Approche de la modélisation distribuée appliquée à la diode PIN de

puissance utilisant le langage VHDL-AMS

Adnan HNEINE
LAAS-CNRS, 7, avenue du Colonel Roche, 30177 Toulouse Cedex 4

Cet article présente l’une des premières implémentations en VHDL-AMS d’une

modélisation distribuée appliquée à la diode PIN de puissance. Cette modélisation
est basée sur une approche unidimensionnelle de l’équation de diffusion ambipolaire
décrivant le comportement des charges dans la zone faiblement dopée du composant.
La méthode permet de transformer cette équation dans l’espace et le temps en un
ensemble fini d’équations différentielles sur la variable du temps. L’adaptation du
modèle au langage VHDL-AMS est démontrée par l’implantation du modèle dans le
simulateur Questa-AMS. Pour valider le modèle, des résultats de simulation seront
comparés avec des résultats expérimentaux. La cohérence des résultats obtenus à
partir de la simulation de la diode dans un circuit hacheur simple montre l’efficacité
et la robustesse du modèle.

I. INTRODUCTION évènements discrets dans les librairies

À l’heure actuelle, la demande de
l'électronique de puissance ne cesse
d'augmenter pendant que les applications de
faible puissance se développent. En
conséquence, la performance, la fiabilité et
l'intégration sont de plus en plus importants
et correspondent à des préoccupations
actuelles de la communauté de recherche.
Les dispositifs à semi-conducteurs doivent
donc rester efficaces non seulement dans
des conditions normales de fonctionnement,
mais aussi dans des conditions extrêmes.
Ces conditions inhabituelles de
fonctionnement sont par exemple la
surcharge transitoire, le régime de court-
circuit, le champ électromagnétique, le
stress thermique, etc…[1]
La simulation des systèmes a un rôle
majeur dans la vérification du bon
fonctionnement d'un circuit électronique.
Le processus de simulation des systèmes
nécessite un langage qui permette de
décrire de façon adaptée les différents les
éléments du système.
VHDL-AMS (IEEE 1076-1999) permet
de décrire des modèles multi-abstractions,
multi-disciplinaires (diagrammes d’états,
modèle Spice, modélisation thermique,
modèles électromécaniques, etc..),
hiérarchiques à temps continu et à
externes. Il permet de gérer aussi bien en
numérique qu'en analogique les abstractions
comportementales (la fonction), structurelle
(la netliste de modèles) et signal-flow (sous
forme de boites noires). [2]
Une des tendances principales dans la
communauté VHDL-AMS est la
modélisation des objets élémentaires dans
les domaines physiques appropriés
(électronique, optique, mécanique) de
manière à ce que ces objets peuvent être
reliés ensemble d'une manière simple par
l'ingénieur. De plus la puissance de VHDL-
AMS se fonde sur le fait qu'elle permet au
concepteur de détailler seulement les
équations constitutives des sous-modèles
internes constituant le système global
(fig.1).
FIG. 1. Stratégie de modélisation pour la simulation
d'un système global utilisant le langage VHDL-AMS
 V0(t) V1(t)
II. MODELES ELECTRIQUES DES
R0 C0 I0(t) R1 C1 I1(t)
COMPOSANTS BIPOLAIRES DE
PUISSANCE Iepair(t) Ieimpair(t)

Vnmax-1(t) Vnmax(t)
A. Equation de diffusion ambipolaire
Rnmax-1 Cnmax-1 Inmax-1(t) Rnmax Cnmax Inmax(t)
Avec les hypothèses simplificatrices
d'unidimensionnalité, quasi-neutralité et de Raddpaire Raddimpaire
haute injection, le comportement des porteurs
dans la région de base large est décrit par FIG. 2. Circuit électrique équivalent à la répartition
l'équation classique et fondamentale de des porteurs dans la base
diffusion ambipolaire.
!p(x, t) p(x, t) !p(x, t) Ces cellules élémentaires de rang k sont
D = + (1) composées d'une résistance Rk , d'un
!x 2 ! !t
où p(x, t) est la concentration des porteurs condensateur Ck et d'une source de courant
! leur durée de vie et D est la constante de I k (t) mise en parallèle.
diffusion ambipolaire. D et ! sont supposées • Pour k = 0
indépendantes de la position x. " C =x !x
La solution analytique de l'équation de $ 0 2 1

diffusion ambipolaire est connue en statique, # ! (5)

mais en dynamique, aucune solution n'existe. $ R0 = x ! x
Pour cela, un développement en série de % 2 1

Fourier (éq. 2) peut être utilisé comme solution • Pour k ! 0

de l'équation. " x !x
"
k! (x ! x1 ) $ Ck = 2 1
p(x, t) = V0 (t) + #Vk (t)cos (2) $$ 2
(x2 ! x1 )
k=1 # 2 1 (6)
Cette solution en développement de Fourier $ Rk = x ! x 1 k 2 ! 2 D
p(x, t) [3] permet à l'équation de diffusion $ 2 1
+
ambipolaire (éq.1) de se convertir en un $% ! (x2 ! x1 )
ensemble infini d'équations différentielles du Les deux lignes paire et impaire sont excitées
premier ordre suivant la valeur de k. Citons le par une source de courant I epair (t) et I eimpair (t)
cas pour k=0 :
dV0 (t) V0 dont les expressions en fonction des courants de
(x2 ! x1 )( + )= trous ( p ) et d’électrons ( n ) aux extrémités
dt !
(3) sont données par les équations (7) et (8).
# "p(t) "p(t) &
D% x2 ! x1 ( ! I 0 (t) I p1 ! I p2
$ "x "x ' I epair (t) = (7)
qS
(
" dx dx %
avec I 0 (t) = )Vn (t) $ 1 ! (!1)n 2 ' (4) D " I n1 + I n2 I p1 + I p2 %
# dt dt & I eimpair (t) = $ ! ' (8)
n=1
2qS $# Dn Dp '&
Ces équations peuvent être représentées à
l'aide d'un circuit électrique constitué de deux
lignes paire et impaire. Ces lignes sont B. Modèle de la diode de puissance PIN
composées d'une infinité de cellules RC
élémentaires où la tension aux bornes de chaque La figure 3 représente la structure de la
cellule représente un coefficient Vk (t) de la diode de puissance, indiquant les principaux
phénomènes physiques pris en compte. De trois
série de Fourier (fig.2).
à cinq régions distinctes doivent être
considérées, selon les conditions de
fonctionnement [4]. Entre ses régions citons
quelques unes :
• Les émetteurs fortement dopés, qui
injectent les porteurs dans la base large
 et faiblement dopée en polarisation
directe. Ces émetteurs ne sont pas
parfaitement efficaces et une partie du
courant circulant à travers les jonctions
émettrices est due au courant de
recombinaison des porteurs
minoritaires ( I n1 et I p2 ).
• La région de base qui contient la zone
de stockage des porteurs et aussi les
couches adjacentes de charge d'espace
qui apparaissent au recouvrement
inverse lors du phénomène de
désaturation. L'évolution de la
distribution de la concentration des
porteurs au recouvrement inverse est
indiquée dans la figure 3.
FIG. 3. Structure d'une diode PIN faisant apparaitre
les principaux phénomènes physiques et l'évolution
de la distribution des porteurs au recouvrement
inverse
III. RESULTATS DE SIMULATION
Le circuit électrique utilisé pour la
simulation de la diode de puissance PIN est
un simple hacheur [5] (fig.4). Les valeurs
des paramètres électrique du circuit sont :
dI
I f = 1A , E = 30V , f = 13A / µ s .
dt
V D IF
+
I L
E des systèmes de gestion d’énergie, car il est
L'
D'
K
FIG. 4. Circuit électrique de test utilisé pour la
simulation de la diode PIN de puissance
Tension (V)
41ns
99ns
200ns
Temps (µs)
FIG. 5. Simulation de la diode PIN en fonction de la
durée de vie des porteurs pour T=300 K
IV. AVANTAGE DU LANGAGE VHDL-
AMS POUR LA SIMULATION DES
SYSTEMES
Parmi les divers avantages de ce langage
de description notant en particulier :
• Elégante solution aux problèmes
électron-thermiques en ajoutant un nœud
thermique à n’importe quel élément du
circuit qui a son tour peut être branché à un
environnement thermique.
• Vérification en temps réel du champ
de validité des modèles en utilisant
l’instruction « assertion and report
statements » qui vérifie si les conditions
sont satisfaites sur les variables du modèle.
• Réalisation d’un logiciel superviseur
pour échanger des données entre une
simulation électrique et un simulateur 3D
(thermique, électro-mécanique, électro-
magnétiques).
V. CONCLUSION
Dans cet article nous présentons une
approche de modélisation distribuée
appliquée à la diode PIN de puissance mise
en œuvre, pour la première fois en VHDL-
AMS. La modélisation de la diode PIN est
la première étape. En effet à terme, VHDL-
AMS permettra la modélisation complète
bien adapté à la modélisation et la
simulation des systèmes mixtes.
Les étapes suivantes sont la modélisation
de l’IGBT et de son environnement
électrothermique afin de simuler des
convertisseurs complets.
 Ces modèles permettent une étude dès la
phase de conception des composants en
analysant leurs interactions avec les
différents éléments du circuit. L’avantage
offert par ces modèles permet leur
intégration facile dans un environnement de
conception complet.

VI. REFERENCES

[1] P. Austin and J. Sanchez, Distributed

Modeling Approach Applied to the IGBT.
Springer, 2010.
[2] P. Ashenden, G. Peterson, and D.
Teegarden, The system designer’s guide to
VHDL-AMS: analog, mixed-signal, and
mixed-technology modeling. Morgan
Kaufmann Pub, 2003.
[3] P. Gillet, M. Kallala, J. Massol, and P.
Leturq, “Résolution analogique de
l’équation de diffusion ambipolaire =
Analog reslution of the ambipolar diffusion
equation,” Comptes rendus de l’Académie
des sciences. Série II, Mécanique, physique,
chimie, astronomie, vol. 321, no. 2, pp. 53–
59, 1995.
[4] P. Leturcq, M. Berraies, and J. Massol,
“Implementation and validation of a new
diode model for circuit simulation,” in
Power Electronics Specialists Conference,
1996. PESC’96 Record., 27th Annual IEEE,
vol. 1. IEEE, 2002, pp. 35–43.
[5] G. Bonnet, “Approche distribuée des
structures de type bipolaire adaptée à la
conception des systèmes de l’électronique
de puissance,” Ph.D. dissertation, 2003.