00172460901IE05S11006336Aplicacion de Los Diodos

ESQUEMA DEL CAPITULO 2A Introduccion 2.2 Anilisis por media de la recta de carga 23. Configuraciones de diodos en serie 24 Configuraciones en paralelo y en serie-paralclo 25. Compuertas AND/OR 2.6 Entradas senoidales; rectficacién de media ‘onda 2.7 Rectficacién de onda completa 28. Recortadores 29 Sujetadores 2.10 Diodos Zener 2.1L Circuitos multiplicadores de voltaje 2.12 Aplicaciones précti 2.13 Resumen OBJETIVOS DEL CAPITULO ‘¢ Entender el concepto del analisis por medio de rectas de carga y e6mo se aplica a redes de diodos ‘¢ Familiaizatse con el uso de circuits eg valentes para anaizarredes de diodos en serie, en paralelo y en sere-paralelo. ‘© Entender el proceso de rectficacin pa eslablecer un nivel de ed desde una entrada senoidal de ca ‘8 Ser capax de predecir a respuesta de salida de una configuracién de diodo como recortador y sujetador, ‘¢ Familiarizarse con el andisis y Ia gama de aplicaciones para diodos Zener, 2.14 Anilisis por computadora 2.1__ INTRODUCCION En el capitulo se presentaron la construccién, las earacteristicas y los modelos de diodos semiconductores. Ahora conocetemos el funcionaimiento del dioda en varias configuraciones, usilizando modelos adecuados al Area de aplicacién, Al final del capitulo deber4 entender con claridad el patrén de comportamicnto fundamental de los diodos en reds de ed y ca. Los eon- ceptos que aprenda en este capitulo tendrén una aplicacién en los siguientes: por ejemplo, que ls diodos se emplean con frecuencia en la descripci6n de la construcci6n bésica de ansistores yy encl andlsis de redes de tansistores en los dominios de ed y ca [Exe capitulo muestra un interesante y muy iil aspecto del estudio de un campo como el de ls sistemas y dispositivos electrnicos Una vez que se entienda el comportamiento bésico de un dispositive, se pueden examinar su Jfuncionamiento y respuestas en una infinidad de configuraciones. En otras palabras, ahora que tenemos un conocimiento bisico de las caraterstias de un dio- 4o junto con su respuesta a voltajesy corrientes aplicados, podemos utilizarlo para examinar una amplia variedad de redes. No es necesario analizar de nuevo la respuesta del dispostiv para ca da aplicacién En general:APLICACIONES DEL DI0D0 Elanilisis de circuitos electrénicos puede seguir uno de dos caminos: utilizar las caracte- ‘isticas reales, o aplicar un modelo aproximado para el dispositivo. Para el anlisis inicial del diodo incluiremos sus caracterfsticas reales para mosttar con cla. ‘ida cémo interactéan las caracteristicas de un dispositive y los pardmetros de la red. Una vez «que haya confianza en los resultados, se empleari el modelo por segmentos aproximado para ve- rificardichos resultados wilizando las caracterssticas completas. Es importante entender el rol y lareepucstade varios elementos de un sistema eleciénico para no tener que recurrr continu ‘mente a procedimientos mateméticos largufsimos. Esto en realidad se logra por el proceso de aproximacién, el cual puede llegar a ser una habilidad para usted, Aunque los resultados obtenidos por medio de las caracteristicas reales suclen ser algo diferentes de los obtenidos median~ te una serie de eproximaciones, tenga en cuenta que las caracteristicas obtenidas de una hoja de especificaciones pueden ser ligeramente diferentes de las del dispositive en uso, En otras pala bras, por ejemplo, las earacteisticas de un diodo semiconductor IN4001 pueden vatiar de un, elemento al siguiente en el mismo lot, La variacién puede ser leve, pero bastaré pata jusificar Jas aproximaciones empleadas en el andlisis. También considere los dems elementos de la red, {El resistor marcado como de 100 es exactamente de 100 £27 {El vols aplicado es exacta- eral de «que una respuesta determinada mediante una serie apropiada de aproximaciones puede ser“ ‘mente de 10 ota vez de 10.08 V? Todas estas toleruncias contsibuyen ala eveencia ge precisa” como una que emplee todas las caractersticas. El énfasis de eae libro estéen saber c6- con lo cual se evita el ni ‘mo funciona un dispostivo por medio de aproximaciones apropia vel innecesario de complejidad matemética. No obstante, en caso de requertlo, se darin suli- cientes detalles para realizar un anslisis matemtico fondo, 2.2__ANALISIS POR MEDIO DE LA RECTA DE CARGA El circuito de la figura 2.1 es la més sencilla de las configuraciones de diodo, y serviré para des- stibir el anaiss de un eireito con un diodo empleando sus caracteristicas reales. En la siguiente secci6n teemplazaremos las earactefsticas por un modelo aproximade del diado y comparare~ mos las soluciones; la del circuito de la figura 2.1 se reduce a detezminar los niveles de corriente y voltaje que satisfagan, al mismo tempo, tanto las caracterfsticas del diodo como los parémetros teleccionados de la red Iya) 3 Vow © FIG.2.1 Configuracisn del diodo en sere: (a) circuito;(b)caracterfsticas nla Gigura 2.2 las caractersticas del diodo se colocan en el mismo sistema de ejes como una linea recta detinida por los pardmetros de la red, la cual se llama recta de carga porque la carga aplicada R define la intersecci6n en el ee vertical. Por consiguiente, el andlisis a seguir se ls ma andlisis por medio de a recta de carga, La interseccién de las dos curvas definré la solucién ‘para la red, asf como los niveles de corviente y voltje ‘Antes de revisar los detalles del trazo de le recta de carga en Ia gréfica de caraceristcas,tenemos que determinar la respuesta esperada del circuit sencillo de la figura 2.1, Observe en esta figura que el efecto de la “presién” establecida por la fuente de ed es establecer una corriente convencional en la direcei6n indicada por la flecha en el sentido de las manecilas del reloj. EL hecho de que la dizeccién de esta cortiente sea la misma que la de la fecha que apazece en el_- Caratriticas (spo) panto 2 Recta de carga ed) FiG.2.2 rao de la recta de carga y determinacién del punto de operacin sfmoto del diodo revela que éste esté“encendido” y que conducira un alto nivel de coztiente. En otras palabras el voltae aplicado produjo una situavién de polarizacién en directa. Con la irecciGn de la coriente establecida. las polaridades del voltaje através del diodo y el resistor se pueden superponer. La polaridad de Vp y a dreccién de Jp revelan con clardad que el diodo sf se encuentra en estado de polarizacin en directa lo que produce un vollaje a través del dic- do de aproximadamente 0.7 Vy una corriente de 10 mA o mis. Las intersecciones de la recta de carga con las caracterfsticas de la figura 2.2 se determinan, aplicando primero Ia ley de votajes de Kirchhotfen el sentido de las manecillas del rele, lo que dda por resultado HE-Vp~Va=0 ° E=Vo+ bok Q.1) Las dos variables de la ecuacién (2.1), Vp € Ip som las mismas que las de diodo que aparecen cen los ejes de la figura 2.2. Esta semejanza permite graficar la ecuacién (2.1) en las mismas caracteristicas de la figura 2.2, Las intersecciones de la recta de carga con las earacteristicas se determinan fcilmente sabien- 4o que en cualquier parte del eje horizontal = 0 A, y que en cualquier parte del eje vertical Vp = OV. Si establecemos que Vp = OV en la ecuaci6n (21) y resalvemos para fp, obtenemos la magni- {ud de fp en el eje vertical Por consiguiente, con Vz, = OV, la ecuacién (2.1) se vuelve E=Vp+IoR =OV+LR (2.2) ‘como se muestra en la figura 2.2. Si establecemos que Ip = 0 en la ecuacién (2.1) y resolvernos para Vp, obenemos la maznitud de Ven el ee honzantal,Porconsiguient, con [p= O, nec cin 21) se vuelve B= Vo + IR = Vp + (OA)R y Vo = Elinoa. (2.3) como se muestra en Ia figura 2.2, Una lines recta trazada entre los dos puntos definieé Ia recta 4 carga como se iustra en la figura 2.2 Si cambia el nivel de R (la carga) Ia interseccién con cleje vertical tambign lo hard, El resultado ser4 un cambio de la pendiente de a recta de carga {yun punto de interseccidn diferente entre éstay las caractertsticas del dispositivo. Ahora tenemos una recta de carga definida por la curva dela red y la curva de las earacterfs- tivas definidas por el dispositive. El punto de interseccién entre las das es el punto de operacién de este circuito, Basta (raza una linea hasta el je horizontal para que podamos determinar el ANALISIS POR MEDIO. 61 DE LA RECTA DE CARGA62 APLICACIONES DEL DI0D0 voltaje del dodo Vp,, en tanto que una linea horizontal desde el punto de interseccién hasta el je vertical proporcionars cl nivel de Ip,..Lacorriente fp ¢s en realidad la que circu através de toda la configuracién en serie de la figura 21a, En general, el punto de operacién se ama pun- fo quiescente (abreviado “punto Q”) para reflejar sus cualidades “Bj, inamovibles” como de- ‘nidas por una red de ed. La solucign obtenida en la interseccién de las dos curvas es la misnaa que se obtendtia por ‘medio de una solucién matemtica simultinea de E_ Vo n= EM aeivadadetace. 