ict = {aNaouLEMe) o Elemests de conech Transistor Bipolaire Objectifs Exploiter la documentation d’un transistor bipolaire afin de le commander en commutation Exploiter la documentation d’un transistor bipolaire afin d’en assurer la polarisation. ‘Comprendre et observer I’importance de la polarisation du transistor sur son fonctionnement en amplificateur. Prét Cours, TD et TP du module GE11 Cours, TD du module EN1 Documents : Documentation du transistor 2N2222A Matériel : ‘Alimentation symétrique Oscilloscope Multimétre numérique Plaque de TP Petit matériel (fournis par les étudiants) : toumevis et pinces Plaque test et cordons Résistances de 10 4 IMQ dans la série E12 Condensateurs. Logiciel LTspice Durée : 3h00 Travail a réaliser : ‘Suivre le texte du TP Compléter le compte rendu de TP, a rendre & la fin du TP Evaluation : Elle tiendra compte : = Ducomportement pendant la séance de TP = Du compte rendu de TP‘TP ENI : Fonctions et composants électroniques élémentaires. |. Transistor en commutation A. Objectif : Assurer et tester la commutation d’un voyant alimenté en 24 V commandé par un signal TLL (0 - 5V). Le voyant (remplacé par une LED pour le TP) pour un éclairage correct nécessite un courant de 10 mA et développe a ses bores une tension de 2 V. B. Méthode : Insérer un transistor entre le voyant et le signal de commande afin d’assurer ’adaptation SV — 24V, conformément au montage ci-dessous. _____ Caleuler les résistances additionnelles pour assurer_ un c fonctionnement du transistor en commutation. ee 2 22K2 Ae we See] I" Be Maske, le tmnt dee D4: Ras VEx Ven Neeeeh Qs. tl-2 -0 ~ 10. a B. io “sh. oprn hunt ln. gebwerion lt 1A. a ¢ Was Meer) Buen (Se Atdn 78, 285K a Tega A0.A0o- Yotseh “th Bac “tank. issued ldots fedacque Cabler un montage de test. Tester le montage en appliquant successivement une tension nulle puis de 5 V. Pour chaque état du systéme relever la tension Veg et le courant Ic. C. Montage : Page - 2Le transistor bipolaire D. Résultats : Pram Vaz@ ; | la LED cert eeuthe om releve Veg s 2h v. T Ter Oa Rex Var 5s la LED, aileus conechemenh, en releve Versa = OW; edo mA. - E. Interprétations/ Conclusion : Ae ae cee reife puted, sos peal concn quae He Rawatsbo. fochinme tiem tn commustehion . En effel jen ashane des 2 élag 2 beg’: Tene Vers Vex 20V. ~ sehue! 2 Tes domA ; Vea eV H+ le tall cleo Asastanees 4F alone: ehalemaut abide’, Il. Transistor en régime linéaire A. Objectif Observer influence de Ia polarisation sur le fonctionnement en amplificateur d’un transistor bipolaire. B. Méthode Choisir un montage amplificateur (émetteur commun). Calculer les composants pour polariser le transistor & peu prés au milieu de la tension dalimentation. Prévoir un composant ajustable afin de pouvoir modifier la polarisation afin de visualiser son influence. ‘Appliquer un signal permettant un fonctionnement linéaire, c'est & dire : ‘© Forme d’onde : sinus * Amplitude : 20 mV * Offset : 5 V * Fréquence : 10 khz Relever le signal de sortie pour différentes polarisations et conclure. Page -3‘TP ENI : Fonctions et composants électroniques élémentaires. C. Montage (Compléter le schéma ci-dessous en faisant apparaitre les différents appareils (GBF, oscilloscope) et leur réglage). CBE > Aoi, = hom, lev" - D. Mesures : Relever des oscillogrammes judicieusement choisis pour permettre de voir Vinfluence de la polarisation. IE: K Bonvteer ieee Rtalmme 25.77 Tae dln snahinéX: suai X: “Send Point M1 : Vepo=...2N... Point M2 : Vopy=..A AW... 5 Teo=...80R A Page -4 77 ee X ch Iose‘lloneapeLe transistor bipolaire S = h, TNE an «3 + EEE HEHEHE BR AA + | IL a : it i ese dala: sensibaln€X. —_—_Sonde :___| Point M3 : Vego~...2V.... 5 Too... Abo Point M4 : Vego~-.. 