MJEŠOVITA SREDNJA TEHNIČKA ŠKOLA TRAVNIK

U Travniku

Šk. 2 0 2 0 /2 02 1 . god .

MATURSKI RAD
Tema: Planar na tehnologija

PREDMET: Elektronika

UČENIK: Dženana Begović MENTOR: prof.Robert.Mešeg

Travnik, Februar 2021

SADRŽAJ

1.UVOD.................................................................................................................................................... 3
2.PLANARNI PROCES ............................................................................................................................... 4
2.1.Priprema silicijumske pločice ........................................................................................................ 4
2.2.Epitaksijalni rast ............................................................................................................................ 6
2.3.Oksidacija ...................................................................................................................................... 7
2.4.Izrada fotomaski ............................................................................................................................ 8
2.5.Fotolitografija ................................................................................................................................ 9
2.6.Difuzija ......................................................................................................................................... 10
2.7.Izrada električnih veza ................................................................................................................. 11
3.ZAKLJUČAK ......................................................................................................................................... 13
4.LITERATURA ....................................................................................................................................... 14

2
1.UVOD

Pojam elektronika obično se odnosi na granu nauke, tehnike i tehnologije koja proučava pojave
povezane sa transportom elektrona i drugih električno polarizovanih čestica kroz poluprovodnike,
gasove i vakuum, kao i na upotrebu ovih pojava u sasvim praktične svrhe. Treba napomenuti da je
područje elektronike vrlo široko i da praktično nema ljudske aktivnosti u koju elektronika nije prodrla i
značajno doprinijela njenom razvoju. Elektronika dominira u područjima radiotehnike i
telekomunikacija, automatizacije, mjernih tehnika i instrumenata, računarske tehnologije i obrade
podataka, a sve više određuje tempo razvoja energetike, mašinstva, medicine, informatike, prometa,
ratne tehnologije i oružja i svih vrsta upravljanja i donošenja odluka. Poluvodiči, odnosno, slobodno
možemo reći, silicijum, igraju vodeću ulogu u modernoj elektronici. To je dominantan poluprovodnički
materijal koji se koristi od pojave planarne tehnologije i, kako procjene pokazuju, zadržat će to mjesto
u bliskoj budućnosti. 1959. godine u Fairchildu se pojavio poseban tehnološki postupak u proizvodnji
diskretnih elektroničkih komponenata, koji je nazvan planarni proces, odnosno planarna tehnologija.

U nastavku rada opisat ćemo postupak u kojem se formiraju monolitni integrirani krugovi i od kojih se
procesa sastoji planarna tehnologija, opisat ćemo svaki postupak pojedinačno i objasnit ćemo
postupke pripreme silicijskih pločica, epitaksijalni rast, monokristal odvajanje, oksidacija, izrada
fotomaska, difuzija i metalizacija, tj. proizvodnja električnih veza.

3
2.PLANARNI PROCES

Monolitni integrirani sklopovi formiraju se planarnim procesom. Uvođenjem tog procesa u

poluvodičku tehnologiju silicij je zamjenio germanij i postao osnovni materijal u elektronici. Naziva se
planarnim zbog toga što se taj proces rezultira u približno planarnoj strukturi iako se komponente
formirane tim procesom proteže u sve tri dimenzije. Planarne dimenzije ostvarenih komponenata
redovito su puno veće od volumnih, jer je prodiranje pojedinih komponenti u volumen silicijumske
pločice vrlo malen u usporedbi sa njenom debljinom. Pri tome površina silicijumove pločice ostaje
relativno ravna i nakon primjene svih postupaka planarnog procesa.

Planarni proces sastoji se od pet osnovnih postupaka:

 priprema silicijumske pločice

 epitaksijalni rast
 oksidacija
 izrada fotomaski
 fotolitografija
 difuzija
 izrada električnih veza

2.1.Priprema silicijumske pločice

Poluvodički monokristali najčešći su oblik u kojemu se poluvodički materijal upotrebljava. Kako je

većina poluvodiča umjetnog porijekla, razvijeno je niz različitih postupaka dobivanja monokristala. Na
svojstva poluvodiča, osim primjesa, utječu i kristalografski defekti, kao što su: tačkasti, linijski ili plošni.

