ĐẠI HỌC QUỐC GIA TP.

HỒ CHÍ MINH
TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA
KHOA ĐIỆN – ĐIỆN TỬ
BỘ MÔN VIỄN THÔNG
----------o0o----------

BÁO CÁO TIỂU LUẬN

ĐỀ TÀI: THIẾT KẾ MẠCH KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT

CÓ ĐỘ LỢI LỚN NHẤT TẠI TẦN SỐ 5.2 GHz

GVHD: TS. Huỳnh Phú Minh Cường

SVTH: Từ Văn Hưng
MSSV: 1611452
Nhóm: A03

TP. HỒ CHÍ MINH, THÁNG 07 NĂM 2021

 Tiểu luận Kỹ thuật siêu cao tần

MỤC LỤC
1. Quy trình thiết kế .......................................................................................................... 4

1.1 Lựa chọn Transistor phù hợp ................................................................................. 4

1.2 Thiết kế mô hình mạch khuếch đại ........................................................................ 5

1.3 Lý thuyết ................................................................................................................ 7

1.4 Phối hợp trở kháng mạch khuếch đại ..................................................................... 9

2. Kết luận: ...................................................................................................................... 14

2
 Tiểu luận Kỹ thuật siêu cao tần

HÌNH ẢNH
Hình 1-1 Mạch phân cực cho BJT ...................................................................................... 4

Hình 1-2 Đặc tuyến dòng áp ngõ ra.................................................................................... 5

Hình 1-3 Mô hình mạch khuếch đại công suất ................................................................... 6

Hình 1-4 Ma trận S và các thông số khác ........................................................................... 6

Hình 1-5 Tham số để tính toán ........................................................................................... 8

Hình 1-6 Đặt tuyến Gamma S và Gamma L ...................................................................... 9

Hình 1-7 Mô phỏng ZS và ZL theo Smith_Chart............................................................... 9

Hình 1-8 Sơ đồ mạch sau khi hiệu chỉnh ZS và ZL ......................................................... 10

Hình 1-9 Ma trận S và các thông số sau khi hiệu chỉnh ZS và ZL................................... 10

Hình 1-10 Mô phỏng ZS và ZL theo Smith_Chart sau khi hiệu chỉnh ............................ 11

Hình 1-11 Phối hợp trở kháng ZL .................................................................................... 11

Hình 1-12 Phối hợp trở kháng ZS .................................................................................... 12

Hình 1-13 Sơ đồ mạch phối hợp trở kháng có độ lợi cao nhất......................................... 12

Hình 1-14 Kết quả tại ngõ vào và ngõ ra mạch khuếch đại ............................................. 13

Hình 1-15 Ma trận S và các thông số khác sau khi PHTK ............................................... 13

3
 Tiểu luận Kỹ thuật siêu cao tần

ĐỀ TÀI: THIẾT KẾ MẠCH KHUẾCH ĐẠI CÔNG

SUẤT CÓ ĐỘ LỢI LỚN NHẤT TẠI TẦN SỐ 5.2 GHz
1. Quy trình thiết kế
1.1 Lựa chọn Transistor phù hợp
- Mạch khuếch đại dùng BJT, do đó trong đề tài lần này với mục đích thiết kế đạt độ
lợi công suất lớn nhất tại tần số 5.2 GHz. Sau khi xem xét thư viện Infineon RF
Components, em thấy BJT BFP620 có một số thông số như: tần số lên đến 12GHz,
VCE0max = 2.3V, ICmax = 80mA, Gmax = 21.5dB.
- Ta tìm điểm phân cực tĩnh cho BJT là IBB và VCE:

Hình 1-1: Mạch phân cực cho BJT

- Tiến hành mô phỏng theo biên độ VCE : 0 => 2.3V step 0.5, IBB : 100 µA =>
350µA, step 10µA.

4
 Tiểu luận Kỹ thuật siêu cao tần

Hình 1-2 Đặc tuyến dòng áp ngõ ra

- Ta chọn điểm m1 là điểm làm việc của BJT BFP620 trong vùng tuyến tính là VCE =
2.3V, IBB = 170µA và IC = 38mA.