200003 dao, E. Interprétations : A Paide de la documentation constructeur et du réseau de caractéristiques du transistor, justifier la forme des signaux de sortie. (Placer les différents points M1 4 M4 sur le réseau de caractéristique, ainsi que la droite de charge) posit Hal: dd he Li ped ph lose, orb laa stile le Rega la shia on lect pas fomee, de fomcheamomusl. wool Bina bun he pooch sate poral mmm stl vat AA eo ae £3 de ‘fahuehin, be diynamgare le serie ak meniertam Ae gaunt onl Fin hn momloge | tok Gyn ee A ce lab eta at * Au sigma) de seke calejpaste LV, om ateat Lo cobuambin » be goss’ Latins Me cobs! pt ae Pret sorhie - Page -5‘TP ENI : Fonctions et composants électroniques élémentaires. F. Conclusion Aa xe ddan | damcBlad pratalleils, on. oct pase ta potassiaTion cele imaavibon dock ik chetne la tall sobs guna te rigurt de tohie prise tivcatn. tase ven vopechen ele sahualim, arte Mocoga De plso om Lael da [Bada tlaay fal go coal Aa tatachutshigan ol! aka. Co Pai ene Te mba ale te heals ole hasge Sembee an chair =a pee fe tart mazeinah us Here ile. fake. 4 Page -6Le transistor bipolaire Ill. Montage de polarisation A. Objectifs : Observer la dépendance du point de polarisation d’un transistor en fonction de la température et du gain en courant du transistor. B. Méthode : Pour les 3 montages de polarisation de base : * Calculer les différentes résistances pour avoir le méme point de polarisation (Vev0=9V.lev=10mA) pour Vec=20V et Rc=1kQ. Simuler le point de fonctionnement des 3 montags © En fonction de la température, © De la valeur de B. Les directives de simulation nécessaires sont : op step npn 2n2222(bf) 75 200 C. Schéma de simulation : Compléter les schémas ci-dessous avec les valeurs de résistances calculées. oP. de TEMP -20 505 -STEP npn 2n2222(bf) 75 200 6 Page - 7TP ENI : Fonctions et composants électroniques élémentaires D. Résultats : Collet ici les courbes Vero=f(Température) et Vcro=A(B). (eter) 2} Ve 2c AFC CCC CBC eC ase aBC aC Page - &Le transistor bipolaire E. Interprétations / Conclusions: Discuter sur lallure des courbes. Pour chaque courbe Vcmo=f(Température), calculer AVcpa/AT. Pour chaque courbe Vcro=f(B), calculer AVceoAB. Résumer vos résultats dans un tables et conclure.‘TP ENI : Fonctions et composants électroniques élémentaires. LY. 2N2219A 2N2222A DESCRIPTION The 2N2219A and 2N2222A are silicon planar epitaxial NPN transistors in Jedec TO-39 (for 2N2219A) and in Jedec TO-18 (for 2N2222A) ‘metal case. They are designed for high speed switching application at collector current up to S00mA, and feature useful current gain over a wide range of collector current, tow leakage currents and low saturation voltage. ]2N2219A approved to CECC 5002-100, '2N2222A approved to CECC 5002-101 available on request. HIGH SPEED SWITCHES 3 7 1 S 2 To-48 10.39 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM co (2) a) 3 £6(3) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ‘Symbol Parameter Value Unit Veo [Collector Base Voitage (le = 0) 73 v. Veeo [Cotector Emitter Vottage (le = 0) “0 Vv Veso | Emitter-Base Voltage (le = 0) 6 Vv 1c__ |Catlector Current 08 a Pin [Total Dissipation at Tam 225°C for 2022198 oe w for 2422228 os w 3 w for 222228 | 18 w g_ [Storage Temperature “BE 19 200 * T__[Max. Operating Junction Temperature 175 *c Page - 10Le transistor bipolaire 2N2219A/2N2222A THERMAL DATA Er Thermal Resistance Junction Ambient Mex{ srs seo | ecw ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25 °C unless otherwise specified) Tyenal | pmemenre Test tonaiions ee ‘cao’ |Galector Gutait [Vos = 60V 70 | aa Curent Ve 0) [Ven = 60 Tone = 180% oo Tear [Colecter Cuter! [vee = 60v os [Current (Vee = -3V) Tam |oas0 Cut-et Curent [Vox = 60V 2 (Vee = -3V) Teno Eintiar Cuff Cusont [Veg 33 ae (ic = 0) ‘Vierycao™ |Collector-Base fic = 10 pA 78 v Breakdown Voltage (le = 0) 1 Voonceo: [GolectorEmiter c= 10 mA 7% v Breakdown voltage (ie = 0) Voonceo |Emiter-Base fe= 100A 3 v [Seong oer (le = 0) Veewan” |CollectorEmitter ig = 150 mA os fv [Saturation Voltage ic = 500 mA 1 Vv Bese Emer oe v Tee JDC Current Gain \ i 300 oe 0 ic = 10 mA. Vee. Tamb = -55 °C 35 Tar |Smat Sonal Caves’ ics tma~ Veestov T= iKne] 80 300 ain [Eltoma Veectov teiwhe| 75 378 7 |rvansivon Freawenay [le z0v 300 ar Ceo Emitter Base lc = 0 SV f= 100KHz 25 pF cepactance Ceso[Oollector Base fe=0 Ves = 10V 12 100 Khe oF Cepactance Ramey Rea! Partof input [le =20 ma Vee =20V «| a Impedance I= some * Puased Pulse Guraion = 300s, Gay G75 = 1% Page - 11TCZZNZ AO}SISURD np sonbysiig}oezeo op neasgy Titi? i rit i zg i pitti