне коло.

Rk E

Cp

Ik0

рис.10.3

На рис.2 навантаження не ввімкнено безпосередньо у вихідне коло. В тому випадку якщо

навантаження не ввімкнене в вихідне коло, то виникає необхідність введення додаткового
елемента через який Еж подається на вихідні електроди (К-Е).
 E
E
Rk
Rk
Cp Cp

Rn Rn

Ik0 Ik

рис.10.4 а) рис.10.4 б)

Способи подачі Еж на вихідні електроди

активного елемента

При паралельному під’єднанні можливі такі способи:

1. Резистора (резисторне живлення) Безпосередньо через навантаження
2. Дроселя (дросельне)
3. L-C контура
4. Трансформатора
5. Інші (оптоелектронна пара...)

"Резисторне" "Дросельне"

E
E Dp
Rk
Cp Cp
Rn
Rn
Ik Ik0

Рис.10.5 Рис.10.6

реактивним
Дросель – котушка індуктивності з великим активним опором (на стільки великим, щоб змінна
складова через дросель не протікала, або була дуже малою).
 "L-C контур"

a)

b) Cp

Ik0 Rn

Рис.10.7
Навантаження може бути ввімкнене повністю в контур б), або частково – а).

Rn

Ik

Рис.10.8
Живлення через L-C контур (варіант трансформаторного звязку).
Для трансформаторного живлення буде така сама схема, але без конденсатора, тобто:

"Трансформаторне" "Інші"(оптопара)
En
E

Rn

Рис.10.9 Рис.10.10
 Порівняльна характеристика:

Резисторне живлення – простота, економічність по вартості, велика смуга робочих частот.

Недоліки:
- на Rк падає постійна напруга, відповідно Еке зменшується,
максимальний розмах напруги ≈Еж/2;
- смуга робочих частот обмежена зверху за рахунок паралельних паразитних ємностях;
- змінна складова Ік протікає як через Rн, так ы через Rк – це зменшує коефіцієнт
підсилення за напругою так і за струмом:

Ku = S*Rзм = S*(Rк || Rн) = S*(Rк* Rн) / ( Rк +Rн)

[S] – крутість транзистора
[Rзм] – повний еквівалентний опір навантаження, тобто Rк зменшує Rзм.
КІ = Ін / Івх
[Ін] – частина повного вихідного струму активного елемента
Iзм = h21 * Івх
Iзм = Ік зм +Ін зм
Таким чином для збільшення Кu і КІ необхідно збільшувати Rк , але при цьому
зменшується Еке.

Дросельне дивлення – використовується восновному на ВЧ. Індуктивність дроселя вибирають з

умови:
ХL др = 2π*fmin*Lдр
Це обмежено значною індуктивністю дроселя при якій його маса і габарити будуть
значними. Але широко використовують на ВЧ 1....100 МГц.
Для цього живлення характерним є те, що більшість недоліків резисторного живлення
відсутні:
1. Еке = Еж – немає падіння напруги;
2. вихідна напруга може досягати значення ≈2Еж;
3. більший коефіцієнт підсилення, оскільки Rекв = Rн;

Недоліки:
- дорогі;
- в окремих випадках масогабаритні показники гірші (восновному на більш низьких
частотах);
- смуга частот обмежена знизу розумним значенням індивідуальності дроселя
(габаритами), а зверху – паразитними резонансами (індуктивнісь дроселя, паразитні
ємності).
 Лекція №11

1) ;ƒ  
При трансформаторному живленні маємо деякі переваги:

2) При трансформаторному живленні через LC контур з котушкою зв’язку можна отримати

повне гальванічне розв’язування каскаду з навантаженням.

Rк
Cр

Ек
Rн

гальв.
Рис.11.1

C Lк Lзв Rн

Рис.11.2

Трансформаторний зв'язок можна забезпечувати трансформацією Rн до підсилювального

каскаду. Використовується трансформаторний зв'язок у разі узгодження вихідного опору з Rн.
Недоліки:
- складніше, дорожче.
Трансформаторний зв'язок або LC контур з Lзв. дозволяє отримати послідовне зміщення в
наступному каскаді.

Роздільні елементи.

Призначені для розділення кіл за постійним струмом. Наприклад: розділити за

постійною напругою 2 каскади; вхід підсилювача з джерелом, вихід із навантаженням.
 +
- Еж
Rд1
Cр

Rд2

Рис.11.3

Якщо „ … ; VT1 і VT2 не можна зєднувати безпосередньо, тому що буде порушення

ружиму за постійним струмом; для цього вводять роздільний конденсатор, опір якого:
7
†, 
‡ C,
Для того щоб не допустити значного падіння напруги. А за постійним струмом VT1 і
VT2 розділені і режими роботи не порушуються.
Тобто роздільні елементи вводять в тому випадку, коли потрібно забезпечити зв'язок за змінним
струмом між 2-ма точками з різними потенціалами.

В якості роздільного елемента використовують:

- конденсатори (найбільш простий і дешевий спосіб розділення кіл; недоліком є
відсутність повного гальванічного розв’язання; викликає завал АЧХ в області нижніх частот.)
- трансформаторний зв'язок (трансформатор – роздільний елемент, який дозволяє
забезпечувати розділення за постійною напругою, при необхідності забезпечити повне
гальванічне розв’язування.)
На низьких частотах використання буде рідко, в наслідок великих габаритів, на високих
частотах – часто, в селективних підсилювачах. В окремих випадках повне гальванічне
розв’язування можна получити за допомогою …..
Обмеження використовується із-за нелінійних спотворень, в діапазоні верхніх частот.

Блокувальні елементи.

Для розділення шляхів протікання постійної та змінної складової струму. Блокувальні

елементи повинні працювати у всьому діапазоні частот.


