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：塾菱王茎皇塑鱼：麴趔堑堕堕唑堂燮堕煎■二ｑ．

半导体器件和集成电路水汽
含量控制的研究
张秀霞

（中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄０５００５１）

摘要：半导体器件和集成电路水汽含量偏高，会影响产品的电性能和可靠性。随着可靠性要求
的提高．半导体器件和集成电路的内部水汽含量要求控制在５×１０弓以下。导致水汽含量偏高的
原因有３个方面：一是壳体的密封性能差；二是预烘焙不够充分或封帽时控制不当；三是封帽时
氮气的纯度不高。针对这３个方面因素分别提出了相应的解决办法，将封装产品的水汽含量稳定
地控制在５×１０。以下。一般内控指标要求在２×１０。以下，才能保证产品批次性质量要求，从而
提高产品的可靠性。
关键词：半导体器件；集成电路；水汽含量；烘焙
中图分类号：ＴＮ４０５ 文献标识码：Ｂ 文章编号：１００４－４５０７（２００９）０１－００４８－０４

Ｒｅｓｅａｒｃｈ ｏｆ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｗａｔｅｒ Ｖａｐｏｒ ｉｎ

Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｄｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ ＩＣ

Ｚ：ＨＡＮＧ Ｘｉｕｘｉａ

（Ｔｈｅ １３ｔｈ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ，ＣＥＴＣ，Ｓｈｉｊｉａｚｈｕａｎｇ，０５００５１，Ｃｈｉｎａ）

Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｈｉｇｈ ｗａｔｅｒ ｖａｐｏｒ ｉｎ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｄｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ ｉｎｔｅｇｒａｔｅ ｃｉｒｃｕｉｔｓ ｗｉｌｌ ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ ｔｈｅ ｐｒｏｄｕｃｔ’

Ｓ ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ａｎｄ ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ．Ａｓ ｔｈｅ ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ ｏｆ ｒｅｑｕｉｒｅｍｅｎｔｓ ｉｎｃｒｅａｓｅ，ｗａｔｅｒ ｖａｐｏｒ ｉｎ

ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｄｅｖｉｃｅｓ ａｎｄ ｉｎｔｅｇｒａｔｅ ｃｉｒｃｕｉｔｓ ｎｅｅｄ ｔｏ ｂｅ ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ １ｅｓｓ ｔｈａｎ ５０００ｐｐｍ．Ｔｈｅｒｅ ａｒｅ ｔｈｒｅｅ

ｗａｙｓ ｗｈｉｃｈ ｍａｙ ｂｒｉｎｇ ｈｉｇｈ ｗａｔｅｒ ｖａｐｏｒ：ｂａｄ ｈｅｒｍｅｔｉｃｉｔｙ ｏｆ ｓｈｅｌｌ，ｎｏ ｅｎｏｕｇｈ ｐｒｅ－ｂａｋｉｎｇ
ｏｎ ｏｒ
ｉｎａｐ・

ｐｒｏｐｒｉａｔｅ ｃｏｎｔｒｏｌｌｉｎｇ ｏｆ ｓｅａｌｉｎｇ，ａｎｄ ｉｍｐｕｒｅ ｎｉｔｒｏｇｅｎ．Ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ｍｅｔｈｏｄｓ ａｒｅ ｐｕｔ ｆｏｒｗａｒｄ ｔｏ ｒｅｓｏｌｖｅ ｔｈｅ

ｐｒｏｂｌｅｍｓ ａｂｏｖｅ．Ｂｙ ｏｕｒ ｅｆｆｏｒｔｓ，ｔｈｅ ｐｒｏｄｕｃｔｓ’ｗａｔｅｒ ｖａｐｏｒ ｃｏｎｔｅｎｔ ｗａｓ ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ ｂｅｌｏｗ ５０００ｐｐｍ，

ｗａｓ ｉｍｐｒｏｖｅｄ．
ｕｓｕａｌｌｙ ２０００ｐｐｍ．Ｎａｔｉｏｎａｌ ｍｉｌｉｔａｒｙ ｓｔａｎｄａｒｄ ｗａｓ ｓａｔｉｓｆｉｅｄ ａｎｄ ｔｈｅ ｐｒｏｄｕｃｔｓ’ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ

ｏｎｅ ｉｓ ｂａｄ ｓｈｅｌｌ ｈｅｒｍｅｔｉｃ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ；ｏｎｅ ｉｓ ｂａｋｉｎｇ ｎｏｔ ｅｎｏｕｇｈ ｇｏｏｄ ａｎｄ ｉｓｎ’ｔ ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ ｗｅｌｌ ｗｈｅｎ