Najvažniji postupci rasta kristala iz taljevine za dobivanje velikih i homogenih monokristala su:

 Bridgemanov
 Czochralskoga
 postupak lebdeće zone.

Polikristalni silicij, koji je osnovni materijal, dobija se iz trgovačkog ferosilicija. Klorovodikom se silicij
prevede u triklorsilan, koji se čisti, te se reakcijom s vodikom dobiva čisti polikristal u obliku granulata
ili polikristaličnih štapova ( tzv. Ingota ). Kao granulat služi za dobivanje monokristala postupkom
Czochralskog, a u obliku štapa postupkom lebdeće zone.

4
Planarni proces počinje od silicijeve monokristalne pločice ( engl. Wafera ). Ona se dobija iz
monokristalnog štapa silicija koji se reže u pločice debljine 250 – 650 µm posebnim pilama u obliku
koluta ili danas laserom. Takvim se rezanjem u kristalnu strukturu unosi minimalan broj defekata. Na
površini pločica ostaje mehanički oštećena, pa se pločice zato bruse i poliraju, odnosno vrši se zonalno
prečišćavanje koje će biti prikazano na slici 1.0.

1.0.Zonalno prečišćavanje silicijuma

1. ulaz zaštitnog gasa

2. gornja osovina
3. držač silicijuma
4. silicijumski štap
5. istopljena zona silicijuma
6. visokofrekventna zavojnica
7. kvarcna cijev
8. donji držač silicijuma
9. donja osovina
10. izlaz zaštitnog gasa
11. sijalica sa reflektorom za predgrijavanje

Zonalno prečiščavanje se vrši tako što se silicijumski štap topi u jednoj uskoj zoni po dužini. Ova zona
se pomjera od jednog prema drugom kraju štapa. Uslijed toga što je koncentracija nečistoća veća u
tečnoj nego u gasovitoj fazi, nečistoća se povlači ka kraju štapa. Ovo povlačenje tečne zone se vrši
nekoliko puta, od početka prema kraju. Na taj način dio štapa, bliži početku, očisti se od nečistoća. Kraj
štapa se odsječe, te ostaje samo dio sa velikom čistoćom. Si- pločica upotrebljena u integrisanom kolu
treba da bude N ili P tipa, sa određenom koncentracijom primjesa. Pored toga, mora biti i
monokristalna. To znači da raspored atoma u njoj mora imati određeni poredak.

5
Da bi se dobio monokristal, vrši se takozvano izvlačenje kristala, kao što je prikazano na slici 1.1.

1.1.Izvlačenje monokristala

1. osobina nosača klice

2. nosač klice
3. klica
4. suženi dio klice
5. izvučeni monokristal
6. visokofrekventna zavojnica
7. istopljeni silicijum
8. grafitni tigl
9. osovina koja nosi tigl
10. kvarcna cijev
11. ubacivanje primjesa

U tigl u kome se nalazi istopljeni Si, zaroni se dio monokristalnog silicijuma. Podešavanjem temperature
istopljenog silicijuma malo iznad tačke topljenja, uslijed hlađenja na mjestu dodira sa monokrostalom,
silicijum se taloži na početni monokristal ( klicu ). Obrtanjem i izvlačenjem, monokristal raste u obliku
okrugle šipke, održavajući isti raspored atoma kao što je u klici. Prilikom ovog izvlačenja dodaje se
primjese u određenoj količini, kako bi se dobio monokristal sa primjesama željene koncentracije.
Monokristal se u daljnjoj obradi siječe dijamantskom testerom na kriške, nešto deblje od potrebne
debljine pločica. Poslije toga se kriške bruse da bi se skinuo sloj oštećen testerom, pa se potom poliraju
da bi se otklonila i posljednja mehanička oštečenja i površina postala idealno ravna. Izvjesnim
hemijskim čiščnjem ili nagrizanjem i pranjem u dejonizovanoj vodi, priprema pločica je završena.