†C„ˆ  Š {ƒ (не ідеальне КЗ)
‰ C„ˆ
 +
Rк - Еж
Iко.зм

Iко

Rе Сбл

Рис.11.4

Rе вводять для стабілізації режиму за постійним струмом. При відсутності Сбл через Rе
протікає як Iko i Ikо.зм (одночасно виникає НЗЗ і за змінним струмом) – це зменшує Кu, щоб
усунути НЗЗ за змінним струмом вводять Сбл, напруга ЗЗ буде відсутня.
DD  w; †C„ˆ U 
†C„ˆ U 

НЗЗ і за змінним струмом, а в області верхніх частот, де †C„ˆ  , НЗЗ немає. Має місце
Якщо ці умови в діапазоні робочих частот не виконуються, то в області нижніх частот маємо

частотно залежний НЗЗ, його вводять для корекції АЧХ.

Наприклад:

Rе1 Скор1

Rе2

Скор2
Rе3

Рис.11.5
‹7 / ‹( / ‹o  ..
Щоб визначити призначення конденсатора корегувальний чи блокувальний потрібно
перевірити умову:

†C„ˆ  Š {ƒ -- якщо ця умова в діапазоні частот не виконується, то це
‰ C„ˆ
корегувальний конденсатор.
 Rк
Сбл
Ік.зм
Ек
VT1 Rб
VT2
Ібо

Рис.11.6

відсутності Сбл на Rб буде подана частина вхідної напруги  VT1; безпосередньо до VT2
Rб забезпечує зміщення на базу VT2 (схема з фіксованим струмом бази.) При

буде прикладена мала частина Uк, бо {„ S { VT2.

Для того щоб усунути падіння змінної напруги на Rб вмикають Сбл.
7
†C„ˆ  Š {„ˆ
‡ C„ˆ

Rб

Скор
Евх

Рис.11.7
Скор. – корегувальний; на 200кГц усуває шуми та працює в діапазоні робочих частот.

Розв’язувальні елементи.
Як правило вводять для розділення (розв’язування) шляхів протікання змінних складових
різних каскадів.
Еж

Uвих Rі

Uвх
Ео.ж
Ік.зм1 Ік.зм2 Ік.зм3

рельне джерело Рис.11.8

 Як видно з рисунка змінні складові колекторних струмів (Ік.зм1-3) мають спільні шляхи
протікання. При протіканні цих струмів через Rі ці струми створюють падіння напруги:
Œ  Ž  6 / Ž  6 / Ž1  6
В результаті цього напругою живлення буде напруга:
   x Œ
Значення буде залежати від струму кожного каскаду. Каскади пов’язані між собою ЗЗ через Дж.

Лекція № 12

Внаслідок протікання струму через внутрішній опір джерела живлення виникає взаємний
вплив між каскадами. Тобто фактично напруга живлення буде змінюватися під дією струмів
кожного з каскадів.

Е 'Ж = ϕ ( I k1~ , I k 2 ~ ,...)

а це фактично означає наявність ЗЗ, який може бути як ПЗЗ так і НЗЗ (залежить від фазування
струмів). Це може призводити при наявності паразитного ПЗЗ до збудження підсилювача.
Щоб усунути паразитний ЗЗ вводять розв’язувальні елементи.
Lпараз. Lпараз. Lпараз.

Rф1 Rф2 Rф3

Cбл

Cф1 Cф2 Cф3

Rб Rб Rб

Rk Rk Rk

Ik~1 Ik~2 Ik~3

Рис 12.1

На ВЧ крім негативного впливу Ri ці явища (ПЗЗ) можуть виникати на паразитних

індуктивностях з’єднувальних провідників.
1 мм провідника ц вільному просторі має індуктивність 1 нГн.
Ємності фільтрів вибирають з умови:
1 1
X CФ = << RФ X CФ = << RК
2π ⋅ f min CФ та 2π ⋅ f min CФ

Сф є КЗ для змінних складових.

Щоб паразитні ПЗЗ не виникав на з’єднувальних провідниках і виводах Сф, їхня
довжина повинна бути мінімальною.
Ефективність розв’язувальних фільтрів зростає зі збільшенням Сф і Rф. Але збільшення
Rф призводить до збільшення падіння постійної напруги. Буде зменшуватись напруга живлення
каскаду і відповідно розмах вихідної напруги. Тому Rф вибирають так, щоб падіння напруги на
ньому складало 10...20 % від Еж. На ВЧ доцільніше замість Rф використовувати дроселі.
Збільшення Сф не завжди допустиме. Внаслідок збільшення власної індуктивності
обкладок конденсатора.
Конденсатори серед інших параметрів характеризуються власною резонансною
частотою, яка зменшується із збільшенням ємності. А електролітичні конденсатори взагалі
мають низьку робочу частоту ( ~1МГц).
На частотах, більших за власну резонансну частоту, характер опру крнденсатора буде
індуктивним. Тому в широкосмугових підсилювачах блокувальні та розв’язувальні
конденсатори вмикають паралельно, при чому ємності цих конденсаторів різні.

Cф1 Cф2 Cф3

Iнч~ Iсч~ Iвч~

Сф1 > Сф2 > Сф3

Fo1 < Fo2 < Fo3

Рис 12.2

Це дозволяє забезпечити закорочування змінних складових в широкому діапазоні частот.

Кола зміщення

Призначені для подачі напруги зміщення на пару керувальних електродів (БЕ, ВЗ, сітка-
катод).
Напруга зміщення визначає положення робочої точки на ВАХ активного елемента.
Зміщення можна забезпечити за допомогою джерела напруги або струму. Відповідно до цього,
схеми зміщення поділяють на схеми зміщення з фіксованою напругою бази (ФНБ) та
фіксованим струмом бази (ФСБ).
Крім того, схеми зміщення в залежності від функцій, які виконує коло зміщення поділяють на:
1. Нестабілізовані кола зміщення. Забезпечують тільки подачу напруги.
2. Стабілізовані кола зміщення. Забезпечують як подачу напруги так і стабілізацію режиму
роботи.

