BA 243 - BA 244 Silizium-Planar-Dioden Silicon planar diodes Anwendungen: Bereichsumschaltung in VHF-Tunem Applications: Band selector in VHF-tuners Besondere Merkmale: Features: ‘© Niedriger differentielier Durchia3widerstand © Low citferential forward resistance in im VHF-Bereich VHF-range: © Kleine Diodenkapazitat @ Low diode capacitance ‘Abmessungen in mm Dimensions in mm 0 xatH00E p19 5088 | “CaTaone Normgehause Case 54A2 DIN 41880 JEDEC DO 35 Gewicht « Weight max. 0159 Absolute Grenzdaten Absolute maximum ratings Sperrspannung Up 20 v Reverse voltage DurchiaBstrom Te 100 mA Forward current Sperrschichttemperatur 4 160 °c Junction temperature Lagerungstemperaturbereich tata -86..+150 °c Storage temperature range Wérmewiderstand Min. Typ. Max. Thermal resistance ‘Sperrschicht-Umgebung Rinsa 350 °C/W Junction ambient powa.s7ioera asBA 243 - BA 244 Min. Typ, Max. Durchlafspannung Forward voltage Ip = 100mA Ur 1 ov Sperrstrom Reverse current Ug = 15V TR 100 nA Diodenkapazitat Diode capacitance Up = 18V, f= 100MHz op 132 opF Serieninduktivitat Ls 28 nH Series inductance Differentialor DurchiaBwiderstand Differential forward resistance Ig = 40mA, f= 200MHz BA 243 " o7 1 9 BA 244 " 04 05 88