2.2.Epitaksijalni rast

Pločice se koriste kao klica za rast kristala epitaksijalnim postupkom. Rast kristala istog materijala kao
što je klica naziva se homoepitaksija, a klica se tad zove supstrat. Moguće je da na nekom supstratu
naraste i neki drugi materijal, uz uvjet da taj materijal kristalizira u istom tipu kristalne rešetke i da se
parametri rešetke međusobno bitno ne razlikuju. Takav rast naziva se heteroepitaksija.

Primjenom epitaksijalne tehnike na podlozi P-tipa raste sloj N-tipa nanošenjem atoma silicija i atoma
primjesa. Proces se odvija na visokoj temperaturi od preko 1000°C. Debljina epitaksijalnog sloja
obično iznosi 3-10 µm.

6
Epitaksijalni rast silicijeva kristala vrši se u tzv. epitaksijalnom reaktoru. U epitaksijalnom reaktoru se
silicijeve pločice sa čistom i hemijski poliranom površinom zagrijavaju. Sastoji se od:

 kvarcna cijevi
 pločice silicijuma
 grijnog tijela
 Visokofrekventne zavojnice

Tokom epitaksijalnog rasta plinovi koji sadržavaju silicijeve atome struje preko zagrijanih silicijevih
pločica. Kao noseći plin upotrebljava se vodik sa silicij-tetrakloridom ( SiCl4 ) ili silanom ( SiH4 ). Ova
dva spoja silicija su ujedno i njegov izvor za proces. Vodikovom redukcijom silicij-tetraklorida ili
pirolitičkom dekompozicijom silana oslobađaju se silicijevi atomi, koji se natalože na površini silicijevih
pločica. Zbog prirode epitaksijalnog procesa, silicijevi atomi se talože ravnomjerno na kristalnu
strukturu pločice. Zato raste debljina pločice. Ovako se taloži intrinzični silicij. Kako je za ostvarenje
raznih elektroničkih komponenti potrebno imati P i N tip poluvodiča, oni se unose tokom procesa u
kontroliranim iznosima donorskih ili akceptorskih atoma u struju nosećeg plina, čime se talože na
pločici zajedno sa silicijevim atomima.

Nedostatak epitaksijalnog procesa je mogućnost pojave većeg broja različitih kristalnih defekata, koji
nepovoljno djeluju na električne karakteristike. Ti kristalni defekti reduciraju vrijeme života manjinskih
nosilaca u epitaksijalnom sloju, povećavaju odvodne struje reverzno polariziranih PN spojeva i izazivaju
lokalne naponske proboje. Epitaksijalni slojevi su električne otpornosti od 0,001 do 100 Ωcm.
Nedostatak epitaksijalnog procesa je mogućnost pojave većeg broja različitih kristalnih defekata, koji
nepovoljno djeluju na električne karakteristike. Ti kristalni defekti reduciraju vrijeme života manjinskih
nosilaca u epitaksijalnom sloju, povećavaju odvodne struje reverzno polariziranih PN spojeva i izazivaju
lokalne naponske proboje. Epitaksijalni slojevi su električne otpornosti od 0,001 do 100 Ωcm.

2.3.Oksidacija

Oksidacija ili pasivizacija površine silicija najčešće se postiže termičkim rastom silicij-dioksida ili
pirolitičkom depozicijom silicij-nitrida. Pasivizirajući dielektrični sloj na površini pločice ima tri osnovna
zadatka:

 služi kao difuzijska maska za selektivnu difuziju primjesa u silicij

 štiti PN spojeve na površini silicija od vanjskih utjecaja
 služi kao dielektrik MOS-kondenzatora i tranzistora, te kao izolator preko kojeg se nanose
metalne veze među pojedinim komponentama monolitnog integriranog sklopa.

Termičkim rastom oksida ili nanošenjem nekog drugog dielektričkog sloja na površinu pločice s
epitaksijalnim slojem osigurava se pasivizacija, što znači da površina hemijski teško reagira s vanjskim
elementima i spojevima. Tipična debljina oksidnog sloja je 0,1 µm. Ponekad se oksidacija vrši izravno
na podlozi, bez epitaksijalnog sloja.

Oksidni se sloj nanosi na silicijevu površinu termičkom oksidacijom u atmosferi kisika ili vodene pare
pri temperaturi od 900 do 1200°C prema reakcijama. Kako je silicij-nitrid znatno manje osjetljiv na
ionske utjecaje od silicij dioksida, ponekad se upotrebljavaju pasivizirajući slojevi sa silicij-nitridom
umjesto silicij-dioksida, posebno kad se žele realizirati monolitni integrirani sklopovi otporni na ionske
utjecaje.

7
Oksidacija silicijuma se obično vrši u peći za oksidaciju, koja je prikazana na slici 1.2.

1.2.Peć za oksidaciju silicijuma

 grijno tijelo sa otpornim grijačem

 kvarcna cijev
 silicijumske pločice
 ulaz oksidanta ili pare sa nosećim gasom
 izlaz gasa

U kvarcnu cijev na nosaču koji je također napravljen od kvarca, postavljaju se silicijeve pločice tako da
budu u sredini zone grijanja. Grijanje je obično otporno na više temperature. Temperatura na kojoj se
vrši oksidacija je od 900-1200 ° C. Oksidacija na višim temperaturama teče brže. Stoga se viša
temperatura koristi za deblje, a niža za tanje slojeve. Temperatura je bila obično oko 1100 ° C. Kroz
kvarcnu cijev teče ili suhi kisik ili neki neutralni plin sa vodenom parom.

2.4.Izrada fotomaski

Fotomaske za planarnu tehnologiju zapravo su fotonegativi koji se koriste za fotolitografsku

proizvodnju oksidnih maski na silicijskim pločicama ili za dobivanje metalnih maski za parenje u tehnici
tankog filma. U planarnoj tehnici, istovremeno se na jednoj silicijskoj pločici izrađuje veliki broj
elemenata ili integriranih krugova. Dakle, na jednom fotomasku element, odnosno integrirani krug,
treba pomnožiti. Fotomaskovi se moraju raditi vrlo precizno. Ako su elementi manji, trebate više maski
koje se uzastopno koriste, što veća preciznost mora biti.

8
2.5.Fotolitografija

Procesu fotolitografije prethodi postupak izrade maski za difuziju i metalizaciju. Ovisno o vrsti sklopa i
tehnološkom postupku, broj potrebnih maski obično varira između tri i osam. Optička maska, izrađena
u obliku fotonegativa, prenosi se na površinu silicija prekrivenog oksidnim slojem fotolitografskim
postupkom.Kompletan fotopostupak je prikazan na slici 1.3.

1.3.Fotolitografski postupak

a) nanošenje fotoresta na oksidni sloj

b) djelovanje ultraljubičastog svjetla na fotot
c) područije a nepolimerizovanog fotorezista
d) odstranjivanje nepolimerizovanog fotorezista
e) odstranjivanje oksidnog sloja
f) odstranjivanje polimerizovanog fotorezista

Prvi korak je pokrivanje površine silicijeve pločice fotoosjetljivom emulzijom, poznatom kao fotorezist.
Ako se želi u oksidnom sloju napravit otvor za selektivnu difuziju primjesa, na optičkoj maski područje
koje odgovara otvoru za difuziju mora biti neprozirno za ultraljubičasto svjetlo. Pod djelovanjem
ultraljubičastog svjetla dolazi do polimerizacije fotorezista u osvijetljenom dijelu, dok u
neosvijetljenom dijelu fotorezist ostaje nepolimeriziran. Vrsta fotorezista koji se polimerizira pod
utjecajem ultraljubičastog svjetla naziva se negativni fotorezist. Djelovanjem odgovarajućeg razvijača,
odstranjuje se nepolimerizirani fotorezist iz neosvijetljenog dijela. Na polimerizirani fotorezist taj
razvijač ne djeluje. Postoji i pozitivni fotorezist, te se postupak može analogno odvijati s njim.

