Đại Học Quốc Gia Tp.

HCM ĐỀ THI HỌC KỲ I, 2017-2018

Trường Đại Học Bách Khoa MÔN: MẠCH ĐIỆN TỬ - EE2007
Khoa Điện - Điện Tử Ngày: 22/12/2017
Bộ Môn Viễn Thông Thời gian: 90 Phút (12g30 - 14g00)
ooOoo Sinh Viên Không Được Phép Sử Dụng Tài Liệu
Họ & Tên: ............................................................ MSSV: ..................... Nhóm: .................
Điểm Cán Bộ Coi Thi GV Tổng Hợp Đề BM Viễn Thông

1 Đề thi này gồm có 8 trang, 4 câu. Sinh viên làm bài trực tiếp trên đề thi.
2 Sinh viên điền đầy đủ Họ, Tên vào mỗi tờ giấy làm bài.

Câu 1: (2 /
đ) Cho mạch khuếch đại liên tầng như Hình 1. Các BJT có các thông số như sau: 𝑄 :
𝛽 = ℎ𝑓 𝑒 = 80, 𝑟𝜋 = ℎ𝑖𝑒 = 2.5 kΩ, 𝑄
: 𝛽
= ℎ𝑓 𝑒
= 60, 𝑟𝜋
= ℎ𝑖𝑒
= 2 kΩ. Các tụ điện có giá trị rất lớn.

𝑉𝐶𝐶

𝑅 68 kΩ 𝑅 4.7 kΩ

𝑅𝑖𝑛 𝑅𝑜𝑢𝑡
𝑄

𝑅𝑠𝑖𝑔
𝐶
𝑄
0.5 kΩ 𝑣𝑜
𝐶

𝑣𝑠𝑖𝑔 𝑅
15 kΩ 𝐶
𝑅 6.8 kΩ 𝑅 10 kΩ
𝑅 1.2 kΩ 𝑅 0.2 kΩ

Hình 1: Câu 1.

1.1. Vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ của mạch trên.

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1.2. Tìm 𝑅𝑖𝑛 , 𝑅𝑜𝑢𝑡 , và tính độ khuếch đại 𝐺𝑣 = 𝑣𝑜 /𝑣𝑠𝑖𝑔 ?

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Câu 2: (2 /
đ) Cho mạch khuếch đại như ở Hình 2. Transitor có các thông số như sau 𝑔𝑚 = 2 mA/V, điện
trở 𝑟𝑜 = 𝑟𝑑𝑠 = 20𝑘Ω.
𝑉𝐷𝐷

𝑅𝑜𝑢𝑡
𝑅 10 MΩ 𝑅𝐷 2 kΩ
𝑅𝑖𝑛
𝑣𝑜 (𝑡)
𝑅𝑠𝑖𝑔 𝐶

𝑄
1 kΩ 𝐶

𝑅𝐿 10 kΩ
𝑣𝑠𝑖𝑔 (𝑡) 𝑅
10 MΩ
𝑅𝑆 1 kΩ
𝐶

Hình 2: Câu 2.

2.1. Tìm 𝑅𝑖𝑛 , 𝑅𝑜𝑢𝑡 và tính độ khuếch đại dãy giữa 𝐺𝑣 = 𝑣𝑜 /𝑣𝑠𝑖𝑔 ?

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 2.2. Ở tần số cao có các tụ ký sinh 𝐶𝑔𝑠 = 10𝑝𝐹 và 𝐶𝑔𝑑 = 2𝑝𝐹 . Vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ của
mạch ở tần số cao? Tính tần số cắt cao của mạch 𝑓𝐻 ?
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2.3. Các tụ điện 𝐶 = 𝐶
= 100𝑢𝐹 , 𝐶 có giá trị vô cùng lớn. Tìm tần số cắt thấp của mạch 𝑓𝐿 ?
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2.4. Các tụ điện 𝐶 = 𝐶
= 𝐶 = 100𝑢𝐹 . Tìm tần số cắt thấp của mạch 𝑓𝐿 ?
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Câu 3: (2 /
đ) Cho mạch khuếch đại dùng OpAmp lý tưởng như Hình 3.

𝑣𝑖 𝑣𝑂

𝑅
𝑅 𝑅
𝑅

𝑣𝑂
𝑅
𝑅
𝑅

𝑣𝑖
𝑣𝑂

Hình 3: Câu 3.

3.1. Tìm biểu thức điện áp ngõ ra 𝑣𝑜 theo các điện áp ngõ vào 𝑣𝑖 và 𝑣𝑖
?
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 3.2. Nếu 𝑣𝑖 = 1𝑉 , 𝑣𝑖
= 2𝑉 , 𝑅 = 1𝑘Ω, 𝑅
= 2𝑘Ω, 𝑅 = 3𝑘Ω, 𝑅 = 4𝑘Ω. Tính điện áp ngõ ra 𝑣𝑜 ? Nhận
xét về vai trò của các OpAmp sử dụng trong mạch?

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3.3. Các hạn chế của mạch trên là gì? Đề xuất giải pháp khắc phục các hạn chế này?

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Câu 4: (2 /
đ) Cho mạch khuyếch đại công suất đẩy kéo lớp B (AB) dùng cặp Transistor bổ phụ 𝑄 , 𝑄

như Hình 4. Các BJT có các thông số như sau: 𝑄 : 𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝛾 = 0.6 V, 𝑄
: 𝑉𝐸𝐵
= 𝑉𝛾
= 0.6 V. Giả sử bỏ
qua tổn hao công suất trên các điện trở 𝑅 , 𝑅
, 𝑅 .

12 kΩ

𝑄
𝐶
𝐸 15 V

𝑅𝑒 1Ω
𝑅𝑜
𝑅
4Ω
𝑅𝑒
1Ω
𝑣𝑠𝑖𝑔
𝐸 15 V

𝐶
𝑅

12 kΩ

Hình 4: Câu 4.

4.1. Tìm công suất tiêu thụ xoay chiều tối đa trên tải 𝑅𝑜 ?
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4.2. Tìm công suất tiêu tán trung bình trên điện trở 𝑅𝑒 khi biên độ điện áp trên tải là 4𝑉 ?
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 4.3. Xác định giá trị điện trở 𝑅 để tránh méo xuyên tâm?
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4.4. Tìm công suất tiêu tán tối đa trên mỗi BJT?
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4.5. Xác định biểu thức và vẽ dạng sóng điện áp 𝑣𝑐𝑒 (𝑡) của BJT Q1 khi biện độ dòng qua tải là
𝑖 = 𝑠𝑖𝑛(1000𝜋𝑡) (A), đơn vị của t là s?
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