2.0] y Iy= Hee" — 1) ‘como se demuestra més adelante en esta seccién en un ejemplo de Mathcad. Dado que la curva, de un diodo tiene caracteisticas no lineales, las matemsticas implicadas requieren el uso de tée~ hicas no lineales que sobrepasan las necesidades y el alcance de este libro. El anélisis por medio de a recta de carga antes descrito permite obfener una solucién con un esfuerzo minimo ¥ ‘una descripeién “pictorica” de la razén por la cual se obtuvieron los niveles de Vp, y Tp, EL ejemplo siguiente demuestra las técnicas antes presentadas y revela cudn fécilmente se puede ‘azar la recta de carga uilizando las ecuaciones (2.2) y 2.3) BJEMPLO 21 Para a configuracién del diodo en sevie de la figura 2.5, que emplea las carac- leristicas de a figura 2.3b, determine: & Ve, ¥ log b Vy + o FiG.23 (a) Ciruito:(b caracterisicas Sotucién: 1-2 tov & Bewaeién(22 Io“ Rl Osea Ecuacién (23): Vp = Elon = 10V Larecta de carga resultant aparece en la figura 2.4 La inerseccidn entre la recta de carga y lacurva de las caracteristicas define el punto @ como Vp, = 0.78V 18SmA El nivel de Vp es ciertamente una estimacién y la eseala seleccionada limita la precisién de Jp. Un mayor grado de precision requerita una grfica mucho més grande y tal vex comple- jade mancjax, b. Vy = Ip = Ip,R = (18.5 mA)(1kQ) = 18.5VReciade cares “ FIG.2.4 Solucién para el gemplo 2.1. Como se sefal6 en l ejemplo anterior, la red aplicada determina la recta de carga en tanto {que el dispositive elegido define las caracteritias. Si recurrimos a nuestro modelo aproxima- o del diodo y no tocamos la red la recta de carga sera exactamente la misma que se obtuvo en cLejemplo anterior. De hecho, los dos ejemplos siguientes repiten el andisis del ejemplo 2.1 con el modelo aproximado para comparar los resultados. Dr pee re ee rere EJEMPLO 22 Repita el ejemplo 2.1 uliizando el modelo equivalente aproximado del diode semiconductor de siicio, Solacién: 1a recta de carga se trazé de nuevo como se muestra en la figura 2 y con las mismas intersecciones definidas en el ejemplo 2.1. En la misma grica también se trazaron las caracteristicas del circuito equivalente aproximado del diado. El punto @ resultante es Vp, = 0.7 18.5mA Tog 2185 mA, FG.25 Solucién para el ejemplo 2 uilizando el modelo aproximado del diodo. Los resultados abtenidos en el ejemplo 2.2 son muy interesantes. El nivel de Jp, es exacti- ‘mente igual al que se obtuvo en el ejemplo 2.1 por medio de una curva de caracteristicas que e& ‘mucho mas feil de azar que la que aparece en la igura 2.4, Tanto Vp = 0.7 V en ese ejemplo, como 0.78 V del ejemplo 2.1, differen s6lo en las centésimas, pero sin duda son valores muy cercanos si comparamos sus magnitudes con las de los demés voltajes de la red ANALISIS POR MEDIO. 65 DE LA RECTA DE CARCA,64 APLICACIONES DEL DI0D0 En el ejemplo siguiente vamos un paso més alléy sustituimos el modelo ideal Los resulta ‘dos rvelaran las condiciones pars aplicar el equivelente ideal apropiadamentc BEMPLO 23 Repita el ejemplo 21 utilizando el modelo de diodo ideal. Solucién: Como se muestra en la figura 2.6, la recta de carga es la misma aunque ahora las e2- racteisticasidedles cortan la reota de carga en ele vertical. Por consiguiente, el punto Q est definide por Ho a) Puno @ Recta de cag a BO FIG.2.6 Solucién para el ejemplo 2.1 uilizando el modelo ideal del diode, Los resultados son lo bastante diferentes de as soluciones del ejemplo 2.1 como para comprome- ler su precisin, Cieramente, proporcionan un indicio del nivel dl voltsje y comtiente esperados con respecto a los dems niveles de voltje de Ia ted, pero el esfuerzo adicional de s6to incluir Ia desviacién de 0.7 V indica que el procedimiento del ejemplo 2.2 es més apropiado. Por consiguiente, el uso del modelo de diodo ideal debers reservarte para cuando el diodo sca més importante que los niveles de vollaje que difieren en décimas de vollaje y en situaciones en que los voltajes aplicados sean considerablemente mayores que el voltae de umbral Vy En las iguientes secciones se emplearé s6lo el modelo aproximado puesto que los niveles de voltaje obtenidos serin sensibles a variaciones préximas a Vz. En secciones posteriores se empleari el modelo ideal con més frecuencia en vista de que los votajes aplicados serin algo _mayores que Vx, pues pretendemos asegurammos de que el rol del diodo se entienda con clara y comectament, ‘Ahora utilizaremos Mathead para stu do y la red de la figura 2.7 Las caracteristicas del diodo estn definidas por In = 1 (e%#*" — 1) = 1opAa etm" — 1) En la ecuacién del diodo se eligi el valor de L5 para ma finde establecer las caractertsticas ‘que concuerden mejor con las unidades comerciales. El efecto del incremento de nes el desplazamiento de las caratersticas hacia la derecha, ‘Aplicando la ley de voltgjes de Kirchhoff alrededor de la malla tenemos E = Vy ~ Vg = OPE = Vy = IgE = Vp ~ Jy y resolviendo para la cortiente en el diodo obtenemos E-Vy_E_ Mo tineas definidas por el dio- by 10V Vo by ~O5ka ~ O5kDa >t 1 e rev ag ok ‘Beuacida de la red seas ~ | ~Caracteristicas del diodo wea \. te od ® » ° FG.2.7 eterminacién del punto de operacién defnido por las caracteisticas de wn diodoy la red. (a) Red: (b)selucin grifica;(e)soluciin por computadora Como ahora tenemos dos ecuaciones y dos inc6gnitas Uy y Va). podemos resolvedlas con ‘Mathcad como sigue ‘Cuando se utiliza Mathcad para resolver ecuaciones simulténeas, hay que suponer un valor para cada cantidad para guiar a la computadora en su proceso iterativo, En otras palabras, la ‘computadora prucha varias soluciones y se dirige hacia la soluci6n real en respuesta a ls resultados obtenidos. En nuesia situacin las suposiciones inciales para ID y VD fueron 18 mA y 0.7 V respective ‘mente, como se muestra en la parte superior de la figura 2.7e. Luego. después dela palabra Given (equeridos), se ingresan las dos ecuaciones con el signo igual obtenido con Ctel =. Observe atr- vés de la figura 2.7e que se aplican unidades a los valores supuestosy a todas las ecuaciones: un requerimiento para que los resultados también tengan unidades. Observe, sin embargo, que los valores supuestosy las ecuaciones pueden ullizarpretijos, como en ma y KD, pero la respuesta siempre aparecerd en un formato de potencia de 10. Tecles Find(1D,D) para indica a la compu {adora lo que debe determinar. Una vez que se ingresa el signo igual, los resultados aparecen como se muestra en la figura 2.7e y come los corrobora la figura 2.7b, Ip = 18.34 mA y Vp = O83. En a seccién anterior vimos que los resultados abtenidos con el modelo equivalente lineal por segmentos fueron bastante parecidos, si no es que iguales, ala respuesta abtenida con todas las caracteristicas. De hecho, si consideramos todas las variaciones posibles debido a telerancis, temperatura, etc, cieramente podria pensarse que na solucién es “tan precisa” como la otra Co- ‘mo el uso del modelo aproximado normalmente implica poco gasto en empo y esfuerzo para ‘obtener los resultadas deseados, es el procedimienta que se emplearé en este libro a menos que se especifique lo contatio, Recuerde To siguien Elpropésit principal de este libro es desarrollar un conocimiento general del comportamien- ‘o, cantidades nominales y posibles éreas de aplicacién de un dispositivo de modo que se reduzca al minimo la necesidad de desarrollos matematicos extensos. En todos los andliss de este capitulo supondremas que En general, la resistencia en directa del diodo es tan pequena comparada con los demés elex ‘mentos de la red, que puede ser omitida. 4Estaes una aproximaci6n valida en la mayorta de las aplicaciones que emplean diodas. Si se usliza este hecho se obtendrin equivalentes aproximados del diodo de silcio y el diodo ideal {que aparecen on la tabla 2.1. Para la tegi6n de conducci6n la tnica diferencia ente cl diodo de silicio y el diodo ideal es el desplazamiento vertical de las caracterisiea, el cual se toma en. cuenta en el modelo equivalente con la inclusién de una fuente de ed de 0.7 V que se opone a la ireceida de la corrienwe en directa que circu a través del dispositivo. Con vollajes menores {gue 0.7 V para un diodo de silicio y de 0V para un diodo ideal, la resistencia es tan alta compa- ada con otros elementos de lared que su equivalente es el ercuito aberto. 666 APLICACIONES DEL DI0D0 St ¥ FiG.2.8 Configuracién del diodo en serie TABLA21 Modelos aproximado e ideal del diodo semiconductor Sits Mo ore torve a ral Ts e tas Para un diodo de Ge el voltae desplazado es de 0.3 V y para un diodo de GaAs es de 1.2V. No obstante las redes equivalentes son las mismas. Para cada diodo aparece la etiqueta Si, Ge 0 GaAs junto con el simbolo del diodo, Para redes con diodas idesles el simibolo aparece como se muestra en la tabla 2.1 sin etiquetas Ahora se uilizatin los modelos aproximadas para investiga varias configuraciones de dio dos en serie con entradas de ed. De este modo se establecersn los fusdamentos en el anslisis de diodes que se uilizara en scciones y capstulos siguientes. El procedimiento deserito, de hecho, se puede aplicar aredes con cualquier nimero de diodos en diversas configuraciones. \erminan los pardmetzos restantes de la re. En general, un diodo esté “encendido” sila corriente establecida por las fuentes aplicadas es tal que su direccién concuerda con la de Ia flecha del stmbolo del diodo y Vp = 0.7 V para silicio; Vp = 0.3 V para germanio, y Vp = 1.2 V para arseniuro de gaio. En cada configuracién, reemplace mentalmente los diodos con elementos resistives y observe la direccién de la corrienteresultante como la establecen los vollajs aplicados ("pre sin"). Sila direccién resultante “concuerda’ con la flecha del simbolo del diodo, habri con- dduccién a través del diodo y el dispositivo estaré“encendido”. La descripcién anterior, desde Juego, es valida si el voltae dela fuente es mayor que el voltaje de “encendido” (V,) de cada diode Situn diodo ests “encendida”, se puede colocar una caida de voltaje de 0:7 V através del elemento, o volver a trazat la red con e crcuto equivalente Vi cam se define en la tabla 2.1. Andan- do el Uempo quia s6lo se pretiera inclir la caida de 0.7 V a aves de cada diodo “encendido” y se race una linea a través de cada diodo “apagado” o abierto. Inicialmente, sin embargo, se Uilizard el método de sustituci6n para asegurarse de que se determinen los niveles de coniente ¥ voltae apropiados. Se uilzaré el ctcuito en serie dela figura 2.8 descrito con alin detalle en la seccién 2 2 para demosrar el procedimiento descrto en los pétrafos anteriores. Primero se determina el estado del diodo reemplazéndolo mentalmente con un elemento resistivo como se muestra en la figura 2.9a, La direccién resultant de coincide con la flecha de simbolo del diodo y como E > Vx el todo esté“encendido”. Luego se vuelve a trazar la red como se mesa en Ia figura 2.9b con 1 modelo equivalente apropiado del diodo de silicio polarizada en directa, Observe, para futCONFIGURAGIONES 67 7, DE DI0005 EN SERIE @ o FIG.2.9 (a) Determinacin del estad del diodo deta figura 2.8; (b)sutvucion del modelo equivalent por el diodo “encendido” de In figura 29a ras referencias, que la polaridad resultante de Vp es la misma que si el diode fuera un elemento resstivo. Los niveles de voli y corrieate resultantes son éstos: WV 24) Vp=E- Vy (2.5) Ve == (2.6) En a figura 2.10 se invir6 el diodo de fa figura 2.7. Reemplazando mentalmente el diodo ‘con un elemento resistive como se muestra en la figura 2.11 se pone de manifesto que la direc cign tesultane de la cortiente no coincide con Ia flecha del simboto del diodo. El diodo esta “apagada” y el resultado es el citcuito equivalente dela figuta 2.12. Debido al ciccuito abicrto, la contiente a través del diodo es de 0 A y el voltae a waves de R es el siguiente: Vp = Ink = IR = (OA)R = 0V ss a Yor —— ee 5. gots 3 ‘ Laley de voliajes de Kitchholf define el hecho que Vj = OV establece E vols a través dl circui- {o abierto, Siempre tenga en cuenta que en cualesquier circunstancias, ed, valores instantsneos deca, pasos, et, ja ley de voltjes de Kirchhoff se debe cumplir! EJEMPLO 2.4. Para la configuracin de diodos en sere de la figura 2.13, determine Vp, Vp € Ip. Solucién: Como el votajeaplicado establece una cortiente en el sentido de las manecillas del reloj para que coincida con la flecks del s{mbolo y el dodo esté “encendid Vp = O7V Vn E RQ 22 40 Vy Vp =8V-07V=73V Ve 73V FIG. 2.13, b= =v 332m 3 b= Is Ro 22k0 2 Circuito del ejemplo 2.4.68 APLICACIONES DEL DI0D0 wosv tof si rst + RQi2K0 Wy FIG. 2.16 Circuito del diodo en serie del ejemplo 2.6. Dp BJEMPLO 25 Repita el ejemplo 2.4 con Ia corrente invert (sentida contzaric) ‘Solucién: Si climinamos el diodo vemos que la direccién de Fes opuesta ala flecha del sim- holo del dioda y el equivalente de éstees el cicuito abiert, sin tener en cuenta el modelo que se emplee. Hl resultado es la red de la figura 2.14, donde fy = 0 A. debido al circuito abierto Como Vp (O)R = 0 V. Aplicando la ley de voltjes de Kirchhott alrededor de la mala, E-~Vp~Ve=0 y E-Vg= E- av FIG. 2.14 Determinacién de las canidades desconocidas para el ejemplo 2.5 En particular, observe en el ejemplo 2.5 el alto veltje a través del diodo aun cuando esti ‘apagado”. La cortiente es cero, pero el voltae es significative. Para propésitos de repaso, ten ga en cuenta que, en el andlisis siguiente: Un circuit abierto puede tener cualquier voltae através de sus terminales, pero la corriente siempre es de 0 A Un cortocircuito tiene una caida de voltae a través de sus terminates, pero la red circundante limita la corriente. Enel ejemplo siguiente se emplearé la notaci6n de la figura 2.15 para el voltae aplicado, de uso comin en Ja industria y con La eual hay que familiarizarse. Tal notaci6n y otzos niveles de voltae definidos se abordan més a fondo en el capitulo 4 B=t0VO —& pu10v FIG. 2.15 Notacisn original, [cr seer nserver ae nr JEMPLO 26 Paral configuracin de diodos en serie dela figura 2.16, determine Vp, Vz ly Soluciéa: Aun evando la “presién” establece una comrente con la misma dreecién de la fecha {el simbolo, el nivel del voltae apiado es insuficiente para “encender” el diodo. El punto de operacion en la curva de caracteristicas se muestra en Ia figura 217 yestablece al circuito abier- to equivalente como aproximacién apropiada, como se muestra en la figura 2.18. En consecuencia, los niveles de coment y voltae resullantes son los siguientes: [p= 0A Vp = IaR = IR y Vp =E=05V OA)12kN = OVFIG. 2.17 Panto de operacién con B= 0.5 FIG. 2.18 Determinacisn de ly Vey Vo para el ciruito de la figura 2.16. EXEMPLO 2.7 Determine V, fp para el ciruito en serie de a figura 2.19 Solucién: Uns forma igual de abordar el ejemplo 2.4 revelars que la direccién de Ia cortente resultance coincide con lade la fechas de los sfmbolos de ambos diodos y se obiene la red de la figura 2.20 porgue E 12V > (0.7 V + 18V [abla 8) = 25 V. Observe la fuente de 12V ‘vuelta a trazar y la polaridad de V, a través del resistor de 680 0. El volaje resultante c= Va B= Ve nat y b= Yoon Soe Fig. 2.19 Circuito del cemplo 27 Vp, = 12V-25V = 95 ¥, _ 9Sv He SSN L397 R 6800 AST mA Ye Ye Ae e orv asv oy 2 won ¥, + FIG. 2.20 Determinacién de las cantidades ddesconocidas del ejemplo 27, EJEMPLO 2.8 Determine /p, Vo, y V, paral cicuito de la figura 2.21. Soluctén: tliminar los diodos y deerminar la direecién de la comiente resultante Ida como resultado el circuito de la figurs 222, La diecci6n de Ia cortiente en el diodo de silico coincide pero ro ene de germanio, La combinacién de un corto cicuito en serie con un eituito abiertosiem~ ‘re da por resultado un circuito abiert € Ip = 0 A, como se muestra en la figura 2.23, Determinactén del estado de los diodes de a figura 2.21 FIG. 2.23, Suatitucisn del estado equivalente por el diode abierto CONFIGURACIONES 69 DE DIODOS EN SERIE v4 Vv, sexe FIG. 2.21 Circuito del ejemplo 2870 APLICACIONES DEL DI0D0 FIG.2.24 Determinacién de las cantidades desconocidas del ejemplo 28. La pregunta sigue siendo qué sustituiren el caso del diodo de silicio, Para el andliss en ste y los demis capitulo, simplemente recuerde en relaciéa con el diode prictico ral que cuando Ty = 0A, Vp = OV Gy viceversa), como se describe para la situacin sin polaizacin en ele (lo 1. Las condiciones descrtas por Ip = Oy Vp = 0'V se indican en la figura .24, Tenemes V, = Ink = IpR = (OA)R = OV y Vo, = Vets stare = B= 20V Aplicando la ley de volajes de Kischhoff en el sentido de las manecillas del reloj da E=Vo,—Vo,-V,=0 = Vp, — V, = 20V — EJEMPLO 29 Determine /,V,, Vs y V, para la configuracién en serie ed de la figura 2.25, +y- R zje10¥4 ’ aKa 3) , RQ22K8 Fic. 2.25 Circuito del ejemplo 28. Solucién: Se iraran las (uentesy se indica la direcci6n dela cortiente como se muestra en la figura 2.26, El iodo esté “encendido” y se incluye la notacin que aparece en la Gigura 2.27 para indicar este estado, Observe que el estado “encendido” se indica con el Vp = 0:7 Vadicional en la figura. Esto climina la necesidad de volver a dibujar la red y evita cualquier confusi6n gue pdiera presentarse con la aparicién de otra fuente. Como se indies en la introduccién a esta a +00V- Ar os Tt . ok T 3 (7 22Ke 229 eon, v, rw t 1 FiG.226 FiG.2.27 Determinacién del estado del iodo Delerminacién de las cantidades desconocidas dela red de la red de a figura 2.25 de la figura 2.25: KVL, ley de voligjes de Kirchhoff.seccién, probablementeéstas sean la ruta y notaci6n que se seguirén cuando se establezca un ni- CONFIGURACIONES 71 vel de confianza en cl anélisis de configuraciones del diodo. Con ol tempo todo el anilisis se EN PARALELO ¥ realizar recurriendo simplemente a la ed original. Recuerde que un diodo polarizado en inver- EN SERIE-PARALELO sa puede indicarse con una linea que cruce el dispositivo. La comiente resultante a través del crcuito es E,tB,- Vp _ lOV+5V-07V _ 143V RtR “4TKD + 22K” 69KD = 207mA, 1 los voltajes son V, = IR, = (207 mA)(4.7kQ) = 9:73 Vy = IR, = (207mA)(2.2kQ) = 455V Aplicando la ley de voltajes de Kitchhoff a la secci6n de sala en el sentido de las manecillas el reloj se obtiene E, + Vi —V, = 0 y V,=V;)- B= 455V—5V = —045V EE signo menos indica que la polaridad de V, es Ia opuesta ala que aparece en Ia figura 2.25. 2.4 CONFIGURACIONES EN PARALELO YEN SERIE-PARALELO Los métodos aplicados en la secci6n 2.3 se pueden extender al andlisis de configuraciones en paralelo y en serie-paralelo. Para cada érea de aplicacin, simplemente siga la misma secuencia e pasos aplicados a configuraciones de diodos en serie, De EJEMPLO 2.10 Determine V,, f, Ip, € Jo, para la configuracién de diodos en paralelo de la figura 2.28. AL ose FD asa + : Joy Io, | Te eae eas ddesconocidas dela ved del ejemplo 2.10. Solucién: Para el voltae aplicado la“presi6n” dela fuente acta para establecer una coriente a través de cada diodo en la misma diecei6n que se indica en la figura 2.29. Como la direecién ela corrente resultante coincide con lade la flecha del simbolo de cada diodo y el voltje apli- ‘cado es mayor que 0.7 V, ambos diodos estén “encendidos”. El veltaje a wavés de lo elementos fen paralelo siempre es el mismo y v,=07V La comtente es 1, -¥e_E >No _lov-o7v b ROR OasKM Considerando diodos de caracteristicas similares, tenemos, 1 _ 28.18mA Ip, = Io, = p= = 14.09ma AZ 272 APLICACIONES DEL DI0D0 Rong wer FIG. 2.30 Red del ejemplo 2.11, “ty poms FIG. 2.31 Condiciones de operacisn de la red dela figura 2.30 wey R + SV>V aH FIG. 2.32 Red de afigura 231 ‘conn dod azul [Este ejemplo muestra una razén por la que los diodos se colocan en paraelo. Sila capacidad ide coriente de los diodos de la figura 2.28 es de s6lo 20 mA, una coriente de 28.18 ma daa- ial dispositivo i apareciera sola en Ia figura 2.28, Colocando dos en partlelo, imitamos la cortiente a un valor seguro de 14.09 mA con el mismo vollge terminal Damen pr ge BJEMPLO 211 Es este ejemplo hay dos LED que se pueden wilizar para detectar la polridad, Sise aplica un voltsje postive aparoce una luz verde. Los voltjes negativos producen una luz toja. Paquetes con combinaciones como és son comerciales. Encuentre el resistor R que garantice una cortente de 20 mA a través del diodo “encendido” en a configuracién de la figura 2,30, Ambas diodos tinen un voltaje de ruptura en inversa de 3 V y un volije de encendide promedio de 2 V. Solucién: La aplicacién de un voltaje postivo produce una corriente convencional que coinei- ‘de con Ia flecha del diodo verde y lo enciende La polaridad del voltsje a través del diodo verde es tal que polariza en inversa el diodo rojo fn la misma cantdad. El resultado es la red equivalente dela figura 2.31, Aplicando la ley de Ohm, obtenemos E~Vuy _ $V-2¥ oma = £— Yun _ 8V = 2V. 120m == - sv x 20mA sma ‘Observe que el voltaje de ruptara en inversa através del diodo raja es de 2V, lo cuales ade cuado para un LED con un voltaje de ruptura en inversa de 3 V. ‘Sin embargo, sel diodo verde tuviera que serreemplazado por un diodo azul sugirfan proble- ‘mas, como se muestra en la figura 2.32. Recuerde que la polasizacin en directa requerida para ‘encender un diodo azul es de unos 5 V. Pareceria que se requiere un resistor R més pequesio para establecer la couriente de 20 mA. Sin embargo, observe que el voltaje de polarizaciéa en inversa del LED rojo es de 5 V, pero su voltaje de ruptura en inversa es de s6lo 3 V. El resultado ‘es que el vollaje a wavés del LED rojo se mantendria en 3 V, como se muestra en la figura 2.33, El voliaje a través de R serfa de 5 V y la corziente se limitarfa a 20 mA con un resistor de 250 {0 pero ningsin LED se encenderia, aay 4 FIG.2:33 Demostracin del dao que sufe el LED rojo 1 se excede el voltje de rupuura em inversa. ‘Una solucién sencilla alo