Mach-Dien-Tu Dang-Ngoc-Hanh MDT c2 BJT PDF - (Cuuduongthancong - Com)

11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.
HCM 1
MẠCH ĐIỆN TỬ
Chương 2.
Transistor 2 lớp tiếp giáp - BJT
CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt
11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM 2
Nội dung
• Giới thiệu
• Dòng chảy trong BJT
• Phân cực BJT
• Giải tích mạch BJT bằng đồ thị
• Sơ đồ tương đương thông số H-chế độ tín hiệu nhỏ
• Phân tích mạch khuếch đại dùng BJT
• Mạch khuếch đại E chung
• Mạch khuếch đại B chung
• Mạch khuếch đại C chung
Giới thiệu
• 1948: Transistor đầu tiên (Bell Lab)
• Các loại transistor (TST): BJT, FET
• BJT: Bipolar Junction Transistor: Transistor hai lớp tiếp giáp
• Cấu tạo: 2 lớp tiếp xúc p-n ghép đối đầu nhau
• Phân loại: pnp & npn
• Ký hiệu: 3 cực B, C & E
• Hoạt động phân cực: tắt, bão hòa, dẫn khuếch đại & đảo
Hình dạng
BJT trong
thực tế
Dòng chảy trong BJT

• Với BJT-npn:
Có các dòng
khuếch tán,
dòng lỗ trống
dòng ngược.
• Với BJT-pnp:
Dòng chảy trong BJT

• Vùng khuếch đại:
• EB: Phân cực thuận
• CB: Phân cực nghịch
I C  I E  I CBO
I E  I B  IC
 I B  (1   ) I E  I CBO
1    I CBO
IB    C
I 
   

Đặt   hệ số khuếch đại dòng
1
Lưu ý: cấu hình B chung (CB – common Base Configuration)
Mối nối Emitter – Base (EB)

• Xem mối nối EB như một Diode phân cực thuận hoạt động
độc lập (iD = iE; vD = vEB)
• DCLL và đặc tuyến EB
1 V EE
i E   v EB 
Re Re
• Mạch tương đương đơn giản

vE = VEBQ = V
(0.7V: Silicon; 0.2V: Germanium)
rd = 0
V EE  V EBQ
I EQ 
Re
Mối nối Collector – Base (CB)

• Từ quan hệ: I C  I E  I CBO
 mạch tương đương của mối nối CB
E IE IC C E IE IC C
VEBQ
IE ICBO VEBQ IE
Diode lyù
töôûng
IB IB
B B
Mối nối CB
Ví dụ 1: Cho mạch điện như hình vẽ:   1, ICBO  0; VEE = 2V;
Re = 1k; VCC = 50V; Rc = 20k; vi = 1sint. Tính iE và vCB.
Re E C
VEE  vi  VEBQ
1 3
B
Rc iE   1.3  1.0 sin t (mA)
2
vi VEE VCC
Re
vCB  VCC  Rc iC  VCC  Rc i E
iE E C iC
VEE  VEBQ Rc
Re Rc
vCB  VCC  Rc  vi
VEBQ
Re Re
vi
C
B
vCB  24  20 sin t (V)
VEE VCC
Hệ số khuếch đại tín hiệu xoay chiều:
Av = 20
Khuếch đại dòng trong BJT

Quan hệ giữa iC và iB (bỏ qua ICBO): iC    iB 
với  
1
Hệ số khuếch đại tín hiệu nhỏ
iC    iB    iB
Suy ra: iC     iB  h fe

iB iB
Xem gần đúng: h fe    hFE

Lưu ý:  của các TST cùng loại có thể thay đổi theo từng TST.
Khuếch đại dòng trong BJT

