TSIEN TTT CAPITULO Diodos Semicondutores 1.1 INTRODUCAO Algumas décadas apés a introdugio do transistor em 1940, tem se percebido uma mudanga muito dramitica na inddstra elet nica. A miniaturizagdo crescente leva-nos a questionar sobre seus limites. Sistemas completos aparecem agora sobre um wafer milhares de vezes menor do que um simples elemento dos eir- cuitos anteriores. As vantagens associadas com os sistemas atu- ais, quando comparados com circuitos a vélvulas dos anos ante- riores, sio, para a maioria, imediatamente Gbvias: menores ¢ le- vves, nenhuma necessidade de aquecimento ou perda de calor (como necessério para vilvulas), construcdo mais robusta, mais eficiente, e ndo requer periodo de aquecimento. ‘A miniaturizado de anos recentes tem resultado em sistemas ‘do pequenos que o objetivo principal do encapsulamento € sim- plesmente fornecer algum meio de manusear 0 dispositive e ga- rantir que as conexdes mantenham-se adequadamente fixas a0 ‘wafer semicondutor. Os limites da miniaturizagao parecem ser estabelecidos por trés fatores: a qualidade do material semicon- mem qualquer tentativa de estabelecer corrente no sentido oposto. Em. resumo: As caracteristicas de um diodo ideal sdo aquelas de uma ‘chave que pode conduzir corrente somente em um sentido. Na descrigao dos elementos a seguir, & importantfssimo que as diversas letras dos sfmbolos, polaridades de tensdo e sen tidos de corrente sejam definidos. Se a polaridade da tensa0 aplicada é consistente com aquela mostrada nia Fig. I.la, a regido da curva caracterfstica a ser considerada na Fig. 1.1b esta & direita do eixo vertical. Se uma tensdo reversa for apli- cada, a regido esquerda da curva é considerada. Se a corrente através do diodo tem a diregao indicada na Fig. 1.1a, a regido da curva caracteristica a ser considerada esté acima do eixo horizontal, enquanto uma inversio no sentido exigiria 0 uso da curva abaixo do eixo. Para a maioria das caracteristicas do dispositivo mostradas neste livro, a ordenada (ou eixo “y") serio eixo da corrente, enquanto a abscissa (ou eixo °x") sera oeixo da tensa. ‘Um dos parimetros importantes para 0 diodo ¢ a resistén- cia no ponto ou regido de operagao. Se considerarmos aregi de condugio definida pelo sentido de /, e polaridade V, na Fig. ) Fig. 11 Diodo ideal: (a) simbolo;(b) curva earateristca.2 Dispostives Eletronicos e Teoria de Circuitos Cuno-cresito Shi i cut) 1, mitada plo cir @ © Fig. 1.2 Estados de (a) condugoe (b)nlo-condugao do dnd ideal detesminados pe poarizaao apicada. 11a (quadrant superior direto da Fig. 1.1b), coneluiemos que ‘o valor da resisténcia direta, R,, conforme definida pela lei de Ohm. é ve Ip 2, 3, mA, ov {ou qualquer valor positive Re 0 © (curto-circuito) onde V, € a tensdo direta através do diodo e /, é a corrente direta através do diodo. Odiodo ideal é, portanto, wn curto-circuito para a regio de condugao, Se considerarmos agora a regio de potencial negativo apli- cado (terceiro quadrante), da Fig. 1.1b, 20, ov qualquer potencial de polarizagao reversa ‘Oma = 2 O (circuito-aberto) 6 a corrente re- onde V, € a tensdo reversa através do diodo,¢ I, versa do diodo, O diodo ideal é, portanto, um circuito-aberto na regiao de ndo-condugao. Em resumo, as condigdes descritas na Fig. 1.2 sio aplicaveis. Em geral, érelativamente simples determinar se um diodo est na regiio de condugdo ou ndo-condugao, observando-se simples- mente a diregao da corrente /, estabelecida por uma tensao apli- cada, Para o fluxo convencional (oposto ao fluxo do elétron), se a corrente de diodo resultante tem mesmo sentido que a seta do simbolo do diodo, 0 diodo ests operando na regio de condu- io conforme descrito na Fig, 1.3a, Se a corrente resultante tem, 4 diregdo oposta, como mostrado na Fig. 1.3b, 0 circuito-aberto equivalente € apropriado. Conforme indicado anteriormente, o propésito principal des- ta segdo ¢ introduzir as caracteristicas de um dispositivo ideal, ‘por comparaco com as caracteristicas da variedade comercial A medida que avangamos nas préximas seqdes, devemos man- ter as seguintes questdes em mente: Quao préximo iré a resistencia direta ou “ligada” de um diodo real equivaler ao nivel 0-0 desejado? Arresisténcia de polarizagio reversaésuficientemente grande para permitir uma aproximagdo de circuito-aberto? 1.3. MATERIAIS SEMICONDUTORES ‘A propria expresstio semicondutor apresenta uma sugestlo so- bre sua caracteristica. O prefixo semi-€ normalmente aplicado a ‘uma faixa de niveis situada entre dois limites. O termo condutor € aplicado a qualquer material que sus tenta um fluxo de uso de carga, quancio uma fonte de tensiio amplitude limitada € aplicada através de seus terminais. Um isolante é 0 material que oferece um nivel muito bai- 1x0 de condutividade sob pressio de wma fonte de tensdo aplicada. Um semicondutor 6, portanto, 0 material que possui wm nivel de condutividade entre os extremos de um isolante e um condutor. Inversamente relacionada d condutividade de um material est sua resisténcia ao fluxo de carga, ou corrente, Isto é, maior o nivel de condutividade, menor o nivel de resisténcia. Em tabelas, 0 termo resistividade (p, letra grega rho) € geralmente usado quando se compara aos niveis de resistencia dos materiais. Em unidades métricas, a resistividade de um material é medida em 9-cm ou Q-m. As unidades de N-cm so obtidas pela substituigao das tunidades para cada quantidade da Fig. 1.4 na seguinte equagio (que se obtém da equagao bisica de resisténcia R = pl/A): an Tp Ip=0 1.3 Estados de (a) condugdo(b) nio-condugo do dodo ideal, como deter rminado pelo sentido da corrente convencionalestabelecida peo cireuito,Fig. 14 Definindo as unidades métrias de resistividade. De fato, se a drea da Fig. 1.4 € | em? e o comprimento I cm, valor da resisténcia do cubo da Fig. 1.4 ¢ igual & resistividade do material, conforme demonstrado abaixo: L_ dem) IRl= 6 re) A il lembrar deste fato ao compararmos os niveis de = |pfohms Sera resistividade nas discusses a seguir. ‘No Quadro 1.1, 0s valores tipicos de resistividade sao forne- cidos por ts grandes categorias de materiais. Embora voc® possa estar familiarizado com as propriedades elétricas do cobre e mica deestudos passados, as caracteristicas dos materiais semicondu- tores de germanio (Ge) e silicio (Si) podem ser relativamente inéditas. Como voce verificard nos capitulos a seguir, eles no so, com certeza, os dois tnicos materiais semicondutores. Eles sio, contudo, os dois materiais que tm recebido maior interesse no desenvolvimento de dispositivos semicondutores. Em anos recentes, a tendéncia 6 a adogio do silicio em detrimento do ge ‘manio, mas o germanio ainda continua em modesta produgio. ‘Observe no Quadro I. a diferenga extrema entre os mater ais condutor e isolante para o comprimento de 1 em (drea de 1 cm?) do material. Dezoito posigdes separam 0 ponto decimal de ‘um niimero para o outro. Justfica-se a atencdo que Ge e Si rece- bbem por varias razdes. Uma consideragiio muito importante € {ato de eles poderem ser fabricados em um nfvel muito grande de pureza, De fato, avancos recentes tém reduzido niveis de im- pureza no material puro para uma parte por 10 bilhdes (1:10.000,000.000). Alguém poderia perguntar se estes niveis reduzidos de impureza sao mesmo necessérios. Eles certamente slo, se considerarmos que a adigio de uma parte de impureza (do tipo adequado) por milhio em um wafer do material de silicio pode mudar aquele material de um condutor relativamente po- bre para um bom condutor de eletricidade. Estamos lidando, & claro, com um espectro totalmente novo de niveis de compara- 20, quando lidamos com 0 meio semicondutor. A capacidade de mudar significativamente as caracteristicas do material atra- vvés deste processo, conheciddo como “dopagem”, jé€ uma razio do porque o Ge e Si tém recebido toda esta atengdo. Outras ra- ‘ies incluem o fato de suas caracteristicas poderem ser muito alteradas pela aplicagao de calor ou luz — uma consideragio importante no desenvolvimento de dispositivos sensiveis ao ca- lore luz QUADRO 1.1 Valores de Resistividade Tipicos Condor ‘Semicondutor Irolante p= 10" Dem (ica) 0° 2m (cobee) e 50 Q-em (germinio) 50% 10° D-em (ico) Diodos Semicondutores 3 cima sto devidas a suas estruturas atomicas. Os étomos de ambos, (os materiais formam um modelo bem preciso, que é peri por natureza (isto é, repetem-se continuamente). Um modelo completo € chamado cristal, e relica & 0 arranjo peridico dos tomos. Para Ge e Si, o cristal tem a estrutura de diamante tridi- mensional da Fig. 1.5. Qualquer material composto apenas de estruturas cristalinas repetidas no mesmo tipo & chamado de uma estrutura de cristal singular. Para materiais semicondutores de aplicag2o prética no campo de eletrOnica, esta caracteristica de cristal singular existe e, além disso, a periodicidade da estrutura ‘iio muda significativamente com a adicao de impurezas no pro- cesso de dopagem. ‘Vamos agora examinar a estrutura do étomo e observar como ele poderia afetar as caracteristicas elétricas do material. Como se sabe, 0 dtomo & composto de trés particulas bisicas; 0 elétron, © proton e 0 néutron. Na estrutura atOmica, 0s néutrons formam © micleo, enquanto que os elétrons giram em torno do niicleo em uma drbita fixa, Os modelos de Bohr dos dois semicondutores mais comumente usados, germdnio e silicio, sao mostrados na Fig. 1.6. Conforme indicado pela Fig. 1.6a, 0 étomo de germanio tem 32 elétrons orbitando, enquanto osilicio tem 14. Em cada ca8o, cexistem quatro elétrons na camada mais externa (valéncia). potencial (potencial de ionizagdo) exigido para qualquer um = Nédleo © Fig. 1.6 Escutura aimica (a) do germanio:(b) do slo,4 Dispositivas Fletrdnicos e Teoria de Circuitos pe - os es ae ? = Fg, 1.7 Ligago covalente do tomo de silico. destes quatro elétrons de valencia € menor do que 0 necessério para qualquer outro na estrutura, Em um cristal puro de germé- rio ou silicio, estes quatro elétrons de valéncia esto ligados a ‘quatro tomos de ligago, conforme mostrado na Fig. 1.7 para o silicio. Tanto Ge como Si sio referidos como dtomos tetravalen- tes, pois eles tém, cada um, quatro elétrons de valencia. Uma ligagdo de étomos, baseada no compartilhamento de elétrons, € chamada ligagdo covalente, Embora a ligagao covalente resulte em uma ligagdo mais for- te entre os elétrons de valéncia e seus étomos da matriz, ainda & possivel para os elétrons de valencia absorverem energia cinéti- ca suficiente de fatores naturais, para quebrarem a ligagdo e as- sumirem o estado “livre”. O termo “livre” revela que seu movi- ‘mento é bem sensivel aos campos elétricos aplicados, como os, estabelecidos pelas fontes de tenslo, ou qualquer diferenga de po~ tencial, Estes fatores naturaisincluem efeitos como aenergia da, luz na forma de fotons e a energia térmica do meio. A tempera- ‘ura ambiente, existem aproximadamente 1,5 X 10" portadores livres em um centimetro cibico de material de siliciointrinseco. Materiais intrinsecos so aqueles semicondutores que fo~ ram cuidadosamente refinados para reduzirem as impu- rezas a um nivel muito baixo — essencialmente tdo puro quanto possivel através da tecnologia moderna, Os elétrons livres no material, devido somente aos fatores naturais, sio referidos como portadores intrinsecos, Na mesma temperatura, um material de germénio intrinseco tera aproxima- damente 2,5 X 10" portadores livres por centimetro cabico. A raziio entre o miimero de portadores no germanio e 0 numero no silicio é maior do que 10°, ¢ indica que 0 germanio é melhor con- dutor & temperatura ambiente. Isto pode ser verdade, mas am- bos sii ainda considerados maus condutores no estado intrin- seco, Observe que no Quadro 1.1 a resistividade também difere por uma razio em torno de 1000:1, com o silfcio apresentando (© maior valor. Obviamente, esse resultado esté de acordo uma vez que a resistividade e a condutividade estao inversamente re- lacionadas. Um aumento na temperatura de um semicondutor pode resultarem um aumento substancial no nimero de elétrons, livres no material a A medida que a temperatura aumenta a partir do zero absolu- to (0K), um ntimero cada vez maior de elétrons de valéncia ab- sorve energia térmica suficiente para quebrar a ligagio covalen- te e contribuir para o nimero de portadores livres, conforme escrito acima, Este ntimero maior de portadores iré aumentar 0 {Indice de condutividade e produzir um menor nivel de resist8ncia, ‘Materiais semicondutores, como 0 Ge eo Si, que apresen- tam uma redugdo da resisténcia com aumento da tempe- ratura, so considerados possuidores de coeficiente de temperatura negativo. ‘Vocé provavelmente verificard que a resisténcia da maioria dos condutores aumenta com a temperatura. Isto se deve ao fato de que a quantidade de portadores em um condutor néo iré au- ‘mentar significativamente com a temperatura, mas sua vibrago ‘em torn de uma posigao relativamente fixa tomnard cada vez-mais 0V)e polarizagéo reversa (V, < 0 V). Cada condigao resulta ‘em uma resposta que 0 usuario deve entender claramente, para {que 0 dispositivo seja aplicado de maneira correta. Sem Polarizacao (V, = 0 V) Sob condigdes de néo-polarizacao, quaisquer portadores mino- Fitérios (buracos) no material tipo n que se encontrarem dentro da regiio de deplegdo irdo passar diretamente para o material tipo _p. Quanto mais prximo o portador minoritério estiver da jun- G0, maior & a atragdo para a camada de fons negativos, ¢ menor ‘8 oposigdo dos fons positivos na regio de deplegdo do material tipo n. Para futuras discussdes, devemos assumir que todos os portadores minoritérios tipo n que se encontram na regio de deplecao, devido a seus movimentos randOmicos, iro passar diretamente para 0 material tipo p. Um argumento semelhante pode ser utilizado para os portadores minoritérios (elétrons) do ‘material tipo p. Este fluxo de portadores € indicado na Fig. 1.14 para os portadores minoritérios de cada material. ‘0s portadores majoritarios (elétrons) do material tipo n deve, superar as forgas atrativas da camada de fons positivos no mate rial tipo n e o campo de fons negativos do material tipo p, a fim ‘de migrarem para a drea da regido de deplecao do material tipo p.Contudo 0 ntimero de portadores majoritarios é tio grande no fons ssitdores © ot + rere —F, S38 ot mane Se tipo p misttlna ig, 113 (a) Material tipo: (b) material io p.8 —_Dispostivos Eletrnicos e Teoria de Circuites Vp=0V (nenhuma polarizagéo) material tipo m que existir, invariavelmente, um mimero peque- no de portadores majoritarios com energia suficiente para passar pela regio de deplecio para o material tipo p. Novamente, 0 mesmo tipo de argumento pode ser aplicado aos portadores ma- {oritérios (buracos) do material tipo p. O fluxo resultante devido ‘20s portadores majoritarios também & mostrado na Fig. 1.14. Uma andlise mais detalhada da Fig. 1.14 mostraré que as, amplitudes relativas dos vetores do fluxo so tais que 0 fluxo resultante em cada diregao é zero. Este cancelamento dos veto- res foi indicado por linhas cruzadas. O comprimento do vetor re- presentando o fluxo de buraco foi desenhado maior do que para fo fluxo de elétrons, a fim de demonstrar que a amplitude de cada tum nao precisa ser a mesma para 0 cancelamento, € que 0s ni- veis de dopagem para cada material podem resultar em um fluxo desigual de portadores de buracos e elétrons. Em resumo, entao: Na auséncia de uma tensao de polarizagdo, o fluxo resul- ante de carga em qualquer direcdo para um diodo semi- condutor é zero. O simbolo para o diodo é repetido na Fig. 1.15 comas regides tipo me p associadas. Observe que a seta esta associada com 0 ‘componente tipo p, ¢ a barra com a regido tipo n. Como indica- do, para V,, = 0 V, a corrente em qualquer ditegao € 0 mA. Fig, 1.18 Condigbes de nio-polarizagao para um diodo semicondutor. 1 Fluo de portador minoritrio h 4 SF esl ar oe ean Fig, 1.14 Jungdo p-» sem polarizagio externa, Polarizacao Reversa (V, < 0 V) ‘Se um poteneial externo de V volts é aplicado através da jungao p-nem que o terminal positivo é conectado ao material tipo n ¢ 6 terminal negativo é ligado a0 material tipo p, conforme mos- trado na Fig. 1.16, 0 niimero de fons positivos néo-combinados na regilio de deplegao do material tipo n aumentaré, devido 20 grande mimero de elétrons “livres” arrastados para o potencial positivo da tensio aplicada, Por motivos semelhantes, 0 niimero de fons negativos ndo-combinados auumentard no material tipo p. Oefeito &, portanto, um alargamento da regio de deplegao. Este alargamento da regio de deplegdo estabelecer uma barreira tio grande para os portadores majoritérios superarem que, efetiva- ‘mente, reduzird o fluxo de portadores majoritérios a zero, con- forme mostrado na Fig. 1.16. Contudo o niimero de portadores minoritérios que penetra na regio de deplegio no seré alterado, resultando em vetores de 1, Fluxo de portador minonitério teams =O Fig, 1.16 Jungao p-» poarzada reversamenteaes (pesto) Fig. 1.17 Condigées de polaizaio evers para um dodo Semicond. fluxo de portadores minoritérios da mesma amplitude indicados na Fig. 1.14, quando nenhuma tensao era aplicada. Accorrente que surge sob condigdes de polarizagdo rever- ‘sa é chamada de corrente de saturagdo reversa, e é repre sentada por I, A corrente de saturagio reversa é raramente maior do que poucos microampéres, exceto para dispositivos de alta poténcia. De fato, em anos recentes, seu nivel tem-se situado normalmen- te na faixa de nanoampere para sistemas de silfcio,e na faixa de ;poucos microampéres para o germinio. O termo saturagdo vem do fato de ela alcangar ser valor méximo rapidamente, ¢ ndo rudar significativamente com o aumento do potencial de pola~ rizagdo reversa, como mostrado nas curvas caracteristicas do iodo da Fig. 1.19, para V, <0 V. As condigdes da polarizagao reversa sio descritas na Fig. 1.17 para o simbolo do diodo e jun- «0 p-n, Observe, sobretudo, que a diregio de J, € contréria a seta do simbolo, Observe também que o potencial negativo é conec- tado ao material tipo p. e 0 potencial positivo ao material tipo —a diferenga em letras grifadas para cada regido revela umacon- digo de polarizagao reversa. Polarizacao Direta (V, > 0 V) Uma condigio de polaricagdo direta, ou “ligada”, é estabeleci- da aplicando-se 0 potencial positive a0 material tipo p, ¢ 0 po- tencial negativo ao material tipo n, conforme mostrado na Fig, 1.18, Para referéncia futura, portanto: Um diodo semicondutor é polarizado diretamente quando aassociacao tipo p e positivo, e tipo ne negativo, for esta- belecida, ‘Aaplicagio de um potencial de polarizagao direta V, iré “for- gar” elétrons no material tipo n e buracos no material tipo p a recombinarem-se com os fons préximos da fronteia, e reduzir a largura da regio de deplecao como mostrado na Fig. 1.18. 0 fluxo de portadores minoritirios resultante de elétrons do mate- rial tipo p para o material tipo n (e buracos do material tipo n para ‘o material tipo p) nao mula em intensidade (pois o nivel de con- dugio é controlado essencialmente pelo ntimero limitado de impurezas no material), mas a redugio da regiao de depleeaio resultou em um fluxo denso de majoritirios através da jungo. ‘Um elétron do material tipo n agora “vé” uma barreira reduzida na jungo, devido a regio de deplego reduzida e uma forte atra- gio para o potencial positivo aplicado 20 material tipo p. A me- ida que a polarizago aplicada aumenta em amplitude, a regiao de deplecdo continua a diminuir em largura até que 0 fluxo de clétrons consiga atravessar a junedo, resultando em um aumento exponencial da corrente conforme mostrado na regido de polari- Diodos Semicondutores 9 Po te . Pig. 1.18 Jungio p-n polarizadadiretamente zagio direta da curva caracteristica da Fig. 1.19. Observe que a escala vertical da Fig. 1.19 esté em miliampéres (embora alguns diodos semicondutores apresentem uma escala vertical medida em ampéres) a escala horizontal na regido de polarizagio dire- ta tem um maximo de | V. Tipicamente, portanto, a tensdo atra- vés de um diodo potarizado diretamente sera menor do que 1 V. Observe, também, como a corrente aumenta rapidamente além do joelho da curva. Com o auxilio da fisica do estado solido, pode-se mostrar que as caracteristicas gerais de um diodo semicondutor sao defini- das pela seguinte equago para as regides de polarizacao direta e Ip = Wee = 1) aay onde corrente de saturagdo reversa 11,600/y com 7 = 1 para o Ge e 9 = 2 para o Si, em niveis relativamente baixos de corrente de dio- do (ou abaixo do joelho dacurva), e = | para Ge e Si para niveis maiores de corrente de diodo (no trecho da curva em que a corrente aumenta de for- ‘ma mais acentuada) T= Te + 278 ‘Um grifico da Eq. (1.4) é fornecido na Fig. 1.19. Se expan- dirmos a Eq, (1-4) na seguinte forma, 0 elemento de contribui: ‘lo para cada regio da Fig. 1.19 pode ser facilmente descrito: Ip = Le — 1, Para valores positivos de V,, 0 primeiro termo da equaca0, ‘cima ird crescer muito rapidamente, ¢ 0 efeito do segundo termo serd desprezivel. O resultado é que para valores positivos de V., 1, ser positivo e cresceré da forma y = e* mostrado na Fig. 1.20. Em V, = 0V, aEg, (1-4) vema ser, = f,(¢” — 1) = 1 ~ 1) OA, como mostra a Fig. 1.19. Para valores negativos de V,, 0 primeiro termo caird rapidamente para abaixo de 1, resultando em [, = ~[,,queé simplesmente a linha horizontal da Fig. 1.19. ‘A interrupcio verificada na curva caracteristica em V, = 0V é simplesmente devido a mudanga brusca na escala de mA para 4A. ‘Observe na Fig. 1.19 que os dispositivos dispontveis comerci- ‘almente apresentam uma curva caracteristica deslocada em poucas dezenas de volts para adirvita. Isto se deve &resisténcia interna do “corpo” e & resisténcia extema dos “contatos” de um diodo. Am- bas as resistencias contribuem para o surgimento de uma tensio adicional para um mesmo nivel de corrente, como determina a lei10 Dispositivos EletrOnicos e Teoria de Circuitos 0 =30 Regito de polarizagio reversal Wp <0Vly=-l) Fig, 1.19 Curva caracterstica do diode semicondutor de sili de Ohm (V=IR). Em tempo: & medida que os métodos de produ- Go se aperfeigoarem, esta diferenga iré diminuir e a curva real do diodo ira se aproximar da prevista pela Eq. (1.4) E importante observar a mudanca em escala para os eixos vertical e horizontal, Para valores positivos de /,, a escala é em miliampéres, e a escala de corrente abaixo do cixo € em microampéres (ou. possivelmente, nanoampires). Para V,, a es- cala para valores positivos é em décimos de volts, e para valores negativos, a escala 6 em dezenas de volts Tnicialmente, a Eq, (1.4) parece um tanto complexa, ¢ pode originar um medo injustificado de sua utilizago em todas as aplicagdes do diodo a seguir. Contudo, felizmente, sero feitas, Fig. 1.20 Gritico de ies l | sce " : i 3 I e | Polar sete St water, ; siege 8 Hi ~~ (Vp >0V, 1y>0 ma) pos os 07 Tw Foam TS eh aio | WOAH | ye 0V.f | vhaua | Woe Oven | 0A | aproximagGes em uma préxima seco, descartando a necessida- de de aplicar a Eq. (1.4), fornecendo, assim, uma solugio com ‘um minimo de dificuldade matemética. ‘Antes de deixar o assunto sobre o estado de polarizagio dire~ ta, as condigdes para conducao (0 estado “on"”) sio repetidas na Fig. 1.21 com as polaridades de polarizagio necessérias, ¢ a di- regio resultante do fluxo de portadores majoritérios. Observe sobretudo como a diregzo da condugao combina com a seta do simbolo (conforme esclarecido para 0 diodo ideal). Regio Zener “Mesmo que a escala da Fig. 1.19 seja de dezenas de volts na re- iio negativa, existe um ponto onde a aplicagio de uma tensio ili + a (Semelane) Fig. 1.21 Condigies de polarzagodireta pars um diodo semicondutorFg. 1.22 Reyido Zener também negativa resulta em uma mudanga brusca na curva ca- racteristica, conforme mostrado na Fig. 1.22. A corrente aumen- ta na diregao oposta da regio de tenso positiva. O potencial de polarizagao reverso que resulta desta bbrusca mudanga na curva caracteristica € chamado potencial Zener. e & dado pelo simbolo V.. ‘A medida que a tenstio através do diodo aumenta na regido de polarizagdo reversa, a velocidade dos portadores minoritérios responsaveis pela corrente de saturado reversa /, também aumen- ta, Eventualmente, suas velocidades e energia cinética associa- da (W, = $ my*), serio suficientes para liberarem portadores adicionais através das colisbes com estruturas atOmicas estéveis, Isto 6, o resultado é um processo de ionizagdo, pelo qual elétrons de valéncia absorvem energia suficiente para deixarem o tomo de origem. Estes portadores adicionais podem, entio, ajudar no processo de ionizagao, até que uma alta comrente de avalanche seja estabelecida e a regio de ruptura em avalanche determinada, ‘A regio de avalanche (V,) pode ser aproximada do eixo ver- tical, aumentando-se 0s niveis de dopagem nos materiais p e n. Contudo, & medida que V, diminui para nfveis muito baixos, tais como —$ V, um outro mecanismo, chamado ruptura Zener, con- tribuir para a mudanga brusca na curva caracteristica. Isto ocorre porque existe um forte campo elétrico na regio de junga0 que pode perturbar as forgas de ligagdo dentro do stomo e "gerat™ portadores. Embora 0 mecanismo de ruptura Zener seja um ele- ‘mento considerdvel apenas em niveis menores de V,, esta mu- danga brusca na curva caracteristica em qualquer nivel é chama- da regido Zener, e os diodos que empregam apenas esta porcio daccurva de uma jungao p-n sio chamados diodos Zener. Eles S10 descritos em detalhe na Sega 1.14, ‘A regitio Zener do diodo semicondutor descrito deve ser evi- tada para que a resposta de um sistema nao seja completamente alterada pela mudanga brusca na curva caracteristica nesta regio de tensio reversa. potencial maximo de polarizacao reversa permitido, para que o diodo ndo entre na regido Zener, é chamado de tensdo de pico inversa (referida simplesmente como TPL nominal) ou tensdo de pico reversa (denotada por TPR nominal). Se uma aplicagdo exige uma TPI nominal maior do que a permitida para um tinico dispositivo, alguns diodos de mesmas ‘caracteristicas podem ser conectados em série. Diodos também Diodas Semicondutores. 11 lio conectados em paralelo para aumentarem a capacidade de fluxo de corrente, Silicio versus Germanio Diodos de silicio apresentam, em geral, TPI, correntes nominais ¢ faixas de temperatura maiores do que 0s diodos de germanio, ‘TPI nominais para. silicio podem situar-se na faixa de 1.000 V, a0 passo que o valor maximo para o germanio é de aproximada- ‘mente 400 V. O silicio pode ser usado para aplicagées em que a temperatura chega a aumentar em toro de 200°C (40°F), en- quanto que 0 germnio presenta um valor nominal muito me~ nor (100°C). A desvantagem do silicio, entretanto, comparado com germénio, conforme indicado na Fig, 1.23, €a maior tensao de polarizacio direta exigida para alcangar a regido de condu- dio. Este valor é da ordem de 0,7 V para diodos de silicio dispo- iveis comercialmente, e de 0,3 V para diodos de germéinio, quan- do arredondados os valores. O maior valor para osilicio é devi- do, em primeiro lugar, ao fator 7 na Eq. (1.4). Este fator tem influéncia na determinagao da forma da curva apenas em niveis, de corrente muito baixos. Quando a curva inicia seu aumento vertical, 0 fator 7 cai para 1 (0 valor continuo para germanio). Istoé evidenciado pelas semelhangas nas curvas, uma vez alcan- ‘cad 0 potencial de offset. O potencial em que este aumento ocorre &comumente chamado potencial de offser,limiar ou de disparo. Freqiientemente, a primeira letra de um termo que descreve uma ‘quantidade particular € usada na notagdo para aquela quantida- de, Contudo, para assegurar que nao haja muita confusio com ‘outros termos, como tensio de saida (V,) ¢ tensdo direta (V,), a notagio V, foi adotada para este livro, da palavra “limiar (threshold). Em resumo: Vr = 0,7 (Si) Vr = 0,3 (Ge) Obviamente, quanto mais proxima a parte ascendente da curva esté do eixo vertical, mais “ideal” o sistema, Contudo as outras caracteristicas do silicio, quando comparadas com 0 germinio, ainda o tornaram a melhor escolha para a maioria dos elementos disponiveis comercialmente, Efeitos de Temperatura ‘A temperatura pode ter um efeito marcante sobre as caracteristi- cas de um diodo semicondutor de silicio, como verificado para 0 iodo de silicio tipico da Fig. 1. ‘mente, que: A.corrente de saturagéo reversa I, teré seu valor em am- plitude aproximadamente dobrado para cada aumento de 10°C na temperatura. Nao é incomum para um diodo de germinio, com f,na ordem de 1 ou 2 wA em 25°C, apresentar uma corrente de fuga de 100 wA = 0,1 mA. a uma temperatura de 100°C. Niveis de cor- rente desta magnitude na regido de polarizagao reversa iriam cer- tamente questionar nossa desejada condigio de circuito-aberto na regido de polarizaglo reversa. Valores tipicos de I, para si cio so muito menores do que os de germénio, para os mesmos niveis de corrente e poténcia, conforme Fig. 1.23. 0 resultado é12 Disposiivos Eletronicos e Teoria de Circuitos 1, (8) =001yA = 100A ve (Si) Fig. 1.23 Comparagio os diodos emicondutores de Sie Ge. que, mesmo em altas temperaturas, os nfveis de J, para diodos de silicio no alcancam os altos nfveis obtidos para germanio— uma caracteristica muito importante que explica por que os dispositi- vos de silicio desfrutam um nivel significativamente maior de Inimay 97) 200°C 100°C 25°C 75°C ~ti- si Vz (Ge) DI 07 93 OF G5 06 OF OF V,(W) THA Vp Ge) vps) desenvolvimento ¢ utilizago em projetos, Fundamentalmente, tum cireuito-aberto equivalente na regizo de polarizagiio reversa mais bem caracterizado em qualquer temperatura com 0 si 4do que com o germanio. 1037) Fig. 1.24 Varigio nas curvascaracteristicas do diodo com a modanga na temperaturaFig, 1.25 Determinao da resistencia ded um diodo, em um ponte 8 opera- 80 particular. Os crescentes niveis de /, com a temperatura so responsdveis, pelos diferentes nfveis da tensio de limiar, conforme mostrado na Fig. 1.24, Aumente simplesmente o nivel de /, na Eq, (1.4), observe que 0 aumento na corrente de diodo é antecipado. Natu- ralmente, 0 valor de 7, também aumentaré na mesma equacao, ‘mas o aumento de /, ird prevalecer sobre a menor mudanga per- centual de T,..A medida que a temperatura aumenta, as curvas ccaracteristcas esto, na verdade, se tormando mais “ideais”, mas concluiremos, quando analisarmos as folhas de especificagées, que temperaturas além da faixa normal de operagdo podem ter um efeito muito prejudicial sobre a poténcia maxima e nfveis de corrente do diodo, Na regido de polarizacio reversa, a tensio de rruptura eresce com a temperatura, mas observe o aumento inde- sejével na corrente de saturagio reversa. 1.7. NIVEIS DE RESISTENCIA A medida que o ponto de operagdo de um diodo move-se de uma regio para outra, a resisténcia do diodo também sera alterada devido a forma néo-linear da curva caracteristica. Serd demons- trado nos préximos parigrafos que o tipo da tensdo ou sinal apli cado ind definir 0 nivel de resisténcia de interesse. Trés niveis diferentes introduzidos nesta segio iro aparecer novamente, ‘quando analisarmos outros dispositivos. E, portanto, essencial que a sua determinagao seja claramente compreendida. Resisténcia DC ou Estatica A aplicagdo de uma tensio de num circuito contendo um diodo semicondutor resultard em um ponto de operacao sobre a curva do diodo inalterado com 0 tempo. A resistencia do diodo no ponto de operagdo pode ser encontrada simplesmente encontrando-se 0 valores correspondentes de V, ¢ /,, conforme mostrado na Fig, 1.25, aplicando-se a seguinte equagao: as) Os niveis de resistencia de no joelho e abaixo deste sero aiores do que os niveis de resisiéncia obtidos para a regio de aumento vertical da curva. Os niveis de resistencia na re- ito de polarizacio reversa serao, naturalmente, bem maiores. Uma vez que, em geral, ohmimetros empregam uma fonte de corrente relativamente constante, a resistencia determinada ser Diodas Semicondutores 13, ‘em um nivel de corrente pré-ajustado (tipicamente, poucos mi- liamperes), EXEMPLO 1.1 Determine os niveis de resisténcia de para o diodo da Fig. 1.26 em (@) I,=2mA (b) 1, = 20ma © V, Ip(md) 05 08 Yow) Fig. 1.26 Exemplo |. Solugao (a) Em/, =2mA, V, = 0,5 V (da curva) e (©) EmV, = —10 V, 1, = —1, = ~1pA (dacurva)e ov =10Mo ThA reforcando claramente alguns dos comentérios anteriores, com respeito aos nfveis de resisténcia de de um diodo. Resisténcia AC ou Dinamica E obvio da Eq. 1.5 ¢ do Exemplo 1.1 que a resisténcia de de um iodo independente da forma da curva caracteristica naregido que circunda ponto de interesse. Se uma senGide, a0 invés de uma entrada de, for aplicada, a situagdo mudard completamente. A en trada variando moverd o ponto de operacdo instantineo para cima ¢ para baixo em uma regio da curva, definindo, portanto, uma ‘mudanga especifica na corrente e tensio, conforme mostrado na Fig. 1.27. Sem variagGes da tensio aplicada, 0 ponto de operagio seria © ponto Q, que aparece na Fig. 1.27 determinado pelos niveis de aplicados. A designagio do ponto Q & obtida da palavra quiescen- te, que significa “nivel invariével ou estacionério”,14 Dispositives Eletronicos e Teoria de Circuits Cares carctristia do dodo SY al, Ponto Q (operagdo de) A ay, Fig. 1.27 Detinigo da esivéneia dinmica ov ae ‘Uma linha reta desenhada tangente & curva através do ponto Q, conforme mostrado na Fig. 1.28, definiré uma variagao parti- cular da tensio ¢ corrente, ¢ pode ser usada para determinar a resisténcia ac ou dindmica para esta regio da curva caracteristi- ado diodo, Um esforgo deveria ser feito para manter a variagio em tensio e corrente to pequena quanto possivel, e eqiidistante de cada lado do ponto Q. Na forma de equagio, a Quanto mais ingreme a inclinag2o, menor o valor de AV, para a ‘mesma variagdo em AJ,,e, conseqiientemente, menor a resistén- cia. A resisténcia ac na regitio de aumento vertical da curva ca- racteristica &, portanto, bem pequena, enquanto que a resisténcia ‘ac é muito maior em niveis de corrente baixos. conde A significa uma variagio finita do parametro, 6) Poo of | a1, fs avy Fig. 1.28 Determinagdo da resstncia a€-no pono Q. EXEMPLO 1.2 Para a curva caracteristica da Fig. 1.29: (a) Determine a resisténcia ac em, = 2 mA -ti- (b) Determine a resistencia ac em J, = 25 mA. (c) Compare os resultados das letras (a) e (b) com as resistén- clas de em cada nivel de corrente. Joma) 25 1s 10) Bi OF OF OF 05 06 OF 08 OP Vow na) avy Fig. 1.29 Exemplo 12 Solugao (a) Para, = 2mA;a linha tangente em J, = 2 mA foi determi nada como mostra a figura, e uma amplitude de 2 mA aci ma e abaixo da corrente de diodo especificada foi escolhi- da. Em I, = 4 mA, V, = 0,76 V eem/, = 0mA, V, = 0,65 V. As variagdes resultantes em corrente e tensi0 sao Aly=4mA—OmA=4mA e AV, = 0,76 V ~ 0,65 V = 0,11 V e a resisténcia ac Vs _ ONLY = Ms OUV La so Mg 4mA (b) Para J, = 25 mA; linha tangente em J, = 25 mA foi dese- nhada sobre a figura, ¢ uma amplitude especifica de S mA cima e abaixo da corrente de diodo foi escolhida. Em J, = 30 mA, V, = 0,8 V e-em /, = 20 mA, V, = 0,78 V. AS ‘mudangas resultantes na corrente e tensio sio Alg= 30 mA ~ 20 mA = 10 mA e AV, = 0,8 V - 0,78 V = 0,02 V e aresisténcia ac é Avs Mls raa = 350.0 Ip 2mA muito maior do que o valor de r, de 27,5 0. Para L, = 25 mA, V,, = 0,79 Ve Yo Ib muito maior do que o valor r, de 2 ©. Ro= Encontramos a resisténcia dindmica graficamente, mas exis- te uma definiglo bisica em célculo diferencial que diz: A derivada de uma fungdo em wm ponto é igual a inclina- (edo da reta tangente tragada naquele ponto. ‘A.Eq. (1.6) definida pela Fig. 1.28, 6, desse modo, determinada essencialmente pela derivada da fungao no ponto @ de opera- gio. Se encontrarmos a derivada da Equagio geral (1.4) para diodo semicondutor com respeito & polarizagao direta aplicada, eentao invertermos o resultado, teremos uma equacdo para are- sisténcia dinfmica ou ac naquela regido. Isto é, tomando-se @ derivada da Eq. (1.4) com respeito & polarizagio aplicada, re- sulta em d d Sh iyeore — wp gylde D) e dlp _ k Wy Tet realizando algumas operagdes bisicas do célculo diferencial, Em geral, 1, > J, na regio de inclinagdo vertical da curva e dlp _ k ap Tr Substituindo-se 7 = 1 para Ge e Si na regidio de inclinagao ver- tical da curva, obtemos 11,600 _ 11.600 7 1 2 temperatura ambiente Ty = Te + 273° = 25° + 273° = 208° 11,600 11.600 298 de modo que = 38,93 18,93 Considerando o resultado para definir uma relagio de resistén- cia (R = VID) nos da AW _ 0,026 dlp Ip Diodas Semicondutores 15 ay oni significado da Eq. (1.7) deve ser muito bem compreendido, Ele indica que a resisténcia dindmica pode ser encontrada simn- plesmente substituindo-se 0 valor quiescente da corrente de dio- do na equagio. Nao hd necessidade de as curvas estarem dispo- niveis, ou de nos preocuparmos em desenhar linhas tangentes, conforme definido pela Eq, (1.6). E importante ter em mente, con- tudo, que a Eq, (1.7) é precisa apenas para valores de J, a re- gio de aumento vertical da curva. Para valores menores de 1,7 = 2(silicio) e o valor de r, obtido deve ser multiplicado por um fator de 2. Para valores pequenos de /, abaixo do joelho da cur- va, a Eq, (1.7) toma-se inadequada. ‘Todos os niveis de resistencia determinados até o momento foram determinados para a jungdo p-n, endo incluem a resis- t8ncia do material semicondutor (chamada resisténcia de cor- po)e aresisténcia introduzida pela conexdo entre o material micondutor e o condutor metiico externo (chamada resistén- cia de contato). Estes niveis adicionais de resistencia podem set inelufdos na Eq, (1.7), somando-se a resisténcia denotada por ‘rq como aparece na Eq. (1.8). A resistencia r, inclui, portanto, a resisténcia dinfmica definida pela Eq. 1.7 ea resistencia r, introduzida 26 mV + rm | ohms (18) I (0 fator r, pode variartipicamente de 0,1 ©, em sistemas de alta poténcia, para 2 0, em alguns diodos de baixa poténcia de uso geral. Para o Exemplo 1.2, a resisténcia ac em 25 mA foi calculada como sendo de 2.0. Usando a Eq. (1.7), temos, 26 mV _ 26 mV Ip 25mA ‘A diferenca em torno de 1 © pode ser considerada devido & con- tribuicdo de r, Para o Exemplo 1.2, a resisténcia ac em 2 mA foi calculada como sendo de 27,5 0. Usando a Eq. (1.7), mas multiplicando- se por um fator de 2 para esta regido (no joelho da curva 1) = 2), 04 2 4 Zen) _ (26m ny 2282) <208Y) <0 9-260 A diferenga de 1,5 pode ser considerada devido a contribui- tor Na verdade, a determinago de r, com um elevado grau de precisio a partir da curva caracteristica, usando-se a Eq, (1.6), €, nna melhor das hip6teses, um processo dificil, ¢ 0S resultados devem ser tratados com um pouco de desconfianca. Nos niveis baixos de corrente de diodo, 0 fator r, é normalmente pequeno 0 suficiente comparado com r, para permitir que se despreze 0 seu impacto sobre a resisténcia de diodo ac. Nos niveis altos de cor- rente, 0 nivel de r, pode aproximar-se de r,, mas uma vez que existiio freqllentemente outros elementos resistivos de magni- tude muito maior em série com 0 diodo, assumiremos neste li- ‘ro que a resisténcia ac 96 € detetminada por r,¢ 0 impacto de r, seri ignorado, a menos que se especifique o contrério, Avangos tecnol6gicos de anos recentes suigerem que 0 nfvel de r, conti- nuard a diminuir de valor e tornar-se-@ eventualmente um fator que, na certa, pode ser ignorado em comparagdo ar.16 _Dispositives Eletronicos e Teoria de Circuitos ‘A discussiio acima concentrou-se somente na regio de po- larizagao direta, Na regido de polarizacdo reversa, assumiremos {que a Vatiago de corrente ao longo da linha /,, de 0 V a regio Zener, € nula, ¢ a resisténcia ac resultante usando-se a Eq. (1.6) 6 suficientemente alta para permitir a aproximacao de circuito- aberto. Resisténcia AC Média Sco sinal de entrada for suficientemente grande para produzir a amplitude mostrada na Fig. 1.30, a resistencia associada do dis- positivo para esta regio € chamada resisténcia ac média, A re- sisténcia ac média €, por definigio, determinada pela linha reta desenhada entre as duas intersegdes estabelecidas pelos valores, ‘maximo e minimo da tensio de entrada. Na forma de equacao (observe Fig. 1.30). (1.9) Para a situagao indicada pela Fig. 1.30, Alg= 17 mA — 2 mA = 15 mA e AV, = 0,725 V ~ 0.65 V = 0.075 V = 1, = bls. 00ISY gg Beedle 15 mA. Se a resistencia ac (,)fosse determinada em I, = 2 mA, seu valor seria maior do que 5 , e, se determinada em 17 mA, se- ria menor, Entre estes valores, a resisténcia ac realizaria a tran- Iolm) DF OF 04 05 06 07 08 09 1 Se avy wy Fig. 1.30 Determinagdo da resistncia ac média entre os limites indicados. a sigdo do alto valor em 2 mA para 0 baixo valor em 17 mA. A Eq, (1.9) define um valor que é considerado a média dos valo- res ac de 2.a 17 mA. O fato de um nivel de resisténcia poder ser tusado para esta ampla regio da curva prova a utilidade da defi- nigdo de circuitos equivalentes para um diodo em uma segiio posterior, Quadro Resumo (© Quadro 1.2 foi desenvolvido para reforgar as importantes con- clusdes das iltimas paginas, e enfatizar a diferenca entre os vi- rios niveis de resistencia. Conforme indicado anteriormente, © contetido desta segio € a base para os cdleulos de resisténcia a serem realizados nas segdes e capitulos posteriores. 1.8 CIRCUITOS EQUIVALENTES DE DIODO Um circuito equivalente é uma combinagao de elementos ‘adequadamente escolhidos para melhor representarem as caracteristicas reais de um dispositivo, sistema ou regido particular de operagao. Em outras palavras, uma ver definido o circuito equivalente, simbolo do dispositivo pode ser removido do esquema, eo cir- cuito equivalente inserido em seu lugar sem afetar severamente ‘.comportamento real do sistema. Via de regra, o resultado é uma configuragiio que pode ser resolvida usando-se téenicas tradicio- nais de anilise de circuit. Circuito Equivalente Linear por Partes Uma técnica para se obter um circuito equivalente para 0 diodo € aproximar as caracteristicas do dispositivo por segmentos de rela, conforme mostrado na Fig. 1.31. O circuito equivalente resultante é naturalmente chamado circuito equivalente li- near por partes. Seria Sbvio da Fig. 1.31 que os segmentos de rela nio resulta em uma reprodugao exata das caracterfsti- cas reais, em especial na regio do joelho. Contudo os segmen- tos resultantes estio suficientemente préximos da curva real para estabelecerem um circuito equivalente, fornecendo uma excelente primeira aproximagao do comportamento real do sis- tema, Para a regio de inclinagdo da curva equivalente, a r sisténeia ac média, como introduzida na Seezo 1.7, é 0 nivel de resisténcia que aparece no circuito equivalente da Fig. 1.32 proximo ao dispositivo real. Em esséncia, ela define 0 nivel de resisténcia do dispositivo quando ele esté no estado “liga- do”, 0 diodo ideal é incluido para estabelecer que s6 existe uma direcdo de condugio através do dispositivo e que uma condi- clo de polarizagio reversa resulta no estado de circuito-aber- to para 0 circuito. Como o diodo semicondutor de silfcio nao alcanga o estado de conducio até V, atingir 0,7 V para polari- zacao direta (conforme mostrado na Fig. 1.31), uma bateria V, ‘opondo-se a diregdo de conducao deve aparecer no circuito cequivalente, conforme mostrado na Fig. 1.32. A bateria espe- cifica simplesmente que a tensio através do sistema deve ser maior do que a tensio limiar da bateria para que a condugtio através do dispositivo na diregao imposta pelo diodo ideal possa ser estabelecida. Quando isso ocorre, a resisténcia do diodo terd o valor especitico de r..i Diodos Semicondutores 17 QUADRO 1.2 Niveis de Resistencia Canactericas Determinagto Tye Eqeagdo Bipecais Grafica be " Ded ao am png tp wa Rae eure carceristica hn Yo A Defnido ® 6 id por uma rea BY thay, oo a tangente no ponto Q na indica seméiio Definid por uma linha eta ale etre os limites de operagso avy Contudo tenha em mente que V, no circuito equivalente nao é ‘uma fonte de tens independente. Se umn voltimetro for coloca- 4do nos terminais de um diodo isolado, sobre uma bancada de laboratério, nao serd obtida uma leitura de 0.7 V. A bateria re~ presenta apenas o nivel horizontal da curva caracteristica que deve ser atingido para estabelecer a conducao. Em geral,o nivel aproximado de r,, pode ser determinado de um ponto de operagio especifico da fotha de especificagdes (a Inf) ser discutida na Segao 1.9). Por exemplo, para um diodo semi- condutor de silicio, se I, = 10 mA (uma cortente de condugéo direta para 0 diodo) em V, = 0,8 V, sabemos que é necessério tum deslocamento de 0,7 V antes que a curva caracteristica do dispositivo se eleve e ty = OM 7 OLY, ~BLy |pap, — 1OMA=OmA 10 mA conforme obtido para Fig. 1.30. wa Circuito Equivalente Simplificado Para a maioria das aplicagées, a resistencia r, & suficientemente pequena para ser desprezada em comparagdo aos outros elementos Aocircuito. A retirada de r, do circuito equivalente € 0 mesmo que dizer que a curva caracteristica do diodo apresenta a forma mostra dana Fig. 1.33, Na verdade. esta aproximago € empregada amiti- de na andlise de um circuito semicondutor, como demonstrado no + Vp - oe 2 Disks a BIVORV th.) i) Fig. 1.31 Definigo do cicuito equivalent linea, usando-se segments de rts para aproximara curva caracteristica, : a feat : yy on Fig. 1.32 Componentes do cecito equivalent lines18 Dispositivos Eletrdnicos ¢ Teoria de Circuitos tw 0 V=07V Vp +i Fig, 1.38 Circuito equivalent simplificao para 0 iodo semicondutor de silicio. Cap. 2. O cireuito equivalente reduzido aparece na mesma figura Isto indica que um diodo de silicio polarizado diretamente em um sistema eletnico, sob condigées de, tem uma queda de 0,7 V atra- ‘és dele no estado de condugao, em qualquer nivel da corrente de diodo (para valores nominais, naturalmente) Circuito Equivalente Ideal Agora que 1, foi removido do circuito equivalente, vamos mais a frente e estabelecer que um nivel de 0,7 V pode muitas vezes ser ignorado em comparaclo ao nivel de tensfo aplicada, Neste caso, 0 circuito equivalente seré reduzido para um diodo ideal somente, conforme mostrado na Fig. 1.34, com sua curva carac~ teristica. NoCap. 2, veremos que esta aproximago é muitas vezes feita sem perda consideravel da precisao. Naindilstria, uma substituigao popular para a expresso “cir- ccuito equivalente de diodo” & modelo de diodo — um modelo, por definicio, € representagao de um dispositivo, objeto, si tema existente e assim por diante. De fato, esta terminologia substitute serd usada quase que exclusivamente nos capitulos seguintes, Quadro Resumo Para elucidar, os modelos de diodo empregados para uma faixa de parametros do circuito e aplicagées sio fornecidos no Qua- 4dro 1.3, com suas caracteristicas lineares aproximadas. Cada modelo sera mais bem analisado no Cap. 2. Existem sempre ex- ccegdes as regras gerais, mas € completamente seguro dizer que o ‘modelo equivalente simplificado sera empregado com mais fre- ‘giéncia na anélise de sistemas eletrOnicos, enquanto que 0 dio- do ideal seré aplicado amitide na andlise de sistemas de alimen- tagdo de poténcia, onde tensdes maiores sio encontradas. to 1.9 FOLHAS DE ESPECIFICACOES DO DIODO (0s dados sobre dispositivos semicondutores especificos sio nor- ‘malmente fomecidos pelo fabricante de duas formas. Mais freqlen- temente, trata-se de uma breve descriglo, imitada talvez a uma pagina, O outro modo é uma analise completa das caracterfsticas, uusando-se gréficos, desenhos, tabelas ¢ assim por diante, Em todo ‘caso, entretanto, existem dados especificos dos dados que devern ser ineluidos para a uilizagao correta do dispositivo, Sao eles: 1. Atenso dreta V, (para uma correntee temperatura especificas). 2. A conrente direta maxima J, (para uma temperatura especifica). 3. A corrente de saturacao reversa /, (para uma tensio e tempe- ratura especificas). 4, Atensfo reversa nominal [IPI ou TPR ou T(BR), onde BR vern dotermo“ruptura” (breakdown) (a uma temperatura especitica)]. O nivel maximo de dissipagio de poténcia para uma tempe- ratura em particular. Niveis de capacitincia (conforme definido na Secao 1.10). ‘Tempo de recuperacao reverso 1, (conforine definido ni do 1.11). Faixa de operagao de temperatura, es Dependendo do tipo de diodo considerado, dados adicionais, também podem ser fomecidos, tais como faixa de freqléncia, nivel de rufdo, tempo de chaveamento, niveis de resistencia tér- mica e valores de pico repetitivos. Dependendo da aplicagio, a importincia do dado seré muitas vezes aparente. Se a poténcia :méxima ou dissipagdo nominal é também fornecida, ela é consi- derada igual 20 seguinte produt Py = Volo (10) Fig. 1.34 Dio ideal esua curva caacteritiea