Prenent com a referencia el circuit segiient es demana: Veossov Ris) ohn vi sv 4 row «TS P1e2n3055, “ 02V — . 1.30 us—20 us * Calcul de la resisténcia R2 necessaria per a que amb la forma d’ona donada per a Vi el transistor funcioni en commutacié (saturacié i tall) * Calcul de la potencia mitja dissipada pel transistor * Calcul de la resistancia térmica del disipador suposant una temperatura ambient maxima de 40 °C. NOTA: Suposem per fer un primer calcul aproximat que Voess = 0.5 V WaXIMUM RATINGS ating srmbat | uzseen | Notanre | unit Caledar Eni age veo | © [m= Pe] em Colaba ate Neso | we | me fw | = Galea Ene vr Ba ver Te fm [ve] Baal Tre aaa viene. 76 va] 8 Ta bercetmapam@rerese | Po | ns] 3 | vane Dente sooeze ces | tos | we * 3 = 2 peng =a Serge So ie | ee a = “econ arge 2 é “THERMAL CHARACTERISTICS ‘Cherecwrste Siow [wer oe] on Be eg Te CASE TEMPERATURE =) Tara Reesares inctnocre | ®nc Pe [oes [om ‘raones HOES RopatrniOm ENIRED) Figure 1. Power DeratingY, VOLTAGE (VOLTS) & eetsat) @ lots = 10 Vseion) @Voe=4V Veejsat)@ Iolg= 10 oso7 1 2 3 8 7 1 2 J, COLLECTOR CURRENT (AMP) Figure 4, “On” Voltages 05 “Oras NPN ‘000 rr) Ig, COLLECTOR CURRENT Gu} oot ‘or sar 0-01 02 03 04-05 ‘Veg, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) Figure 10. 2N3085A,MJ15015 2N3055A MJ15015 MJ2955A MJ15016 1 LTE (us) oor ta? a se TS Ig COLLECTOR CURRENT (AMPS) Figure 8. Turn-Off Times 02 05 Ty 1600 ee,0€ CURRENT GAM oy aus 07 1 ~~ |g COLLECTOR CURRENT (AMP) Figure 2, DC Current Gi wos OF oF 1 2s =F TO Ic. COLLECTOR CURRENT (ANP) Figure 7. Turn-On Time1) Calcul de R2. Si s'aplica Kirchoff a la malla de sortida: Vee = R2 le + Voesat He, -¥eenWeew — SOVOBY WS set = THe sp TTA ‘Amb aquest valor de Ic, anem a les corbes caracteristiques per obtener un valor més exacte ese 3 5 fl 2 2 \VOLHGE (aLTS) Yeeba) 6 95 10 Teen @Voee4V 4 i" Yeriey @ cit 10 ores 0507-123 $7 Ww Ic COLLECTOR CURRENT AN Figure 4. “On” Voltages 05 Podem comprobar que el valor de Vers val aproximadament 1.4V El valor de VBEsat s'obté de la mateixa grafica perd amb una corba diferent a Vases Bice youmce vous) pare Tory @ clef 2 “Gras 08 oF 2 3 $7 2 lg SECTOR CURRENT ANP) Figure 4.On" Voltages “5 El valor obtingut és aproximadament Varsa: =2.25 V Per calcular el valor de R2 s'ha de tenir en compte la segiient expressié hee Ble (condicié de saturaci6)vives pre. "S220 R2< APE RE 7 Ens manca el valor hre re cue CoN Com es pot comprobar s‘ha triat la temperatura de funcionament de 25°C per asegurar que el transistor entra en saturacié des-de el moment que s'aplica el voltatge. El valor de hresat = 15 “ise svn Elvalor brea: = 72=— >= Flap = = OBSBA 2) Calcul de la potencia dissipada Pon = Vcesat : Icsat + Vbesat - |Bsat = 1.4V : 7.72A + 2.25V : 0.585A = 12.124 W Aquesta poténcia només s'aplica Durant el temps ton P, = Pmar(on)- = graze 3S _ gaze >aitjatony = Pmaxton) 7 Toff 30uS + 20uS Per a el calcul de Poff s’ha d’anar a la segiient corba: NPN Vers 100 ze 10 100°C 10) EERE oti e.COLECTOR CURRENT A) REVERSE = ————— ou Poo aT ay ae 0s 25°C Vee. BASE STER VOUIGE [HOLT oot Figure 10, 2830558, MJ15015 +02 +07 0 DetalleLa corba ens diu que per a una polaritat inversa de Vbe = 0.2 V i a una temperatura de la unié de 150 °C Ia intensitat que circula per Ic val 20 uA. Pot = loon Voeon = 20UA-40V = 0.8 mW (800 -10°W) Com es pot comprovar aquesta poténcia es pot considerar menyspreable comparada amb les altres dues. Calcul de la potencia de commutaci6: a Prom = @-¥ee-temax- (rb tf) f El valor de tr s‘obté de la segiient corba: mea) aa wre ert a se ‘COLLECTOR CURRENT ANP) Fann El valor de tr 6s aproximadament 2.1 uS El valor de tf s‘obté de la segilent corba: 2N3OSSA MJ15015 MJ2955A MJ15016 a a a ‘CCHLECTOR CURRENT ARS, Figure 8. Tarn-Of Ties El valor de tf és aproximadament 2.1 uS La freqiincia de commutacié ve donada per F = 1/T = 1/(ton+toff) 1/50 uS = 20000 Hz = 20 kHz 1 Pom =—-40V -7.72A-(2.iuS + 2.iuS)-20000Hz = 4323 WEl valor total de la potencia mitja dissipada al transistor: Pmitja(total) = Pon+Poft+Pcom =12.124W+0,0008W+4.323W 516.4478 3) Calcul del radiador SENSE RADIADOR v Rthj- Prot 8 Te Rthe -a Ta Si suposem aquest model del transistor, podem calcular directament el valor Rthe_a doncs el alter valor Rthj_c ja ho dona el fabricant del transistor en les caracteristiques basiques. ‘THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic ‘Symbol [Max Max [unit ‘Thermal Resisiance, Junction to Case | Rivc 452 98 | cw “Tadieates JEDEC Registered Data, @NSDSEA) Tj—Ta = (Rthj. + Rthe,)- Pdisipacié pene, TE T# _pepz 225°C 40°C lg gag a ~ Pdisipacie | *e~ —Teaanw Oe Fe wd = CASE 1-07 TO-2040A, (70-3) New 2N3055A‘TABLA 2 - RESISTENGIAS TERMICAS. CONTENEDOR.DINPADOR ] ‘aiecio | Cm directo Porta con mic] ‘Tipo contenedor | C an Conacro mnie do icons, oa min} do icone TOs TOs 1 on = 1 ale] = 3 8 Lz 1 la ou 1s PPP | 3} g ms 08 24 | : S| FS Si es vol continuar I'exercici, hem de pasar al segiient model: AMB_RADIADOR 1 Ri-c Te = 3 a Rthe-a a: Rta 3 on Rthc_a = Rthe_r + Rthr_a Segons la taula per TO-3 Rthc_r = 0.25 °C/W (contacte directe sense mica) Rthc_r = 0.12 °C/W (contacte directe amb pasta de silicona) Suposant el segon cas: Rthrla = Rthc_a— Rthe_r = 3.648°C/w — 0.12 °C/w 83.528 °C/W