THYRISTOR MODULE

（SCE）
SCA 160AA
UL; E76102（M）
SCA（SCE）160AA
《Advantages》 《特長》 94.5MAX.
Tc-Point（Bottom side）

• Isolated package • 絶縁型 80±0.3

3-M6 5
• di/dt 200A/µs • di/dt 200A/µs
（screwing depth:12mm）

2 2−φ6.5

7
• dv/dt 1000V/µs • dv/dt 1000V/µs

34MAX.

0.8×2.8
13.2
• IT(AV) 160A‚ IT(RMS) 251A‚ ITSM 5400A • IT(AV) 160A‚ IT(RMS) 251A‚ ITSM 5400A
1 3

5
《Applications》 《用途》 23±0.3 23±0.3 17

• Various rectifiers, motor drives, Heater • 整流器、 制御、 制御、

Tc-Point（Bottom side）
63.5
controls, and power supplies 各種電源装置

5
■Internal Configurations　内部結線図

30

29
27
8.5
1 2 3 6（G2) 7（K2） 1 2 3 17.0 17.0
Tc-Point Tc-Point

（A1K2） （K1） （A2）4（G1）5（K1） （A1K2） （K1） （A2）4（G1）5（K1）

Unit 単位：mm
SCA SCE

■Maximum Ratings　最大定格 （Unless otherwise specified Tj＝25℃／指定なき場合はTj＝25℃とする）

Ratings　定格値
Symbol Item Unit
記号 項　目 SCA160AA80 SCA160AA160 SCA160AA180 単位
SCE160AA80 SCE160AA160 SCE160AA180
*Repetitive Peak Reverse Voltage
VRRM 800 1600 1800 V
＊定格ピーク繰返し逆電圧
*Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
VRSM 960 1700 1900 V
＊定格ピーク非繰返し逆電圧
Repetitive Peak Off-state Voltage
VDRM 800 1600 1800 V
定格ピーク繰返しオフ電圧

Symbol 記号 Item　項　目 Conditions　条　件 Ratings　定格値 Unit 単位

IT（AV） *Average On-state（Forward）Current Single phase, half wave, 180°conduction,
Tc＝88℃ 160 A
IF（AV） ＊定格平均オン（順）電流 単相半波平均値180°導通角
IT（RMS） *R.M.S. On-state（Forward）Current Single phase, half wave, 180°conduction,
Tc＝88℃ 251 A
IF（RMS） ＊定格実効オン（順）電流 単相半波実効値180°導通角
ITSM *Surge On-state（Forward）Current ½cycle, 50/60Hz, Peak value, non-repetitive
5400/5900 A
IFSM ＊定格サージオン（順）電流 50/60Hz　商用単相半波　１サイクル波高値　非繰返し
*I2t Value for one cycle surge current
I2t 145000 A 2s
＊電流二乗時間積 定格サージオン電流に対する値
Peak Gate Power Dissipation
PGM 10 W
定格ピークゲート損失
Average Gate Power Dissipation
PG（AV） 3 W
定格平均ゲート損失
Peak Gate Current
IFGM 3 A
定格ピークゲート順電流
Peak Gate Voltage（Forward）
VFGM 10 V
定格ピークゲート順電圧
Peak Gate Voltage（Reverse）
VRGM 5 V
定格ピークゲート逆電圧
Critical Rate of Rise of On-state Current
di/dt IG＝100mA, VD＝½VDRM, diG/dt＝0.1A/μs 200 A/μs
定格臨界オン電流上昇率
*Isolation Breakdown Voltage A.C. 1minute
VISO 3000 V
＊絶縁耐圧 実効値，A.C.１分間
*Operating Junction Temperature
Tj －40～＋125 ℃
＊定格接合部温度
*Storage Temperature
Tstg －40～＋125 ℃
＊保存温度
Mounting Torque Mount（M6）取付 Recommended value
推奨値 2.5～3.9N・m 4.7
N・m
締付トルク Terminal（M6）主端子 Recommended value
推奨値 2.5～3.9N・m 4.7
Mass　質量 Typical value　標準値 210 g