Ví dụ 2: Cho mạch điện như hình vẽ. Xác định hệ số khuếch đại
dòng tín hiệu nhỏ.
Cấu hình E chung (CE – Common Emitter configuration)
Transistor npn
VBB  vi  VBEQ
iB C
iC  Ngõ vào: i B   I BQ  ib
2
1
Rc Rb
B 3
Rb E VBB  VBEQ vi
Với I BQ  và ib 
vi Rb Rb
VCC
VBB
 Ngõ ra: iC    iB    ( I BQ  ib )  I CQ  ic
Hệ số khuếch đại dòng tín hiệu nhỏ

ic
Ai  
ib
Đặc tuyến VA ngõ ra, cấu hình E chung
• Vùng bão hòa:

vCE  VCEsat
Quan hệ giữa iC và iB là không
tuyến tính
• Vùng chủ động:
VCEsat  vCE  βVCEO
Quan hệ tuyến tính:

iC    i B  I CBO

Giới hạn dòng:
IC-cutoff  iC  ICmax
Đặc tuyến VA ngõ ra, cấu hình E chung

Ví dụ 3: VCC = 10V, Rb = 10K, Rc = 1K.
TST:  = 100, VBE = 0.7V, VCEsat=0.1V.
Tìm điều kiện làm việc (IC và VCE) của TST khi:
a) VBB = 1.5V b) VBB = 10.7V
; V  V BE
I B  BB VCE  VCC  I C Rc
Rb 3 Rb
2
1 Rc a) IB = 0.08mA; IC = IB = 8mA
 VCE = 2V: TST hoạt động trong vùng tích cực.
VBB b) IB = 1mA; Giả sử IC = IB = 100mA
VCC
 VCE = -90 !!!
TST hoạt động trong vùng bão hòa:
VCE = VCEsat = 0.1
VCC  VCE 10  0.1
IC    9.9mA
Rc 1K
Đặc tuyến VA ngõ ra, cấu hình E chung (cont)
• Mạch tương đương
ic
1 C
hfeib +
R0 vce
_
1
Mạch phân cực
• 2 nguồn đơn/1 nguồn đôi
• 1 nguồn đơn
• Ổn định phân cực
• β thay đổi  điện trở
• Nguồn phân cực thay đổi  diode Zener
• Vγ thay đổi  diode
Mạch phân cực
Dùng 2 nguồn đơn:
Mối nối B-E:
VBB  RB I B  V
VBB  V
 IB 
RB
VBB  V
 I E  IC   I B   0
RB V
do đó điều kiện VBB  V
Tiếp xúc pnp phân cực thuận,
với mặc định V=0.7V
Mạch phân cực
Mối nối B-C
• Điều kiện để tiếp xúc B-C phân cực ngược
VCB  VC  VB   RC I C  VCC  V
 VCC  RC I C  V BE  V CB
• Có thể kiểm tra theo VCE
VCE  VC  VE  VCC  RC I C  VCEsat
Mạch phân cực
Ví dụ: cho VBB  2V RB  10k 
VCC  12V
  100
Tìm Rc để mạch phân cực đúng
Giải:
VBB  V 2  0.7
IC    100.  13mA
RB 10k
RC I C  VCC  VCEsat
VCC 12
RC    1k 
I C 3m
Mạch phân cực
Dùng 1 nguồn đôi:
• Tại mối nối B-E: V  RE I E  VEE  0
VEE  V
 IE  0
RE
 VEE  V
• Tại mối nối B-C (phân cực ngược)

V
Ta kiểm tra theo điều kiện VCE
VCE  VC  VE  VCC  RC I C  ( RE I E  VEE )
 VCC  VEE  I C ( RC  RE )  VCEsat
Mạch phân cực
Dùng 1 nguồn đơn: dùng biến đổi Thevenin

V
2.2 Mạch phân cực
Trong đó: RB  R1/ / R2  R1.R 2
R1  R2
R2
VBB  VCC
R1  R 2
Mạch tương tự với trường hợp 2 nguồn

VBB  V
I E  IC   I B   0
RB
VCE  VC  VE  VCC  RC I C  VCEsat
Mạch phân cực
Ổn định phân cực:
Trường hợp  thay đổi: thêm RE
Đối với mạch:
VBB  V
IC   I B  
RB
Mạch hoạt động không ổn định
do I C phụ thuộc chủ yếu vào 
 Mắc thêm điện trở RE
Mạch phân cực
Mạch phân cực
Mong muốn I C   thì
 RB
 RE  10 
Gần đúng: 
 1
 RB  10  RE
Mạch phân cực
Nguồn phân cực thay đổi:
Mắc thêm diode zener
Mạch phân cực
V thay đổi: mắc thêm diode
Diode dùng ổn định mối nối B-E
Giải tích mạch BJT bằng đồ thị

Mạng phân cực (Mạch tương đương Thevenin):
R1
R2 RL
V BB  VCC
R1  R2
1
R1 R2
Rb 
2 VCC
ii
3
R1  R2
R1 Re
Thiết kế:
Rb
RL
R1 
1  V BB / VCC
1
R2 2 VCC
V
R2  Rb CC
1
VCC Rb Rb
1
V BB
Re
R1
VBB VBB

• Hoạt động của mạch khuếch đại (DC)
• Ngõ ra: VCC  vCE  iC RL  i E Re
• Với iC = iE  iE, suy ra:VCC  vCE  iC ( RL  Re ) :DCLL
• Ngõ vào: VBB  i B Rb  v BE  i E Re

V BB  v BE V BB  v BE
• Bỏ qua ICBO: iB = (1-)iE, suy ra: i E  
Re  (1   ) Rb 1
Re  Rb
1 
• Để loại bỏ sự thay đổi của iE do  thay đổi, chọn Re >> Rb/(1+).
• Điểm tĩnh Q (ICQ, VCEQ):
VBB  VBEQ  RL 
I CQ  I EQ  VCEQ  VCC  (VBB  0.7)1  
Re  Re 

• Tín hiệu nhỏ:
ic  iC  I CQ
v ce  vCE  VCEQ
• Quan hệ pha:
ib tăng, ic, ie tăng, vce giảm
Điều kiện để iC có thể dao động cực đại (max swing):

(Giả sử VCEsat = 0 và IC-cutoff = 0)
 VCEQ  VCEsat 
VCC / 2 I CMms  min  I CQ , 
I CQ  VCEQ  VCC / 2  R 
R L  Re AC
VCEMms  min VCEQ  VCEsat , RAC .I CQ 


Ví dụ 4: Tìm Q để có max swing
1 +9V
DCLL: 9  VCEQ  I CQ (1000  200)
R2 RL
VCC / 2
1k
Max swing: I CEQ   3.75mA
 = 100 RL  Re
VCEQ = VCC / 2 = 4.5 V

R1 Re
200

Ví dụ 5: Tìm R1 và R2 trong ví dụ 4 để đạt được Max Swing
VBQ = VBE + VEQ = VBE + IEQ  Re  VBE + ICQ  Re

1
+9V 1
Chọn Re >> Rb/(1+), thường chọn: Rb  Re (1   )
RL 10
1k
Rb
VBB = VRb + VBQ = IBQRb + VBQ  (ICQ/)(0.1Re) + VBE + ICQRe
 = 100
VBB = VBE + ICQ(1.1Re) = 0.7 + (3.75E-3)(1.1)(200) = 1.525 V
Re
200
Suy ra: Rb
VBB
R1  = 2.4K
1  V BB / VCC
VCC
R2  Rb = 11.8K
V BB
Tụ Bypass vô hạn
Re: + Tạo dòng phân cực ICQ và tăng độ ổn định phân cực.
_ Giảm hiệu suất;
_ Giảm hệ số khuếch đại đối với tín hiệu nhỏ xoay chiều.
Sử dụng tụ bypass
Giả sử Ce, đối với tín hiệu xoay chiều: ZC = 1/(jC)  0
DCLL: RDC  RL  Re
RL
iC
1 VCC
iB IC   VCE 
VCC RDC RDC
ii iE
ACLL: v ce   RL ic
Rb
Re
Ce
Rac  RL
VBB
1
 ic   v ce (Gốc tọa độ Q)
Rac
11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.HCM
Tụ Bypass vô hạn
RDC  RL  Re 1 VCC 32
RL DCLL: IC   VCE 
Rac  RL i iC RDC RDC
B
VCC
iE
ii Rb ACLL: v ce   RL ic
Re
1
Ce
 ic   v ce (Gốc tọa độ Q)
VBB
Rac
Max Swing: Q trung điểm ACLL
 VCEQ  I CQ Rac
Thay vào DCLL:

I CQ  
1
 
I CQ Rac 
VCC
RDC RDC
VCC VCC
 CQ
I  VCEQ 
R DC  Rac 1  R DC / Rac
Tụ ghép (coupling capacitor) vô hạn

Tụ ghép: Ngăn dòng DC qua tải.
VCC
DCLL: RDC = Re + Rc
1
ACLL: Rac = Rc // RL Rc
Cc
VCC iB iC
Max Swing: I CQ  iL
R DC  Rac
ii iE
VCC Rb RL
VCEQ 
1  R DC / Rac VBB
Re Ce
Rc
Dòng qua tải (AC): i L  ic
R L  Rc
Mạch Emitter Follower

VCC
VCC
R2
vB = vBE + vE
Cb
Cb
Xem vBE  VBE = 0.7
vi Rb
vi = vb  ve: “Follower”
Re
vi
R1 Re
VBB
a) Mạch Emitter Follower b) Mạch tương đương

VCC
Cb DCLL: RDC = Re
vi Rb
Ce ACLL: Rac = Re // RL
Re RL
VBB
c) Mạch Emitter Follower với tải AC

Mở rộng - Mạch phân cực Base – Injection

• Xét mạch Emitter Follower với phân cực Base–Injection sau:
VCC
Tính toán mạch phân cực:
R2 Ngõ vào: VCC = VR2 + VBEQ + Vre
VCC  R2(ICQ/) + VBEQ + ReICQ
VCC  V BEQ
Cb
I CQ 
Ce
R e  R2 / 
vi
Re
RL
Ngõ ra: VCEQ = VCC - ReICQ
Thiết kế mạch phân cực:

Chọn điểm tĩnh Q
VCC  VBEQ  Re I CQ
Tính R2 
I CQ / 
Mở rộng
• Nguồn của mạch khuếch đại
• Có thể thay đổi điện áp nguồn cung cấp cho mạch khuếch đại để thay
đổi mức DC của ngõ ra (Vẫn bảo đảm TST phân cực đúng).
Ví dụ 6: Xét mạch CE sau
DCLL: RDC = Rc + Re
VCC  VEE
+VCC
1
IC   VCE 
R2 Rc RDC RDC
Cb ACLL: Rac = Rc + Re
vo Với tín hiệu ac, các nguồn một chiều (VCC, VEE)
ngắn mạch: Phân tích như các phần trước.
vi
R1 Re
Ví dụ: Chọn RCICQ = VCC

Mức DC ngõ ra: v0-DC = 0 (Không cần dùng tụ
-VEE
coupling ngõ ra)
MẠCH ĐIỆN TỬ
Phân tích & Thiết kế
mạch tín hiệu nhỏ tần số thấp
Chế độ tín hiệu nhỏ

• Mô hình tương đương mạng 2 cửa dạng hybrid
• Mô hình tương đương E chung
• Mô hình tương đương B chung
• Phân tích mạch chế độ tín hiệu nhỏ
• Mạch CE
• Mạch CB
• Mạch CC
• Kỹ thuật phản ánh trong BJT: bảo toàn áp
• Mô hình tương đương mạch khuếch đại
Mạng 2 cửa
• Mạng 2 cửa : v1, i1, v2, i2
• Các thông số đặc trưng : Trở kháng (impedance), dẫn nạp
(addmittance ), hybrid …
• Các thông số hybrid :
• v1 = h11i1 + h12v2
• v2 = h21i1 + h22v2
Các thông số Hybrid
v1  hi i1  hr v2
• Với TST :
v2  h f i1  ho v2
• Định nghĩa:
v1
• hi  v 0 Trở kháng ngõ vào khi ngắn mạch ngõ ra.
i1 2
v
• hr  1 i1 0 Độ lợi áp ngược (reverse voltage gain) khi hở mạch ngõ vào.
v2
i2
• hf  v2  0 Độ lợi dòng thuận (forward current gain) khi ngắn mạch ngõ ra.
i1
i2
h
• o  i1  0 Dẫn nạp ngõ ra khi hở mạch ngõ vào.
v2
Lưu ý: v1, i1, v2, i2, là các đại lượng tín hiệu nhỏ
-Các thông số hybrid h phụ thuộc vào tĩnh điểm Q của TST
-Các thông số hybrid h cho các cấu hình khác nhau (CE, CB, CC) được ký hiệu bằng
cách thêm vào các chỉ số thích hợp (e, b, c).
Ví dụ: hfe là hf cho cấu hình CE, …
Mạch khuếch đại E chung

• Mạng 2 cửa: 4 chân ( 4 cực ).
• BJT : 3 chân
 1 chân dùng chung cho 2 cửa
• Mô hình tương đương E chung
25mV
hie   (  rd )
I CQ
h fe  
hre  0
hoe  0

Sử dụng nguyên lý xếp chồng
(Superposition):
•DC: Chương 2
•AC: Tín hiệu nhỏ: Biến đổi mạch
tương đương
Xác định các hệ số hybrid cho cấu hình CE:

1.Độ lợi điện áp ngược hre :
Thường rất nhỏ, bỏ qua.
1.Dẫn nạp ngõ ra hoe: Hệ số góc của đặc tuyến (iC,vCE) tại Q.
ic i
hoe   C
v ce ib  0 i B Q
Thường hoe  10- 4 S, và (1/hoe) // RL ( 1  2K)  Bỏ qua hoe.


Mạch tương đương của TST:
3. Độ lợi dòng thuận hfe :

ic i
h fe   C  hFE  
ib Q i B Q
4. Trở kháng ngõ vào hie :
vbe v v V
hie   BE  h fe BE  mh fe T
ib Q i B Q i E Q I CQ

Ví dụ 1: Cho mạch sau, giả sử hfe = hFE = 50. Xác định:
a. Tĩnh điểm Q
b. Mạch tương đương tín hiệu nhỏ, giả sử
bỏ qua hoe và hre
c. Độ lợi dòng Ai = iL / ii
d. Trở kháng ngõ vào nhìn từ nguồn dòng
e. Trở kháng ngõ ra nhìn từ tải 1K
a. Tĩnh điểm Q:
10 10  50
VBB  24  4V Rb  = 8.3K
10  50 10  50
VBB  VBE VBB  VBE 4  .7
I CQ    = 1.5mA;
Re  Rb /  Re 2.2
VCEQ  VCC  ( Rc  Re ) I CQ = 15V


b) Mạch tương đương tín hiệu nhỏ:
25mV 25
hie  h fe  50 = 833
I CQ 1.5
Bỏ qua hoe và hre
i L i L ib
c) Độ lợi dòng Ai: Ai  
ii ib ii
iL Rc ib ( Rb // ri )
 ( 50) = - 39.6;  = 0.85  Ai = (0.85)(-39.6) = -34
ib Rc  R L ii ( Rb // ri )  hie
d) Trở kháng ngõ vào:
Z i  ri // Rb // hie = 700
e) Trở kháng ngõ ra: Zo = RC = 3.8K


Ví dụ 2: Tìm độ lợi dòng của mạch khuếch đại trong ví dụ 1,
giả sử: hre = 10-4 và h0e = 10-4 mho
Mạch tương đương:
Ngõ ra:
[(1 / hoe ) // Rc ]
i L  h fe ib = - 36.7 ib
[(1 / hoe ) // Rc ]  RL
 vce = RliL = - 36.7103  ib
Sử dụng KVL ngõ vào: vb = 830ib + 10-4 vce = (830 – 3.67)ib  830ib
Nhận xét 1: Ảnh hưởng của hre là không đáng kể

Sử dụng KCL ngõ vào:
 1 1   1 1 
ii  vb     ib  830ib     ib  1.183ib
 10 K 8.3K   10000 8300 
i L i L ib
Suy ra: Ai    ( 36.7)(1 / 1.183)  -31
ii ib ii
Nhận xét 2: So sánh với ví dụ 1 (Ai = -34), ảnh hưởng của hoe lên Ai là
không đáng kể.
Mạch khuếch đại B chung
Các thông số hybrid:

veb = hib(-ie) + hrbvcb
ic = hfbie + hoevcb
Lưu ý: Chiều qui ước

của ie, ic.
Xác định các thông số hybrid: Dùng mạch tương đương CE
 v eb
ie  ib  ic  (1  h fe )ib  (1  h fe )
hie

