POLUPROVODNICI, P-TIP, N-TIP, PN SPOJ

Atomi su najsitnije čestice materije. Atomi su sastavljeni od još sitnijih čestica koje su raspoređene u
jezgru i omotaču. U jezgru (nukleus) se nalaze protoni i neutroni, a oko njega kruže elektroni. Protoni su
pozitivno naelektrisani, elektroni negativno, dok su neutroni neutralni. Električna naelektrisanja
protona i elektrona su, po apsolutnom iznosu, jednaka, ali su različitog znaka. Broj protona i elektrona
u atomu je isti i atom je električno neutralan.

Elektroni se kreću oko jezgra po putanjama koje se nalaze na određenim ljuskama. Posljednja ljuska se
naziva valentna i ona određuje da li je neki elemenat provodnik, poluprovodnik ili izolator. Ona inače
može da sadrži najmanje jedan, a najviše 8 elektrona. Ako se u posljednjoj ljusci nalazi 1-3 elektrona tada
je riječ o provodniku. Ako se u posljednjoj ljusci nalaze 4 elektrona tada je riječ o poluprovodniku, a ako
se u posljednjoj ljusci nalazi 5-8 elektrona tada je riječ o izolatoru.

Može postojati 7 ljuski i one se obilježavaju slovima K,L,M,N,O,P,Q ili brojevima 1,2,3,4,5,6,7. Ljuske se
još nazivaju i energetskim razinama.

K LMNOPQ
 Elektroni u posljednjoj ljusci su najviše udaljeni od jezgra i slabo su vezani za atom, i to naročito kod
provodnika. Ukoliko im se doda energija, mogu da se oslobode iz atoma. To se dešava elektronima
provodnika već na sobnoj temperaturi (na primer na 25 °C). Njihovo kretanje je obično haotično. Ako se
ovi slobodni elektrani usmjere u jednom smjeru, imamo njihovo usmjereno kretanje, odnosno struju.

Da li je neki element iz skupine izolatora, poluprovodnika ili provodnika (metala) može se odrediti i
pomoću tzv. Zonske teorije. Pojednostavljen prikaz je dat na gornjoj slici. Kod izolatora imamo veliki
energetski procjep između valentne i provodno zone. Valentnim elektronima koji se nalaze u posljednjoj
ljusci je potrebna ogromna energija kako bi „preskočili“ taj energetski procjep i prešli u provodnu zonu i
postali slobodni elektroni. Obzirom da je ta neophodna energija veoma velika zbog velikog energetskog
procjepa kažemo da je element izolator. Kod provodnika (metala) dolazi do preklapanja valentne i
provodne zone i valentni elektroni veoma lako se oslobađaju i prelaze u provodnu zonu kao slobodni
elektroni. Kod poluprovodnika je situacija takva da im je potrebna dodatna energija kako bi iz valentne
zone prešli u provodnu zonu, ali daleko manja nego kod izolatora i uz dodavanje primjesa poluprovodnici
mogu uz malu dodatnu energiju da dobiju slobodne elektrone tj. elektrone koji prelaze iz valentne u
provodnu zonu.
Valentna zona – Zona u kojoj su elektroni najslabije vezani za atomska jezgra naziva se valentnom zonom. Elektroni su
najjače vezani za atmoska jezgra u ljuskama najbližim jezgru, a najslabije u posljednjoj ljusci.

Slobodni elektron – Slobodni electron je onaj elektron koji je pod uticajem toplote, dodatne energije ili iz nekog drugog
razloga napustio valentnu zonu i prešao u provodnu zonu.

Šupljina – prazno mjesto koje je ostalo iza elektrona koji je napustio valentnu zonu naziva se šupljina. To je slično kao da je
ostala rupa u postolju sa kojeg smo pomaknuli neku kuglu. Obzirom da je elektron negativno naelektrisan i da je napustio
svoje mjesto ostavljajući šupljinu onda za šupljinu kažemo da je pozitivno naelektrisana.

