Université de JUEL Faculté des sciences de 'ingénieur Département d’Electronique Série de TD 2 : physique des composants semiconducteurs MI Microelectronique Exercice 1 On réalise sur un substrat de silicium de type n et de résistvité 4.5Q.em, PN abrupte avec une tension de diffusion de 0.78V.. =1350em/Vs, ny=2.10"cm?, Ne=2.8.10%cm?, Ny=1.2.10%cm?, Eg-l.leV, pn=1350em'/Vs, Up 26mV i T300°K. . 1. Calculer Ie dopage et la position du niveau de Fermi des deux régions. 2. ‘Tracer le diagramme des bandes d’énergie. ine jonction Exereice 2 On considére D ; une diode PN abrupte idéale en silicium a la température ambiante To i | | | 1%) A partir des expressions dela position du niveau de Fermi dans un semiconducteur P et de le position du niveau de Fermi daas un semiconducteur N, établir Pexpression de Pénergie de la barrée de potentiel de le jonction PN’ non polariséeen fonction des dopages des partes P et N et du nombre intrinséque. 2°) Le dopage de la partie P étant 100 fois plus grand que le dopage de la partie N, en Aéduire Vexpression de la densité N des impuretés domneuses en fonction de la tension de barriéze de la jonction non polarisée. Cette tension étant de 0.65 V.; calouler le dopage de la partie N (cm”). 3°) A partir de Vhypothése de SHOCKLEY, établir lexpression et calculer Pépaisseur de la zone désertée (yum) et l'amy dans cette zone (kV/em), Exereice 3 Une diode est réslisée& partir d'une jonction pa au silicium dont les taux de dopage et Jes longueurs des régions n et p sont respectivement Nd 10cm; Na=10"em, | dn=10ym et dp-300um. La section de la jonction est $=104im?. Les mobilités et lee Tongueurs de'dilusion des. ectrons et des. trous. sont respectivement. Hn=1400em"/Vs, Ln=0.1um , up=S00em*/Vs, et Lo-5 é | intrinstque est :ni=10!cm*, tah 1. Caleuler la tension de diffusion Vd de la jonction 2. Calculer le courant de saturation Is de lajonction Scanné avec CamScannerrw de Fi r la large 3. La diode est polarisée par une tension inverse de SV. Calcule la ZCE. is de,1V. Calculer 4. La diode est polarisée par les tensions directes de 0.5V puis 7 Tes courants traversant la diode, VU2ZNa Vn J4 Exercice 4 -onstituée de deux régions homogénes dopées respectivement avec Na=10"'cm™ et Nd=10!Scm’?. Les longueurs des régions n a Pp sont de plusieurs dizaines de micrométres, Les mobilités et les durées de ne les. Porteurs minoritaires sont respectivement jin=770cm?/Vs , t=10"s et H=10" s, La densité de porteurs intrinséques du silicium a température ambiante est ni=10 Yom”. J. Calculer dans chacune des régions la distance du niveau de Fermi au niveau de Fermi intrinséque. 2. Calculer la tension de diffusion de Ia jonction, 3. La jonction est polarisée par une tension directe de 260mV, calculer les densités de Porteurs minoritaires aux frontiéres de la ZCE. Une jonction pn abrupte au silicium est c Scanné avec CamScannerScanné avec CamScanner=>. (3s Si = CoM Male San mo b. a His obs aatnets) paul Padi Na = \ = Pht ie Tier? 3s 5 Ne AEN dbl doce? We Benak p | Fe ey eae gna +S £Nd e rf ec aes! pe PE 3S Ro ey Nass doy hy = Gey = bon By HAGE BSR Fle =< 4a 5 BFF lier A050 46" El ie ~ O65 24 O56 Ai orie "2 sly eset Wet hae =A, O95 Hon Ena = E(u so) | win: £ Re} s ad «I () = ae ta) Scanné avec CamScannerScanné avec CamScannerScanné avec CamScanner