CHƢƠNG II: CÁC BỘ KHUẾCH

ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ

Nguyễn Thùy Linh
Bm Cơ sở KTVT – K31

1 Nguyễn Thùy Linh

 Chƣơng 2: Các bộ khuếch đại tín hiệu nhỏ

2.1 Những vấn đề chung

Các bộ khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng

2.2 Transistor

2.3 Các bộ khuếch đại dùng nhiều Transistor

2.4 Khuếch đại vi sai

2.5 Mạch ghép giữa các tầng

2 Nguyễn Thùy Linh
 2.1 Những vấn đề chung
1. Khái niệm: khuếch đại là quá trình làm tăng trưởng về mặt
cường độ tín hiệu ở đầu ra so với đầu vào và không gây méo
tín hiệu.
2. Phân loại:
 Theo phần tử khuếch đại: dùng Tran, dùng đèn điện tử
 Theo dải tần làm việc: BKĐ ở tần số thấp, BKĐ ở tần số cao.
 Theo độ lớn tín hiệu: BKĐ tín hiệu nhỏ, BKĐ tín hiệu lớn.
 Theo tải: BKĐ tải không cộng hưởng, BKĐ tải cộng hưởng.
 Theo cách mắc: Emitor chung, Collector chung, Bazo chung.
 Đặc điểm BKĐ tín hiệu nhỏ: các phần tử KĐ được xem như
phần tử tuyến tính → coi như M4C tuyến tính

3 Nguyễn Thùy Linh

 Những vấn đề chung (tiếp)
3. Các tham số cơ bản:
 Hệ số khuếch đại: KU , Ki , K P
 Trở kháng vào ra: Z v , Z r
 Dải tần công tác:  f min  f max 
 Méo tín hiệu: tuyến tính và phi tuyến.
 Dải động U min  U max 
 Hiệu suất Pr

P0
 Một số tham số khác: kích thước, trọng lượng, nhiệt độ …

4 Nguyễn Thùy Linh

 Các phƣơng pháp phân tích

1. Phân tích theo các tham số của M4C

 Sơ đồ tương đương theo trở kháng ra (Z)
 Sơ đồ tương đương theo trở dẫn (dẫn nạp Y)
 Sơ đồ tương đương hỗn hợp h (thường hay sử dụng)

5 Nguyễn Thùy Linh

 1. Phƣơng pháp phân tích theo tham số của mạng
4 cực (tiếp)

Sơ đồ tương đương theo trở kháng ra (Z):

IB Z11 Z22 IC C
B

UBE Z12.IC Z21.IB UCE

E E

 Có mối quan hệ: UBE = Z11.IB + Z12.IC

UCE = Z21.IB + Z22.IC

6 Nguyễn Thùy Linh

 1. Phƣơng pháp phân tích theo tham số của mạng
4 cực (tiếp)

 Sơ đồ tương đương theo trở dẫn (dẫn nạp Y):

 Có mối quan hệ: IB = Y11. UBE + Y12.UCE

IC = Y21.UBE + Y22 .UCE

7 Nguyễn Thùy Linh

 1. Phƣơng pháp phân tích theo tham số của mạng
4 cực (tiếp)

 Sơ đồ tương đương hỗn hợp h (thường hay sử dụng):

IB h11 IC

UBE h12.UCE h21.IB h22 UCE

 Có mối quan hệ: UBE = h11. IB + h12. UCE

IC = h21.IB + h22. UCE
 Các tham số của M4C khi tính theo sơ đồ tương đương hỗn
hợp:
∆ℎ. 𝑍𝑡 + ℎ11
𝑍𝑉 =
8 Nguyễn Thùy Linh
𝑍𝑡 ℎ22 + 1
 1. Phƣơng pháp phân tích theo tham số của
mạng 4 cực (tiếp)