v eb v eb h V
Trở kháng ngõ vào hib: hib    ie  T
ii  ie v cb  0 h fe  1 I EQ
Độ lợi điện áp ngược hrb : hrb  10 –4 : Thường bỏ qua.
ic h fe
Độ lợi dòng thuận hfb : h fb  
ie v cb  0 h fe  1
Dẫn nạp ngõ ra hob : Sử dụng mạch tương đương CE có hoe:
Từ mạch CE: ic = - ib; ihoe = (hfe +1)ib
 vcb = vce + veb = (-ib)(hfe + 1)(1/hoe) + (-ib)(hie)
 vcb  (-ib)(hfe + 1)(1/hoe) = (ic)(hfe + 1)(1/hoe)
ic h
 Theo định nghĩa: hob   oe
vcb ie  0 1  h fe
Nhận xét: i) hrb và hob thường rất nhỏ: Bỏ qua

ii) Các thông số hybrid CB (hib, hfb, hob) có được bằng cách lấy các thông số
CE tương ứng chia cho (1+hfe)

Ví dụ 3:
a) Xác định các thông số CB của ví dụ 1, cho 1/hoe = 10K.
b) TST trên được sử dụng trong cấu hình CB với ri = 100; RL = 5K. Xác
định độ lợi dòng Ai ; áp Av , trở kháng vào Zi; ra Zo
Từ ví dụ 1: hfe = 50; hie = 0.83K; hoe = 10 –4 mho; hre = 0. Suy ra:

h fe hie h
h fb   0.98 ; hib  = 16; hob  oe = 210-6; hrb = 0.
1  h fe 1  h fe 1  h fe
Mạch tương đương:
iL 500  100 
Ai   ( 0.98)   
ii 500  5  100  16 
= 0.83
Av 
v L RL i L
 Zi = 16
= 41.5
vi ri ii Z0 = 500K
Mạch khuếch đại C chung

• Tính chất:
• Độ lợi áp Av  1
• Trở kháng ngõ vào lớn, trở kháng ngõ ra nhỏ: Impedance transformer
• Phân tích:
• Mạch tương đương dùng thông số hybrid cấu hình CC.
• Biến đổi tương đương sử dụng thông số hybrid cấu hình CE.
Thay TST bằng mạch tương đương cấu hình CE:

Thay TST bằng mạch tương đương cấu hình CE:
Nhìn từ cực B:
vb = vbe + ieRe. Do vbe = ibhie và ieRe = (hfe + 1)ibRe

 vb  ib hie  ib (h fe  1) Re   Mạch tương đương (chuẩn ib)
v    Rb //hie  (1  h fe ) Re  
(1  h fe ) Re
 Av  e  
vi h
 ie  (1  h ) R

r
fe e   i  Rb //hie  (1  h ) R
fe e  
vaø Z i  hie  (h fe  1) Re

• Nhìn từ cực E:
• Biến đổi Thevenin ngõ vào: Thay TST bằng mạch tương đương CE:
• KVL: vi,  ri,ib  vbe  v e

ie ie
• Do ib  và vbe  hie ib  hie  hib ie
h fe  1 h fe  1
 ri  ,
 vi   ie  hib ie  v e
,
h  1 
 fe 
 Mạch tương đương (chuẩn ie)
ri,
 Z o  hib 
h fe  1

• Phản ánh trở kháng:
• Phản ánh từ Emitter  Base (chuẩn ib)
• Dòng / (hfe + 1) (Ví dụ: ie  ie/(hfe + 1))
• Trở kháng  (hfe + 1) (Ví dụ: Re  Re(hfe + 1))
• Áp: Không đổi (Ví du: ve  ve)
• Phản ánh từ Base  Emitter (chuẩn ie)
• Dòng  (hfe + 1) (Ví dụ: ib  ib(hfe + 1))
• Trở kháng / (hfe + 1) (Ví dụ: r’i  r’i / (hfe + 1))
• Áp: Không đổi