Haotično kretanje – kretanje slobodnog elektrona bez ikakvog reda i smjera.

Struja – suprotno od haotičnog kretanja, kada se elektroni kreću usmjereno kažemo da imamo struju jer struja je
usmjereno kretanje naelektrisanih čestica.

Pozitivni i negativni jon i jonizacija – zbog jednakog broja protona (pozitivno naelektrisanih čestica) i elektrona (negativno
naelektrisanih čestica), atom je u električnom smislu neutralan i ako se desi situacija da ga napusti jedan elektron koji je
negativno naelektrisana čestica, tada u atomu imamo više pozitivno nego negativno naelektrisanih čestica i atom postaje
pozitivni jon, a process se naziva jonizacija. Suprotno tome, ako atom dobije dodatni elektron tada on postaje negativni
jon.
Sopstveni poluprovodnici

Kod čistih poluprovodnika, pri temperaturi apsolutne nule, elektroni u valentnoj zoni nemaju dovoljnu
energiju da pređu u provodnu zonu. Međutim, dovođenjem energije spolja (toplota, svjetlost,...), neki
valentni elektroni bivaju sposobni da pređu u provodnu zonu. Napuštajući valentnu zonu, ovi elektroni
za sobom ostavljaju nepopunjenu vezu - šupljinu, koja se može tretirati kao elementarno pozitivno
naelektrisanje.

Neki drugi elektron, koji je također napustio atom, sada može da popuni ovu šupljinu. Šupljinu može
popuniti i neki od susjednih valentnih elektrona, ostavljajući za sobom opet novo mjesto, odnosno novu
šupljinu. Proces popunjavanja šupljina naziva se rekombinacija. Iz ovoga slijedi da su smjerovi kretanja
elektrona i šupljina su suprotni. Broj elektrona i šupljina u poluprovodniku je jednak i naziva se
sopstvena koncentracija elektrona, odnosno šupljina.

Električna provodnost čistih poluprovodnika je jako mala. Zbog toga se, u praktičnim primjenama,
koriste, ne kao čisti, već sa dodatkom drugih elemenata, koji se nazivaju primjese, i koji
poluprovodnicima daju drugačije osobine.

Silicij i Germanij

Modeli atoma silicija i germanija su dati na slici. Sa slike je vidljivo da i silicij i germanij u posljednjoj ljusci
imaju četiri pravilno raspoređena valentna elektrona. Zbog tog razloga nazivaju se četverovalentni
elementi. Da imaju pet elektrona u posljednoj ljusci bili bi peterovalentni ili da imaju tri elektrona u
posljednjoj ljusci bili bi trovalentni.

Atom silicija Atom germanija

Silicij i germanij imaju pravilnu strukturu kristalne rešetke, a provodnost im potiče od dva faktora, a to su
kretanje elektrona i kretanje šupljina. Slobodni elektroni se kreću prema pozitivnom potencijalu izvora, a
šupljine prema negativnom potencijalu.

Na slici je prikazan model kristalne rešetke silicija i radi lakšeg razumjevanja prikazani su samo po 4
elektrona u posljednjoj ljusci dok je ostatak atoma prikazan ljubičastom bojom. Svaki od ova 4 elektrona
je par sa nekim od 4 elektrona drugog atoma silicija u kristalnoj rešetci i kažemo da oni čine kovalentnu
vezu i na taj način održavaju strukturu kristala. Ako bi neki od ovih elektrona postao slobodan elektron
na njegovom mjestu ostala bi šupljina koja bi se popunila nekim drugim slobodnim elektronom iz nekog
drugog atoma silicija koji se nalazi u kristalnoj rešetci. Može se zamisliti da se slobodni elektroni kada
napuštaju atom počinju haotično i bez reda kretati između atoma unutar kristalne rešetke i kada dođu u
blizinu atoma koji ima šupljinu atom ih privuče i oni popune tu šupljinu čineći opet kovalentnu vezu sa
elektronom iz susjednog atoma. Ovi procesi se odvijaju ogromnim brzinama pa imamo utisak da se osim
elektrona kreću i šupljine, ali u suprotnom smjeru.

