METALLERDE HALL OLAYI

Şekil 1 Metallerde Hall olayı deney sistemi

İlgili konular
Normal Hall olayı, yük taşıyıcıları, Hall mobilitesi elektronlar

Prensipler

Çinko ve bakır ince film tabakalarda hall olayı çalışılacak ve Hall katsayısı belirlenecektir.
Sıcaklığın Hall voltajına etkisi araştırılacaktır.

Yapılacak Ölçümler
1. Bakır ve çinko ince film
tabakalarda Hall voltajı ölçülecek;
2. Hall katsayısı akım ve manyetik
indüksiyon ölçümlerinden tayin
edilecek;
3. Bakır numunede sıcaklığın Hall
voltajına etkisi araştırılacak.
Teori

B manyetik alanı içerisine dik açıyla

yerleştirilen ve kalınlığı t olan
dikdörtgen prizma biçiminde bir
iletken üzerinden (Şekil 2.) alana
dik bir I akımı geçirilirse, akım Şekil 2 Metallerde Hall olayı numunesi
 taşıyıcılar (pozitif yüklü ve pozitif x yönünde hareket ettikleri kabul edilirse) üzerine etki eden
Lorentz kuvveti

𝐹⃗ = 𝑞(𝑣⃗𝑑 × 𝐵
⃗⃗ )

olarak verilir. Burada vd taşıyıcıların sürüklenme hızı ve q yükleridir. Şekil 2.’den görüldüğü
gibi yük taşıyıcıları z ekseni doğrultusunda yüzeyde toplanırlar. Denge durumunda manyetik
kuvvet yüzeyde toplanan yüklerin oluşturduğu elektriksel kuvvet qEH (burada EH yüklerin
oluşturduğu Hall alanı) tarafından dengelenirler.

Şekil 3 (a) Yük taşıyıcıları negatifse üst yüzey negatif (b) yük taşıyıcılar pozitifse üst yüzey pozitif
olarak yüklenir
⃗⃗ ) = 𝑞 𝐸𝐻
𝑞(𝑣⃗𝑑 × 𝐵

𝐸𝐻 = 𝑣𝑑 𝐵

𝑉𝐻 = 𝑑𝐸𝐻 = 𝑑𝑣𝑑 𝐵
𝐼 = 𝑛𝑞𝑣𝑑 𝐴 ve 𝐴 = 𝑑𝑡

Bu değerler potansiyel formülünde yerine konulduğunda aşağıdaki ifade edilir.

𝐼𝐵 𝑅𝐻 𝐵𝐼
𝑉𝐻 = =
𝑛𝑞𝑡 𝑡

RH Hall katsayısı olup RH=1/nq olarak ifade edilir. İki yüzey arasındaki potansiyel ölçülerek
Hall voltajı bulunur. Yük taşıyıcılarının tipi Hall katsayısının işaretinden belirlenir. Metallerde
negatif taşıyıcılar elektronlardan, pozitif taşıyıcılar ise kusur elektronları (defect electrons) dır.
Hall voltajını belirleyici unsur taşıyıcıların mobiliteleri (hareketlilik özelliği) dir. Hall voltajı
yalnızca pozitif ve negatif yük taşıyıcıları farklı mobiliteye sahip olmalarından kaynaklanır.

Deneyin Kurulması ve Çalıştırılması

Deney sistemi Şekil 1.’de devre şeması ise Şekil 4. de verilmiştir.

- Ölçüm yapılacak ince film tabakayı kutupların ortasına gelecek şekilde yerleştiriniz.
- Hall probu manyetik alanın merkezine gelecek şekilde dikkatlice yerleştiriniz.
 - Ölçü almak için kullanılacak olan “Universal measuring amplifier” 15 çalıştıktan sonra
dengeye ulaştığından onu en az 15 dakika ölçe ısınması için çalıştırınız.
- Alanların birbirlerini etkilemesini önlemek için “Universal measuring amplifier”
bağlantı kablosunu mümkün olduğu kadar kısa seçiniz veya bükerek kısaltınız.
- I akımını “ Power Supply 0-30 VDC/20A stable, 13536.93” kaynaktan alınız.
Kaynaktan en fazla 15A kısa süreli akım alabilirsiniz. Yüksek akımda uzun süre
çalıştırmayınız.

Şekil 4 Hall olayı için devre şeması

Hall numunesi
üzerinde manyetik alan olmamasına rağmen bir Hall kontaklarında bir voltaj ölçebilirsiniz.
Bunun sebebi ise Hall kontakları üretim hatalarına bağlı olarak tam simetrik olmayabilir. Bunu
telafi etmek için potansiyometreyi kullanınız ve aşağıdaki işlemleri yapınız.

-I akımının bağlantılarını devreden çıkarınız.

- “Universal measuring amplifier” çıkışını 1V ayarlayınız. ( he=104, amplification =105 )
alarak ayarlama işlemini yapabilirsiniz.
- I akımı kablolarını tekrar yerine bağlayınız.
-Hall numunesi bağlantıları ile “Universal measuring amplifier” arasındaki kabloları bükerek
kendiliğinden oluşan voltajı mümkün olduğu kadar azaltmağa çalışınız.
- “Compensating potentiometer, telafi potansiyometresi (kart üzerinde)” amplifikatör çıkış
voltajı 1V oluncaya kadar bir tornavida yardımıyla ayarlayınız.
- Bu işlemleri gerekirse bir çok defa tekrarlayarak hassas bir ayarlama yapınız.
Hall voltajı, mikrovolt mertebesinde olduğundan, kontaklarda oluşan potansiyelden, termal
potansiyelden ve teller üzerinden geçen doğru akımın oluşturduğu alandan dolayı oluşan
gürültülerden etkileneceğinden ölçülmesi zor olan işlemdir.
- I akımını istediğiniz değere ayarlayınız.
- Manyetik alanı istediğiniz değere ayarlayınız (power supply 13500.93 kullanınız)
- “Universal measuring amplifier” voltajını 1.5V ayarlayınız (Compensation potential).
- Manyetik alanı besleyen güç kaynağının anahtarını kullanarak alanı “on” ve “off”
durumuna getiriniz. (“Universal measuring amplifier” ve multi-range meter pik
değerlerinden kurtularak dengeye geldiğinde ) Hall voltajını okuyunuz. Okunan
voltajların farkını alarak 105 bölünüz (çünkü amplifikatör 105 defa yükseltiyor) ve UH
Hall voltajını bulunuz.
Ölçülerinizi bakır ve çinko numuneler için şu şekillerde yapınız. Her iki numune için UH=f(B)
ve UH=f(I) grafiklerini çiziniz.
Tablo 1 Manyetik indüksiyonun ve akımın fonksiyonu olarak Hall voltajı ölçümleri ( Bakır
için t=18 µm, I=12A , çinko için t=25 µm, I=12A)

Bakır
B mT VA(Volt) VK(Volt) V=VK-VA UH=V/105
Açık Kapalı (Volt) µV
-250
-200
-150
-100
-50
+50
+100
+150
+200
+250

Bakır
IA VA(Volt) VK(Volt) V=VK-VA UH=V/105
Açık Kapalı (Volt) µV
-15
-10
-5
+5
+10
+15

Çinko
B mT VA(Volt) VK(Volt) V=VK-VA UH=V/105
Açık Kapalı (Volt) µV
-250
-200
-150
-100
-50
+50
+100
+150
+200
+250

Çinko
IA VA(Volt) VK(Volt) V=VK-VA UH=V/105
Açık Kapalı (Volt) µV
 -15
-10
-5
+5
+10
+15

Bakır için t=18 µm, B=250mT , çinko için t=25 µm, B=250mT alınız.

Her iki numune için UH=f(B) ve UH=f(I) grafiklerinin eğimini hesaplayarak RH (Hall katsayısı)
hesaplayınız, bulduğunuz değerleri birbiriyle ve literatür değerleri (Bakır: RH=-0.53x10-10
m3/As; çinko: RH =0.33x10-10 m3/As), ile kıyaslayarak yorumlayınız. Farklı değerlere nelerin
sebep olduğunu araştırınız. Ayrıca RH=1/nq ifadesinde q=1.6x10-19 C alarak taşıyıcı sayısını (n)
bulunuz.

Not: Grafiklerinizi EXCEL kullanarak çiziniz ve lineer regresyon analizi yapınız.

(YouTube’daki grafik çizme ve lineer regresyonla ilgili konu anlatımlarından faydalanarak bu
işlemleri kolaylıkla yapabilirsiniz.)

Kaynak:

[1] Serway, ‘Fen ve Mühendislik İçin Fizik II’ Palme Yayıncıcılık,Beşinci Baskıdan Çev.Edit.
Kemal Çolakoğlu, 2012, Ankara, Bölüm 29 Sayfa 918-927