ĐỀ CƯƠNG CUỐI KÌ NHẬP MÔN VI CƠ ĐIỆN TỬ

1. Vật liệu bán dẫn là gì? Bán dẫn Si? Pha tạp Si bằng nhóm 3 và 5?
Chất bán dẫn (tiếng Anh: Semiconductor) là chất có độ dẫn điện ở mức trung
gian giữa chất dẫn điện và chất cách điện. Chất bán dẫn hoạt động như một chất cách
điện ở nhiệt độ thấp và có tính dẫn điện ở nhiệt độ phòng. Gọi là "bán dẫn" (chữ "bán"
theo nghĩa Hán Việt có nghĩa là một nửa), vì chất này có thể dẫn điện ở một điều kiện
nào đó, hoặc ở một điều kiện khác sẽ không dẫn điện. Tính bán dẫn có thể thay đổi khi
có tạp chất, những tạp chất khác nhau có thể tạo tính bán dẫn khác nhau. Trường hợp
hai chất bán dẫn khác nhau được gắn với nhau, nó tạo ra một lớp tiếp xúc.
Bán dẫn Si là bán dẫn được tạo ra từ nguyên tố Silic, thuộc nhóm IVA trong
bảng tuần hoàn. Mỗi nguyên tử Si có 4 electron ở lớp ngoài cùng liên kết các nguyên
tử Si khác tạo nên chất bán dẫn trung hòa về điện ở điều kiện nhiệt độ thấp

Pha tạp Si: Một tinh thể silicon pha tạp boron (nhóm 3) tạo ra chất bán dẫn loại
P; trong khi người ta pha tạp photpho (nhóm 5) tạo ra vật liệu loại N.

2. Bán dẫn loại n –type, p-type? Phân biệt 2 loại bán dẫn và cơ chế dẫn điện
trong 2 loại bán dẫn
Chất bán dẫn loại P:
Chất bán dẫn loại P (hay dùng nghĩa tiếng Việt là bán dẫn dương) có tạp chất là
các nguyên tố thuộc nhóm III, dẫn điện chủ yếu bằng các lỗ trống (viết tắt cho chữ
tiếng Anh positive’, nghĩa là dương). Khi ta pha thêm một lượng nhỏ chất có hoá trị 3
như Indium (In) vào chất bán dẫn Si  thì 1  nguyên tử Indium sẽ liên kết với 4 nguyên
tử Si theo liên kết cộng hoá trị và liên kết bị thiếu một điện tử => trở thành lỗ trống
(mang điện dương)  và được gọi là chất bán dẫn P.
 Chất bán dẫn loại N:
Chất bán dẫn loại N (bán dẫn âm – Negative) có tạp chất là các nguyên tố thuộc
nhóm V, các nguyên tử này dùng 4 electron tạo liên kết và một electron lớp ngoài liên
kết lỏng lẻo với nhân, đấy chính là các electron dẫn chính. Khi ta pha một lượng nhỏ
chất có hoá trị 5 như Photpho (P) vào chất bán dẫn Si thì một nguyên tử P liên kết với
4 nguyên tử Si theo liên kết cộng hoá trị, nguyên tử Photpho chỉ có 4 điện tử tham gia
liên kết và còn dư một điện tử và trở thành điện tử tự do => Chất bán dẫn lúc này trở
thành thừa điện tử ( mang điện âm) và được gọi là bán dẫn N (Negative: âm ).
3. Band Diagram? Ev, Ec, Eg? Khác với cấu trúc vùng năng lượng trong kim
loại như thế nào? Giải thích tính dẫn điện của bán dẫn và kim loại khác nhau dựa
trên vùng năng lượng đó
Tính chất dẫn điện của các vật liệu rắn được giải thích nhờ lý thuyết vùng năng
lượng. Như ta biết, điện tử tồn tại trong nguyên tử trên những mức năng lượng gián
đoạn (các trạng thái dừng). Nhưng trong chất rắn, khi mà các nguyên tử kết hợp lại với
nhau thành các khối, thì các mức năng lượng này bị phủ lên nhau, và trở thành các
vùng năng lượng và sẽ có ba vùng chính.

Cấu trúc năng lượng của điện tử trong mạng nguyên tử của chất bán dẫn. Vùng
hóa trị được lấp đầy, trong khi vùng dẫn trống.
Mức năng lượng Fermi nằm ở vùng trống năng lượng.
Vùng hóa trị (Valence band): Là vùng có năng lượng thấp nhất theo thang năng
lượng, là vùng mà điện tử bị liên kết mạnh với nguyên tử và không linh động.
Vùng dẫn (Conduction band): Vùng có mức năng lượng cao nhất, là vùng mà
điện tử sẽ linh động (như các điện tử tự do) và điện tử ở vùng này sẽ là điện tử dẫn, có
nghĩa là chất sẽ có khả năng dẫn điện khi có điện tử tồn tại trên vùng dẫn. Tính dẫn
điện
tăng khi mật độ điện tử trên vùng dẫn tăng.
Vùng cấm (Forbidden band): Là vùng nằm giữa vùng hóa trị và vùng dẫn,
không có mức năng lượng nào do đó điện tử không thể tồn tại trên vùng cấm. Nếu bán
dẫn pha tạp, có thể xuất hiện các mức năng lượng trong vùng cấm (mức pha tạp).
Khoảng cách giữa đáy vùng dẫn và đỉnh vùng hóa trị gọi là độ rộng vùng cấm, hay
năng lượng vùng cấm (Band Gap). Tùy theo độ rộng vùng cấm lớn hay nhỏ mà chất có
thể là dẫn điện hoặc không dẫn điện.
 Như vậy, tính dẫn điện của các chất rắn và tính chất của chất bán dẫn có thể lý
giải một cách đơn giản nhờ lý thuyết vùng năng lượng như sau:
+ Kim loại có vùng dẫn và vùng hóa trị phủ lên nhau (không có vùng cấm) do
đó luôn luôn có điện tử trên vùng dẫn vì thế mà kim loại luôn luôn dẫn điện.
+ Các chất bán dẫn có vùng cấm có một độ rộng xác định. Ở không độ tuyệt đối
(0 ⁰K), mức Fermi nằm giữa vùng cấm, có nghĩa là tất cả các điện tử tồn tại ở vùng
hóa trị, do đó chất bán dẫn không dẫn điện. Khi tăng dần nhiệt độ, các điện tử sẽ nhận
được năng lượng nhiệt (kB.T với kB là hằng số Boltzmann) nhưng năng lượng này
chưa đủ để điện tử vượt qua vùng cấm nên điện tử vẫn ở vùng hóa trị. Khi tăng nhiệt
độ đến mức đủ cao, sẽ có một số điện tử nhận được năng lượng lớn hơn năng lượng
vùng cấm và nó sẽ nhảy lên vùng dẫn và chất rắn trở thành dẫn điện.
+ Khi nhiệt độ càng tăng lên, mật độ điện tử trên vùng dẫn sẽ càng tăng lên, do
đó, tính dẫn điện của chất bán dẫn tăng dần theo nhiệt độ (hay điện trở suất giảm dần
theo nhiệt độ). Một cách gần đúng, có thể viết sự phụ thuộc của điện trở chất bán dẫn
vào nhiệt độ như sau:

với: R0 là hằng số, ΔEg là độ rộng vùng cấm.

Ngoài ra, tính dẫn của chất bán dẫn có thể thay đổi nhờ các kích thích năng lượng
khác, ví dụ như ánh sáng. Khi chiếu sáng, các điện tử sẽ hấp thu năng lượng từ photon,
và có thể nhảy lên vùng dẫn nếu năng lượng đủ lớn. Đây chính là nguyên nhân dẫn
đến sự thay đổi về tính chất của chất bán dẫn dưới tác dụng của ánh sáng (quang bán
dẫn).
4. Hàm phân bố fermi?
5.
 5. Hai công thức tính nồng độ điện tử lổ trống sử dụng nồng độ hạt tải riêng?

Hai công thức tính nồng độ điện tử lổ trống sử dụng nồng độ hạt tải riêng có
nhiều ưu điểm hơn khi nghiên cứu bản chất vật lý của các loại kịnh án dẫn.
- Khi EF nâng lên phía trên Ei, thì nồng độ điện tử sẽ tăng theo hàm mủ và nồng độ lổ
trống giảm theo hàm mủ.

6. Junction Diode? V-A Charateristic?

Diode bán dẫn (gọi tắt là diode) là một loại linh kiện bán dẫn chỉ cho phép dòng
điện đi qua nó theo một chiều mà không theo chiều ngược lại. Chúng đều có nguyên lý
cấu tạo chung là một khối bán dẫn loại P ghép với một khối bán dẫn loại N và được
nối với 2 chân ra là anode và cathode.
Khối bán dẫn loại P chứa nhiều lỗ trống tự do mang điện tích dương nên khi
ghép với khối bán dẫn N (chứa các điện tử tự do) thì các lỗ trống này có xu hướng
chuyển động khuếch tán sang khối N. Cùng lúc khối P lại nhận thêm các điện tử (điện
tích âm) từ khối N chuyển sang. Kết quả là khối P tích điện âm (thiếu hụt lỗ trống và
dư thừa điện tử) trong khi khối N tích điện dương (thiếu hụt điện tử và dư thừa lỗ
trống).
Ở biên giới hai bên mặt tiếp giáp, một số điện tử bị lỗ trống thu hút và khi
chúng tiến lại gần nhau, chúng có xu hướng kết hợp với nhau tạo thành các nguyên tử
trung hòa. Quá trình này có thể giải phóng năng lượng dưới dạng ánh sáng (hay các
bức xạ điện từ có bước sóng gần đó).
Sự tích điện âm bên khối P và dương bên khối N hình thành một điện áp gọi là
điện áp tiếp xúc (UTX). Điện trường sinh ra bởi điện áp có hướng từ khối n đến khối p
nên cản trở chuyển động khuếch tán và như vậy sau một thời gian kể từ lúc ghép 2
khối bán dẫn với nhau thì quá trình chuyển động khuếch tán chấm dứt và tồn tại điện
áp tiếp xúc. Lúc này ta nói tiếp xúc P-N ở trạng thái cân bằng. Điện áp tiếp xúc ở trạng
thái cân bằng khoảng 0.7V đối với diode làm bằng bán dẫn Si và khoảng 0.3V đối với
diode làm bằng bán dẫn Ge.
Hai bên mặt tiếp giáp là vùng các điện tử và lỗ trống dễ gặp nhau nhất nên quá
trình tái hợp thường xảy ra ở vùng này hình thành các nguyên tử trung hòa. Vì vậy
vùng biên giới ở hai bên mặt tiếp giáp rất hiếm các hạt dẫn điện tự do nên được gọi là
vùng nghèo (depletion region). Vùng này không dẫn điện tốt, trừ phi điện áp tiếp xúc
được cân bằng bởi điện áp bên ngoài. Đây là cốt lõi hoạt động của diode
Nếu đặt điện áp bên ngoài ngược với điện áp tiếp xúc, sự khuếch tán của các
điện tử và lỗ trống không bị ngăn trở bởi điện áp tiếp xúc nữa và vùng tiếp giáp dẫn
điện tốt. Nếu đặt điện áp bên ngoài cùng chiều với điện áp tiếp xúc, sự khuếch tán của
các điện tử và lỗ trống càng bị ngăn lại và vùng nghèo càng trở nên nghèo hạt điện tự
do. Nói cách khác diode chỉ cho phép dòng điện qua nó khi đặt điện áp theo một
hướng nhất định.
Diode chỉ dẫn điện theo một chiều từ anode sang cathode. Theo nguyên lý dòng
điện chảy từ nơi có điện thế cao đến nơi có điện thế thấp, muốn có dòng điện qua
diode theo chiều từ nơi có điện thế cao đến nơi có điện thế thấp, cần phải đặt ở anode
một điện thế cao hơn ở cathode. Khi đó ta có UAK > 0 và ngược chiều với điện áp tiếp
xúc (Utiếp xúc). Như vậy muốn có dòng điện qua diode thì điện trường do UAK sinh
ra phải mạnh hơn điện trường tiếp xúc, tức là: UAK >UTX. Khi đó một phần của điện
áp UAK dùng để cân bằng với điện áp tiếp xúc (khoảng 0.6V), phần còn lại dùng để
tạo dòng điện thuận qua diode.
Khi UAK > 0, ta nói diode phân cực thuận và dòng điện qua diode lúc đó gọi là
dòng điện thuận (thường được ký hiệu là IF tức I-FORWARD hoặc ID tức I-diodeE).
Dòng điện thuận có chiều từ anode sang cathode.
Khi UAK đã đủ cân bằng với điện áp tiếp xúc thì diode trở nên dẫn điện rất tốt,
tức là điện trở của diode lúc đó rất thấp (tầm khoảng vài chục Ohm). Do vậy phần điện
áp để tạo ra dòng điện thuận thường nhỏ hơn nhiều so với phần điện áp dùng để cân
bằng với Utiếp xúc. Thông thường phần điện áp dùng để cân bằng với Utiếp xúc cần
khoảng 0.6V và phần điện áp tạo dòng thuận khoảng 0.1V đến 0.5V tùy theo dòng
thuận vài chục mA hay lớn đến vài Ampere. Như vậy giá trị của UAK đủ để có dòng
qua diode khoảng 0.6V đến 1.1V. Ngưỡng 0.6V là ngưỡng diode bắt đầu dẫn và khi
UAK = 0.7V thì dòng qua diode khoảng vài chục mA.
Nếu diode còn tốt thì nó không dẫn điện theo chiều ngược cathode sang anode.
Thực tế là vẫn tồn tại dòng ngược nếu diode bị phân cực ngược với hiệu điện thế lớn.
Tuy nhiên dòng điện ngược rất nhỏ (cỡ μA) và thường không cần quan tâm trong các
ứng dụng công nghiệp. Mọi diode chỉnh lưu đều không dẫn điện theo chiều ngược
nhưng nếu điện áp ngược quá lớn (VBR là ngưỡng chịu đựng của diode) thì diode bị
đánh thủng, dòng điện qua diode tăng nhanh và đốt cháy diode. Vì vậy khi sử dụng
cần tuân thủ hai điều kiện sau đây:

+ Dòng điện thuận qua diode không được lớn hơn giá trị tối đa cho phép (do
nhà sản xuất cung cấp, có thể tra cứu trong các tài liệu của hãng sản xuất để xác định).
+ Điện áp phân cực ngược (tức UKA) không được lớn hơn VBR (ngưỡng đánh
thủng của diode, cũng do nhà sản xuất cung cấp).
Ví dụ diode 1N4007 có thông số kỹ thuật do hãng sản xuất cung cấp như sau:
VBR=1000V, IFmax = 1A, VF¬ = 1.1V khi IF = IFmax. Những thông số trên cho
biết:
+ Dòng điện thuận qua diode không được lớn hơn 1A.
+ Điện áp ngược cực đại đặt lên diode không được lớn hơn 1000V.
+ Điện áp thuận (tức UAK)có thể tăng đến 1.1V nếu dòng điện thuận bằng 1A. Cũng
cần lưu ý rằng đối với các diode chỉnh lưu nói chung thì khi UAK = 0.6V thì diode đã
bắt đầu dẫn điện và khi UAK = 0.7V thì dòng qua diode đã đạt đến vài chục mA.
Đặc tuyến Volt-Ampere của diode là đồ thị mô tả quan hệ giữa dòng điện qua
diode theo điện áp UAK đặt vào nó. Có thể chia đặc tuyến này thành hai giai đoạn:
- Giai đoạn ứng với UAK = 0.7V > 0 mô tả quan hệ dòng áp khi diode phân cực
thuận.
- Giai đoạn ứng với UAK = 0.7V< 0 mô tả quan hệ dòng áp khi diode phân cực
nghịch.
(UAK lấy giá trị 0,7V chỉ đúng với các diode Si, với diode Ge thông số này khác)
Khi diode được phân cực thuận và dẫn điện thì dòng điện chủ yếu phụ thuộc
vào điện trở của mạch ngoài (được mắc nối tiếp với diode). Dòng điện phụ thuộc rất ít
vào điện trở thuận của diode vì điện trở thuận rất nhỏ, thường không đáng kể so với
điện trở của mạch điện.
7. Basic process step: silicon oxidation (oxi hoá silic)?
Si là chất bán dẫn duy nhất, ma hợp chất ôxít cùa có tinh chất rất ổn định.
Trang thái bề mặc của Si/SiO2 là đối tượng được quan tâm nghiên cứu nhiếu và
đầy đủ nhất.
Tính chất điện và cơ gân như là lý tưởng,
SiO2 là loại vật liệu rất dể chế tạo, có thể lắng động trên tất cả các loại đế khác
nhau, nó là loại vật liệu không bi ăn mòn hay phá huỷ bởi các loại hoá chất thông
thường dùng trong quy trình chế tạo bán dẫn. Người lại no lại rất dể bi ăn mòn bởi các
tác nhân hoá học khác.
Bề mặt của silicon có ái lực cao với oxy và do đó một lớp oxit nhanh chóng
hình thành khi tiếp xúc với khí quyển. Các phản ứng hóa học mô tả sự hình thành này
là:

Trong phản ứng đầu tiên, quy trình khô được sử dụng liên quan đến khí oxy làm
nguồn oxy và phản ứng thứ hai mô tả quy trình ướt sử dụng hơi nước. Quá trình khô
cung cấp silicon dioxide "tốt" nhưng chậm và chủ yếu được sử dụng khi bắt đầu chế
biến. Quy trình ướt có vấn đề ở chỗ không thể đảm bảo độ tinh khiết của nước được sử
dụng ở một mức độ phù hợp. Vấn đề này có thể được giải quyết dễ dàng bằng cách sử
dụng kỹ thuật nung kết hợp khí hydro và oxy để tạo thành hơi nước có độ tinh khiết rất
cao. Việc duy trì thuốc thử có chất lượng cao là điều cần thiết đối với việc sản xuất
mạch tích hợp, và là mối quan tâm thường trực đối với mỗi bước của quy trình này.
Sự hình thành lớp ôxít liên quan đến các điện tử hóa trị được chia sẻ giữa
silicon và oxy, cho phép bề mặt silicon tự loại bỏ các liên kết "lơ lửng", chẳng hạn như
các cặp đơn lẻ và các obitan trống. Các khoảng trống này tạo ra các trạng thái khoảng
trống giữa các vùng hóa trị và vùng dẫn, điều này ngăn cản vùng cấm mong muốn của
chất bán dẫn. Độ bền liên kết Si-O là cộng hóa trị (mạnh), và do đó có thể được sử
dụng để làm mất trạng thái khe giữa và làm thụ động bề mặt của silicon
 Quá trình oxy hóa silic xảy ra ở bề mặt phân cách silic-oxit và bao gồm bốn
bước: Sự vận chuyển khuếch tán của oxy qua lớp khuếch tán trong pha hơi tiếp giáp
với mặt phân cách hơi-ôxít silic. Sự kết hợp của oxy ở bề mặt bên ngoài vào màng oxit
silic. Sự vận chuyển khuếch tán qua màng oxit silic đến mặt phân cách của nó với
mạng tinh thể silic. Phản ứng của oxy với silicon tại mặt phân cách bên trong này. Khi
mặt phân cách Si-SiO2 di chuyển vào silicon, thể tích của nó sẽ nở ra, và dựa trên mật
độ và trọng lượng phân tử của Si và SiO2, 0,44 Å Si được sử dụng để thu được 1,0 Å
SiO2.

8. Basic process step: lithography (quang khắc)?

Công nghệ quang khắc đóng vai trò quan trọng trong công nghệ vi điện tử, khái
niệm về quang khắc rất đợn, nhưng việt ứng dụng nó trong thực tế rất phức tạp và chi
phí rất lớn.
SIA NTRS (national technology roadmap for semiconductor) dự đoán các yêu
cầu về quang khắc cho các thế mách tổ hợp trong tương lai, như bảng dưới đây.
Người ta dưj đoán rắng cứ 3 năm thế kích thước linh kiện giảm với hệ số là
0.7X
Khái niệm về công nghệ qang khắc có thể ngắn gọn mổ tã trên hình vẽ, .
Các cấu trúc phức tạp của manchj tích hợp đựoc thiết kế bằng các phần mềm
CAD. Ngày này với sự phát triển rất nhành của công nghệ thông tín, đã có rất nhiều
 phầm mềm khác nhau cho phép thiết, rất phức tạp, với độ chính xác cao, rất nhiều thư
viênn chuẩn đã được cập nhật.
Ngoài ra các phần nó còn tích hợp với các module để kiểm tra các quy tắc thiết
kế, “design rule”.
Sau khí bước thiết kế hoàn thành có thể đưa vào chế tạo. Các bảng thiết kế này
được sử dụng.
Mask thường được chế tạo, bắng các phủ một lớp Cr có bề dày khoản 80 nm,
sáu dó dùng chùm điện tử hoặc tia laser để khác hình.

Các hình ảnh ở trên mask sẽ đước khắc trện đế người ta gọi là ảnh ảo. Chất
lượng của các ảnh ảo này quyết dịnh bởi công đoạn chiếu sáng. Mác các tham số ảnh
hưởng là, chiếu sâu hội tụ, độ đồng điều, bước sống ánh sáng chiếu vào, v.v.
Ảnh thật thì nó được quyết dinh bởi, quá trình hiên hính, tốc độ chiếu sáng, thới giạn
hiên hình, v. v.
9. Basic process step: deposition (lắng đọng)?
10. Basic process step: etching (khắc)?

11. Why do we need clean manufacturing (tại sao chúng ta cần 1 quy trình sản xuất
sạch)?
Chúng ta cần sản xuất các linh kiện trong 1 điều kiện môi trường sạch tại vì đối với
những linh kiện có kích thước vô cùng bé như vi cơ điện tử thì chỉ cần 1 hạt bụi lẫn
vào trong quy trình sản xuất cũng có thể làm hỏng cả 1 thiết bị
Như trong bảng dữ liệu ta có thể thấy được mối quan hệ mật thiết giữa độ sạch của
phòng làm việc và mật độ linh kiện trong 1 sản phẩm

12. Main sources of the particles in CR (nguồn chính của các hạt trong phòng
sạch)?
Chất lượng của không khí được đo bằng số lượng và kích thước của các hạt tồn
tại trong nó
Các hạt nhỏ hơn 10 nm có xu hướng đông lại
Các hạt lớn hơn 10 μm kết tủa nhanh chóng
Các hạt từ 10 nm đến 10 μm có thể lơ lửng trong không khí
Các nguồn chính có thể gây ra các hạt trong phòng sạch bao gồm:
- Con người (106-107 hạt mỗi phút)
- Máy móc
- Nguồn cung cấp
13. How to reduce a number of particles in CR (làm thế nào để giảm thiểu được
lượng hạt tồn tại trong phòng sạch)?
- Giảm thiểu tác động từ các nguồn nói trên
- Sử dụng robot để xử lý wafer
- Trang bị quần áo chuyên dụng trong phòng sạch (chặn phát xạ từ người)
- Sử dụng vòi hoa sen không khí ở lối vào phòng sạch
- Máy móc được thiết kế để giảm thiểu sự phát sinh hạt
- Vật liệu phát xạ hạt thấp
- Lọc không khí liên tục thông qua các bộ lọc Hạt hiệu quả cao (HEPA)
- Sử dụng hóa chất có độ tinh khiết cao
- Làm sạch nước tại chỗ (lọc và loại bỏ các ion hòa tan)

Câu 14: Hỏi về Wafer Cleaning (Làm sạch miếng silicon mỏng)?

Trả lời:

- Wafer cleaning là 1 trong 3 cấp độ của việc làm giảm ô nhiễm.

- Clean factories (level 1), wafer cleaning (level 2) và gettering (level 3)

- Trước năm 1970, rất nhiều các quy trình làm sạch front-end.

- Năm 1970, một bài báo kinh điển của Kern và Puotinen cung cấp về quy trình
làm sạch “tiêu chuẩn”.
+ Việc làm sạch cần phải giúp loại bỏ:

- Những thứ rất nhỏ

- Phim như chất quang điện (nếu cần thiết)

- Các nguyên tố khác như kim loại

+ Wafer cleaning:

- Nhúng các cuộn băng phiến của wafer vào bồn làm sạch

Hoặc bình xịt hóa chất (wafer được gắn trên trống quay).

Cánh tay robot chuyển các cuộn băng phiến từ bồn này sang bồn khác

Câu 15: Hỏi về quy trình làm sạch theo tiêu chuẩn RCA (standard RCA cleaning
procedure) ?

Trả lời:

- Quy trình làm sạch theo tiêu chuẩn RCA (Radio Corporation of America).

- Werner Kern đã phát triển quy trình cơ bản vào năm 1965 trong khi đang làm
việc cho RCA.

Quá trình CR của chúng ta:

Câu 16: Khái niệm về công nghệ quang khắc (lithography)?

Trả lời:

- Công nghệ quang khắc được xem là công nghệ rất quan trọng trong việc sản xuất
vi mạch (IC), lĩnh vực vi cơ điện tử.

- Có thể khái niệm về công nghệ quang khắc rất đơn giản, nhưng việc ứng dụng nó
trong thực tế lại rất phức tạp và chi phí cực kì cao.
- Theo SIA NTRS (National technology roadmap for semiconductor) dự đoán rằng
các yêu cầu về quang khắc cho các thế mạnh tổ hợp trong tương lai, như bảng sau:

- Người ta dự đoán rằng cứ 3 năm thì kích thước linh kiện giảm với hệ số là 0.7X

- Độ chính xác vị trí là khoảng 1/3

- Khoảng 35% tổng chi phí sản xuất wafer là dành cho công nghệ quang khắc.

- Điều này thể hiện sự không chắc chắn lớn nhất về tương lai của lộ trình.

* Lịch sử phát triển và các nội dung cơ bản về lithography:

- Quá trình tạo mẫu bao gồm thiết kế mặt nạ, chế tạo mặt nạ và in wafer.

+ Sẽ rất tiện lợi khi chia quy trình in wafer thành 3 phần gồm:

A. Light source (nguồn sáng)

B. Wafer exposure system (Hệ thống tiếp xúc wafer)

C. Resist (Điện trở)

+ Khái niệm về công nghệ quang khắc có thể được mô tả ngắn gọn bằng hình vẽ
trên:

- Các cấu trúc phức tạp của mạch tích hợp được thiết kế bằng các phần mềm CAD.
Ngày nay, với sự phát triển rất nhanh của công nghệ thông tin, đã có rất nhiều phần
mềm khác nhau cho phép thiết kế rất phức tạp, với độ chính xác cao, rất nhiều thư
viện chuẩn đã được cập nhật.

- Ngoài ra các phần của nó còn tích hợp với các module để kiểm tra các quy tắc
thiết kế, gọi tắt là “Design rule”.

- Sau khi bước thiết kế hoàn thành thì có thể đưa vào chế tạo. Khi đó các bản thiết
kế được sử dụng.

- Mặt nạ (mask) thường được chế tạo, bằng cách phủ một lớp Cr có bề dày khoảng
80 nm, sau đó dùng chùm điện tử hoặc tia laser để khắc hình.
- Ảnh thực (aerial image) là dạng bức xạ quang học chạm vào đỉnh của điện trở.

- Ảnh ảo (latent image) là bản sao 3D được tạo ra bởi các quá trình hóa học trong
điện trở.

- Các hình ảnh trên mặt nạ sẽ được khắc trên đế (người ta gọi là ảnh ảo).

- Chất lượng của các ảnh ảo này được quyết định bởi công đoạn chiếu sáng.

- Các tham số ảnh hưởng đến ảnh ảo sẽ là chiều sâu hội tụ, độ đồng đều, bước sóng
ánh sáng chiếu vào, v.v

- Ảnh thật sẽ được quyết định bởi quá trình hiện hình, tốc độ chiếu sáng, thời gian
hiện hình, v.v

Câu 17: Bạn hãy cho biết về nguồn sáng (light sources)?

Trả lời:

- Kích thước đối tượng giảm dần yêu cầu việc sử dụng bước sóng  ngắn hơn.

- Theo truyền thống, đèn hơi thủy ngân (Hg) được sử dụng để tạo ra nhiều vạch
quang phổ từ plasma cường độ cao bên trong đèn thủy tinh.

- Các electron bị kích thích lên mức năng lượng cao hơn do va chạm trong plasma.
Còn các photon được phát ra khi năng lượng được giải phóng.

+ g line -  = 436 nm (công cụ được sử dụng vào đầu những năm 1990).

+ i line -  = 365 nm (used for 0.5 m, 0.35 m)

- Nguồn sang nhất trong tia UV sâu là tia laser ngoại lai Kr + NF3 => KrF phát xạ
photon.

+ KrF -  = 248 nm (được sử dụng thương mại cho 0.25 m)

+ ArF -  = 193 nm (0.13 -> 0.1mm technology)

- Các vấn đề phát sinh bao gồm tìm điện trở phù hợp và các thành phần quang học
trong suốt ở các bước sóng này.
- Nhược điểm của việc giảm bước sóng : phản xạ thậm chí còn lớn hơn độ tin
cậy của nguồn sáng.

Câu 18: Bạn hãy cho biết về chất quang điện – chất cảm quang (Photoresists)?

Trả lời:

- Chất cảm quang thường là loại polime hữu cơ được phun lên đế, sau khi xử lý
nhiệt sơ bộ thì có chiều dày từ 0,5 đến 1 micromet.

- Cũng giống như nguồn ánh sáng (light sources) cho hệ quang khắc, chất cảm
quang (photoresists) cũng được chia thành 2 loại là g-line và i-line.

+ Chất cảm quang thường bao gồm 3 thành phần:

- Phần bao dính (Inactive resin)

- Hợp chất nhạy quang (Photoactive compound (PAC))

- Dung môi dùng để điều chỉnh độ nhớt (Solvent - used to adjust viscosity)

+ 2 tham số quan trọng đặc trưng cho tính chất của chất cảm quang đó là hệ số
CMTF (hệ số chuyền tới hạn) và độ tương phản.

- Hệ số tương phản thường là hằng số thực nghiệm, nó có thể hiểu được như mô tả
như hình vẽ dưới đây.