Na fotorezist se preslikava negativ optičke maske, jer neprozirnom polju u njoj odgovara otvor u sloju
fotorezista. Djelovanjem fluorovodične kiseline uklanja se sloj silicij-dioksida s površine koja nije
prekrivena polimeriziranim fotorezistom. Kiselinom se uklanja preostali sloj silicij-dioksida s
odgovarajućim otvorima za difuziju primjesa. Za postupak fotolitigrafije važna je izrada maski.
Zahvaljujući računalnom dizajnu, topografski podaci o maski unose se na magnetsku vrpcu. U
posebnom uređaju iz podataka nastaje slika u mjerilu 10:1, a u redukcijskoj kameri se reducira na
stvarne dimenzije.

9
2.6.Difuzija

Difuzijom primjesa P-tipa na epitaksijalni N-sloj ( ili N-tipa na epitaksijalni P-sloj ), formira se PN-spoj.
Difuzije se može vršiti na dva načina:

 difuzija iz neograničenog izvora

 difuzija iz ograničenog izvora.

Difuzija iz ograničenog izvora podrazumijeva da se difuzija odvija uz konstantnu površinsku

koncentraciju atoma primjesa tokom cijelog trajanja procesa. U silicijum, u ovom slučaju, se difundira
više atoma primjesa što je trajanje pocesa duže i temperatura difuzije je viša. Tipični podaci su:

 temperatura difuzije : 900- 1300°C

 trajanje difuzije: od nekoliko desetaka minuta do nekoliko sati

Pri difuziji područje gdje difundiraju primjese je šire od prozora predviđenog maskom u
fotolitografskom postupku. Tako PN-spoj dolazi na površinu silicijeve pločice ispod oksidnog sloja. Sam
difuzijski proces služi za upravljivo unošenje primjesa u pločicu kroz difuzijske prozore. Proces je
učinkovit pri visokim temperaturama. Difuzija se obavlja u difuzijskim pećima koja je prikazana na slici
1.4.

1.4.Peć za difuziju

1. kvarcna cijev
2. grijno tijelo za zagrijavanje difundanata
3. ladica sa difundantom
4. termospreg sa instrumentom
5. silicijumske pločice
6. nosač silicijumskih pločica
7. grijno tijelo za zagrijavanje silicijuma
8. termospreg sa instrumentom za mjereje temperature

Difundat je u obliku pare koja se nalazi u nosećem gasu. Oko kvarcne cijevi ( 1 ) kroz koju protiče azot,
nalazi se spolja grijač ( 2 ), a u unutrašnjosti sud sa difundantom ( 3 ). Difundant je materijal koji daje
primjesne atome za difuziju. Može bitičisti materijal ( naprimjer, antimon ), ili neko jedinjenje koje se
na temperaturi difuzije raspada. Difundant se zagrijava do temperature isparenja koja se mjeri pomoću
terposprega ( 4 ). Azot koji se dovodi na ulaz cijevi, nosi sa sobom pare difundanta na silicijumske
pločice ( 5 ), koje su postavljene vertikalno na kvarcnom nosaču ( 6 ). Oko cijevi, na mjestu gdje je
silicijum, nalazi se grijač ( 7 ) koji zagrijava silicijum do temperature na kojoj se vrši difuzija.
Temperatura se mjeri termospregom ( 8 ).

10
Atomi se na površinu silicija dodaju iz gasa, ali i isparavaju sa površine. Na određenoj temperaturi,
ovisno o vrsti nečistoće, uspostavlja se ravnoteža između prispjelih i isparenih atoma, gdje je tijekom
difuzije površinska koncentracija nečistoća konstantna. Difuzija se obično vrši kroz oksidnu masku, tj.
Kroz otvore na silicijum-dioksidu. Treba voditi računa o difuziji silicija ispod oksida. Na slici 1.5. vidi se
kako nečistoće prodiru u silicijum kroz otvor u oksidu dubine, normalne na površinu, i dubine paralelne
površini silicija ispod oksida.

1.5.Difuzija se vrši samo kroz otvore u oksidu

Difuzija je volumna pojava, ali je zadovoljavajuće i opisivanje jednodimenzionalnim modelom. Trajanje

depozicije fosfora je 10 do 20 minuta pri temperaturama od 800 do 1100 °C, a dubina prodiranja
fosfora je manja od 0,2 µm. Površinska koncentracija fosfora određena je temperaturom depozicije.
Istovremeno se, u praksi, uz dušik pušta i kisik, kako bi površina silicija lagano oksidirala. Nakon
depozicije, jetkanjem se uklanja oksidni sloj bogat fosforom. Difuzija je za sve primjese ista, a depozicija
se razlikuje prema vrsti primjese i njenom agregatnom stanju.

2.7.Izrada električnih veza

Ovaj postupak služi za izradu metalnih kontakata s pojedinim komponentama monolitnih sklopova,
kao i za vanjske veze preko sloja oksida. Kod unipolarnih tranzistora, ovim se postupkom formiraju i
upravljačke elektrode. Najčešće se za metalizaciju koristi aluminij. Aluminij ostvaruje neispravljački
kontakt sa silicijem, te ima nizak iznos električne otpornosti, dobro prianja na sloj silicijevog dioksida i
dobro odvodi toplinu, pa je zato vrlo pogodan za kontakte. Jedan od načina kako se aluminijski tanki
film nanosi na površinu pločice je vakuumsko naparavanje. U uvjetima visokog vakuuma isparava
aluminij. On se naparuje na površinu silicijeve pločice. Taj tanki metalni ( aluminijski ) film obično je
debljine 0,5 do 2 µm, te se nanosi po cijeloj površini pločice. Kako bi se uklonio s dijelova gdje nisu
potrebni, ili čak poželjni, metalni kontakti, koristi se fotolitografski postupak. Fotolitografijom se
uklanja metal sa svih dijelova pločice, osim tamo gdje je potreban kontakt. Preostali metal se legira
kako bi se konačno formirali kontakti i veze među komponentama preko sloja oksida ( npr. SiO2 ).
Metalizacija treba da ispuni sljedeće zahtjeve:

 formiranje neispravljačkih kontakata sa silicijem

 nizak iznos specifičnog otpora
 dobro prijanjanje na sloj silicij dioksida
 dobro odvođenje toplote

11
Tanak metalni film nanosi se na površinu monolitnog integriranog sklopa na razne načine. Jedno od
najčešćih je vakumsko parenje. U uvjetima visokog vakuuma metal isparava, a zatim isparava na
površini silicijske pločice s difuznim monolitnim sklopovima. Metal se zagrijava na temperaturu
isparavanja zagrijavanjem volframovom niti ili zagrijavanjem elektroničkim mlazom. Tijekom parenja
na cijelu površinu pločice nanosi se tanki metalni film tipične debljine od 0,5 do 2 µm. Fotolithografskim
postupkom uklanja se metalni film s onih dijelova ploče gdje metalizacija nije predviđena električnom
shemom sklopa. od stvaranja kontakata sa silicijumom p-tipa doći će do neispravnog kontakta između
aluminijuma i silicija. Međutim, prilikom uspostavljanja kontakta sa silicijumom n tipa, u određenim je
slučajevima moguća pojava ispravljačkog kontakta, jer se tokom procesa legiranja događa prijelaz
atoma aluminijuma u silicij. Priroda legiranja je takva da se pri koncentraciji davaoca na površini atoma
silicija, atomi donora u silicijumu prekomponuju s prihvatnim atomima aluminijuma koji prodiru u
silicijum, stvarajući tako ispravljajući PN kontakt. Pojava neželjenog ispravljačkog kontakta se izbjegava
ako se prethodno izvrši difuzija s površinskom koncentracijom atomskih davalaca prije nanošenja
metalnog sloja na silicij n-tipa. To je naravno neophodno ako spomenuti uslov već nije ispunjen. Na
slici 1.7. predstavljen je shematski prikaz planarnog procesa.