Ví dụ 4: Phân tích mạch sau dùng phản ánh trở kháng
•Biến đổi mạch tương đương:
Rc ri,
Ai  h fe
Rc  R L ri,  hie  ( h fe  1) Re 

Ví dụ 5: Tính v1 và v2 của mạch đảo pha (phase inverter) sau:
Phản ánh trở kháng cực E lên mạch cực B  Mạch tương đương (b)
Rb Re ( h fe  1) v1
 v1  vi Dòng ie : ie 
Rb  ri ( ri // Rb )  hie  Re ( h fe  1) Re
v Rc
 ic  h fbie  h fb 1 Ngõ ra cực C: v 2  ic Rc  h fb v1
Re Re
Nếu chọn hfbRc ( Rc) = Re  v2 = - v1 : Đảo pha.

Mach-Dien-Tu Dang-Ngoc-Hanh MDT c2 BJT PDF - (Cuuduongthancong - Com)

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Mach-Dien-Tu Dang-Ngoc-Hanh MDT c2 BJT PDF - (Cuuduongthancong - Com)

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

11/2/2012 Khoa Điện – Điện tử - ĐHBK Tp.

Dòng chảy trong BJT

Dòng chảy trong BJT

Mối nối Emitter – Base (EB)

• Mạch tương đương đơn giản

Mối nối Collector – Base (CB)

Khuếch đại dòng trong BJT

Suy ra: iC     iB  h fe

Xem gần đúng: h fe    hFE

Khuếch đại dòng trong BJT

Hệ số khuếch đại dòng tín hiệu nhỏ

Đặc tuyến VA ngõ ra, cấu hình E chung

• Vùng bão hòa:

Đặc tuyến VA ngõ ra, cấu hình E chung

Đặc tuyến VA ngõ ra, cấu hình E chung (cont)

• Mạch tương đương

• Có thể kiểm tra theo VCE

VCE  VC  VE  VCC  RC I C  VCEsat

• Tại mối nối B-C (phân cực ngược)

Mạch tương tự với trường hợp 2 nguồn

Mong muốn I C   thì

Mắc thêm diode zener

Diode dùng ổn định mối nối B-E

Giải tích mạch BJT bằng đồ thị

Giải tích mạch BJT bằng đồ thị

• Ngõ vào: VBB  i B Rb  v BE  i E Re

Giải tích mạch BJT bằng đồ thị

Điều kiện để iC có thể dao động cực đại (max swing):

VCEMms  min VCEQ  VCEsat , RAC .I CQ 

Giải tích mạch BJT bằng đồ thị

VCEQ = VCC / 2 = 4.5 V

Giải tích mạch BJT bằng đồ thị

VBQ = VBE + VEQ = VBE + IEQ  Re  VBE + ICQ  Re

Max Swing: Q trung điểm ACLL

Thay vào DCLL:

Tụ ghép (coupling capacitor) vô hạn

Mạch Emitter Follower

a) Mạch Emitter Follower b) Mạch tương đương

c) Mạch Emitter Follower với tải AC

Mở rộng - Mạch phân cực Base – Injection

Thiết kế mạch phân cực:

Ví dụ: Chọn RCICQ = VCC

Chế độ tín hiệu nhỏ

Mạch khuếch đại E chung

• Mô hình tương đương E chung

Mạch khuếch đại E chung

Xác định các hệ số hybrid cho cấu hình CE:

Thường hoe  10- 4 S, và (1/hoe) // RL ( 1  2K)  Bỏ qua hoe.

Mạch khuếch đại E chung

3. Độ lợi dòng thuận hfe :

Mạch khuếch đại E chung

VCEQ  VCC  ( Rc  Re ) I CQ = 15V

Mạch khuếch đại E chung

Bỏ qua hoe và hre

e) Trở kháng ngõ ra: Zo = RC = 3.8K

Mạch khuếch đại E chung

Mạch khuếch đại E chung

Mạch khuếch đại B chung

Các thông số hybrid:

Lưu ý: Chiều qui ước

Xác định các thông số hybrid: Dùng mạch tương đương CE

Mạch khuếch đại B chung

Nhận xét: i) hrb và hob thường rất nhỏ: Bỏ qua