You are on page 1of 302

Kỹ thuật siêu cao tần

Hà Nội, 2015

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta
Giới thiệu chung

1 Mục tiêu môn học


- Giới thiệu các khái niệm, đinh luật cơ bản của trường điện từ
- Giới thiệu các dụng cụ siêu cao tần (cấu tạo, nguyên tắc hoạt động, ứng dụng)

2 Số tiết: lên lớp 60 tiết (40 LT, 20 BT và seminar), tự học: 90 tiết

3 Giáo trình chính


1. "Lý thuyết trường điện từ",Kiều Khắc Lâu, NXB Giáo dục.
2. "Cơ sở kỹ thuật siêu cao tần", Kiều Khắc Lâu, NXB Giáo dục.

4 Sách tham khảo


"Microwave Engineering", 3rd Ed. David M. Pozar, John Wiley & Sons, 2005.
"Advanced Engineering Electromagnetics", Constantine A. Balanis, John Wiley
& Sons, 1989.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 1
5 Nội dung
Phần I: Lý thuyết trường điện từ
– Chương 1: Các định luật và nguyên lý cơ bản của trường điện từ
– Chương 2: Các bước giải hệ phương trình MaxWell, lý thuyết phát xạ điện từ
– Chương 3: Sóng điện từ phẳng
Phần II: Kỹ thuật siêu cao tần
– Chương 4: Đường truyền năng lượng SCT
– Chương 5: Lý thuyết đường truyền dài và phối hợp trở kháng
– Chương 6: Hộp cộng hưởng
– Chương 7: Mạng nhiều cực SCT
– Chương 8: Dụng cụ điện tử và bán dẫn SCT

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 2
Một số qui định

1 Trên lớp phải ghi chép bài đầy đủ! Nếu không ghi kịp, phải phản ánh với giáo
viên.

2 Nhất thiết phải đọc lại bài cũ trước khi đến lớp

3 Phải chuẩn bị bài (thảo luận, làm bài tập về nhà,...) theo yêu cầu của giáo viên

4 Không làm việc riêng trong lớp (sử dụng điện thoại di động, nói chuyện, sử dụng
máy tính)

5 Vi phạm (không chuẩn bị bài, làm việc riêng,...): làm bản kiểm điểm và lấy chữ
ký của chỉ huy tiểu đoàn! Đối với sinh viên, lấy chữ ký của giáo viên chủ nhiệm.

6 Điểm thưởng: cho các học viên, sinh viên tích cực phát biểu ý kiến xây dựng
bài.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 3
Một số kiến thức toán quan trọng
• Khái niệm Vector:
Một số kiến thức toán quan trọng
• Khái niệm Vector:
Là một đại lượng được đặc trưng bởi hướng và độ lớn.
Một số kiến thức toán quan trọng
• Khái niệm Vector:
Là một đại lượng được đặc trưng bởi hướng và độ lớn.

az

~z0
~a
~x0 ~y0
ax
ay
x y

Trong hệ tọa độ Đề-các:

~a = ~x0ax + ~y0ay + ~z0az

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 4
Câu hỏi: ~x0, ~y0, ~z0 là gì?
Câu hỏi: ~x0, ~y0, ~z0 là gì?
Trả lời: là các vector đơn vị.
Câu hỏi: ~x0, ~y0, ~z0 là gì?
Trả lời: là các vector đơn vị.

• Tích vô hướng giữa hai vector

~a · ~b = |~a| |~b| cos θ


~a · ~b = axbx + ay by + az bz

• Tích có hướng giữa hai vector


~a × ~b = |~a| |~b| sin θ ~n̂ (1)

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 5
• Gradient

- Gradient của một trường vô hướng là một trường vector, có hướng theo
hướng tăng nhanh nhất của trường vô hướng, có độ lớn bằng tốc độ biến đổi

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 6
lớn nhất của trường vô hướng tại điểm đó.
 
∂f ∂f
∇f = ,..., (2)
∂x1 ∂xn

• Toán tử div (Divergence)

- Đo mức độ tỏa ra hay thu vào của một trường vector tại một điểm cho trước,
là mật độ thể tích của dòng chảy ra của trường vector từ một thể tích vô cùng

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 7
nhỏ tại điểm đang xét.
I
~ · d~s
F
~ =∇·F
divF ~ ≡ lim S
(3)
V →0 V
~ =∇·F
~ = ∂Fx ∂Fy ∂Fz
divF + + (4)
∂x ∂y ∂z

• Toán tử rot (Rotation; Curl)


Là một đại lượng vector, đặc trưng cho mức độ xoáy của trường vector.

~x0 ~y0 ~z0

∂ ∂ ∂
rotF = ∇ × F =
~ ~ (5)
∂x ∂y ∂z
Fx Fy Fz

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 8
Chương 1: Các định luật và nguyên lý cơ bản của trường điện
từ

1.1 Các đại lượng đặc trưng cho trường điện từ


~
1. Vector cường độ điện trường E

~
~ = Qq · ~r0
F ⇒ ~ = = Q · ~r0
E
F
(6)
4πε0 r2 q 4πε0 r2

- Trong môi trường điện môi:

~ Q ~r0
E= · (7)
4πε r2

- Nếu tồn tại một số hữu hạn các điện tích điểm Q1, Q2, . . . , QN trong môi
trường:
XN XN
~ = ~k = 1 Qk
E E 2
~rk (8)
4πε rk
k=1 k=1

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 9
- Nếu nguồn điện tích là dạng dây mảnh với độ dài l, mật độ điện tích dài
∆q
ρl = lim∆l→0 :
∆l Z
~ 1 ρldl
El = ~r0 (9)
4πε l r2
∆q
- Nếu nguồn điện tích là dạng mặt S, mật độ điện tích mặt ρS = lim∆S→0
∆S
Z
~ 1 ρS dS
ES = 2
~r0 (10)
4πε S r
- Nếu nguồn điện tích là dạng khối V , mật độ điện tích khối ρV =
∆q
lim∆V →0
∆V Z
~ 1 ρV dV
EV = ~r0 (11)
4πε V r2
~
2. Vector điện cảm D
Ở trong môi trường điện môi, cần tính đến ảnh hưởng của hiện tượng phân
~
cực ⇒ vector điện cảm D

~ = ε0(1 + χe)E
D ~ (12)

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 10
3. Vector cường độ từ trường H ~
- Cho dòng điện I chạy qua một dây dẫn l, định luật Biot-Savart phát biểu
rằng cường độ từ trường dH tạo ra tại điểm P bởi dòng điện vi phân Idl tỷ
lệ với Idl và sin của góc α giữa dòng điện vi phân với đường nối giữa dong
điện vi phân ấy với điểm P.

kIdl sin α
dH = (13)
r2

trong hệ SI, k = 1/4π, ta có:

Idl sin α
dH = (14)
4πr2

hay viết dưới dạng tích có hướng:

Id~l × ~r0
~ =
dH (15)
4πr2
~
4. Vector từ cảm B
~ = µ0(1 + χm)H
B ~ (16)

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 11
1.2 Các đặc trưng cơ bản của môi trường
- Độ điện thẩm: ε, ε0
- Độ từ thẩm: µ, µ0
 1

- Độ dẫn điện riêng: σ Ωm

1.3 Định luật Ohm và định luật bảo toàn điện tích
1. Định luật Ohm
- Dạng vi phân:
~J = N e~v = ρ~v = σ E
~ [A/m2] (17)
N : số hạt mang điện trong một đơn vị thể tích, e: điện tích của 1 hạt, ~v:
vận tốc dịch chuyển của các hạt.
- Dòng qua một mặt S bất kỳ:
Z Z
I= ~Jd~S = ~ ~S
σ Ed (18)
S S

2. Định luật bảo toàn điện tích

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 12
Lượng điện tích đi ra khỏi mặt kín S bao quanh thể tích V trong
một khoảng thời gian nào đó bằng lượng điện tích ở trong thể
tích này bị giảm đi trong thời gian ấy
Lượng điện tích đi ra khỏi mặt kín S bao quanh thể tích V trong
một khoảng thời gian nào đó bằng lượng điện tích ở trong thể
tích này bị giảm đi trong thời gian ấy

- Dạng tích phân: I Z


~Jd~S = − ∂ρ
dV (19)
S V ∂t
- Dạng vi phân (phương trình liên tục)

~ ∂ρ
∇·J+ =0 (20)
dt
Lượng điện tích đi ra khỏi mặt kín S bao quanh thể tích V trong
một khoảng thời gian nào đó bằng lượng điện tích ở trong thể
tích này bị giảm đi trong thời gian ấy

- Dạng tích phân: I Z


~Jd~S = − ∂ρ
dV (19)
S V ∂t
- Dạng vi phân (phương trình liên tục)

~ ∂ρ
∇·J+ =0 (20)
dt

1.4 Định luật Gauss


Lượng điện tích đi ra khỏi mặt kín S bao quanh thể tích V trong
một khoảng thời gian nào đó bằng lượng điện tích ở trong thể
tích này bị giảm đi trong thời gian ấy

- Dạng tích phân: I Z


~Jd~S = − ∂ρ
dV (19)
S V ∂t
- Dạng vi phân (phương trình liên tục)

~ ∂ρ
∇·J+ =0 (20)
dt

1.4 Định luật Gauss


Thông lượng của vector điện cảm qua mặt kín S bất kỳ bằng tổng
các điện tích tự do phân bố trong thể tích V được bao bởi mặt kín
ấy.
Lượng điện tích đi ra khỏi mặt kín S bao quanh thể tích V trong
một khoảng thời gian nào đó bằng lượng điện tích ở trong thể
tích này bị giảm đi trong thời gian ấy

- Dạng tích phân: I Z


~Jd~S = − ∂ρ
dV (19)
S V ∂t
- Dạng vi phân (phương trình liên tục)

~ ∂ρ
∇·J+ =0 (20)
dt

1.4 Định luật Gauss


Thông lượng của vector điện cảm qua mặt kín S bất kỳ bằng tổng
các điện tích tự do phân bố trong thể tích V được bao bởi mặt kín
ấy.
I Xn Z
~ ~S =
Dd qk = ρdV = Q (21)
S k=1 V

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 13
1.5 Nguyên lý liên tục của từ thông - Định luật cảm ứng điện từ
1.5 Nguyên lý liên tục của từ thông - Định luật cảm ứng điện từ
- Nguyên lý liên tục của từ thông
Thông lượng của vector cảm ứng từ qua mặt kín S bất kỳ bằng không
I
~ ~S = 0
Bd (22)
S
1.5 Nguyên lý liên tục của từ thông - Định luật cảm ứng điện từ
- Nguyên lý liên tục của từ thông
Thông lượng của vector cảm ứng từ qua mặt kín S bất kỳ bằng không
I
~ ~S = 0
Bd (22)
S

- Định luật cảm ứng điện từ (Định luật Faraday)


Sức điện động cảm ứng xuất hiện trong một vòng dây kim loại kín
có trị số bằng và ngược dấu với tốc độ biến thiên của từ thông đi
qua diện tích giới hạn bởi vòng dây đó.

I Z~
~ ~l = − ∂ B
Ed d~S (23)
L S ∂t
1.5 Nguyên lý liên tục của từ thông - Định luật cảm ứng điện từ
- Nguyên lý liên tục của từ thông
Thông lượng của vector cảm ứng từ qua mặt kín S bất kỳ bằng không
I
~ ~S = 0
Bd (22)
S

- Định luật cảm ứng điện từ (Định luật Faraday)


Sức điện động cảm ứng xuất hiện trong một vòng dây kim loại kín
có trị số bằng và ngược dấu với tốc độ biến thiên của từ thông đi
qua diện tích giới hạn bởi vòng dây đó.

I ~ Z
~ ~l = − ∂ B
Ed d~S (23)
L S ∂t

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 14
1.6 Định luật dòng toàn phần - Dòng điện dịch
- Định luật dòng toàn phần
Lưu thông của vector cường độ từ trường H ~ dọc theo một đường
cong kín bất kỳ bằng tổng đại số các dòng điện chảy qua diện tích
bao bởi đường cong này.
I n
X Z
~ ~l =
Hd Ik = I = ~Jd~S (24)
L k=1 S
1.6 Định luật dòng toàn phần - Dòng điện dịch
- Định luật dòng toàn phần
Lưu thông của vector cường độ từ trường H ~ dọc theo một đường
cong kín bất kỳ bằng tổng đại số các dòng điện chảy qua diện tích
bao bởi đường cong này.
I n
X Z
~ ~l =
Hd Ik = I = ~Jd~S (24)
L k=1 S

- Dòng điện dịch


Dòng điện tồn tại trong chân không hoặc môi trường vật chất khi có sự biến
thiên của điện trường (không phải là dòng các điện tích)

~
∂D ~
∂E ~
∂P
~Jdc = = ε0 + (25)
∂t ∂t ∂t

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 15
1.7 Các phương trình Maxwell
1. Phương trình Maxwell thứ nhất
- Dạng tích phân:
I Z Z ~
~ ~ ~ ~ ∂D ~
Hdl = JdS + dS (26)
L S S ∂t
Định luật dòng toàn phần cho cả hai thành phần dòng điện dẫn và dòng điện
dịch.
1.7 Các phương trình Maxwell
1. Phương trình Maxwell thứ nhất
- Dạng tích phân:
I Z Z ~
~ ~ ~ ~ ∂D ~
Hdl = JdS + dS (26)
L S S ∂t
Định luật dòng toàn phần cho cả hai thành phần dòng điện dẫn và dòng điện
dịch.
Áp dụng định lý Green-Stock cho vế trái của 26 ⇒ dạng vi phân của phương
trình Maxwell thứ nhất.
- Dạng vi phân:
∂D~
~ ~
rotH = J + = ~J + ~Jdc (27)
∂t
Nếu độ dẫn điện σ = 0 ⇒ ~J = σ E ~ = 0 nên:

~
∂E
~
rotH = ε0 = ~Jdc0 (28)
∂t
1.7 Các phương trình Maxwell
1. Phương trình Maxwell thứ nhất
- Dạng tích phân:
I Z Z ~
~ ~ ~ ~ ∂D ~
Hdl = JdS + dS (26)
L S S ∂t
Định luật dòng toàn phần cho cả hai thành phần dòng điện dẫn và dòng điện
dịch.
Áp dụng định lý Green-Stock cho vế trái của 26 ⇒ dạng vi phân của phương
trình Maxwell thứ nhất.
- Dạng vi phân:
∂D~
~ ~
rotH = J + = ~J + ~Jdc (27)
∂t
Nếu độ dẫn điện σ = 0 ⇒ ~J = σ E ~ = 0 nên:

~
∂E
~
rotH = ε0 = ~Jdc0 (28)
∂t

⇒ Dòng điện dịch hay điện trường biến thiên cũng tạo ra từ trường xoáy
tương đương như dòng điện dẫn.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 16
2. Phương trình Maxwell thứ hai
- Dạng tích phân:
I Z ~
~ ~ ∂B ~
Edl = − dS (29)
L S ∂t

Định luật cảm ứng điện từ cho một vòng kín bất kỳ trong không gian
2. Phương trình Maxwell thứ hai
- Dạng tích phân:
I Z ~
~ ~ ∂B ~
Edl = − dS (29)
L S ∂t

Định luật cảm ứng điện từ cho một vòng kín bất kỳ trong không gian

Áp dụng định lý Green-Stock cho vế trái của 29 ⇒ dạng vi phân của phương
trình.

- Dạng vi phân:
∂ ~
B
~ =−
rotE (30)
∂t
Từ trường biến thiên tạo ra điện trường xoáy.

3. Phương trình thứ 3 và thứ 4

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 17
- Dạng tích phân:
I Z
~ ~S =
Dd ρdV = Q (31)
S V
I
~ ~S = 0
Bd (32)
S

Trường hợp tổng quát của định luật Gauss và nguyên lý liên tục của từ thông
- Dạng tích phân:
I Z
~ ~S =
Dd ρdV = Q (31)
S V
I
~ ~S = 0
Bd (32)
S

Trường hợp tổng quát của định luật Gauss và nguyên lý liên tục của từ thông
- Dạng vi phân:

~ = ρ
divD (33)
~ = 0
divB (34)

Nhận xét:
- Điện tích là nguồn của điện trường
- ρ 6= 0 đường sức điện trường không khép kín, xuất phát từ điện tích dương,
kết thúc ở điện tích âm.
- ρ = 0 điện trường chỉ do từ trường biến thiên sinh ra ⇒ đường sức điện
trường khép kín hoặc đi ra vô cùng.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 18
- Trong tự nhiên không tồn tại từ tích.
- Đường sức từ trường là khép kín hoặc tiến ra vô cùng.

4. Hệ phương trình Maxwell

- Dạng tích phân:


I Z Z ~
~ ~l = ~Jd~S + ∂D
Hd d~S (35)
L S S ∂t
I ~ Z
~ ~ ∂B
Edl = − d~S (36)
L S ∂t
I Z
~ ~S =
Dd ρdV = Q (37)
S V
I
~ ~S = 0
Bd (38)
S

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 19
- Dạng vi phân:

∂D~
~ ~
rotH = J + (39)
∂t
~
∂B
~
rotE = − (40)
∂t
~ = ρ
divD (41)
~ = 0
divB (42)

5. Hệ phương trình Maxwell với nguồn ngoài

- Nguồn ngoài: nguồn đã biết, độc lập với môi trường và không chịu ảnh hưởng
của trường do nó tạo ra (ví dụ: dòng điện trong anten phát).

~J + ~Jng = σ(E
~ +E
~ ng ) (43)

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 20
- Hệ pt Maxwell đối với nguồn ngoài:

∂ ~
D ∂ ~
D
~ = ~J +
rotH + ~Jng = σ E
~ + ~ ng
+ σE (44)
∂t ∂t
~
∂B
~
rotE = − (45)
∂t
~ = ρ
divD (46)
~ = 0
divB (47)

Đối với môi trường đồng nhất, đẳng hướng:


~
∂E
~ ~ ~
rotH = σ E + Jng + ε (48)
∂t
~
∂H
~
rotE = −µ (49)
∂t
~ ρ
divE = (50)
ε
~ = 0
divH (51)

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 21
6. Nguyên lý đổi lẫn của hệ pt Maxwell
Có thể đổi lẫn giữa các tham số của điện trường và từ trường trong hệ pt
Maxwell do tính chất đối xứng của hệ.
6. Nguyên lý đổi lẫn của hệ pt Maxwell
Có thể đổi lẫn giữa các tham số của điện trường và từ trường trong hệ pt
Maxwell do tính chất đối xứng của hệ.
- Trường hợp đơn giản:
Môi trường đồng nhất, đẳng hướng, ~J = ~Jng = ρ = 0.
6. Nguyên lý đổi lẫn của hệ pt Maxwell
Có thể đổi lẫn giữa các tham số của điện trường và từ trường trong hệ pt
Maxwell do tính chất đối xứng của hệ.
- Trường hợp đơn giản:
Môi trường đồng nhất, đẳng hướng, ~J = ~Jng = ρ = 0.

∂ ~
E
~ = ε
rotH (52)
∂t
∂ ~
H
~ = −µ
rotE (53)
∂t
~ = 0
divE (54)
~ = 0
divH (55)

~
H;
đổi lẫn: E ~ ε
−µ

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 22
- Trường hợp có nguồn ngoài
Môi trường đồng nhất, đẳng hướng, ~J = ρ = 0, ~Jng 6= 0.
- Trường hợp có nguồn ngoài
Môi trường đồng nhất, đẳng hướng, ~J = ρ = 0, ~Jng 6= 0.

~
∂E
~ ~
rotH = Je + ε (56)
∂t
~
∂H
~ ~
rotE = −JM − µ (57)
∂t
~ ρ
divE = (58)
ε
~ ρM
divH = (59)
µ

~
H;
đổi lẫn: E ~ ε
−µ; ~Je
−~JM ; ρ
−ρM ;

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 23
7. Hệ pt Maxwell đối với trường điện từ điều hòa

Khi các đại lượng cơ bản của trường điện từ và nguồn biến thiên điều hòa
theo thời gian với tần số ω, các đại lượng của trường cũng như hệ phương
trình Maxwell được biểu diễn dưới dạng phức. Các đại lượng thực của trường
tại một thời điểm bất kỳ được coi là phần thực của đại lượng phức tương ứng.

Các đại lượng biến thiên điều hòa

~ = E
E ~ m cos(ωt + ϕ0) (60)
~ = H
H ~ m cos(ωt + ϕ0) (61)
~J = ~Jm cos(ωt + ϕ0) (62)
ρ = ρm cos(ωt + ϕ0) (63)
7. Hệ pt Maxwell đối với trường điện từ điều hòa

Khi các đại lượng cơ bản của trường điện từ và nguồn biến thiên điều hòa
theo thời gian với tần số ω, các đại lượng của trường cũng như hệ phương
trình Maxwell được biểu diễn dưới dạng phức. Các đại lượng thực của trường
tại một thời điểm bất kỳ được coi là phần thực của đại lượng phức tương ứng.

Các đại lượng biến thiên điều hòa

~ = E
E ~ m cos(ωt + ϕ0) (60)
~ = H
H ~ m cos(ωt + ϕ0) (61)
~J = ~Jm cos(ωt + ϕ0) (62)
ρ = ρm cos(ωt + ϕ0) (63)

Sử dụng hệ thức Euler:


ejϕ = cos ϕ + j sin ϕ (64)

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 24
ta có các đại lượng phức như sau:

~˙ = E
E ~ mejϕ0 ejωt = E~˙ mejωt (65)
~˙ = H
H ~ mejϕ0 ejωt = H ~˙ mejωt (66)
~J˙ = ~Jmejϕ0 ejωt = ~J˙ mejωt (67)
ρ̇ = ρmejϕ0 ejωt = ρ̇mejωt (68)
ta có các đại lượng phức như sau:

~˙ = E
E ~ mejϕ0 ejωt = E~˙ mejωt (65)
~˙ = H
H ~ mejϕ0 ejωt = H ~˙ mejωt (66)
~J˙ = ~Jmejϕ0 ejωt = ~J˙ mejωt (67)
ρ̇ = ρmejϕ0 ejωt = ρ̇mejωt (68)

các đại lượng thực được tính theo quan hệ:


n o
~ = Re E
E ~˙ (69)
n o
~ = Re H
H ~˙ (70)
n o
~J = Re ~J˙ (71)
ρ = Re{ρ̇} (72)
ta có các đại lượng phức như sau:

~˙ = E
E ~ mejϕ0 ejωt = E~˙ mejωt (65)
~˙ = H
H ~ mejϕ0 ejωt = H ~˙ mejωt (66)
~J˙ = ~Jmejϕ0 ejωt = ~J˙ mejωt (67)
ρ̇ = ρmejϕ0 ejωt = ρ̇mejωt (68)

các đại lượng thực được tính theo quan hệ:


n o
~ = Re E
E ~˙ (69)
n o
~ = Re H
H ~˙ (70)
n o
~J = Re ~J˙ (71)
ρ = Re{ρ̇} (72)

Thay các đại lượng này vào các pt MaxWell, sau đó đổi thứ tự các toán tử ta
sẽ có được pt Maxwell viết cho trường điều hòa.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 25
Ví dụ:

∂ ~
D
~ = ~J +
rotH + ~Je
∂t
n o
n o n o ˙~ jωt
n o
∂Re Dme
˙~ jωt ˙~ jωt ˙~
rot Re Hme = Re Jme + + Re Jemejωt
∂t
 
n o n o ˙
∂D
~ jωt  n o
˙~ jωt ˙~ jωt me ˙~
Re rotHme = Re Jme + Re + Re Jemejωt
 ∂t 

˙~ jωt ˙~ jωt ∂ D ~˙ mejωt ˙


rotHme = Jm e + + ~Jemejωt
∂t
~˙ m = ~J˙ m + jω D
rotH ~˙ m + ~J˙ em

Lưu ý: để rút ra được dạng của pt Maxwell cho trường điều hoà như vừa làm ở
trên ta cần áp dụng bổ đề sau:
 jωt  jωt
Bổ đề: Nếu A và B là 2 số phức và Re Ae = Re Be với mọi giá trị
của t thì A = B.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 26
Chứng minh: trước hết cho t = 0, ta có Re{A} = Re{B}, tiếp tục chọn t sao
cho ωt = π/2, ta có Im{A} = Im{B}, như vậy ta có: A = B

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 27
Hệ phương trình Maxwell viết cho trường điều hòa:

~˙ m = σ E
rotH ~˙ m + ~J˙ em
~˙ m + ~J˙ em = jωεpE
~˙ m + jωεE (73)
~˙ m = −jωµH
rotE ~˙ m (74)
~˙ ρ̇m
divEm = (75)
ε
~˙ m = 0
divH (76)

σ
với εp = ε − j được gọi là độ điện thẩm phức
ω

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 28
1.8 Điều kiện bờ đối với các vector của trường điện từ
• Bài toán:
Giả thiết: có 2 môi trường với các tham số ε1, µ1 và ε2, µ2. Xét một điểm
N trên mặt phân cách giữa 2 môi trường này. Giả sử điện trường (hoặc từ
trường) trong vùng lân cận rất gần N trong môi trường 1 được cho trước,
cần tìm điện trường (hoặc từ trường) trong vùng lân cận rất gần N trong
môi trường 2.
1.8 Điều kiện bờ đối với các vector của trường điện từ
• Bài toán:
Giả thiết: có 2 môi trường với các tham số ε1, µ1 và ε2, µ2. Xét một điểm
N trên mặt phân cách giữa 2 môi trường này. Giả sử điện trường (hoặc từ
trường) trong vùng lân cận rất gần N trong môi trường 1 được cho trước,
cần tìm điện trường (hoặc từ trường) trong vùng lân cận rất gần N trong
môi trường 2.
• Đối với thành phần pháp tuyến của điện trường

~1
D ~n00

~n0
P ∆S ∆h

~n000

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 29
Giả thiết: ∆S đủ nhỏ để D~ là không đổi khi di chuyển trong ∆S, trên mặt
phân cách tồn tại một điệnItích mặt vớiZmật độ ρS
- Áp dụng định luật Gauss D ~ · d~S = ρ dV cho mặt trụ với 2 đáy là ∆S
S V
và chiều cao ∆h ta có:
Z Z
~ 1 · d~S +
D ~ 2 · d~S + φxq = ρS ∆S
D (77)
∆S ∆S

do ∆S đủ nhỏ nên D ~ 1 = const, D~ 2 = const, suy ra:


Z Z
D~ 1 · ~n0 dS + ~ 2 · ~n00
D dS + φxq = ρS ∆S (78)
0 0
∆S ∆S
 0 00

⇒ ~ 1 · ~n + D
D ~ 2 · ~n ∆S + φxq = ρS ∆S (79)
0 0
- Khi cho ∆h → 0 ⇒ φxq → 0
 
⇒ D ~1−D~ 2 · ~n0 = D1n − D2n = ρS (80)

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 30
Khi có tồn tại điện tích mặt, thành phần pháp tuyến của véc-tơ điện cảm bị
gián đoạn khi qua mặt phân cách.
- Khi ρS = 0:
E1n ε2
⇒ D1n = D2n ; = (81)
E2n ε1
Khi không tồn tại điện tích mặt, các thành phần pháp tuyến của véc-tơ điện
cảm là liên tục khi đi qua mặt phân cách, các thành phần pháp tuyến của
vectơ cường độ điện trường lại gián đoạn tỷ lệ nghịch với độ điện thẩm của
môi trường khi đi qua mặt phân cách.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 31
• Đối với thành phần tiếp tuyến của điện trường
e1, m1

n0
A
S B
t0 Dh
l0
D
C
Dl
P
e2 , m 2
• Đối với thành phần tiếp tuyến của điện trường
e1, m1

n0
A
S B
t0 Dh
l0
D
C
Dl
P
e2 , m 2

I ~ Z
~ d~l = − ∂ B
- Áp dụng đl Faraday E d~S cho đường chữ nhật kín ABCD
∂t
Z L Z S Z ~
~ 1 d~l + ~ 2 d~l + L0 ∂B ~
E E BC,DA = − dS
∂t
AB CD S
Z Z Z ~
~ 1 ~τ0 ~ 2 ~τ0 0 ∂B
E dl − E dl + LBC,DA = − d~S
∂t
AB CD S

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 32
0 ~
∂B
⇒ (E1 − E2) ~τ0∆l + LBC,DA =− ~l0∆l ∆h (82)
∂t
0 ~
∂B
⇒ (E1 − E2) ~τ0∆l + LBC,DA =− ~l0∆l ∆h (82)
∂t
~
∂B
- Khi cho ∆h → 0 ⇒ L0BC,DA →0; ∆l ∆h → 0
∂t

D1τ ε1
⇒ E1τ = E2τ ; = (83)
D2τ ε2
0 ~
∂B
⇒ (E1 − E2) ~τ0∆l + LBC,DA =− ~l0∆l ∆h (82)
∂t
~
∂B
- Khi cho ∆h → 0 ⇒ L0BC,DA →0; ∆l ∆h → 0
∂t

D1τ ε1
⇒ E1τ = E2τ ; = (83)
D2τ ε2

Thành phần tiếp tuyến của vectơ cường độ điện trường là liên tục, còn thành
phần tiếp tuyến của vectơ điện cảm bị gián đoạn khi qua mặt phân cách.
0 ~
∂B
⇒ (E1 − E2) ~τ0∆l + LBC,DA =− ~l0∆l ∆h (82)
∂t
~
∂B
- Khi cho ∆h → 0 ⇒ L0BC,DA →0; ∆l ∆h → 0
∂t

D1τ ε1
⇒ E1τ = E2τ ; = (83)
D2τ ε2

Thành phần tiếp tuyến của vectơ cường độ điện trường là liên tục, còn thành
phần tiếp tuyến của vectơ điện cảm bị gián đoạn khi qua mặt phân cách.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 33
• Đối với thành phần phápItuyến của vectơ từ trường
- Áp dụng phương trình ~ d~S = 0 và cho ∆h → 0
B
S 
⇒ B ~1−B
~ 2 ~n0 = B1n − B2n = 0 (84)

H1n µ2
= (85)
H2n µ1
Các thành phần pháp tuyến của vectơ từ cảm là liên tục, còn thành phần
pháp tuyến của vectơ cường độ từ trường lại gián đoạn khi qua mặt phân
cách.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 34
• Đối với thành phần tiếp tuyến của vectơ từ trường - Giả sử trên mặt phân cách
tồn tại một dòng điện mặt với mật độ dòng điện JS JS = lim (∆IS /∆l),
I Z Z ∆l→0
~
~ d~l = ~Jd~S + ∂ D
áp dụng định luật dòng toàn phần H d~S cho hình
∂t
L S S
chữ nhật kín ABCD. Ta có:

Z Z Z Z ~
~ 1 d~l + ~ 2 d~l + L0 ~Jd~S + ∂D
H H BC,AD = d~S (86)
∂t
∆l ∆l ∆S ∆S

do ∆l đủ nhỏ nên H~ 1, H
~ 2 được coi là không đổi, mặt khác ta cũng coi rằng
dòng điện mặt chỉ tồn tại ở ngay mặt phân cách, suy ra:

~
∂D
~ ~ 0 ~ ~
(H1 − H2)~τ0∆l + LBC,AD = JS l0∆l + ~l0∆l∆h (87)
∂t
Microwave engineering ***
c Chi Hieu Ta 35
cho ∆h → 0, ta có:

L0BC,AD → 0
~
∂D ~l0∆l∆h → 0
∂t

 
⇒ ~1−H
H ~ 2 ~τ0 = H1τ − H2τ = JS (88)

Nếu JS = 0:

H1τ = H2τ (89)


B1τ µ1
= (90)
B2τ µ2

Các thành phần tiếp tuyến của vectơ cường độ từ trường sẽ gián đoạn khi
trên mặt phân cách có dòng điện mặt và là liên tục khi không có dòng điện
mặt. Còn các thành phần tiếp truyến của vectơ từ cảm là gián đoạn khi qua
mặt phân cách.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 36
Có thể viết lại điều kiện bờ trong trường hợp này thành:
 
~n0 × H ~ 2 = ~i0JS
~1−H (91)

• Trường hợp riêng đặc biệt


- Môi trường 1: điện môi ; Môi trường 2: vật dẫn điện lý tưởng với σ2 = ∞

~2 = H
E ~2=0 (92)

ρS
⇒ E1n = (93)
ε1
E1τ = 0 (94)
H1n = 0 (95)
H1τ = JS (96)
~1
~n0 × H = ~i0JS (97)

Trường điện từ trong điện môi sát mặt vật dẫn điện lý tưởng chỉ có thành

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 37
phần pháp tuyến của vectơ cường độ điện trường và thành phần tiếp tuyến
của vectơ cường độ từ trường.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 38
1.9 Năng lượng trường điện từ - Định lý Poynting

- Năng lượng trường điện từ

Z ! Z
~2
εE ~
µH 2
W = We + WM = + dV = (we + wM )dV (98)
V 2 2 V

Z Z
1 ~ 2dV =
We = εE wedV (99)
2 V V
Z Z
1 ~ 2dV =
WM = µH wM dV (100)
2 V V
1 ~2
we = εE (101)
2
1 ~2
wM = µH (102)
2

- Định lý Poynting

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 39
Từ phương trình Maxwell thứ nhất và thứ hai dạng vi phân:

∂ ~
D
~ = ~J +
rotH (103)
∂t
∂ ~
B
~ = −
rotE (104)
∂t

~ và H
lần lượt nhân vô hướng 2 phương trình trên với E ~ ta có:

~
∂D
~ ~ ~ ~ ~
E · rotH = E · J + E · (105)
∂t
∂B~
~ ~ ~
H · rotE = −H · (106)
∂t

trừ hai pt cho nhau

~
∂B ~
∂D
~ ~ ~ ~ ~
H · rotE − E · rotH = −H · ~ ~ ~
−E·J−E· (107)
∂t ∂t
Microwave engineering ***
c Chi Hieu Ta 40
~ · rotB
Áp dụng hằng đẳng thức: A ~ −B
~ · rotA
~ = div(B
~ × A),
~ ta có:

∂ ~
H ∂ ~
E
~ × H)
div(E ~ ~ ·E
= −σ E ~ −µ ~ −ε
·H ~
·E (108)
∂t ∂t
   
~ ~ ~ 2 ∂ 1 ~ 2 ∂ 1 ~ 2
div(E × H) = −σ|E| − µ|H| − ε|E| (109)
∂t 2 ∂t 2

lấy tích phân 2 vế của phương trình trên và áp dụng định lý Gauss cho vế trái,
ta thu được
I Z Z
~ × H)d
~ ~S = − d ~JEdV
~
(E (we + wM )dV − (110)
S dt V V

trường hợp có thêm nguồn ngoài:


I Z Z Z
~ × H)d
~ ~S = − d ~JEdV
~ ~JeEdV
~
(E (we + wM )dV − − (111)
S dt V V V
 
~ = (E
~ × H)
~ W
Vector Poynting: Π
m2

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 41
Z Z
Công suất tiêu hao nhiệt: Pt = ~JEdV
~ = ~ 2dV
σE
V V
Z
Công suất nguồn ngoài: Png = ~JeEdV
~
V

I
~ ~ dW
ΠdS = − − Pt − Png (112)
S dt

Tổng các tốc độ biến đổi năng lượng trường điện từ, công suất tổn hao nhiệt
và công suất của nguồn ngoài trong một thể tích V bất kỳ bằng thông lượng
của vector Poynting qua mặt kín S bao thể tích đó.
- Theo cách khác: I
dW ~ ~S
Png = − − Pt − Πd (113)
dt S
Công suất của nguồn ngoài trong một thể tích V bất kỳ bằng tổng các tốc độ
biến đổi năng lượng trường điện từ, công suất tổn hao nhiệt và thông lượng
của vector Poynting qua mặt kín S bao thể tích đó.
Như vậy: thông lượng của vector Poynting qua mặt kín S thực chất là công

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 42
suất của trường điện từ đi qua mặt S ra ngoài. Vector Poynting được gọi là
mật độ công suất của trường điện từ.
- Biểu diễn phức các đại lượng trung bình
• Trường điện từ điều hòa → Trung bình trong 1 chu kỳ dao động T .
~ tb, Wetb, WM tb, Pttb, Pngtb
• Các đại lượng trung bình: Π
• Các đại lượng thực của trường:

1  
˙
~ = ReE
~ = ˙ ˙
~ +E
~∗
E E (114)
2
1  
~ =
~ = ReH˙ ˙
~ +H~˙ ∗
H H (115)
2

• Vector Pointing:
h i 1   1 
~ = ReE
Π ~˙ × ReH~˙ = ~˙ + E
E ~˙ ∗ × ~˙ + H
H ~˙ ∗
2 2
1 nh ~˙ ˙~
i h
˙
~∗ ×H ˙
i
~ ∗ e−j2ωt + E
h
˙ ˙
~m×H
i h
~∗ + E ˙
~∗ ×H ˙
~m
io
= Em × Hm ej2ωt + E m m m m
4
(116)

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 43
• Vector Poynting trung bình:
Z T h i
~ 1 1
~ = Re E˙ ˙
~∗
~ ×H
Πtb = Πdt (117)
T 0 2

• Vector Poynting phức:

~˙ = 1 h ~˙ ˙~ ∗
i
Π E×H (118)
2
~ tb
Π = Re Π ~˙ (119)

Z
1 ~˙ 2dV
Wetb = ε|E| (120)
4 V
Z
1 ~˙ 2dV
WM tb = µ|H| (121)
4 V
Z Z
1 ~˙ ∗dV = 1
~J˙ E ~˙ 2dV
Pttb = Re σ|E| (122)
2 V 2 V

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 44
Z
1 ~J˙ eE
~˙ ∗dV
Pngtb = Re (123)
2 V

- Định lý Poynting cho trường điều hòa

I Z Z Z
~˙ ~S = − 1 jω
Πd (ε|E| ~˙ 2)dV − 1
~˙ 2 − µH| ~˙ 2dV − 1
σ|E| ~J˙ eEdV

S 2 V 2 V 2 V
I
~ tbd~S = −Pt − Pngtb
Π
S
I  Z 
˙ ~
~ 1 ~˙
~J˙ ∗EdV
Im ΠdS = 2ω(Wetb − WM tb) − Im e
S 2 V

1.10 Định lý nghiệm duy nhất

Xét một vùng bất kỳ có thể tích V được bao bởi một mặt có diện tích S,
hệ phương trình Maxwell có nghiệm duy nhất trên vùng này tại các thời điểm
t > 0 khi:

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 45
~ và H
• Điều kiện đầu của các vectơ E ~ tại mọi điểm trên V là

~
E(x, ~0
y, z, 0) = E (124)
~
H(x, ~0
y, z, 0) = H (125)

~ hoặc vectơ H
• Thành phần tiếp tuyến của vectơ E ~ tại mọi thời điểm t > 0 là
bằng nhau ở mọi điểm trên mặt S.

Eτ |S = Eτ hoặc (126)
Hτ |S = Hτ (127)

Chứng minh:
A. Bài toán trong
~ 1, H
Giả thiết tồn tại cùng một lúc hai nghiệm E ~ 1 và E
~ 2, H
~ 2, xét trường
~0 = E
hiệu E ~2−E ~ 1, H
~0=H ~2−H ~ 1.
• Phương trình định lý Pointing

~
∂D ~
∂B
~ ~ ~ ~ ~
∇ · (E × H) + E · J = −E · ~
−H· (128)
∂t ∂t
Microwave engineering ***
c Chi Hieu Ta 46
hay
I Z Z !
∂ ~
D ∂ ~
B
~ × H)d
(E ~ ~S + ~ · ~J dV = −
E ~ ·
E ~ ·
+H dV (129)
S V V ∂t ∂t

Áp dụng cho trường hiệu (coi nguồn ngoài bằng 0 do chung cho cả 2
nghiệm):
Z   Z I
∂ ε ~ 02 µ ~ 02 1~ 2 ~0×H
~ 0) · d~S
E + H dV + J dV = − (E (130)
∂t V 2 2 V σ S

~0×H
Do Eτ |S = Eτ nên (E ~ 0) = 0
Z   Z
∂ ε ~ 02 µ ~ 02 1~ 2
⇒ E + H dV = − J dV (131)
∂t V 2 2 V σ

Vế phải luôn ≤ 0, vế trái luôn ≥ 0 ⇒ phương trình chỉ thỏa mãn với mọi
~ 0 = 0 và H
∀t > 0 khi E ~ 0 = 0 với ∀t > 0 ⇒ E
~2 = E
~ 1 và H
~2=H
~1
B. Bài toán ngoài

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 47
• Định lý Pointing được viết thành:
Z  Z I I
∂ ε ~ 02 µ ~ 02 1~ 2 ~ 0×H
~ 0)·d~S− (E ~ 0×H
~ 0)·d~S
E + H dV + J dV = − (E
∂t V 2 2 V σ S S0
(132)
• Các điều kiện bổ sung:
– Các nguồn ngoài đặt cách gốc tọa độ một khoảng hữu hạn
1
– Với σ 6= 0 cường độ trường tỷ lệ với 1+p với p > 0
r

~0×H
~ 0) 1
⇒ (E ∼ (133)
r2+2p
I
⇒ ~0×H
(E ~ 0) · d~S → 0 khi r → ∞ (134)
S0

1.11 Nguyên lý tương hỗ


1.11.1 Bổ đề Loren
˙ ˙ ˙ ˙
Giả thiết 2 nguồn ~Je1m, ~JM 1m và ~Je2m, ~JM 2m lần lượt tạo ra các trường
~˙ 1m, H
E ~˙ 1m và E
~˙ 2m, H
~˙ 2m trong môi trường đồng nhất với các tham số
µ, ε, σ.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 48
~˙ 1m
∇×H ~˙ 1m + jωεE
= σE ~˙ 1m + ~J˙ e1m (135)
~˙ 1m
∇×E = −jωµH ~˙ 1m − ~J˙ M 1m (136)
~˙ 2m
∇×H ~˙ 2m + jωεE
= σE ~˙ 2m + ~J˙ e2m (137)
~˙ 2m
∇×E = −jωµH ~˙ 2m − ~J˙ M 2m (138)

Dạng tích phân của bổ đề Loren

I h   i
˙~ ˙~ ˙~ ˙~
E1m × H2m − E2m × H1m d~S =
S
Z h   i
˙~ ˙~ ˙~ ˙~ ˙~ ˙~ ˙~ ˙~
Je1mE2m − Je2mE1m − JM 1mH2m − JM 2mH1m dV (139)
V

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 49
Đối với không gian rộng vô hạn:

Z h   i
˙~ ˙~ ˙~ ˙~ ˙~ ˙~ ˙~ ˙~
Je1mE2m − Je2mE1m − JM 1mH2m − JM 2mH1m dV = 0
V∞
(140)
1.11.2 Nguyên lý tương hỗ
Giả thiết: nguồn điện và từ 1 chỉ phân bố trong thể tích V1, nguồn điện và từ
2 chỉ phân bố trong thể tích V2 trong môi trường đồng nhất và đẳng hướng.
V1 và V2 không có miền chung.

Z   Z  
~J˙ e1mE
~˙ 2m − ~J˙ M 1mH
~˙ 2m dV = ˙~ ˙~ ˙~ ˙~
Je2mE1m − JM 2mH1m dV
V1 V2
(141)
1. Với hai lưỡng cực điện Giả thiết: trong thể tích V1 đặt lưỡng cực điện 1 có
˙
mật độ dòng điện ~Je1m, chiều dài l1 và tiết diện S1. Trong thể tích V2
˙
đặt lưỡng cực điện thứ 2 có các tham số ~Je2m, l2 và S2. Các nguồn từ
~J˙ M 1m = ~J˙ M 2m = 0. Điện trường do lưỡng cực 1 tạo ra trong lưỡng cực 2:

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 50
~˙ 12m, điện trường do lưỡng cực 2 tạo ra trong lưỡng cực 1: E
E ~˙ 21m.
Z Z
~J˙ e1mE
~˙ 21mdV = ~J˙ e2mE
~˙ 12mdV (142)
V1 V2

hay

I˙1mė21m = I˙2mė12m (143)


~˙ 1mE
P ~˙ 2mE
~˙ 21m = P ~˙ 12m (144)

˙ ˙
Giả thiết: ~Je1m = ~Je2m và hai lưỡng cực điện có cùng kích thước sao
cho V1 = V2 ⇒ E ~˙ 21m = E
~˙ 12m hay: Nếu môi trường đồng nhất và đẳng
hướng thì điều kiện truyền năng lượng từ V1 đến V2 cũng giống như điều
kiện truyền từ V2 đến V1.
2. Với hai lưỡng cực từ

~˙ M 1mH
P ~˙ 21m = P
~˙ M 2mH
~˙ 12m (145)

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 51
3. Với một lưỡng cực điện và một lưỡng cực từ

~˙ e1mE
P ~˙ 21m = P
~˙ M 2mH
~˙ 12m (146)

1.12 Nguyên lý đồng dạng điện động

∂E~
~ ~ ~
∇ × H = σ E + Je + ε (147)
∂t
∂ ~
H
∇×E ~ = −~JM − µ (148)
∂t
∂~a2
∇ × ~a1 = c1~a2 + c2 + c3~a3 (149)
∂a6
∂~a1
∇ × ~a2 = −c4~a4 − c5 (150)
∂a6

Hai hệ đồng dạng điện động ⇔ Có các hệ số ci bằng nhau từng đôi một.
Ví dụ: Mô hình hóa một hệ điện động làm việc trong môi trường điện môi lý
tưởng và không có nguồn ngoài bằng hệ điện động thứ 2 cùng làm việc trong

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 52
môi trường đó và cùng tạo ra cường độ điện từ trường giống như của hệ 1.

ε = ε0; µ = µ0; σ = σ 0 = 0

α3 = α30 = 0; α4 = α40 = 0 (không có nguồn ngoài)

~ =E
α1 = α10 ; α2 = α20 = 0 (E ~ 0; H
~ =H
~ 0)

c1 = c01 = 0 (σ = 0) (151)
c2 = c02 = 0 (α3 = α30 = 0) (152)
c4 = c04 = 0 (α4 = α40 = 0) (153)

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 53
để 2 hệ đồng dạng thì c3 = c03; c5 = c05

εα2α5 ε0α20 α50


⇒ = (154)
α1 α6 α10 α60
µα1α5 µ0α10 α50
= (155)
α2 α6 α20 α60
α5 α6
⇒ = (156)
α50 α60
l f0
⇒ 0 = (157)
l f

⇒ Để hai hệ là đồng dạng thì khi giảm kích thước đi bao nhiều lần phải tăng
tần số lên bấy nhiêu lần.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 54
Chương 2: Tích phân các phương trình Maxwell

2.1 Phương trình sóng cho các vectơ cường độ trường

Hệ phương trình Maxwell trong môi trường đồng nhất, đẳng hướng, có cả
nguồn điện và từ:

∂ ~
E
~ =
rotH σE~ + ~Je + ε (158)
∂t
∂ ~
H
~ =
rotE −~JM − µ (159)
∂t
~ = ρ
divE (160)
ε
~ = ρM
divH (161)
µ

~ rotE,
Lấy rot cả 2 vế của 158 và 159 và thay thế rotH, ~ divE,
~ divH
~ từ các

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 55
phương trên vào, ta có:

2~ ~
2~ ∂ H ∂H ~ gradρM ∂~JM
∇ H − εµ 2 − µσ = −rotJe + +ε + σ~JM (162)
∂t ∂t µ ∂t
~
∂ 2E ~
∂E gradρ ∂~Je
2~ ~
∇ E − εµ 2 − µσ = rotJM + +µ (163)
∂t ∂t ε ∂t

162, 163 được gọi là các phương trình sóng không thuần nhất.
Trường hợp không có nguồn và σ = 0:

~
∂ 2H
2~
∇ H − εµ 2 = 0 (164)
∂t
~
∂ 2E
2~
∇ E − εµ 2 = 0 (165)
∂t

2.2 Phương trình sóng cho các thế điện động


- Do hệ pt Maxwell là tuyến tính, các nguồn điện và từ trong thực tế được kích
thích riêng rẽ và độc lập ⇒ Tách hệ pt Maxwell làm hai hệ mô tả trường điện

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 56
từ của nguồn điện và của nguồn từ để tiện tính toán. Trường điện từ tổng hợp:
chồng chất trường của nguồn điện và nguồn từ.
2.2.1 Đối với nguồn điện
Với σ = 0 (điện môi lý tưởng), ta có:

∂ ~
E
~ = ~Je + ε
rotH (166)
∂t
∂H~
~
rotE = −µ (167)
∂t
~ ρ
divE = (168)
ε
~ = 0
divH (169)

~ 1 ~ e nên ta đặt:
Vì divH = 0 = divrotA
µ

~ 1 ~e
H= ∇×A (170)
µ

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 57
~ e là thế vectơ điện. Thay vào 167 ta có:
với A

!
∂ ~e
A
~ +
rot E = 0 (171)
∂t
~e
∂A
~
⇒ E = − − gradϕe (172)
∂t

tiếp tục thế vào 166 ta có

!
1 ∂ ~e
∂A
~ ~
∇ × (∇ × Ae) = Je + ε − − ∇ϕe (173)
µ ∂t ∂t

1h ~ e) − ∇ A
2
i 2~
~ e = ~Je − ε Ae − ε∇ ∂ϕe

⇒ ∇(∇ · A 2
(174)
µ ∂t ∂t
2~
 
⇒ ∇2 A ~ e − εµ ∂ Ae − ∇ ∇ · A ~ e + εµ ∂ϕe = −µ~Je (175)
∂t2 ∂t

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 58
~ e và ϕe là các hàm chọn tùy ý)
chọn (do A

∇·A ~ e + εµ ∂ϕe = 0 (176)


∂t
~e
∂ 2A
2~
⇒ ∇ Ae − εµ 2 = −µ~Je (177)
∂t

Từ 168 ta có 2
2 ∂ ϕe ρ
∇ ϕe − εµ 2 = − (178)
∂t ε
177 và 178 là các phương trình sóng không thuần nhất hay còn gọi là các
phương trình D’Alembert cho các thế điện động của trường điện từ đối với
nguồn điện.
Ưu điểm của việc dùng thế điện động:
(a) Số các phương trình giảm
(b) Việc giải phương trình đơn giản hơn

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 59
2.2.2 Đối với nguồn từ

Với σ = 0 (điện môi lý tưởng), ta có:

∂ ~
E
~ = ε
∇×H (179)
∂t
~
∂H
~ = −~JM
∇×E −µ (180)
∂t
~ = 0
∇·E (181)
~ ρM
∇·H = (182)
µ

Áp dụng nguyên lý đổi lẫn, ta có:

~ 1 ~M
E=− ∇×A (183)
ε
Microwave engineering ***
c Chi Hieu Ta 60
~M
∂A
~
H = − − ∇ϕM (184)
∂t
∂ 2A~M
2~
∇ AM − εµ = −ε~JM (185)
∂t2
2 ∂ 2ϕM ρM
∇ ϕM − εµ = − (186)
∂t2 µ
~ ∂ϕM
∇ · AM + εµ = 0 (187)
∂t

Nếu trong môi trường tồn tại cả nguồn điện và nguồn từ thì:

1 ∂A~e
~ ~
E = − ∇ × AM − − ∇ϕe (188)
ε ∂t
1 ~M
∂A
~
H = ~
∇ × Ae − − ∇ϕM (189)
µ ∂t

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 61
2.2.3 Đối với trường điều hòa

∇2 A~˙ em + k 2A~˙ em = −µ~J˙ em (190)


2 2 ρm
∇ ϕ̇em + k ϕ̇em = − (191)
ε
~˙ M m + k 2A
∇2 A ~˙ M m = −ε~J˙ M m (192)
ρM m
∇2ϕ̇M m + k 2ϕ̇M m = − (193)
µ


Với k = ω εµ và

j  ˙~

ϕ̇em = ∇ · Aem (194)
ωεµ
j  ˙~

ϕ̇M m = ∇ · AM m (195)
ωεµ

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 62
Nếu trong môi trường tồn tại cả nguồn điện và nguồn từ thì:

E ~˙ em − 1 ∇ × A
~˙ m = −jω A ~˙ M m − ∇ϕ̇em (196)
ε
~˙ m = 1 ∇ × A
H ~˙ M m − ∇ϕ̇M m
~˙ em − jω A (197)
µ

2.3 Phương trình sóng cho các vectơ Hertz

2.3.1 Vector Hertz điện

Áp dụng cho nguồn điện.

∂ ~e
Γ
~ e = εµ
A (198)
∂t
~ ∂ ~e
⇒ H = ε ∇×Γ (199)
∂t
Microwave engineering ***
c Chi Hieu Ta 63
thay vào 176

∂  ~ e + ϕe

⇒ ∇·Γ = 0 (200)
∂t
~e
⇒ ϕe = −∇ · Γ (201)

~ và H
Các vector E ~ được biểu diễn chỉ qua một vectơ Hertz điện Γ
~ e.
Thay 198 và 201 vào 172 ta có
2~
~ ~ ∂ Γe
E = ∇∇ · Γe − εµ 2 (202)
∂t

Đặt 198 vào 177 rồi tích phân 2 vế từ 0 đến t ta có


2~ Z t
2~ ∂ Γe 1 ~Jedt
∇ Γe − εµ 2 = − (203)
∂t ε 0

đặt Z t
~e =
P ~Jedt (204)
0

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 64
gọi là vector phân cực của nguồn điện
~e
∂ 2Γ 1~
2~
⇒ ∇ Γe − εµ 2 = − P e (205)
∂t ε

(phương trình sóng cho vector Hertz điện)


~ e được gọi là
Từ 205: Vector phân cực là nguồn tạo ra vector Hertz điện ⇒ Γ
thế vector phân cực điện.
2.3.2 Vector Hertz từ
Sử dụng cho nguồn từ, áp dụng nguyên lý đổi lẫn cho các pt 198 đến 205 ta có

∂Γ~M
~M
A = εµ (206)
∂t
ϕM = −∇ · Γ~M (207)
~ ∂ ~M
E = −µ ∇ × Γ (208)
∂t
~M
∂ 2Γ
~ = ∇∇ · Γ
H ~M − εµ (209)
∂t2
Microwave engineering ***
c Chi Hieu Ta 65
phương trình sóng cho vector Hertz từ

~M
∂ 2Γ 1~
2~
∇ ΓM − εµ 2
= M (210)
∂t µ

với Z t
~ =
M ~JM dt (211)
0
là vector từ hóa của nguồn từ ⇒ ~ M : thế vector từ hóa.
Γ
Nhận xét:
- Trong trường hợp chung, phương pháp các vector Hertz đơn giản hơn phương
pháp dùng các thế điện động vì tất cả các đại lượng và phương trình đều được
biểu diễn thông qua một hàm vector Hertz.
- Trong trường hợp nguồn của trường có dạng 1 vector chỉ có 1 thành phần ⇒
các vector Hertz cũng chỉ có 1 thành phần ⇒ việc giải pt sóng cho vector Hertz
đơn giản hơn, trường điện từ được xác định chỉ qua 1 thành phần của vector
Hertz ⇒ trường loại điện, trường loại từ.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 66
2.3.3 Trường loại điện và loại từ
Trường hợp các vector Hertz Γ~ e và Γ
~ M chỉ có một thành phần, trong hệ tọa
độ Descartes chọn vector Hertz dọc theo phương truyền của trường điện từ là
trục z. Khi đó
~ e = ~z0Γe; Γ
Γ ~ M = ~z0ΓM (212)
từ 170, 202 và 209 ta có
~ e chỉ có một thành phần) có Hz = 0, các
- Trường của nguồn điện (ứng với Γ
thành phần khác nói chung khác 0 ⇒ trường loại điện dọc/từ ngang (E hay
TM).
~ M chỉ có một thành phần) có Ez = 0, các
- Trường của nguồn từ (ứng với Γ
thành phần khác nói chung khác 0 ⇒ trường loại từ dọc/điện ngang (H hay
TE).
- Trường hợp tổng quát: trường điện từ có thể coi là tổng hợp của 2 loại trường.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 67
2.4 Tìm nghiệm phương trình sóng

Dạng tổng quát của phương trình sóng D’Alembert:

2 ∂ 2ψ
∇ ψ − εµ 2 = −g (213)
∂t

với ψ đại diện cho ϕe, ϕM hay bất kỳ thành phần nào trong hệ tọa độ Đề-các
của A~ e, A
~ M, Γ
~ e, Γ
~ M , g: hàm nguồn của trường (phân bố trong thể tích V ).

a. Phương trình sóng thuần nhất

2 ∂ 2ψ
∇ ψ − εµ 2 = 0 (214)
∂t

Nguồn điểm đặt tại gốc tọa độ.

Nguồn điểm ⇒ trường có tính đối xứng cầu ⇒ ψ chỉ phụ thuộc r và t
(ψ = f (r, t)).

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 68
Trong hệ tọa độ cầu, ta có:
   
2 1 ∂ 2 ∂ψ 1 ∂ ∂ψ 1 ∂ 2ψ
∇ ψ= 2 r + 2 sin θ + 2 2 (215)
r ∂r ∂r r sin θ ∂θ ∂θ r sin θ ∂ϕ

do ψ = f (r, t), suy ra:


   2

2 1 ∂ 2 ∂ψ 1 ∂ψ 2∂ ψ 2 ∂ψ ∂ 2ψ 1 ∂ 2
∇ ψ= 2 r = 2 2r +r 2
= + 2 = 2
(rψ)
r ∂r ∂r r ∂r ∂r r ∂r ∂r r ∂r
(216)
đặt φ = rψ, phương trình trên được viết lại thành

∂ 2φ ∂ 2φ
− εµ 2 = 0 (217)
∂r2 ∂t
Phương trình 217 có nghiệm dạng:
 r  r
φ = f1 t − + f2 t + (218)
v v
 r   r
f1 t − f2 t +
ψ = v + v (219)
r r
Microwave engineering ***
c Chi Hieu Ta 69
1
với v = √ : vận tốc truyền sóng trong môi trường, f1, f2: các hàm tùy ý.
εµ
 r
f1 t −
Nhận xét: v mô tả sóng cầu phân kỳ từ nguồn đi ra xa vô cùng,
 r
r
f2 t +
v mô tả sóng cầu hội tụ truyền từ vô cùng trở lại nguồn. Xuất phát từ
r 
r
f1 t − v
ý nghĩa vật lý, chọn nghiệm mô tả sóng cầu truyền từ nguồn → ∞.
r
 r
f1 t −
ψ= v (220)
r

b. Xác định hàm f1


Nhận xét:
- ψ → ∞ khi r = 0 ⇒ f1 phải có dạng để ψ thỏa mãn 213 tại gốc tọa độ.
∂ 2ψ
- Ở trạng thái dừng → 0, phương trình 213 chuyển thành dạng giống
∂t2
Microwave engineering ***
c Chi Hieu Ta 70
phương trình Poisson đối với thế của trường tĩnh điện, do vậy nghiệm 219 cũng
phải chuyển thành nghiệm của phương trình

∇2ψ = −g (221)

Nghiệm của 221 có dạng

Z
1 g
ψ= dV (222)
4π V r
Đối chiếu với (220) suy ra

 r 1  r
f1 t− = g t− (223)
v 4π v

Suy ra: 

Z g r0, t − r
1 v dV
ψ(r, t) = (224)
4π V r

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 71
Lập luận tương tự, ta có
 r 
Z ~Je r , t −
0
~e = µ v dV
A (225)
4π V r
 r 
Z ~JM r0, t −
~M ε v dV
A = (226)
4π V r

Đối với trường điều hòa:

Z
1 ρ̇me−jkr
ψ̇ = dV (227)
4πε V r
Z ~˙
~˙ e = µ Jeme−jkr
A dV (228)
4π V r
Z ~˙
~˙ M ε JM me−jkr
A = dV (229)
4π V r

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 72
2.5 Trường điện từ của lưỡng cực điện

2.5.1 Khái niệm

- Lưỡng cực điện: một đoạn dây dẫn có độ dài l, có dòng điện biến thiên điều
hòa chạy qua.

- Các giả thiết:

• Môi trường: σ = 0; ε, µ = const


• Chiều dài dây l  λ
• lr
• Dòng điện nuôi lưỡng cực biến đổi điều hòa theo t với tần số ω

2.5.2 Trường điện từ của lưỡng cực điện

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 73
z

r0
ϕ0
θ M

r θ0

ϕ y

- Chọn hệ tọa độ cầu, gốc O nằm ở điểm giữa của lưỡng cực, trục của lưỡng
cực trùng với trục Oz.
- Dòng điện nuôi lưỡng cực hướng dọc trục Oz và có dạng

~I˙ = z~0I˙mejωt = z~0J˙mSejωt (230)

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 74
được coi như có biên độ và pha không đổi dọc theo lưỡng cực, S: tiết diện của
lưỡng cực.

Áp dụng kết quả:


Z ~˙
˙~ µ Jeme−jkr
Ae = dV (231)
4π V r
cho biên độ phức của thế chậm cho lưỡng cực điện, ta có

Z ~˙ −jkr Z ˙ −jkr
~˙ em µ Jm e µ Jme
A = dV = ~z0 dV (232)
4π V r 4π V r

Do dV = S · dl nên

Z ˙ −jkr Z ˙ −jkr Z ˙ −jkr


Jm e Jm e Ime
dV = Sdl = dl (233)
V r l r l r

Do biên độ và pha của dòng có giá trị như nhau trên toàn lưỡng cực, đồng thời

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 75
r  l ⇒ r ≈ const nên:
Z ˙ −jkr ˙ −jkr Z
~˙ µ Im e µ I m e µI˙ml −jkr
Aem = ~z0 dl = ~z0 dl = ~z0 e (234)
4π l r 4π r l 4πr

Trong hệ tọa độ cầu: ~z0 = ~r0 cos θ − θ~0 sin θ, thay vào phương trình trên, ta có:

˙~ µI˙mle−jkr  
Aem = ~r0 cos θ − θ~0 sin θ (235)
4πr
Từ phương trình trên và quan hệ

˙
~ 1 ~˙
Hm = rotAem (236)
µ

ta có
˙  −jkr   
~˙ m Iml e
H = rot ~r0 cos θ − θ~0 sin θ (237)
4π r
˙   −jkr
~˙ m Iml 1 e
⇒ H = ϕ
~0 + jk sin θ (238)
4π r r

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 76
Lưu ý: công thức tính rot trong tọa độ cầu


~r0 rθ~0 ~ 0
r sin θϕ

~ 1 ∂ ∂ ∂

rotF = 2 (239)
r sin θ ∂r ∂θ ∂ϕ

Fr rFθ r sin θFϕ

~˙ m
Bài tập tại lớp: sinh viên dùng công thức này, tự tính ra H

~ có thể được tính từ thế vector và thế vô hướng, tuy nhiên có thể tính theo
E
cách đơn giản hơn nhờ pt Maxwell rotH~˙ m = jωεE
~˙ m

˙ −jkr
     
E ~˙ m = Iml e
~˙ m = 1 rotH 1
2~r0 2 +
jk 1
cos θ + θ~0 2 − k 2 +
jk
sin θ
jωε 4πjωε r r r r r
(240)
BTVN: từ phương trình Maxwell rotH~˙ m = jωεE~˙ m, hãy tính ra E~˙ m.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 77
Giá trị tức thời của các vector cường độ trường

 
Imlk 1
Hϕ = sin θ cos(ωt − kr) − sin(ωt − kr) (241)
4πr kr
2
 
Imlk 1 1
Er = cos θ 2 2
sin(ωt − kr) + cos(ωt − kr) (242)
2πωεr k r kr
2
  
Imlk 1 1
Eθ = sin θ 2 2
− 1 sin(ωt − kr) + cos(ωt − kr) (243)
4πωεr k r kr
Eϕ = Hr = Hθ = 0 (244)

Phương trình mặt đồng pha

φ = ωt − kr = const (245)
dφ = ωdt − kdr = 0 (246)
dr ω
vph = = (247)
dt k
Microwave engineering ***
c Chi Hieu Ta 78
˙~ ˙~ e−jkr ~˙ và H
~˙ tỷ lệ nghịch với r, mặt đồng
E và H đều tỷ lệ với ⇒ biên độ của E
r
pha là mặt cầu bán kính r ⇒ trường bức xạ của lưỡng cực điện có tính chất
của sóng cầu.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 79
• Trường điện từ tại vùng gần

Tại vùng gần: l  r  λ ⇒ kr = r  1
λ

Iml
Hϕ = 2
sin θ cos ωt (248)
4πr
Iml
Er = cos θ sin ωt (249)
2πωεr3
Iml
Eθ = 3
sin θ sin ωt (250)
4πωεr

Nhận xét:
π ~˙ = 0, năng lượng
~ tb = ReΠ
- Hϕ lệch pha so với Er , Eθ một góc ⇒ Π
2
trường điện từ chủ yếu dao động xung quanh nguồn, trường ở đây không
mang tính chất sóng.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 80
• Trường điện từ tại vùng xa

r  λ ⇒ kr = r  1
λ
Iml
Hϕ = − sin θ sin(ωt − kr) (251)
2λr
r
Iml µ
Eθ = − sin θ sin(ωt − kr) (252)
2λr ε

Nhận xét:
- Trường ở vùng xa gồm 2 thành phần Hϕ và Eθ vuông góc với nhau. Vectơ
Poynting phức chỉ có phần thực, năng lượng trường điện từ của lưỡng cực
được bức xạ vào không gian. Vùng xa được gọi là vùng bức xạ.
- Biên độ cường độ trường tỷ lệ với tần số. Nếu cùng một Im, r thì khi tần
số ω càng cao, cường độ trường sẽ càng lớn.
- Các biên độ của Hϕ và Eθ đều tỷ lệ với sin θ nên trường bức xạ của lưỡng
π
cực điện có tính định hướng trong không gian. Cực đại tại θ = và bằng
2
không tại θ = 0.
E
Giản đồ hướng: F (θ, ϕ) = = sin θ
Emax

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 81
z

x y

2.5.5 Công suất bức xạ, trở bức xạ

Công suất bức xạ: là công suất do lưỡng cực bức xạ vào không gian
I
Pbx = ~ tbd~S
Π (253)
S

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 82
với S là mặt cầu bán kính r bao quanh lưỡng cực.
Từ định nghĩa của các vectơ Π~˙ và Π
~ tb

˙~ 1  ~˙ ˙~ ∗

Π = E×H (254)
2
~ tb = Re(Π)
Π ~˙ (255)

~ θ và H
và các giá trị của E ~ ϕ ta có:

2 2 3
~ Im l k 2
Πtb = ~r0 sin θ (256)
32π 2r2ωε
với dS = r2 sin θdθdϕ, ta có:
2 2 3 Z 2π Z π 2 2 2
r 2
Iml k 3 Im l k µ Im
Pbx = dϕ sin θdθ = = Rbx (257)
32π 2ωε 0 0 12π ε 2

trong đó r r  2
2 2
l k µ 2π µ l
Rbx = = (258)
6π ε 3 ε λ

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 83
là trở bức xạ của lưỡng cực điện.
r
µ
zc = (259)
ε

trở kháng sóng của môi trường.


Trong không khí hoặc chân không:

zc0 = 377 Ω (260)


 2
l
Rbx0 = 790 Ω (261)
λ
 2
2 l
Pbx0 = 395Im w (262)
λ

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 84
Chương 3: Sóng điện từ phẳng

3.1 Nghiệm phương trình sóng đối với sóng phẳng

3.1.1 Sóng phẳng đồng nhất TEM

* Sóng phẳng: sóng có mặt đồng pha là mặt phẳng.

~ và H
* Sóng phẳng đồng nhất: các biên độ của E ~ bằng nhau tại mọi điểm trên
mặt phẳng pha

* Triển khai hệ pt Maxwell trong hệ tọa độ Đề các:


Từ các phương trình Maxwell cho trường điều hòa

rotH~˙ m = σ E
~˙ m + jω E~˙ m + ~J˙ em = jωεpE
~˙ m + ~J˙ em (263)

rotE~˙ m = −jωµH ~˙ m (264)


σ ˙
với εp = ε − j ; ~Jem = 0 (265)
ω
Microwave engineering ***
c Chi Hieu Ta 85
ta có ∂ Ḣzm ∂ Ḣym
− = jωεpĖxm (266)
∂y ∂z
∂ Ḣxm ∂ Ḣzm
− = jωεpĖym (267)
∂z ∂x
∂ Ḣym ∂ Ḣxm
− = jωεpĖzm (268)
∂x ∂y
∂ Ėzm ∂ Ėym
− = −jωµḢxm (269)
∂y ∂z
∂ Ėxm ∂ Ėzm
− = −jωµḢym (270)
∂z ∂x
∂ Ėym ∂ Ėxm
− = −jωµḢzm (271)
∂x ∂y
* Chọn hệ tọa độ: Oz ≡ phương truyền của sóng phẳng
Mặt đồng pha, đồng biên ≡ Mặt phẳng P song song với mặt xOy tại z = l
Với hệ tọa độ trên:
∂E ∂E ∂H ∂H
= = = =0 ⇒ Ėzm = Ḣzm = 0 (272)
∂x ∂y ∂x ∂y

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 86
⇒ Sóng điện từ ngang (TEM):
~ và H
- Không có các thành phần của E ~ theo phương truyền sóng.
~ và H
- Các vectơ E ~ nằm trong mặt phẳng vuông góc với phương truyền sóng.

3.1.2 Nghiệm phương trình sóng


Các pt sóng:

∂ 2Ėxm 2
2
+ k p Ėxm = 0 (273)
∂z
∂ 2Ėym 2
+ k p Ėym = 0 (274)
∂z 2
∂ 2Ḣxm 2
2
+ k p Ḣxm = 0 (275)
∂z
∂ 2Ḣym 2
+ k p Ḣym = 0 (276)
∂z 2

với r 
√ σ
kp = ω εpµ = ω εµ 1 − j (277)
ωε

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 87
Nghiệm của các pt sóng:

Ėxm = Ėxmte−jkpz + Ėxmpxejkpz (278)


Ėym = Ėymte−jkpz + Ėympxejkpz (279)
Ḣxm = Ḣxmte−jkpz + Ḣxmpxejkpz (280)
Ḣym = Ḣymte−jkpz + Ḣympxejkpz (281)

hay
   
˙~ −jkp z jkp z −jkp z jkp z
Em = ~x0 Ėxmte + Ėxmpxe + ~y0 Ėymte + Ėympxe
   
˙~
Hm = ~x0 Ḣxmte−jkpz + Ḣxmpxejkpz + ~y0 Ḣymte−jkpz + Ḣympxejkpz

~ và Oy 0 ≡ H
Tiếp tục chọn các trục tọa độ Ox0 và Oy 0 sao cho Ox0 ≡ E ~ ta có:

~˙ m = ~x0Ėxm ; Ėym = 0
E (282)
~˙ m = ~y0Ḣym ; Ḣxm = 0
H (283)

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 88
∂ Ḣym
Thay vào phương trình − = jωεpĖxm rồi đồng nhất các thành phần của
∂z
sóng tới và sóng phản xạ, ta có:

∂ Ḣymte−jkpz + Ḣympxejkpz
− = jωεp(Ėxmte−jkpz + Ėxmpxejkpz )
∂z
−jkp z −jkp z 1 ∂ Ḣymte−jkpz
⇒ Ėmte = Ėxmte = − = zpḢmte−jkpz
jωεp ∂z

jkp z jkp z 1 ∂ Ḣympxejkpz


⇒ Ėmpxe = Ėxmpxe = − = −zpḢmpxejkpz
jωεp ∂z

hay

Ėmt = zpḢmt (284)


Ėmpx = −zpḢmpx (285)

với r r
µ µ 1
zp = = = zc √ (286)
εp ε(1 − j tan δe) 1 − j tan δe

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 89
σ
là trở kháng sóng phức của môi trường, tan δe = : tang của góc tiêu hao
ωε
điện.

* Các vector biên độ phức của cường độ điện trường và từ trường được viết
như sau:

~˙ m = H
H ~˙ mte−jkpz + H~˙ mpxejkpz (287)
~˙ m = E
E ~˙ mte−jkpz + E
~˙ mpxejkpz (288)

hay

~˙ m = H
H ~˙ mte−jkpz + H
~˙ mpxejkpz (289)
 
˙~
Em = zp~x0 Ḣmte−jkpz − Ḣmpxejkpz (290)

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 90
do ~x0 = ~y0 × ~z0 nên ta có

H ~˙ mpxejkpz
~˙ mte−jkpz + H
~˙ m = H (291)
h i h i 
˙~ ˙~ −jkp z ˙~ jkp z
Em = zp Hmt × ~z0 e − Hmpx × ~z0 e (292)

* Các vector phức của cường độ điện trường và từ trường được viết như sau:

H ~˙ mpxej(ωt+kpz)
~˙ mtej(ωt−kpz) + H
~˙ = H (293)
h i h i 
˙~ ˙~ ˙
~ mpx × ~z0 ej(ωt+kpz)
E = zp Hmt × ~z0 ej(ωt−kpz) − H (294)

* Trong trường hợp tổng quát: phương truyền sóng là phương l bất kỳ, ta có:

~˙ t = H
H ~˙ mtej(ωt−kpl) (295)
h i
˙~ ˙~
Et = zp Hmt × ~l0 ej(ωt−kpl) (296)

với ~l0: vectơ đơn vị của phương l.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 91
Số sóng phức kp và trở sóng phức zp được viết lại thành

kp = β − jα (297)
zp = |zp|ejψ (298)

trong đó
r
√ 1 1p
α = ω εµ − + 1 + tan2 δe (299)
2 2
r
√ 1 1p
β = ω εµ + 1 + tan2 δe (300)
2 2
zc
|zp| = p4
(301)
1 + tan2 δe
v
u p
α u −1 + 1 + tan2 δe
ψ = arctan = arctan t p (302)
β 1 + 1 + tan2 δe

α: hệ số tiêu hao của môi trường, β: hệ số pha của sóng, ψ: argument của trở
sóng phức.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 92
* Pha của sóng phẳng thuận (sóng tới): φ = ωt − βz.
Khi sóng lan truyền, mặt đồng pha di chuyển theo phương truyền sóng, do đó
lương thay đổi về pha theo thời gian phải bằng lượng thay đổi về pha theo
không gian. Nói cách khác: ω ∆t = β ∆z ⇒ vận tốc pha

∆z ω 1 1 v
vph = = =√ r =r (303)
∆t β εµ 1 1 p 1 1 p
2
+ 1 + tan δe + 1 + tan2 δe
2 2 2 2

1
với v = √ : vận tốc truyền sóng trong môi trường.
εµ
* Vectơ Poynting trung bình
   h i 
~˙ tb
Π = Re Π ~˙ = Re 1 E ~˙ mt × H
~˙ ∗ (304)
mt
2
1
= ~z0 |zp| |Ḣmt|2 cos ψ (305)
2
1 |Ėmt|2
= ~z0 cos ψ (306)
2 |zp|

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 93
3.2 Sóng phẳng đồng nhất trong các môi trường đồng nhất và đẳng hướng
3.2.1 Trong môi trường điện môi lý tưởng
σ = 0 ⇒ εp = ε; kp = k; zp = zc. Các tham số khác:

α = 0; ψ=0 (307)

β = k = ω εµ (308)
r
µ
|zp| = zc = (309)
ε
1
vph = √ = v (310)
εµ
2
1 1 |Ėm |
Πtb = zc|Ḣm|2 = (311)
2 2 zc

Vector biên độ phức của cường độ điện trường và cường độ từ trường

~˙ m = H
H ~˙ mte−jβz (312)
h i
˙~ ˙~
Em = zc Hmt × ~z0 e−jβz (313)

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 94
và vector phức của cường độ điện trường và từ trường

~˙ = H
H ~˙ mtej(ωt−βz) (314)
h i
˙~ ˙~
E = zc Hmt × ~z0 ej(ωt−βz) (315)

⇒ Tính chất của sóng phẳng trong điện môi lý tưởng:


~ và H
- Các vectơ E ~ luôn vuông góc với nhau và vuông góc với phương truyền
sóng. Điện trường và từ trường luôn đồng pha và có biên độ không đổi dọc
theo phương truyền sóng.
- Vận tốc pha của sóng phẳng là hằng số, bằng vận tốc truyền sóng trong môi
trường.
Môi trường không gây tổn hao năng lượng, không tán sắc sóng điện từ, trở
sóng là một số thực.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 95
3.2.2 Trong môi trường dẫn điện
H~˙ = H ~˙ mtej(ωt−βz)e−αz (316)
h i
˙~ ˙~
E = zp Hmt × ~z0 ej(ωt−βz)e−αz (317)
* Nhận xét:
• Do σ 6= 0 nên α 6= 0 ⇒ có sự suy hao năng lượng của sóng điện từ.
• Biên độ của E~ và H~ suy giảm theo qui luật hàm mũ dạng e−αz dọc theo
phương truyền sóng. Điện trường và từ trường lệch pha nhau một góc bằng
ψ = argument của trở sóng phức.
• Vận tốc pha là hàm của tần số, sóng phẳng bị tán sắc ⇒ môi trường tán sắc.
* Nếu σ → ∞, tan δe  1 (môi trường dẫn điện tốt) thì
r
ωµσ
α ≈ β≈ (318)
2
r
µω
|zp| ≈ (319)
σ
r

vph ≈ (320)
µσ
π
ψ ≈ (321)
4

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 96
3.3 Hiệu ứng bề mặt trong vật dẫn
- Với σ → ∞, α tỷ lệ thuận với tần số ω ⇒ ω càng cao thì cường độ trường
bị suy giảm rất nhanh khi truyền vào bên trong vật dẫn ⇒ sóng điện từ chỉ tồn
tại ở một lớp rất mỏng sát bề mặt vật dẫn điện tốt ⇒ Hiệu ứng bề mặt.
- Độ thấm sâu của trường: độ sâu tính từ bề mặt vật dẫn mà tại đó biên độ
của cường độ trường giảm đi e lần.
r
1 2
δ= = (322)
α ωµσ

Độ thấm sâu của trường tỷ lệ nghịch với căn bậc 2 của tần số và độ dẫn điện
riêng của vật dẫn.
- Trở kháng mặt riêng của vật dẫn:
r
ωµ
zS = (1 + j) = RS + jXS (323)

r
ωµ
trong đó RS = là điện trở mặt riêng của vật dẫn, gây tổn hao sóng điện

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 97
từ trong vật dẫn (sinh nhiệt).

3.4 Sự phân cực của sóng phẳng


- Hướng của vector E~ của một sóng điện từ phẳng có thể là cố định hoặc thay
~ mà sóng phẳng có thể
đổi theo thời gian. Tùy thuộc vào hướng của vector E
có các phân cực sau đây:
• Phân cực elip
* Là trường hợp phân cực mà ở đó đầu cuối của vector E ~ vẽ nên một đường
xoắn ốc elip trong không gian trong quá trình truyền sóng.

~ = E
E ~1+E~2 (324)
~ 1 = ~x0Emx cos(ωt − βz)
E (325)
~ 2 = ~y0Emy cos(ωt − βz + ϕ)
E (326)

• Phân cực tròn


~ vẽ nên một đường
* Là trường hợp phân cực mà ở đó đầu cuối của vector E
xoắn ốc tròn trong không gian trong quá trình truyền sóng. Trong trường
π
hợp này: Emx = Emy , ϕ = ±
2
Microwave engineering ***
c Chi Hieu Ta 98
* Phân cực tròn quay trái, quay phải: Nhìn dọc theo phương truyền sóng,
nếu vector E~ quay sang trái ⇒ phân cực tròn quay trái, nếu E ~ quay sang
phải ⇒ phân cực tròn quay phải.
Câu hỏi: với giá trị nào của ϕ thì ta sẽ có phân cực tròn quay trái? với giá trị
nào thì có phân cực tròn quay phải?
• Phân cực tuyến tính
* Là trường hợp phân cực mà ở đó vector E ~ luôn nằm trong một mặt phẳng
trong quá trình truyền sóng. Trong trường hợp này: ϕ = ±nπ, n = 0, 1, . . .
* Phân cực đứng, phân cực ngang

3.5 Sự phản xạ và khúc xạ của sóng phẳng

3.5.1. Sóng tới phân cực ngang


* Phân cực ngang: E~ vuông góc với mặt phẳng tới.
* Hai môi trường: ε1, µ1 và ε2, µ2
* Hệ tọa độ: Đề các, với xOy ≡ mặt phân cách, Oz ≡ pháp tuyến của mặt
phân cách

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 99
y
~ 1y
H ~1
H

~1
E ~ 1z
H
zt
ϕt z
ψ ~ 2y
H ~2
H
ϕpx
zkx
zpx ~ 2z
H
~0
E ~0
H ~2
E
1 1z

~0
H ~0
H
1y 1

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 100
Cường độ trường sóng tới:

~˙ 1m = ~x0Ė1mxe−jk1zt
E (327)
 
˙~
H1m = ~y0Ḣ1my + ~z0Ḣ1mz e−jk1zt (328)

Cường độ trường sóng phản xạ:

~˙ 0 0
e−jk1zpx
E 1m = ~
x0Ė1mx (329)
 
˙~ 0 0 0
H1m = −~y0Ḣ1my + ~z0Ḣ1mz e−jk1zpx (330)

Cường độ trường sóng khúc xạ:

~˙ 2m = ~x0Ė2mxe−jk2zkx
E (331)
 
˙~
H2m = ~y0Ḣ2my + ~z0Ḣ2mz e−jk2zkx (332)

√ √
với k1 = ω ε1µ1, k2 = ω ε2µ2.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 101
Điều kiện bờ:

~˙ 1τ
E ~˙ 2τ ⇒ E
= E ~˙ 1m + E
~˙ 0 = E ~˙ 2m (333)
1m

~˙ 1τ
H ~˙ 2τ ⇒ H
= H ~˙ 1my + H~˙ 0 = ~˙ 2my
H (334)
1my

hay

0
Ė1m + Ė1m = Ė2m (335)
0
Ḣ1my − Ḣ1my = Ḣ2my (336)

Dựa trên quan hệ:

zt = −y sin ϕt + z cos ϕt
zpx = −y sin ϕpx − z cos ϕpx
zkx = −y sin ψ + z cos ψ

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 102
với z = 0 (do xét trên mặt phân cách xOy) ta có

0
Ė1mxek1y sin ϕt + Ė1mx ek1y sin ϕpx = Ė2mxek2y sin ψ (337)
0
Ḣ1my ek1y sin ϕt − Ḣ1my ek1y sin ϕpx = Ḣ2my ek2y sin ψ (338)

để các phương trình trên đúng với mọi y thì:

ek1y sin ϕt = ek1y sin ϕpx = ek2y sin ψ (339)


0
Ė1mx + Ė1mx = Ė2mx (340)
0
Ḣ1my − Ḣ1my = Ḣ2my (341)

suy ra

ϕt = ϕpx Định luật phản xạ SĐT (342)


k1 sin ϕt = k2 sin ψ Định luật khúc xạ SĐT (343)

0
Ė1m Ė2m
* Hệ số phản xạ: R = , hệ số khúc xạ: T =
Ė1m Ė1m

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 103
0 0
Từ hình vẽ, ta thấy: Ė1m = Ė1mx, Ė1m = Ė1mx , Ė2m = Ė2mx, thay vào (340)
và chia 2 vế cho Ė1m ta có:

1 + Rng = Tng (344)

Thay quan hệ

0 0
Ḣ1my = Ḣ1m cos ϕt; Ḣ1my = Ḣ1m cos ϕt; Ḣ2my = Ḣ2m cos ψ
0
Ė1m 0 Ė1m Ė2m
Ḣ1m = ; Ḣ1m = ; Ḣ2m = ;
zc1 zc1 zc2

vào phương trình (341) và chia cả 2 vế cho Ė1m ta có

cos ϕt cos ψ
(1 − Rng ) = Tng (345)
zc1 zc2

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 104
suy ra

zc2 cos ϕt − zc1 cos ψ


Rng = (346)
zc2 cos ϕt + zc1 cos ψ
2zc2 cos ϕ1
Tng = (347)
zc2 cos ϕt + zc1 cos ψ
r
ε1 2
Nếu µ1 = µ2 = µ0 thì cos ψ = 1− sin ϕt
ε2
r
√ √ ε1 2
ε1 cos ϕt − ε2 1 − sin ϕt
ε2
Rng = r (348)
√ √ ε1 2
ε1 cos ϕt + ε2 1 − sin ϕt
ε2

2 ε1 cos ϕ1
Tng = r (349)
√ √ ε1 2
ε1 cos ϕt + ε2 1 − sin ϕt
ε2

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 105
3.5.2. Sóng tới phân cực đứng
* Phân cực đứng: E~ nằm trong mặt phẳng tới.

y
~ 1y
E ~1
E

~1
H ~ 1z
E
zt
ϕt
ψ ~ 2y ~2
E
z
ϕpx E

~0
E ~0
E 1y
zkx
1 zpx ~ 2z
E
~2
H
~0
E ~0
H
1z 1

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 106
zc2 cos ψ − zc1 cos ϕt
Rđ = (350)
zc2 cos ψ + zc1 cos ϕt
2zc2 cos ϕt
Tđ = (351)
zc2 cos ψ + zc1 cos ϕt

3.5.3. Sóng tới theo phương vuông góc với mặt phân cách

* Lúc này ϕt = 0, ψ = 0

zc2 − zc1
Rng = Rđ = (352)
zc1 + zc2
2zc2
Tng = Tđ = (353)
zc1 + zc2

3.5.4. Sự phản xạ toàn phần

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 107
Nếu µ1 = µ2 và ε1 > ε2 thì
r
ε1
sin ψ = sin ϕt (354)
ε2
r
ε2 π π
Tồn tại 0 < ϕ0 = arcsin < sao cho sin ψ = 1 hay ψ = .
ε1 2 2
Nếu ϕt > ϕ0, sóng khúc xạ không đi vào môi trường 2 mà quay trở lại mội
trường 1 → hiện tượng phản xạ toàn phần.
3.5.5. Sự khúc xạ toàn phần
Đối với sóng tới có phân cực đứng, tồn tại một giá trị góc tới mà tại đó sóng
tới đi toàn bộ vào môi trường thứ 2 mà không phản xạ trở lại môi trường 1 →
hiện tượng khúc xạ toàn phần. Khi đó hệ số phản xạ R = 0, góc tới ứng với
hiện tượng này: góc Brewster ϕB .
r
ε2
ϕB = arctan (355)
ε1

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 108
Chương 4: Đường truyền năng lượng SCT
4.1 Khái niệm, phân loại
- Đường truyền SCT: thiết bị hay hệ thống dùng để dẫn hướng (giới hạn đường
truyền lan) cho sóng điện từ SCT.
Chương 4: Đường truyền năng lượng SCT
4.1 Khái niệm, phân loại
- Đường truyền SCT: thiết bị hay hệ thống dùng để dẫn hướng (giới hạn đường
truyền lan) cho sóng điện từ SCT.
- Đường truyền SCT đồng nhất:
• Tiết diện ngang không đổi dọc theo phương truyền sóng.
• Môi trường trong đường truyền là đồng nhất.
Chương 4: Đường truyền năng lượng SCT
4.1 Khái niệm, phân loại
- Đường truyền SCT: thiết bị hay hệ thống dùng để dẫn hướng (giới hạn đường
truyền lan) cho sóng điện từ SCT.
- Đường truyền SCT đồng nhất:
• Tiết diện ngang không đổi dọc theo phương truyền sóng.
• Môi trường trong đường truyền là đồng nhất.

- Phân loại
• Đường truyền hở: dây song hành, mạch dải,...
• Đường truyền kín: ống dẫn sóng, cáp đồng trục,...
Chương 4: Đường truyền năng lượng SCT
4.1 Khái niệm, phân loại
- Đường truyền SCT: thiết bị hay hệ thống dùng để dẫn hướng (giới hạn đường
truyền lan) cho sóng điện từ SCT.
- Đường truyền SCT đồng nhất:
• Tiết diện ngang không đổi dọc theo phương truyền sóng.
• Môi trường trong đường truyền là đồng nhất.

- Phân loại
• Đường truyền hở: dây song hành, mạch dải,...
• Đường truyền kín: ống dẫn sóng, cáp đồng trục,...

- Các loại ống dẫn sóng cơ bản: chữ nhật, trụ tròn, đồng trục.
Chương 4: Đường truyền năng lượng SCT
4.1 Khái niệm, phân loại
- Đường truyền SCT: thiết bị hay hệ thống dùng để dẫn hướng (giới hạn đường
truyền lan) cho sóng điện từ SCT.
- Đường truyền SCT đồng nhất:
• Tiết diện ngang không đổi dọc theo phương truyền sóng.
• Môi trường trong đường truyền là đồng nhất.

- Phân loại
• Đường truyền hở: dây song hành, mạch dải,...
• Đường truyền kín: ống dẫn sóng, cáp đồng trục,...

- Các loại ống dẫn sóng cơ bản: chữ nhật, trụ tròn, đồng trục.
- Cơ chế lan truyền của sóng trong ống dẫn sóng: phản xạ nhiều lần tại mặt bên
trong của ống dẫn sóng. Sóng lan truyền bên trong ống dẫn sóng là tổng của
các sóng phản xạ này.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 109
- Một số dạng ống dẫn sóng cơ bản: chữ nhật, trụ tròn, đồng trục, mạch vi dải,
mạch coplanar

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 110
4.2 Bài toán tìm nghiệm trường điện từ đối với đường truyền đồng nhất
a. Bài toán
Giải hệ pt Maxwell với điều kiện bờ cụ thể (tùy theo dạng của đường truyền).
4.2 Bài toán tìm nghiệm trường điện từ đối với đường truyền đồng nhất
a. Bài toán
Giải hệ pt Maxwell với điều kiện bờ cụ thể (tùy theo dạng của đường truyền).
Hệ pt Maxwell:
~˙ m
rotH ~˙ m
= jωεE (356)
rotE~˙ m = −jωµH ~˙ m (357)
divE~˙ m = 0 (358)
~˙ m
divH = 0 (359)
4.2 Bài toán tìm nghiệm trường điện từ đối với đường truyền đồng nhất
a. Bài toán
Giải hệ pt Maxwell với điều kiện bờ cụ thể (tùy theo dạng của đường truyền).
Hệ pt Maxwell:
~˙ m
rotH ~˙ m
= jωεE (356)
rotE~˙ m = −jωµH ~˙ m (357)
divE~˙ m = 0 (358)
~˙ m
divH = 0 (359)

⇒ Pt sóng có dạng:

∇2 E~˙ m + k 2E
~˙ m = 0 (360)
~˙ m + k 2H
∇2 H ~˙ m = 0 (361)


với k = ω εµ. BTVN: Từ các pt Maxwell, hãy rút ra các pt sóng.
4.2 Bài toán tìm nghiệm trường điện từ đối với đường truyền đồng nhất
a. Bài toán
Giải hệ pt Maxwell với điều kiện bờ cụ thể (tùy theo dạng của đường truyền).
Hệ pt Maxwell:
~˙ m
rotH ~˙ m
= jωεE (356)
rotE~˙ m = −jωµH ~˙ m (357)
divE~˙ m = 0 (358)
~˙ m
divH = 0 (359)

⇒ Pt sóng có dạng:

∇2 E~˙ m + k 2E
~˙ m = 0 (360)
~˙ m + k 2H
∇2 H ~˙ m = 0 (361)


với k = ω εµ. BTVN: Từ các pt Maxwell, hãy rút ra các pt sóng.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 111
Điều kiện bờ:


Eτ = ψ (362)
S

b. Tìm nghiệm phương trình sóng

* Chọn hệ trục tọa độ:

Đường truyền SCT: trục truyền sóng là thẳng; tiết diện ngang không đổi dọc
theo trục ⇒ chọn hệ tọa độ Đề-các.

z
y

x O
Microwave engineering ***
c Chi Hieu Ta 112
* Áp dụng phương pháp phân ly biến số:

E ~˙ 0(x, y).F (z)


~˙ m(x, y, z) = E (363)
~˙ m(x, y, z) = H
H ~˙ 0(x, y).F (z) (364)

~˙ 0(x, y) và H
* Trong đó các thành phần E ~˙ 0(x, y) có các thành phần theo các
tọa độ không gian

~ 0(x, y) = ~x0 · E 0 (x, y) + ~y0 · E 0 (x, y) + ~z0 · E 0 (x, y)


E x y z
~ q (x, y) + ~z0 · E 0 (x, y)
= E z
~ 0(x, y) = ~x0 · H 0 (x, y) + ~y0 · H 0 (x, y) + ~z0 · H 0 (x, y)
H x y z
~ q (x, y) + ~z0 · H 0 (x, y)
= H z

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 113
do đó

~˙ m(x, y, z) = ~x0 · E 0 (x, y) · F (z) + ~y0 · E 0 (x, y) · F (z) + ~z0 · E 0 (x, y) · F (z)
E x y z

~˙ m(x, y, z) = ~x0 · H 0 (x, y) · F (z) + ~y0 · H 0 (x, y) · F (z) + ~z0 · H 0 (x, y) · F (z)
H x y z
do đó

~˙ m(x, y, z) = ~x0 · E 0 (x, y) · F (z) + ~y0 · E 0 (x, y) · F (z) + ~z0 · E 0 (x, y) · F (z)
E x y z

~˙ m(x, y, z) = ~x0 · H 0 (x, y) · F (z) + ~y0 · H 0 (x, y) · F (z) + ~z0 · H 0 (x, y) · F (z)
H x y z

Lưu ý: để đơn giản, từ đây sẽ không viết ký hiệu phức đối với các đại lượng
E và H. Tuy nhiên cần hiểu rằng tất cả các giá trị này và các thành phần
của chúng đều là giá trị phức.
do đó

~˙ m(x, y, z) = ~x0 · E 0 (x, y) · F (z) + ~y0 · E 0 (x, y) · F (z) + ~z0 · E 0 (x, y) · F (z)
E x y z

~˙ m(x, y, z) = ~x0 · H 0 (x, y) · F (z) + ~y0 · H 0 (x, y) · F (z) + ~z0 · H 0 (x, y) · F (z)
H x y z

Lưu ý: để đơn giản, từ đây sẽ không viết ký hiệu phức đối với các đại lượng
E và H. Tuy nhiên cần hiểu rằng tất cả các giá trị này và các thành phần
của chúng đều là giá trị phức.
* Thay vào các pt sóng, ta có:
" #
2~ 0 2~ 0
~˙ m = F (z) · ∂ E (x, y) + ∂ E (x, y)
~˙ m + k 2E
∇2 E
∂x2 ∂y 2

~0 ∂ 2F (z) 2~ 0
+ E (x, y) 2
+ k E (x, y) · F (z) = 0
∂z
do đó

~˙ m(x, y, z) = ~x0 · E 0 (x, y) · F (z) + ~y0 · E 0 (x, y) · F (z) + ~z0 · E 0 (x, y) · F (z)
E x y z

~˙ m(x, y, z) = ~x0 · H 0 (x, y) · F (z) + ~y0 · H 0 (x, y) · F (z) + ~z0 · H 0 (x, y) · F (z)
H x y z

Lưu ý: để đơn giản, từ đây sẽ không viết ký hiệu phức đối với các đại lượng
E và H. Tuy nhiên cần hiểu rằng tất cả các giá trị này và các thành phần
của chúng đều là giá trị phức.
* Thay vào các pt sóng, ta có:
" #
2~ 0 2~ 0
~˙ m = F (z) · ∂ E (x, y) + ∂ E (x, y)
~˙ m + k 2E
∇2 E
∂x2 ∂y 2

~0 ∂ 2F (z) 2~ 0
+ E (x, y) 2
+ k E (x, y) · F (z) = 0
∂z

~ 0(x, y) ~0 ∂ 2F (z) 2~ 0
⇒ F (z) · ∇2⊥E + E (x, y) · + k E (x, y) · F (z) = 0
∂z 2
Microwave engineering ***
c Chi Hieu Ta 114
 2

~ 0(x, y) + E
~ 0(x, y) · 1 ∂ F (z)
⇒ ∇2⊥E · + k 2
=0
F (z) ∂z 2
 2

~ 0(x, y) + E
~ 0(x, y) · 1 ∂ F (z)
⇒ ∇2⊥E · + k 2
=0
F (z) ∂z 2

~ 0(x, y)  
∇2⊥E 1 2
∂ F (z) 2
⇒ =− · + k (365)
~ 0(x, y)
E F (z) ∂z 2
 2

~ 0(x, y) + E
~ 0(x, y) · 1 ∂ F (z)
⇒ ∇2⊥E · + k 2
=0
F (z) ∂z 2

~ 0(x, y)  
∇2⊥E 1 2
∂ F (z) 2
⇒ =− · + k (365)
~ 0(x, y)
E F (z) ∂z 2
Để pt trên có nghiệm, cần phải có

~ 0(x, y)
∇2⊥E
= −χ2 (366)
~ 0(x, y)
E
1 ∂ 2F (z) 2 2
· + k = χ (367)
F (z) ∂z 2
 2

~ 0(x, y) + E
~ 0(x, y) · 1 ∂ F (z)
⇒ ∇2⊥E · + k 2
=0
F (z) ∂z 2

~ 0(x, y)  
∇2⊥E 1 2
∂ F (z) 2
⇒ =− · + k (365)
~ 0(x, y)
E F (z) ∂z 2
Để pt trên có nghiệm, cần phải có

~ 0(x, y)
∇2⊥E
= −χ2 (366)
~ 0(x, y)
E
1 ∂ 2F (z) 2 2
· + k = χ (367)
F (z) ∂z 2

Từ pt (367) suy ra

∂ 2F (z) 2
− γ F (z) = 0 (368)
∂z 2

với γ 2 = χ2 − k 2.
 2

~ 0(x, y) + E
~ 0(x, y) · 1 ∂ F (z)
⇒ ∇2⊥E · + k 2
=0
F (z) ∂z 2

~ 0(x, y)  
∇2⊥E 1 2
∂ F (z) 2
⇒ =− · + k (365)
~ 0(x, y)
E F (z) ∂z 2
Để pt trên có nghiệm, cần phải có

~ 0(x, y)
∇2⊥E
= −χ2 (366)
~ 0(x, y)
E
1 ∂ 2F (z) 2 2
· + k = χ (367)
F (z) ∂z 2

Từ pt (367) suy ra

∂ 2F (z) 2
− γ F (z) = 0 (368)
∂z 2

với γ 2 = χ2 − k 2.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 115
* Nghiệm tổng quát: F (z) = A · e−γz + B · eγz với γ = α + jβ. Ở đây ta chỉ
xét sóng truyền theo phương Oz ⇒ chọn F (z) = e−γz . Với dạng của F (z)
~˙ m, H
đã tìm được, E ~˙ m có dạng:
~˙ m = E
E ~ 0(x, y) · e−γz
~˙ m = H
H ~ 0(x, y) · e−γz
* Nghiệm tổng quát: F (z) = A · e−γz + B · eγz với γ = α + jβ. Ở đây ta chỉ
xét sóng truyền theo phương Oz ⇒ chọn F (z) = e−γz . Với dạng của F (z)
~˙ m, H
đã tìm được, E ~˙ m có dạng:
~˙ m = E
E ~ 0(x, y) · e−γz
~˙ m = H
H ~ 0(x, y) · e−γz

Từ pt (366) ta có
~ 0(x, y) + χ2E
∇2⊥E ~ 0(x, y) = 0 (369)
suy ra ∇2⊥Ex0 + χ2Ex0 = 0 (370)
∇2⊥Ey0 + χ2Ey0 = 0 (371)
∇2⊥Ez0 + χ2Ez0 = 0 (372)
* Nghiệm tổng quát: F (z) = A · e−γz + B · eγz với γ = α + jβ. Ở đây ta chỉ
xét sóng truyền theo phương Oz ⇒ chọn F (z) = e−γz . Với dạng của F (z)
~˙ m, H
đã tìm được, E ~˙ m có dạng:
~˙ m = E
E ~ 0(x, y) · e−γz
~˙ m = H
H ~ 0(x, y) · e−γz

Từ pt (366) ta có
~ 0(x, y) + χ2E
∇2⊥E ~ 0(x, y) = 0 (369)
suy ra ∇2⊥Ex0 + χ2Ex0 = 0 (370)
∇2⊥Ey0 + χ2Ey0 = 0 (371)
∇2⊥Ez0 + χ2Ez0 = 0 (372)
Tương tự như vậy:

∇2⊥Hx0 + χ2Hx0 = 0 (373)


∇2⊥Hy0 + χ2Hy0 = 0 (374)
∇2⊥Hz0 + χ2Hz0 = 0 (375)

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 116
với χ2 = k 2 + γ 2: số sóng ngang, liên quan đến tiết diện ngang của đường
truyền đồng nhất.
với χ2 = k 2 + γ 2: số sóng ngang, liên quan đến tiết diện ngang của đường
truyền đồng nhất.

* Biểu diễn các thành phần ngang theo các thành phần dọc

Từ các phương trình Maxwell (356) và (357) ta có

∂Hz0
+ γHy0 = jωεEx0
∂y
∂Hz0
− + γHx0 = jωεEy0
∂x
∂Ez0
+ γEy0 = −jωµHx0
∂y
∂Ez0
− − γEx0 = −jωµHy0
∂x
Microwave engineering ***
c Chi Hieu Ta 117
kết hợp các pt trên suy ra

 
1 ∂Ez0 ∂Hz0
Ex0 = 2
· −γ · − jωµ (376)
χ ∂x ∂y
 0 0

1 ∂Ez ∂Hz
Ey0 = · −γ · + jωµ (377)
χ2 ∂y ∂x
kết hợp các pt trên suy ra

 
1 ∂Ez0 ∂Hz0
Ex0 = 2
· −γ · − jωµ (376)
χ ∂x ∂y
 0 0

1 ∂Ez ∂Hz
Ey0 = · −γ · + jωµ (377)
χ2 ∂y ∂x

 
1 ∂Hz0 ∂Ez0
Hx0 = · −γ · + jωε (378)
χ2 ∂x ∂y
 0 0

1 ∂Hz ∂Ez
Hy0 = · −γ · − jωε (379)
χ2 ∂y ∂x

⇒ Các bước giải pt sóng trong đường truyền đồng nhất: tìm các nghiệm
Ez0 , Hz0 trước, sau đó tìm Ex0 , Ey0 , Hx0 , Hy0 qua quan hệ trên.
kết hợp các pt trên suy ra

 
1 ∂Ez0 ∂Hz0
Ex0 = 2
· −γ · − jωµ (376)
χ ∂x ∂y
 0 0

1 ∂Ez ∂Hz
Ey0 = · −γ · + jωµ (377)
χ2 ∂y ∂x

 
1 ∂Hz0 ∂Ez0
Hx0 = · −γ · + jωε (378)
χ2 ∂x ∂y
 0 0

1 ∂Hz ∂Ez
Hy0 = · −γ · − jωε (379)
χ2 ∂y ∂x

⇒ Các bước giải pt sóng trong đường truyền đồng nhất: tìm các nghiệm
Ez0 , Hz0 trước, sau đó tìm Ex0 , Ey0 , Hx0 , Hy0 qua quan hệ trên.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 118


Điều kiện bờ tổng quát: Eτ = ψ được cho ở dạng tương đương như sau
S


Ez0 = ψ1 (380)
L⊥
∂ 0
H |L = ψ2 (381)
∂n z ⊥
⇒ Bài toán giải các phương trình sóng được tách thành 2 bài toán nhỏ:
1. Bài toán Dirichlet đối với Ez0 :

∇2q Ez0 + χ2Ez0 = 0 (382)



0
Ez = ψ1 (383)
L⊥

2. Bài toán Neumann đối với Hz0 :

∇2q Hz0 + χ2Hz0 = 0 (384)


∂ 0
H |L = ψ2 (385)
∂n z ⊥
Microwave engineering ***
c Chi Hieu Ta 119
c. Phân loại trường
1. Theo đặc trưng phân bố của trường dọc trục z
p
γ = j k 2 − χ2 (386)

Bước sóng tới hạn, tần số tới hạn:



λth = (387)
χ
1
fth = √ (388)
εµλth
s   2
2
2π 2π
⇒ γ = j − (389)
λ λth

a. Khi χ2 < k 2 hay λ < λth ; f > fth


s  2 s  2
2π λ 2π fth
γ = jβ; α = 0; β = 1− = 1− (390)
λ λth λ f

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 120
F (z) = e−jβz ⇒ Trường điện từ trong đường truyền có dạng sóng chạy với
biên độ không đổi dọc trục z ⇒ trường điện từ có tính chất truyền lan.

- Bước sóng trong đường truyền

2π λ λ
λg = =s  2 = s  2 (391)
β λ fth
1− 1−
λth f

- Vận tốc pha:

ω v v
vph = =s  2 = s  2 (392)
β λ fth
1− 1−
λth f

1
với v = √ là vận tốc truyền sóng trong môi trường đồng nhất đẳng hướng.
εµ

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 121
- Vận tốc nhóm:

s  2 s  2
dω λ fth
vnh = =v 1− =v 1− (393)
dβ λth f

Vận tốc pha là một hàm của tần số hay bước sóng ⇒ đặc trưng tán sắc của
sóng trong đường truyền.

- Trường hợp đặc biệt: χ = 0 ⇒ γ = jk

Ez0 = Hz0 = 0, trường thuộc loại TEM.

λth = ∞
1
vph = vnh = √
εµ
λg = λ

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 122
b. Khi χ2 > k 2 hay λ > λth ; f < fth
s 2 s 2
2π λ 2π fth
γ=α= −1= −1 (394)
λ λth λ f

là một số thực, F (z) = e−αz ⇒ Trường điện từ không lan truyền dọc theo
trục z mà có phân bố biên độ suy giảm theo hàm mũ dọc theo z.
2. Theo các thành phần trường
* Trường TM (E): Ez 6= 0, Hz = 0
* Trường TE (H): Ez = 0, Hz 6= 0
* Trường TEM: Ez = 0, Hz = 0
* Trường lai EH, HE: Ez 6= 0, Hz 6= 0

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 123
4.3 Trường điện từ trong ống dẫn sóng chữ nhật

• Hệ tọa độ

z
y

x
a O
• Giả thiết: σv = ∞, σl = 0.
• Trường TM(E)
Bài toán Dirichlet
∂ 2Ez0 ∂ 2Ez0 2 0
+ + χ Ez = 0 (395)
∂x2 ∂y 2


Ez0 = 0 (396)
x=0,a; y=0,b

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 124
Tiếp tục áp dụng phương pháp phân ly biến số

Ez0 (x, y) = X(x) · Y (y)

thay vào pt sóng ở trên và biến đổi, ta có

∂ 2X ∂ 2Y 2 2
Y 2
+ X 2
+ (χx + χy )XY = 0
∂x ∂y
 2   2 
∂ X 2 ∂ Y 2
⇒ Y · 2
+ χ x X + X · 2
+ χ yY = 0
∂x ∂y

pt này có nghiệm khi

∂ 2X 2
+ χxX = 0
∂x2
∂ 2Y 2
+ χ yY = 0
∂y 2

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 125
Trong đó χ2 = χ2x + χ2y , điều kiện bờ tương ứng:


X = 0
x=0,a


Y = 0
y=0,b

Nghiệm tổng quát

X = A sin(χx.x) + B cos(χx.x)
Y = C sin(χy .y) + D cos(χy .y)

với A, B, C, D là các hệ số được xác định thông qua các điều kiện bờ.
* Khi x = 0, y = 0 ⇒ B = D = 0.
* Khi x = a, y = b ⇒ sin(χx.a) = sin(χy .b) = 0


χx = m = 1, 2, 3, ...
a

χy = n = 1, 2, 3, ...
b
Microwave engineering ***
c Chi Hieu Ta 126
Kết quả:
 mπ   nπ 
Ez0 = Ce sin x sin y (397)
a b
γ  mπ   mπ   nπ 
Ex0 = − 2 Ce cos x sin y (398)
χ a a b
γ  nπ   mπ   nπ 
Ey0 = − 2 Ce sin x cos y (399)
χ b a b
jωε  nπ   mπ   nπ 
Hx0 = 2
Ce sin x cos y (400)
χ b a b
jωε  mπ   mπ   nπ 
Hy0 = − 2 Ce cos x sin y (401)
χ a a b

bước sóng tới hạn 2


r
λth =     (402)
m 2 n 2
+
a b
* Lưu ý: để sóng có rthể lan truyền trong ống dẫn sóng cần có
 mπ 2  nπ 2
λ < λth ⇒ γ = jβ = j ω 2εµ − − .
a b

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 127
suy ra
 mπ   nπ 
Ėmz = Ce sin x sin y e−jβz (403)
a b
γ  mπ   mπ   nπ 
Ėmx = − 2 Ce cos x sin y e−jβz (404)
χ a a b
γ  nπ   mπ   nπ 
Ėmy = − 2 Ce sin x cos y e−jβz (405)
χ b a b
jωε  nπ   mπ   nπ 
−jβz
Ḣmx = C e sin x cos y e (406)
χ2 b a b
jωε  mπ   mπ   nπ 
Ḣmy = − 2 Ce cos x sin y e−jβz (407)
χ a a b

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 128
• Trường TE(H)
Bài toán Neumann
∂ 2Hz0 ∂ 2Hz0 2 0
+ + χ Hz = 0 (408)
∂x2 ∂y 2
∂Hz0
= 0 (409)
∂x x=0,a
∂Hz0
= 0 (410)
∂y y=0,b

Tương tự ta đặt Hz0 (x, y) = X(x) · Y (y) và nhận được 2 pt

∂ 2X 2
2
+ χxX = 0
∂x
∂ 2Y 2
2
+ χ yY = 0
∂y

với điều kiện bờ


∂X ∂Y
= 0, =0
∂x x=0,a ∂y y=0,b

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 129
giải ra ta được

χx = m = 0, 1, 2, 3, ...
a

χy = n = 0, 1, 2, 3, ...
b
A = C=0

Kết quả:
 mπ   nπ 
Hz0 = Ch cos x cos y
a b
γ  mπ   mπ   nπ 
Hx0 = 2
Ch sin x cos y
χ a a b
γ  nπ   mπ   nπ 
Hy0 = 2
Ch cos x sin y
χ b a b
jωµ  nπ   mπ   nπ 
Ex0 = 2
C h cos x sin y = H 0 h
y Zc
χ b a b
jωµ  mπ   mπ   nπ 
Ey0 = − 2 Ch sin x cos y = −Hx0 Zch
χ a a b

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 130
suy ra
 mπ   nπ 
Ḣmz = Ch cos x cos y e−jβz (411)
a b
γ  mπ   mπ   nπ 
−jβz
Ḣmx = C h sin x cos y e (412)
χ2 a a b
γ  nπ   mπ   nπ 
−jβz
Ḣmy = C h cos x sin y e (413)
χ2 b a b
jωµ  nπ   mπ   nπ 
−jβz
Ėmx = C h cos x sin y e (414)
χ2 b a b
jωµ  mπ   mπ   nπ 
Ėmy = − 2 Ch sin x cos y e−jβz (415)
χ a a b

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 131
• Các trường đơn vị
- Ứng với mỗi cặp giá trị của m và n ⇔ trường đơn vị.
- Bước sóng tới hạn thay đổi đối với mỗi trường đơn vị
- Trường có bước sóng tới hạn lớn nhất: trường cơ bản (Tại sao?)
- Các trường đơn vị còn lại: trường bậc cao.

Trường đơn vị H10 H20 H01 H11, E11 H30 H40 H02
λth 2a a 2b √ 2ab 2a
3
a
2 b
a2 +b2

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 132
4.4 Trường cơ bản T E10(H10) trong ống dẫn sóng chữ nhật
* Cấu trúc trường và dòng mặt
π 
Hz0 = Hm cos x (416)
a
jβ π 
Hx0 =  π  Hm sin x (417)
a
a
jωµ π  π 
Ey0 = −  π  Hm sin x = −jEm sin x (418)
a a
a
Hy0 = Ex0 = Ez0 = 0 (419)
ωµ
với Em =  π  Hm (420)
a

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 133
* Giá trị tức thời của các thành phần trường

π 
Hz (x, y, z, t) = Hm cos x cos(ωt − βz) (421)
a
β π 
Hx(x, y, z, t) = −  π  Hm sin x sin(ωt − βz) (422)
a
a
ωµ π 
Ey (x, y, z, t) =  π  Hm sin x sin(ωt − βz) (423)
a
a

~ có phân cực tròn quay theo 2 chiều ngược nhau


* Tọa độ ngang tại đó H

 
 
a  λ 
 
x1 = arctan  s  2  , x 2 = a − x1 (424)
π  
 λ 
2a · 1 −
λth

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 134
* Cấu trúc dòng điện mặt
~JS = ~n0 × H
~

⇒ Trên thành rộng (y = 0, b):

~JS = ±~y0 × H
~ = ±~y0 × (~x0Hx + ~z0Hz ) = ±(−~z0Hx + ~x0Hz ) (425)

và trên thành hẹp (x = 0, a):

~JS = ±~x0 × H
~ = ±~x0 × (~x0Hx + ~z0Hz ) = ∓~y0Hz (426)

Tại các nút ở giữa thành rộng, các dòng điện mặt được khép kín bởi dòng điện
dịch
~
~Jdc = ε ∂ E
∂t
Microwave engineering ***
c Chi Hieu Ta 135
* Công suất truyền:

Z Z aZ b π 
~ ~ 1
P (H10) = Πtb · dS = 2
Em sin2 x dxdy
S 2Zch(H10) 0 0 a
s  2
λ
= P0 1 −
2a

với

2
abEm
P0 = r
µ

ε
r
µ
ε
Zch(H10) = s  2
λ
1−
2a

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 136
* Công suất truyền lan giới hạn của sóng cơ bản H10
s  2
2
abE λ
Pgh = r dt · 1 − (427)
µ0 2a
4
ε0
s  2
6 λ
với Edt = 3.10 (V /m) thì Pgh ≈ 597ab · 1 −
2a
* Công suất tiêu hao trên 1 đơn vị diện tích bề mặt ống dẫn sóng:
dPth 1 ~ 1
= RS |JS | = RS |Hτ |2
2
(428)
dA 2 2
r
ωµkl
với RS = .
2σkl
* Công suất tiêu hao tính trên một đơn vị độ dài của ống dẫn sóng:
I
1 1
Pth = RS |Hτ |2dl (429)
2 L⊥

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 137
⇒ Hệ số suy giảm của trường H10 trong ống dẫn sóng chữ nhật:
 2
2b λ
1 1+
Pth RS a 2a
αkl(H10) = = r ·s  2 (430)
2P µ λ
b 1 −
ε 2a

0.8
b/a = 0.5
0.7 b/a=0.1

0.6

0.5
αkl

0.4

0.3

0.2

0.1

0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
λ/2a

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 138
* Suy giảm của trường H10 tăng đáng kể khi λ → λth.
* Khi a = const và b giảm thì αkl tăng mạnh.
⇒ trong thực tế thường chọn 1.05a ≤ λ ≤ 1.6a để đảm bảo trong ống dẫn
sóng chữ nhật chỉ lan truyền một trường H10 với công suất lan truyền lớn và
suy hao nhỏ.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 139
4.5 Trường điện từ trong ống dẫn sóng tròn
• Hệ tọa độ trụ tròn: r, ϕ, z

z
ϕ
2R r

• Giả thiết: σvo = ∞, σloi = 0


• Trường TM(E)
Bài toán Dirichlet

∂ 2Ez0 1 ∂Ez0 1 ∂ 2Ez0 2 0


2
+ + 2 2
+ χ Ez = 0 (431)
∂r r ∂r r ∂ϕ

0
Ez = 0 (432)
r=R

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 140
Đặt Ez0 (r, ϕ) = R(r)Φ(ϕ), ta có:

∂ 2R 1 ∂R 1 ∂ 2Φ 2
Φ + Φ + R + χ RΦ = 0 (433)
∂r2 r ∂r r2 ∂ϕ2
2 2
2 1 ∂ R 2 1 1 ∂R 1 ∂ Φ 2 2
⇒ r + r + + χ r = 0 (434)
R ∂r2 R r ∂r Φ ∂ϕ2
1 ∂ 2R
2 2 1 1 ∂R 2 2 1 ∂ 2Φ
⇒ r +r +χ r = − (435)
R ∂r2 R r ∂r Φ ∂ϕ2

Để pt trên có nghiệm thì:

21 ∂ 2R 2 1 1 ∂R 2 2 2
r + r + χ r = m
R ∂r2 R r ∂r
1 ∂ 2Φ 2
= −m
Φ ∂ϕ2

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 141
2
 2

∂ R 1 ∂R 2 m
⇒ + + χ − R = 0 (436)
∂r2 r ∂r r2
∂ 2Φ 2
⇒ 2
+ m Φ = 0 (437)
∂ϕ

m2: hằng số phân ly của 2 phương trình.


* Nghiệm tổng quát của 2 pt trên:

Φ(ϕ) = A cos(mϕ) + B sin(mϕ) (438)


Rm(r) = C Jm(χr) + D Nm(r) (439)

với m = 0, 1, 2, 3, . . .
Trường tại r = 0 phải là hữu hạn ⇒ D = 0.
suy ra
Ez0 (r, ϕ) = CeJm(χr) [A cos(mϕ) + B sin(mϕ)] (440)
Lưu ý rằng ta cũng có thể viết lại nghiệm trên như sau:
A B
Đặt cos ϕ0 = √ , sin ϕ0 = √ và áp dụng đẳng thức lượng
2
A +B 2 2
A +B 2

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 142
giác, ta sẽ chứng minh được rằng
p
[A cos(mϕ) + B sin(mϕ)] = A2 + B 2 [cos(mϕ) cos ϕ0 + sin(mϕ) sin ϕ0]
= C cos(mϕ − ϕ0)
 
√ B
với C = A2 + B 2, ϕ0 = arcsin √ .
2
A +B 2

Từ điều kiện bờ

Ez0 = 0 ⇒ Jm(χr) =0 (441)
r=R r=R
suy ra
εmn 2πR
χmn = , λeth = (442)
R εmn
các thành phần còn lại được tính dựa theo quan hệ
 
1 γ ∂Ez0 ∂Hz0
Eϕ0 = 2
· − · + jωµ
χ r ∂ϕ ∂r
 0 0

1 ∂Ez ωµ ∂Hz
Er0 = 2 · −γ · −j
χ ∂r r ∂ϕ

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 143
 0 0

1 ∂H ωε ∂E
Hr0 = 2 · −γ · z
+j z
χ ∂r r ∂ϕ
 0 0

1 γ ∂H ∂E
Hϕ0 = 2 · − · z
− jωε z
χ r ∂ϕ ∂r

suy ra:

γCe 0
Er0 = − J (χr) [A cos(mϕ) + B sin(mϕ)] (443)
χ m
0 γCem
Eϕ(r, ϕ) = Jm(χr) [−A sin(mϕ) + B cos(mϕ)] (444)
χr2
0

Hr0 = − e (445)
Zc
Er0
Hϕ0 = (446)
Zce

0
với εmn là nghiệm thứ n của hàm Bessel cấp m, Jm (χr) là đạo hàm của
hàm Bessel cấp m.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 144
1. Trường TE(H)

Bài toán Newmann

∂ 2Hz0 1 ∂Hz0 1 ∂ 2Hz0 2 0


+ + + χ Hz = 0 (447)
∂z 2 r ∂r r ∂ϕ2
∂Hz0
= 0 (448)
∂r r=R

suy ra

Ḣmz (r, ϕ) = ChJm(χr) [A cos(mϕ) + B sin(mϕ)] e−jβz (449)


µmn
χ = (450)
R
h 2πR
λth = (451)
µmn

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 145
γCh 0
Ḣmr = − Jm(χr) [A sin(mϕ) + B cos(mϕ)] e−jβz (452)
χ
γChm
Ḣmϕ = − 2 Jm(χr) [A cos(mϕ) − B sin(mϕ)] e−jβz (453)
χ r
jωµm
Ėmr = ḢmϕZc = − 2 Jm(χr) [A cos(mϕ) − B sin(mϕ)] e−jβz(454)
h
χ r
iωµ 0
Ėmϕ = −Ḣmr Zch = Jm(χr) [A sin(mϕ) + B cos(mϕ)] e−jβz (455)
χ

với µmn là nghiệm thứ n, (n = 1, 2, 3, . . .) của đạo hàm bậc nhất của hàm
Bessel cấp m.

2. Các trường đơn vị


- Trường cơ bản: T E11(H11)
- Trường bậc cao: các trường còn lại.
- Bước sóng tới hạn

4.6 Trường điện từ trong ống dẫn sóng và cáp đồng trục

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 146
• Hệ tọa độ

ϕ
r
2b 2a

• Giả thiết: σv = ∞, σl = 0.
• Trường TEM
Từ hệ pt Maxwell và điều kiện Ez = Hz = 0 :

~q
∇q × E = 0 (456)
~q
∇q · E = 0 (457)

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 147

~ q = −∇q φ
gọi φ là thế của trường TEM, chọn φ = U, φ = 0 đặt E
r=a r=b

∇q (−∇q φ) = −∇2q φ = 0 (458)

phương trình Laplace cho thế của trường TEM.


Do trường TEM có tính đối xứng trụ ⇒ φ 6= f (ϕ),

 
1∂ ∂φ
∇2q φ = r =0 (459)
r ∂r ∂r
∂φ
⇒ r = C1 (460)
∂r

⇒ φ(r) = C1 ln r + C2 (461)

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 148


Từ điều kiện bờ φ = U, φ =0
r=a r=b

C1 ln a + C2 = U (462)
C1 ln b + C2 = 0 (463)
U
⇒ C1 = − (464)
b
ln
a
U
C2 = ln b (465)
b
ln
a

U U U b
⇒ φ=− ln r + ln b = ln (466)
b b b r
ln ln ln
a a a
Microwave engineering ***
c Chi Hieu Ta 149
U 1
Er = (467)
b r
ln
a
Er
Hϕ = (468)
Zc
r
µ
Zc = (469)
ε
2πU
I = r (470)
µ b
ln
ε a
1 b 60 b 138 b
Zct = Zc ln = √ ln = √ lg (471)
2π a ε0 a ε0 a
πU 2
P = r (472)
µ b
ln
ε a

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 150
Hệ số suy hao
 
1 1
RS +
a b
αmetal = r (473)
µ
ε
r
σdiel. µ
αdiel. = (474)
2 ε

Trường E01 H31 H21 H11 TEM


đơn vị H01
π π
λth 2(b − a) 3 (a + b) 2 (a + b) π(a + b) ∞

4.7 Ống dẫn sóng điện môi

4.8 Các hệ làm chậm


a. Mô hình tổng quát
b. Một số hệ làm chậm điển hình

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 151
Chương 5: Hộp cộng hưởng
5.1 Đặt vấn đề
* Ở dải SCT, mạch dao động LC thông thường không hoạt động được vì:
- Khi tần số cộng hưởng f0 lớn ⇒ L, C phải nhỏ. Tuy nhiên khó thực hiện,
đặc biệt là ở dải sóng cm và mm.
- Ở dải SCT, kích thước hình học của các phần tử L, C so sánh được với bước
sóng của sóng SCT ⇒ bản thân mạch dao động cũng đóng vai trò như phần tử
bức xạ năng lượng điện từ, làm tăng tiêu hao năng lượng trong mạch dao động
và mạch không duy trì được dao động.
- Ở dải SCT, tiêu hao do hiệu ứng bề mặt và tiêu hao do điện môi của L và
C tăng đáng kể ⇒ làm giảm rõ rệt phẩm chất của mạch LC, làm nó mất tính
chọn lọc của mạch cộng hưởng.
⇒ ở dải SCT, phải dùng các mạch dao động có tham số phân bố (các hộp
cộng hưởng).
* Định nghĩa: Hộp cộng hưởng là một vùng không gian hữu hạn mà ở trong nó,
sau khoảng thời gian lớn hơn nhiều chu kỳ dao động SCT có sự tích lũy năng
lượng điện từ.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 152
* Ứng dụng: hệ cộng hưởng chọn lọc cho các thiết bị thu, phát, đo lường SCT,
tạo ra không gian tương tác và trao đổi năng lượng giữa trường điện từ với điện
tử hoặc lỗ trống để tạo hoặc khuếch đại dao động SCT.

5.2 Hộp cộng hưởng chữ nhật


a. Bài toán chung

y z

x L
a b

- Kích thước hộp: a, b, L


- σmetal = ∞, σdiel = 0

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 153
- Hệ tọa độ: Đề các

- Điều kiện bờ:




Eτ = 0 (475)
Sh

- Phương trình sóng

∇2 E ~m = 0
~ m + k 2E (476)
~ m + k 2H
∇2 H ~m = 0 (477)

áp dụng phương pháp phân ly biến số như đã làm với đường truyền đồng nhất,
ta có:

~ m(x, y, z) = E
E ~ 0(x, y)F (z) (478)
~ m(x, y, z) = H
H ~ 0(x, y)F (z) (479)

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 154
~ 0(x, y)  
và ∇2⊥E 1 2
∂ F (z) 2
=− · + k (480)
~ 0(x, y)
E F (z) ∂z 2
1 ∂ 2F (z) 2 2
· + k = χ (481)
F (z) ∂z 2
∂ 2F (z) 2
⇒ − γ F (z) = 0 (482)
∂z 2

với γ 2 = χ2 − k 2.

* Nghiệm tổng quát của (482): F (z) = A · e−γz + B · eγz


∂ 2F (z) 2
⇒ = γ F (z) (483)
∂z 2

Từ các phương trình Maxwell (356) và (357) ta có

∂Hmz ∂Hmy
− = jωεEmx
∂y ∂z
∂Emx ∂Emz
− = −jωµHmy
∂z ∂x
Microwave engineering ***
c Chi Hieu Ta 155
 
suy ra ∂Hmz 1 ∂ ∂Emx ∂Emz
jωεEmx = + −
∂y jωµ ∂z ∂z ∂x
2
 
∂Hmz 1 ∂ Emx 1 ∂ ∂Emz
= + −
∂y jωµ ∂z 2 jωµ ∂z ∂x
2
 
∂Hmz 1 0 ∂ F (z) 1 ∂ ∂Emz
= + E −
∂y jωµ x ∂z 2 jωµ ∂z ∂x
 
∂Hmz 1 0 2 1 ∂ ∂Emz
= + E γ F (z) −
∂y jωµ x jωµ ∂z ∂x
 
1 2 ∂Hmz 1 ∂ ∂Emz
⇒ jωεEmx − γ Emx = −
jωµ ∂y jωµ ∂z ∂x
 
2 2 ∂Hmz ∂ ∂Emz
⇒ −(k + γ )Emx = jωµ −
∂y ∂z ∂x
 
2 ∂Hmz ∂ ∂Emz
⇒ −χ Emx = jωµ −
∂y ∂z ∂x
   
1 ∂ ∂Emz ∂Hmz
⇒ Emx = − jωµ (484)
χ2 ∂z ∂x ∂y

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 156
Tương tự ta có:
   
1 ∂ ∂Emz ∂Hmz
Emy = + jωµ (485)
χ2 ∂z ∂y ∂x
   
1 ∂ ∂Hmz ∂Emz
Hmx = 2
+ jωε (486)
χ ∂z ∂x ∂y
   
1 ∂ ∂Hmz ∂Emz
Hmy = − jωε (487)
χ2 ∂z ∂y ∂x

b. Phân bố của trường dọc trục z


- Đối với trường TM(E):


Điều kiện bờ: Eτ = 0 ⇒ Ex, Ey =0
z=0,L z=0,L

dF
⇒ =0 (488)
dz z=0,L

+ Cho z = 0 ⇒ A = B
+ Cho z = L ⇒ sinh γL = 0.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 157
Điều kiện này chỉ thỏa mãn khi γ = jβ ⇒ 2j sin βL = 0
π
⇒ β = p , p = 0, 1, 2, . . . (489)
L
 pπ 
⇒ F (z) = 2A cos βz = 2A cos z (490)
L

- Đối với trường TE(H):


Điều kiện bờ:

F (z) =0 (491)
z=0,L
+ Với z = 0 ⇒ A = −B
+ Với z = L ⇒ A(e−γL − eγL) = 0. Điều này cũng chỉ đúng khi γ = jβ, suy
ra:
e−jβL − ejβL = 0 ⇒ −2j sin(βL) = 0
π
⇒β = p
L
 pπ 
⇒ F (z) = −2jA sin βz = −2jA sin z (492)
L

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 158
c. Trường TM(E)

* Với F (z) đã được xác định, để tìm các thành phần của E ~ m và H~ m, cần giải
bài toán Dirichlet như đối với ống dẫn sóng chữ nhật ⇒ Ez0 ⇒ Ez , sau đó áp
dụng quan hệ ((484))-((487)) để tìm ra Ex, Ey , Hx, Hy .
 mπ   nπ   pπ 
Emz = Em sin x sin y cos z (493)
a b L
Em  pπ   mπ   mπ   nπ   pπ 
Emx = − 2 cos x sin y sin z (494)
χ L a a b L
Em  pπ   nπ   mπ   nπ   pπ 
Emy = − 2 sin x cos y sin z (495)
χ L b a b L
Em  nπ   mπ   nπ   pπ 
Hmx = jωε 2 sin x cos y cos z (496)
χ b a b L
Em  mπ   mπ   nπ   pπ 
Hmy = −jωε 2 cos x sin y cos z (497)
χ a a b L
m = 1, 2, 3, . . . (498)
n = 1, 2, 3, . . . (499)
p = 0, 1, 2, . . . (500)

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 159
* Điều kiện cộng hưởng:
s  2
pπ p 2  mπ 2  nπ 2 2π
γ = jβ = j = χ − k2 = + − (501)
L a b λ
2
⇒ λ = λch = r   n 2  p 2 (502)
m 2
+ +
a b L

* Cũng từ điều kiện cộng hưởng, có thể thấy:

λg
L=p (503)
2

nói cách khác, điều kiện cộng hưởng là L phải bằng một số nguyên lần của 1/2
bước sóng λg .

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 160
d. Trường TE(H)

* Giải bài toán Neumann đối với Hz0 , từ đó suy ra Hz , Hx, Hy , Ex, Ey .

 mπ   nπ   pπ 
Hmz = Hm cos x cos y sin z (504)
a b L
Hm  mπ   pπ   mπ   nπ   pπ 
Hmx = − 2 sin x cos y cos z (505)
χ a L a b L
Hm  nπ   pπ   mπ   nπ   pπ 
Hmy = − 2 cos x sin y cos z (506)
χ b L a b L
Hm  nπ   mπ   nπ   pπ 
Emx = jωµ 2 cos x sin y sin z (507)
χ b a b L
Hm  mπ   mπ   nπ   pπ 
Emy = −jωµ 2 sin x cos y sin z (508)
χ a a b L
m = 0, 1, 2, 3, . . . (509)
n = 0, 1, 2, 3, . . . (510)
p = 1, 2, 3, . . . (511)

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 161
* Bước sóng cộng hưởng:

2
λch = r  (512)
m 2  n 2  p 2
+ +
a b L

* Điều kiện cộng hưởng:

λg
L=p p = 1, 2, 3, . . . (513)
2

* Ứng với mỗi cặp giá trị của m, n, p: có một dạng trường đơn vị, được gọi là các
dạng dao động riêng trong hộp cộng hưởng: T Mmnp(Emnp), T Emnp(Hmnp).
* Với L > a > b > 0: dao động cơ bản: H101

2aL
λ0(H101) = √ (514)
a2 + L2

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 162
5.3 Hộp cộng hưởng trụ tròn
a. Trường TM(E)  pπ 
Emz (r, ϕ, z) = EmJm(χr) cos(mϕ − ϕ0) cos z (515)
L
Empπ 0  pπ 
Emr (r, ϕ, z) = − J (χr) cos(mϕ − ϕ0) sin z (516)
χL m L
Emmpπ  pπ 
Emϕ(r, ϕ, z) = Jm(χr) sin(mϕ − ϕ0) sin z (517)
χ2rL L
jEmωεm  pπ 
Hmr (r, ϕ, z) = − 2
Jm(χr) sin(mϕ − ϕ0) cos z (518)
χ r L
jEmωε 0  pπ 
Hmϕ(r, ϕ, z) = − Jm(χr) cos(mϕ − ϕ0) cos z (519)
χ L

với 2π
λch = r (520)
εmn 2  pπ 2
+
R L
λg
L = p (521)
2
Microwave engineering ***
c Chi Hieu Ta 163
m = 0, 1, 2, 3, . . .
n = 1, 2, 3, . . .
p = 0, 1, 2, . . .

b. Trường TE(H)

 pπ 
Hmz (r, ϕ, z) = HmJm(χr) cos(mϕ − ϕ0) sin z (522)
L
Hmpπ 0  pπ 
Hmr (r, ϕ, z) = − J (χr) cos(mϕ − ϕ0) cos z (523)
χL m L
pπHmm  pπ 
Hmϕ(r, ϕ, z) = − 2 Jm(χr) sin(mϕ − ϕ0) cos z (524)
χ Lr L
jωµHmm  pπ 
Emr (r, ϕ, z) = − 2
Jm(χr) sin(mϕ − ϕ0) sin z (525)
χ r L
jωµHm 0  pπ 
Emϕ(r, ϕ, z) = Jm(χr) cos(mϕ − ϕ0) sin z (526)
χ L

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 164
với


λch = r
µmn 2  pπ 2
+
R L
λg
L = p
2
m = 0, 1, 2, 3, . . .
n = 1, 2, 3, . . .
p = 1, 2, 3, . . .

c. Toán đồ các dạng dao động riêng


λg
Từ điều kiện cộng hưởng L = p có thể tính được bước sóng cộng hưởng
2

2
λch = r (527)
εmn; µmn 2  p 2
+
πR L

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 165
(chú ý phân biệt các bước sóng!)
đặt D = 2R và biến đổi ta có:
 2 ε 2 2
 2
D mn ; µmn p D
= + (528)
λch πR 4 L

là phương trình của toán đồ các dạng dao động riêng. Ở đây các biến Y và X
lần lượt được đặt là
 2  2
D D
Y = ; X= (529)
λch L

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 166
5.4 Độ phẩm chất hộp cộng hưởng
a. Định nghĩa
W
Q = ω0 (530)
Pth
trong đó W là năng lượng tích lũy trong mạch, bằng tổng điện năng và từ
năng. Pth: công suất tiêu hao trên các thành phần thuần trở của mạch. Nếu

thay ω0 = vào phương trình trên, ta có:
T
W
Q = 2π (531)
Wth ω=ω0

với Wth = T Pth là năng lượng tiêu hao trong một chu kỳ dao động T.
Lưu ý: Độ phẩm chất của hộp cộng hưởng luôn gắn với một dạng dao động
riêng không suy biến nào đó tồn tại trong hộp.
b. Các loại độ phẩm chất
Do tồn tại nhiều loại suy hao ⇒ tồn tại nhiều loại độ phẩm chất.
1 1 1 1 1 1
= + + = + (532)
Qt Qkl Qdmoi Qngoai Q0 Qngoai

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 167
Hiệu suất hộp cộng hưởng:

Ptht Qt Qt
ηh = = =1− (533)
Pth Qngoai Q0

Độ phẩm chất tải của hộp cộng hưởng:

ω0
Qtai = (534)
2∆ω

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 168
Chương 6: Mạng nhiều cực siêu cao
6.1 Khái niệm mạng nhiều cực siêu cao
- Mạng nhiều cực siêu cao tần: một vùng không gian được giới hạn bởi các
mặt kim loại dẫn điện tốt, chỉ thông ra ngoài qua các nhánh là các đoạn đường
truyền năng lượng SCT.
- Mạng N nhánh (l1, l2, . . . , lN ): mạng 2N cực SCT.
- Các tiết diện cuối của các nhánh: C1, C2, . . . , CN → các mặt cuối của mạng
2N cực, (l1, l2, . . . , lN được chọn đủ dài để tại C1, C2, . . . , CN không tồn
tại các trường bậc cao).
- Sóng tới a: đi từ ngoài qua mặt cuối và đi vào các mạng nhiều cực.
a1, a2, . . . , aN : biên độ phức của sóng tới trên các nhánh.
- Sóng phản xạ b: đi từ trong mạng nhiều cực qua mặt cuối và đi ra ngoài.
b1, b2, . . . , bN : biên độ phức của sóng phản xạ trên các nhánh.

6.2 Ma trận sóng


a. Ma trận tán xạ
- Lắp máy phát vào nhánh q, các nhánh còn lại mắc tải không phản xạ
(ap,q6=p = 0): đo được aq và bp ⇒ Sp,q , từ đó suy ra:

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 169
     
b1 S11 S12 ··· S1n a1
 b2   S21 S22 ··· S2n   a2 
 . = . .. ..  · 
  (535)
 .   . ···  .. 
bn Sn1 Sn2 ··· Snn an
b=S·a (536)
bp
Spq = l 6= p, q và p 6= q (537)
aq al=0
bp
Spp = l 6= p và l = 1, 2, ..., n (538)
ap al=0

Ma trận tán xạ: là ma trận vuông cấp n, mô tả quan hệ giữa biên độ phức
của các sóng phản xạ và biên độ phức của các sóng tới trên các nhánh của
mạng nhiều cực siêu cao tần.
Spq , (p 6= q): Hệ số truyền của sóng từ nhánh q sang nhánh p
Sqq : Hệ số phản xạ riêng tại mặt cuối Cq của nhánh q.
Tính chất của ma trận tán xạ

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 170
i) Nếu môi trường trong mạng 2N cực là đẳng hướng thì S là đối xứng
(Spq = Sqp hay S = ST ).

ii) Nếu mạng 2N cực không tiêu hao năng lượng thì S là ma trận Unita
(SSH = SH S = I)

Chứng minh:

N
X N
X
|ap|2 = |bp|2 (539)
p=1 p=1

⇒ aH a = bH b (540)

mặt khác: b = Sa ⇒ bH = aH SH (541)


⇒ aH a = aH SH Sa (542)
⇒ aH (I − SH S)a = 0 (543)
⇒ SH S = I (544)

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 171
Khi đó:
n
X
|Spq |2 = 1; p = 1, 2, ..., n (545)
q=1
n
X
SplSql = 0 ; p = 1, 2, ..., n (546)
l=1

q = 1, 2, ..., n (547)
p 6= q (548)

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 172
b. Ma trận truyền
- Mô tả mối quan hệ giữa biên độ phức của sóng tới và sóng phản xạ trên
nhóm nhánh vào với biên độ phức của các sóng đó trên nhóm nhánh ra.
   
a1 b1
aI =  ..  bI =  ..  (549)
am bm
   
am+1 bm+1
aII =  ..  bII =  ..  (550)
an bn
 
T11 · · · T1n
T =  .. ··· ..  (551)
T2m1 · · · T2m 2(n−m)
   
~aI ~aII
~bI =T· ~ (552)
bII
- Thuận tiện khi nối tầng các mạng nhiều cực
T = T1 T2 · · · TN (553)

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 173
c. Ma trận trở kháng, ma trận dẫn nạp
- Mô tả quan hệ giữa điện áp chuẩn hóa và dòng điện chuẩn hóa tại các
mặt cuối của mạng nhiều cực siêu cao.

d. Mối liên hệ giữa các ma trận sóng


S = (Z − I)(S + I)−1 = (I − Y)(I + Y)−1 (554)

Z = (I + S)(I − S)−1 (555)


Y = (I − S)(I + S)−1 (556)

   
S11 S12 T21/T11 det(T)/T11
S = = (557)
S21 S22 1/T11 −T12/T11
   
T11 T12 1/S21 −S22/S21
T = = (558)
T21 T22 S11/S21 − det(S)/S21

6.3 Mạng hai cực


a. Hệ số phản xạ và trở kháng chuẩn hóa

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 174
b. Một số ví dụ về mạng 2 cực:

6.4 Mạng 4 cực


a. Ma trận sóng
b. Mạng 4 cực không tổn hao
c. Biến thế lý tưởng
d. Trở kháng mắc song song
e. Dẫn nạp mắc nối tiếp
g. Chuyển đổi nối tiếp - song song
h. Mắt xích dạng T các trở kháng chuẩn hóa
i. Mắt xích dạng Π
k. Mạng 4 cực tán xạ đối xứng điện
l. Mạng 4 cực tán xạ đối xứng từ

6.5 Một số ví dụ về mạng 4 cực đơn giản

6.6 Các loại chuyển tiếp

6.7 Các bộ suy giảm

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 175
6.8 Các bộ quay pha

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 176
6.9 Mạng 6 cực

a. Tính chất chung


- Với mạng không tổn hao
SH S = I (559)

mặt khác: ST = S (tính chất thuận nghịch của mạng 6 cực)

T
⇒ SH = (S∗) = S∗ (560)
⇒ S∗S = I (561)
⇒ S∗ = S−1 (562)

 ∗ ∗
  
S11 S12 S13 A11 A21 A31
1
⇒  S12
∗ ∗
S22 ∗ 
S23 =  A12 A22 A32  (563)
∗ ∗ ∗ det(S)
S13 S23 S33 A13 A23 A33

1. Các mặt chính

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 177
     
b1 S11 S12 S13 a1
 b2  =  S21 S22 S23  ·  a2  (564)
b3 S31 S32 S33 a3

Mặt khác, a3 = R3b3 ⇒ tạo nên mạng 4 cực với các mặt cuối C1, C2 từ
mạng 6 cực.

 2
  
S13 R3 S13S23R3
b1 = S11 + a1 + S12 + a2 (565)
1 − R3S33 1 − R3S33
   2

S23S13R3 S23R3
b2 = S12 + a1 + S22 + a2 (566)
1 − R3S33 1 − R3S33

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 178
 
1 S11 − ∗
R3S22 det(S) S12 + ∗
R3S12 det(S)
S4c = (567)
1 − R3S33 S12 + ∗
R3S12 det(S) S22 − ∗
R3S11 det(S)


Điều kiện để các nhánh 1 và 2 cách ly hoàn toàn: S12 + R3S12 det(S) = 0

S12
⇒ R3 = − (568)
det(S)S12


Mạng 6 cực không tiêu hao ⇒ |det(S)| = 1, |S12 | = |S12| ⇒ |R3| = 1.
⇒ Để nhánh 1 và 2 cách ly hoàn toàn cần tạo ra tại mặt cuối C3 một hệ số
phản xạ có modul = 1, pha bằng với pha của vế trái của (568).
Thực hiện: đặt một nút ngắn mạch tại vị trí C30 cách C3 một khoảng là l3.
Khi đó:
2π 1
ψ3 = l3 = argS12 − arg(detS) (569)
λ 2
C30 được gọi là mặt chính của mạng 6 cực. Tương tự ta cũng có C10 và C20
2. Các mặt đối
Tương tự như điều kiện (568), tuy nhiên bây giờ điều kiện lại là 2 nhánh 1

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 179
và 2 hoàn toàn phối hợp với nhau. Khi đó điều kiện là R1 = R2 = 0 hay

S11 S22
R3 = ∗ = ∗ (570)
S22det(S) S11 det(S)

ta cũng chứng minh được |R3| = 1 và như vậy nếu đặt một nút nối tắt tại
C30 thỏa mãn điều kiện pha của phương trình trên thì các nhánh 1 và 2 sẽ
hoàn toàn phối hợp. Khi đó C30 được gọi là mặt cuối của mạng 6 cực.
- Nếu mạng 6 cực không tổn hao có cấu trúc hình học đối xứng với 1 trong
các nhánh thì trong nhánh này có 1 mặt đối sao cho nếu đặt một nút nối tắt
tại đó thì 2 nhánh còn lại được phối hợp.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 180
b. Các chạc 3 vuông góc kiểu E, H (3-T-E, 3-T-H)
a. Chạc ba vuông góc kiểu E

b. Chạc ba vuông góc kiểu H

c. Các chạc 3 đối xứng dạng chữ Y

d. Một số ứng dụng của chạc 3

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 181
1. Chuyển mạch thu phát ra-đa
2. Bộ tách các rãnh tần số

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 182
6.10 Các bộ ghép định hướng
a. Tính chất chung

* Định nghĩa:
Cho 1 mạng 8 cực với các nhánh của nó được chia làm 2 nhóm, nhóm I gồm
nhánh 1 và 2, nhóm II gồm nhánh 3 và 4. Mạng 8 cực này được gọi là bộ ghép
định hướng nếu các nhánh trong cùng một nhóm hoàn toàn cách ly trong khi
các nhánh của nhóm kia được phối hợp. Nghĩa là:

S12 = S21 = S34 = S43 = 0 (571)

* Các tính chất:

- Các hệ số phản xạ của bộ ghép định hướng có cùng modul: |S11| = |S22| =
|S33| = |S44|
- Nếu bộ ghép định hướng đối xứng để cho S14 = S23 và S13 = S24 thì nó hoàn
toàn phối hợp, nghĩa là: S11 = S22 = S33 = S44 = 0
- Nếu một mạng 8 cực thuận nghịch hoàn toàn phối hợp thì đó là một bộ ghép
định hướng

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 183
* Hệ số ghép: tỷ số của biên độ sóng tới trên biên độ sóng phản xạ ở nhánh
ghép tính theo dB.
a
1
C = 20lg (572)
b4

* Hệ số định hướng: tỷ số của biên độ sóng ở nhánh ghép trên biên độ sóng ở
nhánh cách ly tính theo dB.

b
4
D = 20lg (573)
b2

b. Một số bộ ghép định hướng thường gặp

1. Bộ ghép định hướng thực hiện trên thành hẹp chung

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 184
2. Bộ ghép định hướng có lỗ ghép trên thành rộng chung song song

- Khe A: kích thích bởi Hz


- Khe B: kích thích bởi Hx
- Chọn lựa kích thước và vị trí của A và B sao cho Hz = ±jHx
- Tại nhánh 4, từ trường đồng pha, đồng biên.
- Tại nhánh 2, từ trường ngược pha, đồng biên.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 185
3. Bộ ghép định hướng có lỗ trên thành rộng chung vuông góc

- Tại A: Sóng H10 có phân cực tròn quay phải, trùng với chiều phân cực của
từ trường trong nhánh phụ theo chiều từ 2 - 4 ⇒ sóng truyền sang nhánh 4.
- Theo chiều 4-2: ngược phân cực ⇒ sóng không truyền sang 2
- Tại B: từ trường có phân cực tròn quay trái, sóng truyền tương tự trường
hợp trên.
- Trên nhánh 4: hai sóng thành phần cùng pha (lệch pha π do 2 đoạn λ4 ,
sóng từ A chậm pha π/2, sóng từ B nhanh pha π/2).

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 186
6.11 Các bộ cầu siêu cao
a. Cầu T-kép

Ma trận tán xạ:  


0 0 1 j
1  0 0 −1 j 

S=√  (574)
2 1 −1 0 0 
j j 0 0
(suy ra từ các tính chất của các bộ 3-T-E và 3-T-H, tính chất Unita của ma
trận S)
- Các cặp nhánh 3 và 4, nhánh 1 và 2 được cách li nhau về mặt điện.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 187
b. Cầu khe

Ta có:

~3 = E
E ~ df + E
~ ngf
~4 = E
E ~ df − E
~ ngf

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 188
~ df | = |E
để cho |E3| = |E4| thì cần có: |E ~ ngf | và độ dài khe là

λ 1
l= ×s   s  2 (575)
4 λ
2
λ
1− − 1−
4a 2a

Ma trận tán xạ
 
0 0 1 j
1  0 0 j 1 
S=√   (576)
2 1 j 0 0 
j 1 0 0

c. Cầu vòng

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 189
- Sóng vào 1 ra 3 và 4, không ra 2 do bị triệt tiêu bởi hai thành phần đồng biên
ngược pha. √ T
T
- Điều kiện phối hợp: Zc = 2Znh.
- Ma trận tán xạ:  
0 0 1 1
1  0 0 1 −1  
S=√   (577)
2 1 1 0 0
1 −1 0 0

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 190
Microwave engineering
0.49 0.00 0.01
0.02
0.48 0.00 0.49
0.01
7 0.02 180 0.48 0.0
3
0.4 -170 170
3 0 0.05
0.4
6 0.0 60 -0.05 0.1 160 7
0.0
4
0.4 -1 5 -0.1 0.15
. 4 -0.1 0.4
6
00 2 0.2 0.
45 50 -0. 15
0 0
0. 5 -1 0. 5
0 45
0.
.3 0.
3 0
44 -0 0.1 14 0 .06
0. 40 0 .4
06 -1 4
0.
0.
0.

.4

43
4
-0

0.
07

13

0.
43

0.2
0. 0

- 07
0.

.5 130

42
0.
5

-0

0.
08

0 8
0.3

2
42 0

-1 0.0

1
6
0

9
0.0

0
0. 12 .6

0.4
9

0.4

0.0
1

0.4

0
110

0.5

-11
0.7

0.40
0.10

-0.7

0.10
0.40

0.6
0.8

-0.8

0.39
0.11

0.7

0.11
0.39
100

-100
0.8
0.9

-0.9
0.9

0.38
0.12

0.12
0.38

1.0
1

-1
90

-90
0.2

***
0.2

0.4
0.4

1.2

0.13
0.37

0.37
0.13

0.6
0.6

1.4
0.8
0.8
80

1
1.2

-80
-1.2
1

1.6

0.14
0.36

0.36
0.14

1.8

2.0
1.4

-1.4

0.15
0.35
70

0.35
0.15

-70 6
1.6

4
0.3

0.1
4
0.1

3.0

0.3
6

.8
1.
8

-1

17

4.0
0.

0. -60 -1.6
60 0.33

33
2

-2

0.
17

5.0
0.
50

-5
18
0. 0
32
0.

32
0.
18

9 0.
10
0 .1 3 40 31
-4 0 .31 -3 0.
19
0
0.
20
20 4 3
0. 0 0 -4 30 0. 0
3 -3 5 20
50
0. 1 -5 0.2
0.2 9
9 -10 10 2 0.2
0.2 20 50 -50 -20 -20 22 0.2 0 1
0. 8
10 -10 3 8 0.2
0 0.2 0.2
0.27 2
0.26 0.25 0.24 0.23
0.27
0.24 0.25 0.26

c Chi Hieu Ta
191
6.12 Các phần tử siêu cao tần có ferrit
a. Tính chất của ferrit bị từ hóa
(Câu hỏi: Thế nào là ferrit bị từ hóa?)
- Có tính chất đặc biệt của môi trường không đẳng hướng, giá trị của độ từ
thẩm phụ thuộc vào hướng (độ từ thẩm có dạng tensor)
- Tác dụng khác nhau lên sóng phân cực tròn quay trái và quay phải
(Lưu ý: khái niệm phân cực tròn quay trái) và quay phải ở đây có nghĩa là sóng
~ quay sang trái và quay sang phải khi ta nhìn ngược chiều truyền
có vector H
sóng.)
- Hiện tượng cộng hưởng sắt từ: là hiện tượng mà khi H0 = H0ch thì thành
phần ảo của độ từ thẩm đối với sóng phân cực tròn quay phải biến đổi lớn và
sóng bị tiêu hao năng lượng nhiều.
- Hiệu ứng Faraday: là hiệu ứng quay mặt phẳng phân cực của một sóng SCT
phân cực thẳng khi nó truyền qua ferit bị từ hóa. Độ lớn của góc quay và chiều
quay phụ thuộc vào chiều và độ lớn của H ~ 0 và kích thước của thanh ferit.

b. Van cộng hưởng

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 192
- Cấu tạo: làm từ một đoạn ống dẫn sóng chữ nhật, bên trong tại vị trí sóng
H10 có phân cực tròn quay phải đặt một tấm ferrit mỏng song song với thành
hẹp và chạy dọc theo ống dẫn sóng. Từ trường từ hóa không đổi H0 hướng
vuông góc với thành rộng của ống dẫn sóng.
- Nguyên tắc hoạt động: Khi sóng H10 truyền theo phương z > 0 vào ống dẫn
sóng, với H0 = H0ch, tại vị trí đặt thanh ferrit sóng H10 có phân cực tròn quay
phải nên sẽ bị hấp thụ đáng kể do xảy ra hiện tượng cộng hưởng sắt từ, như
vậy sóng H10 truyền theo chiều z > 0 bị hấp thụ đáng kể. Khi sóng H10 truyền
theo phương z < 0 thì tại vị trí đặt thanh ferrit sóng có phân cực tròn quay trái
nên không bị hấp thụ bởi thanh ferrit. Phần tử hoạt động như một chiếc van,
gọi là van cộng hưởng. Để tăng cường hiệu quả của van, người ta đặt thêm
một tấm ferrit nữa tại vị trí 2 (là vị trí thứ 2 mà từ trường của sóng H10 có
phân cực tròn) nhưng với từ trường H0 có chiều ngược lại.

c. Bộ quay pha không thuận nghịch


- Cấu tạo: làm từ một đoạn ống dẫn sóng chữ nhật, có một tấm ferrit mỏng
đặt song song với thành hẹp tại vị trí x, từ trường từ hóa H0 vuông góc với
thành rộng.
- Nguyên tắc hoạt động: Khi sóng H10 truyền qua thanh ferrit sẽ bị lệch pha

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 193
một lượng là ϕ. Do thanh ferrit bị từ hóa tác động khác nhau lên các sóng
phân cực tròn quay trái và quay phải nên độ lệch pha của sóng H10 truyền theo
các hướng z > 0 và z < 0 là khác nhau ⇒ bộ quay pha không thuận nghịch.
-- Câu hỏi: giải thích đồ thị trên hình 3.92

d. Bộ circulator dạng chữ Y


- Cấu tạo: Dựa trên chạc 3 chữ Y kiểu H trên ống dẫn sóng chữ nhật. Tại tâm
chạc 3 có một trụ ferrite được bao quanh bởi một vỏ điện môi hình trụ đặt
vuông góc với thành rộng của ống dẫn sóng. Xung quanh có 3 trụ điện môi nhỏ
đặt ở giữa và vuông góc với các thành rộng của các nhánh.
- Nguyên tắc hoạt động: Sóng H10 đi vào nhánh (1) đến vùng có trụ ferrite
sẽ rẽ thành 2 sóng đi vòng theo 2 chiều ngược nhau quanh trụ ferrite. Hướng
quay của vector H ~ của hai sóng này theo phương của vector từ hóa H ~ 0 là
ngược nhau, do đó ferrite sẽ biểu hiện hai giá trị độ từ thẩm khác nhau là µ+
và µ− đối với hai sóng này. Do vậy khi truyền xunh quanh trụ ferrite 2 sóng sẽ
có vận tốc pha khác nhau, dẫn đến các góc lệch pha khác nhau. Chọn kích
~ 0 sao cho khi 2 sóng này đi vào nhánh (2)
thước của trụ ferrite và giá trị của H
thì đồng pha, còn vào nhánh (3) thì ngược pha, ta sẽ có kết quả là sóng vào

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 194
nhánh (1) sẽ chỉ đi sang (2). Do tính chất đối xứng của circulator, nếu sóng đi
vào (2) sẽ chỉ đi sang (3) và nếu đi vào (3) sẽ chỉ đi sang (1). Tóm lại, chu
trình hoạt động của circulator loại này là: (1) → (2) → (3) → (1).
~ 0 thì chu trình của circulator sẽ đảo lại
Nếu đảo chiều của từ trường từ hóa H
thành (1) → (3) → (2) → (1).
Vỏ điện môi bao quanh ferrite có tác dụng nâng cao tính ổn định nhiệt và tăng
độ bền cho circulator. Các thanh điện môi trên các nhánh có tác dụng phối hợp
trở kháng.
Do có cấu trúc đơn giản, kích thước gọn nhẹ nên circulator loại này được dùng
phổ biến, nó có dải tàn làm việc đến 30 % tần số trung tâm.

e. Bộ circulator 4 nhánh kiểu pha


- Cấu tạo: Gồm 2 bộ cầu khe ghép với bộ quay pha không thuận nghịch. Giá trị
góc lệch pha của bộ quay pha không thuận nghịch là ϕ = π.
- Nguyên tắc hoạt động: (1) → (2) → (3) → (4) → (1)

e. Bộ circulator 4 nhánh kiểu phân cực

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 195
- Cấu tạo:
- Nguyên tắc hoạt động: (1) → (2) → (3) → (4) → (1)

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 196
Chương 7. Lý thuyết đường truyền dài và PHTK
7.1 Lý thuyết đường truyền SCT
- Mô hình mạch điện tương đương của đường truyền SCT

i(z, t) ∆z

ZS
ZL
US

i(z, t) i(z + ∆z, t)

R∆z L∆z
C∆z
u(z, t) G∆z u(z + ∆z, t)

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 197
+ R: điện trở trên 1 đơn vị độ dài, đơn vị Ω/m,
+ L: điện cảm trên 1 đơn vị độ dài, đơn vị H/m,
+ C: điện dung trên 1 đơn vị độ dài, đơn vị F/m,
+ G: điện dẫn trên 1 đơn vị độ dài, đơn vị S/m.
- Dựa vào các định luật Kirchhoff, ta có:

∂i(z, t)
u(z, t) − R∆z i(z, t) − L∆z − u(z + ∆z, t) = 0
∂t
∂u(z + ∆z, t)
i(z, t) − G∆z u(z + ∆z, t) − C∆z − i(z + ∆z, t) = 0
∂t

chia 2 phương trình trên cho ∆z và lấy giới hạn khi ∆z → 0 thu được các
phương trình điện báo:

∂u(z, t) ∂i(z, t)
= −R i(z, t) − L (578)
∂z ∂t
∂i(z, t) ∂u(z, t)
= −G u(z, t) − C (579)
∂z ∂t
Microwave engineering ***
c Chi Hieu Ta 198
- Nếu điện áp và dòng điện biến thiên điều hòa, ta có:

dUm(z)
= −(R + jωL)Im(z) (580)
dz
dIm(z)
= −(G + jωC)Um(z) (581)
dz
suy ra:

d2Um(z) 2
2
− γ Um(z) = 0 (582)
dz
d2Im(z) 2
2
− γ Im(z) = 0 (583)
dz
p
với γ = α + jβ = (R + jωL)(G + jωC): số sóng phức.
- Nghiệm của các phương trình sóng:

Um(z) = U0+e−γz + U0−eγz (584)


Im(z) = I0+e−γz + I0−eγz (585)

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 199
⇒ trên đường truyền tồn tại 2 thành phần sóng tới và sóng phản xạ.
- Từ (581) ta có:

dUm(z) 1 γ
Im(z) = − = (U0+e−γz − U0−eγz )
dz (R + jωL) (R + jωL)

suy ra:

s
γ U0+ (R + jωL) (R + jωL)
I0+ = +
U0 ⇒ + = = = Z0
(R + jωL) I0 γ (G + jωC)

Z0: trở kháng đặc tính của đường truyền, là tỷ số giữa biên độ phức của điện áp
sóng tới (hoặc sóng phản xạ) trên biên độ phức của dòng điện sóng tới (hoặc
sóng phản xạ).
U0+ −U0−
Z0 = + = − (586)
I0 I0
- Để thuận tiện cho việc phối hợp trở kháng, chọn hệ tọa độ với gốc tọa độ tại

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 200
vị trí tải, phương Oz hướng từ tải về máy phát, khi đó:

Um(l) = U0+eγl + U0−e−γl (587)


1
Im(l) = I0+eγl + I0−e−γl = (U0+eγl − U0−e−γl) (588)
Z0

- Tại tải: l = 0 Um(0) U0+ + U0−


ZL = = + − Z0 (589)
Im(0) U0 − U0
suy ra: ZL − Z0 +

U0 = U (590)
ZL + Z0 0
- Hệ số phản xạ Γ(l): tỷ số giữa biên độ phức của sóng phản xạ trên biên độ
phức của sóng tới tại tiết diện bất kỳ trên đường truyền.

U0−e−γl U0− −2γl ZL − Z0 −2γl


Γ(l) = + γl = + e = e (591)
U0 e U0 ZL + Z0

tại tải: ZL − Z0
ΓL = Γ(0) = ⇒ Γ(l) = ΓLe−2γl (592)
ZL + Z0

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 201
- Trở kháng vào Zv (l): tỷ số biên độ phức của điện áp trên biên độ phức của
dòng điện tại tiết diện bất kỳ của đường truyền.

Um(l) U0+eγl + U0−e−γl


Zv (l) = = + γl − −γl Z0
Im(l) U0 e − U0 e
ZL − Z0 −γl
U0+eγl + U0+ e
ZL + Z0
= Z0
Z L − Z 0
U0+eγl − U0+ e−γl
ZL + Z0
(ZL + Z0)eγl + (ZL − Z0)e−γl
= −γl
Z0
(ZL + Z0)e − (ZL − Z0)e
γl

ZL(eγl + e−γl) + Z0(eγl − e−γl)


= Z0
ZL(eγl − e−γl) + Z0(eγl + e−γl)
2ZL cosh γl + 2Z0 sinh γl
= Z0
2ZL sinh γl + 2Z0 cosh γl

ZL + Z0 tanh γl
⇒ Zv (l) = Z0 (593)
Z0 + ZL tanh γl

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 202
- Đường truyền không tổn hao:

R = G=0 (594)

γ = jβ = jω LC (595)
r
L
Z0 = (596)
C
Um(l) = U0+ejβl + U0−e−jβl (597)
Im(l) = I0+ejβl + I0−e−jβl (598)
ZL + jZ0 tan βl
Zv (l) = Z0 (599)
Z0 + jZL tan βl
Γ(l) = ΓLe−j2βl = |ΓL|ej(φL−2βl) = |Γ|ejφ (600)

với |Γ| = |ΓL|, φ = φL − 2βl


- Nhận xét:
* Hệ số phản xạ có pha biến đổi trên đường truyền dọc theo trục z với chu kỳ
nửa bước sóng.
* Trong trường hợp đường truyền có tổn hao thì modul hay biên độ của hệ

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 203
số phản xạ giảm dần theo hướng từ tải đến máy phát theo quy luật hàm mũ
e−2αl, còn trong trường hợp đường truyền không tổn hao thì modul của hệ số
phản xạ không đổi trên toàn đường truyền.
* Trở kháng đặc tính của đường truyền không tổn hao là một số thực.

- Trở kháng chuẩn hóa:

Zv (l) z̄L + j tan(βl)


z̄v (l) = = (601)
Z0 1 + jz̄L tan(βl)

ZL
trong đó z̄L = : trở kháng tải chuẩn hóa.
Z0

- Quan hệ giữa trở kháng và hệ số phản xạ:

1 + Γ(l)
Zv (l) = Z0 (602)
1 − Γ(l)
Zv (l) − Z0 z̄v (l) − 1
Γ(l) = = (603)
Zv (l) + Z0 z̄v (l) + 1

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 204
Tại tải: l = 0 nên
Um(0) = U0+ejβ0 + U0−e−jβ0 = UL+ + UL− (604)
Im(0) = I0+ejβ0 + I0−e−jβ0 = IL+ + IL− (605)
⇒ U0+ = UL+; U0− = UL− (606)
⇒ I0+ = IL+; I0− = IL− (607)
- Mẫu sóng đứng điện áp và dòng điện chuẩn hóa
Um(l) = U0+ejβl + U0−e−jβl = U0+ejβl(1 + |Γ|ej(φL−2βl))
1 − −jβl 1 + jβl
Im(l) = + jβl
(U0 e − U0 e ) = U0 e (1 − |Γ|ej(φL−2βl))
Z0 Z0
+
p
⇒ |Um(l)| = U0 1 + |Γ|2 + 2|Γ| cos(φL − 2βl)
U0+ p
⇒ |Im(l)| = 1 + |Γ|2 − 2|Γ| cos(φL − 2βl)
Z0
|Um(l)| p
⇒ + = 1 + |Γ|2 + 2|Γ| cos(φL − 2βl)
U0
|Im(l)| p
⇒ = 1 + |Γ|2 − 2|Γ| cos(φ − 2βl)
L
I0+

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 205
- Giá trị điện áp tại các điểm bụng (cực đại, φL − 2βlmax = 2nπ ) và điểm nút
(cực tiếu, φL − 2βlmin = (2n + 1)π):

Umax = UL+(1 + |Γ|) (608)


Umin = UL+(1 − |Γ|) (609)

- Hệ số sóng đứng điện áp (VSWR)

Umax 1 + |Γ|
Kd = = (610)
Umin 1 − |Γ|

- Trở kháng vào tại các điểm bụng và điểm nút:

1 + |Γ|
z̄v (lmax) = = Kd (611)
1 − |Γ|
1 − |Γ| 1
z̄v (lmin) = = (612)
1 + |Γ| Kd

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 206
- Đường truyền ngắn mạch tải

Zvnm(l) = jZ0 tan(βl) (613)


nm 1
Yv (l) = −j cot(βl) (614)
Z0
ΓL = −1 (615)
Kd = ∞ (616)

- Đường truyền hở mạch tải

Zvhm(l) = −jZ0 cot(βl) (617)


1
Yvhm(l) = j tan(βl) (618)
Z0
ΓL = 1 (619)
Kd = ∞ (620)

- Đường truyền mắc tải phối hợp

Zvph(l) = Z0; Γ = ΓL = 0; Kd = 1 (621)

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 207

0 < ρL < 1, 0 < φL < 2π Um (l)
2 +
U0

l
Kd = ∞, ρL = 1, φL = π Um (l)
2 +
U0

l
Kd = ∞, ρL = 1, φL = 0 Um (l)
2 +
U0

l
Kd = 1, ρL = 0, φL = 0 Um (l)
2 +
U0

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 208
7.2 Đồ thị vòng Smith

* Dựa trên quan hệ 1:1 giữa hệ số phản xạ và trở kháng chuẩn hóa tại cùng
tiết diện, có thể biểu diễn các giá trị của trở kháng chuẩn hóa lên mặt phẳng
của hệ số phản xạ (mặt phẳng phức).

1 + Γ(l)
z̄v (l) = (622)
1 − Γ(l)
1 + ΓR + jΓI
⇒ r̄v + jx̄v = (623)
1 − ΓR − jΓI

* Hệ vòng tròn điện trở chuẩn hóa không đổi r̄ = const

1 − Γ2R − Γ2I + j2ΓI


r̄v + jx̄v =
(1 − ΓR)2 + Γ2I
1 − Γ2R − Γ2I
⇒ r̄v =
(1 − ΓR)2 + Γ2I

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 209
⇒ Phương trình của họ đường tròn r̄ = const
 2  2
r̄v 1
ΓR − + Γ2I = (624)
1 + r̄v 1 + r̄v
 
r̄v 1
Họ vòng tròn r̄ = const có tâm nằm tại điểm , 0 và bán kính .
r̄v + 1 r̄v + 1
* Với r̄v = 0, vòng tròn có tâm là gốc tọa độ, bán kính bằng 1.
* Với r̄v = ∞, vòng tròn suy biến thành một điểm tại tọa độ (1, 0)

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 210
ΓI
1

0 0.2 0.5 1 2 4
−1 1 ΓR

−1

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 211
* Hệ vòng tròn điện kháng chuẩn hóa không đổi x̄ = const

2ΓI
x̄v = (625)
(1 − ΓR)2 + Γ2I

⇒ Phương trình của họ đường tròn x̄ = const

 2  2
2 1 1
(ΓR − 1) + ΓI − = (626)
x̄v x̄v

 
1 1
Họ vòng tròn x̄ = const có tâm nằm tại điểm 1, và bán kính .
x̄v x̄v

* Khi x̄v = 0, vòng tròn suy biến thành trục thực.

* Khi x̄v = ∞, vòng tròn suy biến thành một điểm tại tọa độ (1, 0)

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 212
ΓI j1.0
1
j0.5 j2.0

j4.0
j0.2

−1 1 ΓR

−j0.2
−j4.0

−j0.5 −j2.0
−1
−j1.0

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 213
ΓI j1.0
1
j0.5 j2.0

j4.0
j0.2

0 0.2 0.5 1 2 4
−1 1 ΓR

−j0.2
−j4.0

−j0.5 −j2.0
−1
−j1.0

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 214
- Đồ thị vòng dẫn nạp

1 1 − Γ(l)
ȳv (l) = = (627)
z̄v (l) 1 + Γ(l)
1 − ΓR − jΓI
⇒ ḡv + j b̄v = (628)
1 + ΓR + jΓI
1 − Γ2R − Γ2I − j2ΓI
⇒ ḡv + j b̄v = (629)
(1 + ΓR)2 − Γ2I

Đồ thị vòng dẫn nạp đối xứng với đồ thị vòng trở kháng qua gốc tọa độ.
- Vòng tròn ρ = |Γ| = const và Kd = const:
Với một đường truyền không tổn hao cho trước, |Γ| = const, do vậy tại mỗi
điểm bất kỳ trên đường truyền hệ số phản xạ đều có cùng một giá trị modul ⇒
có cùng một giá trị Kd ⇒ vòng tròn ρ = const hay Kd = const là quỹ tích của
tất cả cá điểm trên đường truyền.
- Thang chia độ dài chuẩn hóa l/λt: từ 0 đến 0.5, chiều di chuyển về phía máy
phát, chiều di chuyển về tải

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 215
- Ứng dụng của đồ thị vòng Smith

1. Xác định điểm biển diễn trở kháng chuẩn hóa, hệ số sóng đứng
Bài toán: Cho biết λg , Z0, ZL, tìm điểm biển diễn trở kháng chuẩn hóa, hệ
số sóng đứng bằng đồ thị vòng Smith.
Giải:
ZL
* Xác định z̄L = = r̄L + jx̄L. Điểm cần tìm là giao của hai đường cong
Z0
r̄ = r̄L và x̄ = x̄L.
* Chiếu bán kính của đường tròn Kd = const lên thang đo SWR sẽ tìm được
giá trị của hệ số sóng đứng.
2. Xác định dẫn nạp vào chuẩn hóa biết trở kháng vào chuẩn hóa
Bài toán: Cho biết ZL hay Zv tìm điểm biểu diễn ȳL hay ȳv .
Giải:
- Tìm điểm biểu diễn z̄L hay z̄v (giả sử là điểm L), sau đó lấy đối xứng điểm
này qua gốc tọa độ, được điểm K. Điểm này chính là điểm biểu diễn dẫn nạp
chuẩn hóa ȳL hay ȳv .
3. Xác định trở kháng vào trên đường truyền cách tải một khoảng l cho
trước
Bài toán: cho biết Z0, ZL, λg , tìm giá trị của Zv tại điểm cách tải một

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 216
khoảng là l.
Giải:
Bước 1: Tìm điểm L biểu diễn trở kháng tải chuẩn hóa z̄L.
Bước 2: Qua điểm L dựng đường tròn Kd = const, đây là quỹ tích của tất cả
các điểm nằm trên đường truyền.
l
Bước 3: Từ L di chuyển theo chiều về phía máy phát một khoảng , được
λg
điểm K. K chính là điểm biểu diễn trở kháng vào chuẩn hóa cần tìm.
Bước 4: Tính z̄v = z̄K , Zv (l) = z̄v Z0
4. Xác định trở kháng tải dựa trên giá trị của hệ số sóng đứng Kd và
khoảng cách từ điểm nút điện áp đến tải dmin
Bài toán: cho biết Z0, λg , Kd, khoảng cách từ điểm nút điện áp đến tải là
dmin, tìm giá trị của trở kháng tải ZL.
Giải:
Bước 1: Dựng vòng tròn Kd = const, vòng tròn này cắt trục thực tại 2 điểm
D và E, trong đó D là điểm nút áp.
dmin
Bước 2: Từ D di chuyển theo chiều về phía tải một đoạn , ta được điểm
λg
L là điểm biểu diễn trở kháng tải chuẩn hóa.
Bước 3: Tính ZL = z̄LZ0

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 217
7.3 Phối hợp trở kháng

7.3.1 Ý nghĩa của PHTK

- Cực đại hóa công suất đưa đến tải: PL = max khi RL = Rn
- Giảm tổn hao trên đường truyền
- Giảm sóng phản xạ đưa về máy phát

7.3.2 Nguyên tắc của PHTK

- Làm cho ZL → Z0 hoặc YL → Y0.

- Tuy nhiên trên thực tế thường thực hiện PHTK tại một vị trí nào đó trên
đường truyền, khi đó nguyên tắc PHTK sẽ là: Làm cho Zv → Z0 hoặc Yv → Y0.

- Trường hợp mắc nối tiếp: Zv = rv + jxv


Để Zv → Z0 thì:

rv → Z0 (630)
xv → 0 (631)

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 218
hay

r̄v → 1 (632)
x̄v → 0 (633)

- Trường hợp mắc song song: Yv = gv + jbv Để Yv → Y0 thì:

gv → Y0 (634)
bv → 0 (635)

hay

ḡv → 1 (636)
b̄v → 0 (637)

7.3.3 Các phương pháp PHTK


- Mắc các phần tử kháng sao cho trở kháng vào của mạch bao gồm tải và các
phần tử kháng bằng Z0. Thường sử dụng để PHTK tại tải trong các mạch điện
tử.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 219
- Chọn vị trí tại đó rv = Z0 hoặc gv = Y0, tìm cách để xv → 0 hoặc bv → 0.
- Chọn vị trí tại đó xv = 0, tìm cách để rv → Z0.
7.3.4 PHTK dùng biến áp λ/4
Bài toán: Cho đường truyền với trở kháng đặc tính Z0 một đầu lắp vào máy
phát, một đầu mắc với tải ZL được phối hợp bằng biến áp λ/4. Tính trở kháng
đặc tính của biến áp ZCT và khoảng cách d từ chỗ mắc biến áp đến tải.

A B

Máy
Zc0 ZCT ZL
phát

A B

l/4 d

Phân tích:
2
ZCT
- Tính chất của biến áp λ/4: Zv =
ZB
- Dùng biến áp λ/4 để PHTK như thế nào?

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 220
Giải:
- Bước 1: Xác định điểm L biểu diễn trở kháng tải chuẩn hóa
- Bước 2: Qua L dựng vòng tròn Kd =const. Vòng tròn này cắt trục ngang tại
2 điểm D và E. Đậy là 2 điểm có thể mắc biến áp.
- Bước 3: Xác định ZCT ứng với D và E.
q
ZCT = Z02 · z̄D (638)
q
ZCT = Z02 · z̄E (639)

- Bước 4: Từ L di chuyển đến D và E theo chiều về phía máy phát, ta xác định
l1 l2
được các khoảng cách và . Từ đó suy ra l1 và l2.
λ λ
7.3.5 PHTK dùng một phần tử kháng thuần (stub) mắc song song
Bài toán: Cho đường truyền với trở kháng đặc tính Z0 một đầu lắp vào máy
phát, một đầu mắc với tải ZL được phối hợp bằng một stub mắc song song,
cho λg . Tính dẫn nạp vào Bk của stub và khoảng cách từ tải đến vị trí mắc

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 221
stub, tính chiều dài của stub biết rằng trở sóng đặc tính của stub và của đường
truyền là như nhau.
Giải:
- Bước 1: Xác định điểm L biểu diễn trở kháng tải chuẩn hóa
- Bước 2: Lấy đối xứng điểm L qua gốc tọa độ, ta được điểm K biểu diễn dẫn
nạp tải chuẩn hóa
- Bước 3: Vòng tròn Kd = const cắt vòng tròn ḡ = 1 tại 2 điểm M và N. Đây
sẽ là các điểm mắc stub.
- Bước 4: Di chuyển từ K đến M và N theo chiều về phía máy phát, ta tính
được các khoảng cách d01 và d02.
- Bước 5: Bk được xác định thông qua các giá trị dẫn nạp chuẩn hóa tại các
điểm M và N:
Nếu mắc stub tại điểm M

1 1
Bk = −b̄M = b̄N (640)
Z0 Z0

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 222
Nếu mắc stub tại điểm N

1 1
Bk = −b̄N = b̄M (641)
Z0 Z0

- Bước 6: Xác định độ dài của stub: di chuyển từ điểm có dẫn nạp vào chuẩn
hóa bằng ḡv = 0 + j b̄k đến điểm có dẫn nạp vào chuẩn hóa bằng ∞ theo chiều
0 0
về phía tải ta sẽ tính được các độ dài tương đối là lS1 , lS2 , từ đó tính ra
0 0
lS1 = lS1 ∗ λg , lS2 = lS2 ∗ λg

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 223
Chương 8 Các dụng cụ điện tử siêu cao tần
1. Đặt vấn đề

- Nguyên tắc hoạt động của đèn điện tử và bán dẫn thông thường:

- Ở dải sóng SCT: thời gian bay của điện tử giữa các cực của đèn hoặc trong
không gian vùng chuyển tiếp P-N của chất bán dẫn xấp xỉ hoặc lớn hơn chu kỳ
dao động T của trường SCT ⇒ sinh ra hiệu ứng quán tính điện tử, điện dung
và điện cảm ký sinh khá lớn làm cho các đèn điện tử chân không và bán dẫn
thông thường không hoạt động được tại dải sóng này ⇒ cần phải tạo ra các
dụng cụ điện tử và bán dẫn hoạt động theo nguyên lý mới trong dải sóng SCT.

2. Nguyên lý điều khiển động điện tử

- Là quá trình điều khiển chùm dòng điện tử từ mật độ đều sang mật độ không
đều dẫn đến tạo nhóm điện tử và sau đó điều khiển để các nhóm điện tử tự
trao lại năng lượng cho trường SCT trong quá trình bay trong vùng không gian
giữa các cực của đèn dưới tác động của trường SCT.

- Quá trình này bao gồm hai giai đoạn:

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 224
+ Tạo nhóm điện tử : Điều chế chùm điện tử từ mật độ đều sang mật độ
không đều dựa trên sự thay đổi tốc độ của các điện tử trong quá trình bay
trong vùng không gian giữa các cực của đèn dưới tác động của trường SCT.
+ Trao đổi năng lượng giữa các nhóm điện tử với trường SCT để các nhóm
điện tử cung cấp năng lượng cho trường SCT nhằm mục đích duy trì và tăng
biên độ dao động của trường SCT trong đèn và ghép ra tải bên ngoài sử dụng.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 225
3. Đèn điện tử Klystron trực xạ

3 4

10
5 9 5
1

2 6

U0 7 8

a. Cấu tạo: 1: Cathode, 2: Cực tăng tốc, 3: Hộp cộng hưởng lối vào, 4: Hộp
cộng hưởng lối ra, 5: khe của các hộp cộng hưởng, 6: Anode hay cực góp, 7:
đầu ghép tín hiệu (SCT) vào, 8: đầu ghép tín hiệu (SCT) ra.
b. Sự tạo nhóm điện tử:
- Chùm tia điện tử với mật độ đều được tạo ra bởi Cathode, được tăng tốc bởi

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 226
điện áp một chiều U0. Các điện tử chuyển
r động đến khe của hộp cộng hưởng
2e
thứ nhất với vận tốc không đổi v0 = U0.
m
- Tín hiệu cần khuyếch đại được đưa vào hộp cộng hưởng lối vào, tạo nên trên
khe hẹp điện áp điều chế SCT dạng sin Ũ1 = U1m sin ωt.

- -

wt + +

9 8 7 6 5 4 3 2 1
z

- Các điện tử số 1, 3, 5, 7, 9 bay vào khe khi Ũ1 = 0 ⇒ tốc độ của chúng khi
ra khỏi khe vẫn là v0.
- Các điện tử số 2, 6 bay vào khe khi Ũ1 = U1max > 0 (ứng với chiều của điện

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 227
trường từ trái sang phải) ⇒ các điện tử này bị trường cản lại và giảm tốc độ,
khi ra khỏi khe chúng có tốc độ v1 < v0.

- Các điện tử số 4, 8 bay vào khe khi Ũ1 = −U1max < 0 (ứng với chiều của
điện trường từ phải sang trái) ⇒ các điện tử này được trường làm tăng tốc, khi
ra khỏi khe chúng có tốc độ v2 > v0.

- Khi ra khỏi khe, các điện tử chuyển động theo quán tính và xích lại gần nhau
và dần tạo thành các nhóm điện tử, đến khe 2 mức độ hội tụ của các điện tử
đạt cao nhất.

- Các điện tử 3, 7 được gọi là các điện tử tâm nhóm, các điện tử này bay qua
khe 1 vào thời điểm trường SCT trên khe chuyển từ pha cản sang pha tăng tốc.
Khoảng cách về thời gian giữa hai điện tử tâm nhóm đúng bằng một chu kỳ
dao động SCT.

- Đồ thị không gian - thời gian:

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 228
z

- -

1 2 3 4 5 6 7 +
8 9 wt
+

c. Nguyên tắc hoạt động:

- Tín hiệu cần khuyếch đại được đưa vào hộp cộng hưởng lối vào, tạo nên trên
khe hẹp điện áp điều chế SCT dạng sin Ũ1 = U1m sin ωt, tín hiệu ra lấy ở hộp
cộng hưởng ra trên khe hẹp cũng có dạng sin Ũ2, khoảng cách giữa tâm hai khe
của hai hộp chọn bằng l.

- Chùm tia điện tử với mật độ đều được tạo ra bởi Cathode và được tăng tốc
bởi điện áp một chiều U0. Các điện tử chuyển động đến khe của hộp cộng

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 229
r
2e
hưởng thứ nhất với vận tốc không đổi v0 = U0.
m
- Khi đi vào khe 5 giữa hai lưới của hộp cộng hưởng lối vào, dưới tác dụng của
điện áp SCT các điện tử bị điều chế tốc độ. Khi bay ra khỏi khe 5 tốc độ của
các điện tử có dạng: v = v0 + v1 sin ωt1 biến đổi theo dạng của điện áp điều
chế.
- Các điện tử được điều chế tốc độ, tạo thành các nhóm điện tử. Các nhóm
điện tử cách nhau về mặt thời gian đúng bằng 1 chu kỳ T của dao động SCT.
- Khi các nhóm điện tử từ không gian quán tính bay vào khe của hộp cộng
hưởng lối ra (được đặt đúng tại tiết diện l) sẽ làm xuất hiện trong hộp dao
động SCT cảm ứng với trường trên khe là Ũ2 .
- Nếu thực hiện được điều kiện về pha là : khi các nhóm điện tử bay vào tâm
khe thứ hai ứng với lúc trường SCT trên khe này là pha cản cực đại (quy ước
là Ũ2max < 0) thì nhóm điện tử bị hãm chuyển động và trao động năng thừa
cho trường SCT của hộp. Điều kiện pha này được gọi là điều kiện đồng bộ.
- Do được trao năng lượng nên biên độ trường SCT trong hộp cộng hưởng lối
ra tăng vượt tiêu hao trong hộp và được ghép ra tải bên ngoài.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 230
- Hộp cộng hưởng lối vào và lối ra đều được điều chỉnh cộng hưởng tại tần số
của tín hiệu cần khuyếch đại. Như vậy đèn Klitstron trực xạ đã thực hiện nhiệm
vụ làm bộ khuyếch đại công suất sóng siêu cao tần.
- Điện áp tăng tốc cho điện tử của đèn khá lớn (hàng chục KV), nên đèn cho
công suất ra lớn từ hàng trăm W đến chục KW. Colector của đèn thường phải
làm lạnh bằng không khí hoặc nước.
d. Các tham số kỹ thuật:
- Dòng đối lưu: dòng chùm điện tử bị điều chế đi đến hộp cộng hưởng thứ 2.

I0
i2(t2) =   (642)
θg
1 − X cos ωt2 − θ0 −
2

θg
với ωt2 − θ0 − là góc tới của điện tử đến khe của hộp cộng hưởng đầu ra,
2
ωd
X được gọi là tham số nhóm của klystron. θg = là góc bay của điện tử
v0
ωL
tâm nhóm trong khe của hộp cộng hưởng. θ0 = là góc bay của điện tử tâm
v0

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 231
nhóm trong không gian quán tính giữa hai hộp cộng hưởng. Đồ thị của i2 với
các giá trị khác nhau của X:
i2 X<1
4

0
0 2 4 6 8 10
X=1
i2
5

0
0 2 4 6 8 10
X>1
i2
5

0
0 2 4 6 8 10
θg
ωt2 − θ0 −
2

⇒ với X > 0.5 dòng i2 rất giàu tính hài.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 232
- Biên độ hài bậc n: In = 2Jn(nX)I0 với Jn(nX) là hàm Besel cấp n.
- Hài cơ bản: I1 = 2J1(X)I0, đạt cực đại khi X = 1.841.
1 sin θ2/2
- Công suất ra: Pra = M2InU2 cos ϕr trong đó M2 = là hệ số tương
2 θ2/2
tác hiệu dụng giữa luồng tia điện tử và trường SCT trên hộp cộng hưởng đầu
ra, U2: điện áp xoay chiều giữa các lưới của hộp cộng hưởng đầu ra.
1
- Đối với trường hợp klystron là bộ khuếch đại thì: Pra = M2I1U2
2
Pra
- Hiệu suất của klystron: η = với P0 = I0U0 là công suất tiêu thụ từ nguồn
P0
của klystron. ηmax = 0.58.
Pra
- Hệ số khuếch đại: K = 10lg [dB].
Pv

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 233
4. Đèn điện tử Klystron phản xạ
a. Cấu tạo: Chỉ có một hộp cộng hưởng dạng hình xuyến vừa làm nhiệm vụ
điều chế chùm dòng điện tử vừa là không gian tương tác trao đổi năng lượng
giữa nhóm điện tử với trường SCT. Cấu tạo nguyên lý của đèn: xem hình vẽ.

6
3

10
1 4 7

2 5

U0

Upx

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 234
b. Tạo nhóm điện tử:

- -

1 2 3 4 5 6 7 8 9 wt
+ + +
3T/4

3T/4 + T

- Cathode tạo ra chùm tia điện tử với mật độ đều, vận tốc không đổi v0 bay
vào khe hộp cộng hưởng và làm xuất hiện các dao động điện từ trong hộp. Tuy
nhiên, chỉ có các dao động có tần số bằng tần số cộng hưởng của hộp được

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 235
duy trì. các điện từ trường này đến lượt chúng lại tiến hành điều chế tố độ cho
chùm tia điện tử.

- Giả thiết rằng điện tử số 1 đi vào tâm khe đúng lúc trường trên khe đảo pha
⇒ điện tử này vẫn giữ nguyên tốc độ ban đầu.

- Điện tử số 2 đi vào tâm khe đúng lúc trường trên khe là pha tăng tốc cực đại
(Ũ1 = −U1max < 0) ⇒ điện tử số 2 tăng tốc và ra khỏi khe với v1 > v0.

- Điện tử số 3 giống như điện tử số 1, đi vào tâm khe đúng lúc trường trên khe
đảo pha ⇒ giữ nguyên tốc độ ban đầu.

- Điện tử số 4 đi vào tâm khe đúng lúc trường trên khe là pha giảm tốc cực đại
(Ũ1 = U1max > 0) ⇒ điện tử số 4 giảm tốc và ra khỏi khe với v2 < v0.

- Khi ra khỏi khe các điện tử sẽ bay vào không gian giữa khe hộp cộng hưởng
và cực phản xạ có điện áp âm so với cathode (được gọi là không gian trường
phản xạ).

- Do chuyển động trong trường phản xạ nên ban đầu các điện tử chuyển động
chậm dần hướng về phía cực phản xạ đến khi đạt tốc độ bằng không thì đổi
chiều chuyển động quay ngược lại phía hộp cộng hưởng. Chúng không đến

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 236
được cực phản xạ. Trong đó điện tử số 2 sẽ đi vào sâu nhất (gần cực phản xạ
nhất), điện tử số 4 sẽ đi vào nông nhất trong không gian trường phản xạ.

- Khi chuyển động về phía hộp cộng hưởng do hướng ngược với điện trường
phản xạ nên các điện tử được trường này tăng tốc và chúng chuyển động
nhanh dần đều cho đến khi bay trở lại không gian khe hộp cộng hưởng.

- Quỹ đạo chuyển động của các điện tử trong không gian trường phản xạ là các
đường parabol.

- Do bị điều chế và có tốc độ khác nhau nên trong quá trình bay trong không
gian trường phản xạ trên quỹ đạo Parabol các điện tử tạo thành các nhóm điện
tử.

c. Nguyên lý hoạt động:

- Điện tử được bức xạ từ cathode và được tăng tốc bởi điện áp U0 tạo ra chùm
có mật độ đều với vận tốc không đổi bay vào không gian khe của hộp cộng
hưởng, làm xuất hiện dao động cảm ứng trong hộp với tần số cho trước.

- Trường dao động SCT trên hai lưới của hộp sẽ điều chế tốc độ chùm điện tử
làm cho các điện tử khi bay ra khỏi khe hộp cộng hưởng có tốc độ thay đổi

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 237
theo quy luật của trường SCT giống như đã cho trong đèn klistron trực xạ
v(t) = v0 + v1 sin ωt.

- Khi ra khỏi khe các điện tử sẽ bay vào không gian trường phản xạ và sau đó
quay trở lại phía hộp cộng hưởng và tạo thành các nhóm điện tử.

- Nếu thực hiện được điều kiện đồng bộ, nghĩa là khi các nhóm điện tử quay
trở lại không gian khe của hộp đúng vào pha cản của trường SCT trong hộp thì
nhóm điện tử sẽ bị cản chuyển động và chúng trao động năng cho trường SCT
của hộp.

- Nhận được năng lượng từ nhóm điện tử, biên độ trường trong hộp tăng lên
rất cao, vượt khỏi tiêu hao và được ghép ra tải bên ngoài.

d. Các tham số kỹ thuật:

- Điều kiện đồng bộ: để nhóm điện tử đi vào không gian trường phản xạ và
quay về hộp cộng hưởng đúng vào pha cản cực đại thì: τ2 = 3/4T + nT hay
θ2 = ωτ2 = 2π(3/4 + n), n = 0, 1, 2, . . . với T : chu kỳ dao động, τ2: thời gian
bay của điện tử tâm nhóm từ đi vào khe tới không gian trường phản xạ rồi
quay trở lại khe hộp cộng hưởng.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 238
I0
- Dòng đối lưu: I(t) = với X là tham số nhóm và θ là góc bay của
1 + X cos θ
điện tử tâm nhóm. Trong đèn klystron phản xạ sử dụng chủ yếu là hài bậc nhất
nên biên độ dòng đối lưu có dạng I2m1 = 2I0J1(x).
- Vùng dao động: là vùng trong đó đèn còn thoả mãn điều kiện đồng bộ và còn
tồn tại dao động SCT trong hộp cộng hưởng khi điện áp cực phản xạ thay đổi
trong một phạm vi không lớn xung quanh giá trị tối ưu và điện áp tăng tốc
không đổi.
- Điện áp phản xạ tối ưu Upx0 của các vùng dao động ứng với công suất lớn
nhất của đèn và thoả mãn điều kiện đồng bộ tối ưu như sau:
p
3 2Df 2mU0/e
n+ = , n = 0, 1, 2 . . . (643)
4 U0 + Upx0

n gọi là chỉ số vùng dao động của đèn. Đồ thị các vùng dao động của đèn:
- Công suất ra của đèn ứng với hài bậc nhất: Pra = I0M UmJ1(x)
- Điều chỉnh điện tử tần số: một đặc tính quan trọng của đèn Klytstron phản
xạ là tần số dao động của đèn phụ thuộc vào điện áp cực phản xạ Upx và điện

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 239
áp tăng tốc U0. Tính chất đó được gọi là sự điều chỉnh điện tử tần số của đèn.
- Khi Upx = Upx0 và U0 = const, nhóm điện tử quay trở về khe hộp cộng
hưởng đúng thời điểm điện áp SCT trên khe đạt pha cản cực đại, hộp cộng
hưởng tương đương một mạch cộng hưởng tập trung có dòng nuôi và điện áp
đồng pha, ⇒ dẫn nạp của mạch là dẫn thuần. Tần số dao động của đèn bằng
tần số cộng hưởng riêng của hộp, nghĩa là: ω = ω0.
- Khi Upx > Upx0, nhóm điện tử đi vào không gian trường phản xạ ít sâu hơn
và quay trở về hộp sớm hơn thời điểm trường cản SCT trên khe hộp đạt cực
đại. Trường hợp này tương đương với dòng nuôi sớm pha hơn điện áp của mạch
cộng hưởng ⇒ dẫn nạp mạch mang tính dung, tần số dao động của đèn lớn
hơn tần số cộng hưởng riêng của hộp, tức là: ω > ω0.
- Khi Upx < Upx0, nhóm điện tử đi sâu hơn vào không gian trường phản xạ và
quay trở về hộp muộn hơn thời điểm trường cản SCT trên khe hộp đạt cực đại.
Trường hợp này tương đương với dòng nuôi chậm pha hơn điện áp của mạch
cộng hưởng ⇒ dẫn nạp mạch mang tính cảm, tần số dao động của đèn nhỏ
hơn tần số cộng hưởng riêng của hộp, tức là: ω < ω0.
- Dải điều chỉnh điện tử tần số: là khoảng tần số ∆f ứng với giới hạn thay đổi
điện áp cực phản xạ mà tại đó công suất dao động không bị giảm quá 50 %

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 240
công suất cực đại tại điện áp tối ưu.

5. Đèn sóng chạy (TWT)


a. Cấu tạo:

5 9
4 8
1 3 6 7 10
2
6

12
11 11

1: Cathode, 2: Cực điều khiển, 3: Anode 1, 4: Anode 2, 5: đầu vào SCT, 6: ống
kim loại, 7: hệ làm chậm xoắn, 8: lớp hấp thụ, 9: lối ra SCT, 10: cực góp, 11:
pitông điều chỉnh, 12: cuộn hội tụ.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 241
b. Nguyên lý làm việc:
- Súng phóng điện tử tạo ra chùm dòng điện tử dạng chùm mảnh mật độ đều
với vận tốc ban đầu không đổi v0 chuyển động dọc trục hệ làm chậm xoắn.
- Dao động SCT cần khuyếch đại được dẫn vào hệ làm chậm theo lối vào 5.
Tại hệ làm chậm này sóng truyền dọc theo hệ làm chậm và bị làm chậm với
vận tốc dọc theo trục hệ là vph < C. Hệ làm chậm có kích thước được thiết kế
để đạt được hệ số giữ chậm sóng
s  2
C 2πa
Kch = = 1+ ≈ 2 ÷ 50 (644)
vph S

(a: bán kính vòng dây xoắn, S: chiều dài bước xoắn của hệ làm chậm, C: vận
tốc ánh sáng trong chân không.).
- Điện áp tăng tốc U0 được chọn để đạt được điều kiện đồng bộ v0 ≈ vph.
- Tại phần đầu hệ làm chậm, các điện tử trong quá trình chuyển động dọc trục
hệ sẽ bị trường SCT của sóng chậm trên hệ điều chế tốc độ và mật độ dẫn
đến hình thành các nhóm điện tử.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 242
- Tiếp theo trong quá trình cùng sóng chậm truyền dọc hệ, nếu thực hiện được
điều kiện đồng bộ thì các nhóm điện tử luôn rơi vào pha cản của trường sóng
chậm chạy dọc hệ và trao năng lượng cho trường. Cuối hệ làm chậm biên độ
trường SCT tăng mạnh và được ghép ra tải bên ngoài qua lối ra 9.

- Các điện tử hoàn thành nhiệm vụ tiếp tục chuyển động tới cực Colector rồi về
nguồn.

- Như vậy đèn đã làm nhiệm vụ khuyếch đại sóng SCT chạy dọc hệ làm chậm.
Nên đèn có tên là đèn sóng chạy.

- Vì từ trường đặt dọc trục hệ để hội tụ chùm điện tử nên đèn thuộc loại O.
Đèn này làm việc dựa trên sự tạo nhóm điện tử trong trường sóng chạy.

c. Tạo nhóm điện tử:

- Trường của sóng chậm trong hệ làm chậm xoắn có thành phần Ẽz đóng vai
trò điều chế tạo nhóm điện tử và trao đổi năng lượng với các nhóm điện tử.

- Điện trường dọc phân bố dọc trục của hệ làm chậm có dạng sin. Khi điện tử
chuyển động cùng chiều với điện trường dọc sẽ bị cản, còn khi chuyển động
ngược chiều sẽ được tăng tốc.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 243
Ez Ez

z 3 1 2 z

- Điện tử số 1 đi vào hệ làm chậm ứng với lúc trường sóng chậm đổi pha
Ẽz = 0 nên trường không làm thay đổi tốc độ của điện tử, do đó điện tử số 1
giữ nguyên tốc độ như ban đầu v01 = v0.
- Điện tử số 2 đi vào hệ làm chậm ứng với lúc trường sóng chậm là pha cản
Ẽz < 0 nên nó bị hãm chuyển động và có vận tốc nhỏ hơn giá trị ban đầu
v02 < v0.
- Điện tử số 3 đi vào hệ làm chậm ứng với lúc trường sóng chậm là pha tăng
tốc Ẽz > 0 nên nó được gia tốc và có tốc độ lớn hơn giá trị ban đầu v03 > v0

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 244
- Do các điện tử có vận tốc khác nhau nên trong quá trình chuyển động dọc hệ
làm chậm chúng sẽ tạo thành các nhóm điện tử. Điện tử đóng vai trò tâm
nhóm là điện tử số 1 đi vào hệ ứng với lúc trường sóng chậm đổi từ pha tăng
tốc sang pha cản.
- Điều kiện đồng bộ của đèn cần chọn để đạt được: trong quá trình cùng chạy
dọc trục z của hệ làm chậm thì các nhóm điện tử luôn rơi vào pha cản của
trường Ẽz nên bị cản chuyển động và trao năng lượng cho trường SCT. Quỹ
đạo của các điện tử có tương tác với trường SCT là các đường cong. Có ba
trường hợp chọn vận tốc pha của sóng chậm như trên hình.
- Nếu chọn vận tốc điện tử tâm nhóm bằng vận tốc pha của sóng chậm
v01 = vph thì nhóm điện tử được hình thành và khi chạy dọc hệ luôn rơi vào
lúc trường sóng chậm đổi pha, nên chúng không trao và cũng không nhận năng
lượng của trường SCT ⇒ không sử dụng điều kiện này.
- Nếu chọn vận tốc điện tử tâm nhóm nhỏ hơn vận tốc pha của sóng chậm
v01 < vph thì nhóm điện tử được hình thành và khi chạy dọc hệ làm chậm
sẽ rơi vào pha tăng tốc của trường sóng chậm và chúng lấy năng lượng của
trường SCT ⇒ không sử dụng điều kiện này.
- Nếu chọn vận tốc tâm nhóm điện tử lớn hơn một chút so với vận tốc pha của

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 245
sóng chậm v01 > vph thì nhóm điện tử được hình thành và khi chạy dọc hệ làm
chậm sẽ rơi vào pha cản của trường sóng chậm rồi trao năng lượng cho trường
SCT ⇒ Ta chọn điều kiện đồng bộ này cho đèn làm việc.
d. Tham số kỹ thuật:
- Điều kiện đồng bộ: v01 ' vph.


zra
- Hệ số khuếch đại: K = 20lg . Thông thường K có thể đạt từ 30 đến
Ẽzv
50 dB.
- Dải tần của đèn: là khoảng tần số ứng với giới hạn mà hệ số khuyếch đại K
giảm đi 1/2 so với giá trị cực đại.
Đèn sóng chạy có ưu điểm là dải tần rất rộng đạt cỡ 20 % đến 50 %, do hệ
làm chậm xoắn có đặc trưng tán sắc khá bằng phẳng.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 246
6. Đèn Magnetron
a. Cấu tạo:

Gồm khối Anode chứa các hốc cộng hưởng, khối Cathode, nam châm tạo từ
trường không đổi có chiều vuông góc với điện trường tĩnh, dao động được ghép

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 247
ra ngoài qua que dò,
b. Đặc điểm:
- Là bộ tạo dao động làm việc ở dải sóng cm, dm thực hiện điều khiển động
điện tử trong không gian của điện từ trường 1 chiều vuông góc với nhau
~0 ⊥ B
E ~ 0.

- Công suất phát ra rất lớn, từ hàng trăm kW đến vài MW.
- Dưới tác động của điện trường và từ trường một chiều, điện tử bay ra khỏi
Cathode sẽ bay theo quĩ đạo hình cycloid.
~ ta có thể thay đổi bán kính của
- Bằng cách thay đổi độ lớn của từ trường B,
quỹ đạo cycloid của điện tử. Ứng với quỹ đạo bay của điện tử là tiếp tuyến với
mặt Anode, ta có: r
2mE
Bth = (645)
ed
với d là khoảng cách từ Cathode đến Anode.
- Có thể thấy rõ ràng là: để phát sinh dao động thì phải bẻ cong quỹ đạo của
điện tử để có thời gian cho các điện tử tạo nhóm.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 248
c. Nguyên lý phát sinh dao động trong Magnetron
- Điện áp một chiều Ua được đặt giữa Anode và Cathode tạo nên trong không
gian giữa Anode và Cathode một điện trường một chiều E ~ hướng từ Anode
sang Cathode. Khối nạm châm vĩnh cửu hoặc nam châm điện đặt bên ngoài
~ vuông góc với E.
tạo ra từ trường đều B ~

- Khi cathode được sấy nóng ⇒ các điện tử được phát xạ ra khỏi Cathode và
~ ⊥B
rơi vào vùng không gian có E ~ ⇒ điện tử có quỹ đạo cong.

- Ban đầu do sự thăng giáng mật độ điện tử ngẫu nhiên, khi các điện tử lướt
qua các hốc cộng hưởng sẽ tạo nên một điện áp cảm ứng cao tần trên các hốc
CH. Do trên khối Anode có nhiều hốc CH ⇒ điện áp cảm ứng cũng biến đổi
theo thời gian và không gian.
* Xét tại một điểm nào đó trên một hốc cụ thể:
E0
- Đối với điện tử 1, vận tốc theo chiều dọc từ C → A : vde1 =
B
- Đối với điện tử 2, thành phần điện trường tác động lên điện tử 2:
E0 + Ẽy
E = E0 + Ẽy ⇒ vde2 = > vde1
B
Microwave engineering ***
c Chi Hieu Ta 249
- Đối với điện tử 3, thành phần điện trường tác động lên điện tử 3:
E0 − Ẽy
E = E0 − Ẽy ⇒ vde3 = < vde1
B

* Như vậy các điện tử 1,2,3 chuyển động sát vào nhau và tạo thành nhóm
quanh điện tử 1. Các nhóm điện tử được điều khiển để rơi vào pha cản của
trường Ẽz và trao lại năng lượng cho trường.

⇒ Ẽy : điều tốc; Ẽz : lấy năng lượng ⇒ dao động được phát sinh.

d. Chế độ dao động của Magnetron

- Số hốc CH trong magnetron là N

- Điều kiện: Tổng góc lệch pha phải là n ∗ 2πm suy ra: N.∆ϕ = 2nπ (n =
0, . . . N )

- Với các giá trị n khác nhau, ta sẽ có dạng phân bố điện áp trên hốc cộng
hưởng là khác nhau ⇒ các chế độ dao động khác nhau

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 250
- Ví dụ với N = 8

n ∆ϕ Tên gọi Tần số


0 0 Dđ đồng bộ
1 π/4 Dđπ/4 ω1
2 π/2 Dđπ/2 ω2 (646)
3 3π/4 Dđ3π/4 ω3
4 π Dđπ ω4
...

Trong thực tế thường chọn chế độ dao động π để đảm bảo mức độ trao đổi
năng lượng là lớn nhất.

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 251
For more Information

• Documentation for Foiltex


http://www.tex.ac.uk/tex-archive/nonfree/macros/latex/contrib/
foiltex/foiltex.pdf

• Get what you can from an internet search

Microwave engineering ***


c Chi Hieu Ta 252

You might also like