- Người ta chiếu sáng với một liều lượng khác nhau, sau đó tiến hành hiện hình với
một thời gian cố định, sau đó người ta vẽ quan hệ giữa chiều nhày còn lại và liều
lượng chiếu.

- Hệ số gam ma này phụ thuộc rất nhiều vào các tham số như tính chất hóa học của
chất cảm quang, thời gian chiếu sáng, thời gian xử lý nhiệt, nhiệt độ xử lý.

Câu 19: Bạn hãy cho biết về kỹ thuật mặt nạ (Mask engineering)?

Trả lời:

- Kĩ thuật mặt nạ - OPC và chuyển pha.

- Hiệu chỉnh tiệm cận quang học (OPC) có thể được sử dụng để bù đắp phần nào
hiệu ứng nhiễu xạ.

- Các đặc điểm sắc nét bị mất vì tần số không gian cao hơn bị mất do nhiễu xạ.
Những tác động này có thể được tính toán và có thể được bù đắp.

- Mặt nạ trên cùng có và không có OPC. Hình ảnh in dưới cùng, được tính toán.

- Một cách tiếp cận khác sử dụng chuyển pha để “làm sắc nét” hình ảnh in.

- Một số công ty hiện nay cung cấp dịch vụ OPC và phần mềm dịch chuyển giai
đoạn.

- Các mặt nạ tiên tiến là những mặt nạ có thể cho phép tạo ra hình ảnh điện trở sắc
nét hơn, hoặc đặc điểm kích thước nhỏ hơn cho một hệ thống phơi sáng nhất định.

Câu 20: Bạn hãy cho biết về kỹ thuật quang khắc nâng cao (advanced
lithography)?

Trả lời:

* Kỹ thuật quang khắc tiên tiến.

- Độ phân giải cao hơn so với in thạch bản quang học.

- Sources: photons, electrons, X-rays, ions

+ Công suất in dưới 70 nm:

- Phương pháp in thạch bản cực tím (EUV)

- Khoảng cách tia X

- Phép chiếu quang khắc ion (IPL)

- SCALPEL (Tán xạ với phép chiếu giới hạn góc bằng phương pháp in thạch bản
chùm điện tử)

1. Công nghệ quang khắc với tia X

* Hệ thống tiếp xúc tia X

* Gương đa năng phù hợp để phản chiếu tia X

* Mặt nạ tia X

- Màng mỏng (1 m) (SiC, SiN, Si, ...)

- Chất hấp thụ kim loại nặng Au, W, …

- Mặt nạ 1 (rất khó)

- Ổn định cơ học

-> Nhận xét: Việc chế tạo mặt nạ tia X phức tạp hơn nhiều so với các loại mặt nạ
thông thường.

* Công nghệ quang khắc tia X (XLR)

- Tia X (1 nm) được tạo ra bởi vòng lưu trữ đồng bộ hóa được sử dụng làm nguồn
năng lượng.

- Vì hầu hết các vật liệu có độ trong suốt thấp ở λ ~ 1nm, nền mặt nạ phải là một
màng mỏng (dày 1-2μm). Bản thân mô hình này được xác định bằng vật liệu mỏng
(~0.5 μm), có số nguyên tử tương đối cao như vonfram và vàng.

* Ưu điểm:

- Độ phân giải cao (100 nm trở lên) và độ sâu lấy nét cao.

- Không có phản xạ từ bề mặt để tạo ra sóng đứng.

* Nhược điểm:
- Hệ thống XRL phức tạp và đắt tiền.

- Việc chế tạo mặt nạ là phức tạp.

2. In thạch bản (quang khắc) chùm tia điện tử

- Thiết bị rất phức tạp (cơ khí, điện tử, xử lý dữ liệu).

- Quy trình nối tiếp có tốc độ là chậm

- Độ phân giải rất cao (kích thước điểm 5 nm)  << 0.1 m

 Rất thích hợp để chế tạo mặt nạ

* Hiệu ứng tiệm cận (Proximity effect)

* Khắc quang chùm tia điện tử:

- Chùm tia điện tử được sử dụng để viết trực tiếp

- Phương pháp quang khắc chùm tia điện tử chủ yếu được sử dụng để tạo ra các
mặt nạ ảnh.

- Điện trở điện tử: PMMA

* Ưu điểm:

- Độ phân giải siêu nhỏ (thậm chí có thể đạt được độ phân giải 20 nm).

- Tạo mẫu trực tiếp mà không cần mặt nạ.

- Độ sâu tiêu điểm lớn hơn.

- Điều khiển tự động và chính xác cao

* Nhược điểm:

- Hiệu ứng tiệm cận do tán xạ điện tử

- Thông lượng rất thấp (10 tấm mỗi giờ)

- Rất đắt
* SCALPEL

- Phép chiếu điện tử có giới hạn tán xạ (Lucent)

+: Độ phân giải + bản chất in là tuyến tính + điện trở tương tự như trong DUV.

-: mặt nạ khó, ít kinh nghiệm.

3. Kỹ thuật in khắc quang cực tím (EUV)

- 10 nm, soft X-ray

- tất cả quang học phản chiếu, mặt nạ phản chiếu

+: trông giống công nghệ bước nhất

-: công nghệ gương, mặt nạ cực kỳ phức tạp

* Kỹ thuật in quang khắc cực tím

- Bức xạ plasma hoặc bức xạ đồng bộ được tạo ra bằng laser đóng vai trò là nguồn
của EVU (10 đến 14 nm).

- Mặt nạ được sản xuất bằng cách tạo mẫu cho vật liệu hấp thụ lắng đọng trên một
mặt nạ silicon hoặc mặt nạ thủy tinh được phủ nhiều lớp.

- Điện trở điện tử: PMMA

* Ưu điểm:

- Mở rộng chiều rộng dòng tối thiểu lên 30 nm mà không làm giảm thông lượng

* Nhược điểm:

- EUV hấp thụ mạnh trong tất cả các vật liệu, do đó quá trình in quang khắc phải
được thực hiện trong chân không.

- Khó chế tạo mặt nạ trống.

4. Tương lai (future)

- Kỹ thuật in quang khắc quang học sẽ được sử dụng lên đến 0,1 m.
- UV đến DUV đến XUV và thủ thuật

- Mặt nạ chuyển pha.

- Thủ thuật chiếu sáng

- Kích thước nhỏ hơn -- ??

- EUV, SCALPEL ?  50 nm

- Cải tiến liên tục các quy trình

- Stepper

- Mặt nạ

- Điện trở

- Kế hoạch phát sinh

- Lớp phủ chống phản chiếu

- zie Okazaki IEDM ‘96

Câu 21: Bạn hãy trình bày về quá trình của công nghệ quang khắc trong phòng
sạch (lithography process in clean room)?

Trả lời:

* Cơ sở vật chất của chúng ta:

+ Mặt nạ aligner:

- Một mặt (UV, Hg)

- Hai mặt (UV, Hg)

- Lớp phủ kéo sợi (2)

- Nung (2)

- Lót
* Vật liệu cảm quang:

- OIR 908 -35 (3 -3.5 m)

- OIR 907 -12 (1-1.5 m)

Developer: OPD4262/90

* Phần nội dung thêm, tổng hợp một số ý tưởng và từ khóa quan trọng trong
chương số 4 nói về công nghệ quang khắc (Lithography).

- Công nghệ quang khắc là phần chính để phát triển các thế hệ công nghệ mới.

- Các công cụ phơi sáng ngày nay thường sử dụng quang học chiếu với hiệu suất
hạn chế nhiễu xạ.

- Điện trở g-line và i-line dựa trên vật liệu DNQ và được sử dụng với kích thước
xuống 0.35 m

- Điện trở DUV sử dụng khuếch đại hóa học và thường được sử dụng cho các kích
thước tính năng nhỏ hơn.

- Các công cụ mô phỏng công nghệ quang khắc dựa trên quang học Fourier và thực
hiện một công việc tuyệt vời trong việc mô phỏng hiệu suất của hệ thống quang
học. Do đó ảnh thực có thể được tính toán chính xác.

- Mô hình chất cảm quang (phơi sáng, phát triển, sau khi nung) ít tiên tiến hơn vì
liên quan đến hóa học chưa được hiểu rõ. Do đó hình ảnh ảo ngày nay ít được tính
toán chính xác hơn.

- Một cách tiếp cận mới đối với kĩ thuật in khắc quang có thể được yêu cầu trong
10 năm tới.

Câu 22: Bạn hãy cho biết về khái niệm oxit nhiệt luyện? Oxi hóa khô? Oxi hóa
ướt? (Thermally grown oxides? Dry oxidation? Wet oxidation?)

Cau 23 : Phương pháp và thiết bị sản xuất (Ôxít nhiệt luyện)?

Kỹ thuật oxit hóa nhiệt :

Quá trình oxy hóa nhiệt là quá trình mà một màng silicon dioxide, SiO 2 , được
phủ trên bề mặt của tấm silicon

Oxi hóa ướt:

Si (solid) + H20 => SiO2 (solid) + 2H2

Õi hóa khô

Si (solid) + O2 (gas) => SiO2(solid)

Thiết bị sản xuất :

Lò nhiệt được gia nhiệt bằng đèn nhiệt có 2 ống dẫn khí đầu vào 02 và H2 . Quá
trình bắt đầu ở nhiệt độ 700-1200 oC. Bên trong lò chứa các tấp silicon xếp theo
chiều dọc lên các rãnh của thuyền thạch anh.

Câu 24:

Đo lường vật lý, alpha-step, sem, afm, tem?

- AFM : kính hiển vi nguyên tử lực (tiếng Anh: Atomic force microscope, viết tắt
là AFM) là một thiết bị quan sát cấu trúc vi mô bề mặt của vật rắn dựa trên nguyên
tắc xác định lực tương tác nguyên tử giữa một đầu mũi dò nhọn với bề mặt của
mẫu, có thể quan sát ở độ phân giải nanômét, AFM thuộc nhóm kính hiển vi quét
đầu dò hoạt động trên nguyên tắc quét đầu dò trên bề mặt.

* nguyên lý đo :

Bộ phận chính của AFM là một mũi nhọn được gắn trên một thanh rung
(cantilever). Mũi nhọn thường được làm bằng Si hoặc SiN và kích thước của đầu
mũi nhọn là một nguyên tử. Khi mũi nhọn quét gần bề mặt mẫu vật, sẽ xuất
hiện lực Van der Waals giữa các nguyên tử tại bề mặt mẫu và nguyên tử tại đầu
mũi nhọn (lực nguyên tử) làm rung thanh cantilever. Lực này phụ thuộc vào
khoảng cách giữa đầu mũi dò và bề mặt của mẫu. Dao động của thanh rung do lực
tương tác được ghi lại nhờ một tia laser chiếu qua bề mặt của thanh rung, dao động
của thanh rung làm thay đổi góc lệch của tia lase và được detector ghi lại. Việc ghi
lại lực tương tác trong quá trình thanh rung quét trên bề mặt sẽ cho hình ảnh cấu
trúc bề mặt của mẫu vật.

* SEM

Kính hiển vi điện tử quét

Kính hiển vi điện tử quét (tiếng Anh: Scanning Electron Microscope, thường viết

tắt là SEM), là một loại kính hiển vi điện tử có thể tạo ra ảnh với độ phân giải cao
của bề mặt mẫu vật bằng cách sử dụng một chùm điện tử (chùm các electron) hẹp
quét trên bề mặt mẫu. Việc tạo ảnh của mẫu vật được thực hiện thông qua việc ghi
nhận và phân tích các bức xạ phát ra từ tương tác của chùm điện tử với bề mặt mẫu
vật.