1.2 Thiết kế mô hình mạch khuếch đại

- Ta tiến hành mô phỏng mạch khuếch đại với những thông số đã được thiết lập như
trong mạch sau:

5
 Tiểu luận Kỹ thuật siêu cao tần

Hình 1-3 Mô hình mạch khuếch đại công suất

- Kết quả mô phỏng tìm ma trận S và độ lợi cực đại mà mạch mang lại:

Hình 1-4 Ma trận S và các thông số khác

6
 Tiểu luận Kỹ thuật siêu cao tần

- Kết quả mô phỏng ma trận S, S max và tính ổn định của mạch khi hoạt động ở tần
số 5.2GHz:
 Ma trận S(dB): S11 = -6.822, S12 = -17.212, S21 = 12.614, S22 = -13.161. Độ
lợi cực đại max_gain(S) = 13.909.
 S21 là tỉ số công suất giữa 2 cổng 2 và 1 bằng 12.614, chưa đạt giá trị tối đa
13.909. Nên ta sẽ hiệu chỉnh 1 số linh kiện để mạch đạt được độ lợi lớn nhất.
1.3 Lý thuyết
- Để thiết kế mạch phối hợp trở kháng để được công suất lớn nhất thì độ lợi tổng cộng
của mạch khuếch đại sẽ được tính như sau: GT = GSG0GL trong đó GS, G0, GL
được định nghĩa như hình bên dưới và G0 = |𝑆21|2

- GT được tính như sau:

- Để G max thì ta cần phối hợp trở kháng như sau

7
 Tiểu luận Kỹ thuật siêu cao tần

- Trong đó

- Ta thiết lập công thức để mô phỏng như sau

Hình 1-5 Thiết lập tham số để tính toán

- Ta thu được 2 đặt tuyến Gamma S và Gamma L:

8
 Tiểu luận Kỹ thuật siêu cao tần

Hình 1-6 Đặt tuyến Gamma S và Gamma L

- Tiếp tục mô phỏng theo Gamma Sn và Gamma Pn vì chúng < 1.

Hình 1-7 Mô phỏng ZS và ZL theo Smith_Chart

1.4 Phối hợp trở kháng mạch khuếch đại
- Dựa vào ZL và ZS tìm được từ mô phỏng Smith_Chart ta căn chỉnh lại thông số
mạch:

9
 Tiểu luận Kỹ thuật siêu cao tần

Hình 1-8 Sơ đồ mạch sau khi hiệu chỉnh ZS và ZL

- Ta thu được kết quả mô phỏng sau

Hình 1-9 Ma trận S và các thông số sau khi hiệu chỉnh ZS và ZL

10
 Tiểu luận Kỹ thuật siêu cao tần

Hình 1-10 Mô phỏng ZS và ZL theo Smith_Chart sau khi hiệu chỉnh

- Theo như kết quả nhận được thì S21 là 13.909= S max và S11 và S22 rất bé nên
thiết kế này đang rất tốt.
- Việc ta cần làm là thiết kế mạch phối hợp trở kháng để đưa ZL về 50 Ohm mà độ
lợi không đổi bằng cách dùng tool Smith_Chart trong ADS

Hình 1-11 Phối hợp trở kháng ZL

11
 Tiểu luận Kỹ thuật siêu cao tần

Hình 1-12 Phối hợp trở kháng ZS

- Sau khi có được thông số mạch phối hợp trở kháng ta thêm các phẩn tử cần thiết
vào mạch

Hình 1-13 Sơ đồ mạch phối hợp trở kháng có độ lợi cao nhất
12
 Tiểu luận Kỹ thuật siêu cao tần

- Kết quả mô phỏng

Hình 1-14 Kết quả tại ngõ vào và ngõ ra mạch khuếch đại

- Ta thấy Z có lệch 1 lượng nhỏ nên có thể bỏ qua.

Hình 1-15 Ma trận S và các thông số khác sau khi PHTK

13
 Tiểu luận Kỹ thuật siêu cao tần

- Nhận thấy giá trị S21 đã đạt cực đại và S11 S22 có giá trị rất nhỏ
- Độ ổn định mạch tại tần số 5.2 GHz cũng thỏa mãn (1.26 > 1)
 Ta đã đạt yêu cầu đề bài đặt ra
2. Kết luận:
- Sau khi trình thiết kế mạch phối hợp trở kháng tại tần số 5.2 GHz, ta biết được độ
lợi tối đa của 1 mạch khuếch đại đạt được phụ thuộc rất nhiều vào thông số L và C
kể cả giá trị và vị trí.
- Thông qua bài tiểu luận này giúp em nắm rõ được từng bước cũng như cách phối
hợp trở kháng tại ngõ vào và ngõ ra, cách sử dụng đồ thị Smith_Chart để thiết kế
mạch phối hợp trở kháng. Giúp em nắm được kiến thức một cách vững vàng hơn.

14