1.7.Planarni proces

a) monokristalna silicijeva podloga

b) nanošenje epitaksijalnog sloja
c) nanošenje oksidnog sloja
d) otvor za difuziju u oksidnom sloju
e) diguzija primjesa i formiranja pn spoja
f) nanošenje metalnog kontakta

Do sada spomenuti i opisani postupci osnova su planarne tehnike. Međutim, još uvijek postoji mnogo
postupaka koji se koriste u planarnoj tehnici kao koristan dodatak.

12
3.ZAKLJUČAK

Planarni proces je proces kojim se formiraju monolitni integrisani sklopovi koji se sve više primjenjuju
u raznim područjima radiotehnike, telekomunikacija, automatike, mjerenje tehnike i slično. Sastoji se
od niza procesa priprema silicijumske pločice, epitaksijalnog rasta, oksidacije, fotolitografije, difuzije te
izrada električnih veza. Priprema silicijumske pločice vrši se hemijskim razlaganjem silina ili
silicijumtetrahorida, nakon toga vrši se zonalno prečišćavanje zbog toga što silicijum nije još dovoljne
čistoće. Kada se Si pločica pročisti ona treba da bude N ili P tipa, sa određenom koncentracijom
primjesa. Pored toga mora biti i monokristalna. Nakon toga slijedi proces epitaksijalnog rasta. On može
da se vrši i selektivno na određenim mjestima. To su obično predhodno iskopane rupe u silicijumskoj
pločici. Zatim slijedi proces oksidacije. Oksidacija silicijuma se vrši radi stvaranja oksidnog sloja na
površini silicijuma. Nakon oksidacije silicijuma ide izrada fotomaski. Fotomaske za planarnu tehnologiju
su, ustvari, fotonegativi koji se koriste za fotolitografsko dobijanje oksidnih maski na pločici silicijuma,
ili za dobija nje metalnih maski za naparavanje u tankoslojnoj tehnici. Fotolitografija je selektivno
nagrizanje ili metala ili dielektrika. Dielektrik je obično silicijumdioksid a metal, napareni aluminijum.
Zatim slijedi proces difuzije s kojim se dobijaju PN spojevi te se postupkom metalizacije realizuju
kontakti s pojedinim područijima komponenata monolitnog sklopa, a i veze među kontaktnim
mjestima preko sloja kojim je zaštićena silicijeva površina. Spojna otpornost jeste jedan od parametara
koji se mnogo koristi za određivanje karakteristika planarnih procesa u projektovanju integrisanih kola.
Ona se može mjeriti metodom sa četri šiljka koja se sastoji od četiri elastična šiljka obično od volframa
koji su postavljeni na napon na istom rastojanju.

13
4.LITERATURA

http://msts-travnik.net/wp-content/uploads/2013/10/Elektronika-IV-razred-planarni-proces.pdf

Elektronika za IV razred elektro-tehničke škole ( Aida Stanić Kurtović i Faruk Kurtović )

14
Datum predaje rada: / / godine.

Komisija:

Predsjednik:

Ispitivač:

Član:

Datum odbrane: / / godine. Ocjena: ( )

15