*Nguyên lý hoạt động

Việc phát các chùm điện tử trong SEM cũng giống như việc tạo ra chùm điện tử
trong kính hiển vi điện tử truyền qua, tức là điện tử được phát ra từ súng phóng
điện tử (có thể là phát xạ nhiệt, hay phát xạ trường...), sau đó được tăng tốc. Tuy
nhiên, thế tăng tốc của SEM thường chỉ từ 10 kV đến 50 kV vì sự hạn chế của thấu
kính từ, việc hội tụ các chùm điện tử có bước sóng quá nhỏ vào một điểm kích
thước nhỏ sẽ rất khó khăn. Điện tử được phát ra, tăng tốc và hội tụ thành một chùm
điện tử hẹp (cỡ vài trăm Angstrong đến vài nanomet) nhờ hệ thống thấu kính từ,
sau đó quét trên bề mặt mẫu nhờ các cuộn quét tĩnh điện. Độ phân giải của SEM
được xác định từ kích thước chùm điện tử hội tụ, mà kích thước của chùm điện tử
này bị hạn chế bởi quang sai, chính vì thế mà SEM không thể đạt được độ phân
giải tốt như TEM.

*TEM

Kính hiển vi điện tử truyền qua (TEM) là một kỹ thuật hiển vi trong đó một chùm
điện tử được truyền qua mẫu vật để tạo thành hình ảnh. Mẫu thử thường là phần
siêu mỏng dày dưới 100 nm hoặc dạng huyền phù trên lưới. Hình ảnh được hình
thành từ sự tương tác của các điện tử với mẫu khi chùm tia truyền qua mẫu vật. Sau
đó, hình ảnh được phóng đại và tập trung vào một thiết bị hình ảnh, chẳng hạn như
màn hình huỳnh quang, một lớp phim ảnh hoặc một cảm biến như ống soi được
gắn với một thiết bị tích điện.

Anpha Step :

Máy định dạng bề mặt là một công cụ cung cấp phép đo chính xác cao 2D trên
chất nền bán dẫn bằng cách quét một bút stylus có đầu nhọn bằng kim cương với
bán kính 5 micron trên bề mặt chất liệu. Thông tin địa hình như độ cao bậc thang
mỏng và độ nhám bề mặt có thể được xác định. Alpha Step Surface Profiler có thể
đo chiều cao 400 micron với độ chính xác 5nm và chiều dài quét tối đa là 10mm.

Cau 25 :

Phương pháp ellipsometer?

Ellipsometry là một kỹ thuật đo quang học liên quan đến việc tạo ra chùm ánh sáng
ở trạng thái phân cực đã biết và phản xạ nó từ một mẫu có bề mặt phẳng. Bằng
cách đo trạng thái phân cực của chùm tia phản xạ đặc biệt, có thể xác định các góc
elipsome (ψ, Δ). Các góc này đặc trưng cho bước sóng λ0 của chùm sáng và góc
tới θi của chùm tại bề mặt mẫu. Khi phân tích chi tiết, các góc (ψ, Δ), cùng với các
giá trị đã biết liên quan của λ0 và θi, mang lại thông tin về mẫu. Thông tin như vậy
cho một mẫu chung bao gồm các đặc tính quang học, tức là chỉ số khúc xạ n và hệ
số tắt k, phụ thuộc vào bước sóng λ0. Thông tin được suy luận cho các mẫu bao
gồm một hoặc nhiều màng mỏng có bề mặt / giao diện song song mặt phẳng bao
gồm độ dày lớp d và (n, k) của các thành phần. Xét các mẫu đẳng hướng, mô tả
hầu hết các cấu trúc quan tâm trong các ứng dụng quang điện, (ψ, Δ) được xác định
bởi tan ψ exp (iΔ) = rp / rs, trong đó rp và rs là hệ số phản xạ biên độ phức đối với
p và s tuyến tính -các trạng thái phân cực. Đối với những trạng thái này, điện
trường dao động song song (p) và vuông góc (s) với mặt phẳng tới, được xác định
bởi hướng tới và hướng truyền chùm tia phản xạ. Một số biến thể của thử nghiệm
ellipsometry đã được phát triển với mục tiêu thu được một tập hợp lớn các cặp (ψ,
Δ) để tạo điều kiện thuận lợi cho việc giải thích dữ liệu và trích xuất càng nhiều
thông tin càng tốt trên mẫu. Trong phép đo elip quang phổ, (ψ, Δ) được đo liên tục
so với bước sóng của chùm ánh sáng và trong phép đo elip thời gian thực, (ψ, Δ)
được đo theo thời gian tại λ0 cố định. Hai chế độ sau có thể được tích hợp để
mang lại phép đo elip quang phổ thời gian thực, sử dụng một thiết bị có mảng dò
tuyến tính để thu thập dữ liệu tốc độ cao song song với sự phân bố liên tục của các
bước sóng. Trong phép đo hình elip quang phổ chùm tia mở rộng, (ψ, Δ) được đo
dọc theo một đường trên bề mặt của mẫu bằng cách sử dụng một thiết bị có dãy
máy dò hai chiều. Một chỉ số mảng được sử dụng cho chức năng hình ảnh dòng và
chỉ số mảng thứ hai được sử dụng cho quang phổ. Có thể lập bản đồ quang phổ hai
chiều bằng cách dịch mẫu. Nói chung, ellipsometers được sử dụng rộng rãi nhất
cho các ứng dụng quang điện là quang phổ và trải rộng phạm vi từ cực tím đến cận
hồng ngoại (200–2000 nm). Trên dải phổ này, phổ (n, k) suy ra từ phép đo elip
quang phổ cung cấp thông tin về các quá trình hấp thụ và phân tán bắt nguồn từ các
điện tử hóa trị trong chất bán dẫn và chất điện môi và từ các điện tử dẫn trong các
ôxít và kim loại dẫn trong suốt. Phép đo elip quang phổ rất được quan tâm trong
nghiên cứu và phát triển quang điện do khả năng trích xuất thông tin {d, (n, k)} cho
nhiều lớp của pin mặt trời và (n, k) đối với vật liệu khối, ví dụ: tấm hoặc chất nền.
Khi thông tin này đã được thiết lập cho pin mặt trời, có thể mô phỏng hiệu suất
lượng tử bên ngoài của thiết bị cũng như các tổn thất quang học do phản xạ, hấp
thụ trong các lớp không hoạt động và quá trình truyền (nếu có). Các phép so sánh
mô phỏng và phép đo cung cấp thông tin chi tiết về tổn thất điện tử trong các lớp
hoạt động thông qua tái tổ hợp.

// DO Vấn đáp 3-5 phút nên chỉ cần hiểu ý tưởng, không cần quá chi tiết