anterior es agregar el nivel de resistencia apropiado en serie con cada diodo pata establecer Ios 20 mA deseadas ¢ incluir ato diodo para contibuir a la capa cidad de voltaje de rptura total de polarizaci6n en inversa, como se muestra en la figura 234 Cuando el LED azul esté encendido, el diodo en serie con 61 tambign lo estar, lo que provo- ca una caida de volte total de 5.7 V a través de los dos diodos en serie y un voltaje de 2.3 V ‘través del resisior Rj, con lo que se establece una alta emisisn de corsiente de 19.17 mA. AL ‘mismo tiempo, el LED rojo y el diodo en serie también se polarizan en inversa, pero ahora elf= asPE 197 ma BJ1200 Ry Yi200 valoresinda + + si i on yes a + i ve sy FiG.2.34 ‘Media de proteccin para el LED rojo de ta figura 2.33. iodo esténdat con un voltaje de ruptura en iaversa de 20 V impide que aparezca el voltaje de polarizaci6n en inversa total de 8 V a través del LED rojo. Cuando el resistor R, se polariza en ditecta se establece una cortiente de 19.63 mA para garantizar un alto nivel de intensidad para el LED rojo. EFEMPLO 212 Determine el voltae de V, para la red de la figura 2.35. Soluclén: Inicialmente parecerta que el voltaje aplicado “encenderfa” ambos diodos porque el voltaje aplicado (“presién”) esté tratando de establecer una corriente convencional a twavés de cada diodo que sugerisa el estado “encendido”. Sin embargo, si ambos estuvieran cenvendidos, habsia mis de un voltaje a través de los diodos en paralelo, lo que viola una de las reglas bésicas del andlisis de redes: el voltae debe ser el mismo a través de los elementos en paralelo. La accin resltante se explica mejor recordando que hay un perioda de incremento del voltaje de limentaci6n de 0 V 2 12 V aun cuando ello requiera milisegundes 0 microsegundos. En cl instante en que el votaje de alimentacin aleanza 0.7 V el dioda se silicio se “enciende” y ‘mantiene el nivel de 0.7 V puesto que la caracteristica es vertical con este voltae; Ia corriemte el diodo de silico alcanza ot nivel definido. El resultado es que el voltae a través del LED verde nunca seré de mas de 0.7 V y permaneceré en el estado de circuito abierto equivalente com se muestra en la figura 2.36 Bl resultado es V,=12V-07V=113¥ ALED verde FIG. 2.36 Determinacién de V, para la red de la figura 235, ‘CONFIGURACIONES EN PARALELO ¥ EN SERIE-PARALELO ny aX Me verde 22 4a FIG. 2.35 ed del ejemplo 2.12 B" © APLICACIONES DEL DI0D0 s °vs—bE}—, Dy rio FIG.238 Compuersa OR lésica positiva, BEMPLO 215 Determine las corientes f, J, fo, para la red de Ia figura 2.37. & Qi aa, > jn + rEnv SX Sino 2 ne is 8 : + FIG.2.37 F1G.2.38 Red de eemplo 2.13, Determinaion de las catdades dlesconocidas del efemplo 2.13. Solucéa: El voltaje aplicado (presién) es tal que enciende ambos diodos, como lo indican las direcciones de las corrcntesresultantes en la red de la figura 2.38, Observe el uso de la natacién sbreviada para diodos “encendidos” y que la solucién se obtiene mediante la aplicacin de tée~ nicas aplicadas a redes de cd en srie-paralel, Tenemos Va, 07 RB 33k Aplicando la ley de voltjes de Kirchhott alrededor del lazoindicado en el sentido de las mane~ cillas del reloj, se tiene h 0212mA “Vy +B Va = Vu, = 0 y vy 20V - 0.7 - 0.7V = 186 186 ‘con ho Ro senn 7 2mA En el nodo inferior In hah — 1, =332mA ~ 0212mA = 3.41mA y by, 2.5 _ COMPUERTAS AND/OR Las herramientas de andlisis estén a su disposicién y la oportunidad de investigar una configu racién de computadora permits demosirat las diversas aplicaciones de este dispositivo relativamente sencllo, Nuestro anlisis se limit determinar los niveles de voltaje y no inchuiré wn andlisis detallado del dlgebra booleana o de la légiea postiva y negative Lared que analizaremas en el ejemplo 214 es una compuerta OR de ldgica postva, Es deci, al nivel de 10 V de la figura 2.39 se le asigna un “1” del dgebra booleana y a la entrada de OV see asigna un “0”. Una compverta OR es tal que cl nivel el votaje de salida sera 1 si cualquic~ ‘ro ambas entradas son 1, La salida es 0 si ambas entradas estén al nivel 0, El anilisis de compuertas AND/OR se facilita uilizando el equivalence aproximado de un diodo en lugar del ideal, porque podemos estipular que el voltaje a través del diodo sea posi tivo de 0.7 V para que el diodo de silicio cambie al estado de “encendido”. En general, el mejor método es establecer una pereepein “bisica” del estado de los diodos ‘observando la diteccién y Ia “presiGn’” establecidas por los potenciales aplicados. El anlisis ‘comprobard o negaré entonces sus suposiciones inicales carne apm nn EMPLO 218 Determine V, para la red dela figura 2.39, Solucién: Primero observe que bay s6lo un potencia aplicado: 10 V en la terminal 1. La ter- ‘minal 2 con una entrada de 0 V es esencialmente un poteacial de terra, como se muesta en lared de Ia Gigura 2.40, La figura 2.40 “sugiere” que probablemente D, esté “encendida” debido a los 10-V aplicados, en tanto que D, con su lado “positivo” a 0 V probablemente esté “apagada” Con estos estados supuestos se obliene la configuracién de la igura 2.41. toy — a 7 a + a y EEbv | na rQua , ov Fic. 2.40 FIG. 2461 Red de lajigura 23, tadessupuesos para los dodos jada de meee, de tajiura 20, El siguiente paso os comprobar que no hay contradiceién en nuestras suposiciones. Es decir, ob= servar que la polaridad através de D, sea suficiente para encenderlo y que la polaridad a través de D, baste para apagarlo, Para D; el estado “encendido” hace que V, see V, = E— Vp = 10 = 07 = 93 V.Con9.3 V en el lado del cétodo (—) de D, y OV en el lado del énodo (+), Dy efintivamente ests “apagado”. La diteociéa de la corrente y la ruta continua resultante para conduccién confirman de nueva cuenta nvesira suposicién de que D, esté vonduciendo. Nues- tras suposiciones parecen confirmarse por los voltajesy cortiente resultantes,y se puede suponer {gue nuestro anilisis inicial es correcto, El nivel del voltae de salida no es de 10 V como se de- finié para tuna entrada de I V, pero el nivel de 9.3 V es sulicienlemente grande para considera ‘como ua nivel 1. La salida, por consiguiente,esté aun nivel 1 con slo una entrada, lo que sugic= ze que la compuerta es OR. Un andlisis de la misma red con dos entradas de 10 V dars por resul- ‘ado que ambos diodos estan “encendidos y una salida de 9.3 V. Con OV en amas entradas no se producira el nivel de 0.7 V requerido para encender los diodos y la salida ser de 0 par et nivel e sala de O V. Para la red de la figura 2.41 el nivel de corriente esté determinado par E-Vp _10V-07V R TRO =93mA ESEMPLO 2.15. Determine el nivel de sada para la compuerta AND ogica positiva de la figura 2.42 Solucién: Observe que en este caso aparece una fuente independiente en la rama conectada a tierra dela red, Por razones que pronto serin obvias, se selecciona en el mismo nivel que el nivel lgico de entrada, La red se traz6 de nuevo en Ia figura 2.43 con naestras suposicionesiniciales con especto a estado de los diodos, Con 10-V en el cétodo de D, se supone que D; esté"apaga- 4do” aun cuando hay una fuente de 10 V conectada al énodo de Dy por conducto del resistor, % as S41, vee 07v Biv | pov : FIG. 2.43, Susitucisn de los estados supuestos por los diodos dela figura 2.42 COMPUERTAS 75, ANDJOR Fig. 2.42 Compuerta AND Iéeica positiva% APLICACIONES DEL DI0D0 Sin embargo, recuerde que en Ia introduccign de esta seccién mencionamos que uilizar el mo- Aelo aproximado ayudaré cn el andlisis. Para D,, jd dénde vendrin los 0.7, silos votajes de entrada y fuente estén al mismo nivel y erean “presiones" opuestas? Se supone que D, esl6 “encendido” debido al bajo voltae en el lado del cétodo y a la disponibilidad de la fuente de 10 V através de resistor de 1 KO. Para la red dela figura 2.43 ol voltae V, es de 0.7 V debide al diodo D, polarizado en directa Con 0.7V en el énodo de D, y 10 V en el citodo, definiivamente D, esté“apagado”. La coriente ‘endré Ia direcei6n indicada en la figora 2.43 y una magnitud igual a ExVs_ WV -07V R TRO T= =9.3mA Por consiguiente, se confirma el estado de los diodos y nuesio primer andisis fue correct, Aun cuando el valor de 0 V na es el que se definié para el nivel 0, el voltje de sala es lo suicientemente pequefio para cansideralo como nivel 0, Para la compuerta AND, una entrada tnica producira una salida de nivel 0, Los estados restantes de los diodos para las posibilidades de das entradas y de ninguna se examinarén en los problemas al final del capitulo, 2.6 ENTRADAS SENOIDALES; RECTIFICACION DE MEDIA ONDA ‘bora ampliaremos el anlisis de diodos para incuir funciones que varian con el tiempo, como Ja forma de onda senoidal y la onda euadrada. Sin dud, el grado de dificultad se inerementarg, ‘pero una vez que se entiendan algunas maniobras fundamentales, el andlisis seré directo y se- zuird una ilacién comin, Las mis sencillas de las redes que se van a examinar con una sefal que varia con el tempo, aparecen en Ia figura 2.44, Por ef mamento wtilizaremos el modelo ideal (note Ia ausencia de In etiqueta Si, Ge o GaAs) para que el método no se empaie por la complejidad matemstiea adicional. FIG. 2.44 Reciificador de media ond Ao largo de un ciclo completo, defini por el periodo T dela figura 2.44, el valor promedio (1a suma algebraica de las éreasariba y debajo de ej) es cero, El circuito de la figura .44, llamado recrificador de media onda, generac’ una forma de onda v, que tend wn valor promedio de uso particular en el proceso de conversin a a cd. Cuando se emplea en el proceso de rectfi- cacién, un diodo en general se conor’ como rectificador. En general, sus capacidades de potencia Y cottiente son mucho mis altas que las de los diodos empleados en otras aplicaciones, como ‘omputadorasy sistemas de comunicaciéa ‘Durante el intervalo 1 ~ 0—> 7/2 en la figura 24 Ia polardad del voltje plicado v, etal ae ejerce “presisn” en la direccién indicada y enciende el diodo com la polaridad que aparece arriba de él, Sustituyendo la equivalencia de cortocireuito en lugar del diodo ideal se tend el circuito equivalente dela figura 2.45, donde es muy obvio que la soil de salida es una réplica exacta de la sehal aplicada. Las dos terminales que definen el voltaje de salida estén concctadas directamente la sefal aplicada por conducto de la equivalencia de corto circuito del diodo, Para el periodo T/2 —*T, la polaridad de Ia entrada v, es como se muestra en a figura 2.46 y la polaridad resultante a través del diodo ideal produce un estado de “apagado” con un equi Valente de circuito abierto. El resultado es que no hay una ruta para que fluya la cargay v, = IR (OR = OA pata el petiodo T/2—> 7. La entrada y, y la salida v, aparecen juntas en la“ ry & ig.245 Resin de concn 0-2 =p = >t + - ; nS es ® + - 4 FIG. 2.46 Regién de no conduccisn (T/2>T), FIG. 2.47 Sehalrecficada de media onda figura 2.47 para propésites de comparacién. La sefal de salidav, ahora tiene un dtea neta positiva sabre et eje durante un periodo completo y un valor promedio determsinado por Veg = 0.318 Vin | nia cin a7 El proceso de elimina la sefal de entrada de media onda para establecer un nivel de ed se lama rectficacién de media onda El efecto de utilizar un diodo de silico con Vy ~ 0.7 V se demuestra en la figura 2.48 para la regin de polaizacign en directa, La soil aplicada ahora debe see por lo menos de 0.7 V antes de que el diodo pueda “encenderse. Con niveles de v, menores que 0.7 ¥. el diodo wi rece en el estado de circuito abierto y v, = 0 V, como se muestra en la misma TF 7 npr Desplazamiema debi a Yi FIG. 2.48. ecto de Vx sobre una seal recificada de media onda. ENTRADAS SENOIDALES; RECTIFICACION DE MEDIA ONDA, 178 APLICACIONES ‘conduce, la diferencia entre v, yv, e¢ un nivel jo de Vq = 0.7 V yv, = v, — Vy como se mucs- DEL DIOB0 lea en la Sigura, El efecto neto es una reduccién del érea sobre el eje, la cual reduce el nivel de voltaje deed resultante. En situaciones donde V,, >> Vx, se puede aplicar a siguiente ecuacién ‘para determina el valor promedio con un nivel de precisin relativamente alto. Veg = 0.318(Vq — Ve) (2.8) De hecho, si V,.es suicientemente mayor que Vx. a menudo se aplica fa ecuacién (2.7) como ‘una primera aproximacién de Vi JEMPLO 2.16. a Trace la salida yy derermine el nivel de ed para la red de Ta figura 2.49, ', Repita Ia parte (8) con el diodo ideal reemplazado por un diode de slici. ce, Repita las pastes (a) y (b) si Vy se inctementa a 200 ¥, y compare las toluciones usando las ectaciones (2.7) y (2.8) FIG. 2.49 Red del ejemplo 2.16. Solucién: a. En esta situacign el diodo conduciré durante la parte negativa de la entrada como se muestra en la figura 2.50, donde también aparecerév,, Durante todo del petiodo, el nivel de ed es Vag = -0.318V,, = 0318(20V) = =6.6V El signo negativo indica que la poaridad de la salida es opuesta a la polaridad defnida dela figura 249, FIG. 2.50 vg resultante para el circuto del ejemplo 2.16. ' Para un diodo de silico, la sali y Vig = -0.318(V, — 0.7V) = -0318(19.3V) = -6.14V La cada resultante en el nivel de ed os de 0.22 V, o alrededar de 3.5%. «6, Bouacién (2.7): Veg = -0.318 Vy, = —0.318(200V) = = 63.6 Eeuacién (2.8): Vg = —0:318(V,,~ Vx) = —0.318(200V ~ 0.7.) -(0.318)(1993V) = -63.38V Este valor es una diferencia que cietamente puede ser ignorada en muchas aplicaciones. Ea FIG. 2.51 Ia parte (¢) el desplazamiento y la cafda de Ia amplitud a causa de Vy no serfan disceznibles Efecto de Vgen ta salida «en un osciloscopio comin si se despliega el patz6n completo, de a figura 250. iene I riencia de la figura 2 wv-o7v=193¥PIV (PRY) La capacidad de voltae inverso pico (PTV) [a PRV (vole reverso pico )] del diodo es de primar. ial importancia en el disedio de sistemas de rectificacién, Recuetde que no se debe exceder el Valor nominal de voltaje en la regi6n de polarzacién en inversao el diodo entraréa a egién de avalancha Zener. El valor nominal de PIV requerido para el reclficador de media onda se deter- ‘mina con Ia figura 2.52, la cusl muestra el diodo polarizado en inversa de Ia figura 2.44 con un voltaje méximo aplicado. Aplicando la ley de voltajes de Kirchhotl, es abvio que el valor nominal e PIV del diodo debe ser igual ao exceder el valor pico dl voltajeaplicada. Por consiguiente, PIV nominal 2 Vij | recsicadur de mets sade (2.9) son = : FG, 2.52 Determinaciéin del valor nominal del PIV ‘requerida para el recifcador de media onda RECTIFICACION DE ONDA COMPLETA Rectificador de puent El nivel de ed obtenido a partir de una entrada senoidal se puede mejorar 100% mediante un proceso llamado rectficacidn de onda completa, La ted més conocida para realizar tal funci6n parece en la figura 2.53 con sus cuatro diodos en una congiguraciéa de puente. Durante el periodo 1 = 0 para 7/2 la polardad de Ia entrada es como se muestra en le figura 2.54, Las polaridades resutantes a wavés de los diodos ideale también se muestran en la igura 2.54 para esultado de la figura 2.55 con su cortiente y polaridad indicadas a través de R. revelar que D, y D estén conduciendo, mientsas que Dy y D, estén “apagados” EL a ideaes, el voltae de carga es v, = vj, como se muestra en la misma fi- FIG. 2.53 Rectifcador de onda completa en configuracién de puente FIG.2.55 Ruta de conduccién en la resin positiva de vy RECTIFICACION DE ONDA COMPLETA FIG. 2.54 Red de la figura 2.53 durante ‘el periodo 0->T)2 del voligje de entrada v, rr0 APLICACIONES DEL DI0D0 la regidn negativa de la entrada los diodos que conducen son D; y Dy y la configuraciéa cs la que se muestra en la figura 2.56. El resultado importante es que la polaridad a través del e- sistor de carga R es a misma de la figura 2.54, por lo que se establece un segundo pulso positivo, como se muestra en la figura 2.56, Durante um ciclo completo los vollajes de entrada y salida aparecersn como se muestra en la figura 2.57 FIG. 2.56 ‘uta de conduccién en la regién negativa de FIG.2.57 Formas de onda de entrada y salida para ur rectificador de onda completa ‘Como el rea sobre eleje durante un ciclo completo ahora es el dable de la obenida por un sistema de media onda el nivel deed tambign se duplicay Vig = 2[Be.(2.7)) = 2(0.318¥y) ° Veg = 0.636 Vn | sisson (2.10) Si se ulizan diodos de silicio en lugar de ideales como se muestra en la figura 2.58, la apli- cacign de la ley de voltajes de Kirchhoff alrededor de la trayectoria de conduccién da =Ve- vy Ve = 0 FiG.2.58 Determinacién de V,, para diodos de silcio en la confguracién de puente Por consigtiente, el valor pico del voltaje de sada v, es Va, = Va Ve En situaciones donde V,, >> 2Vj, se puede aplicar la siguiente ecuacién para el valor promedio con un nivel de precision rlativamente alto: Vag = 0.636(¥q — 2Vx) (2.11) Bntonces, de nveva cuenta, si Vy es sufcientemente mayor que 2V, entonces a menudo se aplica Iaecuaci6n (2.10) como primera aproximacién dePIV ELPIV requerido de cada diodo (ideal) se determina en la Gigura 2.59 obtenida en el pico 4e la regidn positiva. Para el lazo indicado el voltaje maximo a través de R es Vy el valor no- ‘minal del PLV esta definido por PIV 2 Vis | scat ce eee dante can (2.12) Transformador con derivacién central En a figura 2.60 aparece un segundo rectificador de onda completa muy conocido con sélo dos iodos, pero que requiere un tansformador con derivacién central (CT, por sus sighs en inglés) para establecer Ia seial de entrada a través de cada seccién del secundatio del Wansformader. Durante la parte positiva dev, aplicada al primario del transformador, la red aparecerd como se ‘muestra en la figura 2.61. El diodo D, asume el equivalente de cortocircuito y el D, el equivalente de citcuito abierto, como Io determinan los votajes secundarios y las direcciones de la corrienteresullantes. El voltae de salida aparece como se muestra en Ia figura 261, FIG. 2.60 Rectfcador de onda completa con iransformador con deivacién central FIG. 2.61 Condiciones de a red en la regién postiva de, Durante la parte negativa dela entrada ated aparece como se muestra en I figura 2.62, y Ios roles de los diodos se nvierten pero mantienen la misma polaidad del voltaje a waves del resistor de carga RE] efecto net es la misma salida que aparece en la figura 2.57 con los mismos niveles de ed, FIG. 2.62 Condiciones dela red en la regn negativa de RECTIFICACION DE 81 ONDA COMPLETA FIG. 2.59 Determinacin del PIV requeride para fa confguracién de puente32 APLICACIONES DEL DI0D0 FIG. 2.63 Determinacién del nivel de PIV para los diodos del recificador de ‘onda completa con ransformader com derivacion central PIV Lared della figura 2.63 nos ayudaré a determinas el PIV neto para cada diodo de este r00~ lifcador de onda completa. Insertando el valor méxismo del voltae secundario y Vy como se es- lablece en Ia malla adjunta el resultado es PIV = Vassasinn + Va Vat Vo y Se eC) BJEMPLO 2.17 Determine la forma de onda de salida par nivel de ed de sala y el PIV requerido de cada diodo, lared de la figura 2.64 y caleule el FIG. 2.64 Red en configuracion de puente del ejemplo 2.17 + + ain dr. tov 7 - Q2un 0 re aaa 2 FIG. 2.65 FIG. 2.66 Red de la figura 2.54 en la regisn positive de y, Red dela figura 2.65 vuelta a dibujar FIG. 2.67 Salida resultant en el ejemplo 2.17. Solucién: La rod aparece como se muesiea en la figura 2.65, con la xegi6n postiva del veliaje de entgad, Si se vyelve a diuja a ed se obtiene I confguracén de la igure 2.6, donde tio,,, (OV) = 5'V, como se muestra en la figura 2.65. Bn la parte ne- fativa de i ettada lo Foles de los dds ac inercambian yv, aparece comno se muestra en la ‘igura 2.67. El efecta de quitar dos diodos de la configuracisn de puente es, por consiguiente,reducit el nivel de ed disponible al siguiente: Vag = 0.636(5 V) sv © el disponible de un reetficador de media onda con Ta misma entrada. Sin embargo, el PIV determinado con la figura 2.59 es igual al vollaje méximo a wavés de R, el cual es de 5 V, ola ‘milad del requerido con un tectficador de media onda con la misma entrada RECORTADORES La seccin anterior da una idea clara de que se pueden wilizar diodos para cambiar la eparien- ‘ia de una forma de onda aplicada, Esta seccién, que trata de los recortadore,y la siguiente (de los sujetadores) se ocuparin de la capacidad de configuracién de forma de onda de diodos Los recortadores son redes que emplean diodos para “recortar” una parte de una sefal de ‘entrada sin ditorsionar la parte restante de la forma de onda aplicada,El ectficador de media onda de la seccin 2.6 es un ejemplo dela forma més sencilla de un recortador de diodo: un resistor y un diodo, Dependiendo dela orientacién del diodo, se “revor- a" la regién positiva o negativa dela seaal aplicada Existen dos categorfas generales de recortadores: en seviey en paralelo. La configuracién en serie es aquella donde el diodo esta en serie con la carga, en tanto que la configuracién en paralelo tiene el diodo en una rama paralcla ala carga, Configuracién en serie Larespuesta de la configuracin en serie dela figura 2.68a a varias formas de onda aternas se da en la figura 2.686, Aunque primero se present6 como un rectificador de media onda (con formas 4 onda senoidales) no hay limites para el tipo de sefiales que se pueden aplicar a un recortador. FIG.2.68 Recortador en sere FIG. 2.69 Recortador en serie com una fuente de cd 1a adic de una fuente de ed a Jared como se muestra en la figura 2.69 puede tener un mat- ceado efecto en l analiss de la configuracién de recortador en sete, La respuesta nos tan obvia ‘porque la fuente de ed puede ayudar o ren contra del voltaje surministtado por la fuente y la fuen= {e de ed puede estar en la rama entre la fuente y a sald o en la rama paralela a la sali. ‘No hay un procedimiento general para analiza redes como lade la figura 2.69, pro sf algunas cosas que podemos hacer para encauzas el andisis en alguna diceccién En primer lugar y mds importante 1, Observe cuidadosamente dénde acti el voltae de salida Ena figura 2,69 lo hace ditectamente a través del resistor R. En algunos casos, puede hacer Joa tavés de una combinaciéa de elementos en serie ‘A continuacién: 2, ‘Trate de desarrollar un esquema mental de a respuesta observando la “presion” estable- ida por cada fuente y el efecto que tend en la direccin de la corriente convencional a través del diode, En la figura 2.69, por ejemplo, cualquier voltsje positive de la fuente tratars de encender el iodo al establecer una cortente convencional através del mismo que coincida en direceiéa con la leca de su simbolo. Sin embargo, la fuente de ed agregada V se opondrs al voltaje aplicado y ‘tatard de mantener el diodo “apagado”. El resultado es que cualquier votaje alimentado mayor gue V volts encenderi el diodo y se estableceri la conduccin a través dl resistor de carga. Tenga en cuenta que por el momento se trata de un diodo ideal, asf que el voltae de encendido es 0 V. En general, por consiguiente, en cuanto ala rod de la figura 2.69 podemos concluir que el diedo cencenderi con cualquier voltjev, que sea mayor que Vvoltsy se apagaré con cualquier voltaje RECORTADORES 334 APLICACIONES DEL DI0D0 fencendido FIG.2.71 Uso del voltae de transicisn para definr las regiones “encendide” y “apagado” : af joe eu LK FIG. 2.72 Determinacién de v, ewando . Ni dos dodoscambian de estado) FIG, 2.73 Trazo dela forma de onda de v, ilzando los resultados obtenides para, sobre y debayo del nivel de ranscién ‘menor. En la condicién “apagado”, la salida seria de OV por la falta de comtiente y en la condi- ‘ig “encendido” serie sélo v, = v, — V_ como lo determina la ley del volisje de Kirchholf. En lola, por consiguiente, xe abtavo una soluci ¢lementos presentes y c6mo interactéan. Ahora bien, algunas redes serin mis complejas, por lo ue es sensato considerar la apicacién de los siguientes pasos. 3. Determine el voltae aplicado (voltaje de transicién) que cambie el estado del diodo de “apagado” a “encendido”. Este paso serviré para definir la regién del voltae aplicado cuando el diodo esté encendido y cuanto esté apagada. En la curva de las caracteristicas de un dioda ideal esto acurrra cuando Vp = 0Ve fp = OMA, Pata cl equivalents aproximado esta se determina hallando el votaje aplicado cuando el diodo tiene una cafda de 0,7 através de €l (para silicio) ¢ fy = O mA. Este ejecicio se aplicé «la red de a figura 2.69 como se muestra en la figura 2.70. Observe Ja sustitucin del equivalente de cortocircuito en Iugar del dodo y el hecho de que el valtaje a través del resistor es de 0 V porque la cozriente a través del diodo es de O mA. El resultado es V=0,y porlo tanto sin lener que tomar un lipiz, slo revisando los (2.14) esl voltaje de transicién yo soy HO Leon alk " e FIG. 2.70 eterminacién del nivel de transicién para el eireuito de la figura 2.69. Esto permite trazar una linea através del voltaje de la fuente senoidal como se muestra en la ‘figura 2.71 para definr las regiones donde el diodo esta encendido y apagado. Para la regin “encendido” como se muestra en I figura 2.72, l iodo lo eemplaza un equi valente de cortocireuito y el voltaje de salida est definido por (2.15) Para la regi¢n “apagado”, el diodo es un circuito abierto, Jy ~ OmA y el voltae de slida es ov 4. Es conveniente trazar Ia forma de onda de salida directamente debajo del voltaje apli- ‘cado, utilizando las mismas esealas para el eje horizontal y el eje vertical. ‘Con esta itima informacién podemos establecer el nivel de OV en la gréfica de la figura 2.73 para la regi6n indicada, Para la condicién “encendido”, podemos utilizar la ecuaci6n (2.15) para determinar el voltje de salida cuando el voltje apicado tiene su valor pico: Van = Va V y éste se puede agregar ala gréfiea de la Gigura 2.73. De este modo es sencillo completarla seo cin que falta de la curva de said, cern ETM eer Wenner nomen wemme eraser BJEMPLO 218 Determine la forma de onda de sada para la entrada senoidal de la figura 2.74 Solucién: Paso 1: La salida es una ver més ditectamente através del resistor R. Paso 2: Tanto la egida pestiva de », como la fuente aplican “peesién” para encendes el diodo, El resultado es que podemos suponer con seguridad que el diodo esté“encendido” alo largo de todo el intervalo de voltajs positives dev, Una vez que el vellaje se oma negativo,tendefa quevasy RECORTADORES 85, FIG. 2.74 Recortador en serie del ejemplo 2.18. cexcederse el voltae de ed de $V antes de que pudiera apagar el iodo, Esto conforma una idea ‘general del comportamiento dela re Paso 3: EI modelo de transcién se sustituye en la figura 2.75 y vemos que la transicién de un estado al ora ocurtiea cuando y+ SV=0v “sv FIG. 2.75 Determinacién del nivel de transicién del recortador de la figura 274 Paso 4: En la figura 2.76 se taza una linea horizontal a través del voltae aplicado al nivel de {tansici6n, Con voltajes menores que ~ 5 V el diodo se encuentra en el estado de cireuito abier- toy la salida es de 0V, como se muestraen el trazo de v, Utiizando la figura 2.76, vemos que cuando el diodo est encendido y se estable coriente a través de €l, el votaje de sald sera el siguiente, segin a ley de voltajes de Kirchhott: Vole de FIG. 2.76 Trazo de, para el ejemplo 2.18. El andlisis de redes recortadoras con entradas de onda cuadrada en realidad es mis fécil que ‘con entradas senoidales porque slo hay que considerar dos niveles. En otras palabras, podemos analizar la red como si tuviera dos entradas de nveles de cd con el», resultante graficado en el ‘marco de tiempo apropiado. El ejemplo siguiente demuestza el procedimiento, DTC EE ep eh EJEMPLO 219 Determine el voltsje de salida de la red examinada en el ejemplo 2.18 sla seal aplicada es la onda cuadtada de Ia Bigura 2.77 Solucién: Para v, — 20V (0->T/2) se obtiene la red de la figura 2.78. Bl diodo actéa co FIG. 2.77 OV + SV = 25'V, Para, = ~10V se obtiene la red de la fi- Seal aplicada en el ejemplo 2.19, on36 APLICACIONES ura 2.79, con el diodo “apagado” y v, = igR = OV. El voltje de salida resullante aparece DEL DIODO S gate’ me cen [a figura 2.80. IL-P. IL BPP pte RY e asv = - ov oor TT z FIG. 2.78 FIG.2.79 FIG. 2.80 vyeny, = =20 vyeny, = “IOV, Trazo de v, para el ejemplo 2.19. ‘Observe en el ejemplo 2.19 que el recortadar no sélo recort6 5 V de la escilacién total sino aque tambin clevé el nivel de ed de la seal on SV. Configuracién en paralelo Lared dela figura 2.81 sla mds sencilla de las configuraciones de diodes en| lida que se produce con las mismas entradas de la figura 268, El anlisis de configuraciones en paralelo es muy parecido al que sc apica a configuraciones en serie, como se demvestra en el cjemplo siguiente Ww R 4 xy v vw @ nr) 7 7 OF 7 FIG. 2.81 Respuesta a un recortador en paraelo BEMPLO 2.20 Deter Solucién: Paso 1: En este ejemplo la saida se define a través de 1a combinaci6n en serie de la fuente de AY y el diodo, no a través del resistor. ine v, para la red dela figura 2.82 FIG. 2.62 Ejemplo 2.20.Paso 2: La polasidad dela fuente deed y a direccn del diodo indican fmemente que el diodo stan “encendido” durante una buena parte de laregisn negativa dela sofa de entrada, De hecho, es interesante notar que como la salida es directamente a través de Ia combinacin en serie, cuando el dindo actia como cortoctcuito el vollaje de salida sera directamente a través de la fuente de cd de 4 Y, parla que se requiere que la salida tenga un valor fijo de 4 V. En otras palabras, cuando el iodo esta encendid la salida seré de 4 V, Por otra parte, cuando el diodo acta ‘coma citcuitoabiert, la coriente a través de la red en serie sera de O mA y la caida de voltaje através del resistor sera de 0 V. Eso ocasiona que v, = », siempre que el dodo esté apagado. Paso 3: Elnivel de transici6n del voltae de entrada se determina a partir de la figura 2.83 sus- ‘ituyendo el equivalente de cortocircuito y recordando que la coriente a tavés del diodo es de (mA en el instante de Ia transicién, El resultado es un cambio de estado cuando yeay Paso 4: En la Gigura 2.84 el nivel de transcién se traza junto con v, = 4 V cuando el diodo esta cencendido, Para y, = 4V,v, = 4V, y la forma de onda se repite en la grifica de salida, FIG. 2.84 Trazo de v, para el ejemplo 2.20 Para examinar Ios efectos del voltae de rola V, de un diodo de siliio en la respuesta de si lida, e siguiente ejemplo especifica un diodo de silici en lugar de un diodo ideal equivalent, EIEMPLO 221 Repita cl ejemplo 2.20 uilizando un diodo de siicio con Vg = 0.7 V. Soluclén: Primero determine el voltae de transici6n aplicando la condi OAcon z= Vp = 0.7V y obteniendo la red de la figura 2.85. Al aplicar la ley de voltajes de Kiehbof! alrededor de la malla de salida en el sentido de las manecllas del tele), vemos que vit Ve Va 0 y wen Vy=4V-07V = 330 Para voltajes de entrada mayores que 3.3, cl diodo seré un cireuito abierto y v, = vy, Pac ra voltae de entrada menotes que 3.3 V, el diodo estaré “encendido” y se obtiene la red de la figura 2.86, donde vy, =4V —07V=33¥ La forma de onda de salida resultante aparece en la figura 2.87. Observe que el dnico efecto de Ve fue redcirel nivel de tansicién de 4 a 3.3 V. No hay duda de que la inclusi6n de los efectos de Vg complicara un povo el andisis, pero una ver que éste se entiende con el diodo ideal, el procedimiento, neluidos los efectos de Vg. no se stan dif, RECORTADORES 87 FIG. 2.83 Determinacisn del nivel de ansicin para el ejemplo 2.20. view FIG. 2.85 Determinacin del nivel de tans: ci para lave deta figura 2.82, FIG. 2.66 Determinacién de , para el diode ‘de la figura 2,82 cuando extd ‘encendida" FIG. 2.87 Trazo de v, para el ejemplo 2.2.[Recortadores simples en serie (diodos ideas) posrrivos Por Fy Recortadores polarizados en sere (iodosideales) nev Recortadores simples en paralelo(diodos ideales) ee | : woo Wes, “ Recortadores polarizados en paralelo (iodos ideales) : Fic. 2.08 Cireuitos recortadoresResumen En la igura 2.88 aparecen vatios recortadores en serie y en paralelo con La salida resultante para la entrada senoidal, En particular, observe la respuesta de la tlkima coafiguraciéa, con su capacidad de revortar una seccién positiva y una negativa como lo determina la magnitud de las fuentes de ed. 2.9 SUJETADORES e En Ia seccién anterior investigamos varias configuraciones de diodas que recortaban una parte de la seal aplicada sin cambiar la parte restante de Ia forma de onda. En esta seccién analizaremos varias configuraciones de diodos que desplazan la seal aplicada a un nivel diferente, Un sujetador es una red compuesta de un diodo, un resistor y un capacitor que despla- za una forma de onda a.un nivel de ed diferente sin cambiar la apariencia de la senal aplicada. ‘También puede obtener desplazamiontos adicionales introduciendo una fuente de ed a la estructura bésica, El resistor y el capacitor de la red deben ser elegidos de mado que la constan= fe detetminada por 7 = RC sea bastante grande para garantizar que el votaje através del eapa- citor no se descargue signficativamente durante el intervalo en que el diodo no conduce. A 10 lasgo del aniisis suponemos que en Ia prictica el capacitor se carga o descazga por completo en cinco constantes de tiempo, Lamas sencilla de las redes sujetadoras aparece en la figura 2.89. Es importante notar que el capacitor esté conectado directamente entre las sefales de entrada y salida, y que el resistor y los diodos estén conectados en paralelo con la sefal de slida Las redes sujetadoras tienen un capacitor conectado directamente desde la entrada hasta Ta salida con un elemento resstivo en paralelo con Ja seal de salida. EI diodo también esté en ‘paralelo con la sefal de salida pero puede o no tener una fuente de ed en serie como un ele- ‘mento agregado, Hay vasios pasos para failtar el andlisis. No os la ica forma de examinar sujetadores, pero si ofteve una opcin si surgen dilicultades. FiG.2.69 Sujetador Paso 1: Inicie el andlisis examinando la respuesta de la parte de la seal de entrada que polarizaré en directa el diodo. Paso 2: Durante el periodo en que el diodo esté “encendido”, suponga que el capacitor se ‘cargaré instantineamente a un nivel de voltaje determinado por la red circundante, Para la red de la figura 2.89 el diodo se polarizard en directa en la parte positiva de la sed aplicada. Para el intevalo de Oa T/? lard aparecerd como se muestra en a figura 2.90. El equivalente de coriocireuilo del diode producird v, = 0 V durante este intervalo, como se muestra cen el trazo de v, en la figura 2.92. Durante este mismo intervalo, la constante de tiempo determinada por 7 = RC es muy pequefa porque el resistor R fue puesto efectivamente en “cortocircuito” por el diodo conductor y Ia tnica resistencia que hay es Ia inherente(contactos, cables) dela red, El esultado es que el capacitor se cargaré de inmediato al valor pico de V val- tios como se muestra en la figura 2.90 con la polardad indicada Paso 3: Suponga que durante el periodo en que el diodo esta “apagado” el capacitor se ‘mantiene a su nivel de voltaje establecido, SUJETADO a9 FiG.2.90 Diodo “encendido” y el capacitor cargandose a V vols.90 APLICACIONES DEL DIOD0 Fic. Determinacién dev, con ‘dodo “apagada” ie Fic. 2.92 Traco de vs para a red de a figura 2.91. FIG. 2.98 Determinacién de v,y Vecon el diodo "encendide as ro FIG. 2.95 Determinactin de v, con el ‘iodo “apagads Paso 4: Alo largo del anilisis, no pierda de vista la ubics ray, para garantizar que se obtengan los niveles apropiados. ‘Cuando Ia entrada cami al estado —V, la red aparecera como se muestra en la figura 2.91, com ‘el equivalente de circuito abierto del diodo determinado por la sefil apicada y el voltae g dado através del capacitor, ambos ejerciendo “presi6n” en la corriente a través del diodo desde cl estodo hasta el énodo, Ainora que R est de nuevo en lated Ja constante de tiempo determina da por el producto RC cs bastante grande para establecer un periodo de descarga de $7 mucho mayor que el periodo T/2—> T, y podemos suponer con una base aproximads que el capacitor retiene su catga y, por consiguiente, voltae (puesto que V = Q/C) durante este period. ‘Como ¥,estéen puraelo con el diodo y el esstr, también se puede razr la posicisn alterna tiva mostrada en la figura 2.91. Aplicando la ley de voltjes de Kirchhoff alrededor de la malla de entrada se obtiene y la polaridad definida pa- -v-Vv-y,=0 y a -2v 2 sign negatvo resulta porque Ia polaridad de 2V se opone aI polaridad dein pars, La forma de onda de sada resultant aparece en la figura 2.92 con la sel de said, La sefal de sada se sujet 0 V durante el interval 0 «7/2 pero mantiee la mise osilacén tal QV) au entrada Paso 5: Compruche que la oscitacién total del sada coincide con la de a entrada. sta es una propiedad qu se aplicaa todas las tedessujetadoras yconsituye una excelente conmprobacin de los resultados cbtenidos. BJEMPLO 2.22 Determine v, para lared dela figura 2.93 para la entrada indicada, wo 8 cate Woke v6 1G. 2.93 Setialaplicada y red para el ejemplo 2.22. Solucién: Observe que la frecuencia es de 1000 Hz y que produce un periodo de I ms y un inervalo de 0.5 ms entre los niveles. El andlisis se iniciaré con el periodo f,— ty de la sofa de entrada puesto que ol diedo se encuentra en su estado de cortocircuito, Durante este interva~ To la red aparecera como se muestra en la figura 2.94, La salida esa través de R, pero también directamente por las terminals de la bateria de SV si seguimos la conexi directa entre las ter ‘minalesdefinidas para vy ks terminales de la baverfa. Bl esuliado es v, ~ SV durante este intervalo. Aplicaado la ley de voltgjes de KitchhotT alrededor de la malla de entrada resulta -20V + Ve=SV=0 y Vo=25V Por consiguiente, el capacitor legaré a una carga de 25 V. En este caso el diodo no pone en ‘corto circuito al resistor R, pero un citcuito equivalente de Thévenin de esa parte dela red que incluya la baterfay el resistor produciré Ry, = 0.con £, = V= $V. Durante el periodal; —>f, la red aparecers como se muestra en la figura 2.95, El circuito abiero equivalente del diodo evita qu Ia bateria de 5 V tenga algtin efecto en v,, ¥¥ aplicando la ley de voltajes de Kitchhoft alrededor de la malla externa de fared resulta +10V + 25V-1,=0 y ¥, = 35VEl producto RC determina la constante de iempo de Ia red en proceso de descarga de la fe SUJETADORES 91 ‘gara 2.95 y su magnitud es 1 = RC = (100k01)(0.1 pF) = 001s = 1oms El tiempo de descarga total es, po consigicnte, St = $(10ms) = SOms Como el interval f,—>r, so durard 0.5 ms, con toda certeza es un buen inicio de que el capacitor retendeé su carga durante el petiodo de descarga etre los plsos dela stl de entrada La salida resultane aparece ea la figura 2.96 con la sefal de entrada. Observe que la osilaién de la salida de 30 V coincide com a scilacin de la entrada como se observ en el pato 5. a wy a0 FIG. 2.96 vy ¥,para el sujetador dela figura 2.93. EFEMPLO 2.23 Repitaclcjemplo 2.22 ulizando un diodo de silicio con Vg = 0.7 V. Solucién: Para. estado de corto cieuito ahora la red aparece como se muestra en la figura 2.97 ¥yv, se determina con la le de vollajes de Kirebholl en la seecién de salida: FIG. 2.97 ° Determinacidn dev, v,con ‘eldiodo “encendido”™ SV -07V =43V 4sV-07V- y Para la sovci6n de entrada la ley de voltajes de Kirchhoff da como resultado -20V + Ve + 0.7V-5V y Ve = 28V - 07V = 243 Durante el petiode f; —> 1 lated aparecers como en la figura 2.98, donde el nico cambio es cl voliaje a eavés del capacitor: Aplicando la ley de voltajes de Kirchhoff resulta HOV 4243V—¥,=0 y ¥, = 43V FIG. 2.98 La salida resultante aparece en la figura 2.99, lo que comprucba que las oscilaciones de entrada pererminacion de v, con el yy salida son las mismas, diodo abit FIG. 2.99 Trazo de v, para el syjtador de la figura 2.93 conn diode de silico.Redes sujetadoras FIG. 2.100 Circuitosswjesadores con diodes ideates(S¢ SRC 1/2), En la figura 2.100 se muestran varios circuitos sujetadoresy su efecto en la sefal de salida ‘Aun cuando todas las ondas que aparecen en la figura 2.100 son cuadradas, la redes sujetadoras funcionan igualmente bien con sefiales senoidales. De hecho, un método de analizar edes sujetadoras con entradas senoidales es reemplazar la sehal senoidal por wna onda cuadrada de 10s mismos valores pico, La salida resultant formars entonces una envolvente para a respuesta senoidal como se muestra en la figura 2101 para una red que aparece abajo ala derecha dela figura 2.100, ' FiG.2.1 Red sujtadora con wna entrada senoidal 2.10 DIODOS ZENER [El anilisis de redes que emplea diodos Zener es muy parecido al anlisis de diodos semiconduc- lores en secciones anteriores. En primer lugar se debe determina cl estado del diodo y luogo se susttuye el modelo apropindo y se determinan las demés cantidades desconovidas de la red. La fi gura 2.102 repasa los circuites equivalentes aproximdos en cada regién de un diode Zener supo- nionéo aproximaciones de lina recta en cada punto derupeura, Observe que se incluye la region de ppolarizacion directa porque de vex en cuando tuna apicacin ambin pasar por alto esta regi,FIG. 2.102 Circuits aproximadosequivalentes del diode Zener en as tres regiones de aplicacién posbls. Los dos primeros ejemplos demuestran eémo se puede wilizar un diodo Zener para establecer niveles de voliaje de referencia y actuar como un disposiivo de proteccién, Entonces, el uso e un diodo Zener como regulador se describiré en detalle porque es una de sus principales 4reas de aplicacién, Un regulador es una combinacién de clementos disenados para garentizar ue el voltaje de salida de una fuente permanezca ms o menos constante De ee EIEMPLO 228 Determine los voltajes de referencias provisios por la red de la figura 2.103, a cual utiliza un LED blanco para indicar que esté encendida. ;Cual es el nivel de la cortiente a {tavés del LED y la potencia suministrada por la fuente? ,Cémo consume el LED la potencia en ‘comparacidn con el diodo Zener de 6 V7 Soluclén: En primer lugar debemos comprobar que el velaje aplicado es suficiene para entender todos los elementos de diodos en serie. El LED blanco tendré una caida de alrededor de 4 através de él; los diodos Zener de 6 V y 3.3 V hacen un total de 9.3 V, y el diodo de silicio polarizado en directa tiene 0.7 V para un toal de 14 V. Entonces los 40 V aplicados bastan para tencender todos los elementos y,esperamos,establecer una corriente de operacién apropiada. Observe que se wilizé el diodo de slicio para crear un voltae de referencia de 4 V debido aque V,, = Vo, + Ve = 33V 40.7V = 40V Sil volije del diodo Zener de 6 V se combina con los 4 V l resultado es Vi, = Va, + Ve = 4V + 6V = 10 Por dime, los 4 V através del LED blanco producirén un voltae de 40 ~ 14V = 26a través del resistor y Vg 40V ~V~ Vip _ 40V - 10V -4V OR 13kQ 13ko ue producirén la brillanter apropiada pare el LED. La potencia suministrada por la fuente cs el producto del voltae alimentado por la cortiente Tag > oma de modo que fy = Ip ~ 1, (Fg, (2.18) 6mA —3.33mA = 2.67mA, FIG. 2.112 Red dela figura 2.109 “encendida” La potencia disipada es Pz = Valz = (10V)(2.67 mA) = 26.7 mW lacual es menor que la Pa, = 30 mW especificada V;fijo, R, variable Debido al nivel de vollaje Vz, hay un rango especifico de valores de resistor (y por tanto de corriente de carga) que garantizaré que el Zener esté “encendido”. Una resistencia de carga demasiado pequefia R, haré que el voltaje V, através del resistor de carga sea menor que Vz y cl dispositivo Zener estars “apagade’ Para determinar la resistencia de carga minima de la figure 2.106 que encenderé el diodo Ze- ner, calcu el valor de R, que producita un volaje de carga Vi, ~ Vz. Es decit, RW, UVP oR Ree Resclviendo para Ry, tenemos, RVs 2.20) ‘Cualquier valor de resistencia de carga mayor que, obtenido de la ecuscién (2.20) garantiza- ri quel diodo Zener est “encendido” y que el diodo pueda ser reemplazado por su fuente Vz cequivalente. La condicién definida por la ecuacién (2.20) establece la R, minima, pero en cambio especk fica la f, méxima como Me Ve tek im (2.21) DIODOS ZENER 798 APLICACIONES ver que el diodo se “enciende”, el voltae R permanece fijo en DEL D100, (2.22) ‘fy pormnanece ja en = “ (2.23) La comiente Zener eh (2.24) con la que se obtiene una /, minima cuando I, alcanza su valor méximo y una fy méxima cuando J, alcanza un valor minimo, puesto que fy es constant, ‘Como fy esta limitada a fy segtin Ia hoja de datos, no afeca l imervalo de Ry y por consi uiente de f, Sustitayendo Izy por Fz se estableve la J, minima como (2.28) Ton y laresistencia de carga méxima como Re (2.26) JEMPLO 2.27 4, Para la zed de Ia figura 2.113, determine los intervalos de Rye fz que hagan que Vqu © man- fengaen 10. b. Determine el valor nominal maximo de potencias del diodo en watts, FIG. 2.113 Regulador de voltaje del ejemplo 2.27. Solucién: 1, Para determinar el valor de Ry que encenderd el diodo Zener, aplique la ecuacién (2.20) RV; _ (1KO)(IOV) 10k ~V=Ve SOV 10 40 El voltae através del resistor R se determina entonces con la ecuacién (2.22): Ry, 250.0 Vq = V,~ Vz= SOV — 10V = 40¥ ya ecuacin (2.23) da la magnitud de fy Ve _ 40V =e Teg 7 Oma El nivel minim de /, se determina luego con la ecuacién (2.25): 1h, = In ~ Igy = 40mA — 2mA = BmA(Con la ecuacién (2.26) se determina el valor méximo de R,: Ve _ 10V ~ T Bma Ena figura 2.114a aparece una grifica de V, contra Ry de V,, conta /, en la figura 2.114. Ry, 125k0 o » Fi. 2. Vi contra Ref, para ef regulador de la figura 2.113 b. Pass = Velo = (10.V)(32mA) = 320mW. R, fija, V; variable ara valores fijs de R, en Ia figura 2.106, el voltae debe ser Io bastante grande para encender cldiodo Zener. El voltaje de encendido minimo V, = V,,, se determina como sigue y j= See (2.27) Re La coniente Zener maxima limita el valor msximo de V,. Como fay Fra = Haw + Se, (2.28) ‘Come f, se mantione fia a Vz /Ry ¢ Fay €8 el valor maximo de el V, maximo se define com Vien = Venu + Ve Via = teak + Ve (2.29) De el EXEMPLO 2.28 Determine cl intervalo de valores de V; que mantendré “encentlida” el diodo Zener de le figura 2.115, 2 a ¥% ya20 rake Joy =m FIG. 2.115 Regulador del ejemplo 2.28. DIODOS ZENER 99Y00 APLICACIONES Solucén: DEL D1G50 (RL RWVy (1200.0 + 220.)20V) R 72008 VY, Ve _ 20 BeQ27%: Vi, 23.47 RR, Taen O67 Be, 2.28) Tay + 1, = 6OmA + 16.67 mA 76.67mA Be. 2.29): IR * Ve = (76.67 mA}(022k0) + 20V 16s7V = 20V 3687 La figura 2.116 da una gréfica de V, contra V, pan Dery sear FIG. 2.116 Vi contra V, para el regulador de a figura 2.115. Los resultados del ejemplo 2.28 revelan que para la red de la figura 2.115 con una R, Aja voltae de sada permanecers fjo & 20 V con ua intervalo del voltaje de entrada de 23.57 V a 3687V. ‘De hecho, la entrada podsfa aparvcer como muestra la figura 2.117 y la salida permancceria ‘constante a 20 V, como vemos en la figura 2.116, La forma de onda que aparece en la figura 2.119 se obtiene fltrando una salida de media onda o de onda completa; un proceso que se descti- be detalladamente en un capitulo posterior. El efecto neto, sin embargo, es establecer un volije ed constante (con un intervalo definido de V) como el que se muestra en Ia figura 2.116 producido 4 partir de una fuente senoidal con valor promedio de 0, " sean asory qe Forma de onda generada por una sehal recificada fitrada. {CUITOS MULTIPLICADORES DE VOLTAIE xtos cicuitos muhiplicadores de voltaje se emplean para mantener un valor pico del votaje de teansformador relativamente bajo al mismo tiempo que eleva el valor pico del voltae de salida dos, tes, cuatro 0 mas veces el vltaje pico rectiicadoDuplicador de voltaje Lared de la figura 2.118 es un duplicador de media onda, Durante el semiciclo de voltae positivo a través del ansformador el diodo D, en el secundatio conduce (y e! diode D; se interrumpe) y as el capacitor C, se carga hasta el valor pico del voltae rectficado (V,). El diodo D, es idealmente un cortocitcuito durante este semiciclo y el vollaje de entrada carga el capacitor C, -on la polaridad mostrada en la figura 2.119a, Durante el semicielo negativo del voltae se- ccundario, el diode D, se interrumpe y el diodo D; conduce y de ese modo se carga el ca C;, Como el diodo D, actéa como un cortociruito durante el semiciclo negativo (y el diodo D, sth abit), podemos sumar los volajes alrededor de la mall externa (veal i, 2.119b) Vu = Ve, + Ve, = 0 Vy + Vo =0 de los cules se obtene Vo, = 2Vq wall, + 3| ¥ FIG. 2.18 Duplcador de votaje de media onda Dios Dy _ Diode Bs toomdice +6 cance phe eT ape ere Dod Ds ro conde « ® FIG. 2.119 Operacism dob, que muestra cada semiciclo de operacién (a) semiciclo positvo; (b) xemicclo negatvo. En el siguiente semiciclo poitivo, el diodo D, no conduce y el capacitor C, se descargaré por ‘conducto de la carga, Sino se conecta ninguna carga através del capacitor C,, ambos permanc- ‘cen eargados: C, a Vy y C; 8 2V,. Si, como seria de esperase, hay una carga conectada ala sa. lida del duplicador de voltaje, el volte a través del capacitor ppositivo (en laentrada) y el capacitor serecarga hasta 2V, durante el semiciclo negativo. La for- ‘ma de onda de saida a avés del capacitor C, es la de una seal de media onda filteada por un ‘capacitor, El voltaje inverso pico a través de cada diodo es 2¥, ‘Oto cicuito duplicadar es el de onda completa de la figura 2.120. Durante el semiciclo positive del voltae secundario del ransformador (vea la figura 2.12a) el diodo D, conduce y el capacitor C; se eargaa un voltae pica V,. El diodo D, no conduce en este momento, Durante el semiciclo negativo (vea la figura 2.1216) el diodo D; eonduce el capacitor Cy se carga, mientras que el diodo D, no conduce. Sino se absorbe ninguna corriente de carga del circuito, el voliaje a través de los eapacitores C, y C; es 2Vq. Si se absorbe corriente de carga Gel circuito, el voltajea través de los capacitores C, y C, es el mismo que el que pasa através de tun capacitor alimentado por un circuito rectilieador de onda completa, Una diferencia es que la se reduce durante el semiciclo ‘capacitancia efectivaes lade C, y C, en sere, la cual ee menor que la capactancia de C, 0 C, solas, El capacitor de menor valor dars un fitrado més deficiente que el circuito de filtrado de tun solo capacitor. CIRCUITOS 101 MULTIPLICADORES DE VOLTAIEseucacones . be SioS0 ” : FIG. 2.120 Duplicador de voltaje de onda completa. No conduc a = 3 Medios ciclos de operacién alteros del duplicador de voltaje de media onda El voltae inverso pico a través de cada diodo es 2V,, igual que para el cirouito de Giltrado del capacitor. En suma, los citcuitos plicadores de vollaje de media onda y onda completa duplican, el valor del voltaje pico dl secundario del transformador sin la necesidad de un ranslormador con derivacién central y con s6lo un valor nominal de 2V, de PIV para los diodos. Triplicador y cuadruplicador de voltaje [La figura 2,122 muestra una extensién del duplicador de voltaje de media onda, la cual produ ce tes 0 cuatro veces el valor del voltaje de entrada pica. Bs obvio por el patrén de conexién del Triplicador (BV) |. Daplicador (2¥,) ‘Cuadruplicador (AV) FIG. 2.122 Triplicador y mulipicador de voltaje

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