ｓｅａｌｉｎｇ；ａｎｏｔｈｅｒ ｉｓ ｌｏｗ ｎｉｔｒｏｇｅｎ ｇａｓ ｐｕｒｉｔｙ ｗｈｅｎ ｓｅａｌｉｎｇ．Ｓｏｍｅ ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ ｗｅｒｅ ｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄ ａｔ

收稿日期：２００９．０２．２０
作者简介：张秀霞（１９７０．），女，河北石家庄人，工程师，主要从事半导体技术工作。

（园（总第１７１期）强圜圆
　万方数据
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■＝口麴坚咝堑堕塑迪堂堕鲤蛐 ．封装工艺与设备．
：堑菱王堇量遮鱼：

ａｂｏｖｅ ｇｉｖｅｎ ｒｅａｓｏｎｓ．Ｆｉｎａｌｌｙ，ｔｈｅ ｐｒｏｄｕｃｔｓ’ｗａｔｅｒ ｖａｐｏｒ ｉｓ ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ ｕｎｄｅｒ ５０００ｐｐｍ ｓｔｅａｄｉｌｙ．Ｃｏｍｍｏｎｌｙ ｌｏｗｅｒ

ｔｈａｎ ２０００ｐｐｍ．Ｉｔ ｉｓ ｓａｔｉｓｆｉｅｄ ｃｉｖｉｌｉａｎ ｓｔａｎｄａｒｄ ｒｅｑｕｉｒｅｍｅｎｔｓ，ｉｎｃｒｅａｓｅｄ ｔｈｅ ｐｒｏｄｕｃｔｓ ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ．

Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｄｅｖｉｃｅｓ；Ｉｎｔｅｇｒａｔｅ ｃｉｒｃｕｉｔｓ；Ｗａｔｅｒ ｖａｐｏｒ ｃｏｎｔｅｎｔ；Ｂａｋｉｎｇ

随着半导体器件和集成电路可靠性要求的提 较高的水汽含量下，污染物会在水汽的作用下形成
高，对其内部水汽含量的要求也越来越严。 电解液，发生电化学反应，使器件和电路的多层金
ＧＪＢ３３Ａ．９７半导体分立器件总规范（１）ＧＪＢ５４８Ａ微 属化受到腐蚀（５）。
电子器件试验方法和程序（２）ＧＪＢ ２４３８－－９５混合集 在研究中发现，器件在储存一段时间后，由于
成电路总规范中均要求产品内部水汽含量在１００℃ 水汽和芯片生产过程中残留物质的共同作用，发生
时不得超过５×１０。。由于封帽工艺具有不可返工 的电化学反应不同的金属发生电化学反应后，产生

性，且对水汽含量检验属于破坏性试验，无法用筛选 不同的结晶状生成物，含钼的金属化系统形成“剑
的方法剔除，所以，研究控制器件内部水汽含量的办 兰状”生成物、含钨的金属化系统形成“灵芝状”生
法具有重要的实用价值。本文针对封帽中的具体工 成物、有镍的金属化系统形成“雪花状”生成物，最
艺，讨论了如何降低器件和电路内部的水汽含量的 终导致器件发射结正向压降（ｙ咿）增大、结特性退
方法，对提高产品的可靠性有一定的意义。 化、甚至导致器件的开路或短路事例发生。图】所
示为器件金属化反应后结晶状生成物照片，图２为
１ 水汽对器件和电路的危害 器件金属化层腐蚀后照片。

水汽含量较高时对半导体器件和电路有以下
两个方面的危害，一是电性能不稳定，且表现出与
温度关系明显。从机理上分析，若器件内部水汽含
量较高，在温度较低时，水汽会在芯片或电路表面
结露（结霜），造成产品的漏电流增加，参数超差，甚
至失效。我们曾测试过一批小功率的器件，２２℃下
测试集电结的漏电流（ＩＣＢＯ）时合格，但当温度在
１０℃左右时，出现漏电流蠕变，指标不合格。进一
步测试发现，发现ＩＣＢＯ随着环境温度的降低而明
图ｌ 器件金属化反应后结晶状生成物照片
显增加，整批产品报废。
二是造成产品的可靠性差。在器件和电路中，
芯片与外引线连接是采用细的金线或铝线（直径
１８～５０８斗ｍ）键合的方法形成互联。从理论上讲，完
全的单金属化系统当然好，但由于技术和成本的原
因，大量的半导体器件和电路的键合引线与键合点
分别采用不同的金属类型，出现所谓的双金属接
点。对于这种情况，为了保证实现双金属结合系统
可靠连接，半导体器件和电路的水汽含量必须很低
方可实现（４）。较高的水汽会对Ａｌ系统造成腐蚀，
导致电路开路。当芯片或电路内存在污染物时，在 图２ 器件金属化层腐蚀后照片

　万方数据
：塾菱王茎皇遮鱼： 盛匙基塑团
２ 水汽含量偏高的原因 面吸出。
其次，对封帽条件进行严格控制。通常封帽的

造成产品内部水汽含量较高的原因主要有以 方式有三种，一是平行缝焊，二是使用焊料封口环

下三方面因素：一是封装材料壳体的密封性能差， 的钎焊，三是储能焊。针对不同的封帽形式采用不

如封口、玻璃绝缘子或盖板漏气，致使周围环境中 同的改进措施。

的水汽渗入壳体内；二是预烘焙不够充分或封帽时 对于平行缝焊，需要在预烘焙后，将待封帽的

控制不当，使封帽后壳体内材料吸附的水汽释放出 物品移入平行缝焊机的干燥箱内，在干燥箱内再进

来，或封帽时已经引入了较多的水汽；三是封帽时 行几个小时１２０℃左右的二次烘焙，根据不同的产

氮气的纯度不高导致水汽含量不合格。 品确定不同的烘焙条件，之后完成封帽。平行缝焊
机必须保证密封，内部充有高纯氮气，压力在一个

３ 降低水汽含量的措施 大气压以上，以保持正压使空气不能进入机箱内，
氮气的水气含量控制在Ｘ １０击以下。

针对造成水汽含量偏高的三个原因，分别采取 对于使用焊料封口环的钎焊，需要在预烘焙前

以下相应措施。 将壳体、焊环及盖板组装好，一起放入烘箱内，在完
成烘焙后，将高纯氮气注入烘箱内；取出待封品，在

３．Ｉ封装原材料的控制和选择 炉口的入口处用高纯氮气冲洗１０ ｒａｉｎ左右，即可

管壳封装材料的好坏直接影响到壳体的密封 推入炉内封帽。

性，从原材料的进厂检验到加工工艺过程控制至关 储能焊的封帽方式参照平行缝焊进行。在封帽

重要，选用密封性能好的金属陶瓷管壳或金属玻璃 时，氮气的流速也要加以控制，因为从预烘焙转移

管壳，同时对管壳进行严格的质量一致性检验和检 过来的待封帽品在转移过程中又吸收了湿气，这部

验验收工作，控制好封装原材料的质量。 分湿气需要在随后的过程中用高纯氮气冲洗掉。在
随后的过程中待封装物品会重新吸收来自高纯氮

３．２封装工艺过程的水汽含量控制 气内的水汽，并且会随着时间的延长而增加（４），所

首先，对等待封帽的产品进行高温烘焙。高温 以要求待封产品从预烘焙烘箱内取出，到完成封帽

烘焙既能稳定产品的电性能，还有去掉产品中挥发 应该在１２ ｈ之内完成。

性气体（包括水汽）的作用。烘焙必须包括所有的待
封装的物品如：壳体、盖板、封装工具等。如果湿气 ３．３、对封帽用惰性气体的控制

去除的不彻底，那么封装后产品的水气含量就不会 对于封帽时氮气的纯度不高的第三条原因，应

满足质量要求。 采取改进设备的方法，以提高氮气的纯度。当氮气

烘焙可以在充高纯氮气或抽真空烘箱内进 传输管道离封帽设备较远时还应进行就近二次纯

行，也可以二者结合进行，以真空为主，但要周期 化，封帽时用露点仪实施监测氮气的露点。

性地用氮气清洗。烘焙的温度越高，效果越好，一
般不低于１２５℃，根据器件和电路使用的材料质 ４ 结果
量、性质和工艺，在不影响器件和电路性能及可靠
性的前提下，尽量提高温度，以达到更好的效果。 通过技术攻关，反复试验，优化工艺条件，我们
真空度一般要求在６．８ Ｐａ以下，时间在８ ｈ以上。 封装的器件和电路的内部水汽含量达到了较好的
一般温度越高，真空度越低，时间越长效果越好。 水平，从连续一年生产的几十批产品抽测结果来
不同的产品需要反复进行试验才能确定具体的工 看，不仅水汽含量低（一般小于Ｘ １０－４），而且稳定性、
艺条件。真空排湿１０ ｒａｉｎ相当于用氮气冲洗２ 一致性好，提高了产品的可靠性。表ｌ为某产品的
曲，真空加速了干燥，确保将氧气和湿气从产品表 实际检测结果。 （下转第５２页）

　万方数据

．
：全些边送：
…．
量折射率。光束照射在一个与工艺液体接触的蓝
宝石窗上。计算机软件根据反射光束的读数计算
出被测液体的折射指数。然后可以比较折射率计
算值和所需化学品混合物或浓度的折射率。唯一
与流体接触的部件是蓝宝石窗口和使用超高纯改
进型ＰＴＦＥ制成的传感器体。光学流体室内的热
电偶测量温度读数。液体的折射指数是浓度和温
度的函数。
ＡＩ Ｂｏｕｓｅｔｔａ经理接着又介绍了焊接系统
Ｍ２００电源：为了满足半导体市场的焊接要求，世
伟洛克最近推出了易于使用且便于携带的焊接
系统Ｍ２００电源，它的电流可达２００ Ａ，整机质量
不到２３ ｋｇ。世伟洛克邕轨道焊接系统可用于从气
体柜到加工工具等许多应用中。Ｍ２００焊机配有一
个高清晰的３０７ ｍｍ（１２．１英寸）（３０７ ｍｍ）彩色工
业触摸屏，让用户可以简单直观地进入焊接程
序。用户可以从三种形式中选择一种进入焊接程
序，包括自动焊接程序设置。Ｍ２００焊机的保护气
体自动控制功能（专利保护）简化了保护气体的
设置，无需使用单独的流量计。Ｍ２００焊机适用于
所有世伟洛克目前提供的焊头。它包括四个
（上接第５０页）
表１
５ 结论
本文讨论了半导体器件和电路封装水汽含量过
高对产品性能及可靠性的影响，分析了造成水汽含
量过高的原因和机理，提出了有效控制水汽含量的
措施及方法。通过努力，我们生产的产品全部达到了
指标（５×１０。以下要求）。本文所阐述的方法对其它
需要控制水汽含量的元器件也有一定的参考意义。
　万方数据
电子工业苣用ｉ殳备Ｅ声舟
豳堕运五！五五亟薹主薹玉函■ｊｉｊ
ＵＳＢ接口，以太网口，ＵＳＢ设备（输出）口，ＶＧＡ
输出和串行端口。所有气体和电气连接，以及整
体式高速热敏打印机都很容易从设备侧面接触
到。一条电源线／插头兼容国际通用的电压输入
（１００～２３０ Ｖ【交流］）。Ｍ２００焊机具有内置多语
言显示能力，无需单独进行程序设定或专门订
购。内置语言分别是英语、法语、德语、西班牙
语、日语、韩语和中文（简体及繁体）。在中国运营
公司的客户也可从世伟洛克订购Ｍ２００，它具有
中国政府要求的安全许可标识，中国强制性产品
认证（ＣＣＣ）。
除此之外，世伟洛克公司还展示了其它适用
于半导体行业的产品系列，如原子层沉积阀门，
１—１／８模块化气体系统元件，化学品传输元件，使
用点元件，压力测试及控制元件及大宗气体传输
元件。
ＡＩ Ｂｏｕｓｅｔｔａ经理由衷的说，世伟洛克愿以卓越
的设计、优良的综合性能，帮助半导体厂商改进工
艺流程，大幅度提高生产效率与成品率，降低整体
生产成本，协助半导体企业在行业冬天中占据优
势，轻松制胜。
某器件实际测试数据ｘ１０ｒ６
参考文献：
【１】 ＧＪＢ３３Ａ一９７半导体分立器件总规范【ｓ】．
【２】 ＯＪＢ５４８Ａ－９６微电子器件试验方法和程序［ｓ】
［３】 ＧＪＢ ２４３８－－９５混合集成电路总规范［ｓ】．
［４】 Ｊａｍｅｓ Ｊ．Ｌｉｃａｒｉ Ｌｅｏｎａｒｄ Ｒ．Ｅｎｌｏｗ（美）著，朱瑞廉译．混合
微电路技术手册【Ｍ］．２００４：１６４～２０２．
【５】 吉田弘之（日）著．杨启善刘风华等译．电子元器件的
故障原因及其对微【Ｍ】．２００４：１３６～１３７．