 Các tham số của M4C khi tính theo sơ đồ tương đương hỗn
hợp (tiếp): 𝑍𝑛 + ℎ11
𝑍𝑟 =
𝑍𝑛 ℎ22 + ∆ℎ
ℎ21
𝐾𝑖 =
𝑍𝑡 ℎ22 + 1

−ℎ21 𝑍𝑡
𝐾𝑈 =
∆ℎ. 𝑍𝑡 + ℎ11

𝑍𝑡 ℎ21 2
𝐾𝑃 =
𝑍𝑡 ℎ22 + 1 2 . 𝑍𝑉
Với : ∆ℎ = ℎ11 ℎ22 − ℎ12 ℎ21
9 Nguyễn Thùy Linh
 2. Phƣơng pháp phân tích theo sơ đồ tƣơng đƣơng
a) Sơ đồ tương đương hình П của Tranzistor ở tần số cao:
rbb’ B’ Cb’c
B C

UBE Cb’e rb’e rce Cce UB’E/rd UCE

 rbb’ : điện trở phân bố miền bazo

 Cb’e , rb’e : điện dung và điện trở vào của Tranzistor.
 Cce, rce : điện dung và điện trở ra của Tranzistor.
 Cb’c : điện dung hồi tiếp đầu ra và đầu vào.
 rd: điện trở khuếch tán emitor.

10 Nguyễn Thùy Linh

 2. Phƣơng pháp phân tích theo sơ đồ tƣơng đƣơng
(tiếp)
b) Sơ đồ tương đương hình П của Tranzistor ở tần số thấp:
′ ′
 Ở tần số thấp 𝐶𝑐𝑒 , 𝐶𝑏𝑐 , 𝐶𝑏𝑒 có trở kháng rất lớn nên có thể coi
như hở mạch tại các vị trí đó. Ta có sơ đồ như sau:
IB IC
B C

UBE rbe rce UBE/rd UCE

E
 Do β.IB = UBE/ rd nên thường hay thay UBE/rd bằng nguồn
dòng β.IB
rbe, rce : điện trở mặt ghép bazo - emitor, colector – emitor.

11 Nguyễn Thùy Linh

 2.2. Các sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng
Tranzistor
I. Sơ đồ emitor chung
1. Sơ đồ emitor chung đơn giản (không có HT âm xoay chiều)

Tác dụng các linh kiện trong sơ đồ? Loại hồi tiếp?
12 Nguyễn Thùy Linh
 2.2. Các sơ đồ khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng
Tranzistor (tiếp)
1. Sơ đồ emitor chung đơn giản (tiếp)
 HSKĐ điện áp toàn phần:
U  I B ( Rc // rce )  ( Rc // rce ) S ( Rc // rce )
Kutp  ra   
Un I B rbe  Rn  rbe 1  Rn / rbe  1  Rn / rbe 
Do Rn << rbe, RC << rce nên Kutp ≈ - SRC.
 HSKĐ dòng điện:
I C I B RC // rce  / RC rce 1
Ki    
IB IB RC  rce 1  RC / rce
Do RC << rce nên Ki ≈ β

• Trở kháng vào: ZV = Rn + rbe

• Trở kháng ra: Zr = RC // rce .
13 Nguyễn Thùy Linh
 I. Sơ đồ Emitor chung (tiếp)
2. Sơ đồ emitor chung có HT âm dòng điện
Sơ đồ nguyên lý:

Tác dụng các linh kiện trong sơ đồ? Loại hồi tiếp?
14 Nguyễn Thùy Linh
 I. Sơ đồ Emitor chung (tiếp)
2. Sơ đồ emitor chung có HT âm dòng điện
 Sơ đồ tương đương:

15 Nguyễn Thùy Linh

 I. Sơ đồ Emitor chung (tiếp)
2. Sơ đồ emitor chung có HT âm dòng điện (tiếp)
Các tham số:
 HSKĐ điện áp:

   RC / / rc 0     RC / / rc 0  1
KUtp   .
Rn  rbe  1    RE Rn  rbe  RE 1   .RE
Rn  rbe  RE
IC 1
 Hệ số khuếch đại dòng điện: Ki   
IB 1  RC / rc 0
 Trở kháng vào: ZV = Rn + rbe + (1+ β).RE
 Trở kháng ra: 𝑍𝑟 = 𝑅𝐶 // 𝑟𝑐0
16 Nguyễn Thùy Linh
 I. Sơ đồ Emitor chung (tiếp)
 Đặc điểm:
 Tín hiệu 𝑈𝑟 ra ngược pha với tín hiệu vào 𝑈𝑉 .
 Hệ số khuếch đại điện áp và dòng điện lớn (sơ đồ mắc E chung
hay được sử dụng).
 Trở kháng vào và trở kháng ra ở mức trung bình (vài chục KΩ).
 Sơ đồ E chung làm việc không ổn định ở vùng tần số cao, nhất là
dải siêu cao tần.
 Ứng dụng: được sử dụng rộng rãi trong thực tế vì KU, Ki lớn; tuy
nhiên BKĐ làm việc không ổn định ở vùng tần số cao nên chủ
yếu dùng ở phạm vi tần số thấp.

17 Nguyễn Thùy Linh

 2. Sơ đồ Collector chung (Emitor lặp)
 Sơ đồ nguyên lý, tác dụng linh kiện:

Sơ đồ tương đương? Tác dụng linh kiện?

18 Nguyễn Thùy Linh
 2. Sơ đồ Collector chung (tiếp)
Các tham số của mạch:
 Hệ số khuếch đại điện áp:
KU ≈ 1
 Hệ số khuếch đại dòng điện: IE
Ki    1
IB
 Điện trở vào: Z  R  r  1   R
V n be E

 Điện trở ra: 𝑅𝑛 +𝑟𝑏𝑒

𝑍𝑟 = //𝑅𝐸 //𝑟𝑐𝑒
1+𝛽

Với 𝑅𝐸 ′ = 𝑅𝐸 //𝑅𝑡 //𝑟𝑐𝑒

19 Nguyễn Thùy Linh

 2. Sơ đồ Collector chung (tiếp)
 Đặc điểm:
 Tín hiệu ra đồng pha với tín hiệu vào.
 Ki lớn nên nó được sử dụng làm tầng khuếch đại dòng điện.
 KU ≈ 1, Zv lớn, Zr nhỏ nên sơ đồ C chung được dùng làm các
tầng đệm để phối hợp trở kháng giữa các tầng khuếch đại với
nhau.
 Vì KU ≈ 1, tín hiệu ra đồng pha với tín hiệu vào nên sơ đồ này
còn có tên gọi là sơ đồ Emitor lặp lại.
 Ứng dụng: sơ đồ C chung dùng để khuếch đại dòng điện và
làm tầng đệm để phối hợp trở kháng giữa nguồn tín hiệu với tải
(Zv lớn, Zr nhỏ )

20 Nguyễn Thùy Linh

 3. Sơ đồ Bazo chung
 Sơ đồ mạch:

Tác dụng các linh kiện trong sơ đồ?

21 Nguyễn Thùy Linh
 3. Sơ đồ Bazo chung (tiếp)
 Các tham số cơ bản:
 Hệ số khuếch đại điện áp: K  U ra  S ( Rc // rce )  S .R
utp
Un 1  Rn / rbe  C

 Hệ số khuếch đại dòng điện: Ki = 1

 Trở kháng vào: Zv = 1/S
 Trở kháng ra: Zr = RC // rce

22 Nguyễn Thùy Linh

 3. Sơ đồ Bazo chung (tiếp)

 Đặc điểm:
 Tín hiệu ra đồng pha với tín hiệu vào.
 Hệ số KĐ điện áp lớn, hệ số KĐ dòng điện Ki = 1.
 Trở kháng vào nhỏ, trở kháng ra ở mức trung bình.
 Sơ đồ B chung làm việc ổn định ở vùng tần số cao.
 Ứng dụng: Sơ đồ B chung được dùng để khuếch đại điện áp ở
vùng tần số cao.

23 Nguyễn Thùy Linh

 4. Tổng kết về 3 loại sơ đồ cơ bản

Sơ đồ Emitor chung Colector Bazo chung

Tham chung

số
KU L 1 L
Ki L L 1
Zv TB L N
Zr TB N TB

24 Nguyễn Thùy Linh

 2.3. Các bộ khuếch đại dùng nhiều Tranzistor

1. Sơ đồ Darlington
 Mục đích: để tăng hệ số khuếch đại dòng điện Ki và trở kháng
vào có thể tổ hợp một số Tranzistor thành sơ đồ Darlington.

25 Nguyễn Thùy Linh

 1. Sơ đồ Darlington (tiếp)
 Các tham số:
IC1 = β1.IB1 + ICEo1
IC2 = β2.IB2 + ICEo2
IC = IC1 +IC2 = β1.IB1 + β2.IB2 + ICEo1 + ICEo2
IB2 = IE1 = IB1 + IC1 = (β1 + 1).IB1 + ICEo1
→ IC = [β1 +β1.β2 + β2].IB +(β2 +1). ICEo1 + ICEo2
 Hệ số khuếch đại dòng điện:
Ki = β1 +β1.β2 + β2 lớn
 Trở kháng vào: Zv = rbe1 + rbe2

26 Nguyễn Thùy Linh

 1. Sơ đồ Darlington(tiếp)
 Ƣu điểm: sơ đồ có Ki, Zv lớn
 Nhƣợc điểm:
 Sơ đồ Darlington có dòng điện dư lớn hơn sơ đồ dùng một
tranzistor vì dòng dư của T1 được T2 khuếch đại. Nếu mắc 3
tranzistor thì dòng điện dư lại tiếp tục được T3 khuếch đại. Vì
thế trong thực tế rất ít khi sử dụng sơ đồ có 3 tranzistor trở lên.
 Mức trôi điện áp của sơ đồ Darlington lớn gấp đôi so với trường
hợp dùng một tranzistor (do 2 mặt ghép B-E mắc nối tiếp nên:
𝑈𝐵𝐸 = 𝑈𝐵𝐸1 + 𝑈𝐵𝐸2 nên trôi điện áp cũng tăng).
 Để có hỗ dẫn lớn thường chọn IB1 > IB2. Điều này đạt được bằng
cách đưa vào emitor T1 một nguồn dòng hoặc mắc thêm R’E, R’E
phải có trị số lớn hơn rbe2 nhiều sao cho toàn bộ dòng tín hiệu Ie1
đi vào bazo của T2.

27 Nguyễn Thùy Linh

 2. Mạch Kaskode
 Đặc điểm: gồm 2 Tranzistor: Tranzistor T1 mắc emitor chung
nối tiếp với Tranzistor T2 mắc Bazo chung nhằm mục đích
phát huy được ưu điểm của mỗi sơ đồ và khắc phục các nhược
điểm của chúng.

28 Nguyễn Thùy Linh

 2. Mạch Kaskode (tiếp)
 Giả sử 2T giống hệt nhau → các tham số của chúng giống hệt
nhau: S1 =S2 = S; β1 = β2 = β
 Mạch E chung: Ki = β1
KU = S1.Zt = S1.Zv(T2) = S1.(1/S2) = 1
 Mạch B chung: Ki =1
KU = S2.RC
 Mạch Kaskode: Kitp = β1 = β
KUtp = S2.RC = S.RC
Zv = rbe
Zr = Zr (T2) = rce// RC

29 Nguyễn Thùy Linh

 2. Mạch Kaskode (tiếp)
Nhận xét:
 Mạch Kascode khuếch đại dòng điện ở tầng mắc emitter chung và
khuếch đại điện áp ở tầng mắc base chung, vì vậy nó có cả hệ số
khuếch đại dòng điện và hệ số khuếch đại điện áp lớn.
 Trở kháng vào của mạch Kascode là trở kháng vào của tầng mắc
emitter chung nên có giá trị trung bình.
 Trở kháng ra của mạch Kascode là trở kháng ra của tầng mắc base
chung nên có giá trị khá lớn.
 Vì tầng 1 mắc emitter chung không khuếch đại điện áp (KU1 = 1)
nên điện dung hồi tiếp Miller chỉ là Cht = KU1.Cbc = Cbc, điện dung
vào chỉ là CV = Cbe + Cht = Cbe + Cbc có giá trị nhỏ, do đó tầng
emitter chung làm việc tốt ở dải tần số cao. Vì vậy mạch Kascode
làm việc tốt ở tần số cao.
30 Nguyễn Thùy Linh
 2.4. Bộ khuếch đại vi sai
1. Đặt vấn đề
 Khi khuếch đại tín hiệu xoay chiều, tụ ghép tầng làm giảm ảnh
hưởng của hiện tượng trôi.
 Khi KĐ tín hiệu một chiều, trôi từ tầng trước ảnh hưởng tới tầng
sau.
→ Khắc phục: sử dụng BKĐ vi sai.
 Định nghĩa: bộ KĐ vi sai là bộ khuếch đại sử dụng 2 phần tử tích
cực, có 2 đầu vào 2 đầu ra, nó thực hiện khuếch đại hiệu 2 tín hiệu
đầu vào.
 BKĐVS chỉ chịu ảnh hưởng của hiệu các điện áp trôi ở đầu vào vì
vậy mức trôi rất nhỏ. Nếu bộ khuếch đại là đối xứng hoàn toàn thì
trôi được khử hoàn toàn.

31 Nguyễn Thùy Linh

 2.4. Bộ khuếch đại vi sai (tiếp)
2. Sơ đồ nguyên lý và các tham số cơ bản
 Sơ đồ nguyên lý:

Các khái niệm cơ bản:

• Điện áp vào hiệu:
Ud = Uv2 − Uv1
• Điện áp vào đồng pha:
U +U
Ucm = v2 v1
2
• Hệ số khuếch đại hiệu:
U −U
K d = ra2 ra1
𝑈𝑑
• Hệ số khuếch đại đồng pha:
∆U ∆U
K cm = ra1 = ra2
∆𝑈𝑐𝑚 ∆𝑈𝑐𝑚
𝐾𝑑
• Hệ số nén đồng pha G =
𝐾𝑐𝑚
32 Nguyễn Thùy Linh
 2.4. Bộ khuếch đại vi sai (tiếp)
2. Sơ đồ nguyên lý và các tham số cơ bản (tiếp)
 Nguyên lý làm việc:
 Nếu biểu diễn thành phần 2 điện áp vào theo biểu thức sau:
U d = U v1 - U v 2
U v1 + U v 2
U cm =
2
 Thì ta có:
U v 1 = U d + U cm / 2
U v 2 = U d - U cm / 2

33 Nguyễn Thùy Linh

 2. Sơ đồ nguyên lý và các tham số cơ bản (tiếp)
 Xét TH: Uh = 0, chỉ có điện áp vào đồng pha Uv1=Uv2=Ucm.
 Sơ đồ tương đương:
→Sơ đồ tương đương với sơ đồ
khuếch đại E chung có HT âm dòng
điện trên điện trở 2RE.
 RE càng lớn thì Kcm càng nhỏ

34 Nguyễn Thùy Linh

 2. Sơ đồ nguyên lý và các tham số cơ bản (tiếp)
 Xét trường hợp Ucm = 0, 𝑈𝑑 ≠ 0
 Sơ đồ tương đương:
→Sơ đồ tương đương với sơ đồ
khuếch đại E chung không có HT âm
→ sơ đồ có hệ số khuếch đại 𝐾𝑑 lớn
 TH cần lấy tín hiệu trên 1 đầu ra,
HSKĐ là:
U ra1 U rad K ud
Kud 1  Kud 2   
Ud 2U d 2

35 Nguyễn Thùy Linh

 2. Sơ đồ nguyên lý và các tham số cơ bản (tiếp)

 Xét TH: Uv1 ≠ Uv2 hay Ud ≠ 0 (Tín hiệu vào gồm: tín hiệu hiệu
và tín hiệu đồng pha)
 Bộ KĐ vi sai KĐ tín hiệu Ud với hệ số KĐ là Kud và KĐ tín hiệu
đồng pha với hệ số KĐ là Kcm
 Hệ số nén tín hiệu đồng pha: G  K ud
K cm
 Tăng G bằng cách: thay 𝑅𝐸 bằng nguồn
dòng có nội trở trong lớn như hình vẽ

36 Nguyễn Thùy Linh

 2.5. Mạch ghép giữa các tầng
 Nhiệm vụ:
 Truyền đạt tín hiệu từ tầng trước tới tầng sau sao cho tổn hao trên
nó là nhỏ nhất;
 Dịch mức tín hiệu để phối hợp với giữa mức tín hiệu ở đầu ra của
tầng trước với mức tín hiệu ở đầu vào của tầng sau.
1. Ghép trực tiếp
 Ưu điểm: đơn giản, kích thước nhỏ
 Nhược điểm:
 Không cách ly được 1 chiều
 Khó tính toán chế độ 1 chiều
 Trôi từ trầng trước → tầng sau.
 Ứng dụng: dùng trong các mạch tổ hợp.
37 Nguyễn Thùy Linh
 2.5. Mạch ghép giữa các tầng (tiếp)
2. Ghép điện trở
 Đặc điểm: R1, R2 tạo ra 1mức dịch
điện áp và gây ra tổn hao
 Ưu điểm:
 Đơn giản
 Tạo được dịch mức tín hiệu
 Nhược điểm:
 Không cách ly 1 chiều
 Mạch ghép phụ thuộc tần số
 Trôi từ tầng trước sang tầng sau.
• Ứng dụng: thường dùng để ghép tín hiệu 1 chiều và sử dụng
trong các mạch tổ hợp IC.
Nguyễn Thùy Linh
38
 2.5. Mạch ghép giữa các tầng (tiếp)
3. Ghép điện dung (RC):
 Ưu điểm:
 Cách ly chế độ một chiều
 Trôi tầng trước không đến tầng sau
 Nhược điểm:
 Không ghép được ở tần số thấp
 Gây ra di pha ảnh hưởng đến tính ổn định
của BKĐ
 Không dùng được cho các mạch tổ hợp
 Ứng dụng: được dùng rộng rãi trong các mạch rời rạc.

39 Nguyễn Thùy Linh

 2.5. Mạch ghép giữa các tầng (tiếp)
4. Ghép biến áp
 Ưu điểm:
 Cách ly được 1 chiều giữa các tầng
 Dễ phối hợp trở kháng.
 Nhược điểm:
 Có dải tần làm việc hẹp,
 Có kích thước và trọng lượng lớn
 Không thể ghép một chiều và không
thể tích hợp được.
 Ứng dụng: ghép biến áp được sử dụng để ghép tín hiệu xoay
chiều trong các mạch mắc linh kiện rời.
40 Nguyễn Thùy Linh
 2.5. Mạch ghép giữa các tầng (tiếp)

5. Một số cách ghép khác:

41 Nguyễn Thùy Linh

 Làm bài tập và chữa bài tập chƣơng

42 Nguyễn Thùy Linh

 Làm bài tập và chữa bài tập chƣơng

43 Nguyễn Thùy Linh

 Làm bài tập và chữa bài tập chƣơng

44 Nguyễn Thùy Linh

 Làm bài tập và chữa bài tập chƣơng

45 Nguyễn Thùy Linh

 Kết thúc chƣơng 2

THANK YOU
FOR YOUR ATTENTION !

46 Nguyễn Thùy Linh