Primjesni poluprovodnici

Kao što i sama riječ kaže, primjesni poluprovodnici su oni poluprovodnici kojima su dodane određene
primjese. Primjese se poluprovodnicima (u kristalnu rešetku) dodaju kako bi se povećala njihova
provodnost. Dodavanje primjesa poluprovodniku naziva se dopiranje.
Ako poluprovodniku dodajemo peterovalentnu primjesu tada se te primjese nazivaju donori jer doniraju
elektron viška. Donori dolaze u kristalnu rešetku sa pet valentnih elektrona. Četiri valentna elektrona
grade kovalentne veze sa susjednim atomima poluprovodnika (silicija npr), a peti elektron je
„neraspoređen“ i može se reći višak koji je zbog nepostojanja elektrona u susjednim atomima sa kojima
bi gradio kovalentnu vezu, veoma slabo vezan i uz malu energiju može postati slobodan elektron. Dakle
donori su primjese koje doniraju elektron viška.

Ako poluprovodniku dodajemo trovalentnu primjesu tada se te primjese nazivaju akceptori jer imaju
jedno nepopunjeno mjesto spremno za prihvatanje elektrona. Akceptori dolaze u kristalnu rešetku sa
tri valentna elektrona. Tri valentna elektrona grade kovalentne veze sa susjednim atomima silicija, a
jedno prazno mjesto ostaje za prihvatanje nekog slobodnog elektrona. Zbog toga što imaju mogućnost
prihvatanja elektrona nazivaju se akceptori od engleske riječi accept što znači prihvatiti.

Peterovalentni elementi (donori) su elementi koji imaju pet valentnih elektrona u svojoj valentnoj zoni i
neki od tih elemenata su arsen, fosfor, antimon... Dakle, ovi elementi imaju elektron viška u odnosu na
silicij kojem se dodaju kao primjesa jer silicij je četverovalentni element i ima četiri elektrona u valentnoj
zoni.

Trovalentni elementi (akceptori) su elementi koji imaju tri valentna elektrona u svojoj valentnoj zoni i
neki od tih elemenata su aluminij, indij, bor... Dakle, ovi elementi imaju jedan elektron manje u odnosi
na silicij kojemu se dodaju kao primjesa jer silicij je četverovalentni element i ima četiri elektrona u
valentnoj zoni.

Količina primjesa je veoma mala u odnosu na broj atoma poluprovodnika ali je daleko veća od
sopstvene koncentracije nosilaca u poluprovodniku.

Poluprovodnik N-tipa

Poluprovodnik N-tipa je onaj poluprovodnik kojem

su dodane peterovalentne primjese tj. primjese koje
doniraju elektron viška, a kako je elektron čestica sa
negativnim naelektrisanjem otuda i naziv N-tip
poluprovodnika (negativni). Na slici je prikazan atom
fosfora okružen atomima silicija i vidi se da su četiri
elektrona fosfora izgradili kovalentne veze sa
elektronima iz susjednog atoma silicija, ali da je peti
elektron ostao nepovezan. Takvom elektronu je
potrebna veoma mala energija da napusti valentnu
zonu i postane slobodan elektron. Kod poluprovodnika N-tipa elektroni su većinski nosioci naelektrisanja
što proizilazi iz činjenice da je kroz primjesu uneseno dosta elektrona koji su ostali nepovezani (peti
elektron viška). Kod N-tipa poluprovodnika šupljine su manjinski nosioci naelektrisanja. Poluprovodnik
N-tipa je električki neutralan.
Poluprovodnik P-tipa