Найбільший вплив має температурна залежність.

Відповідно стабілізовані кола розрізняють на кола:
2.а) з параметричною стабілізацією
2.б) із стабілізацією за допомогою НЗЗ.
Кола зміщення з параметричною стабілізацією як правило здійснюють стабілізацію
режиму роботи відносно одного, рідше двох зовнішніх факторів.
Схеми із НЗЗ стабілізують режим роботи відносно всіх факторів.

Нестабілізовані кола зміщення

(Базові схеми 1 та 2. Відсутня будь-яка стабілізація)

Основна причина температурної нестабальності режиму роботи – вплив температурної
залежності напруги на переході БЕ.

iб

U бе

U бе

U бе =2,1 мВ / С

Рис 12.3

I k = I k 0 ЗВ ⋅ e ∆U БЕ 25

Якщо температура зміниться на 30 градусів, то напруга БЕ зміниться на 60 мВ, при цьому

струм колектора зміниться більше ніж в 10 разів!
I k 0 ЗВ - зворотній струм колектора (тепловий струм закритого переходу)
Другою причиною температурної залежності є температурна залежність самого
зворотного струму колектора. Для зменшення температурної залежності використовують
параметричну термостабілізацію.
Суть її полягає в тому, що при зміні температури змінюються параметри кола зміщення,
які компенсують вплив температури на режим роботи.
Це досягається використанням елементів, параметри яких залежать від температури.
При цьому слід врахувати, що схеми з ФСБ більш чутливі до зміни колекторного струму, а
схеми з ФНБ – до зміни напруги БЕ.

Схеми з параметричною стабілізацією

IБ0
Rд1
t2 t1
Еж

РТ РТ '
IБ0 '
Uвих
Uвх

Rд2
IБ0 ''
t-VAR
UБЕ UБЕ '

Рис 12.4 Рис 12.5

Якщо розглянути ВАХ з урахуванням зміни температури, то Iб0 = const, а відповідно і

IК0 = const. Якщо одночасно із зміною температури змінюється напруга зміщення (значить UБЕ
і UБЕ’) то вводять резистор з температурно залежним опором RД2(t) .
Оскільки терморезистори випускають з дуже обмеженою кількістю значень ТКО, то
важко знайти резистор з потрібним ТКО. В цьому випадку замість терморезистора RД2
ставлять послідовне з’єднання терморезистора і резистора так, щоб їх сумарний опір
дорівнював опору RД2. А змінюючи співвідношення між резистором і терморезистором
підбирають необхідне значення ТКО.
Приклад:
Нехай опір терморезистора Rt=10k
ТКО = 100 ⋅ 10 −6 1 o ∆t = 100o С
С
Опір резистора:
R = Rt (1 + ТКО ⋅ ∆t ) = 10 4 (1 + 100 ⋅ 10 −6 ⋅100) = 10,1кОм
Терморезистор може вмикатися і в верхнє плече замість RД1 ,але при цьому його ТКО повинен
бути з протилежним знаком.
 Лекція №13

Схеми з використанням терморезисторів широко застосовують в двотактних транзисторах

підсилення потужності , автогенераторах з високою стабільністю частоти.

Стабілізація режиму роботи:

+ Еж
-
Ід Rк Ік
Rб

Іб Uвих

Rд
n-діод
Епр
Сбл
Ее
Rе
Ср

Uвх

Схема 13.1

В цій схемі потенціал бази задають як суму прямих падінь напруги на діодах Епр ,цей потенціал
може дискретно змінюватись вибором кількості діодів
Епр сум − Ебе
Ieo ≈ Iко =
Re
Термостабілізація здійснюється за рахунок , того що одночасно із зміною напруги Ебе
при зміні температури буде змінюватися і Епр сум , якщо при цьому ці потенціали будуть
змінюватися повністю синхронно можна отримати достатньо високу температурну стабільність
схеми.
Графіки 2 3

При зміні температури від t1 до t2 при відсутності термостабілізації (замість діодів -

резистори) Ібо змінюється до Ібо для того щоб при цій температурі t2 Ібо залишалася
незмінним , потрібно одночасно змінити температури і напруги на переході до значення Ебе. Це
здійснеться за допомогою діодів , оскільки падіння на діоді є температурно залежним.

Ідеальним є випадок коли ТКН(температурний коефіцієнт напруги) діода і переходу є

однаковими . В реанодискретних елементах це важко забезпечити , тому часто діоди замінюють
р-н переходом транзисторів.
 + Eж
-
Rб

VT2

VT1

Схема 13.4

В цій схемі перехід Б-Е VT1 використовують як діод . Максимальна ідентичність буде
досягнута в тому випадку коли транзистори ідентичні , а найкраще коли входять до складу
мікрозбірки. При необхідності підбирають кількість послідовно ввімкнених транзисторів.
Струм Ід вибирають або розраховують таким чином щоб забезпечити максимальну
температурну стабільність , величина струму задається Rб.
Еж − Епр сум
Rб =
Ід
Резистор Rд інколи вводять для збільшення вхідного опору каскаду (усуває вплив
малого диференційного опору діодів на вхідний опір).
Приклад використання діодів для подачі зміщення і термостабілізації в двотактних
безтрансформаторних каскадах.
+ Еж
-

Rк

Rн
2Езм=Епр

Uвх
+ Еж
-

Схема 13.5

При використанні діодів для термостабілізації можна отримати більш високу

стабільність до зміни напруги живлення.
 Стабілізація режиму роботи за допомогою НЗЗ

Недоліком параметричної стабілізації є те що стабілізація здійснюється за одним чи

двома параметрами температури чи (і) напруга живлення .
НЗЗ дозволяє не тільки зменшити температурну нестабільність підсилювача , залежність
режиму роботи від напруги живлення , але і зменшити чутливість схеми до розкиду параметрів
елементів , тому часто використовують на практиці в тому числі і в поєднанні параметричної
стабілізації .Подальший розгляд матеріалу приведені для схеми 1 , 8 , які розглядалися на
практиці.
Є дві схеми зміщення : з фіксованою напругою бази ФНБ та з фіксованим струмом бази
ФСБ . Зворотній зв’язок може бути послідовним 5 і 6 , паралельний 3 і 4 так і змішаним.
Вибір схеми зміщення залежить від вимог , які предявленні до підсилюваного каскаду.

Порівняльна характеристика схем зміщення з НЗЗ

1. Усі схеми з ФСБ більш економічні за струмом споживання порівняно з ФНБ , тому
частіше використовуються в портативній апаратурі з хімічними джерелами живлення.
2. Схеми з послідовним НЗЗ потребують підвищенної напруги живлення , оскільки частина
Еж падає на Rе , із збільшенням Rе зростає глибина НЗЗ , підвищується стабільність , але
це досягається при відповідному збільшенні Еж.
3. Схеми з ФНБ більш чутливі до зміни напруги живлення Еж . Це стосується всі схем.
4. Схеми з ФСБ більш чутливі до температурно-залежного зворотнього Ік (тепловий струм
закритого переходу К-Б). Схеми з ФНБ до температурної зміни прямого падіння напруги
на переході Б-Е.
5. Стабільність схем зростає із збільшенням глибини зворотнього зв’язку , це легше
досягається в схемах послідовних НЗЗ за струмом.
Схеми з паралельним НЗЗ збільшення глибини може досягатися збільшенням Rк , що в
свою чергу також потребує збільшення Еж.
6. Схеми з паралельним НЗЗ не забезпечують стабілізацію режиму роботи при
трансформаторному , дросельному живленні викоистовують LC контура в колекторному
колі.Оскільки при цьому НЗЗ за постійним струмом відсутній.

+ Eж + Eж
- -
Др

еквівалентна схема за
постійним струмом
Rб Uвих

Uвх

Схема 13.6
Але при необхідності введення НЗЗ використовують розв’язувальні RC- фільтри.
+ Eж
-
Rф

Сбл

Rб Uвих
L

Схема 13.7

Rф одночасно є резистором зворотнього зв’язку , але для того , щоб збільшити глибину ЗЗ
Rфмає бути високоомним (сотні Ом – одиниці кОм) це потребує збільшення Еж.
В схемах СЕ підсилювальних каскадів введення послідовного НЗЗ за змінним струмом
збільшує вхідний опір каскаду для цього усувають Сбл в колі емітера.
+
- Eж
Rк
Rб

Uвих

Ср

Uвх

Re Сбл

Схема 13.8

При наявності Сбл НЗЗ відсутній і вхідний опір каскаду буде таким же як і у схем без
НЗЗ (1 , 2).Тут компроміс: відсутність Сбл →Rвх збільшиться , але Ku зменшиться ;
Наявність Сбл зменшує Rвх , але збільшує Ku.
При наявності паралельного НЗЗ в каскаді з СЕ Rвх зменшується , часто це є недоліком
такого зміщення , щоб усунути це потрібно усунути НЗЗ за змінним струмом , але залишити
НЗЗ за постійним.
 + Eж
-

Iко
Сбл

Rб'
Rб" Uвих

Iбо
Cр

Uвх

Схема 13.9

Rб = Rб ′ + Rб ′′
Rб – розрахункове значення за постійним струмом
Rб ′ ≥ Rб ′′
Для змінного струму Сбл
1
КЗ: X = << Rб ′
2 ⋅ π ⋅ f min ⋅ Сбл
Сбл

Стосовно Rвх схеми можна розташувати так:

Сх 5 | Сх 6
Сх 1 | Сх 2
Сх 3 ↓ Сх 4
Змен
Це при наявності НЗЗ за змінним струмом. Стосовно схем 7 , 8 не можна проводити без аналізу
глибини послідовного , паралельного НЗЗ.

Лекція №14
Найбільшу стабільність має схема зі стабілізацією емітерного струму (фіксований струм
емітера, двополярне живлення).

Генератори стабільного струму

В розглянутій схемі з фіксованим струмом емітера, стабільність роботи режиму роботи
можна підвищити, якщо замінити Rе генератором стабільного струму.
 E
Rк

Uвх
VT1
ГС
Rб
Rе

Eж

мал 14.1

Внутрішній опір такого ГС визначається значенням Rе. Чим вище Rе , тим вища
стабільність. Збільшення Rе вимагає і збільшення Еже. Вирішити цю проблему можна за
допомогою генераторів стабільного струму.

Eж
Rд1 Rк

Iко
Eбе
Eб Rд2
Rе
Eе

мал 14.2

Тут Rе – еквівалентний опір двополюсника, яким може бути будь-яка схема, зокрема
підсинюваний каскад по еолу живлення. Якщо зафіксувати Еб = Const, то:
’“ ’б 2’бе+
+w‘  
”“+ ”“+

При великому значенні Еб :

’б
w‘ U U w•‘
”“+

Якщо дільник Rд1, Rд2 живити від окремого стабілізованого джерела, то колекторний
струм не залежить від напруги живлення. вихідний опір такого стабілізатора струму буде
великим і визначається нахилом вихідної ВАХ:
 R н'
Rн''
iк

Iкo

U кe

мал 14.3
Еж=Const
Vке
{вих 
V3ко
∆Iко для трьох різних Rн значень буде незначним, при значній зміні Rн .
При зміні напруги живлення Rн=Const
iк

Iкo

Uкe

мал 14.4
У ПТ (польових транзисторів) вихідні характеристики мають менший нахил ніж у БТ, а
відповідно внутрішній опір, ніж у БТ, тому у високо стабільних каскадах в якості ГС доцільно
використовувати каскади на ПТ.

Eж

Вих1 Вх2
Вх1

VT1 Вих2
Eст VT2

Rд1
Ie=Iст

VT3 ГСС

Rд1

мал 14.5
 Диференціальний підсилювальний каскад (VT1, VT2). Замість нього може бути
ввімкнено звичайний каскад де використовують одне плече ДК.
На VT3 зібраний ГСС. Стабілізований струм Iст є емітерним струмом ДК, тобто Іе не
залежить від напруги живлення при Ест, зміні опору навантаження. Підвищити стабільність
ГСС відносно зміни Еж можна ввімкнувши замість Rд2 діоди в прямому напрямку, стабілітрони.
Eж

Підсил.
Rб каскад

Iст

Eб=Ест
Rе

мал 14.6
Схема стабілізації широко використовуються і при двополярному живленні.

Інші використання ГСС. Динамічне навантаження

Кu = S*Rе~ ; де Rе~ =Rк || Rн

Eж
Rб Rк

Ср
Uв1

Rн

мал 14.7
Як видно з формули збільшити коефіцієнт підсилення можна шляхом збільшення Rе~,
при заданому Rн , це досягається тільки шляхом збільшення Rк, але при цьому на Rк
збільшиться падіння постійної напруги ЕRк = Іко* Rн , а відповідно зменшиться Еке.
Еке = Еж - ЕRк , це веде до зменшення розмаху вихідної напруги. Виходом є використання в
якості Rк двополюсника з різним внутрішнім опором, для постійного і змінного опору
найбільше для цього підходить стабілізатори струму, у яких Іст = Іко, а внутрішній опір
стабілізатора для змінного струму буде великим і визначатиметься нахилом ВАХ.
 iд ~
=

Iд

Uд
Eд
мал 14.8
&
Для постійного струму { 
3&
.

Eж
Rд1

Rб
Rд2

Iст Iк
Uвх
Ср

Rн

мал 14.9

Eж
Rе Rд1
Eд

VT1 ГСС
Rд2

Iст
Iн
Uвх
Iк Ср

VT2 Rн
Uвих

мал 14.10
 На VT2 зібраний підсилювальний каскад, на VT1 – ГСС, який ввімкнено замість Rк. ГСС
– класична схема, попередня є її дзеркальним зображенням із заміною транзистора p-n-p.
Розрахунок струму такий же :
’ 2’
w>=  д бе+  + wко+–—
”“+
w>=  w; / w  w;˜ / w; ™ š›œ+‡ / w  žŸ ¡
Потрібно щоб w  xw; ™ š›œ+‡

1) В наслідок великого вихідного опору коефіцієнт підсилення КU = S*Rн при

Ri (ГСС) >> Rн (що забезпечується)
2) Зменшити нелінійні спотворення. Оскільки Ік мало залежить від напруги Uке.

Недоліки: складність, тому і використовується в якісних підсилювачах.

Як і в раніше розглянутих схем замість Rд1 можна використовувати діоди. Схему можна
ускладнити шляхом стабілізації емітерного струму VT2.

Струмове дзеркало
Струмові дзеркала використовуються для стабілізації режиму роботи підсилювальних каскадів
або в якості ГСС.

Eж
R1 Rн

Iбо2

Iбо1
Eбе2
Iе2
Eбе1
Iе1
Rе2
Eб Rе1 Eе2
Eе1

мал 14.11

Бази VT1, VT2 з’єднані і знаходяться під одним потенціалом.

Еб = Ебе1 + Ее1 = Ебе2 + Ее2
В разі ідентичносі транзисторів
Ебе1 = Ебе2 , відповідно Ее1 = Ее2, це досягається підбром ідентичних транзисторів або
транзисторів в складі однієї мікрозбірки. Але
Ее1 = Іе1 * Rе1 = Ее2 = Іе2 * Rе2 (1)
Струмом Ібо можна знехтувати. У разі вибору Rе1 = Rе2 маємо Іе1 = Іе2
’ 2’
w   „ƒ
”c ”“c
’
Якщо Еж >> Ебе1 ,то w 
”c ”“c
 Емітерний струм VT1 задається пасивними елементами і тому буде стабільним, але
оскільки Іе1 = Іе2 , то і струм VT2 також буде стабільним і дорівнюватиме Іе1. Тому і схему
називаємо струмовим дзеркалом, тобто струм Іе2 віддзеркалює Іе1.
VT2 можна розглядати як підсилювальний каскад, навантаженням якого є Rн , а вхідний
сигнал подають на базу. Струмове дзеркало можна використовувати як ГСС, в якості
навантаження якого можна використовувати незалежний підсилювальний каскад.
Іст ≈ Іе2 з рівняння (1)
”“c
w  w ™
”“^
Таким чином міняючи співвідношення між Rе1 та Rе2 можна регулювати струм Іе2 .

Лекція №15

Аналіз АЧХ резисторного каскаду.

Схеми зміщення польових транзисторів.

Залежність від технології виготовлення:

1. Польовий транзистор з р-n переходом.
исток – витік (В)
затвор – заслін (З)
сток – стік (С)

Іс

Kнзз
+
-
Еж
-
Езв

Рис.15.1
 Прохідні характеристики.

Іс

РТ Іко

Езв=Езм 0 Uзв

Рис.15.2

Для подачі зміщення потрібна негативна напруга на заслін, а на вихідні, зокрема на стік,
позитивна; це вимагає ще одного джерела живлення, а це не можливо оскільки використання
дільників від основного джерела живлення (буде позитивна), тому використовують
автозміщення.

C
+
Rс
Cр Uвих
Cр
Iko Еж
Езв

Uвх Cбл
Rст Rзм Езм

Рис.15.3

Rс виконує ті ж функції, що і Rк в каскадах з БТ, тобто подача напруги живлення до

електродів СВ.
Струм стоку протікатиме аналогічно Ісо., постійна складова струму стоку.
.¢  C˜ ™  .¢
Керувальна напруга Езв, визначається за умови:
.¢  . / Œ>=
>= – опір стікання.
.¢  . / .  >=  .
.  .¢
 Складовою Œ>= знехтуємо, бо Із=0, при цьому Rст може мати велике значення опору. Rст
може бути вибрано з умови:
D˜ ™  >= Š .
D˜ -- зворотній струм заслону, як правило нА, при високих температурах десятки мкА. Rст –
сотні кОм – одиниці МОм.
В цьому випадку вхідний опір каскду з ПТ визначається Rст.
  U  >=
+.¢
 .¢ 
C˜
Сбл – виконує аналогічні функції як і з БТ при використанні транзисторів з n-каналом
полярність Еж міняється на протилежний.

2. Схеми зміщення ПТ з ізольованим заслоном.

а) з вбудованим каналом або ПТ в режимі збіднення.

метал
ізоляція
(+) З
(-) С
В
n+ n n+ С

З
В
р - підложка

вбудований канал

Рис.15.4

Керування опору каналу досягається керуванням концентрації електронів на зовнішніх

оболонках донорних домішок. При негативній напрузі на заслоні електрони переміщуються в
область підложки, провідність каналу зменшується. Прохідні ВАХ мають такий самий вид, як і
для ПТ з p-n переходом. Коло зміщення аналогічне попередньому випалку.
 б) З індукованим; працює в режимі збагачення.

метал
ізоляція
(+) З
С (-) С
В
З n+ n+
В

р - підложка

Рис.15.5

При кулевій напрузі Uзв канал відсутній. При подачі позитивного потенціалу відносно
витоку електрони з р – підложки підтягуються в під заслонну область. Провідність наведеного
каналу зростає. При подачі напруги Есв в каналі буде проходити струм. Значення від
провідності каналу, а відповідно від Uзв.
Іс

0 Uзв

Рис.15.6

+
Еж
Rд1 Rс -
Cр
С
Cр

Uвх З В
Rн
Cбл
Rд2 Rв

Рис.15.7
 При цьому подача позитивної напруги на заслін, можливе шляхом використання
дільника від основного джерела живлення. Аналогічно, як в БТ з ФНБ.
В зв’язку з тим що Із дуже малий струм, відповідно дільника вибирають також малим –
це дозволяє зробити коло ???????? дуже економічним, як правило Rд1,Rд2 сотні кОм – одиниці
МОм. При необхідності стабілізації роботи в коло витоку вводять НЗЗ, резистор Rв – резистор
Rзз.
Багато ПТ з ізольованим заслоном мають прохідні характеристики розташовані як в лівій
так і в правій частині прохідної ВАХ.

зона
козкиду

Рис.15.8
Для таких транзисторів використовують схему з дільником або ЗЗ.

Аналіз АЧХ.
Cкб'

Б rб' Б' rкб'

К

Cеб' rке
Rеб'
Iк=SUвх

Uп

Е
Рис.15.9
rб´ – розподілений опір бази. В залежності від потужності, частот, властивостей опір складає
десятки Ом для ВЧ транзисторів,до десятих долей Ома для потужних.
 {£„¤ -- опір р-n переходу.
‹„¤  ¥ ¦ / 7 ™ §¦
§¦ – диференціальний опір базового переходу.
0¨¢A
§¦  ++++++++ª«¢¬
;~ ¢©
§¦  ¥„ – вхідний опір в системі.

Лекція № 16

С'кб

Б Rб Б'

Rеб' К
Rб
Rке

Uп
Рис.16.1
Rб – розподілений опір бази;
Опір бази (Б') в залежності від потужності трансформатора складає декілька Ом, для ВЧ
малопотужних транзисторів
Rеб' – опір р-n переходу
Rеб' = (h21e +1)*Re
Re – диференційний опір базового переходу, який можна розрахувати за наближеною
формулою:
^­+¢A
Re ≈ ;˜+¢© Re = h21б
Rб'к – диференційний опір переходу Б-К.
Rб'к ≈ Rк
Це опір, як правило порядку 1 МОм ... 100 кОм. Опір закритого переходу який вважають
вихідним.
Б К

Рис.16.2
Rке – опыр К-Е. Враховують в селективних пыдсилювачах.
Сб'е – ємність Б-Е. Сб'е – ємність Б-К.
Y21 – провідність зворотньої передачі
Y21 = ω*Ск
fгр → h21е = 1 - частота по якый коефыцыэнт струму = 1.

h21
max

0,7max

f
fh21 f гр

Рис.16.3

S – крутість, використовуєється для польових транзисторів.

B3  
+
B ® „ ”
S = Y21e = ; S= - ізспільною базою
¨+¢A
;˜+¢©
Re = Re ≈ 40 Iк мА

Принципова схема для резисторного аналізу буде такою

Rд1
Rк Сбл

VT2
VT1
Rд2 Свх

Сбл

Рис.16.4
Навантаження каскаду 1 є вхідний опір 2 каскаду.

Мета аналізу – встановити форму АЧХ каскаду з активним навантаженням при резисторному
живленні.
Ємність на вході Ср віднесено до попереднього каскаду

Ku
Ср

С вх +С вих +С монт

Кн Кв
f
fн fн

НЧ СЧ ВЧ

Рис.16.5
НЧ – нижніх частот
ВЧ – верхніх частот
СЧ – середніх
˜
¯ 
°
В широкій смузі частот можна виділити три характерних області формування АЧХ.
Область НЧ – це обл., в якій спад АЧХ зумовлений наявністю ємності Ср – розподільного
конденсатора

Область НЧ – ємність конденсатора така, що опір ±²³    , вводять КЗ.
´™µ¶
Із зменшенням частоти опір конденсатора зростає.Вихідна напруга VT1 на його
колекторі розподіляється між Хср та Rвх наступного каскаду.

Хср

Rвх Uвих

Рис.16.6
В області СЧ Хср вже настільки малий, що його можна не враховувати,а опір Хс вих, Хс вх,
Хс м все ще настільки малий, що їх теж можна не враховувати.
 Якщо знехтувати впливом Сбл на АЧХ, то в області СЧ в схемі будуть відсутні елементи
з частотно залежними параметрами (не будуть впливати). Тому в обл СЧ коефіцієнт підсилення
буде незмінним.
В області ВЧ – опори Хс вих, Хс вх, Хс м будуть зменшуватись із збільшенням частоти і
шунтувати на дуже високій частоті вихід каскаду.

Хс вих

Rвх

Хс вх
Хсм
Рис.16.7

Математичний аналіз частотної залежності К(f) можливий, вираз буде громіздким і складним
для аналізу. тому проведемо аналіз для трьох областей окремо.

Аналіз АЧХ в області СЧ

Еквівалентна схема для широкої області частот має вигляд

VT1
К
Б
Uвх Rб
Uп

Rк См Rд1 Rд2 Rвх Свх

Е
g22

Iк=S*Uп=S*Uвх
Рис.16.8

См – ємність контуру;

З цієї схеми ми отримаємотри різних схеми для областей НЧ, СЧ, ВЧ.
1) В обл СЧ Хср ≈ 0, Хс вих, Хс вх, Хс м всі вважаємо рівними .
На еквівалентній схемі базовий перехід VT1 не буде показано, оскільки матимемо
джерело струму з Ік≈S*Uвих, зі струмом колектора, пропорційним Uвх
 VT1

Iк=S*Uвх Uвих

Rк Rд1 Rд2 Rвх Свх •22

Rк
Рис.16.9

Rн = R22 || Rк || Rд || Rд2 || Rвх

Rвх

Uвих = Ік*Rн = S*Uвх*Rн Ко = S*Rн

Якщо позначити вхідний опір наступного каскаду Rвх і якщо R22>>Rк || Rн то R22 можна
хнехтувати (часто).
Тоді
Ко = S*Rн = S*(Rк||Rвх к-ду )
Rвх к-ду Rн
Ко = S*(Rк||Rн)

ЛЕКЦ1Я №17

Rекв
Cр

Iк=S*Uвх
g22=1/R22

rк Rд1 Rд2 Rвх

Рис.17.1
 ƒ;   GG ;
ƒ  ; ™  ƒ;  · ™  ™  ƒ;
В області високих частот:
O

  ƒ ™
] ƒ; /  O / †C,
 ~
¯  де O – коефіцієнт підсилення в області СЧ.

,

Cр
Rекв

е Rо Uвих

Рис.17.2
O

  ƒ ™
 ƒ; /  O
8

O 
ƒ

Rекв

е Rо

Рис.17.3
 O   & GG & GG 

 O ™ ] ƒ; /  O / †C, †C,

¯   ¸7 / 
 O /  ; ™  O  ƒ; /  O
7
 ¸7 / º
ª¹ ™ C, ™  ƒ; /  O ¬


¯  ]7 /
ª» ™C, ™Œƒ; Œ~ ¬^
(*)

Для розрахунку в області НЧ для будь-якого значення Мн, окремий випадок: який буде
співвідношення між Хср та (Rо+Rекв), якщо Мн=3дБ(1.41раз) або це відповідає
нерівномірності АЧХ -3дБ(рівень 0.7)

†C,
70p7  ¸7 /
 ƒ; /  O
†C,
7
 ƒ; /  O
†C,   ƒ; /  O
 При Мн=1.41 (-3дБ) або при нерівномірності АЧХ -3дБ. При нерівномірності АЧХ -3дБ
реактивний опір розділового конденсатора дорівнює сумі опорів: внутрішній опір джерела і
навантаження.

  ƒ; /  O
䪵,
Ці висновки можна поширити на вхідне коло транзисторного каскаду.
+
- Еж

Rекв(Rі) Cр

Rо(Rвх)
Рис. 17.4
Розрахунком Мн по входу ведуть окремо за формулами наведеними зверху, тільки Rекв –
внутрішній опір джерела сигналу, а Rо – повністю вхідний опір каскаду.
На практиці в області НЧ введуть не розрахунок Мн, а розрахунок Ср, при якому
забезпечується заданий рівень Мн.
З формули (*):
7
ž, ¼
( ™ ½™¾ ™  O /  ƒ; ™ ]¯ x 7

¿  ž, ™  O /  ƒ;

¯  ]7 /
‰™À ^

Kн
Ko
н

НЧ C f

Рис.17.5
Для того щоб зменшувати Мн, потрібно збільшувати ємність Ср.
 Аналіз АЧХ в області ВЧ.

Iк=SUвх
g22=1/R22
Cо=См+Ссх+Свих
rк Rд1 Rд2 Rвх

Rн=R22||Rk||Rд1||Rд2||Rвх

Рис.17.6
~
¯ 


Rн.зм

е Uвих

Рис.17.7
Для нормованих коефіцієнтів передачі, підсилення матимемо:
]” ^ †C~ ^ ” ^

¯  †C  ] / 7  ]7 / { ™ ‡ ™ žO
~ † C~ †C~ ^
]Á ^ _†C ^
~

¯  k7 / ‡ ™ Â , де Â  CO ™ {

Kв
Ko в

СЧ ВЧ f

Рис.17.8
При збільшенні постійної часу Â коефіцієнт частотних спотворень Мв зростає.
Зменшити Мв можна шляхом зменшення ємності Со: забезпеченням раціонального монтажу,
використання більш високочастотних транзисторів, з меншим значенням ємності. Як видно з
 формули зменшити Мв можна також збільшенням { , але при цьому зменшиться коефіцієнт

використати низькоомні значення {; Ã {& Ã { .

підсилення в області СЧ. Для розширення діапазону робочих частот вгору потрібно

:Ä6&>0   ™ T  ²Ÿ ¡
По цій причині в широкосмугових підсилювачах використовують велику кількість
каскадів з малим Ко.

каскаду, а потім перевіряють умову: ¯ Å ¯AÆD , якщо не забезпечується, то робити все

На практиці розраховують каскад в області СЧ і перевіряють значення Мн для кожного

заново.

Лекція №18

PШвих = PШвих.вл. + PШвих.зовн. = PШвих.вл. + К Р ⋅ PШвх.зовн.

РСвх
( )
Р Швх.зовн (с / ш) вх
N= =
Коефіцієнт шуму Р (с / ш) вих
( Свих )
Р Швих
N ≥ 1, при N = 1 маємо ідеальний підсилювач, який не шумить.
РСвх ⋅ Р Швих 1 Р Швих .вл + Р Швих . зовн
N= = ⋅ (*)
Р Швих ⋅ РСвих К Р Р Швих . зовн

Прийняті позначення:
РСвх - потужність вхідного сигналу;
РШвх.зовн - потужність шумів, які надходять ззовні, разом з сигналом;
РСвих та РШвих - відповідно вихідна потужність сигналу та шумів, при чому РШвих має дві
складові: потужність зовнішніх вхідних шумів, підсилених в Кр разів, та потужність власних
шумів підсилювача.

1 Р Швих . зовн 1 Р Швих .власн Р Швих .власн

= ⋅ + ⋅ =1+
з (*)N К Р Р Швих . зовн К Р Р Швих . зовн К Р ⋅ Р Швих . зовн (**)

По потужності РШвих.власн не можна судити про рівень власних шумів.

РШвх.власн - потужність власних шумів, приведена до входу.

 Р Швх.власн
з (**)N
=1+
Р Швх. зовн

Коефіцієнт шуму – це параметр, який характеризує рівень власних шумів підсилювача.

РШвх.зовн приймають рівною потужності шумів резистора, ввімкненого на вході підсилювача,
з опором рівним вхідному.

Модель реального
резистора

Rвх

R=Rвх

Pш

Рис 18.1
РШр - потужність шумів реального резистора з опором R, при чому в цій моделі опір вже не

шумить, його шуми відображені в РШр .

Потужність шумів можна знайти за формулою Найквіста:
РШр = kTПш

k = 1,38 ⋅ 10−23 Дж - стала Больцмана

К
Пш – ефективна (шумова) смуга підсилювача.
 К

АЧХ підсилювача
Кр

Спектр білого шуму

зі спектральною
щільністю Sшвх
f

Рис 18.2
РШвих = S Ш ⋅ П Ш ⋅ К Р
Р Швх.власн Р
N = 1+ = 1 + Швх.власн
Р Швх. зовн kTП ш
Цей вираз не використовується для розрахунку коефіцієнту шуму, бо його дуже легко
виміряти, за допомогою вимірювачів коефіцієнту шуму.
Активні елементи, ІМС характеризують коефіцієнтом шуму, це довідниковий параметр
який гарантується виробником.
Малошумні транзистори та ІМС мають коефіцієнт шуму 3...5 дБ.
Цей вираз використовують для визначення рівня власних шумів:
РШвх.власн = ( N − 1)kTПш
Але до входу підсилювача завжди під’єднаний вхідний опір джерела сигналу, який
також шумить, тому на вході підсилювача буде сума потужностей:
РШ = РШвх.вл + РШген = ( N − 1)kTПш + kTПш = kTПш N
∑ ВХ

Якщо на вхід підсилювача з рівнем вхідних шумів РШ подати сигнал з потужністю

∑ ВХ
РС = РШ
∑ ВХ , то на виході підсилювача співвідношення с/ш = 1.
Для характеристики співвідношення с/ш вводять коефіцієнт розсіювання
Р U
γ вих = Свих = ( Свих ) 2
РСвх U Свх
Якщо на виході підсилювача потрібно отримати С / Ш = γ то потужність сигналу має
становити РСР = γkTПш N , рівень цього сигналу називають реальною або обмеженою
шумами чутливість підсилювача.
Чутливість – мінімальний рівень вхідного сигналу при якому на виході підсилювача
отримують заданий рівень вихідного сигналу і задане співвідношення С / Ш = γ
Потужність РШ - порогова потужність при якій (С / Ш ) вих = γ = 1
∑
Ri

Rн
Ec

Чутливість в одиницях потужності вимірюють в основному в НВЧ пристроях; в

підсилювачах – в одиницях напруги.
( Ес / 2) 2 Ес 2
Рн = = при Rвх=Ri
Rвх 4 Rвх

ЕСР = γ 4kTП ш NRi - чутливість в одиницях напруги.

НЧ транзистори, ІМС частіше характеризують не потужністю власних шумів, а ЕРС шумів
приведених до входу в одиничній смузі (1Гц)
 В 
eш =   U Швл = eш.вл Пш
 Гц 