（SCA160AA-S75-1303）
 SCA(SCE)160AA

■Electrical Characteristics　電気的特性 （Unless otherwise specified Tj＝25℃／指定なき場合はTj＝25℃とする）

Symbol 記号 Item　項　目 Conditions　条　件 Ratings　定格値 Unit 単位
Repetitive Peak Off-state Current, max
IDRM Tj＝125℃, VD＝VDRM 100 mA
最大オフ電流
*Repetitive Peak Reverse Current, max
IRRM Tj＝125℃, VR＝VRRM 100 mA
＊最大逆電流
VTM *On-state（Forward）Voltage, max
IT＝500A 1.4 V
VFM ＊最大オン（順）電圧
*Threshold Voltage, max Tj＝25℃ 1.0
VT（VO） V
＊最大閾値電圧 Tj＝125℃ 0.85
*Dynamic Resistance, max Tj＝25℃ 1.0
rt mΩ
＊最大オン抵抗 Tj＝125℃ 1.3
Gate Trigger Current, max
IGT VD＝6V, IT＝1A 100 mA
最大ゲートトリガ電流
Gate Trigger Voltage, max
VGT VD＝6V, IT＝1A 3 V
最大ゲートトリガ電圧
Gate Non-Trigger Voltage, min
VGD Tj＝125℃, VD＝½VDRM 0.25 V
最小ゲート非トリガ電圧
Critical Rate of Rise of Off-state Voltage, min
dv/dt Tj＝125℃, VD＝⅔VDRM, exp. waveform 1000 V/μs
最小臨界オフ電圧上昇率
*Thermal Impedance, max cont., Junction to case, per one element
（j-c）
Rth 接合部―ケース間 cont., 単位エレメント当り
0.17 ℃/W
＊最大熱抵抗
sin.180°, Junction to case, per one element
0.18
*Effective Thermal Impedance, max 接合部―ケース間, sin.180° , 単位エレメント当り
（j-c）
Rth ℃/W
＊最大実効熱抵抗 rec.120°, Junction to case, per one element
0.19
接合部―ケース間, rec.120° , 単位エレメント当り
Case to Heat sink, per one element
*Interface Thermal Impedance, max ケース―ヒートシンク間, 単位エレメント当り
Rth（c-s） 0.1 ℃/W
＊最大接触熱抵抗 Thermal conductivity（Silicon grease）＝7×10－3［W/㎝・℃］
シリコングリスの熱伝導率＝7×10 ［W/㎝・℃］ －3

*mark: Thyristor and Diode part, No mark: Thyristor part.

注）上表中＊印の項目は、サイリスタ部及びダイオード部の両方に適用します。その他の項目は主にサイリスタ部に適用します。

Gate Characteristics Maximum Forward Characteristics

ゲートトリガ特性 最大順特性
100 10000
On-state Peak Current IT（A）

   Max.

Peak Forward Gate Voltage

（10V） Peak Gate Power（10W）
Gate Voltage（V）

定格ピークゲート順電圧 定格ピークゲート損失
ゲ 10 1000
ー オ
（３A）

ト ン
定格ピークゲート順電流

電 電
Peak Gate Current

圧 流
IT
（V） 1 Average Gate Power（3W） 100
定格ピークゲート損失 （A）
125℃ 25℃ −30℃

Maximum Gate Non-Trigger Voltage Tｊ=25℃

最小非トリガ電圧
0.1 10
1 100 1000 10000 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
Gate Current（mA） On-state Voltage Drop VTM（V）
ゲート電流（mA） オン電圧 VTM（V）
 SCA(SCE)160AA

Surge Forward Current Rating〈Non-Repetitive〉 Transient Thermal Impedance

サージ順電流耐量〈非繰返し〉 過渡熱インピーダンス特性

Transient Thermal Impedance θj-c（℃/W）

6000 0.3
（A）

per one Element junction to sink θj-s

Per one element 接合部─シンク θj-s
単位エレメント当り 単位エレメント当たり
Surge Forward Current  IFSM

5000 0.25
過
サ 渡
ー 4000 熱 0.2
ジ 抵
順 抗
電 3000   junction to case θj-c
0.15
流  60Hz
θ
接合部─ケース間 θj-c

j-c
IFSM 2000 50Hz 0.1
（℃/W）
（A）
Single phase half wave
1000 Tj =25℃ start 0.05

0 0
1 10 100 1.0E−03 1.0E−02 1.0E−01 1.0E+00 1.0E+01 1.0E+02
Times Time（sec）
通電サイクル数 n（cycles） 時間 t（秒）
Current vs Power Dissipation Current vs Allowable Case Temperature
最大電力損失特性 電流対最大許容ケース温度
250
C ℃）
150
最 140
Allowble Case Temperature T（
θ=180゜ 360゜
（W）

200
大 130 0 180゜
π ２π
θ=120゜
許 θ
θ=90゜ 容 120
Power Dissipation

電 θ：Conduction Angle

力 150 ケ
ー 110
θ=60゜
損
失 θ=30゜ ス 100
  温
P 度  90
（W）100
80
0 180゜ 360゜ TC
π ２π
50 θ （℃）70
θ=30゜ θ=60゜ θ=90゜θ=120゜ θ=180゜
θ：Conduction Angle 60
０ 50
０ 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 ０ 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
Average On-State Current IT（AV）
（A） Average On-state Current IT（AV）
（A）
平均オン電流 IT（AV） （A） 平均オン電流 IT（AV） （A）
Output Current（W１；Bidirectional connection） Output Current（B2；Two pulse bridge connection）
許容出力電流（W1;逆並列接続） 許容出力電流（B2;単相ブリッジ接続）
75 75

（℃）
（℃）

Interface Thermal Impedance:0.05℃/W per Module Interface Thermal Impedance:0.05℃/W per Module
Conduction Angle θ 180° Conduction Angle θ 180°
（W）

（W）

ID（RMS）
Rth:Heat Sink Thermal Impedance
80 Rth:Heat Sink Thermal Impedance
80
500 1000

Allowable Case Temperature

Allowable Case Temperature

ID（AV）
85 85
Total Power Dissipation

Rth:0.5℃/W
Total Power Dissipation

Rth:0.3℃/W
400 Rth:0.2℃/W 90 800 90
Rth:0.1℃/W 許 Rth:0.5℃/W 許
総 Rth:0.05℃/W 95 容 Rth:0.3℃/W 95 容
損 ケ 総 Rth:0.2℃/W ケ
失 300 100
ー 損 600 Rth:0.1℃/W 100
ー
Rth:0.05℃/W
（W） 105 ス 失 105 ス
200 110 温 （W）400
110
温
度 度
115 （℃） 115 （℃）
100 200
120 120

0 125 0 125
0 100 200 300 −25 0 25 50 75 100 125 0 50 100 150 200 250 300 −25 0 25 50 75 100 125
Output Current（A） Ambient Temperature（℃） Output Current
（A） Ambient Temperature
（℃）
出力電流（A） 周囲温度（℃） 出力電流 （A） 周囲温度 （℃）
Output Current
（B6；Six pulse bridge connection,W3；Three phase bidirectional connection）
許容出力電流（B6；三相ブリッジ接続,W3；三相逆並列接続）
Allowable Case Temperature（℃）

Conduction Angle θ 180° Interface Thermal Impedance:0.05℃/W per Module 75

Total Power Dissipation（W）

Rth:Heat Sink Thermal Impedance

1600 ID（AV） 80
1400 85
W3 許
1200 90 容
ID（RMS）
ケ
B6
Rth:0.5℃/W 95
総 1000 Rth:0.3℃/W
ー
損 Rth:0.2℃/W
Rth:0.1℃/W 100 ス
失 800 Rth:0.05℃/W 温
（W） 105
600 度
110 （℃）
400 115
200 120

0 125
0 100 200 300 400 −25 0 25 50 75 100 125
Output Current（A） Ambient Temperature（℃）
出力電流（A） 周囲温度（℃）