U kristalnu strukturu poluprovodnika može se također

unijeti neka trovalentna primjesa, kao na primer
atomi bora. Način vezivanja trovalentnog atoma u
kristalnu strukturu poluprovodnika prikazan je na slici.
Atom bora stvara tri kovalentne veze i jednu
nekompletnu, jer u njoj nedostaje jedan elektron.
Mjesto ovog elektrona u kristalnoj strukturi se naziva
šupljina. Ova šupljina se može popuniti ako se iz
susjedne veze "uzme" jedan elektron, tako da se prva
nekompletna veza popuni. Na mjesto novostvorene
šupljine može da dođe novi elektron itd. Kretanje ove
šupljine predstavlja posredno kretanje elektriciteta jer
se u jednom smjeru kreću elektroni, a u suprotnom šupljine. U ovakvom poluprovodniku šupljine čine
većinske nosioce elektriciteta, a elektroni manjinske nosioce elektriciteta. Šupljine su pozitivne pa se
ovakav poluprovodnik naziva poluprovodnik P-tipa. Poluprovodnik P-tipa je također električki neutralan.

PN SPOJ – nepolarizovani

N-tip i P-tip
Poluprovodnika
prije spajanja

Fizičkim spajanjem p-tipa i n-tipa poluprovodnika nastaje PN spoj koji u elektronici predstavlja osnovni
element za izgradnju poluprovodničkih komponenti. Mjesto na kome se prelazi iz jednog u drugi tip
poluprovodnika, odnosno površina dodira polupropvodnika n-tipa i p-tipa naziva se metalurški spoj.
U trenutku nastajanja PN spoja, slobodni elektroni iz n-tipa poluprovodnika počinju da prelaze u p-tip
poluprovodnika, gdje se u blizini metalurškog spoja rekombinuju sa šupljinama. Odlaskom slobodnih
elektrona iz n-tipa ostaju nepokretni donorski joni koji su koncentrisani uz metalurški spoj. Slično kao što
se koncentracija slobodnih elektrona smanjuje u n-tipu poluprovodnika tako se smanjuje i koncentracija
šupljina u p-tipu poluprovodnika. Zbog toga će se u p-tipu poluprovodnika neposredno uz metalurški
spoj koncentrisati negativni akceptorski joni. Sloj pozitivnih donorskih jona i sloj negativnih akceptorskih
jona zajedno čine osiromašenu oblast.

Pojam osiromašena oblast se odnosi na činjenicu da je zbog procesa spajanja (prelaska elektrona i
šupljina) oblast nastala oko metalurškog sooja ostala osiromašena od slobodnih nosilaca naelektrisanja.
Nakon spajanja p-tipa i n-tipa poluprovodnika slobodni nosioci naelektrisanja će početi prelaziti iz jednog
u drugi tip poluprovodnika. Za vrijeme prelaska, osiromašena oblast se postepeno širi sve dok se ne
postigne ravnoteža kada slobodni nosioci naelektrisanja prestaju sa prelaskom.

Nakon što je osiromašena oblast formirana slobodni nosioci naelektrisanja (šupljine u p-tipu i elektroni u
n-tipu) će biti koncentrisani u blizini osiromašene oblasti. Iako su koncentrisani oko osiromašene oblasti
one neće moći prelaziti kroz osiromašenu oblast. Kod osiromašene oblasti prisutno je pozitivno
naelektrisanje u n-tipu poluprovodnika i negativno naelektrisanje u p-tipu poluprovodnika, tako da će
pod uticajem sile između ovih naelektrisanja da se pojavi električno polje (Kulonov zakon). Upravo će
električno polje blokirati prelazak slobodnih nosilaca naelektrisanja. U ovom slučaju osiromašena oblast
za slobodne nosioce naelektrisanja predstavlja prepreku tzv. potencijalnu barijeru. Veličina potencijalne
barije je približno 0,7 V za silicij i 0,3 V za germanij.

Ukratko: