Báo cáo Mô phỏng 1

Thông tin thành viên:

Tên thành viên 1:

MSSV thành viên 1:

Tên thành viên 2

MSSV thành viên 2:

Tên thành viên 3:

MSSV thành viên 3:

Problem 1: laser’s modulation bandwidth and bias current (4 điểm)

Câu hỏi 1: (2 điểm)

Hình 1: tín hiệu với bias 38mA
Hình 2: tín hiệu với bias 30mA
 Hình 3: tín hiệu với bias 20mA

Giải thích kết quả: để laser có thể hoạt động thì Ibias >= Ithreshold, còn không thì laser sẽ phát
xạ tự phát hoặc là không phát xạ.
Câu hỏi 2: (2 điểm)

Hình 4: tín hiệu với tốc độ bit 1Gbps

Hình 5: tín hiệu với tốc độ bit 5Gbps
Hình 6: tín hiệu với tốc độ bit 10Gbps
 Hình 7: tín hiệu với tốc độ bit 15Gbps

Giải thích kết quả: khi tăng tốc độ bit thì độ méo xung(pulse distortion) sẽ giảm đi và
đồng thời độ rộng phổ(spectral width) sẽ tăng.

Problem 2: fiber’s characteristics (3 điểm)

Câu hỏi 1: (1 điểm)

Giá trị suy hao ở 1310nm: α<=0.35(dB/km)

S0 ℷ4
Giá trị tán sắc ở 1310nm: D=
4 [ ]
ℷ− 03 =¿-0.259[ps/(nm.km)]
ℷ

dD
Giá trị độ dốc ở 1310nm: DS= =¿0.0866
dℷ
Giá trị suy hao ở 1550nm: α<=0.20(dB/km)

S0 ℷ04
4 ℷ[ ]
Giá trị tán sắc ở 1550nm: D= ℷ− 3 =¿16.166[ps/(nm.km)]

dD
Giá trị độ dốc ở 1550nm: DS= =¿0.055[ps/(nm^2.km)]
dℷ

Với các giá trị lần lượt là:

Câu hỏi 2: (1 điểm)

 Hình 8: tín hiệu với bước sóng 1310nm

- Trước khi truyền:

- Sau khi truyền:
-
 Hình 9: tín hiệu với bước sóng 1550nm

- Trước khi truyền:

 - Sau khi truyền:
-

Ở bước sóng nào tín hiệu bị méo dạng nhiều hơn?: ở bước sóng bằng 1550nm, tín hiệu bị
méo nhiều hơn tín hiệu ở bước sóng 1310

Câu hỏi 3: (1 điểm)

Giá trị công suất phát ở 1310nm: 5.49mW

Giá trị công suất phát ở 1550nm: 5.483mW

Giá trị công suất sau sợi quang ở 1310nm: 2.186mW

Giá trị công suất sau sợi quang ở 1550nm: 2.183mW

P out
Suy hao trên sợi quang ở 1310nm: l=−10 log = 3.999(dB)
P¿

P out
Suy hao trên sợi quang ở 1550nm: l==−10 log = 4(dB)
P¿

Problem 3: photodiode (4 điểm)

Câu hỏi 1: (1 điểm)

Đáp ứng của PIN: 0.9(A/W)

Độ lợi của PIN:

Dòng tối của PIN: 1.5(nA)

Tần số cắt của PIN: 5(GHz)

Nhiễu nhiệt của PIN:

4∗1,381∗10−23∗(30+273)
∗5∗10 9∗1.015∗102
4 k T 50 1.742*10^(-12)
σ 2= b N FTIA B BD= =¿
R 1.015∗10
(W/Hz)

Đáp ứng của APD: 18(A/W)

Độ lợi của APD: 20(V/W)

Dòng tối của APD: 1.5(nA)

Tần số cắt của APD: 400(MHz)

Nhiễu nhiệt của APD:

4∗1,381∗10−23∗(30+273)
∗400∗106∗1.015∗102
4 k T 50 1.303*10^(-13)
σ 2= b N FTIA B BD= =¿
R 1.015∗10
(W/Hz

Câu hỏi 2: (1.5 điểm)

BER khi dùng PIN: BER= 1

BER khi dùng APD: BER=1

So sánh BER khi dùng PIN và APD, trường hợp nào tốt hơn:

Giải thích tại sao:

Câu hỏi 3: (1.5 điểm)

Công suất phát tối thiểu để đạt BER=0.001 khi dùng PIN: P=

Công suất phát tối thiểu để đạt BER=0.001 khi dùng APD: P=
So sánh công suất phát tối thiểu khi dùng PIN và APD, trường hợp nào tốt hơn:

Giải thích tại sao: